JP4131917B2 - フッ素化モノマーの製造法 - Google Patents

フッ素化モノマーの製造法 Download PDF

Info

Publication number
JP4131917B2
JP4131917B2 JP2002178070A JP2002178070A JP4131917B2 JP 4131917 B2 JP4131917 B2 JP 4131917B2 JP 2002178070 A JP2002178070 A JP 2002178070A JP 2002178070 A JP2002178070 A JP 2002178070A JP 4131917 B2 JP4131917 B2 JP 4131917B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
general formula
formula
same
group
fluorinated monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002178070A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004018486A (ja
Inventor
信人 星
信之 植松
池田  正紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Priority to JP2002178070A priority Critical patent/JP4131917B2/ja
Publication of JP2004018486A publication Critical patent/JP2004018486A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4131917B2 publication Critical patent/JP4131917B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、燃料電池用隔膜、食塩電解用隔膜等、フッ素系高分子電解質膜の原料として有用な−SO2 F基含有フッ素化モノマーの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、燃料電池用隔膜として、また食塩電解用隔膜の主要成分として下記一般式(4):
【化2】
Figure 0004131917
(pは0〜1の整数、qは1〜5の整数。)
で表されるパーフルオロポリマーが主に採用されている。
【0003】
これは下記一般式(5):
【化3】
Figure 0004131917
(p、qは一般式(4)と同じ。)
で表されるフッ素化モノマーとテトラフルオロエチレン(TFE)との共重合体を製膜した後、加水分解反応を施すことによって得られる。
【0004】
中でもp=1、q=2〜3のポリマーが広く用いられており、その原料フッ素化モノマーは下記の方法で製造されている。
【化4】
Figure 0004131917
【0005】
ところで、主鎖とスルホン酸基の間のスペーサーは短い方が交換基密度を高くしても充分な強度を保てるので、一般式(4)においてはp=0の方が好ましいと考えられるが、上図の中間体CF3 CF(COF)O(CF2 q SO2 Fから同様の脱炭酸ビニル化反応を行おうとすると、環化反応が主反応となってしまい、目的のフッ素化モノマーは極めて低収率であることが知られている。例えばq=3の場合、フッ素化モノマーは得られるものの、副反応である環化反応のためその収率は高々50%程度であり、q=2の場合に至っては環化反応のみが進行してしまい、全くフッ素化モノマーは得られていなかった。
【0006】
副反応であるこの環化反応を回避する方法についてはこれまでにも種々提案されている。例えば特開昭57−28024号公報にはFCOCF2 CF2 SO2 Fを出発原料として、これを式(6):
【化5】
Figure 0004131917
のエポキシドと反応させてClCF2 CF(COF)OCF2 CF2 SO2 Fを得、脱炭酸ビニル化反応を行うことで目的のフッ素化モノマーCF2 =CFOCF2 CF2 SO2 Fを得ている。しかしながらこの方法は、原料のエポキシド(6)の製造方法が繁雑であるという欠点を有している。
【0007】
さらに国際公開第98/43952号パンフレットには、CF3 CF(COF)OCF2 CF2 SO2 FをNaOHと反応させてカルボン酸フルオリドのみならずスルホン酸フルオリドまでもNa塩とした後、脱炭酸ビニル化反応を行い、式(7):
CF2 =CFOCF2 CF2 SO3 Na (7)
のビニルエーテルを製造する方法が記載されている。ここではこのスルホン酸塩(7)を既知の方法でスルホン酸フルオリドに変換させる方法が提案されている。しかし、スルホン酸塩(7)を酸フルオリドに変換する方法は、有毒で腐食性の高い反応試薬を使用するのみならず、操作が繁雑で反応収率も低く、実用的ではない。
【0008】
さらには、CF3 CF(COF)OCF2 CF2 SO2 Fの脱炭酸反応で選択的に得られる環化生成物をNaOCH3 と反応させ、式(7)のビニル化合物を得る方法が、特公昭47−2083号公報に記載されているが、収率が極めて低い上に、当然の事ながら、酸フルオリドに誘導するためには、上記国際公開第98/43952号パンフレットと同様の問題点を有する。
従ってこれまで、短鎖構造の−SO2 F基含有フッ素化モノマーを効率よく製造する方法は知られていなかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を解消するものであり、有用な短鎖構造の−SO2 F基含有フッ素化モノマーを効率よく製造する方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定のスルホンアミド中間体を経由することで、効率よく目的モノマーを製造できることを見出し、本発明をなすに至った。即ち本発明は、
