JP4052848B2 - 光素子の実装方法 - Google Patents
光素子の実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4052848B2 JP4052848B2 JP2002038370A JP2002038370A JP4052848B2 JP 4052848 B2 JP4052848 B2 JP 4052848B2 JP 2002038370 A JP2002038370 A JP 2002038370A JP 2002038370 A JP2002038370 A JP 2002038370A JP 4052848 B2 JP4052848 B2 JP 4052848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- optical element
- electrode
- solder connection
- connection electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1401—Structure
- H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1405—Shape
- H01L2224/14051—Bump connectors having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光素子を基板上にフラックスを用いないではんだ接続し、三次元的に高精度位置決めする光素子の実装構造体及び光素子の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上へ光素子の実装は、基板上に形成された光導波路と良好な光結合を確保するために１ミクロン以下の位置精度で高精度に実装する必要がある。高精度位置決め技術は、はんだの表面張力を利用したセルフアライメントによる高精度位置決め構造及び方法が研究、開発されている。この中で一般的なはんだ接続に用いられるフラックスは、はんだ及び電極表面の酸化膜を還元除去するとともに接続部を覆い再酸化を防止することができるので、より良好なセルフアライメントを達成できる。しかし、光素子の実装においてフラックスを用いた場合には、電子回路実装で電気的信頼性等の点で問題とならない残さによる汚染が光伝送の妨害になるという問題があり、はんだ接続後の洗浄が必須となる。所が、はんだ接続後の洗浄は追加の工程が必要となり、新たな装置を必要とするので、高コスト化の原因となる。
【０００３】
そこで、洗浄が不要な工程に関して、フラックスレス接続が開発されている。まず、セルフアライメントを用いた半導体の実装構造体または方法に関連する技術、例えば、電極パターンに関連する技術としては、特開平９−２７５１２３号公報及び特開平１１−１１１７７１号公報に記載の技術があげられる。例えば、特開平１１−１１１７７１号公報には、実装機によるＣＳＰキャリア基板の位置ずれを考慮して、４隅の電極パッドが他の電極パッドよりも大きく、かつ４隅のはんだバンプが他のはんだバンプよりも大きく高く形成したＣＳＰキャリア基板と配線基板とを用いてＣＳＰを実装することで、リフローはんだ付けの際にまずは４隅のはんだバンプのセルフアライメントにより、キャリア基板と配線基板との理想的搭載位置からの大きな位置ずれが修正し、さらに４隅のはんだバンプ以外のはんだバンプのセルフアライメントによりセルフアライメント効果を向上させた構造が示されている。
【０００４】
また、セルフアライメントを用いて光素子の水平精度及び垂直精度を向上させた実装技術として、例えば、特開平５―６０９５２号公報及び特開平７−２３５５６６号公報記載の技術があげられる。例えば、特開平５―６０９５２号公報には、セルフアライメントにより水平方向の位置精度を１ミクロン以下とするためには、はんだ接続高さを概ね３０ミクロン以上とする必要があり、一方で垂直方向の位置精度（光素子の傾き）を１ミクロン以下にするためには、はんだ接続高さを概ね１０ミクロン以下とする必要があり、両方を同時に満たすことができる、はんだ接続高さを得ることは難しいことが示されている。その解決手段として、特開平５−６０９５２号公報には、非導電性膜を用いて形成した凹溝内の基板側電極と光素子の電極とをはんだで接続を行い、水平方向の位置決めはんだの表面張力によるセルフアライメントによって達成し、垂直方向の位置決めは、非導電性膜による台座で支持することで達成することが示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術においては、４隅の電極パッドが他の電極パッドよりも大きく、かつ４隅のはんだバンプが他のはんだバンプよりも大きく、かつ、高く形成することによって、セルフアライメント効果を向上させているが、このような電極パターン及びはんだ量では、垂直方向の位置決め精度の確保が難しいという問題があった。
また、上記従来技術では、垂直方向の位置決め精度を確保するための非導電性膜のパターンニング工程及び位置決め台の形成工程が必要であり、基板製造工程が複雑、高価になるという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上記の欠点を解決し、溶融はんだの表面張力のみにより、水平方向及び垂直方向の高精度の位置決めを実現する光素子の実装構造技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、電極形状及びはんだ量を適正化することにより、垂直方向の位置決め精度と高いセルフアライメント性を実現する光素子の実装構造技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために、第１の発明では、光素子の実装構造体は、光素子上に形成された電極と基板上の光素子の電極に対応する位置に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体であって、該光素子の周辺近傍に設けられた第１のはんだ接続用電極と、光素子の他の部分に配置された第２のはんだ接続用電極を備え、該第１のはんだ接続用電極の電極面積Ｓ１、該第２のはんだ接続用電極の電極面積Ｓ２とすると、Ｓ１＞Ｓ２を満足し、かつ該第１のはんだ接続用電極の平均はんだ高さをＨ１、該第２のはんだ接続用電極の平均はんだ高さをＨ２とした場合、Ｈ１＜Ｈ２を満足する。
【０００８】
第２の発明では、第１の発明において、該第１のはんだ接続用電極の電極幅をＬ１、該第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極の電極間隔をＬ１２、第２のはんだ接続用電極間の電極間隔をＬ２２とした場合、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係を満足させる。
【０００９】
第３の発明では、光素子の実装方法は、光素子上に形成された電極と基板上の光素子の電極に対応する位置に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体を得るために、該光素子の周辺近傍に第１の面積を持つ第１のはんだ接続用電極を設け、光素子の他の部分に該第１の面積より小さい面積を持つ第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、該光素子の電極に対応する該基板の位置に第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、該光素子の該第１のはんだ接続用電極又は該基板の該第１のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さより、該光素子の該第２のはんだ接続用電極又は該基板の該第２のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さが高くなるようにはんだを供給するステップと、該基板上に該光素子を所定の位置に位置合わせを行い加圧しながらはんだの融点以下の温度で仮接続するステップと、はんだの融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板電極に対する該光素子上電極の３次元的な位置決めを行うステップとを備える。
