JP4088317B2 - センサエレメント - Google Patents
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Description
以下、本実施形態のセンサエレメントについて図1〜図6を参照しながら説明する。
以下、本実施形態のセンサエレメントについて図7および図8を参照しながら説明する。
2 第1のパッケージ用基板
3 第2のパッケージ用基板
10 フレーム部
11 駆動質量体
12 検出質量体
23 固定櫛歯片
24 可動櫛歯片
25 固定駆動電極
34 貫通孔配線
35 外部接続用電極
41 絶縁膜
42 絶縁膜
Claims (2)
- マイクロマシニング技術を利用して形成される静電容量形のセンサエレメントであって、第1のシリコン基板を用いて形成され枠状のフレーム部の内側に配置される可動部の一部が可変容量コンデンサからなるセンシング部の一部を構成するセンサ本体と、第2のシリコン基板を用いて形成されセンサ本体の一表面側においてセンサ本体に重なる形でセンサ本体に常温接合された第1のベース基板と、第3のシリコン基板を用いて形成されセンサ本体の他表面側においてセンサ本体に重なる形でセンサ本体に常温接合された第2のベース基板とを備え、センサ本体は、前記一表面側において、フレーム部上に第1の封止用接合金属層が全周に亘って形成されるとともに、第1の封止用接合金属層よりも内側で前記センシング部と電気的に接続された第1の接続用接合金属層が形成され、第1のベース基板は、貫通孔配線を有するとともにセンサ本体側に熱シリコン酸化膜が形成されてなり、当該熱シリコン酸化膜の表面の周部の全周に亘って第2の封止用接合金属層が形成されるとともに、当該熱シリコン酸化膜の表面に第2の封止用接合金属層よりも内側で貫通孔配線と電気的に接続された第2の接続用接合金属層が形成され、センサ本体と第1のベース基板とは各接合表面が活性化された封止用接合金属層同士および各接合表面が活性化された接続用接合金属層同士が常温接合され、第2のベース基板は、センサ本体側の表面に熱シリコン酸化膜が形成されてなり、第2のベース基板とセンサ本体とは活性化された接合表面同士が常温接合されてなることを特徴とするセンサエレメント。
- 前記センサ本体は、前記センシング部と協働する集積回路が形成されてなることを特徴とする請求項1記載のセンサエレメント。
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