1.下記一般式(1):
CF2 =CFO(CF2 n SO2 NR1 −CR2 =NR3 (1)
(式中、nは1〜5の整数、R1 、R2 、R3 はH、置換または無置換の炭化水素基、NHrRs(r,sはそれぞれ0〜2の整数であり、r+sは0〜2の整数であり、Rは置換または無置換の炭化水素基)から選ばれる基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R1 、R3 が結合して環を形成していてもよい。)
で表されるスルホンアミド化合物をフッ酸で処理することによる、下記一般式(2):
CF2 =CFO(CF2 n SO2 F (2)
(式中、nは一般式(1)と同じ。)
で表されるフッ素化モノマーの製造方法である。
【0011】
2.一般式(1)のスルホンアミド化合物が下記一般式(3):
【化6】
Figure 0004131917
(式中、n、R2 は一般式(1)と同じであり、X1 はC−R4 またはN、X2 はC−R5 またはNであり、R4 、R5 はH、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R4 、R5 が結合して環を形成していてもよい。)
で表される化合物である、前項記載の製造方法である。
【0012】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明における一般式(1)のスルホンアミド化合物、特に一般式(3)のスルホンアミド化合物は新規物質であり、本発明者らは別途特許出願しているが、本発明者らは該スルホンアミド化合物をフッ酸で処理するという、極めて単純な方法で、高純度の下記一般式(2):
CF2 =CFO(CF2 n SO2 F (2)
(式中、nは一般式(1)と同じ。)
で表されるフッ素化モノマーを製造できることを見出した。
尚、一般式(1)〜(3)において、nは1〜5の整数であるが、化合物の安定性、原料製造の容易さ、重合体の性能等を勘案すると、nは2または3が好ましく、2が特に好ましい。
【0013】
まず一般式(1)のスルホンアミド化合物について説明する。一般式(1)において、R1 、R2 、R3 はH、置換または無置換の炭化水素基、NHrRs(r,sはそれぞれ0〜2の整数であり、r+sは0〜2の整数であり、Rは置換または無置換の炭化水素基)から選ばれる基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。R1 、R2 、R3 が炭化水素基の場合、あるいはNHrRs基として炭化水素基が結合している場合、その炭素数はそれぞれ10個以内が好ましく、より好ましくは4個以内であり、特に好ましくは1個である。また適度の安定性を有することで取り扱いが容易になるので、R1 、R3 は結合して環を形成していることが好ましく、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環またはイミダゾリン環を形成していることが好ましく、イミダゾール環、またはトリアゾール環を形成していることがより好ましく、イミダゾール環を形成していることが特に好ましい。
【0014】
1 、R3 が結合してイミダゾール環やトリアゾール環やテトラゾール環を形成している場合、すなわち一般式(3)においては、R2 は水素原子または炭素数10個以内の炭化水素基が好ましく、炭化水素基の場合、アルキル基がより好ましい。またX1 はC−R4 またはN、X2 はC−R5 またはNであるが、それぞれC−R4 、C−R5 の場合、R4 、R5 は水素原子または炭素数10個以内の炭化水素基が好ましく、水素原子または炭素数4個以内のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。R4 、R5 が炭化水素基の場合はR4 、R5 が結合してベンゼン環等の環を形成していてもよい。
【0015】
以下に一般式(1)中のスルホンアミド基の好ましい具体例を示す。
【化7】
Figure 0004131917
【0016】
次に、一般式(1)のスルホンアミド化合物をフッ酸で処理する条件について説明する。用いるフッ酸は無水フッ酸、フッ酸水溶液のいずれでもよく、あるいは他の溶媒の溶液であってもよい。反応温度の下限は、反応系に依存するが、0℃以上が好ましく、50℃以上がより好ましく、80℃以上が特に好ましい。反応温度の上限は200℃以下が好ましく、150℃以下がさらに好ましい。例えば、反応温度は、好ましくは0℃以上200℃以下、より好ましくは50℃以上150℃以下、特に好ましくは80℃以上150℃以下である。
【0017】
反応時の圧力は減圧下でも、常圧下でも、さらには加圧下でも差し支えない。またフッ酸を水溶液で用いる場合は、スルホン酸の生成を抑制するために、フッ酸の濃度は30wt%以上が好ましい。
フッ酸との反応は、スルホンアミド化合物とフッ酸とを接触して加熱するだけでよい。また、生成物は低沸点化合物であるので、直接系外に留出させて取り出すことができる。得られた生成物は、必要により水洗するだけで高純度のフッ素化モノマーを得ることができる。
【0018】
ところで、一般式(1)のスルホンアミド化合物はどのような方法で製造してもよいが、例えば一般式(8):
【化8】
Figure 0004131917
(式中、nは一般式(1)と同じ。)
の化合物を、まず一般式(9):
【化9】
Figure 0004131917
(式中、M1 はアルカリ金属、アルカリ土類金属、4級アンモニウム基、または4級ホスホニウム基であり、nは一般式(1)と同じ。)
に変換した後、次いで塩基の存在下、HNR1 −CR2 =NR3 (式中、R1 、R2 、R3 は一般式(1)と同じ。)と反応させて下記一般式(10):