【００１０】
第４の発明では、第３の発明において、該はんだ接続用電極を設けるステップでは、該第１のはんだ接続用電極の電極幅をＬ１、該第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極の電極間隔をＬ１２、第２のはんだ接続用電極間の電極間隔をＬ２２とした場合、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係を満足させる。
【００１１】
第５の発明では、第３又は４の発明において、該はんだを供給するステップは、該光素子または基板上の該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅をＬ３とした場合、該第１のはんだ接続用電極幅Ｌ１との関係がＬ１＞Ｌ３となり、かつ該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅Ｌ４と該第２のはんだ接続用電極幅Ｌ２との関係がＬ２≦Ｌ４となり、かつ、該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ３と該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ４の関係がＨ３≧Ｈ４となるようにはんだを供給する。
【００１２】
第６の発明では、第３、４又は５の発明において、該はんだ融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板上電極に対する３次元的な位置決めを行うステップを、還元性雰囲気の中で行う。
【００１３】
第７の発明では、第３、４又は５の発明において、仮接続した該光素子と該基板間のはんだ接続用電極にはんだの融点よりも高い沸点を有する有機材料を供給するステップを設ける。
【００１４】
更に、第８の発明では、上記のいずれかの発明において、該光素子または基板上電極へのはんだの供給方法が真空蒸着である。
【００１５】
第９の発明では、第７の発明において、該有機材料は、分子内に少なくとも１個以上の水酸基を有するものである。また、該有機材料は該はんだ接続ステップ後において、残さが残らないように蒸発する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、実施例を用い、図面を参照して説明する。光素子の実装構造体の電極材料として、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕの構成で基板および光素子上に電極が形成され、光素子と基板を接続するためのはんだ材料は、Ａｕ及びＳｎの共晶組成（Ａｕ８０ｗｔ％,Ｓｎ２０ｗｔ％）が一般的に用いられている。本発明の対象としては、これらの構成を含むのはもちろん、他の電極およびはんだ材料を用いた場合にも適用可能である。
【００１７】
図１は本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の一実施例を示す平面図および光素子の実装構造体の一実施例を示す断面図であり、図１（ａ）は光素子のはんだ接続用電極配置を示す平面図を、図１（ｂ）は光素子の実装構造体の断面図を示す。図１（ａ）に示すように、光素子１には大きい電極面積Ｓ１を有する円形の第１のはんだ接続用電極３ａと、電極面積Ｓ１より小さい電極面積Ｓ２を有する円形の第２のはんだ接続用電極３ｂとがもうけられている。第１のはんだ接続用電極２ａは光素子１の四隅に設けられ、第２のはんだ接続用電極３ｂはその他の部分に配置されている。
図１（ｂ）に示すように、基板５にも光素子１の電極と対応する位置に電極が設けられている。光素子１の第１のはんだ接続用電極２ａに対向する位置に基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂが、第２の接続用電極３ａに対向する位置に基板５の第２のはんだ接続用電極３ｂが設けられている。光素子の実装構造体１０１は光素子１の第１、第２のはんだ接続用電極２ａ、３ａと基板５の第１、第２のはんだ接続用電極２ｂ、３ｂの間をはんだ４で接続している。
【００１８】
本実施例では、光素子１を基板５上に仮固定する、即ち、はんだの融点温度未満にして基板上の電極に光素子の電極を載置する、時に生じる位置ずれの許容量を極力大きくするために、電極面積Ｓ１の第１のはんだ接続用電極２とそれより小さい電極面積Ｓ２の第２のはんだ接続用電極３を設けている。なお、本実施例では、第１、
第２のはんだ接続用電極２、３を円形としているが、必ずしも円形とする必要はなく、四角形、多角形、その他の形状でもよい。
第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂは、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂと合わせて接続強度を確保するとともに、光素子１の電極パターンが第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂだけの場合に比べて、はんだの表面張力によるセルフアライメント効果をより効果的に発揮させるために設けた小さい円形の電極である。
【００１９】
また、図１（ａ）に示すように、隣の電極上に仮固定または接続されることを防止してより効果的にセルフアライメントによる高精度位置決めを実現するために、光素子１の第１のはんだ接続用電極２ａの電極幅をＬ１、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａの電極間隔をＬ１２、電極幅がＬ２である第２のはんだ接続用電極３ａ間の電極間隔をＬ２２とすると、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係が成り立つように電極２ａ、３ａを配置した。このため、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａとを設けた光素子１を用いることにより、仮固定時の大きな位置ずれを許容し、かつセルフアライメントによる高い水平精度の実現を達成することができる。
【００２０】
図１（ｂ）は、光素子１の電極パターン２ａ、３ａと対応する位置に、第１のはんだ接続用電極２ｂと第２のはんだ接続用電極３ｂを設けた基板５と光素子１を用いてはんだ接続し、セルフアライメント完了後の光素子の実装構造体１０１を示す。
本実施例では、周辺部に形成された第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂの平均はんだ高さＨ１を第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂの平均はんだ高さＨ２よりも低くなるようにすることで、垂直方向に関して溶融したはんだ４が第１のはんだ接続用電極２ｂで光素子１に対して引張力が働き、第２のはんだ接続用電極３ｂでは押し上げ力が働く。このため、光素子１を中央部では押し上げるような力が働き、一方、周辺部では光素子１を基板５の方向に引張るような力が生じる。この溶融したはんだ４の引張力と圧縮力との力のつり合いにより、供給されたはんだ量にばらつきが生じた場合でも、光素子の垂直方向の精度を安定化させることができる。この場合、図１（ｂ）に示すように、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ間のはんだ４ａの端部は内側に凹となり、第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂ間のはんだ４ｂは外側に凸になる。
