JP4078562B2 - 圧電薄膜共振子の製造方法、圧電薄膜共振子、周波数フィルタ、発振器の製造方法、発振器、電子回路、および電子機器 - Google Patents
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Description
第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板と前記積層体とを接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、を含む。
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記第1基板が該第2基板より上方となるように接合することができる。
前記第2基板をパターニングする工程を有することができる。
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記第1電極と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われることができる。
前記積層体を形成する工程は、前記第1電極の上方に、さらに保護層を積層して前記積層体を形成する工程を有することができる。
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記保護層と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われることができる。
前記保護層は、SiO2、ZrO2、Al2O3、および、Ta2O5のうちの少なくとも一種からなることができる。
前記バッファ層は、NaCl構造の金属酸化物MO(M=Mg、Ca、Sr、Ba)、およびZnOのうちの少なくとも一種からなることができる。
前記第2基板をパターニングする工程後、前記接着層をパターニングする工程を有することができる。
前記圧電薄膜は、KNbO3、LiNbO3、LiTaO3のいずれか、あるいはこれらを主成分とする化合物からなることができる。
前記第2基板は、Si基板、あるいは半導体素子を形成したSi基板であることができる。
圧電薄膜共振子を有する発振器の製造方法であって、
第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板にトランジスタを有する発振回路を形成する工程と、
前記発振回路を形成する領域以外の領域において、前記第2基板と前記積層体とを、前記第1基板が該第2基板より上方となるように接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、を含む。
前記発振回路を形成する工程は、前記第2基板と前記積層体とを接合する工程前に行われることができる。
本発明を適用した実施形態に係る圧電薄膜共振子100の製造方法の一例について、図1〜図10を用いて説明する。図1〜図10は、圧電薄膜共振子100の一製造工程を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る圧電薄膜共振子100の製造方法によれば、第1基板1上に、順次、バッファ層2、圧電薄膜3、第1電極4、および保護層5を積層して積層体10を形成した後、第2基板6と積層体10とを接合し、その後、第1基板1を積層体10から分離する。例えば、上述したように、第2基板6としては、その表層部に半導体素子が形成され、この半導体素子上に、保護層または層間絶縁層として機能するアモルファスのSiO2層が形成されたシリコン基板を用いることができる。通常、シリコン基板上、あるいはSiO2上に、直接、LiNbO3またはLiTaO3などの圧電薄膜3をエピタキシャル成長させることは困難である。また、第2基板6上に直接、圧電薄膜3を成膜する場合、成膜温度が高いため(例えば400℃以上)、アルカリ金属であるLiが半導体素子中に拡散し、半導体素子の特性に影響を与えることがある。
次に、本発明を適用した実施形態に係る発振器200の一例について説明する。図11は、本実施形態に係る発振器200の側面透視図である。なお、上述した圧電薄膜共振子100と実質的に同じ機能を有する構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する
発振器200は、金属製の筐体20と、圧電薄膜共振子100と、発振回路22と、を含む。圧電薄膜共振子100および発振回路22の形成された第2基板6は、筐体20内部に実装されている。発振回路22は、外部の回路(図示せず)から入力される電圧値に応じて、圧電薄膜共振子100に印加する周波数を制御するものである。
本発明を適用した実施形態に係る発振器200の製造方法の一例について、図1〜図4、図11〜図17を用いて説明する。図1〜図4、図11〜図17は、発振器200の一製造工程を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る発振器200の製造方法によれば、第1基板1上に、順次、バッファ層2、圧電薄膜3、第1電極4、および保護層5を積層して積層体10を形成した後、第2基板6と積層体10とを接合し、その後、第1基板1を積層体10から分離する。この製造方法によれば、第2基板6と積層体10とを接合する前に、第2基板6上に発振回路22を形成する。そして、第2基板6としては、例えばシリコン基板などを用いることができる。従って、発振回路22の形成後では、第2基板6の露出している表面部は、例えばシリコンまたはSiO2からなる。通常、シリコン上、あるいはSiO2上に、直接、LiNbO3またはLiTaO3などの圧電薄膜3をエピタキシャル成長させることは困難である。また、第2基板6上に直接、圧電薄膜3を成膜する場合、成膜温度が高いため(例えば400℃以上)、アルカリ金属であるLiが発振回路22中に拡散し、発振回路22の特性に影響を与えることがある。
次に、本実施形態に係る電子回路および電子機器について、図面を参照しながら説明する。図18に、本発明における電子回路の一実施形態の電気的構成をブロック図で示す。なお、図18に示す電子回路は、例えば、図19に示す携帯電話機300の内部に設けられる回路である。携帯電話機300は、本発明における電子機器の一例である。携帯電話機300は、アンテナ301、受話器302、送話器303、液晶表示部304、及び操作ボタン部305等を備えて構成されたものである。
Claims (9)
- 第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板と前記積層体とを接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記第2基板をパターニングする工程と、を含み、
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記第1電極と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われ、
前記接着層は、前記第2基板をパターニングする工程後にパターニングされる、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板と前記積層体とを接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記第2基板をパターニングする工程と、を含み、
前記積層体を形成する工程は、前記第1電極の上方に、さらに保護層を積層して前記積層体を形成する工程を有し、
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記保護層と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われ、
前記接着層は、前記第2基板をパターニングする工程後にパターニングされる、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 請求項2において、
前記保護層は、SiO2、ZrO2、Al2O3、および、Ta2O5のうちの少なくとも一種からなる、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記バッファ層は、NaCl構造の金属酸化物MO(M=Mg、Ca、Sr、Ba)、およびZnOのうちの少なくとも一種からなる、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記圧電薄膜は、KNbO3、LiNbO3、LiTaO3のいずれか、あるいはこれらを主成分とする化合物からなる、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかにおいて、
前記第2基板は、Si基板、あるいは半導体素子を形成したSi基板である、圧電薄膜共振子の製造方法。 - 圧電薄膜共振子を有する発振器の製造方法であって、
第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板にトランジスタを有する発振回路を形成する工程と、
前記発振回路を形成する領域以外の領域において、前記第2基板と前記積層体とを、前記第1基板が該第2基板より上方となるように接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記第2基板をパターニングする工程と、を含み、
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記第1電極と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われ、
前記接着層は、前記第2基板をパターニングする工程後にパターニングされる、発振器の製造方法。 - 圧電薄膜共振子を有する発振器の製造方法であって、
第1基板の上方に、順次、圧電薄膜および第1電極を積層して積層体を形成する工程と、
第2基板にトランジスタを有する発振回路を形成する工程と、
前記発振回路を形成する領域以外の領域において、前記第2基板と前記積層体とを、前記第1基板が該第2基板より上方となるように接合する工程と、
前記第1基板を、前記積層体から分離する工程と、
前記圧電薄膜の上方に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極、前記圧電薄膜、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記第2基板をパターニングする工程と、を含み、
前記積層体を形成する工程は、前記第1電極の上方に、さらに保護層を積層して前記積層体を形成する工程を有し、
前記積層体を形成する工程は、前記圧電薄膜を形成する前に、前記第1基板の上方にバッファ層を形成する工程を有し、
前記第2基板と前記積層体とを接合する工程は、前記保護層と前記第2基板とを、接着層を介して接合し、
前記第1基板を分離する工程は、前記バッファ層をエッチングすることにより行われ、
前記接着層は、前記第2基板をパターニングする工程後にパターニングされる、発振器の製造方法。 - 請求項7または8において、
前記発振回路を形成する工程は、前記第2基板と前記積層体とを接合する工程前に行われる、発振器の製造方法。
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