JP4090297B2 - 基板処理装置およびスリットノズル先端の清浄化方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スリットノズルにより角形基板に対して処理液を塗布する基板処理装置における技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、角形基板（液晶用ガラス角形基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板など）の表面にフォトレジストなどの処理液を塗布する技術として、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてレジストを塗布するスリットコート技術が知られている。スリットコート技術とは、水平に保持された基板に対してスリットノズルが移動しながら、当該基板上に処理液を塗布する技術である。このスリットコート技術を用いた基板処理装置としては、スリットコータや、あるいは一端スリットコートを施した後、スピンコートを行うスリット＆スピンコータなどが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図１４ないし図１９は、従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１について説明する図である。図１４に示すように、スリットノズル１００１によるレジスト塗布は、時間経過で粘度変化を起こした古いレジストを廃棄する目的で、溶剤１００２Ｓを貯留したポット１００２においてレジストを少量だけいったん吐出するプリディスペンスを行った後、所定の塗布開始位置Ｐ１にスリットノズルを移動し、ステージ１００３上に水平に保持された基板Ｗに対してスリットノズル１００１を矢印ＡＲ１に示すように水平移動させながら、１０μｍ程度の膜厚で基板Ｗ上にレジストを塗布する、という態様にてなされていた。
【０００４】
しかしながら、断面図である図１５および側面図である図１６（ａ）に示すように、スリットノズル１００１の先端部１００１ｅには、プリディスペンスによって新たにレジスト１００４が付着してしまうため、塗布開始位置から３０ｍｍ程度の範囲では膜厚が不安定となり、再現性を得ることができなかった。付着したレジスト１００４は、乾燥するとパーティクルの原因ともなり、製造工程の歩留まりを低下させる要因となってしまうことも問題の１つである。あるいは、図１７に示すように、塗布後のレジスト膜には、先端部１００１ｅに付着したレジスト１００４が原因となって、Naランプで観察できる程度の微小なうねりであるうね１００５が、矢印ＡＲ２に示すスリットノズル１００１の移動方向に沿って発生するという問題があった。
【０００５】
こうした問題に対応するため、従来は、例えば特開平９−１２２５５３号公報に開示されているような技術にて、具体的には、断面図である図１８および斜視図である図１９に示すようにポット１００２にレジストガイド１００８を設ける態様によって、プリディスペンスによる液滴の発生と、先端部１００１ｅへのレジストの付着とを防止していた。すなわち、図１６（ｂ）あるいは図１８に示すように、スリットノズル１００１の吐出口１００１ｄに例えば薄板状のレジストガイド１００８の端部を近接配置させることにより、プリディスペンス時に吐出されたレジストは、このレジストガイド１００８を伝ってポット１００２内へ案内されることで、先端部１００１ｅへの付着が抑制されていた。しかし、この方法によっても、先端部１００１ｅからほぼ完全にレジストを除去することは困難であり、１０μｍ程度の膜厚を有するレジスト膜の塗布においては、膜厚の均一性を確保することは難しかった。
【０００６】
またポット１００２内には、ノズル洗浄機構１００９が設けられているが、塗布前に先端部１００１ｅをリンス液で洗浄すると、吐出口１００１ｄからスリットノズル１００１の内部にリンス液が入り込んでしまい、これを廃棄するために改めてディスペンスを実施しなくてはならず、問題の解決にはならなかった。また、洗浄後すぐに塗布する場合には、先端部１００１ｅにおけるリンス残りも、塗布に悪影響を及ぼす要因となってしまっていた。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、レジスト塗布処理時のスリットノズルの先端部を清浄にすることができ、かつ、塗布開始時のレジストの吐出安定性が高い基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、所定の処理液を吐出するスリットノズルが略水平に取り付けられ、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記スリットノズルの先端部分に存在する前記処理液を除去する除去機構を備え、前記除去機構が、前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記先端部分に近接するように配置され、毛管現象を利用して前記先端部分に付着した前記処理液を除去する除去部材と、前記除去部材が外周に設けられてなり、前記除去部材によって除去された前記処理液が内部に流通可能な中空部材と、前記除去部材が除去した前記処理液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が、それぞれの開口端の一方が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように互いに隣接配置されてなるとともに、それぞれの他方の開口端が前記中空部材に連通するように設けられてなる、複数の管状部材であり、前記複数の管状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記複数の管状部材の内部へと案内することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記複数の管状部材の前記内部に案内された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記管状部材の内径が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が、互いの端部が略平行にかつ前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように配置されてなるとともに、互いのなす間隙が前記中空部材に連通するように設けられてなる２枚の薄板状部材であり、前記２枚の薄板状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記間隙へと案内することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記２枚の薄板状部材の前記間隙に案内された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記２枚の薄板状部材の前記端部における間隔が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、ことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、所定の溶剤が貯留される貯留部をさらに備え、前記除去機構が、前記貯留部内において前記溶剤中に部分的に浸漬して備わる、ことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記スリットノズルの前記先端部分と近接する前記除去部材の部分に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段、をさらに備え、前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置であって、前記洗浄液供給手段が、前記中空部材の長手方向に沿って移動しつつ前記洗浄液を供給する、ことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が前記中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材であり、前記中空部材が前記吸収部材と接する部分に複数の開孔を有することによって前記吸収部材と連通してなり、前記吸収部材は、側面部分が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように設けられてなり、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を毛管現象を利用して吸収することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記吸収部材によって吸収された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記除去部材に前記中空部材の内部から洗浄液を供給する洗浄液供給手段、をさらに備え、前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１１の発明は、請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記除去部材を前記中空部材の長手方向を軸に回転させる回転手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１２の発明は、基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、前記スリットノズルが待機位置にあるときに、開口端を有する案内部材を前記開口端が前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する案内部材配置工程と、前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記開口端から前記複数の案内部材の内部へと案内することによって除去する除去工程と、前記案内部材の内部に案内された前記処理液を前記案内部材の他方端と連通させた中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１３の発明は、基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、前記スリットノズルが待機位置にあるときに、複数の開孔を有する中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材を、前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する吸収部材配置工程と、前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記吸収部材によって吸収することによって除去する除去工程と、前記吸収部材によって吸収された前記処理液を中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、を備えることを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
＜装置構成の概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。また、図３は本体２の正面図である。さらに図４は、図２および図３のＡ−Ａ’断面における本体２の側断面図である。
【００３１】
基板処理装置１は、本体２と制御系６とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００３２】
本体２は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状を有し、例えば一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。
【００３３】
ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００３４】
ステージ３において基板９０の保持エリアを挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００３５】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、例えばカーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３、４４とから主に構成される。
【００３６】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。
【００３７】
水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含むレジスト供給機構７４（図６）が接続されている。スリットノズル４１は、吐出機構によりレジストが送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジストを吐出する。
【００３８】
ギャップセンサ４２は、スリットノズル４１の近傍となるよう、ノズル支持部４０に取り付けられ、下方の存在物（例えば、基板９０の表面や、レジスト膜の表面）との間の高低差（ギャップ）を測定して、測定結果を制御系６に伝達する。
【００３９】
このように、ノズル支持部４０にスリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることにより、これらの相対的な位置関係が固定される。したがって、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えているが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えていてもよい。
【００４０】
さらに、ステージ３の、スリットノズル４１の待機位置の直下に相当する位置には、レジスト塗布を行う前のスリットノズル４１がプリディスペンスを行うためのプリディスペンス部７が備わっている。プリディスペンス部７には、スリットノズル４１の先端部からレジストを除去する除去機構（図５）が備わっている。プリディスペンス部７についての詳細は後述する。なお、図１ないし図４は、スリットノズル４１がレジスト塗布を行う前の待機位置である、プリディスペンス部７の直上にある状態を示している。
【００４１】
昇降機構４３、４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３、４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００４２】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０、５１が、それぞれ固設される。
【００４３】
リニアモータ５０は、固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御信号により制御可能となっている。なお、架橋構造４の反対側に設けられているリニアモータ５１およびリニアエンコーダ５３もほぼ同様の構成を備えている。
【００４４】
制御系６は、プログラムに従って各種データを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部６２、および各種データを表示する表示部６３を備える。
【００４５】
制御系６は、図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２および各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ３、架橋構造４、昇降機構４３、４４、およびリニアモータ５０、５１などの各構成を制御する。
【００４６】
なお、具体的には、記憶部６１としてはデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００４７】
＜プリディスペンス＞
図５は、プリディスペンス部７に備わる除去機構７０の構成を模式的に示す斜視図である。除去機構７０は、帯状の形状を有し、両端を券回手段７２（７２ａ、７２ｂ）に券回され、かつ複数のローラ７５と薄板状の保持ガイド７６とにより張設保持された、可撓性の吸収部材７１を主として備える。図６は、吸収部材７１とスリットノズル４１との配置関係を説明するための図である。図６（ａ）に示すように、吸収部材７１は、スリットノズル４１が待機位置にある場合にスリットノズル４１の長手方向の全体にわたり吐出口４１ｄの直下に吸収部材７１の側端部が吐出口４１ｄと略平行に非接触状態で近接して位置するように、かつ、吸収部材７１の主面が垂直になるように、保持ガイド７６にて保持されている。保持ガイド７６が保持することにより、吸収部材７１のたわみ等は抑制され、吐出口４１ｄとの間隔も一手に保たれる。また、それぞれの券回手段７２ａ、７２ｂには、例えばステッピングモータからなる駆動源７３（７３ａ、７３ｂ）が備わっている。制御系６によって駆動源７３が制御されることにより、吸収部材７１は、券回手段７２ａから一定長さずつ送り出されるとともに、同じ長さだけ券回手段７２ｂにより巻き取られる。なお、券回手段７２は本体２の内部に格納され、保持ガイド部分のみがプリディスペンス部７に配置される態様であってもよい。
【００４８】
なお、吸収部材７１としては、例えば、微細な孔を無数に有する多孔質の物質や、それを用いて形成された紙、繊維、布生地など、主として微視的な毛管現象が作用することによる高いレジスト吸収能を備える物を用いることができる。さらに、パーティクルの発生要因とならない素材が用いられるのが好ましい。例えば、クリーンルームでの使用に適した不織布、無塵紙、無塵衣等に用いられる素材などが好適である。
【００４９】
次に、プリディスペンス処理について説明する。プリディスペンス処理は、後述するレジスト塗布処理に先立って行われる処理であり、スリットノズル４１の先端部４１ｅを清浄化し、塗布開始時のレジストの吐出安定性を高めるための処理である。
【００５０】
レジスト塗布が実行される直前、レジスト供給機構７４にて供給されたレジストにて内部の吐出経路が満たされたスリットノズル４１は、図６（ａ）に示すように、プリディスペンス部７の直上において、吐出口４１ｄと吸収部材７１とが近接する位置に保持される。このとき、吐出口４１ｄ近傍のレジストには、周辺の雰囲気との接触による乾燥に起因する粘度低下が生じうる。制御系６からの指示に従い、少量（０．５ｃｃ程度）だけレジストを吐出すると、吐出されたレジスト７７は、直下の吸収部材７１と接触し次第、矢印ＡＲ７に示すように、その直下に位置する吸収部材７１に吸収される。吸収部材７１は、微視的な毛管現象を利用してプリディスペンス時に吐出されたレジストを十分に吸収できる吸収能を備えているので、吐出されたレジスト７７は、吐出され次第、選択的に吸収部材７１に吸収され、吐出口４１ｄを含めた先端部４１ｅから速やかに除去される。これにより、先端部４１ｅへの付着は抑制され、清浄度が維持されたまま後段のレジスト塗布処理に移行できる。その結果、付着したレジストに起因するパーティクルの発生は、著しく低減される。
【００５１】
また、プリディスペンスが終了後も、スリットノズル４１の内部には、溶剤等が入り込むことがないので、吐出口４１ｄ近傍においても適正な粘度を有するレジストが保持される。従って、その後のレジスト塗布処理において、塗布開始時の吐出安定性を高めることができ、レジストの膜厚均一性も向上する。
【００５２】
また、レジストを吸収した吸収部材７１が、次回のプリディスペンス時に同一位置にてレジストを十分に吸収できない場合、スリットノズル４１の吐出口４１ｄに相当する長さだけ、券回手段７２ａによる吸収部材７１の送り出しと、券回手段７２ｂによる巻き取りとが実行される。このような巻き取りは、所定回数（１回または複数回）のプリディスペンスを完了するごとに制御系６によって自動的にを行ってもよく、吸収部材７１の状態を目視できるように構成する場合には、オペレータの目視によるマニュアル指令入力が行われたときに実行されるようにしてもよい。また、それらを併用することもできる。これにより、次回のプリディスペンス処理においても、レジストを十分に吸収することができる。
【００５３】
＜レジスト塗布処理＞
次に、基板処理装置１においてなされるレジスト塗布処理の動作について概説する。基板処理装置１では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、ステージ３上の保持面３０の所定位置にまで基板９０が搬送されて吸着保持されると、制御系６からの指示に応じて、まず上述したプリディスペンス処理が行われた後、レジスト塗布処理が実行される。
【００５４】
レジスト塗布処理においては、まず、ギャップセンサ４２により基板９０の高さ位置情報を得る。すなわち、ギャップセンサ４２が基板９０表面よりも十分高い所定の測定高度に保持された状態で、架橋構造４をＸ方向に移動させることで、ギャップセンサ４２による基板９０の走査がなされ、これにより高さ位置情報が取得される。
【００５５】
架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、架橋構造４はいったんその位置で停止する。そして、ギャップセンサ４２からの測定結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢がレジスト塗布において適切な姿勢となるように調整する。
【００５６】
スリットノズル４１の姿勢が調整されると、架橋構造４が−Ｘ方向に移動しつつ、スリットノズル４１がレジスト塗布領域にレジストを吐出する。これにより、基板９０の表面上にレジストの層が形成される。
【００５７】
スリットノズル４１が吐出終了位置まで移動すると、再びギャップセンサ４２が測定高度に位置するように保持されて、さらに架橋構造４をＸ方向に移動させつつギャップセンサ４２によるレジスト塗布領域の走査が行われる。その後、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さが算出される。算出結果は表示部６３に表示される。
【００５８】
レジスト膜の検査が終了すると、ステージ３は基板９０の吸着を停止する。基板９０は、オペレータまたは搬送機構によって保持面３０から取り上げて、後段の処理へと供される。
【００５９】
＜第２の実施の形態＞
除去機構７０が有する吸収部材が第１の実施の形態のような帯状のものでなくとも、同様の効果を得ることができる。図７は、第２の実施の形態に係る除去機構８０について示す図である。なお、図７に示す除去機構８０以外の構成要素については第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。図７は、除去機構８０において、第１の実施の形態に係る吸収部材７１と同様に、毛管現象に基づく高いレジスト吸収能を備えた、紐状の形状を有する可撓性の吸収部材８１が、両端を券回手段８２（８２ａ、８２ｂ）に券回され、かつ複数のローラ８４により張設保持されている場合を示している。なお、吸収部材８１も第１の実施の形態に係る吸収部材７１と同じく、図示しない保持ガイドにて保持されている。
【００６０】
この場合も、吐出口４１ｄの直下にこれに非接触状態で近接するように吸収部材８１が保持されており、プリディスペンス時に吐出口４１ｄから少量吐出されたレジストは、直ちに吸収部材８１へと吸収される。また、同じ位置においてレジストを吸収困難となった場合も、券回手段８２によって、使用済みの吸収部材８１の巻き取りと、新たな吸収部材８１の送り出しとを行うことができる。すなわち、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
なお、図７においては、券回手段８２がスリットノズル４１の下方に位置するよう配置されているが、第１の実施の形態と同様に、側方に配置される態様であってもよい。
【００６２】
＜第３の実施の形態＞
第１および第２の実施の形態は、レジスト吸収能の高い吸収部材を用いることにより、プリディスペンス後におけるスリットノズル４１の先端部４１ｅの清浄化を図る態様であったが、清浄化を図る態様はこれに限定されない。以下、第１および第２の実施の形態とは異なる態様について説明する。
【００６３】
図８は、本実施の形態に係る基板処理装置１００（図１０）の案内機構１１０について説明する図である。図９は、案内機構１１０が備わるプリディスペンス部１０７について説明する図である。基板処理装置１００においては、以下に示す構成要素以外については第１の実施の形態に係る基板処理装置１と同じであるので、以降の説明は省略する。本実施の形態においては、プリディスペンス部１０７に備わる案内機構１１０が、除去機構として作用する。
【００６４】
案内機構１１０は、図８に示すように、それぞれが細管状を有し、スリットノズル４１の吐出口４１ｄと略平行にかつ非接触で近接するように、開口部の一方を揃えて互いに隣接配置された複数の管状部材１１１と、その下方にあって当該複数の管状部材１１１の配列方向を長手方向とし、その内部とそれぞれの管状部材１１１とを貫通させつつ当該管状部材１１１を保持する基台部１１２とを主として備えている。なお、管状部材１１１には、例えば、親溶剤性のガラス、シリコン、金属などにより形成することが好適であり、また管状部材１１１の内径は、スリットノズル４１の先端部４１ｅの吐出口を含む底面部（これを「リップ」と称する）の幅と同程度であることが望ましく、リップと管状部材１１１との間隔は、０１．〜０．５ｍｍ程度に保たれることが望ましい。本実施の形態に係る管状部材１１１の場合、たわみ等が生じることがないので、吐出口４１ｄの長手方向の全範囲にわたって、吐出口４１ｄとの間隔をほぼ一定に保つことができる。
【００６５】
また、図９に示すように、プリディスペンス部１０７の内部には所定の溶剤１１３が貯留されており、案内機構１１０は部分的に溶剤１１３に浸漬した状態にて固定されている。溶剤１１３中に浸漬することにより、当該溶剤１１３の揮発によって、リップ近傍には溶剤１１３の雰囲気が形成され、リップ部分を含めた先端部４１ｅの乾燥を防ぐことができる。
【００６６】
本実施の形態に係るプリディスペンス処理においては、レジスト供給機構７４からスリットノズル４１へと供給されるレジストが、第１および第２の実施の形態と同様に、吐出口４１ｄから少量だけ吐出される。吐出されたレジスト１１４は、直下の管状部材１１１の開口部と接触し次第、毛管現象によって、吐出口４１ｄの直下に近接した管状部材１１１の内部へと、選択的に案内される。すなわち管状部材１１１が案内部材として作用する。これにより、先端部４１ｅへの付着は抑制され、清浄度が維持されたまま、後段のレジスト塗布処理へと移行することができる。このように、レジストは管状部材１１１の内部を経路として除去されるので、再び飛散してパーティクルの要因となることはない。
【００６７】
このようにプリディスペンス処理がなされる結果、付着したレジストに起因するパーティクルの発生は、著しく低減される。なお、上述のように吐出口４１ｄとの間隔は長手方向にわたってほぼ一定に保たれているので、先端部４１ｅへのレジストの付着を抑制する効果の位置によるばらつきは少ない。また、レジスト塗布処理における塗布開始時の吐出安定性、さらには膜厚均一性も向上する。
【００６８】
なお、管状部材１１１の内部に吐出されたレジスト１１４が付着していくに従い、毛管現象によるレジスト１１４の選択的な案内が徐々になされなくなっていく。本実施の形態に係る基板処理装置１００（図１０）には、これを回避し、常に案内機構１１０を機能させるための機構が備わっている。図１０および図１１は、これを説明するための図である。
【００６９】
まず、洗浄機構１２０は、図示しない駆動手段によって、図１０においては矢印ＡＲ８にて、図１１においては矢印ＡＲ９にて示すように、案内機構１１０の情報をＹ軸方向に移動しつつ、洗浄液供給手段１２２から供給される洗浄液を、矢印ＡＲ１０に示すように洗浄ノズル１２１から管状部材１１１へ向けて吐出するためのものである。なお、洗浄機構１２０は、レジスト塗布処理中など、スリットノズル４１がプリディスペンス部７の上部に存在しないときに動作し、動作を行わないときは、図１０に示すようにプリディスペンス部１０７の端部に待機するものとする。
【００７０】
また、案内機構１１０の基台部１１２には、当該基台部１１２の内部を通じてレジスト１１４を吸引排出するための、例えば吸引ポンプなどからなる吸引手段１１５が接続されている。
【００７１】
レジスト塗布処理の実行中など、スリットノズル４１がプリディスペンス部１０７の上方に存在しない状況において、洗浄機構１２０を移動させながら管状部材１１１を洗浄しつつ、管状部材１１１および基台部１１２の内部を吸引することで、管状部材１１１の内部に付着したレジスト１１４は、洗浄液ともども除去されることになる。これにより、管状部材１１１は再び十分にレジストを案内することができるようになるので、交換等をすることなく、繰り返し使用に供することができる。
【００７２】
＜第４の実施の形態＞
案内機構における案内部材は、第３の実施の形態のような管状部材には限定されない。本実施の形態では、管状部材とは異なる案内部材を有する場合について説明する。案内機構以外の構成要素については、第３の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００７３】
図１２は、本実施の形態に係る案内機構２１０について模式的に示す図である。案内機構２１０は、第３の実施の形態に係る案内機構１１０における管状部材１１１に代わり、スリットノズル４１の吐出口４１ｄの近傍において、互いの端部が略平行にかつ非接触で近接するよう配置された、２枚の薄板状部材（以下、「シム部材」という）２１１を基台部２１２上に有している。また、シム部材２１１がなす間隙は基台部２１２と通じている。なお、図１２においては、２枚のシム部材２１１の主面が互いに略平行になるよう示しているが、これは例示であって、端部が略平行であれば、２枚のシム部材２１１がハの字形に配置される態様であってもよい。また、端部の間隔はリップの幅と同程度であることが望ましく、リップとシム部材２１１との間隔は、０．１〜０．５ｍｍ程度であることが望ましい。
【００７４】
本実施の形態の場合、２枚のシム部材２１１の端部の間隙が、細管に生じる毛管現象と同様の現象を生じさせ、プリディスペンス時において少量吐出されたレジストは、シム部材２１１に接触すると選択的にシム部材２１１の内側に案内されることとなる。また、シム部材２１１は平板状であるために、その作用はスリットノズル４１の長手方向にわたって均一である。よって、本実施の形態においては、第３の実施の形態に係る案内機構１１０よりも単純な構造を有しながら、均一性の点で第３の実施の形態よりも優れた効果を得ることができる。
【００７５】
また、図１２においては図示を省略しているが、本実施の形態においても、第３の実施の形態と同様に、吸引手段と洗浄機構とを備えることで、案内機構２１０を交換等をすることなく、繰り返し使用に供することができる。また、案内機構２１０はプリディスペンス部１０７において溶剤に部分的に浸漬されており、スリットノズル４１の先端部４１ｅの乾燥は抑制されている点も第３の実施の形態と同様である。
【００７６】
＜第５の実施の形態＞
第１および第２の実施の形態の吸収部材は、使い捨てになるが、本実施の形態では、吸収によりレジストを除去しつつ、繰り返し使用できる態様について説明する。ただし、除去機構に係る構成要素以外については、第１および第２の実施の形態と同様であるので、以下の説明は省略する。
【００７７】
図１３は、本実施の形態に係る除去機構３１０の構成を模式的に示す図である。本実施の形態に係る除去機構３１０は、例えば微視的に毛管現象が作用することによる高いレジスト吸収能を備えた円柱形の吸収部材３１１を、中空でかつ側面に多数の開孔３１３を有する中空軸棒３１２を中心軸として備えている。吸収部材３１１は肉厚であって、その中心部に形成された筒状の空洞部分に中心軸棒３１２が挿入された形状となっている。中空軸棒３１２の軸方向は、スリットノズル４１が待機位置にある場合の長手方向と一致しており、除去機構３１０は、吸収部材３１１の側面部分が、スリットノズル４１が待機位置にある場合にその先端部４１ｅと非接触で近接するように配置される。また、除去機構３１０は、例えばステッピングモータなどからなる駆動手段３１５によって、中空軸棒３１２を回転軸として所定の角度ずつ回転可能とされている。
【００７８】
さらに、除去機構３１０は、中空軸棒３１２を介して吸収部材３１１に対し洗浄液を供給する洗浄液供給手段３１６と、中空軸棒３１２を介して吸収部材３１１が吸収しているレジストや洗浄液等を吸引し排出する吸引手段３１７と接続されている。なお、駆動手段３１５、洗浄液供給手段３１６、および吸引手段３１７は、本体２の内部に格納されている態様であってもよい。
【００７９】
本実施の形態に係るプリディスペンス処理においては、スリットノズル４１の吐出口４１ｄからレジストが少量だけ吐出されると、第１および第２の実施の形態と同様に、吸収部材３１１がこれを選択的に吸収する。そして、レジストを吸収した吸収部材３１１が、以降のプリディスペンス時に同一位置にてレジストを十分に吸収できない場合、駆動手段３１５によって吸収部材を３１１を所定の角度もしくは任意の角度だけ回転させて、レジストが付着していない部分をスリットノズル４１の先端部４１ｅと対向させることで、次回のプリディスペンスにおいても、吸収部材３１１はレジストを十分に吸収することが可能となる。すなわち、本実施の形態においても、上述の実施の形態と同様に、先端部４１ｅの清浄度を維持し、レジスト塗布における膜厚均一性の向上を図ることができる。
【００８０】
ただし、このようなレジストの吸収を繰り返すと、やがて吸収部材３１１の全体にレジストが含浸し、駆動手段によって場所を変えてもレジストを吸収することができなくなる。本実施の形態においては、そうした状況に至った場合、洗浄液供給手段３１６によって洗浄液を中空軸棒３１２へと供給する。供給された洗浄液は、開孔３１３を通じて吸収部材３１１へと吸収される。所定時間経過後、今度は吸引手段３１７を作用させる。これにより、吸収部材３１１に吸収されているレジストは、洗浄液ともども開孔３１３を介して吸引除去されることとなる。
【００８１】
これにより、吸収部材３１１は洗浄され、再びレジストを吸収可能な状態になるので、以降のプリディスペンス処理においても、繰り返し使用することができる。
【００８２】
＜変形例＞
上述の実施の形態においてはいずれも、プリディスペンス処理を行った後、ギャップセンサによるスキャンを経てレジストの塗布を行うが、吐出口近傍のレジストに生じる計時変化の影響をできるだけ低減するためには、プリディスペンスからレジスト塗布までの時間ができるだけ短くなる方が望ましい。そこで、上述の実施の形態とは異なり、まず、−Ｘ方向へとギャップセンサによるスキャンを行った後、プリディスペンス処理を行い、その後、スリットノズルの姿勢を調整してレジスト塗布を行うという態様であってもよい。
【００８３】
または、プリディスペンス処理を行った後の、ギャップセンサによるスキャンを、レジスト塗布領域のレジスト塗布開始位置近傍でのみ行い、その後直ちにレジスト塗布を行う態様であってもよい。この場合、プリディスペンス処理からレジスト塗布までの経過時間を短縮することができるだけでなく、全体としての処理時間の短縮にもつながる。
【００８４】
また、スリットノズルの吐出口に対する吸収部材の位置は、必ずしも非接触でなくてもよいが、スリットノズルへの異物の付着を防ぐという面では、非接触であることが望ましい。
【００８５】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項１３の発明によれば、毛管現象を利用することにより、スリットノズル先端の洗浄機構を設けることなく、処理液の基板への塗布に先立ちスリットノズル先端を清浄化でき、塗布開始時の吐出安定性と処理液の塗布膜厚の均一性とを高めることができる。
【００９０】
また、請求項２ないし請求項８の発明によれば、スリットノズル先端の吐出口との間隔を、該スリットノズルの長手方向の全範囲にわたって精度よく保ちつつ、処理液を除去することができるので、除去の効果の位置によるばらつきは少なくなる。
【００９１】
また、請求項２および請求項３の発明によれば、処理液は管状部材の内部を経路として除去されるので、いったん除去された処理液がスリットノズルが飛散し、パーティクルの要因となることはない。
【００９２】
また、請求項４および請求項５の発明によれば、単純な構造でありながら、スリットノズルの長手方向にわたって均一に、処理液を除去することができる。
また、請求項６の発明によれば、溶剤が揮発することにより、スリットノズルの吐出口近傍の処理液の乾燥を抑制することができる。
【００９３】
また、請求項７、請求項８、および請求項１０の発明によれば、汚染された案内部材を洗浄することにより、再び清浄な状態にすることができるので、案内部材を繰り返し使用することができる。
【００９４】
また、請求項９ないし請求項１１、および請求項１３の発明によれば、毛管現象をより効果的に利用して処理液を吸収し、かつ逆流も生じないので、スリットノズル先端の清浄性がより高まる。
また、請求項１０の発明によれば、処理液の吸収能を維持しつつ、吸収部材を繰り返し使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態でに係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。
【図３】本体２の正面図である。
【図４】図２および図３のＡ−Ａ’断面における本体２の側断面図である。
【図５】除去機構７０の構成を模式的に示す斜視図である。
【図６】吸収部材７１とスリットノズル４１との配置関係を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る除去機構８０について示す図である。
【図８】第３の形態に係る案内機構１１０について説明する図である。
【図９】第３の形態に係るプリディスペンス部１０７について説明する図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る基板処理装置１００を示す側面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る案内機構１１０の洗浄について説明する図である。
【図１２】第４の実施の形態に係る案内機構２１０について模式的に示す図である。
【図１３】第５のの形態に係る除去機構３１０の構成を模式的に示す図である。
【図１４】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１よる塗布について説明する図である。
【図１５】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１を示す断面図である。
【図１６】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１を示す側面図である。
【図１７】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１によるレジスト塗布の結果を模式的に示す図である。
【図１８】従来の基板処理装置に備わるスリットガイド１００８について説明する図である。
【図１９】従来の基板処理装置に備わるスリットガイド１００８について説明する図である。
【符号の説明】
１、１００ 基板処理装置
２ 本体
３ ステージ
４ 架橋構造
６ 制御系
７、１０７ プリディスペンス部
４１ スリットノズル
４１ｄ 吐出口
４１ｅ 先端部
４２ ギャップセンサ
７１、８１、３１１ 吸収部材
７２、８２ 券回手段
７６ 保持ガイド
９０ 基板
１１１ 管状部材
１１３ 溶剤
１１４ レジスト
１１５、３１７ 吸引手段
１２１ 洗浄ノズル
１２２、３１６ 洗浄液供給手段
２１１ シム部材
３１２ 中空軸棒
３１３ 開孔
【発明の属する技術分野】
本発明は、スリットノズルにより角形基板に対して処理液を塗布する基板処理装置における技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、角形基板（液晶用ガラス角形基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板など）の表面にフォトレジストなどの処理液を塗布する技術として、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてレジストを塗布するスリットコート技術が知られている。スリットコート技術とは、水平に保持された基板に対してスリットノズルが移動しながら、当該基板上に処理液を塗布する技術である。このスリットコート技術を用いた基板処理装置としては、スリットコータや、あるいは一端スリットコートを施した後、スピンコートを行うスリット＆スピンコータなどが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図１４ないし図１９は、従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１について説明する図である。図１４に示すように、スリットノズル１００１によるレジスト塗布は、時間経過で粘度変化を起こした古いレジストを廃棄する目的で、溶剤１００２Ｓを貯留したポット１００２においてレジストを少量だけいったん吐出するプリディスペンスを行った後、所定の塗布開始位置Ｐ１にスリットノズルを移動し、ステージ１００３上に水平に保持された基板Ｗに対してスリットノズル１００１を矢印ＡＲ１に示すように水平移動させながら、１０μｍ程度の膜厚で基板Ｗ上にレジストを塗布する、という態様にてなされていた。
【０００４】
しかしながら、断面図である図１５および側面図である図１６（ａ）に示すように、スリットノズル１００１の先端部１００１ｅには、プリディスペンスによって新たにレジスト１００４が付着してしまうため、塗布開始位置から３０ｍｍ程度の範囲では膜厚が不安定となり、再現性を得ることができなかった。付着したレジスト１００４は、乾燥するとパーティクルの原因ともなり、製造工程の歩留まりを低下させる要因となってしまうことも問題の１つである。あるいは、図１７に示すように、塗布後のレジスト膜には、先端部１００１ｅに付着したレジスト１００４が原因となって、Naランプで観察できる程度の微小なうねりであるうね１００５が、矢印ＡＲ２に示すスリットノズル１００１の移動方向に沿って発生するという問題があった。
【０００５】
こうした問題に対応するため、従来は、例えば特開平９−１２２５５３号公報に開示されているような技術にて、具体的には、断面図である図１８および斜視図である図１９に示すようにポット１００２にレジストガイド１００８を設ける態様によって、プリディスペンスによる液滴の発生と、先端部１００１ｅへのレジストの付着とを防止していた。すなわち、図１６（ｂ）あるいは図１８に示すように、スリットノズル１００１の吐出口１００１ｄに例えば薄板状のレジストガイド１００８の端部を近接配置させることにより、プリディスペンス時に吐出されたレジストは、このレジストガイド１００８を伝ってポット１００２内へ案内されることで、先端部１００１ｅへの付着が抑制されていた。しかし、この方法によっても、先端部１００１ｅからほぼ完全にレジストを除去することは困難であり、１０μｍ程度の膜厚を有するレジスト膜の塗布においては、膜厚の均一性を確保することは難しかった。
【０００６】
