JP4112484B2 - 無線機器及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、無線機器に関し、特に無線送受信回路を同一半導体チップ上に集積化した半導体装置及びそれを用いた無線機器に関する。

携帯電話などに用いられる無線機器では、送信部及び受信部は筐体の中に納められている。無線機器の受信部では、無線機器自身の送信部から回り込んでくるスプリアスや他の無線機器からの干渉波等の妨害波により、電気的特性が劣化する。受信部においてもっとも近い妨害波発生源は送信部である。送信部と受信部を同じシールドで遮蔽しても、例えば簡易型携帯電話（ＰＨＳ）で用いられている送信と受信とタイミングが異なる時分割複信（ＴＤＤ）方式の無線機器では、受信時に送信部の動作を停止することができ、スプリアスは発生しない。しかし、符号分割多重接続（ＣＤＭＡ）方式を利用した携帯電話の規格の一つであるアイ・エス−９５（ＩＳ−９５）や、第３世代移動体通信システムの標準化プロジェクト（３ＧＰＰ）で規格されている通信方式では、送信部と受信部が同時に動作する。このように、送信部と受信部が同時に動作する通信システムに用いられる無線機器においては、送信高周波出力信号の一部あるいはスプリアス等が妨害波となって受信部に回り込み、受信感度の劣化などの問題が生じてしまう。したがって、無線機器では、受信部の電気的特性の劣化を防ぐため、送信部及び受信部それぞれを接地された導体でシールドすることが必要となる。通常の無線機器の部品は送信用、受信用に分かれていて、それぞれ分離して配置することが可能であるため、送信部及び受信部を独立にシールドできる。また、接地されたシールドにより、送信部及び受信部間の電気的なアイソレーションも十分とれ、送信部から受信部への送信信号の回り込みを抑えることができる。

しかし、無線機器に対する小型化の要求から送信部及び受信部の集積化が進み、送信部及び受信部の一部をモノリシックに集積化して、１つの外囲器に収めた送受信回路一体型の集積回路による半導体装置が開発されている。このような送受信回路一体型の半導体装置を用いる無線機器においては、外部の無線機器からの干渉波に対するシールドは可能であるが、送信部及び受信部を完全に分離するようにシールドを設けることは困難である。したがって、送信部からのスプリアス等の妨害波が受信部に回り込み、無線機器の受信特性を劣化させてしまう。また、送受信回路一体型の半導体装置の半導体チップでは、送信側からの漏洩信号が受信側に回り込み、受信回路の特性を劣化させる。

本発明は、このような課題を解決し、送受信回路一体型の半導体装置を用いて小型化し、且つ送信部から受信部に回り込む妨害波を抑制して受信特性の劣化を低減することが可能な無線機器を提供することを目的とする。

また、本発明の他の目的は、送信側から受信側に回り込む漏洩信号を抑制して受信特性の劣化を低減することが可能な送受信回路一体型の半導体装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、（イ）アンテナ端子に接続されるアンテナ共用器、アンテナ共用器にそれぞれ接続される受信増幅部及び送信増幅部、受信増幅部及び送信増幅部の延在する領域で受信増幅部及び送信増幅部にそれぞれ接続される受信処理部及び送信処理部を有する半導体装置、及び半導体装置に接続されるベースバンド処理部が配置された実装基板と、（ロ）受信増幅部、送信増幅部及び半導体装置を覆うシールドケースと、（ハ）シールドケースの内部の一端から受信増幅部及び送信増幅部の間を分離するようにシールドケースから実装基板表面に達して配置された第１の仕切りと、（ニ）第１の仕切りから延在し半導体装置を跨ぐようにシールドケースに配置された切り込みからシールドケースの他端に延在する第２の仕切りとを備える無線機器であることを要旨とする。

本発明の第２の態様は、（イ）高周波受信信号をベースバンド受信信号に変換する受信処理部、ベースバンド送信信号を高周波送信信号に変換する送信処理部、及び受信処理部と送信処理部とを分離するように配置された接地領域をモノリシックに集積化した半導体チップと、（ロ）半導体チップの一端側に設けられた高周波受信信号の受信入力端子及び高周波送信信号の送信出力端子の間に配置され、前記接地領域に接続された第１の接地端子と、（ハ）一端に対向する他端側に設けられたベースバンド受信信号の受信出力端子及びベースバンド送信信号の送信入力端子の間に配置され、前記接地領域に接続された第２の接地端子と、（ニ）半導体チップを封止する外囲器とを備える半導体装置であることを要旨とする。

本発明によれば、送受信回路一体型の半導体装置を用いて小型化することができ、且つ送信部から受信部に回り込む妨害波を抑制して受信特性の劣化を低減することが可能な無線機器を提供することができる。

また、本発明によれば、送信側から受信側に回り込む漏洩信号を抑制して受信特性の劣化を低減することが可能な送受信回路一体型の半導体装置を提供することができる。

以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下の図面においては送信部および受信部をダイレクトコンバージョン方式(直接変換方式)で構成したもので説明するが、送信部あるいは受信部のどちらか一方あるいは両方ともスーパーへテロダイン方式で構成されたものでも良い。

本発明の実施の形態に係る無線機器は、図１に示すように、アンテナ３８と、アンテナ３８に接続されるアンテナ共用器３６と、アンテナ共用器にそれぞれ接続される受信部３２及び送信部３４と、受信部３２及び送信部３４に接続されるベースバンド処理部３０とを備える。アンテナ共用器３６は、アンテナ３８を送受信共用とするために設けられ、受信信号と送信信号を周波数の違いによって分離し、送信部３４から出力された送信信号が受信部３２に回り込んだり、アンテナ３８で受信した信号が送信部３４に回り込んで特性劣化を起こさないようにする。受信部３２は、アンテナ共用器３６から伝送される高周波（ＲＦ）受信信号をベースバンド受信信号に変換する。送信部３４は、ベースバンド送信信号をＲＦ送信信号に変換してアンテナ共用器３６に伝送する。ベースバンド処理部３０は、受信部３２から入力されたベースバンド受信信号を受信信号に復調し、また、送信信号をベースバンド送信信号に変調して送信部３４に出力する。

受信部３２には、ＲＦ受信信号を増幅する受信増幅部４０、及び増幅されたＲＦ受信信号をベースバンド受信信号に変換して増幅する受信処理部４６が設けられている。受信増幅部４０には、アンテナ共用器３６に接続された低雑音増幅器（ＬＮＡ）４８と、ＬＮＡ４８に接続されたＲＦフィルタ５０が設けられている。アンテナ共用器３６を介してアンテナ３８で受信されたＲＦ受信信号は、ＬＮＡ４８により増幅され、ＲＦフィルタ５０により、帯域外信号成分が減衰させられる。受信処理部４６は、受信直交復調部４２と、受信ベースバンド増幅部４４とを備えている。受信直交復調部４２には、ＲＦフィルタ５０にそれぞれ接続されたミキサ５２ａ、５２ｂと、位相シフタ５４を介してミキサ５２ａ、５２ｂに接続される局部発振器（ＬＯ）５６が設けられている。ＲＦフィルタ５０から分岐されてミキサ５２ａ、５２ｂに入力されたＲＦ受信信号は、ＬＯ５６の発振信号を位相シフタ５４により互いに直交する位相で分岐したＬＯ信号と混合され、互いに直交するベースバンド受信信号に変換（ダウンコンバート）される。受信ベースバンド増幅部４４には、ミキサ５２ａ、５２ｂにそれぞれ接続されたベースバンドフィルタ５８ａ、５８ｂと、ベースバンドフィルタ５８ａ、５８ｂにそれぞれ接続された可変利得増幅器６０ａ、６０ｂが設けられている。ミキサ５２ａ、５２ｂから出力された互いに直交するベースバンド受信信号は、ベースバンドフィルタ５８ａ、５８ｂによりそれぞれ帯域外信号成分が減衰され、可変利得増幅器６０ａ、６０ｂにより所定のレベルに増幅される。このようにして、受信処理部４６の受信ベースバンド増幅部４４から、互いに直交するベースバンド受信信号ＲＢａ、ＲＢｂがベースバンド処理部３０に出力される。

ここで、受信直交復調部４２のＬＯ５６の発振信号の発振周波数は、ＲＦ受信信号の周波数に対してほぼ等しい周波数となるように、ベースバンド処理部３０から出力される受信ＬＯ制御信号ＲＬＣにより制御される。あるいは、ＬＯ５６の発振信号の発振周波数はＲＦ受信信号のｎ倍（ｎは２以上の整数）となるように制御し、位相シフタ５４に設けた分周回路でｎ分周して、ミキサ５２ａ、５２ｂに入力するようにしてもよい。また、ＬＮＡ４８、及び可変利得増幅器６０ａ、６０ｂの利得は、ベースバンド処理部３０から出力される受信利得制御信号ＲＧＣにより制御される。

送信部３４には、ベースバンド送信信号を増幅してＲＦ送信信号に変化する送信処理部６８、及びＲＦ送信信号を電力増幅する送信増幅部７０が設けられている。送信処理部６８は、送信ベースバンド増幅部６２と、送信直交変調部６４と、ＲＦ増幅器６６とを備えている。送信ベースバンド増幅部６２には、ベースバンド処理部３０にそれぞれ接続されたベースバンドフィルタ７２ａ、７２ｂと、ベースバンドフィルタ７２ａ、７２ｂに接続された可変利得増幅器７４ａ、７４ｂが設けられている。ベースバンド処理部３０で変調されたベースバンド送信信号ＴＢａ、ＴＢｂは、ベースバンドフィルタ７２ａ、７２ｂによりそれぞれ帯域外信号成分が減衰され、可変利得増幅器７４ａ、７４ｂにより所定のレベルに増幅される。送信直交変調部６４には、可変利得増幅器７４ａ、７４ｂにそれぞれ接続されたミキサ７８ａ、７８ｂと、位相シフタ８０を介してミキサ７８ａ、７８ｂに接続されるＬＯ７６が設けられている。可変利得増幅器７４ａ、７４ｂからそれぞれミキサ７８ａ、７８ｂに入力されたベースバンド送信信号は、ＬＯ５６の発振信号を位相シフタ５４により互いに直交する位相で分岐したＬＯ信号と混合され、互いに直交するＲＦ送信信号に変換（アップコンバート）される。ＲＦ増幅器６６には、ミキサ７８ａ、７８ｂの出力が結合されて接続されている。ミキサ７８ａ、７８ｂでアップコンバートされたＲＦ送信信号は、ＲＦ増幅器６６により所定のレベルに増幅される。送信増幅部７０には、ＲＦ増幅器６６に接続されたＲＦフィルタ８２と、ＲＦフィルタ８２に接続された送信電力増幅器（ＨＰＡ）８４と、ＨＰＡ８４に接続されたアイソレータ８６とが設けられている。ＲＦ増幅器６６から出力されたＲＦ送信信号は、ＲＦフィルタ８２により帯域外信号成分が減衰させられ、ＨＰＡ８４により電力増幅されて、アイソレータ８６を介してアンテナ共用器３６に出力される。

ここで、送信直交変調部６４のＬＯ７６の発振信号の発振周波数は、ＲＦ送信信号の周波数に対してほぼ等しい周波数となるように、ベースバンド処理部３０から出力される送信ＬＯ制御信号ＴＬＣにより制御される。あるいは、ＬＯ７６の発振信号の発振周波数はＲＦ送信信号のｎ倍（ｎは２以上の整数）となるように制御し、位相シフタ８０に設けた分周回路でｎ分周して、ミキサ７８ａ、７８ｂに入力するようにしてもよい。また、ＲＦ増幅器６６、及び可変利得増幅器７４ａ、７４ｂの利得は、ベースバンド処理部３０から出力される受信利得制御信号ＴＧＣにより制御される。

実施の形態に係る無線機器では、図２に示すように、受信処理部４６及び送信処理部６８が同一の半導体チップ９０上にモノリシックに集積化されている。例えば、矩形状の半導体チップ９０の紙面に向かって右半面の領域に受信処理部４６、及び紙面に向かった左半面の領域に送信処理部６８が配置される。受信処理部４６のＲＦ受信信号入力部、及び送信処理部６８のＲＦ送信信号出力部は、紙面に向かって半導体チップ９０の上端部に配置され、ベースバンド受信信号出力部及びベースバンド送信信号入力部は、紙面に向かって半導体チップ９０の下端部に配置されている。また、受信処理部４６及び送信処理部６８の間に、紙面に向かって上下方向に沿って半導体チップ９０の上端近傍から下端近傍に延在する短冊形状の接地領域９２が配置されている。

受信処理部４６が配置された領域では、受信直交復調部４２のミキサ５２ａ、５２ｂに接続されたＲＦ受信信号入力用のボンディングパッド８８ａが、半導体チップ９０の上端近傍に設けられている。半導体チップ９０の下端近傍には、受信ベースバンド増幅部４４の可変利得増幅器６６ａ、６６ｂにそれぞれ接続されたベースバンド受信信号出力用のボンディングパッド８８ｂ、８８ｃが設けられている。また、半導体チップ９０の右端近傍に、可変利得増幅器６０ａ、６０ｂの利得制御信号用のボンディングパッド８８ｄ、及び右下端近傍にＬＯ５６のＬＯ制御信号用のボンディングパッド８８ｅが設けられている。

送信処理部６８が配置された領域では、送信ベースバンド増幅部６２のベースバンドフィルタ７２ａ、７２にそれぞれ接続されたベースバンド送信信号入力用のボンディングパッド８８ｆ、８８ｇが、半導体チップ９０の下端近傍に設けられている。半導体チップ９０の上端近傍には、ＲＦ増幅器６６に接続されたＲＦ送信信号出力用のボンディングパッド８８ｈが設けられている。また、半導体チップ９０の左端近傍に、ＲＦ増幅器６６及び可変利得増幅器７４ａ、７４ｂの利得制御信号用のボンディングパッド８８ｉ、及び左下端近傍にＬＯ７６のＬＯ制御信号用のボンディングパッド８８ｊが設けられている。

図２に示した半導体チップ９０は、例えば図３に示すように、面実装形のクワッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）等のリードフレームのダイパッド９５にダイボンディングされる。その後、ボンディングパッド８８ａ〜８８ｊは、金（Ａｕ）等のボンディング線９６を用いて、受信入力端子２００、受信出力端子２０２ａ、２０２ｂ、受信利得制御端子２０４、受信ＬＯ制御端子２０６、送信入力端子２０８ａ、２０８ｂ、送信出力端子２１０、送信利得制御端子２１２、及び送信ＬＯ制御端子２１４にそれぞれ接続される。接地領域９２の半導体チップ９０の上端側の領域が、受信入力端子２００及び送信出力端子２１０の間に配置された第１の接地端子９８ａ、９８ｂ、９８ｃにボンディング線９６を用いて接続される。また、接地領域９２の半導体チップ９０の下端側の領域が、受信出力端子２０２ａ、２０２ｂ及び送信入力端子２０８ａ、２０８ｂの間に配置された第２の接地端子９９ａ、９９ｂにボンディング線９６を用いて接続される。

半導体チップ９０に設けられた接地領域９２は、ボンディング線９６でボンディングされた第１及び第２の接地端子９８ａ〜９８ｃ、９９ａ、９９ｂを介して無線機器の接地（図示省略）に接続される。接地領域９２及び無線機器の接地間の抵抗を低減するために、第１及び第２の接地端子９８ａ〜９８ｃ、９９ａ、９９ｂの数は多いほうが望ましい。また、第１の接地端子９８ａ、９８ｂと第２の接地端子９９ａ、９９ｂは半導体チップ９０を挟んで対向して配置されされている。

リードフレームに半導体チップ９０をボンディングした後、半導体チップ９０及びボンディング線９６は、図示しないエポキシ樹脂等の外囲器により封止される。このようにして、送受信回路を一体化した半導体装置が形成される。実施の形態に係る半導体装置では、図２に示したように、接地領域９２が受信処理部４６及び送信処理部６８の間に配置されている。送信処理部６８で伝送されるＲＦ送信信号やベースバンド送信信号からの電気的雑音である漏洩信号は、接地領域９２で吸収される。

実施の形態に係る無線機器の実装基板１０２上に配置された送受信回路は、図４に示すように、実装基板１０２の一端の隅に設けられたアンテナ端子１０８と、実装基板１０２の一端に配置されたアンテナ共用器３６と、アンテナ共用器３６から実装基板１０２の他端に向かって並列に配置された受信増幅部４０及び送信増幅部７０と、受信増幅部４０及び送信増幅部７０を挟んでアンテナ共用器３６に対向して配置された半導体装置１００と、半導体装置１００に対向して実装基板１０２の他端に近傍に配置されたベースバンド処理部３０とを備えている。受信増幅部４０、送信増幅部７０及び半導体装置１００は、アンテナ共用器３６及びベースバンド処理部３０の間で、Ａｕや銅（Ｃｕ）等の導体層で形成された外周シールド接地部１０４で囲まれた領域に配置されている。受信増幅部４０及び送信増幅部７０の間には、外周シールド接地部１０４に接続され、半導体装置１００の近傍まで延在する導体層で形成された仕切りシールド接地部１０６ａが設けられている。また、半導体装置１００を挟んで仕切りシールド接地部１０６ａに対向する位置に、外周シールド接地部１０４に接続され、半導体装置１００の近傍まで延在する導体層で形成された仕切りシールド接地部１０６ｂが設けられている。

アンテナ端子１０８は、ＲＦ信号線１０７によりアンテナ共用器３６に接続される。アンテナ共用器３６は、受信ＲＦ信号線５１により、受信増幅部４０のＬＮＡ４８及びＲＦフィルタ５０を介して半導体装置１００の受信入力端子２００に接続される。また、アンテナ共用器３６は、送信ＲＦ信号線８１により、送信増幅部７０のアイソレータ８６、ＨＰＡ８４、及びＲＦフィルタ８２を介して半導体装置の送信出力端子２１０に接続される。受信ＲＦ信号線５１及び送信ＲＦ信号線８１は、外周シールド接地部１０４を迂回するために、外周シールド接地部１０４を挟んでアンテナ共用器３６とＬＮＡ４８及びアイソレータ８６のそれぞれの近傍に設けられたスルーホール１１０を介して実装基板１０２の中間層あるいは裏面に線路の一部が設けられる。なお、外周シールド接地部１０４及び仕切りシールド接地部１０６ａ、１０６ｂは、実装基板に設けられた無線機器の接地に接続される。

また、半導体装置１００の受信出力端子２０２ａ、２０２ｂ、及び送信入力端子２０８ａ、２０８ｂは、受信出力線５５ａ、５５ｂ、及び送信入力線８５ａ、８５ｂによりベースバンド処理部３０に接続される。受信利得制御端子２０４、受信ＬＯ制御端子２０６、送信利得制御端子２１２、及び送信ＬＯ制御端子２１４もそれぞれ、制御信号線５３ａ、５３ｂ、８３ａ、８３ｂによりベースバンド処理部３０に接続される。制御信号線５３ａは、受信利得制御端子２０４から更に、ＬＮＡ４８に接続される。受信出力線５５ａ、５５ｂ、送信入力線８５ａ、８５ｂ、及び制御信号線５３ａ、５３ｂ、８３ａ、８３ｂも受信ＲＦ信号線５１及び送信ＲＦ信号線８１と同様に、それぞれスルーホール１１０を介して外周シールド接地部１０４を迂回して配線されている。更に、半導体装置１００の第１の接地端子９８ａ〜９８ｃ及び第２の接地端子９９ａ、９９ｂはそれぞれ、仕切りシールド接地部１０６ａ及び１０６ｂに接地線１０１ａ及び１０１ｂにより接続される。

実装基板１０２には、図５に示すように、金属等の導体のシールドケース１１２及びシールド仕切り１１４が、外周シールド接地部１０４及び仕切りシールド接地部１０６ａ、１０６ｂに電気的に接触するように設けられる。即ち、シールドケース１１２及びシールド仕切り１１４は、外周シールド接地部１０４及び仕切りシールド接地部１０６ａ、１０６ｂを介して、無線機器の接地に接続される。シールド仕切り１１４は、図４に示した受信増幅部４０及び送信増幅部７０を分離する第１の仕切り１１５ａと、半導体装置１００を挟んで対向するように設けられる第２の仕切り１１５ｂと、半導体装置１００を跨ぐように設けられる切り込み１１５ｃとを有する。

シールドケース１１２は、図５のシールド仕切り１１４に沿ったＡ−Ａ断面図である図６（ａ）及び第１の仕切り１１５ａの長手方向に直交する方向のＢ−Ｂ断面図である図６（ｂ）に示すように、受信増幅部４０、送信増幅部７０、及び半導体装置１００を覆う筐体である。シールド仕切り１１４は、図６（ａ）に示すように、シールドケース１１２の側面及び上面に隙間無く接して設けられている。シールド仕切り１１４の第１及び第２の仕切り１０５ａ、１０５ｂ、及び切り込み１１５ｃと外囲器９７で封止された半導体装置１００との間の隙間１１６は、半導体装置１００の製造誤差や組み立て誤差を考慮した組み立てマージンに相当する空間である。第１の仕切り１０５ａは、図６（ｂ）に示すように、受信増幅部４０及び送信増幅部７０を空間的に遮断するようにシールドケース１１２の上面及び仕切りシールド接地部１０６ａに接触して設けられている。

上述のように、実施の形態では、送受信回路一体型の半導体装置１００が用いられているため、無線機器の小型化が可能となる。また、シールドケース１１２及びシールド仕切り１１４は、無線機器の接地に接続された導体である。したがって、シールドケース１１２により、受信部３２及び送信部３４に配置された受信増幅部４０、送信増幅部７０及び半導体装置１００に対する外部の無線機器からの干渉波を遮断することができる。また、シールド仕切り１１４の第１の仕切り１０５ａにより、送信増幅部７０から放射されるスプリアス等が受信増幅部４０に直接干渉することを抑制することが可能となる。シールド仕切り１１４の隙間１１６は、半導体装置１００の組み立てマージン程度に抑えられているため、送信部３４から受信部３２に漏洩する妨害波を低減することができる。更に、半導体装置１００の接地領域９２により、受信処理部４６及び送信処理部６８の間のアイソレーションがなされているため、送信処理部６８の送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号からの漏洩信号が受信処理部４６に与える電気的な劣化を防止することができる。このように、実施の形態にかかる無線機器では、送受信回路一体型の半導体装置１００を用いて小型化することができ、且つ送信部３４から受信部３２に回り込む妨害波及び漏洩信号を抑制して受信部３２の受信特性の劣化を低減することが可能となる。

上記の説明に用いた半導体チップ９０では、図２に示したように、接地領域９２は受信処理部４６及び送信処理部６８の共用の接地として、半導体チップ９０の一端から他端まで延在して設けている。例えば、図７に示すように、半導体チップ９０ａに、受信処理部４６及び送信処理部６８のそれぞれに専用の受信接地領域９２ａ及び送信接地領域９２ｂを、受信処理部４６及び送信処理部６８間に設けてもよい。受信処理部４６及び送信処理部６８の接地が、受信接地領域９２ａ及び送信接地領域９２ｂと分離されているため、接地を介して送信処理部６８の送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号が受信処理部４６に干渉することを抑制することができる。したがって、受信処理部の受信特性の劣化を更に効率よく防止することが可能となる。

また、半導体装置１００の受信処理部４６及び送信処理部６８の回路パターンレイアウトによっては、図２に示したような半導体チップ９０の一端から他端まで延在する接地領域９２を配置できない場合が生じる。例えば、図８に示すように、半導体チップ９０ｂに、受信直交復調部４２の入力部及びＲＦ増幅器６６の間に設けた第１の接地領域９２ｃと、受信ベースバンド増幅部４４及び送信ベースバンド増幅部６２の間に第２の接地領域９２ｄとを設けてもよい。第１の接地領域９２ｃで送信ＲＦ信号の干渉を防止し、第２の接地領域９２ｄで送信ベースバンド信号による干渉を防止することができる。または、受信処理部４６の受信直交復調部４２の入力部及び送信処理部６８のＲＦ増幅器６６の間に第１の接地領域９２ｃのみを設けてもよい。ＲＦ増幅器６６の出力部では、送信処理部６８の中で送信ＲＦ信号の強度が最大とり、受信ＲＦ信号が伝送される受信直交復調部４２の入力部に与える干渉が最も強くなる。したがって、第１の接地領域９２ｃを配置することにより、送信ＲＦ信号による受信処理部４６の受信特性の劣化を抑制することができる。

また、実施の形態の無線装置に用いる半導体チップ９０ｃに、図９に示すように、受信処理部４６及び送信処理部６８の間に配置された接地領域９２に加えて、受信処理部４６の受信ＲＦ信号の入力部及び送信処理部６８の送信ＲＦ信号の出力部の領域で、半導体チップ９０の端部の近傍に受信側接地領域９２ｅ及び受信側接地領域９２ｆをそれぞれ設けてもよい。受信側接地領域９２ｅ及び受信側接地領域９２ｆは、図１０に示すように、半導体装置１００ａの受信入力端子２００及び送信出力端子２１０が設置された紙面の上端側の紙面の左右両側の辺に設置された第３の端子１９８ａ、１９８ｂ、及び１９８ｃ、１９８ｄにボンディングされている。第３の端子１９８ａ、１９８ｂ、及び１９８ｃ、１９８ｄは、接地線１０１ｃ及び１０１ｄを介して外周シールド接地部１０４ａに接続されている。したがって、送信処理部６８から半導体チップの裏面側に回り込んでくる送信ＲＦ信号の漏洩信号を抑えることができ、受信特性の劣化を防止することが可能となる。

上述した送受信回路一体型の半導体装置１００には、一組の受信処理部４６及び送信処理部６８を有する送受信回路が設けられている。しかし、送受信回路は、一組に限定されず、複数個設けられてもよい。例えば、半導体チップ９０ｄには、図１１に示すように、紙面上で半導体チップ９０の左端近傍から右端近傍に向かって、第１の送信処理部６８ａ、第２の送信処理部６８ｂ、第１の受信処理部４６ａ、及び第２の受信処理部４６ｂが配置されている。第１の送信処理部６８ａ及び第１の受信処理部４６ａは、第１の送受信回路として動作する。第２の送信処理部６８ｂ及び第２の受信処理部４６ｂは、第２の送受信回路として動作する。第１及び第２の送信処理部６８ａ、６８ｂが配置された領域と、第１及び第２の受信処理部４６ａ、４６ｂが配置された領域との間に、紙面上で半導体チップ９０ｄの上端近傍より下端近傍に延在する接地領域９２ｇが設けられている。第１の送信処理部６８ａと第２の送信処理部６８ｂ、及び第１の受信処理部４６ａと第２の受信処理部４６ｂは、図２に示した送信処理部６８及び受信処理部４６と同様の構成である。

半導体チップ９０ｄの上端近傍には、第１及び第２の送信処理部６８ａ、６８ｂの送信ＲＦ信号出力用のボンディングパッド８９ｈ、８９ｒと、第１及び第２の受信処理部４６ａ、４６ｂの受信ＲＦ信号入力用のボンディングパッド８９ａ、８９ｋが設けられている。半導体チップ９０ｅの下端近傍には、第１及び第２の送信処理部６８ａ、６８ｂの送信ベースバンド信号入力用のボンディングパッド８９ｇ、８９ｆ、及び８９ｐ、８９ｑと、第１及び第２の受信処理部４６ａ、４６ｂの受信ベースバンド信号出力用のボンディングパッド８９ｂ、８９ｃ、及び８９ｌ、８９ｍが設けられている。また、半導体チップ９０ｅの下端近傍には、第１の送信処理部６８ａの送信ＬＯ制御信号用のボンディングパッド８９ｊと、第２の送信処理部６８ｂの送信利得制御信号用及び送信ＬＯ制御信号用のボンディングパッド８９ｓ、８９ｔと、第１の受信処理部４６ａの受信利得制御信号用及び受信ＬＯ制御信号用のボンディングパッド８９ｄ、８９ｅと、第２の受信処理部４６ｂの受信ＬＯ制御信号用のボンディングパッド８９ｏとが設けられている。更に、半導体チップ９０ｅの左端近傍には、第１の送信処理部６８ａの送信利得制御信号用のボンディングパッド８９ｉと、右端近傍には第２の受信処理部４６ｂの受信利得制御信号用のボンディングパッド８９ｎが設けられている。

第１及び第２の送受信回路は、ベースバンド処理部に設けられた切り替え制御部により切り替えられて動作する。半導体チップ９０ｄの接地領域９２ｇは、第１及び第２の送受信回路の第１及び第２の送信処理部６８ａ、６８ｂと第１及び第２の受信処理部４６ａ、４６ｂの間に設けられている。したがって、第１あるいは第２の送受信回路の動作時に、接地領域９２ｇによりそれぞれの送受信間のアイソレーションがなされているため、第１及び第２の送信処理部６８ａ、６８ｂの送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号の漏洩信号が第１及び第２の受信処理部４６ａ、４６ｂに与える電気的な劣化を防止することができる。なお、第１及び第２の送受信回路の切り替え制御部の設置場所は、ベースバンド処理部に限定されない。例えば、切り替え制御部を半導体チップ９０ｄに設けてもよい。この場合、半導体チップ９０ｄに設けられた切り替え制御部に、ベースバンド処理部から切り替え信号が伝送される。

（実施の形態の第１の変形例）
本発明の実施の形態の第１の変形例に係る無線機器に用いる半導体チップ９０ｅでは、図１２に示すように、回路パターンレイアウトにより、受信処理部４６の受信ＲＦ信号入力用のボンディングパッド８８ａが、接地領域９２ｈの近傍に配置されている。このため、ボンディングパッド８８ａの近傍の接地領域９２ｈの形状が、斜めに形成されている。

図１３に、実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置１００ｂの実装の一例を示す。ボンディングパッド８８ａは、受信入力端子２００ａにボンディングされている。その結果、接地領域９２ｈがボンディングされた第１の接地端子９８ｄ、９８ｅ及び第２の接地端子９９ｃ、９９ｄは、位置がずれて対向している。外周シールド接地部１０４ｂに接続された仕切りシールド接地部１０６ｃは、受信増幅部４０及び送信増幅部７０の間の途中で送信増幅部７０の側にクランク状に曲げられて、第１の接地端子９８ｄ、９８ｅに接地線１０１ａを介して接続されている。したがって、実施の形態の第１の変形例では、仕切りシールド接地部１０６ｃ、１０６ｄのそれぞれの半導体装置１００ｂ側の端部は、位置がずれて対向している点が、実施の形態と異なる。他の構成は、実施の形態と同様であるので、重複する記載は省略する。

実装基板１０２には、図１４に示すように、図１３に示した外周シールド接地部１０４ｂ及び仕切りシールド接地部１０６ｃ、１０６ｄ上に、シールドケース１１２ａ及びシールド仕切り１１４ａが設けられる。シールド仕切り１１４ａの第１の仕切り１１５ｄは、仕切りシールド接地部１０６ｃに設けられるため、途中で送信増幅部７０の側にクランク状に曲げられている。また、第１の仕切り１１５ｄに接続された切り込み１１５ｆは、逆に受信増幅部４０の側にクランク上に曲げられ、第２の仕切り１１５ｅに接続されている。

実施の形態の第１の変形例では、送受信回路一体型の半導体装置１００ｂが用いられているため、無線機器の小型化が可能となる。また、シールドケース１１２ａにより、受信部３２及び送信部３４に配置された受信増幅部４０、送信増幅部７０及び半導体装置１００ｂに対する外部の無線機器からの干渉波を遮断することができる。また、シールド仕切り１１４ａの第１の仕切り１０５ｄにより、送信増幅部７０から放射されるスプリアス等が受信増幅部４０に直接干渉することを抑制することが可能となる。更に、半導体装置１００ｂの接地領域９２ｈにより、受信処理部４６及び送信処理部６８の間のアイソレーションがなされているため、送信処理部６８の送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号の漏洩信号が受信処理部４６に与える電気的な劣化を防止することができる。このように、実施の形態の第１の変形例に係る無線機器では、送受信回路一体型の半導体装置１００ｂを用いて小型化することができ、且つ送信部３４から受信部３２に回り込む妨害波及び漏洩信号を抑制して受信部３２の受信特性の劣化を低減することが可能となる。

（実施の形態の第２の変形例）
本発明の実施の形態の第２の変形例に係る無線機器に用いる半導体チップ９０ｆには、図１５に示すように、受信処理部４６の入力側の右端領域にＬＮＡ４８ａが設けられている。ＬＮＡ４８ａの信号出力及び入力用のボンディングパッド８８ｋ、８８ｌはそれぞれ、受信処理部４６の信号入力用のボンディングパッド８８ａの近傍、及び半導体チップ９０ｆの入力側の右端近傍に配置されている。このように、ＬＮＡ４８ａが半導体チップ９０ｆの受信処理部４６に集積化されるため、図１６に示すように、受信側の外周シールド接地部１０４ｃを、ＲＦフィルタ５０が配置された位置の近傍まで縮小することができる。このため、外周シールド接地部１０４ｃは、受信側のＲＦフィルタ５０及び送信増幅部７０を分離する領域でクランク状に曲げられている。アンテナ共用器３６は、クランク状の外周シールド接地部１０４ｃのステップ部で送信増幅部７０に対向する受信側の領域に配置される。したがって、実装基板１０２ａの小型化が可能になる。実施の形態の第２の変形例では、ＬＮＡ４８ａを半導体チップ９０ｆに集積化した半導体装置１００ｃを用いることにより、アンテナ共用器３６を受信側に設けて実装基板１０２ａを小型化する点が、実施の形態と異なる。他の構成は同様であるので、重複する記載は省略する。

アンテナ共用器３６に接続された受信ＲＦ信号線５１は、スルーホール１１０を介して外周シールド接地部１０４を迂回して、ＬＮＡ４８ａの信号入力用のボンディングパッド８８ｌにボンディングされたＬＮＡ入力端子２１８に配線されている。ＲＦフィルタ５０は、入力部がＬＮＡ４８ａの信号入力用のボンディングパッド８８ｋにボンディングされたＬＮＡ入力端子２１６に接続され、出力部が半導体装置１００ｃの受信入力端子２００に接続されている。また、アンテナ共用器３６に接続された送信ＲＦ信号線８１は、スルーホール１１０を介して外周シールド接地部１０４を迂回して、送信増幅部７０に接続されている。

受信側のＲＦフィルタ５０及び送信増幅器７０の間に仕切りシールド接地部１０６ｅが設けられ、接地線１０１ａにより、第１の接地端子９８ａ〜９８ｃに接続されている。半導体装置１００ｃを挟んで仕切りシールド接地部１０６ｅに対向する仕切りシールド接地部１０６ｆは、接地線１０１ｂにより第２の接地端子９９ａ、９９ｂに接続されている。

実施の形態の第２の変形例では、実装基板１０２ａ上に、図１６に示した外周シールド接地部１０４ｃ及び仕切りシールド接地部１０６ｅ、１０６ｆ上に、図示しないシールドケース及びシールド仕切りが設けられる。シールドケースは、受信側のＲＦフィルタ５０及び送信増幅部７０を分離する領域でクランク状に曲げられた外周シールド接地部１０４ｃ上に沿って設けられている。シールド仕切りは、図１６に示したＲＦフィルタ５０及び送信増幅部７０を分離する第１の仕切りと、半導体装置１００ｃを挟んで対向するように設けられる第２の仕切りと、半導体装置１００ｃを跨ぐように設けられる切り込みとを有する。

実施の形態の第２の変形例では、受信側にＬＮＡ４８ａが集積化された送受信回路一体型の半導体装置１００ｃが用いられているため、受信側の領域の縮小ができ、無線機器の小型化が可能となる。また、シールドケースにより、受信部３２及び送信部３４に配置されたＲＦフィルタ５０、送信増幅部７０及び半導体装置１００ｃに対する外部の無線機器からの干渉波を遮断することができる。また、シールド仕切りの第１の仕切りにより、送信増幅部７０から放射されるスプリアス等がＲＦフィルタ５０に直接干渉することを抑制することが可能となる。更に、半導体装置１００ｃの接地領域９２により、ＬＮＡ４８ａ及び受信処理部４６と、送信処理部６８との間のアイソレーションがなされているため、送信処理部６８の送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号の漏洩信号がＬＮＡ４８ａ及び受信処理部４６に与える電気的な劣化を防止することができる。このように、実施の形態の第２の変形例に係る無線機器では、送受信回路一体型の半導体装置１００ｃを用いて小型化することができ、且つ送信部３４から受信部３２に回り込む妨害波及び漏洩信号を抑制して受信部３２の受信特性の劣化を低減することが可能となる。

（実施の形態の第３の変形例）
本発明の実施の形態の第３の変形例に係る無線機器に用いる半導体装置１００ｄには、図１７に示すように、外囲器９７の表面に第１の接地端子９８ａ〜９８ｃ及び第２の接地端子９９ａ、９９ｂに接続された外部接地電極１３０が設けられている。実施の形態では、図５に示したシールドケース１１２及びシールド仕切り１１４により、外部の無線機器からの干渉波や送信増幅部７０から放射されるスプリアス等の妨害波を遮断することができる。しかし、図６（ａ）に示したように、シールド仕切り１１４の第１〜第２の仕切り１１５ａ、１１５ｂ及び切り込み１１５ｃと、半導体装置１００との間に存在する隙間１１６を通して、送信増幅部７０から放射されるスプリアスの一部が受信増幅部４０へ漏洩して干渉する。図１８は、図５のシールド仕切り１１４の長手方向に沿ったＡ−Ａ断面図に相当する。実施の形態の第３の変形例では、図１８に示すように、外部接地電極１３０及び切り込み１１５ｃの間に、例えば導電スポンジのような弾力性のある導電部材１３２を埋め込み、切り込み１１５ｃ及び半導体装置１００ｄ間のシールドを行う点が、実施の形態と異なる。他の構成は同様であるので、重複する記載は省略する。

実施の形態の第３の変形例では、図１８に示したように、シールド仕切り１１４は、半導体装置１００ｄ上に設けられた外部接地電極１３０と導電部材１３２により接続される。導電部材１３２はシールド仕切り１１４及び半導体装置１００ｄの第１及び第２の接地端子９８ａ〜９８ｃ、９９ａ、９９ｂを介して、通信機器の接地に接続される。その結果、導電部材１３２は、送信増幅部７０から放射されるスプリアス等を遮蔽することができる。このように、送信増幅部７０から受信増幅部４０へのスプリアス等の漏洩パスは、シールド仕切り１１４の第１及び第２の仕切り１１５ａ、１１５ｂと半導体装置１００ｄの間に残される隙間１１６ａ、１１６ｂだけである。したがって、送信増幅部７０から放射されるスプリアスが、受信増幅部４０に漏洩して干渉することを抑制することが可能となる。

なお、半導体装置１００ｄの外部接地電極１３０は、第１及び第２の接地端子９８ａ〜９８ｃ、９９ａ、９９ｂにそれぞれ接続されている。しかし、外部接地電極１３０が、第１の接地端子９８ａ〜９８ｃ及び第２の接地端子９９ａ、９９ｂのいずれかに接続されていてもよいことは、勿論である。また、導電部材１３２はシールド仕切り１１４を介して、無線機器の接地に接続されるため、外部接地電極１３０は、第１及び第２の接地端子９８ａ〜９８ｃ、９９ａ、９９ｂのいずれにも接続されていなくてもよい。

実施の形態の第３の変形例では、送受信回路一体型の半導体装置１００ｄが用いられているため、無線機器の小型化が可能となる。また、シールドケース１１２により、受信部３２及び送信部３４に配置された受信増幅部４０、送信増幅部７０及び半導体装置１００ｄに対する外部の無線機器からの干渉波を遮断することができる。また、シールド仕切り１１４の第１の仕切り１０５ａにより、送信増幅部７０から放射されるスプリアス等が受信増幅部４０に直接干渉することを抑制することが可能となる。更に、シールド仕切り１１４の切り込み１１５ｃ及び半導体装置１００ｄの表面に設けられた外部接地電極１３０の間に導電部材１３２が埋め込まれているため、送信増幅部７０から放射されるスプリアスが、受信増幅部４０に漏洩して干渉することを抑制することが可能となる。このように、実施の形態の第３の変形例に係る無線機器では、送受信回路一体型の半導体装置１００ｄを用いて小型化することができ、且つ送信部３４から受信部３２に回り込む妨害波及び漏洩信号を抑制して受信部３２の受信特性の劣化を低減することが可能となる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

本発明の実施の形態においては、半導体装置１００、１００ａ〜１００ｅの外囲器９７として、面実装形のＱＦＰを用いて説明したが、外囲器９７はＱＦＰに限定されるものではない。例えば、面実装形のスモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）等でもよく、あるいは、挿入形のデュアルインラインパッケジ（ＤＩＰ）等でもよいことは、勿論である。また、上記した外囲器では、端子は外囲器の側面に設けられているが、外囲器の裏面に端子を設けた面実装形のボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）や挿入形のピングリッドアレイ（ＰＧＡ）等でもよいことは勿論である。

例えば、ＢＧＡ型半導体装置では、図１９に示すように、パッケージ基板１４０の表面に半導体チップ９０がマウントされる。半導体チップ９０の受信処理部４６のＲＦ受信信号入力用、ベースバンド受信信号出力用、利得制御信号用、及びＬＯ制御信号用のそれぞれのボンディングパッド８８ａ〜８８ｅが設けられている。また、送信処理部６８のベースバンド送信信号入力用、ＲＦ送信信号出力用、利得制御信号用、及びＬＯ制御信号用のそれぞれのボンディングパッド８８ｆ〜８８ｊが設けられている。パッケージ基板１４０には、半導体チップ９０のボンディングパッド８８ａ〜８８ｊのそれぞれの近傍にボンディングパッド１５０ａ〜１５０ｊが設けられ、それぞれボンディング線９６により接続されている。更に、半導体チップ９０の接地領域９２は、ボンディングパッド８８ａ、８８ｈが配置された半導体チップ９０の上端部近傍から、パッケージ基板１４０に設けられたボンディングパッド１５０ｋ、１５０ｌにボンディング線９６により接続されている。同様に、接地領域９２は、半導体チップ９０の下端近傍からパッケージ基板１４０に設けられたボンディングパッド１５０ｍ、１５０ｎにボンディング線９６により接続されている。

パッケージ基板１４０のボンディングパッド１５０ａ〜１５０ｎのそれぞれは、配線ランド１５２ａ〜１５２ｎに接続されている。配線ランド１５２ａ〜１５２ｎには、スルーホールが設けられ、パッケージ基板１４０の裏面に格子状に設けられたはんだボールの各端子に接続されている。図２０は、パッケージ基板１４０を実装基板１０２に実装した一例を示している。なお、説明を簡単にするため、図２０では半導体チップ９０及び外囲器の図示を省略している。実装基板１０２上にパッケージ基板１４０を挟んで対向して設けられた仕切りシールド接地部１０６ｇ、１０６ｈは、接地線１５６により接続されている。

受信処理部４６の配線ランド１５２ａ〜１５２ｅはそれぞれ、受信入力端子２００ｄ、受信出力端子２０２ｇ、２０２ｈ、受信利得制御端子２０４ｃ、及び受信ＬＯ制御端子２０６ｃに接続される。送信処理部６８の配線ランド１５２ｆ〜１５２ｊはそれぞれ、送信入力端子２０８ｇ、２０８ｈ、送信出力端子２１０ｃ、送信利得制御端子２１２ｃ、及び送信ＬＯ制御端子２１４ｃに接続される。また、半導体チップ９０の設置領域９２に接続された配線ランド１５２ｋ、１５２ｌは、仕切りシールド接地部１０６ｇの近傍に設けられた第１の接地端子９８ｋ、９８ｌに接続される。設置領域９２に接続された配線ランド１５２ｍ、１５２ｎは、仕切りシールド１０６ｈ側に設けられた第２の接地端子９９ｈ、９９ｉに接続される。半導体チップ９０の接地領域９２は、第１及び第２の接地端子９８ｋ、９８ｌ、９９ｈ、９９ｉそれぞれを介して、接地線１５６に接続される。このように、接地領域９２により、受信処理部４６及び送信処理部６８の間のアイソレーションがなされているため、送信処理部６８の送信ＲＦ信号や送信ベースバンド信号からの漏洩信号が受信処理部４６に与える電気的な劣化を防止することができる。

このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明の実施の形態に係る無線機器の一例を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の半導体チップの一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の組み立ての一例を説明する図である。 本発明の実施の形態に係る無線機器の実装の一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る無線機器のシールドの一例を示す図である。 図５に示した無線機器のシールドの（ａ）Ａ−Ａ断面、（ｂ）Ｂ−Ｂ断面を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の半導体チップの他の例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の半導体チップの他の例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の半導体チップの他の例を示す図である。 図９に示した半導体チップを搭載した半導体装置の実装の一例を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の半導体チップの他の例を示す図である。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置の半導体チップの一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置の実装の一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る無線機器のシールドの一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の半導体チップの一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の実装の一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係る無線機器の実装の一例を示す図である。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係る無線機器の実装されたシールド仕切りの断面の一例を示す図である。 本発明のその他の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。 本発明のその他の実施の形態に係る半導体装置の実装の一例を示す図である。

符号の説明

３０ ベースバンド処理部
４０ 受信増幅部
４２ 受信直交復調部
４４ 受信ベースバンド増幅部
５１ 受信ＲＦ信号線
５２ａ、５２ｂ、７８ａ、７８ｂ ミキサ
５３ａ、５３ｂ、８３ａ、８３ｂ 制御信号線
５４、８０ 位相シフタ
５５ａ、５５ｂ 受信出力線
５６、７６ ＬＯ
５８ａ、５８ｂ、７２ａ、７２ｂ ベースバンドフィルタ
６０ａ、６０ｂ、７４ａ、７４ｂ 可変利得増幅器
６２ 送信ベースバンド増幅部
６４ 送信直交変調部
６６ ＲＦ増幅器
６８ 送信処理部
７０ 送信増幅部
８１ 送信ＲＦ信号線
８４ ＨＰＡ
８５ａ、８５ｂ 送信入力線
８６ アイソレータ
８８ａ〜８８ｊ、８９ａ〜８９ｔ、１５０ａ〜１５０ｎ ボンディングパッド
９０、９０ａ〜９０ｇ 半導体チップ
９２、９２ｇ、９２ｈ 接地領域
９２ａ 受信接地領域
９２ｂ 送信接地領域
９４ リードフレーム
９５ ダイパッド
９６ ボンディング線
９７ 外囲器
９８ａ〜９８ｅ 第１の接地端子
９９ａ〜９９ｄ 第２の接地端子
１００、１００ａ〜１００ｅ 半導体装置
１０１ａ〜１０１ｄ、１５６ 接地線
１０２ 実装基板
１０４、１０４ａ〜１０４ｃ 外周シールド接地部
１０６ａ〜１０６ｈ 仕切りシールド接地部
１０７ ＲＦ信号線
１０８ アンテナ端子
１１０ スルーホール
１１２、１１２ａ、１１２ｂ シールドケース
１１４、１１４ａ、１１４ｂ シールド仕切り
１１５ａ、１１５ｄ 第１の仕切り
１１５ｂ、１１５ｅ 第２の仕切り
１１５ｃ、１１５ｆ 切り込み
１１６、１１６ａ、１１６ｂ 隙間
１３０ 外部設置電極
１３２ 導電部材
１４０ パッケージ基板
１５２ａ〜１５２ｎ 配線ランド

Claims (4)

1. アンテナ端子に接続されるアンテナ共用器、前記アンテナ共用器にそれぞれ接続される受信増幅部及び送信増幅部、前記受信増幅部及び送信増幅部の延在する領域で前記受信増幅部及び送信増幅部にそれぞれ接続される受信処理部及び送信処理部と、前記受信処理部及び送信処理部の間に配置された接地領域とを同一の半導体チップ上にモノリシックに集積化した半導体装置、及び前記半導体装置に接続されるベースバンド処理部が配置された実装基板と、
   前記受信増幅部、前記送信増幅部及び前記半導体装置を覆うシールドケースと、
   前記シールドケースの内部の一端から前記受信増幅部及び前記送信増幅部の間を分離するように前記シールドケースから前記実装基板表面に達して配置された第１の仕切りと、
   前記第１の仕切りから延在し前記半導体装置を跨ぐように前記シールドケースに配置された切り込みから前記シールドケースの他端に延在する第２の仕切りと
   を備えることを特徴とする無線機器。
2. 前記第１の仕切りが、前記接地領域の一端に接続された前記半導体装置の第１の接地端子に接続されることを特徴とする請求項１に記載の無線機器。
3. 前記第２の仕切りが、前記接地領域の他端に接続された前記半導体装置の第２の接地端子に接続されることを特徴とする請求項２に記載の無線機器。
4. 高周波受信信号をベースバンド受信信号に変換する受信処理部、ベースバンド送信信号を高周波送信信号に変換する送信処理部、及び前記受信処理部と前記送信処理部とを分離するように配置された接地領域をモノリシックに集積化した半導体チップと、
   前記半導体チップの一端側に設けられた前記高周波受信信号の受信入力端子及び前記高周波送信信号の送信出力端子の間に配置され、前記接地領域に接続された第１の接地端子と、
   前記一端に対向する他端側に設けられた前記ベースバンド受信信号の受信出力端子及び前記ベースバンド送信信号の送信入力端子の間に配置され、前記接地領域に接続された第２の接地端子と、
   前記半導体チップを封止する外囲器と
   を備えることを特徴とする半導体装置。

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