【００２１】
一方、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ間及び第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂの平均はんだ高さを等しくした場合、図２（ａ）に示すように、ぬれの時間差やすべての電極に光素子１を押し上げる力のみが働くことに起因して傾きが発生し、垂直方向の実装精度が得られない場合があることを確認した。この傾きをなくすために、図２（ｂ）に示すように、非導電性膜１５に光素子１を接着することが考えられるが、この場合工程が増えることになるため、好ましくない。なお、図２は従来の光素子の実装構造体の断面図である。
【００２２】
ここで、平均はんだ高さについて説明する。平均はんだ高さは、光素子１側の電極と基板５側の電極を上下面とし、その外形を直線で結んでできる立体の体積が基板４の電極上に供給したはんだの体積と等しくなった時の立体の高さを言う。即ち、平均はんだ高さとは、はんだ接続用電極に供給されるはんだ体積を電極面積で割算した値を言う。
【００２３】
図３は本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の他の実施例を示す平面図であり、図３（ａ）は電極の形状が四角形の例を、図３（ｂ）は大きい面積の円形電極と小さい面積の円形電極の他の配置例を、図３（ｃ）は大きい面積の四角形電極と小さい面積の四角形電極の他の配置例を示している。
図３（ａ）には、光素子１上の第１のはんだ接続用電極２ａを四角形とし、第２のはんだ接続用電極３ａを四角形とした場合の例が示されている。図３（ｂ）は、円形の第１のはんだ接続用電極２ａを光素子１の四隅には配置していないが、光素子１の周辺近傍に設けられており、中心（重心）に対して点対称に配置した例を示す。図３（ｃ）は、四角形の第１のはんだ接続用電極２ａを光素子１の四隅には配置していないが、光素子１の周辺近傍に設けられており、中心（重心）に対して点対称に配置された例を示す。光素子１の姿勢安定化のためには、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａの配置が光素子１の中心（重心）に対して点対称となるように配置することが望ましい。
【００２４】
図４は本発明による光素子の実装構造体の他の例を示す断面図であり、図４（ａ）は光素子の第２のはんだ接続用電極に対して、基板の第２のはんだ接続用電極を小さくした場合の例を、図４（ｂ）は光素子の第２のはんだ接続用電極に対して、基板の第２のはんだ接続用電極を大きくした場合の例を示す。
図４（ａ）は、光素子１側の第２のはんだ接続用電極２ｃに対して基板５側の第２のはんだ接続用電極２ｄを電極の中心を対称にして小さく設け、基板５上に光素子１を実装した光素子の実装構造体１０２を示す。
図４（ｂ）は、基板５側の第２のはんだ接続用電極２ｆに対して光素子１側の第２のはんだ接続用電極２ｅを電極の中心を対称にして小さく設け、基板５上に光素子１を実装した光素子の実装構造体１０３を示す。本実施例では、姿勢を安定化させることができる。
【００２５】
図５は本発明による光素子の実装構造体の実装工程の一実施例を説明するための断面図である。
まず、図５（ａ）に示すように、基板５上の第１のはんだ接続用電極２ｂと第２のはんだ接続用電極３ｃにはんだ６を供給する。本実施例では、リフロー前のはんだに対して符号６を付して、リフロー後のはんだ４と区別する。ここで、第１のはんだ接続用電極２ｂに供給するはんだ幅Ｌ３と電極幅Ｌ１との関係がＬ１＞Ｌ３、かつ第２のはんだ接続用電極３ｂに供給するはんだ幅Ｌ４と電極幅Ｌ２との関係がＬ２≦Ｌ４となるようにはんだ６を供給して、第１のはんだ接続用電極２ｂ上の平均はんだ高さＨ１と第２のはんだ接続用電極３ｂ上の平均はんだ高さＨ２の関係がＨ１＜Ｈ２となるようにする。また、光素子１のいずれかの電極が隣の電極のはんだ６に仮固定または接続されることを防止するために、基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂに供給するはんだ高さＨ３と第２のはんだ接続用電極３ｂに供給するはんだ高さＨ４の関係がＨ１＜Ｈ２の関係が成立する範囲内で、Ｈ３≧Ｈ４となるようにはんだ６を供給することが望ましい。このはんだ６の供給方法に関しては、蒸着、メッキ、プリフォーム等によるものがあり、本発明ではいずれの方法ではんだ６を供給してもよい。
【００２６】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａをもつ光素子１を基板５上に位置合わせを行い、供給したはんだ６の融点以下の温度で加圧することにより、仮接続を行う。これにより、位置合わせから次の工程のはんだ６の加熱溶融による本接続工程までの位置ずれを防止し、生産性に優れた実装工程を実現する。
次に、はんだ溶融接続時の表面張力を利用したセルフアライメントによる光素子１の高精度位置決めを実現するためには、はんだ溶融時にはんだ表面の酸化膜を除去、またはセルフアライメントを妨げない程度に薄く制御する必要がある。本実施例では、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｅ）に示すように還元性雰囲気７中で加熱溶融することにより、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂのセルフアライメント効果により位置ずれ量が小さくなり、次に第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂによるセルフアライメント効果により高精度位置決めを実現できる。
その後、冷却しはんだ４を凝固させることにより、図５（ｆ）に示すように、フラックスを用いないため、信頼性に影響を及ぼす残さがなく、後洗浄工程を必要としない清浄な実装構造体を得ることができる。
【００２７】
本発明において、はんだ６の溶融加熱時に酸化膜を還元する方法として、図５に示す還元性雰囲気７中で加熱刷る他に、図６に示すような還元性を有する有機材料８を用いる方法がある。
図６は本発明による光素子の実装構造体の実装工程の他の実施例を説明するための断面図である。図６（ａ）に示すように、基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂ、第２のはんだ接続用電極３ｂ上にはんだ４を供給し、図６（ｂ）に示すように、基板５上に光素子１を載置して仮固定する。
次に、図６（ｃ）に示すように、光素子１と基板５の間のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂを覆うように有機材料８を供給する。この有機材料８としては、沸点がはんだ６の融点よりも高く、はんだ溶融時にはんだ表面の酸化膜が還元除去され再酸化が防止された状態に保つような材料を選ぶ。還元性をもつ材料としては、分子内に少なくとも１個以上の水酸基を有するアルコール系の材料が適している。例えば、融点が２７８℃のＡｕ２０ｗｔ％Ｓｎはんだを用いる場合には、有機材料８として、トリエチレングリコール（沸点２８５℃）、テトラエチレングリコール（沸点３１４℃）、ペンタエチレングリコール（沸点３７０℃）を用いることにより、セルフアライメントが妨げられず、基板５上への光素子１の高精度な位置決め実装を実現することができることを確認した。図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６（ｅ）に示すように、有機材料８を供給、又は塗布した状態で加熱すると、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂのセルフアライメント効果により位置ずれ量が小さくなり、次に第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂによるセルフアライメント効果により高精度位置決めを実現できる。また、有機材料８は加熱中に蒸発される。よって、有機材料８は図６（ｆ）に示すように加熱中に蒸発するので、残さとして残ることなく、上記実施例と同様に後洗浄工程は不要である。即ち、昇温速度が速く加熱時間が短くなるほど、より低い沸点の材料を使用し確実に蒸発するようにする必要がある。
【００２８】
図７は本発明による光素子の実装構造体を光導波路基板上に実装した場合の一実施例を示す一部断面側面図及び平面図である。光素子１は活性層１０を有しており、の第１、第２のはんだ接続用電極２ａ、３ａは光導波路基板１３の電極２ｂ、３ｂ上に実装される。また、光導波路基板１３には、光素子１の活性層１０を通過した光が光導波路１１のコア層１２を通過することができるように光導波路１１が取り付けられる。
本実施例を用いることにより、光素子１を基板５上の所定の位置に高精度に位置決めされた実装構造が実現することができる。このため、基板５上の光導波路１１にコア層１２と光素子１の活性層１０とを高精度に位置決めでき、光素子と光導波路との光結合を実現することができる。
【００２９】
以上述べたように、本発明によれば、フラックスや垂直方向位置決め用支持台、高価な実装機を用いることなく、はんだ溶融時の表面張力によるセルフアライメント効果のみで、基板上の所定の位置に光素子を高精度に位置決めすることができ、低コスト化を実現することができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、はんだ溶融時の表面張力によるセルフアライメント効果で、基板上の所定の位置に光素子を高精度に位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の一実施例を示す平面図および光素子の実装構造体の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の光素子の実装構造体の断面図である。
【図３】本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の他の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明による光素子の実装構造体の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明による光素子の実装構造体の実装工程の一実施例を説明するための断面図である。
【図６】本発明による光素子の実装構造体の実装工程の他の実施例を説明するための断面図である。
【図７】図７は本発明による光素子の実装構造体を光導波路基板上に実装した場合の一実施例を示す一部断面側面図及び平面図である。
【符号の説明】
１…光素子、２ａ、２ｂ…第１のはんだ接続用電極、３ａ、３ｂ…第２のはんだ接続用電極、４…リフロー後のはんだ、５…基板、６…リフロー前のはんだ、７…還元性雰囲気、８…有機材料、１０…活性層、１１…光導波路、１２…光導波路のコア層、１３…光導波路基板
１０１、１０２、１０３…光素子の実装構造体。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光素子を基板上にフラックスを用いないではんだ接続し、三次元的に高精度位置決めする光素子の実装構造体及び光素子の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上へ光素子の実装は、基板上に形成された光導波路と良好な光結合を確保するために１ミクロン以下の位置精度で高精度に実装する必要がある。高精度位置決め技術は、はんだの表面張力を利用したセルフアライメントによる高精度位置決め構造及び方法が研究、開発されている。この中で一般的なはんだ接続に用いられるフラックスは、はんだ及び電極表面の酸化膜を還元除去するとともに接続部を覆い再酸化を防止することができるので、より良好なセルフアライメントを達成できる。しかし、光素子の実装においてフラックスを用いた場合には、電子回路実装で電気的信頼性等の点で問題とならない残さによる汚染が光伝送の妨害になるという問題があり、はんだ接続後の洗浄が必須となる。所が、はんだ接続後の洗浄は追加の工程が必要となり、新たな装置を必要とするので、高コスト化の原因となる。
【０００３】
そこで、洗浄が不要な工程に関して、フラックスレス接続が開発されている。まず、セルフアライメントを用いた半導体の実装構造体または方法に関連する技術、例えば、電極パターンに関連する技術としては、特開平９−２７５１２３号公報及び特開平１１−１１１７７１号公報に記載の技術があげられる。例えば、特開平１１−１１１７７１号公報には、実装機によるＣＳＰキャリア基板の位置ずれを考慮して、４隅の電極パッドが他の電極パッドよりも大きく、かつ４隅のはんだバンプが他のはんだバンプよりも大きく高く形成したＣＳＰキャリア基板と配線基板とを用いてＣＳＰを実装することで、リフローはんだ付けの際にまずは４隅のはんだバンプのセルフアライメントにより、キャリア基板と配線基板との理想的搭載位置からの大きな位置ずれが修正し、さらに４隅のはんだバンプ以外のはんだバンプのセルフアライメントによりセルフアライメント効果を向上させた構造が示されている。
【０００４】
また、セルフアライメントを用いて光素子の水平精度及び垂直精度を向上させた実装技術として、例えば、特開平５―６０９５２号公報及び特開平７−２３５５６６号公報記載の技術があげられる。例えば、特開平５―６０９５２号公報には、セルフアライメントにより水平方向の位置精度を１ミクロン以下とするためには、はんだ接続高さを概ね３０ミクロン以上とする必要があり、一方で垂直方向の位置精度（光素子の傾き）を１ミクロン以下にするためには、はんだ接続高さを概ね１０ミクロン以下とする必要があり、両方を同時に満たすことができる、はんだ接続高さを得ることは難しいことが示されている。その解決手段として、特開平５−６０９５２号公報には、非導電性膜を用いて形成した凹溝内の基板側電極と光素子の電極とをはんだで接続を行い、水平方向の位置決めはんだの表面張力によるセルフアライメントによって達成し、垂直方向の位置決めは、非導電性膜による台座で支持することで達成することが示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術においては、４隅の電極パッドが他の電極パッドよりも大きく、かつ４隅のはんだバンプが他のはんだバンプよりも大きく、かつ、高く形成することによって、セルフアライメント効果を向上させているが、このような電極パターン及びはんだ量では、垂直方向の位置決め精度の確保が難しいという問題があった。
また、上記従来技術では、垂直方向の位置決め精度を確保するための非導電性膜のパターンニング工程及び位置決め台の形成工程が必要であり、基板製造工程が複雑、高価になるという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上記の欠点を解決し、溶融はんだの表面張力のみにより、水平方向及び垂直方向の高精度の位置決めを実現する光素子の実装構造技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、電極形状及びはんだ量を適正化することにより、垂直方向の位置決め精度と高いセルフアライメント性を実現する光素子の実装構造技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために、第１の発明では、光素子の実装構造体は、光素子上に形成された電極と基板上の光素子の電極に対応する位置に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体であって、該光素子の周辺近傍に設けられた第１のはんだ接続用電極と、光素子の他の部分に配置された第２のはんだ接続用電極を備え、該第１のはんだ接続用電極の電極面積Ｓ１、該第２のはんだ接続用電極の電極面積Ｓ２とすると、Ｓ１＞Ｓ２を満足し、かつ該第１のはんだ接続用電極の平均はんだ高さをＨ１、該第２のはんだ接続用電極の平均はんだ高さをＨ２とした場合、Ｈ１＜Ｈ２を満足する。
【０００８】
第２の発明では、第１の発明において、該第１のはんだ接続用電極の電極幅をＬ１、該第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極の電極間隔をＬ１２、第２のはんだ接続用電極間の電極間隔をＬ２２とした場合、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係を満足させる。
【０００９】
第３の発明では、光素子の実装方法は、光素子上に形成された電極と基板上の光素子の電極に対応する位置に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体を得るために、該光素子の周辺近傍に第１の面積を持つ第１のはんだ接続用電極を設け、光素子の他の部分に該第１の面積より小さい面積を持つ第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、該光素子の電極に対応する該基板の位置に第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、該光素子の該第１のはんだ接続用電極又は該基板の該第１のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さより、該光素子の該第２のはんだ接続用電極又は該基板の該第２のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さが高くなるようにはんだを供給するステップと、該基板上に該光素子を所定の位置に位置合わせを行い加圧しながらはんだの融点以下の温度で仮接続するステップと、はんだの融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板電極に対する該光素子上電極の３次元的な位置決めを行うステップとを備える。
【００１０】
第４の発明では、第３の発明において、該はんだ接続用電極を設けるステップでは、該第１のはんだ接続用電極の電極幅をＬ１、該第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極の電極間隔をＬ１２、第２のはんだ接続用電極間の電極間隔をＬ２２とした場合、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係を満足させる。
【００１１】
第５の発明では、第３又は４の発明において、該はんだを供給するステップは、該光素子または基板上の該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅をＬ３とした場合、該第１のはんだ接続用電極幅Ｌ１との関係がＬ１＞Ｌ３となり、かつ該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅Ｌ４と該第２のはんだ接続用電極幅Ｌ２との関係がＬ２≦Ｌ４となり、かつ、該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ３と該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ４の関係がＨ３≧Ｈ４となるようにはんだを供給する。
【００１２】
第６の発明では、第３、４又は５の発明において、該はんだ融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板上電極に対する３次元的な位置決めを行うステップを、還元性雰囲気の中で行う。
【００１３】
第７の発明では、第３、４又は５の発明において、仮接続した該光素子と該基板間のはんだ接続用電極にはんだの融点よりも高い沸点を有する有機材料を供給するステップを設ける。
【００１４】
更に、第８の発明では、上記のいずれかの発明において、該光素子または基板上電極へのはんだの供給方法が真空蒸着である。
【００１５】
第９の発明では、第７の発明において、該有機材料は、分子内に少なくとも１個以上の水酸基を有するものである。また、該有機材料は該はんだ接続ステップ後において、残さが残らないように蒸発する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、実施例を用い、図面を参照して説明する。光素子の実装構造体の電極材料として、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕの構成で基板および光素子上に電極が形成され、光素子と基板を接続するためのはんだ材料は、Ａｕ及びＳｎの共晶組成（Ａｕ８０ｗｔ％,Ｓｎ２０ｗｔ％）が一般的に用いられている。本発明の対象としては、これらの構成を含むのはもちろん、他の電極およびはんだ材料を用いた場合にも適用可能である。
【００１７】
図１は本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の一実施例を示す平面図および光素子の実装構造体の一実施例を示す断面図であり、図１（ａ）は光素子のはんだ接続用電極配置を示す平面図を、図１（ｂ）は光素子の実装構造体の断面図を示す。図１（ａ）に示すように、光素子１には大きい電極面積Ｓ１を有する円形の第１のはんだ接続用電極３ａと、電極面積Ｓ１より小さい電極面積Ｓ２を有する円形の第２のはんだ接続用電極３ｂとがもうけられている。第１のはんだ接続用電極２ａは光素子１の四隅に設けられ、第２のはんだ接続用電極３ｂはその他の部分に配置されている。
図１（ｂ）に示すように、基板５にも光素子１の電極と対応する位置に電極が設けられている。光素子１の第１のはんだ接続用電極２ａに対向する位置に基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂが、第２の接続用電極３ａに対向する位置に基板５の第２のはんだ接続用電極３ｂが設けられている。光素子の実装構造体１０１は光素子１の第１、第２のはんだ接続用電極２ａ、３ａと基板５の第１、第２のはんだ接続用電極２ｂ、３ｂの間をはんだ４で接続している。
【００１８】
本実施例では、光素子１を基板５上に仮固定する、即ち、はんだの融点温度未満にして基板上の電極に光素子の電極を載置する、時に生じる位置ずれの許容量を極力大きくするために、電極面積Ｓ１の第１のはんだ接続用電極２とそれより小さい電極面積Ｓ２の第２のはんだ接続用電極３を設けている。なお、本実施例では、第１、
第２のはんだ接続用電極２、３を円形としているが、必ずしも円形とする必要はなく、四角形、多角形、その他の形状でもよい。
第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂは、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂと合わせて接続強度を確保するとともに、光素子１の電極パターンが第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂだけの場合に比べて、はんだの表面張力によるセルフアライメント効果をより効果的に発揮させるために設けた小さい円形の電極である。
【００１９】
また、図１（ａ）に示すように、隣の電極上に仮固定または接続されることを防止してより効果的にセルフアライメントによる高精度位置決めを実現するために、光素子１の第１のはんだ接続用電極２ａの電極幅をＬ１、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａの電極間隔をＬ１２、電極幅がＬ２である第２のはんだ接続用電極３ａ間の電極間隔をＬ２２とすると、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係が成り立つように電極２ａ、３ａを配置した。このため、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａとを設けた光素子１を用いることにより、仮固定時の大きな位置ずれを許容し、かつセルフアライメントによる高い水平精度の実現を達成することができる。
【００２０】
図１（ｂ）は、光素子１の電極パターン２ａ、３ａと対応する位置に、第１のはんだ接続用電極２ｂと第２のはんだ接続用電極３ｂを設けた基板５と光素子１を用いてはんだ接続し、セルフアライメント完了後の光素子の実装構造体１０１を示す。
本実施例では、周辺部に形成された第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂの平均はんだ高さＨ１を第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂの平均はんだ高さＨ２よりも低くなるようにすることで、垂直方向に関して溶融したはんだ４が第１のはんだ接続用電極２ｂで光素子１に対して引張力が働き、第２のはんだ接続用電極３ｂでは押し上げ力が働く。このため、光素子１を中央部では押し上げるような力が働き、一方、周辺部では光素子１を基板５の方向に引張るような力が生じる。この溶融したはんだ４の引張力と圧縮力との力のつり合いにより、供給されたはんだ量にばらつきが生じた場合でも、光素子の垂直方向の精度を安定化させることができる。この場合、図１（ｂ）に示すように、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ間のはんだ４ａの端部は内側に凹となり、第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂ間のはんだ４ｂは外側に凸になる。
【００２１】
一方、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ間及び第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂの平均はんだ高さを等しくした場合、図２（ａ）に示すように、ぬれの時間差やすべての電極に光素子１を押し上げる力のみが働くことに起因して傾きが発生し、垂直方向の実装精度が得られない場合があることを確認した。この傾きをなくすために、図２（ｂ）に示すように、非導電性膜１５に光素子１を接着することが考えられるが、この場合工程が増えることになるため、好ましくない。なお、図２は従来の光素子の実装構造体の断面図である。
【００２２】
ここで、平均はんだ高さについて説明する。平均はんだ高さは、光素子１側の電極と基板５側の電極を上下面とし、その外形を直線で結んでできる立体の体積が基板４の電極上に供給したはんだの体積と等しくなった時の立体の高さを言う。即ち、平均はんだ高さとは、はんだ接続用電極に供給されるはんだ体積を電極面積で割算した値を言う。
【００２３】
図３は本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の他の実施例を示す平面図であり、図３（ａ）は電極の形状が四角形の例を、図３（ｂ）は大きい面積の円形電極と小さい面積の円形電極の他の配置例を、図３（ｃ）は大きい面積の四角形電極と小さい面積の四角形電極の他の配置例を示している。
図３（ａ）には、光素子１上の第１のはんだ接続用電極２ａを四角形とし、第２のはんだ接続用電極３ａを四角形とした場合の例が示されている。図３（ｂ）は、円形の第１のはんだ接続用電極２ａを光素子１の四隅には配置していないが、光素子１の周辺近傍に設けられており、中心（重心）に対して点対称に配置した例を示す。図３（ｃ）は、四角形の第１のはんだ接続用電極２ａを光素子１の四隅には配置していないが、光素子１の周辺近傍に設けられており、中心（重心）に対して点対称に配置された例を示す。光素子１の姿勢安定化のためには、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａの配置が光素子１の中心（重心）に対して点対称となるように配置することが望ましい。
【００２４】
図４は本発明による光素子の実装構造体の他の例を示す断面図であり、図４（ａ）は光素子の第２のはんだ接続用電極に対して、基板の第２のはんだ接続用電極を小さくした場合の例を、図４（ｂ）は光素子の第２のはんだ接続用電極に対して、基板の第２のはんだ接続用電極を大きくした場合の例を示す。
図４（ａ）は、光素子１側の第２のはんだ接続用電極２ｃに対して基板５側の第２のはんだ接続用電極２ｄを電極の中心を対称にして小さく設け、基板５上に光素子１を実装した光素子の実装構造体１０２を示す。
図４（ｂ）は、基板５側の第２のはんだ接続用電極２ｆに対して光素子１側の第２のはんだ接続用電極２ｅを電極の中心を対称にして小さく設け、基板５上に光素子１を実装した光素子の実装構造体１０３を示す。本実施例では、姿勢を安定化させることができる。
【００２５】
図５は本発明による光素子の実装構造体の実装工程の一実施例を説明するための断面図である。
まず、図５（ａ）に示すように、基板５上の第１のはんだ接続用電極２ｂと第２のはんだ接続用電極３ｃにはんだ６を供給する。本実施例では、リフロー前のはんだに対して符号６を付して、リフロー後のはんだ４と区別する。ここで、第１のはんだ接続用電極２ｂに供給するはんだ幅Ｌ３と電極幅Ｌ１との関係がＬ１＞Ｌ３、かつ第２のはんだ接続用電極３ｂに供給するはんだ幅Ｌ４と電極幅Ｌ２との関係がＬ２≦Ｌ４となるようにはんだ６を供給して、第１のはんだ接続用電極２ｂ上の平均はんだ高さＨ１と第２のはんだ接続用電極３ｂ上の平均はんだ高さＨ２の関係がＨ１＜Ｈ２となるようにする。また、光素子１のいずれかの電極が隣の電極のはんだ６に仮固定または接続されることを防止するために、基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂに供給するはんだ高さＨ３と第２のはんだ接続用電極３ｂに供給するはんだ高さＨ４の関係がＨ１＜Ｈ２の関係が成立する範囲内で、Ｈ３≧Ｈ４となるようにはんだ６を供給することが望ましい。このはんだ６の供給方法に関しては、蒸着、メッキ、プリフォーム等によるものがあり、本発明ではいずれの方法ではんだ６を供給してもよい。
【００２６】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１のはんだ接続用電極２ａと第２のはんだ接続用電極３ａをもつ光素子１を基板５上に位置合わせを行い、供給したはんだ６の融点以下の温度で加圧することにより、仮接続を行う。これにより、位置合わせから次の工程のはんだ６の加熱溶融による本接続工程までの位置ずれを防止し、生産性に優れた実装工程を実現する。
次に、はんだ溶融接続時の表面張力を利用したセルフアライメントによる光素子１の高精度位置決めを実現するためには、はんだ溶融時にはんだ表面の酸化膜を除去、またはセルフアライメントを妨げない程度に薄く制御する必要がある。本実施例では、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｅ）に示すように還元性雰囲気７中で加熱溶融することにより、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂのセルフアライメント効果により位置ずれ量が小さくなり、次に第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂによるセルフアライメント効果により高精度位置決めを実現できる。
その後、冷却しはんだ４を凝固させることにより、図５（ｆ）に示すように、フラックスを用いないため、信頼性に影響を及ぼす残さがなく、後洗浄工程を必要としない清浄な実装構造体を得ることができる。
【００２７】
本発明において、はんだ６の溶融加熱時に酸化膜を還元する方法として、図５に示す還元性雰囲気７中で加熱刷る他に、図６に示すような還元性を有する有機材料８を用いる方法がある。
図６は本発明による光素子の実装構造体の実装工程の他の実施例を説明するための断面図である。図６（ａ）に示すように、基板５の第１のはんだ接続用電極２ｂ、第２のはんだ接続用電極３ｂ上にはんだ４を供給し、図６（ｂ）に示すように、基板５上に光素子１を載置して仮固定する。
次に、図６（ｃ）に示すように、光素子１と基板５の間のはんだ接続用電極２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂを覆うように有機材料８を供給する。この有機材料８としては、沸点がはんだ６の融点よりも高く、はんだ溶融時にはんだ表面の酸化膜が還元除去され再酸化が防止された状態に保つような材料を選ぶ。還元性をもつ材料としては、分子内に少なくとも１個以上の水酸基を有するアルコール系の材料が適している。例えば、融点が２７８℃のＡｕ２０ｗｔ％Ｓｎはんだを用いる場合には、有機材料８として、トリエチレングリコール（沸点２８５℃）、テトラエチレングリコール（沸点３１４℃）、ペンタエチレングリコール（沸点３７０℃）を用いることにより、セルフアライメントが妨げられず、基板５上への光素子１の高精度な位置決め実装を実現することができることを確認した。図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６（ｅ）に示すように、有機材料８を供給、又は塗布した状態で加熱すると、第１のはんだ接続用電極２ａ、２ｂのセルフアライメント効果により位置ずれ量が小さくなり、次に第２のはんだ接続用電極３ａ、３ｂによるセルフアライメント効果により高精度位置決めを実現できる。また、有機材料８は加熱中に蒸発される。よって、有機材料８は図６（ｆ）に示すように加熱中に蒸発するので、残さとして残ることなく、上記実施例と同様に後洗浄工程は不要である。即ち、昇温速度が速く加熱時間が短くなるほど、より低い沸点の材料を使用し確実に蒸発するようにする必要がある。
【００２８】
図７は本発明による光素子の実装構造体を光導波路基板上に実装した場合の一実施例を示す一部断面側面図及び平面図である。光素子１は活性層１０を有しており、の第１、第２のはんだ接続用電極２ａ、３ａは光導波路基板１３の電極２ｂ、３ｂ上に実装される。また、光導波路基板１３には、光素子１の活性層１０を通過した光が光導波路１１のコア層１２を通過することができるように光導波路１１が取り付けられる。
本実施例を用いることにより、光素子１を基板５上の所定の位置に高精度に位置決めされた実装構造が実現することができる。このため、基板５上の光導波路１１にコア層１２と光素子１の活性層１０とを高精度に位置決めでき、光素子と光導波路との光結合を実現することができる。
【００２９】
以上述べたように、本発明によれば、フラックスや垂直方向位置決め用支持台、高価な実装機を用いることなく、はんだ溶融時の表面張力によるセルフアライメント効果のみで、基板上の所定の位置に光素子を高精度に位置決めすることができ、低コスト化を実現することができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、はんだ溶融時の表面張力によるセルフアライメント効果で、基板上の所定の位置に光素子を高精度に位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の一実施例を示す平面図および光素子の実装構造体の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の光素子の実装構造体の断面図である。
【図３】本発明による光素子のはんだ接続用電極配置の他の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明による光素子の実装構造体の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明による光素子の実装構造体の実装工程の一実施例を説明するための断面図である。
【図６】本発明による光素子の実装構造体の実装工程の他の実施例を説明するための断面図である。
【図７】図７は本発明による光素子の実装構造体を光導波路基板上に実装した場合の一実施例を示す一部断面側面図及び平面図である。
【符号の説明】
１…光素子、２ａ、２ｂ…第１のはんだ接続用電極、３ａ、３ｂ…第２のはんだ接続用電極、４…リフロー後のはんだ、５…基板、６…リフロー前のはんだ、７…還元性雰囲気、８…有機材料、１０…活性層、１１…光導波路、１２…光導波路のコア層、１３…光導波路基板
１０１、１０２、１０３…光素子の実装構造体。
Claims (4)
- 光素子上に形成された電極と基板上の光素子の電極に対応する位置に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体を得るために、該光素子の周辺近傍に第１の面積を持つ第１のはんだ接続用電極を設け、光素子の他の部分に該第１の面積より小さい面積を持つ第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、
該光素子の電極に対応する該基板の位置に第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極を設けるステップと、
該光素子の該第１のはんだ接続用電極又は該基板の該第１のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さより、該光素子の該第２のはんだ接続用電極又は該基板の該第２のはんだ接続用電極に供給する平均はんだ高さが高くなるようにはんだを供給するステップと、
該基板上に該光素子を所定の位置に位置合わせを行い加圧しながらはんだの融点以下の温度で仮接続するステップと、
はんだの融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板電極に対する該光素子上電極の３次元的な位置決めを行うステップとを有し、
該はんだを供給するステップは、該光素子または基板上の該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅をＬ３とした場合、該第１のはんだ接続用電極幅Ｌ１との関係がＬ１＞Ｌ３となり、かつ該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ幅Ｌ４と該第２のはんだ接続用電極幅Ｌ２との関係がＬ２≦Ｌ４となり、かつ、該第１のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ３と該第２のはんだ接続用電極に供給するはんだ高さＨ４の関係がＨ３≧Ｈ４となるようにはんだを供給することを特徴とする光素子の実装方法。 - 請求項１記載の光素子の実装方法において、
該はんだ接続用電極を設けるステップでは、該第１のはんだ接続用電極の電極幅をＬ１、該第１のはんだ接続用電極と第２のはんだ接続用電極の電極間隔をＬ１２、第２のはんだ接続用電極間の電極間隔をＬ２２とした場合、Ｌ１／２＜Ｌ１２、かつＬ１／２＜Ｌ２２の関係を満足させることを特徴とする光素子の実装方法。 - 請求項１又は２に記載の光素子の実装方法において、
該はんだ融点以上に加熱して溶融したはんだの表面張力を利用して該基板上電極に対する３次元的な位置決めを行うステップを、還元性雰囲気の中で行うことを特徴とする光素子の実装方法。 - 請求項１又は２に記載の光素子の実装方法において、
仮接続した該光素子と該基板間のはんだ接続用電極にはんだの融点よりも高い沸点を有する有機材料を供給するステップを設けることを特徴とする光素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038370A JP4052848B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 光素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038370A JP4052848B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 光素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243757A JP2003243757A (ja) | 2003-08-29 |
| JP4052848B2 true JP4052848B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=27779709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002038370A Expired - Lifetime JP4052848B2 (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 光素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4052848B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100570911C (zh) * | 2005-07-15 | 2009-12-16 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件以及半导体发光元件安装完成基板 |
| JP4421528B2 (ja) | 2005-07-28 | 2010-02-24 | シャープ株式会社 | 半田付け実装構造およびその製造方法、並びにその利用 |
| JP5194471B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP6933794B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2021-09-08 | 富士通株式会社 | 光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002038370A patent/JP4052848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003243757A (ja) | 2003-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3063161B2 (ja) | ハンダ・メッキした回路トレースに対するハンダ・バンプ相互接続部を形成する方法 | |
| JPH06163869A (ja) | はんだ自動整合結合方法 | |
| JP2007268613A (ja) | 拡散はんだ付け方法 | |
| JPH08172259A (ja) | Ｃｐｄによる基板へのバンプ形成方法 | |
| KR20040071675A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 모듈 | |
| JPH0810716B2 (ja) | 電子パッケージ | |
| KR19980069992A (ko) | 광 반도체 장치와 지지기판의 복합 유니트 및 광 반도체 장치를지지기판 상에 실장하기 위한 방법 | |
| JP4429564B2 (ja) | 光部品及び電気部品の実装構造及びその方法 | |
| JP4696110B2 (ja) | 電子部品の実装方法及び電子部品実装装置 | |
| JP4052848B2 (ja) | 光素子の実装方法 | |
| KR100982183B1 (ko) | 납땜 실장 구조의 제조 방법 | |
| KR101058390B1 (ko) | 납땜 실장 구조, 그 제조 방법, 및 그 이용 | |
| EP1100123A1 (en) | Dip formation of flip-chip solder bumps | |
| JP3458944B2 (ja) | ハイブリッド集積素子およびその製造方法 | |
| JPH10214919A (ja) | マルチチップモジュールの製造方法 | |
| JP2004281634A (ja) | 積層実装型半導体装置の製造方法 | |
| JPH09246324A (ja) | 電子部品及びそのバンプ形成方法 | |
| JPH09326535A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002334902A (ja) | 光素子の実装構造および実装方法 | |
| JP2006351901A (ja) | 電子部品のバンプ形成方法および電子部品の基板への実装方法 | |
| JP2002368044A (ja) | はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品 | |
| JP4019005B2 (ja) | Ｉｃウエハ及びそれを用いたフリップチップ型ｉｃの製造方法 | |
| JP2000294586A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3651389B2 (ja) | 電子部品の冷却構造およびこの冷却構造を有する電子回路装置 | |
| KR0138843B1 (ko) | 전극이 양면에 형성된 광소자의 전극연결방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040810 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070927 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070927 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071204 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4052848 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |