JP4126863B2 - 半導体装置の製造方法および半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、青紫色レーザ装置等に代表される、窒化物系化合物半導体層を備えた半導体装置の製造方法、およびそれらの半導体装置等の基板に用いられる半導体基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
GaN、InN、AlN等、一般式がBzAlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物半導体は、青色や緑色のLEDや、青紫色半導体レーザ、高温動作可能な高速トランジスタなどに用いる材料として好適である。窒化物半導体を成長させるための基板としては、サファイア基板(例えば特開平6−216409号公報)、SiC基板(例えば特開平10−261816号公報)、Si基板(例えば特開平11−40850号公報)などが知られている。また、これらの基板を用いた成長では、窒化物半導体と異種材料基板との熱膨張係数の差によって、基板の反り、クラックの発生、それらに伴う結晶性の悪化が発生することから、近年我々はこれらを防ぐ方法として、窒化物半導体より熱膨張係数の大きなサファイア基板上に、窒化物半導体より熱膨張係数の小さなシリコンを結晶成長により形成し、その上に窒化物半導体を成長する技術を開発している(2000年秋季応用物理学会 講演番号5a−Y−4)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、サファイア基板上に結晶成長によってシリコンを形成した複合基板(以下、シリコン・オン・サファイア基板、略してSOS基板と称する)では、シリコンの膜厚を増していくと、シリコンとサファイアの格子定数の違いによる応力が緩和される過程でシリコンに大量の欠陥が導入され、さらに膜厚を増していくとシリコン表面は凹凸の多結晶になり、シリコンの結晶性が悪化しまうという課題があった。シリコンが多結晶になることを防ぐには成長条件などを非常に細かく制御するなどで回避は可能であるが、欠陥の導入は避けられなかった。また、結晶性の悪いシリコン上へ成長した窒化物半導体も、結晶性が悪くなるという課題があった。さらには、窒化物半導体と異種材料基板との熱膨張係数の差を完全に緩和するには数十μmから100μm程度の厚さのシリコンが必要であるが、結晶成長によるSOS基板の作製では、結晶成長の時間が非常に長くなる(例えば10時間以上)という課題があり、歪が低減された窒化物半導体を得るのは非常に非効率的であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の窒化物半導体装置は、以下に示す構成よりなるものである。
【0005】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、熱膨張係数α1を有する第1の基板と熱膨張係数α2(α1<α2)を有する第2の基板とを、第1の基板または第2の基板に対して共晶を形成しうる金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に熱膨張係数がαN(α1<αN<α2)である窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有するものである。
【0006】
この構成により、複合基板を形成する材料として基板を用い、かつ第1の基板または第2の基板に対して共晶を形成しうる金属層を介して第1の基板と第2の基板とを貼り合わせているので、複合基板の結晶性が良好で複合基板には欠陥が導入されたり多結晶になることがなく、第1の基板と第2の基板とを密着性よく貼り合わせることができ、その上に結晶性の良好な窒化物半導体膜を成長することが可能である。
【0007】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板とサファイア基板とを、シリコン基板に共晶を形成しうる金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有するものである。
【0008】
この構成により、シリコン基板に共晶を形成しうる金属層を介して貼りあわせているのでシリコン基板とサファイア基板とを密着性よく貼り合わせることができ、結晶性良く窒化物半導体を成長することが可能である。
【0009】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板とサファイア基板とを、Alを主成分とする金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有するものである。
【0010】
この構成により、Alはシリコンと共晶を形成しうるのでシリコン基板とサファイア基板とを密着性よく貼り合わせることができ、結晶性良く窒化物半導体を成長することが可能である。
【0011】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、さらに複合基板を得る工程として前記シリコン基板と前記サファイア基板とを貼りあわせた後Alとシリコンとを共晶化せしめる工程を有することにより、さらにシリコン基板とサファイア基板とを窒化物半導体膜成長用に供するのに充分な強度で貼り合わせることが可能である。
【0012】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、さらに金属層に用いられる金属材料として、前記金属材料とシリコンとの共晶温度がシリコンの融点、前記金属材料の融点、サファイアの融点およびサファイアと前記金属材料の共晶温度のいずれよりも低い金属材料を用いるシリコンとAlの共晶化(合金化)が選択的に起こり、シリコンがAlを介してサファイアと接合させることが可能である。
【0013】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、さらに複合基板を得る工程として前記シリコン基板と前記サファイア基板とを貼りあわせた後加熱することにより、シリコン基板にシリコンとAlとの共晶を生じさせることができ、シリコン基板とサファイア基板との密着性をより向上させることができる。
【0014】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、加熱する工程において、加熱温度が前記金属層に用いられる金属材料とシリコンとの共晶温度以上の温度であり、シリコンの融点、前記金属材料の融点、サファイアの融点およびサファイアと前記金属材料の共晶温度のいずれよりも低い温度であることにより、シリコンとAlの共晶化(合金化)が選択的に起こり、シリコンがAlを介してサファイアと接合させることが可能である。
【0015】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、Alを主成分とする金属層を介して貼りあわせる工程がAlをシリコン基板またはサファイア基板の上に成膜する工程を有し、Alは窒化物半導体中で深い準位をほとんど形成しないので、半導体レーザ装置等のデバイスの動作電流をより低減させることができる。
【0016】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、金属層の厚さが0.005μm以上0.5μm以下であることにより、シリコン基板とサファイア基板とを良好に貼りあわせることができ、その上に形成される半導体装置の結晶性を良好にすることができる。
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程において、前記シリコン基板の厚さが前記サファイア基板の厚さの1/3以下であることにより、シリコンの厚さがサファイア基板の厚さより充分薄いため、シリコンとサファイアを貼りあわせたときに、シリコンとサファイアの熱膨張係数の違いによる反りが小さく、窒化物半導体の成長炉内でSOS基板が反ったり割れたりすることなく窒化物半導体を成長させることが可能である。
【0018】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程において、前記シリコン基板の厚さが前記サファイア基板の厚さの2倍以上であることにより、シリコンの厚さがサファイア基板の厚さより充分厚いため、シリコンとサファイアの熱膨張係数の違いによる反りが小さく、成長炉内でSOS基板が反ったり割れたりすることなく窒化物半導体を成長させることが可能である。
【0019】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、シリコン基板の主面として、(111)と等価な面を用いることにより、(111)シリコン基板上には良好な結晶性の(0001)窒化物半導体が成長するため、結晶性の良い窒化物半導体膜を製造することが可能である。
【0020】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、サファイア基板の主面として、(11−20)と等価な面を用いることにより、大面積の窒化物半導体膜を形成することが可能である。
【0021】
本発明の半導体装置の製造方法は、かかる構成につき、サファイア基板の主面は(0001)と等価な面であり、前記複合基板のサファイア基板側の主面に前記窒化物半導体を結晶成長することにより、(0001)サファイア基板上には良好な結晶性の(0001)窒化物半導体が成長するため、結晶性の良い窒化物半導体膜を製造することが可能である。
【0022】
本発明の半導体基板の製造方法は、シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の前記シリコン基板上に窒化物半導体膜を成長する工程と、前記シリコン基板を除去する工程とを有するものである。
【0023】
この構成により、窒化物半導体は歪が緩和されており、数100μm以上の厚膜成長が可能であるため、窒化物半導体装置の製造に供するための充分な強度を有する厚い窒化物半導体基板を得ることが可能である。
【0024】
本発明の半導体基板の製造方法は、かかる構成につき、シリコン基板を除去する工程は、フッ酸を含有する溶液によるエッチングで行われることにより、窒化物半導体膜に物理的ダメージをほとんど与えないで窒化物半導体膜を分離することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【0026】
(実施の形態1)
図1を参照しながら、本発明に係る第1の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態1にかかる窒化物半導体膜の製造方法を示している。
【0027】
まず、サファイア基板1とシリコン基板2との貼りあわせ工程を行う。サファイア基板1とシリコン基板2の径はいずれも2インチである。シリコン基板2の面方位は(111)面とし、サファイア基板1の面方位は(0001)面とする。以下、面方位については、等価な面での置き換えを行っても同様の結果が得られることは言うまでもない。例えば、シリコン(111)面に等価な面には、シリコン(1−11)面、(−111)面、(11−1)面、(−1−11)面、(−11−1)面、(1−1−1)面、(−1−1−1)面がある。なお、ここでは指数を明確に示すため、各数字の間に句点を挿入している。なお、結晶の面方位を表す指数として、1バーを用いるのに変えて、−1と標記することとする。
【0028】
サファイア基板1とシリコン基板2とを貼りあわせる面については、接合強度を増すためにはできるだけ鏡面であることが好ましい。例えば、表面の凹凸が数原子層程度以下(十数nm以下)であるような表面に仕上げられているものを使用する。なお、窒化物半導体成長後に剥離するような目的で接合強度を下げる目的や、微視的、局部的に接合強度を増すような目的で接合面を荒らしてもよい。
【0029】
また、結晶成長を行う面についても鏡面であることが好ましい。本実施の形態では、シリコン基板2を両面研磨仕上げとして、シリコン基板2側に窒化物半導体を成長するものとする。
【0030】
サファイア基板1とシリコン基板2の膜厚は、できるだけ均一なものが好ましい。本実施の形態では、シリコン基板2の厚さの規格は150μm±30μm、サファイア基板1の規格は450μm±30μmのものである。また、面内の厚さのバラツキはいずれも5μm以下だった。なお、窒化物半導体装置などで、局部的に歪を加える場合などの目的で、膜厚が均一でない、ないしは、パターンを設けたシリコン基板やサファイア基板を用いてもよい。
【0031】
つぎに、図示はしていないがサファイア基板1の洗浄を行う。接合面に異物が付着していると接合強度の低下などを招くので、通常接合面を清浄にすることが好ましい。なお、繰り返しになるが、窒化物半導体成長後に剥離するような目的で接合強度を下げる目的や、微視的、局部的に接合強度を増すあるいは減じるような目的で接合面に異物を導入してもよい。
【0032】
サファイア基板1の洗浄法の一例として、本実施の形態では150℃に加熱した燐酸と硫酸の混合溶液で洗浄した後、水洗を行い、つづいてサファイア基板1を乾燥した(図1(a))。
【0033】
乾燥後は、速やかに、例えば1時間以内程度に、真空の蒸着装置内に基板を導入する。このとき、洗浄後、真空に導入するまでの時間が1日程度以上になってしまうと、保管雰囲気によっては、サファイア基板1表面に空気中の水分や異物が付着するなどで接合強度が低下する場合がある。
【0034】
図1(b)に示すように、蒸着装置内で、サファイア基板1上にAl層3を蒸着する。本実施の形態では、Al層3の厚さは50nmである。なお、Al層3の形成方法は蒸着に限定するものではない。
【0035】
Al層3が蒸着されたサファイア基板1を真空中から取り出す前に、シリコン基板2の洗浄を行う。シリコン基板2の洗浄法の一例として、本実施の形態では、アセトンなどの有機溶剤で洗浄した後、水洗を行い、フッ酸を含む溶液で酸化膜を除去した。その後、フッ酸を除去する目的で軽く水洗し、乾燥する。本洗浄後、シリコン基板2は水素終端された状態の清浄な表面が得られる。なお、水素終端の清浄表面は、基板貼りあわせに好ましい表面状態の一例ではあるが、表面状態は特にこれに限定するものではない。
【0036】
洗浄後、速やかに蒸着装置からサファイア基板1を取り出し、速やかにシリコン基板2とAl層3を密着させ、加熱炉内へ導入し、炉内を真空とする。このとき、サファイア基板1とシリコン基板の向きや設置方法などは特に限定するものではないが、サファイア基板1上にAl層3を介して、シリコン基板2を重ねておくこととする。特に荷重はかけずに、シリコン基板2の重さのみでAl層3とシリコン基板2とを密着させることとする(図1(c))。なお、シリコン基板2についても、洗浄後、真空に導入するまでの時間が1日程度以上になってしまうと、保管の雰囲気によっては、シリコン基板2表面に水分や異物が付着し、酸化するなどで接合強度が低下する場合がある。
【0037】
炉内の排気を行った後に、窒素ガスの毎分15リットルのフローを導入する。炉内は常圧とする。なお、この際の雰囲気としては、シリコン、サファイア、Alが反応しない雰囲気であれば特に限定するものではなく、窒素の他に、アルゴン、水素などの雰囲気を用いることができる他、真空中としても良い。また、雰囲気、流量、圧力なども特に限定するものではない。
【0038】
次に、接合を行うための加熱を行う。常圧下でAlの融点は660℃、シリコンの融点は1404℃、サファイアの融点は2040℃、シリコンとAlの共晶温度は577℃である。なお、Alとサファイアは共晶を形成しにくい。したがって、これらの温度の中でシリコンとAlの共晶温度が最も低く、つぎにAlの融点が低い。
【0039】
シリコンとAlの共晶温度である577℃以上の温度で、かつAlの融点の660℃よりも低い温度で加熱を行えば、シリコンとAlの共晶化(合金化)が選択的に起こり、シリコンがAlを介してサファイアと接合されることとなる。このようなメカニズムによる接着であることと、接着層として働くAl層3が金属で比較的柔軟なため、荷重などを加えなくても密着さえしていれば充分な強度で接着が行われる。なお、前述のようにAlとサファイアは共晶を形成しにくい材料であるので、はじめからAlの融点以上の温度で加熱しても、Alとシリコンが反応して基板の接合は可能である。ただし、この場合の課題として、Alの厚さが、例えば0.1μmより厚い場合などに、Alが流れてしまって接合が不均一になりやすいなどが挙げられる。
【0040】
本実施の形態では、接合温度を600℃とし時間を15分とした。この場合、シリコン13%、Al87%程度の合金層4が形成される(図1(d))。
【0041】
なお、結合強度をさらに増大させて合金化を完全に進める目的で、温度を上昇させる工程を行っても良い。具体的には、窒素流量は同じとして、接合温度を800℃とし、時間を15分加熱する。このとき、温度を上げることで、シリコン基板2から合金層4にシリコンが供給されながら、接合が進んでいくこととなる。合金層4のシリコン濃度が増すことで、合金層の融点も上昇し、合金層の融点が加熱温度と同じになったところで合金化が停止する。800℃であれば、シリコン濃度はおおよそ28%である(図1(e))。
【0042】
加熱炉の温度を下げ、SOS基板が完成する。以下、サファイアやシリコンや窒化物半導体が積層されたものを基板と称することがある。加熱炉の温度を800℃から下げた瞬間に、シリコン濃度28%の合金層は固化する。したがって、本実施の形態のSOS基板は、室温ではシリコンとサファイアの熱膨張係数が異なるため800℃と室温の温度差によって、反っている。ただし、シリコン基板2の面方位を(111)面、サファイア基板1の面方位を(0001)面と選択したことにより、熱膨張係数は主面内で均等なため、一方向に極端に反って、割れたりクラックが発生するようなことは観測されなかった。
【0043】
つぎに、SOS基板を有機金属気相成長法の炉内(以下MOVPE炉と称する)に導入する。本実施の形態では、シリコン側に窒化物半導体が成長するようにSOS基板を設置する。MOVPE炉内を毎分15リットルの水素フローとして、1000℃まで基板を加熱する。室温で反っているSOS基板は、基板温度が800℃に到達した時点で反りがなくなると同時に合金層4が液化する。さらに温度を上げ続けると、シリコン基板2から合金層4にシリコンが供給されながらさらに接合が進んでいく。なお、800℃以上では、サファイア基板1とシリコン基板2は、液化した合金層4を介して接着されているので、SOS基板は反っていない。1000℃まで温度を上げると合金層4のシリコン濃度は45%程度となる。
【0044】
つぎに、原料ガスを導入して、窒化物半導体膜の成長を行う。具体的には、まず、アンモニアを毎分5リットルのフローで供給しておき、水素ガスで希釈した有機金属のフローをMOVPE炉内に導入することで成長が開始される。有機金属の種類を変化させたり、適度に混合することで様々な組成の窒化物半導体が成長できる。成長速度はおおよそ毎時2μmである。
【0045】
本実施の形態では、シリコン基板側に窒化物半導体を成長させる。シリコン基板に接する層は、Alを含む混晶とすることが好ましいのでAlN層を成長させることとする。
【0046】
まず、トリメチルアルミニウムを導入し、AlN層5を100nmの厚さで堆積する。引き続いて、トリメチルアルミニウムの導入を停止すると同時にトリメチルガリウムを供給することで、GaN層6を2μmの厚さで成長する(図1(f))。
【0047】
一旦、成長を停止して基板温度を下げ、基板をMOVPE炉から取り出す。
【0048】
この状態では、1000℃と室温の熱膨張係数差によって若干の反りが生じているがGaN層6が薄いため、歪はGaN層6の中に蓄積され、クラックなどはほとんど生じていない。
【0049】
つぎに、基板をハイドライド気相成長炉(以下HVPE炉)に導入する。HVPE炉内を毎分10リットルの窒素フローとして、基板を1000℃まで加熱する。引き続いてアンモニアを毎分5リットルのフローで供給しておき、窒素ガスで希釈した塩化水素ガス(HCl)を基板上流に設置したガリウムに照射することで、高温のガリウムとHClとが反応して生成された塩化ガリウムが基板に照射され、GaNの成長が行われる。成長速度はおおよそ毎時100μmである。
【0050】
3時間の成長を行うことで、GaN層7を300μmの厚さで成長し、基板温度を下げ基板をHVPE炉から取り出した。本実施の形態のGaN層7は、鏡面でありクラックや割れの発生がなかった。すなわち、300μmもの厚さのGaN層を2インチ全面に、クラックや割れなく成長することができた(図1(g))。
【0051】
本実施の形態においては、基板としてシリコンやサファイアを用いており、接着層としてAlを用いているので、窒化物半導体に悪影響を及ぼす不純物などがGaN層7中に導入されたり、炉内が悪影響を及ぼす物質などで汚染されることがない。また、サファイアの単体基板上やシリコンの単体基板上にGaNを300μmの厚さで堆積すると、熱膨張係数差により大きな反りが発生し、クラックや基板の割れが発生することが知られているが、本実施の形態ではクラックや割れは、観察されなかった。
【0052】
また、シリコンやサファイアは窒化物半導体を成長する炉内でガスや不純物を放出することがほとんどないので結晶性良くGaN層7を成長することができる。
【0053】
なお、本実施の形態のように窒化物半導体層が複数の層で形成されている場合は、それらの膜厚荷重平均の熱膨張係数差を考慮すればよいのは言うまでもない。
【0054】
なお、Alに変えて、シリコンと比較的低い温度で共晶を形成するAuやAgやその他の金属を用いてもSOS基板の作製は可能であることはいうまでもない。Alを用いた場合、AuやAgを用いた場合とは異なり、窒化物半導体中で深い準位をほとんど形成しないので、半導体レーザ装置等のデバイスの動作電流をより低減させることができる。
【0055】
なお、本実施の形態においては、シリコン上に接してAlを含む窒化物半導体を成長することが好ましいため、Alを含む半導体の成長が困難なHVPEではなく、MOVPE法によりAlN層を堆積したが、本発明においては成長法の差異は本質ではなく、例えば、シリコン以外の材料に窒化物半導体を成長する場合などでは、それぞれのケースに応じて適切に成長法や成長条件を選べることはいうまでもない。
【0056】
(実施の形態2)
本実施の形態2における検討について説明する。
【0057】
本実施の形態においては、実施の形態1と同様の工程で蒸着するAlの厚さについて検討した。Alの厚さが0.005μmより小さいときは、Alの量が少なく、シリコンとサファイアが接合されなかった。Alの厚さが0.5μmより大きいときは、Alとシリコンの共晶反応が不均一に進み、いわゆるアロイスパイクを形成して、一部でシリコンとサファイアが接着されていないような状態となり、貼りあわせが良好に行えなかった。このことから、好ましいAlの厚さは、0.005μmから0.5μmであることを見出した。
【0058】
この0.005μmから0.5μmの厚さのAlを用い、シリコン基板側に厚さ5μmのGaN層をMOVPE法により結晶成長させた。その結果、X線測定において半値幅が150arcsec、波長325nmのHe−Cdレーザ励起による室温のフォトルミネッセンス測定おいてバンド端発光強度のディープ発光強度に対する比が100以上という良好な結晶性を有するGaN層を得ることができた。
【0059】
(実施の形態3)
本実施の形態3について以下に説明する。
【0060】
本実施の形態3は、SOS基板の作製と窒化物半導体の成長を同一の炉内で行うことを特徴とするものである。
【0061】
まず、サファイア基板1とシリコン基板2の準備を行う。シリコン基板2とサファイア基板1の径はいずれも2インチで、シリコン基板2の面方位は(111)面とし、サファイア基板1の面方位は(0001)面とする。シリコン基板2の膜厚は150μm、サファイア基板1の膜厚は450μmとする。
【0062】
つぎに、サファイア基板1を洗浄した後、蒸着装置内でAl層3を、50nmの厚さに形成する。
【0063】
Al層3が蒸着されたサファイア基板1を真空中から取り出す前に、シリコン基板2の洗浄を行う。
【0064】
洗浄後、速やかに蒸着装置からサファイア基板1を取り出し、速やかにシリコン基板2とAl層3を密着させ、MOVPE炉内へ導入し、炉内を排気する。このときの基板の設置方法は、実施の形態1と同様である。サファイア基板1上にAl層3を介して、シリコン基板2を重ねておくこととする。なお、シリコン基板2とサファイア基板1とを重ねた厚さが600μm程度になるので、それにあわせた深さの溝を有するサセプタを用いるのが好ましいことはいうまでもない。また、基板回転機構を有するMOVPE炉においては、基板がずれるなどの問題が生じる可能性があるので、当初は基板回転を停止するのが好ましい。なお、シリコンとAlの共晶温度と、Alの融点との差は100℃近くもあるので、基板回転を停止しても基板全面に渡って、共晶温度以上で、かつ融点より低い温度で加熱することは充分可能である。なお、実施の形態1で示したように、特に荷重はかけずに、シリコン基板2の重さのみでサファイア基板1とシリコン基板2の接着可能であるので、MOVPE炉に特別な設備を設ける必要はないことはいうまでもない。
【0065】
MOVPE炉内を毎分15リットルの水素フローとして、600℃で15分間、基板を加熱する。これらの工程では基板回転を停止する。この工程で、シリコン基板2とAl層3が合金層4を形成しながら接合される。次に、基板回転を開始して、基板温度を1000℃に上げる。このとき、シリコン基板2から合金層4にシリコンが供給されながらさらに接合が進んでいく。シリコン基板2とサファイア基板1は、液化した合金層4を介して密着している状態なので反りを生ずることはない。
【0066】
つぎに、原料ガスを導入して、窒化物半導体膜の成長を行う。
【0067】
まず、トリメチルアルミニウムを導入し、AlN層5を100nmの厚さで堆積する。引き続いて、トリメチルアルミニウムの導入を停止すると同時にトリメチルガリウムを供給することで、GaN層6を2μmの厚さで成長する。
【0068】
成長を停止して基板温度を下げ、基板をMOVPE炉から取り出して、SOS基板上に窒化物半導体層を得ることができた。実施の形態1では、シリコン基板2とサファイア基板1は、SOS基板作製用の加熱炉と、MOVPE炉で昇温と降温が繰り返されるが、本実施の形態では、昇温と降温は1回ずつである。そのため、SOS基板が熱サイクルを受けて、欠陥などが基板中に導入される可能性を低減できる。また、従来の窒化物半導体の成長に係る設備と比べて、Al層3を堆積するための装置以外に、特に追加の設備が必要ない。プロセスも、MOVPE炉内での600℃の加熱は、成長シーケンスを変更するのみであるため、結局、Al蒸着を行うことと、基板洗浄を2枚行わなければならない以外は、従来と全く同じである。このように、本実施の形態によれば、従来の窒化物半導体の成長プロセスに若干手を加えるだけで、本発明の実施が可能である。
【0069】
(実施の形態4)
本実施の形態4における検討について説明する。
【0070】
本実施の形態においては、実施の形態1と同様の工程で、サファイア基板1とシリコン基板2とは、膜厚は同じで直径をともに4インチとし、サファイア基板の面方位は(0001)面に変えて(1、1、−2、0)面とした。サファイア基板の面方位は実施の形態1とは異なるが、シリコン基板2の面方位は(111)面としているため、実施の形態1と同様の結晶性の良いGaN層を成長することができた。なお、(1、1、−2、0)面では、熱膨張係数が若干の異方性を有するが、シリコンとサファイアとの熱膨張係数差に比べれば異方性による差は小さく、クラックなどの問題は生じなかった。
【0071】
サファイア基板上にシリコンを成長して作製したSOS基板では、シリコン層を(111)とするためには、サファイア基板を(0001)面としなければならないが、貼りあわせによれば、窒化物半導体を成長させる表面の面方位のみ考慮すればよく、本実施の形態ではサファイア基板の面方位を自由に選択することが可能である。(0001)面のサファイア基板は一般に大面積化が困難で、現時点では3インチ程度の径が実現されているだけであるが、(11−20)面などの他の面方位では、6インチなどの大面積基板が実用化されており、大面積の窒化物半導体膜を形成することが可能である。
【0072】
(実施の形態5)
本実施の形態5について、図2を参照しながら説明する。
【0073】
図2は、実施の形態1の方法で、シリコン基板とサファイア基板を貼りあわせて作製したSOS基板において、シリコン基板とサファイア基板の厚さの比と、室温での反りの関係の計算結果を示したものである。貼りあわせ温度と室温との差を1000℃と仮定している。ここでの計算では、窒化物半導体膜を成長していないSOS基板単体での曲率である。成長炉とは別の加熱炉でSOS基板を作製し、室温でSOS基板を取り出した場合を想定している。また、シリコン基板とサファイア基板の間に挿入されるAl層3や合金層4の影響は省いているが、Al層3や合金層4の厚さは、通常はシリコンやサファイアに比べて2桁以上小さく、Al層3や合金層4による反りへの影響はほとんど無視できる。
【0074】
さて、図2に示すように、SOS基板の反りは、サファイア基板1とシリコン基板2の厚さがほぼ同じ時において、極大となることがわかる。実際、図2で示す反りが大きい範囲では、加熱によりSOS基板を作製した後、室温に温度を下げた時点でクラックや割れ等が発生する。クラックや割れ等を防止するには、シリコン基板の厚さをサファイア基板の1/3以下とするか、シリコン基板の厚さをサファイア基板の2倍以上の厚さとする必要がある。なお、我々が検討し、既に2000年秋の応用物理学会で開示したように、窒化物半導体がほぼGaNで形成されている場合、シリコン基板の厚さをサファイア基板の厚さの約1/3.5とすると、歪が極小となることを明らかにしているが、この値は、クラックを防止できる範囲に存在しており、歪が極小となる成長は実現可能である。
【0075】
なお、以上の結果は、結晶成長炉とは別の炉でSOS基板を作製する場合の範囲を示しているものであって、実施の形態3のように、SOS基板の作成とGaNの成長を同時に行う場合は、室温に取り出す状態ではGaN層が表面に存在し、かつGaNは歪を緩和する方向に働くので実現可能なシリコンとサファイアの膜厚の範囲は拡大する。
【0076】
(実施の形態6)
以下、本実施の形態6について説明する。
【0077】
本実施の形態6は、SOS基板のサファイア側に窒化物半導体を成長する以外は、実施の形態1とほぼ同様である。すなわち、両面が鏡面で2インチのサファイア(0001)基板1と、少なくとも片面が鏡面で2インチのシリコン(111)基板2とを、Al層3を介して加熱により接合する。サファイア基板1の厚さは450μm、シリコン基板2の厚さは150μmとする。
【0078】
次に、GaN層の成長を行う。サファイア上には、直接GaNを成長することが可能であるので、MOVPE法は用いずに直接HVPEでサファイア基板1上にGaN層を成長することができる。なお、より好ましい実施の形態として、1000℃のアンモニア雰囲気中でサファイア基板を約15分間保持することで、サファイア基板の表面を窒化し、その上にGaNを成長する方法がある。
【0079】
(0001)面のサファイア基板上には、結晶軸がそろって結晶性の良好な(0001)面のGaNが成長することができる。また、本実施の形態ではGaNに加わる歪が低減されているので、GaN層が300μm程度以上の厚さでも、クラックや割れを生じずに成長できた。
【0080】
(実施の形態7)
以下、本実施の形態7について、図3を参照しながら説明する。
【0081】
図3(a)は、実施の形態1と同じ方法で作製したSOS基板上に成長した窒化物半導体である。ただし、図3(a)に示している例では、SOS基板の側面には、窒化物半導体が回りこんで堆積している場合を示している。このようなときは、予め図3(b)に示すように側面に堆積した窒化物半導体の一部ないしは全部を研磨などの方法で除去し、シリコン基板2を露出させる。
【0082】
つぎに、フッ酸と、硝酸など酸化性の酸とを含む溶液でシリコン基板2をエッチングした。窒化物半導体とサファイアは、フッ酸と硝酸を含む溶液ではエッチングされないため、シリコン基板2および合金層4のみが選択的に除去された。
【0083】
以上によって、図3(c)に示すように、いわゆるフリースタンディングの窒化物半導体基板8を得ることができた。なお、図3(b)の工程で、側面に堆積した窒化物半導体の一部しか除去しなかった場合は、側面の窒化物半導体を介して、サファイア基板1と窒化物半導体基板8が繋がっている場合がある。このときは、サファイア基板1と窒化物半導体基板8の間に刃状のものを当てて、軽く衝撃を与えると分離することができる。例えば、メスをあてて、メスの背を指で軽くたたくなどの方法がある。このようにして、フリースタンディングの窒化物半導体基板を得ることができる。
【0084】
この後、必要に応じて、側面に残っている窒化物半導体や、裏面のAlN層5などを研磨などの手法で除去し、単体のGaNよりなる基板を得ることも可能である(図3(d))。また、エッチングにより分離されたサファイア基板1は、再度シリコン基板を貼りあわせて再利用することが可能である。
【0085】
なお、上記いずれの実施の形態において、GaN、InN、AlN等、一般式がBzAlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物半導体を用いることができる。
【0086】
また、サファイア基板とシリコン基板とを形成した複合基板の上に、窒化物半導体膜だけでなく、単数や複数の窒化物半導体膜より構成される半導体レーザ装置、発光ダイオード、電解効果トランジスタ等を形成しても同様の効果を得ることができる。
【0087】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、反りやクラックや歪を低減でき、結晶性のよい窒化物半導体よりなる半導体膜および半導体装置を得ることができる。
【0088】
また、本発明の窒化物半導体基板の製造方法によれば、反りや歪を低減することができ、結晶性のよい窒化物半導体よりなる半導体基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施の形態における窒化物半導体膜の製造方法を表す図
【図2】本発明に係る第5の実施の形態における、シリコン・オン・サファイア基板の反りとシリコンとサファイアの膜厚の関係を表す図
【図3】本発明に係る第7の実施の形態における窒化物半導体基板の製造方法を表す図
【符号の説明】
1 サファイア基板
2 シリコン基板
3 Al層
4 合金層
5 AlN層
6 MOVPE成長GaN層
7 HVPE成長GaN層
8 フリースタンディングGaN基板
Claims (16)
- 熱膨張係数α1を有する第1の基板と熱膨張係数α2(α1<α2)を有する第2の基板とを、第1の基板または第2の基板に対して共晶を形成しうる金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に熱膨張係数がαN(α1<αN<α2)である窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有する半導体装置の製造方法。
- シリコン基板とサファイア基板とを、シリコン基板に共晶を形成しうる金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有する半導体装置の製造方法。
- シリコン基板とサファイア基板とを、Alを主成分とする金属層を介して貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の一方の主面上に窒化物半導体膜を結晶成長する工程とを有する半導体装置の製造方法。
- 前記複合基板を得る工程として前記シリコン基板と前記サファイア基板とを貼りあわせた後Alとシリコンとを共晶化せしめる工程を有する請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層に用いられる金属材料として、前記金属材料とシリコンとの共晶温度がシリコンの融点、前記金属材料の融点、サファイアの融点およびサファイアと前記金属材料の共晶温度のいずれよりも低い金属材料を用いる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複合基板を得る工程として前記シリコン基板と前記サファイア基板とを貼りあわせた後加熱する工程を有する請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記加熱する工程において、加熱温度が前記金属層に用いられる金属材料とシリコンとの共晶温度以上の温度であり、シリコンの融点、前記金属材料の融点、サファイアの融点およびサファイアと前記金属材料の共晶温度のいずれよりも低い温度である請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Alを主成分とする金属層を介して貼りあわせる工程が、Alをシリコン基板またはサファイア基板の上に成膜する工程を有する請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層の厚さは0.005μm以上0.5μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程において、前記シリコン基板の厚さが前記サファイア基板の厚さの1/3以下である請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程において、前記シリコン基板の厚さが前記サファイア基板の厚さの2倍以上である請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン基板の主面として、(111)と等価な面を用いる請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サファイア基板の主面として、(11−20)と等価な面を用いる請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サファイア基板の主面は(0001)と等価な面であり、前記複合基板のサファイア基板側の主面に前記窒化物半導体を結晶成長する請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン基板とサファイア基板とを貼りあわせて複合基板を得る工程と、前記複合基板の前記シリコン基板上に窒化物半導体膜を成長する工程と、前記シリコン基板を除去する工程とを有する半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン基板を除去する工程は、フッ酸を含有する溶液によるエッチングで行われる請求項15記載の窒化物半導体基板の製造方法。
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