【化10】
Figure 0004131917
(式中、M1 は一般式(9)と同じ、n、R1 、R2 、R3 は一般式(1)と同じ。)
を得、次に加熱脱炭酸反応を行うことにより製造することができる。
【0019】
また、別法として、一般式(9)の化合物をプロトン性化合物の存在下、加熱脱炭酸反応を行うことで、CF3 CHFO(CF2 n SO2 F(式中、nは一般式(1)と同じ。)を得、次いで塩基の存在下、HNR1 −CR2 =NR3 (式中、R1 、R2 、R3 は一般式(1)と同じ。)と反応させて下記一般式(11):
CF3 CHFO(CF2 n SO2 NR1 −CR2 =NR3 (11)
(式中、n、R1 、R2 、R3 は一般式(1)と同じ。)
を得た後、下記一般式(12):
2 NR6 7 (12)
(式中、M2 はアルカリ金属であり、R6 、R7 はアルキル基、アラルキル基または置換シリル基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、R6 、R7 の少なくとも一方は2級若しくは3級のアルキル基、または置換シリル基であり、R6 、R7 が結合して環を形成していてもよい。)
と反応させることにより製造することができる。
【0020】
以上の反応において、HNR1 −CR2 =NR3 は塩基の存在下で反応させる代わりに、あらかじめアルカリ金属等の金属アミドにしておいて化合物(9)またはCF3 CHFO(CF2 n SO2 Fと反応させてもよい。
本発明の方法で製造されたフッ素化モノマーは公知のものであり、公知の方法で、テトラフルオロエチレン等と共重合を行えば、燃料電池用隔膜や食塩電解用隔膜の原料として用いることができる。
本発明の方法で製造されるフッ素化モノマーは、燃料電池用隔膜や食塩電解用隔膜の原料として有用なものであるが、従来、効率的な製造方法が知られていなかったものである。従って、本発明の製造方法はこのような課題を解決するものとして極めて有用である。
【0021】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【実施例】
(参考例1)
1.CF3 CHFOCF2 CF2 SO2 Fの合成
炭酸ナトリウム135gと500mlのジグライムからなるスラリー中に、室温で、400gのCF3 CF(COF)OCF2 CF2 SO2 Fを滴下した。そのまま室温で1時間攪拌後、さらに40℃で1時間攪拌した。ここで21mlの水を加え、100℃で加熱を続け、留出した液体を捕集した。留出液を水で洗浄し、176gの無色液体を得た。この液体は、19F−NMRからCF3 CHFOCF2 CF2 SO2 Fであることが確認された。
19F−NMR δ(CFCl3 基準):−147.9(1F)、−114.2(2F)、−86.5(3F)、−87.0、−84.6(2F)、42.7ppm(1F)
【0022】
2.中間体アミドの合成
窒素気流下、25gの水素化ナトリウム(含有率60%)をヘキサンで洗浄後、300mlのジメトキシエタンを加え、0℃に冷却しておき、38.5gのイミダゾールを200mlのジメトキシエタンに溶かした溶液を滴下した。室温で1時間攪拌後、0℃に冷却し、170gの上記CF3 CHFOCF2 CF2 SO2 Fを滴下した。室温で12時間攪拌後、少量の水を加え、溶媒を減圧で留去した。さらに水を加え、HFC43−10meeで抽出し、抽出液は希NaOH水溶液で洗浄した。抽出液を乾燥後、溶媒を留去した後、減圧蒸留(沸点64〜66℃/3.9×10-4MPa)して112gの無色液体を得た。この液体は19F−NMR、GCマススペクトルから、下記アミド体(13):
【化11】
Figure 0004131917
であることが確認された。
19F−NMR δ(CFCl3 基準):−148.0(1F)、−115.5(2F)、−86.0(3F)、−84.5、−83.0ppm(2F)
【0023】
3.ビニル化反応
窒素気流下、ヘキサメチルジシラザン145mlを500mlの無水テトラヒドロフランに溶解し、−78℃に冷却しておき、431mlのn−ブチルリチウム1.6Mヘキサン溶液を滴下した。−78℃で30分間攪拌してリチウムヘキサメチルジシラジドを生成させた後、0℃まで昇温し、上記アミド104.4gを200mlのテトラヒドロフランに溶解した溶液を滴下した。そのまま0℃で1時間攪拌した後、少量の水を加え、溶媒を留去した。水、HFC43−10meeを加え、不溶物を濾過して除き、有機相を乾燥後、溶媒を留去してから減圧蒸留(沸点60〜62℃/3.9×10-4MPa)して57.6gの無色液体を得た。この液体は、19F−NMR、GCマススペクトルからビニル体(14):
【化12】
Figure 0004131917
であることが確認された。
19F−NMR δ(CFCl3 基準):−137.8(1F)、−123.0(1F)、−115.7(2F)、−115.5(1F)、−84.5ppm(2F)
【0024】
(実施例1)
参考例で製造したスルホンアミド化合物(14)5gと、47wt%フッ酸水溶液5gとをクーゲルロール蒸留装置に仕込み、常圧下、100℃で1時間加熱した。留出物を水洗し、1.3gの無色の液体を得た。この液体の19F−NMRを測定したところ、標品と一致したことからCF2 =CFOCF2 CF2 SO2 Fであることが確認された。
19F−NMR δ(CFCl3 基準):−138.7(1F)、−123.6(1F)、−116.3(1F)、−114.2(2F)、−86.0(2F)、42.8ppm(1F)
【0025】
【発明の効果】
本発明の製造方法は、従来、燃料電池用隔膜や食塩電解用隔膜の原料として有用でありながら、その効率的な製造方法が知られていなかった短鎖型−SO2 F基含有フッ素化モノマーの効率的な製造方法を提供するものであり、極めて有用である。