またポット１００２内には、ノズル洗浄機構１００９が設けられているが、塗布前に先端部１００１ｅをリンス液で洗浄すると、吐出口１００１ｄからスリットノズル１００１の内部にリンス液が入り込んでしまい、これを廃棄するために改めてディスペンスを実施しなくてはならず、問題の解決にはならなかった。また、洗浄後すぐに塗布する場合には、先端部１００１ｅにおけるリンス残りも、塗布に悪影響を及ぼす要因となってしまっていた。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、レジスト塗布処理時のスリットノズルの先端部を清浄にすることができ、かつ、塗布開始時のレジストの吐出安定性が高い基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、所定の処理液を吐出するスリットノズルが略水平に取り付けられ、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記スリットノズルの先端部分に存在する前記処理液を除去する除去機構を備え、前記除去機構が、前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記先端部分に近接するように配置され、毛管現象を利用して前記先端部分に付着した前記処理液を除去する除去部材と、前記除去部材が外周に設けられてなり、前記除去部材によって除去された前記処理液が内部に流通可能な中空部材と、前記除去部材が除去した前記処理液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が、それぞれの開口端の一方が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように互いに隣接配置されてなるとともに、それぞれの他方の開口端が前記中空部材に連通するように設けられてなる、複数の管状部材であり、前記複数の管状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記複数の管状部材の内部へと案内することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記複数の管状部材の前記内部に案内された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記管状部材の内径が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が、互いの端部が略平行にかつ前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように配置されてなるとともに、互いのなす間隙が前記中空部材に連通するように設けられてなる２枚の薄板状部材であり、前記２枚の薄板状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記間隙へと案内することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記２枚の薄板状部材の前記間隙に案内された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記２枚の薄板状部材の前記端部における間隔が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、ことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、所定の溶剤が貯留される貯留部をさらに備え、前記除去機構が、前記貯留部内において前記溶剤中に部分的に浸漬して備わる、ことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記スリットノズルの前記先端部分と近接する前記除去部材の部分に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段、をさらに備え、前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置であって、前記洗浄液供給手段が、前記中空部材の長手方向に沿って移動しつつ前記洗浄液を供給する、ことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記除去部材が前記中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材であり、前記中空部材が前記吸収部材と接する部分に複数の開孔を有することによって前記吸収部材と連通してなり、前記吸収部材は、側面部分が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように設けられてなり、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を毛管現象を利用して吸収することによって除去し、前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記吸収部材によって吸収された前記処理液を吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記除去部材に前記中空部材の内部から洗浄液を供給する洗浄液供給手段、をさらに備え、前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、ことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１１の発明は、請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置であって、前記除去機構が、前記除去部材を前記中空部材の長手方向を軸に回転させる回転手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１２の発明は、基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、前記スリットノズルが待機位置にあるときに、開口端を有する案内部材を前記開口端が前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する案内部材配置工程と、前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記開口端から前記複数の案内部材の内部へと案内することによって除去する除去工程と、前記案内部材の内部に案内された前記処理液を前記案内部材の他方端と連通させた中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１３の発明は、基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、前記スリットノズルが待機位置にあるときに、複数の開孔を有する中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材を、前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する吸収部材配置工程と、前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記吸収部材によって吸収することによって除去する除去工程と、前記吸収部材によって吸収された前記処理液を中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、を備えることを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
＜装置構成の概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。また、図３は本体２の正面図である。さらに図４は、図２および図３のＡ−Ａ’断面における本体２の側断面図である。
【００３１】
基板処理装置１は、本体２と制御系６とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００３２】
本体２は、被処理基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状を有し、例えば一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。
【００３３】
ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。
【００３４】
ステージ３において基板９０の保持エリアを挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００３５】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、例えばカーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３、４４とから主に構成される。
【００３６】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。
【００３７】
水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１には、スリットノズル４１へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含むレジスト供給機構７４（図６）が接続されている。スリットノズル４１は、吐出機構によりレジストが送られ、基板９０の表面を走査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジストを吐出する。
【００３８】
ギャップセンサ４２は、スリットノズル４１の近傍となるよう、ノズル支持部４０に取り付けられ、下方の存在物（例えば、基板９０の表面や、レジスト膜の表面）との間の高低差（ギャップ）を測定して、測定結果を制御系６に伝達する。
【００３９】
このように、ノズル支持部４０にスリットノズル４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることにより、これらの相対的な位置関係が固定される。したがって、制御系６は、ギャップセンサ４２の測定結果に基づいて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えているが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えていてもよい。
【００４０】
さらに、ステージ３の、スリットノズル４１の待機位置の直下に相当する位置には、レジスト塗布を行う前のスリットノズル４１がプリディスペンスを行うためのプリディスペンス部７が備わっている。プリディスペンス部７には、スリットノズル４１の先端部からレジストを除去する除去機構（図５）が備わっている。プリディスペンス部７についての詳細は後述する。なお、図１ないし図４は、スリットノズル４１がレジスト塗布を行う前の待機位置である、プリディスペンス部７の直上にある状態を示している。
【００４１】
昇降機構４３、４４はスリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３、４４はスリットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００４２】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０、５１が、それぞれ固設される。
【００４３】
リニアモータ５０は、固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御信号により制御可能となっている。なお、架橋構造４の反対側に設けられているリニアモータ５１およびリニアエンコーダ５３もほぼ同様の構成を備えている。
【００４４】
制御系６は、プログラムに従って各種データを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部６２、および各種データを表示する表示部６３を備える。
【００４５】
制御系６は、図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２および各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ３、架橋構造４、昇降機構４３、４４、およびリニアモータ５０、５１などの各構成を制御する。
【００４６】
なお、具体的には、記憶部６１としてはデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネルディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００４７】
＜プリディスペンス＞
図５は、プリディスペンス部７に備わる除去機構７０の構成を模式的に示す斜視図である。除去機構７０は、帯状の形状を有し、両端を券回手段７２（７２ａ、７２ｂ）に券回され、かつ複数のローラ７５と薄板状の保持ガイド７６とにより張設保持された、可撓性の吸収部材７１を主として備える。図６は、吸収部材７１とスリットノズル４１との配置関係を説明するための図である。図６（ａ）に示すように、吸収部材７１は、スリットノズル４１が待機位置にある場合にスリットノズル４１の長手方向の全体にわたり吐出口４１ｄの直下に吸収部材７１の側端部が吐出口４１ｄと略平行に非接触状態で近接して位置するように、かつ、吸収部材７１の主面が垂直になるように、保持ガイド７６にて保持されている。保持ガイド７６が保持することにより、吸収部材７１のたわみ等は抑制され、吐出口４１ｄとの間隔も一手に保たれる。また、それぞれの券回手段７２ａ、７２ｂには、例えばステッピングモータからなる駆動源７３（７３ａ、７３ｂ）が備わっている。制御系６によって駆動源７３が制御されることにより、吸収部材７１は、券回手段７２ａから一定長さずつ送り出されるとともに、同じ長さだけ券回手段７２ｂにより巻き取られる。なお、券回手段７２は本体２の内部に格納され、保持ガイド部分のみがプリディスペンス部７に配置される態様であってもよい。
【００４８】
なお、吸収部材７１としては、例えば、微細な孔を無数に有する多孔質の物質や、それを用いて形成された紙、繊維、布生地など、主として微視的な毛管現象が作用することによる高いレジスト吸収能を備える物を用いることができる。さらに、パーティクルの発生要因とならない素材が用いられるのが好ましい。例えば、クリーンルームでの使用に適した不織布、無塵紙、無塵衣等に用いられる素材などが好適である。
【００４９】
次に、プリディスペンス処理について説明する。プリディスペンス処理は、後述するレジスト塗布処理に先立って行われる処理であり、スリットノズル４１の先端部４１ｅを清浄化し、塗布開始時のレジストの吐出安定性を高めるための処理である。
【００５０】
レジスト塗布が実行される直前、レジスト供給機構７４にて供給されたレジストにて内部の吐出経路が満たされたスリットノズル４１は、図６（ａ）に示すように、プリディスペンス部７の直上において、吐出口４１ｄと吸収部材７１とが近接する位置に保持される。このとき、吐出口４１ｄ近傍のレジストには、周辺の雰囲気との接触による乾燥に起因する粘度低下が生じうる。制御系６からの指示に従い、少量（０．５ｃｃ程度）だけレジストを吐出すると、吐出されたレジスト７７は、直下の吸収部材７１と接触し次第、矢印ＡＲ７に示すように、その直下に位置する吸収部材７１に吸収される。吸収部材７１は、微視的な毛管現象を利用してプリディスペンス時に吐出されたレジストを十分に吸収できる吸収能を備えているので、吐出されたレジスト７７は、吐出され次第、選択的に吸収部材７１に吸収され、吐出口４１ｄを含めた先端部４１ｅから速やかに除去される。これにより、先端部４１ｅへの付着は抑制され、清浄度が維持されたまま後段のレジスト塗布処理に移行できる。その結果、付着したレジストに起因するパーティクルの発生は、著しく低減される。
【００５１】
また、プリディスペンスが終了後も、スリットノズル４１の内部には、溶剤等が入り込むことがないので、吐出口４１ｄ近傍においても適正な粘度を有するレジストが保持される。従って、その後のレジスト塗布処理において、塗布開始時の吐出安定性を高めることができ、レジストの膜厚均一性も向上する。
【００５２】
また、レジストを吸収した吸収部材７１が、次回のプリディスペンス時に同一位置にてレジストを十分に吸収できない場合、スリットノズル４１の吐出口４１ｄに相当する長さだけ、券回手段７２ａによる吸収部材７１の送り出しと、券回手段７２ｂによる巻き取りとが実行される。このような巻き取りは、所定回数（１回または複数回）のプリディスペンスを完了するごとに制御系６によって自動的にを行ってもよく、吸収部材７１の状態を目視できるように構成する場合には、オペレータの目視によるマニュアル指令入力が行われたときに実行されるようにしてもよい。また、それらを併用することもできる。これにより、次回のプリディスペンス処理においても、レジストを十分に吸収することができる。
【００５３】
＜レジスト塗布処理＞
次に、基板処理装置１においてなされるレジスト塗布処理の動作について概説する。基板処理装置１では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、ステージ３上の保持面３０の所定位置にまで基板９０が搬送されて吸着保持されると、制御系６からの指示に応じて、まず上述したプリディスペンス処理が行われた後、レジスト塗布処理が実行される。
【００５４】
レジスト塗布処理においては、まず、ギャップセンサ４２により基板９０の高さ位置情報を得る。すなわち、ギャップセンサ４２が基板９０表面よりも十分高い所定の測定高度に保持された状態で、架橋構造４をＸ方向に移動させることで、ギャップセンサ４２による基板９０の走査がなされ、これにより高さ位置情報が取得される。
【００５５】
架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、架橋構造４はいったんその位置で停止する。そして、ギャップセンサ４２からの測定結果に基づいて、スリットノズル４１のＹＺ平面における姿勢がレジスト塗布において適切な姿勢となるように調整する。
【００５６】
スリットノズル４１の姿勢が調整されると、架橋構造４が−Ｘ方向に移動しつつ、スリットノズル４１がレジスト塗布領域にレジストを吐出する。これにより、基板９０の表面上にレジストの層が形成される。
【００５７】
スリットノズル４１が吐出終了位置まで移動すると、再びギャップセンサ４２が測定高度に位置するように保持されて、さらに架橋構造４をＸ方向に移動させつつギャップセンサ４２によるレジスト塗布領域の走査が行われる。その後、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定したギャップの値（レジスト膜の表面との距離）とを比較することにより、基板９０上のレジスト膜の厚さが算出される。算出結果は表示部６３に表示される。
【００５８】
レジスト膜の検査が終了すると、ステージ３は基板９０の吸着を停止する。基板９０は、オペレータまたは搬送機構によって保持面３０から取り上げて、後段の処理へと供される。
【００５９】
＜第２の実施の形態＞
除去機構７０が有する吸収部材が第１の実施の形態のような帯状のものでなくとも、同様の効果を得ることができる。図７は、第２の実施の形態に係る除去機構８０について示す図である。なお、図７に示す除去機構８０以外の構成要素については第１の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。図７は、除去機構８０において、第１の実施の形態に係る吸収部材７１と同様に、毛管現象に基づく高いレジスト吸収能を備えた、紐状の形状を有する可撓性の吸収部材８１が、両端を券回手段８２（８２ａ、８２ｂ）に券回され、かつ複数のローラ８４により張設保持されている場合を示している。なお、吸収部材８１も第１の実施の形態に係る吸収部材７１と同じく、図示しない保持ガイドにて保持されている。
【００６０】
この場合も、吐出口４１ｄの直下にこれに非接触状態で近接するように吸収部材８１が保持されており、プリディスペンス時に吐出口４１ｄから少量吐出されたレジストは、直ちに吸収部材８１へと吸収される。また、同じ位置においてレジストを吸収困難となった場合も、券回手段８２によって、使用済みの吸収部材８１の巻き取りと、新たな吸収部材８１の送り出しとを行うことができる。すなわち、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
なお、図７においては、券回手段８２がスリットノズル４１の下方に位置するよう配置されているが、第１の実施の形態と同様に、側方に配置される態様であってもよい。
【００６２】
＜第３の実施の形態＞
第１および第２の実施の形態は、レジスト吸収能の高い吸収部材を用いることにより、プリディスペンス後におけるスリットノズル４１の先端部４１ｅの清浄化を図る態様であったが、清浄化を図る態様はこれに限定されない。以下、第１および第２の実施の形態とは異なる態様について説明する。
【００６３】
図８は、本実施の形態に係る基板処理装置１００（図１０）の案内機構１１０について説明する図である。図９は、案内機構１１０が備わるプリディスペンス部１０７について説明する図である。基板処理装置１００においては、以下に示す構成要素以外については第１の実施の形態に係る基板処理装置１と同じであるので、以降の説明は省略する。本実施の形態においては、プリディスペンス部１０７に備わる案内機構１１０が、除去機構として作用する。
【００６４】
案内機構１１０は、図８に示すように、それぞれが細管状を有し、スリットノズル４１の吐出口４１ｄと略平行にかつ非接触で近接するように、開口部の一方を揃えて互いに隣接配置された複数の管状部材１１１と、その下方にあって当該複数の管状部材１１１の配列方向を長手方向とし、その内部とそれぞれの管状部材１１１とを貫通させつつ当該管状部材１１１を保持する基台部１１２とを主として備えている。なお、管状部材１１１には、例えば、親溶剤性のガラス、シリコン、金属などにより形成することが好適であり、また管状部材１１１の内径は、スリットノズル４１の先端部４１ｅの吐出口を含む底面部（これを「リップ」と称する）の幅と同程度であることが望ましく、リップと管状部材１１１との間隔は、０１．〜０．５ｍｍ程度に保たれることが望ましい。本実施の形態に係る管状部材１１１の場合、たわみ等が生じることがないので、吐出口４１ｄの長手方向の全範囲にわたって、吐出口４１ｄとの間隔をほぼ一定に保つことができる。
【００６５】
また、図９に示すように、プリディスペンス部１０７の内部には所定の溶剤１１３が貯留されており、案内機構１１０は部分的に溶剤１１３に浸漬した状態にて固定されている。溶剤１１３中に浸漬することにより、当該溶剤１１３の揮発によって、リップ近傍には溶剤１１３の雰囲気が形成され、リップ部分を含めた先端部４１ｅの乾燥を防ぐことができる。
【００６６】
本実施の形態に係るプリディスペンス処理においては、レジスト供給機構７４からスリットノズル４１へと供給されるレジストが、第１および第２の実施の形態と同様に、吐出口４１ｄから少量だけ吐出される。吐出されたレジスト１１４は、直下の管状部材１１１の開口部と接触し次第、毛管現象によって、吐出口４１ｄの直下に近接した管状部材１１１の内部へと、選択的に案内される。すなわち管状部材１１１が案内部材として作用する。これにより、先端部４１ｅへの付着は抑制され、清浄度が維持されたまま、後段のレジスト塗布処理へと移行することができる。このように、レジストは管状部材１１１の内部を経路として除去されるので、再び飛散してパーティクルの要因となることはない。
【００６７】
このようにプリディスペンス処理がなされる結果、付着したレジストに起因するパーティクルの発生は、著しく低減される。なお、上述のように吐出口４１ｄとの間隔は長手方向にわたってほぼ一定に保たれているので、先端部４１ｅへのレジストの付着を抑制する効果の位置によるばらつきは少ない。また、レジスト塗布処理における塗布開始時の吐出安定性、さらには膜厚均一性も向上する。
【００６８】
なお、管状部材１１１の内部に吐出されたレジスト１１４が付着していくに従い、毛管現象によるレジスト１１４の選択的な案内が徐々になされなくなっていく。本実施の形態に係る基板処理装置１００（図１０）には、これを回避し、常に案内機構１１０を機能させるための機構が備わっている。図１０および図１１は、これを説明するための図である。
【００６９】
まず、洗浄機構１２０は、図示しない駆動手段によって、図１０においては矢印ＡＲ８にて、図１１においては矢印ＡＲ９にて示すように、案内機構１１０の情報をＹ軸方向に移動しつつ、洗浄液供給手段１２２から供給される洗浄液を、矢印ＡＲ１０に示すように洗浄ノズル１２１から管状部材１１１へ向けて吐出するためのものである。なお、洗浄機構１２０は、レジスト塗布処理中など、スリットノズル４１がプリディスペンス部７の上部に存在しないときに動作し、動作を行わないときは、図１０に示すようにプリディスペンス部１０７の端部に待機するものとする。
【００７０】
また、案内機構１１０の基台部１１２には、当該基台部１１２の内部を通じてレジスト１１４を吸引排出するための、例えば吸引ポンプなどからなる吸引手段１１５が接続されている。
【００７１】
レジスト塗布処理の実行中など、スリットノズル４１がプリディスペンス部１０７の上方に存在しない状況において、洗浄機構１２０を移動させながら管状部材１１１を洗浄しつつ、管状部材１１１および基台部１１２の内部を吸引することで、管状部材１１１の内部に付着したレジスト１１４は、洗浄液ともども除去されることになる。これにより、管状部材１１１は再び十分にレジストを案内することができるようになるので、交換等をすることなく、繰り返し使用に供することができる。
【００７２】
＜第４の実施の形態＞
案内機構における案内部材は、第３の実施の形態のような管状部材には限定されない。本実施の形態では、管状部材とは異なる案内部材を有する場合について説明する。案内機構以外の構成要素については、第３の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００７３】
図１２は、本実施の形態に係る案内機構２１０について模式的に示す図である。案内機構２１０は、第３の実施の形態に係る案内機構１１０における管状部材１１１に代わり、スリットノズル４１の吐出口４１ｄの近傍において、互いの端部が略平行にかつ非接触で近接するよう配置された、２枚の薄板状部材（以下、「シム部材」という）２１１を基台部２１２上に有している。また、シム部材２１１がなす間隙は基台部２１２と通じている。なお、図１２においては、２枚のシム部材２１１の主面が互いに略平行になるよう示しているが、これは例示であって、端部が略平行であれば、２枚のシム部材２１１がハの字形に配置される態様であってもよい。また、端部の間隔はリップの幅と同程度であることが望ましく、リップとシム部材２１１との間隔は、０．１〜０．５ｍｍ程度であることが望ましい。
【００７４】
本実施の形態の場合、２枚のシム部材２１１の端部の間隙が、細管に生じる毛管現象と同様の現象を生じさせ、プリディスペンス時において少量吐出されたレジストは、シム部材２１１に接触すると選択的にシム部材２１１の内側に案内されることとなる。また、シム部材２１１は平板状であるために、その作用はスリットノズル４１の長手方向にわたって均一である。よって、本実施の形態においては、第３の実施の形態に係る案内機構１１０よりも単純な構造を有しながら、均一性の点で第３の実施の形態よりも優れた効果を得ることができる。
【００７５】
また、図１２においては図示を省略しているが、本実施の形態においても、第３の実施の形態と同様に、吸引手段と洗浄機構とを備えることで、案内機構２１０を交換等をすることなく、繰り返し使用に供することができる。また、案内機構２１０はプリディスペンス部１０７において溶剤に部分的に浸漬されており、スリットノズル４１の先端部４１ｅの乾燥は抑制されている点も第３の実施の形態と同様である。
【００７６】
＜第５の実施の形態＞
第１および第２の実施の形態の吸収部材は、使い捨てになるが、本実施の形態では、吸収によりレジストを除去しつつ、繰り返し使用できる態様について説明する。ただし、除去機構に係る構成要素以外については、第１および第２の実施の形態と同様であるので、以下の説明は省略する。
【００７７】
図１３は、本実施の形態に係る除去機構３１０の構成を模式的に示す図である。本実施の形態に係る除去機構３１０は、例えば微視的に毛管現象が作用することによる高いレジスト吸収能を備えた円柱形の吸収部材３１１を、中空でかつ側面に多数の開孔３１３を有する中空軸棒３１２を中心軸として備えている。吸収部材３１１は肉厚であって、その中心部に形成された筒状の空洞部分に中心軸棒３１２が挿入された形状となっている。中空軸棒３１２の軸方向は、スリットノズル４１が待機位置にある場合の長手方向と一致しており、除去機構３１０は、吸収部材３１１の側面部分が、スリットノズル４１が待機位置にある場合にその先端部４１ｅと非接触で近接するように配置される。また、除去機構３１０は、例えばステッピングモータなどからなる駆動手段３１５によって、中空軸棒３１２を回転軸として所定の角度ずつ回転可能とされている。
【００７８】
さらに、除去機構３１０は、中空軸棒３１２を介して吸収部材３１１に対し洗浄液を供給する洗浄液供給手段３１６と、中空軸棒３１２を介して吸収部材３１１が吸収しているレジストや洗浄液等を吸引し排出する吸引手段３１７と接続されている。なお、駆動手段３１５、洗浄液供給手段３１６、および吸引手段３１７は、本体２の内部に格納されている態様であってもよい。
【００７９】
本実施の形態に係るプリディスペンス処理においては、スリットノズル４１の吐出口４１ｄからレジストが少量だけ吐出されると、第１および第２の実施の形態と同様に、吸収部材３１１がこれを選択的に吸収する。そして、レジストを吸収した吸収部材３１１が、以降のプリディスペンス時に同一位置にてレジストを十分に吸収できない場合、駆動手段３１５によって吸収部材を３１１を所定の角度もしくは任意の角度だけ回転させて、レジストが付着していない部分をスリットノズル４１の先端部４１ｅと対向させることで、次回のプリディスペンスにおいても、吸収部材３１１はレジストを十分に吸収することが可能となる。すなわち、本実施の形態においても、上述の実施の形態と同様に、先端部４１ｅの清浄度を維持し、レジスト塗布における膜厚均一性の向上を図ることができる。
【００８０】
ただし、このようなレジストの吸収を繰り返すと、やがて吸収部材３１１の全体にレジストが含浸し、駆動手段によって場所を変えてもレジストを吸収することができなくなる。本実施の形態においては、そうした状況に至った場合、洗浄液供給手段３１６によって洗浄液を中空軸棒３１２へと供給する。供給された洗浄液は、開孔３１３を通じて吸収部材３１１へと吸収される。所定時間経過後、今度は吸引手段３１７を作用させる。これにより、吸収部材３１１に吸収されているレジストは、洗浄液ともども開孔３１３を介して吸引除去されることとなる。
【００８１】
これにより、吸収部材３１１は洗浄され、再びレジストを吸収可能な状態になるので、以降のプリディスペンス処理においても、繰り返し使用することができる。
【００８２】
＜変形例＞
上述の実施の形態においてはいずれも、プリディスペンス処理を行った後、ギャップセンサによるスキャンを経てレジストの塗布を行うが、吐出口近傍のレジストに生じる計時変化の影響をできるだけ低減するためには、プリディスペンスからレジスト塗布までの時間ができるだけ短くなる方が望ましい。そこで、上述の実施の形態とは異なり、まず、−Ｘ方向へとギャップセンサによるスキャンを行った後、プリディスペンス処理を行い、その後、スリットノズルの姿勢を調整してレジスト塗布を行うという態様であってもよい。
【００８３】
または、プリディスペンス処理を行った後の、ギャップセンサによるスキャンを、レジスト塗布領域のレジスト塗布開始位置近傍でのみ行い、その後直ちにレジスト塗布を行う態様であってもよい。この場合、プリディスペンス処理からレジスト塗布までの経過時間を短縮することができるだけでなく、全体としての処理時間の短縮にもつながる。
【００８４】
また、スリットノズルの吐出口に対する吸収部材の位置は、必ずしも非接触でなくてもよいが、スリットノズルへの異物の付着を防ぐという面では、非接触であることが望ましい。
【００８５】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項１３の発明によれば、毛管現象を利用することにより、スリットノズル先端の洗浄機構を設けることなく、処理液の基板への塗布に先立ちスリットノズル先端を清浄化でき、塗布開始時の吐出安定性と処理液の塗布膜厚の均一性とを高めることができる。
【００９０】
また、請求項２ないし請求項８の発明によれば、スリットノズル先端の吐出口との間隔を、該スリットノズルの長手方向の全範囲にわたって精度よく保ちつつ、処理液を除去することができるので、除去の効果の位置によるばらつきは少なくなる。
【００９１】
また、請求項２および請求項３の発明によれば、処理液は管状部材の内部を経路として除去されるので、いったん除去された処理液がスリットノズルが飛散し、パーティクルの要因となることはない。
【００９２】
また、請求項４および請求項５の発明によれば、単純な構造でありながら、スリットノズルの長手方向にわたって均一に、処理液を除去することができる。
また、請求項６の発明によれば、溶剤が揮発することにより、スリットノズルの吐出口近傍の処理液の乾燥を抑制することができる。
【００９３】
また、請求項７、請求項８、および請求項１０の発明によれば、汚染された案内部材を洗浄することにより、再び清浄な状態にすることができるので、案内部材を繰り返し使用することができる。
【００９４】
また、請求項９ないし請求項１１、および請求項１３の発明によれば、毛管現象をより効果的に利用して処理液を吸収し、かつ逆流も生じないので、スリットノズル先端の清浄性がより高まる。
また、請求項１０の発明によれば、処理液の吸収能を維持しつつ、吸収部材を繰り返し使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態でに係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図である。
【図３】本体２の正面図である。
【図４】図２および図３のＡ−Ａ’断面における本体２の側断面図である。
【図５】除去機構７０の構成を模式的に示す斜視図である。
【図６】吸収部材７１とスリットノズル４１との配置関係を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る除去機構８０について示す図である。
【図８】第３の形態に係る案内機構１１０について説明する図である。
【図９】第３の形態に係るプリディスペンス部１０７について説明する図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る基板処理装置１００を示す側面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る案内機構１１０の洗浄について説明する図である。
【図１２】第４の実施の形態に係る案内機構２１０について模式的に示す図である。
【図１３】第５のの形態に係る除去機構３１０の構成を模式的に示す図である。
【図１４】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１よる塗布について説明する図である。
【図１５】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１を示す断面図である。
【図１６】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１を示す側面図である。
【図１７】従来の基板処理装置に備わるスリットノズル１００１によるレジスト塗布の結果を模式的に示す図である。
【図１８】従来の基板処理装置に備わるスリットガイド１００８について説明する図である。
【図１９】従来の基板処理装置に備わるスリットガイド１００８について説明する図である。
【符号の説明】
１、１００ 基板処理装置
２ 本体
３ ステージ
４ 架橋構造
６ 制御系
７、１０７ プリディスペンス部
４１ スリットノズル
４１ｄ 吐出口
４１ｅ 先端部
４２ ギャップセンサ
７１、８１、３１１ 吸収部材
７２、８２ 券回手段
７６ 保持ガイド
９０ 基板
１１１ 管状部材
１１３ 溶剤
１１４ レジスト
１１５、３１７ 吸引手段
１２１ 洗浄ノズル
１２２、３１６ 洗浄液供給手段
２１１ シム部材
３１２ 中空軸棒
３１３ 開孔
Claims (13)
- 基板を保持する保持台と、
所定の処理液を吐出するスリットノズルが略水平に取り付けられ、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、
前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面を走査することにより、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記スリットノズルの先端部分に存在する前記処理液を除去する除去機構を備え、
前記除去機構が、
前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記先端部分に近接するように配置され、毛管現象を利用して前記先端部分に付着した前記処理液を除去する除去部材と、
前記除去部材が外周に設けられてなり、前記除去部材によって除去された前記処理液が内部に流通可能な中空部材と、
前記除去部材が除去した前記処理液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記除去部材が、それぞれの開口端の一方が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように互いに隣接配置されてなるとともに、それぞれの他方の開口端が前記中空部材に連通するように設けられてなる、複数の管状部材であり、
前記複数の管状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記複数の管状部材の内部へと案内することによって除去し、
前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記複数の管状部材の前記内部に案内された前記処理液を吸引排出する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記管状部材の内径が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記除去部材が、互いの端部が略平行にかつ前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように配置されてなるとともに、互いのなす間隙が前記中空部材に連通するように設けられてなる２枚の薄板状部材であり、
前記２枚の薄板状部材は、前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記間隙へと案内することによって除去し、
前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記２枚の薄板状部材の前記間隙に案内された前記処理液を吸引排出する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記２枚の薄板状部材の前記端部における間隔が前記スリットノズルの前記先端部分の幅と略同一である、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
所定の溶剤が貯留される貯留部をさらに備え、
前記除去機構が、前記貯留部内において前記溶剤中に部分的に浸漬して備わる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記除去機構が、
前記スリットノズルの前記先端部分と近接する前記除去部材の部分に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段、
をさらに備え、
前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記洗浄液供給手段が、前記中空部材の長手方向に沿って移動しつつ前記洗浄液を供給する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記除去部材が前記中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材であり、
前記中空部材が前記吸収部材と接する部分に複数の開孔を有することによって前記吸収部材と連通してなり、
前記吸収部材は、
側面部分が前記スリットノズルが待機位置にあるときに前記スリットノズルの吐出口に近接するように設けられてなり、
前記スリットノズルの前記先端部分に付着した前記処理液を毛管現象を利用して吸収することによって除去し、
前記吸引手段は、前記中空部材の内部を通じて前記吸収部材によって吸収された前記処理液を吸引排出する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記除去機構が、
前記除去部材に前記中空部材の内部から洗浄液を供給する洗浄液供給手段、
をさらに備え、
前記吸引手段は、前記除去部材が除去した前記処理液および前記除去部材に供給された前記洗浄液を前記中空部材の内部を通じて吸引排出する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記除去機構が、
前記除去部材を前記中空部材の長手方向を軸に回転させる回転手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、
前記スリットノズルが待機位置にあるときに、開口端を有する案内部材を前記開口端が前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する案内部材配置工程と、
前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記開口端から前記複数の案内部材の内部へと案内することによって除去する除去工程と、
前記案内部材の内部に案内された前記処理液を前記案内部材の他方端と連通させた中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、
を備えることを特徴とする清浄化方法。 - 基板を保持する保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させつつ、前記基板の表面に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記架橋構造に略水平方向に取り付けられて所定の処理液を吐出するスリットノズルの先端を清浄化する方法であって、
前記スリットノズルが待機位置にあるときに、複数の開孔を有する中空部材の周囲に設けられ、毛管現象が作用することによる吸収能を備える吸収部材を、前記スリットノズルの吐出口と略平行にかつ前記吐出口に近接するように配置する吸収部材配置工程と、
前記吐出口から吐出されることによって前記スリットノズルの先端部分に付着した前記処理液を、毛管現象を利用して前記吸収部材によって吸収することによって除去する除去工程と、
前記吸収部材によって吸収された前記処理液を中空部材の内部を通じて吸引排出する吸引工程と、
を備えることを特徴とする清浄化方法。
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