Claims (2)

  1. 下記一般式(1):
    CF2 =CFO(CF2 n SO2 NR1 −CR2 =NR3 (1)
    (式中、nは1〜5の整数、R1 、R2 、R3 はH、置換または無置換の炭化水素基、NHrRs(r,sはそれぞれ0〜2の整数であり、r+sは0〜2の整数であり、Rは置換または無置換の炭化水素基)から選ばれる基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R1 、R3 が結合して環を形成していてもよい。)
    で表されるスルホンアミド化合物をフッ酸で処理することによる、下記一般式(2):
    CF2 =CFO(CF2 n SO2 F (2)
    (式中、nは一般式(1)と同じ。)
    で表されるフッ素化モノマーの製造方法。
  2. 一般式(1)のスルホンアミド化合物が下記一般式(3):
    Figure 0004131917
    (式中、n、R2 は一般式(1)と同じであり、X1 はC−R4 またはN、X2 はC−R5 またはNであり、R4 、R5 はH、置換または無置換の炭化水素基から選ばれる基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R4 、R5 が結合して環を形成していてもよい。)
    で表される化合物である、請求項1記載の製造方法。
JP2002178070A 2002-06-19 2002-06-19 フッ素化モノマーの製造法 Expired - Fee Related JP4131917B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002178070A JP4131917B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 フッ素化モノマーの製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002178070A JP4131917B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 フッ素化モノマーの製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004018486A JP2004018486A (ja) 2004-01-22
JP4131917B2 true JP4131917B2 (ja) 2008-08-13

Family

ID=31175900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002178070A Expired - Fee Related JP4131917B2 (ja) 2002-06-19 2002-06-19 フッ素化モノマーの製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4131917B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004018486A (ja) 2004-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4166574B2 (ja) スルホンアミド基を有するパーフルオロビニルエーテルモノマーの共重合体とその製造方法
JP5902712B2 (ja) ペルフルオロビニルエーテルスルフィン酸及びその塩類の調製
CN101052616A (zh) 制备含氟氟磺酰烷基乙烯基醚的方法
JP4894154B2 (ja) フルオロスルホニル基を含有する化合物の重合体
US20040122256A1 (en) Perfluorvinyl ether monomer having sulfonamide group
CN111954662B (zh) 乙烯基磺酸酐、其制造方法以及乙烯基磺酰氟的制造方法
JP4131917B2 (ja) フッ素化モノマーの製造法
EP2714655B1 (en) Allyl ether-terminated fluoroalkanesulfinic acids, salts thereof, and a method of making the same
JP4143810B2 (ja) 含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法
CA1224809A (en) Perfluorinated vinyl ethers containing a secondary hydrogen atom, polymers formed therefrom and a process for the preparation of the monomers
JP6852221B2 (ja) スルホン酸基含有モノマーの製造方法
JP2006335699A (ja) モノマー中間体の製造方法
JP2003515584A5 (ja)
US4404398A (en) Preparation of unsaturated fluorocarbon acids
JP4817542B2 (ja) フッ素化ビニルエーテルの製造法
US20050014969A1 (en) Process for producing perfluorovinylcarboxylic acid ester
JPH11335346A (ja) ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法
JP2006232704A (ja) 新規なフルオロスルホニル基含有化合物
JP4260466B2 (ja) フッ素化スルホン酸エステルモノマー
JP4437407B2 (ja) フッ素化スルホン酸ポリマーの製造方法
JPH11130743A (ja) ペルフルオロアルキルビニルエーテル誘導体の製造方法
JP2004018426A (ja) 含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法
JP2021031398A (ja) 含フッ素ビニルエーテルの製造方法
JP2019156782A (ja) スルホン酸塩の製造方法
JP2003012605A (ja) フッ素化ビニルエーテルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080527

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080529

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees