JP4044018B2 - Cmosドライバ回路およびcmosインバータ回路 - Google Patents
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松本外2名著、「MOSトランジスタとキャパシタ・メモリを使った4値論理回路の設計」、電子情報通信学会論文誌、第J70−D巻、第1号、50−59頁、1987年1月 亀山外2名著、「Signed-Digit数系に基づく双方向電流モード多値基本演算回路とその評価」、電子情報通信学会論文誌、第J71−D巻、第7号、1189−1198頁、1988年7月
請求項2にかかる発明は、3値のサインデジット数に対応する電圧VDD0,VDD1,VDD2(VDD0<VDD1<VDD2)のいずれかの信号を入力し波形整形し反転して出力するCMOSインバータ回路であって、前記VDD2の電源端子と前記VDD1の電源端子との間に接続され入力側が入力端子に接続された第1のインバータと、前記VDD1の電源端子と前記VDD0の電源端子との間に接続され入力側が前記入力端子に接続された第2のインバータと、前記VDD1の電源端子と出力端子の間に接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタの直列回路からなるパス回路と、前記VDD2の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用PMOSトランジスタと、前記VDD0の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用NMOSトランジスタと、前記VDD2の電源端子と前記入力端子との間に接続され前記入力端子の電圧が前記VDD0ならほぼ前記VDD1にシフトし前記VDD1ならほぼ前記VDD2にシフトする第1の電圧シフト回路と、前記VDD0の電源端子と前記入力端子との間に接続され前記入力端子の電圧が前記VDD2ならほぼ前記VDD1にシフトし前記VDD1ならほぼ前記VDD0にシフトする第2の電圧シフト回路とを具備し、前記第1のインバータの出力側が前記パス回路のNMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2のインバータの出力側が前記パス回路のPMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第1の電圧シフト回路の出力側が前記出力用PMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2の電圧シフト回路の出力側が前記出力用NMOSトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載のCMOSインバータ回路において、前記第1の電圧シフト回路は、前記VDD2の電源端子と前記入力端子との間に直列接続された2個のPMOSトランジスタからなり、該2個のPMOSトランジスタの内の前記VDD2の電源端子側のトランジスタのゲートには前記VDD1の電源端子が接続され、前記2個のPMOSトランジスタの内の前記入力端子側のトランジスタはダイオード接続され、且つ前記2個のPMOSトランジスタの共通接続点が前記出力側となり、前記第2の電圧シフト回路は、前記VDD0の電源端子と前記入力端子との間に直列接続された2個のNMOSトランジスタからなり、該2個のNMOSトランジスタの内の前記VDD0の電源端子側のトランジスタのゲートには前記VDD1の電源端子が接続され、前記2個のNMOSトランジスタの内の前記入力端子側のトランジスタはダイオード接続され、且つ前記2個のNMOSトランジスタの共通接続点が前記出力側となる、ことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項3に記載のCMOSインバータ回路において、前記第1の電圧シフト回路の前記ダイオード接続のPMOSトランジスタのしきい値電圧および前記第2の電圧シフト回路の前記ダイオード接続のNMOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記電圧VDD2とVDD1の差分、又は前記電圧VDD1とVDD0の差分にほぼ相当することを特徴とする。
PATH:パス回路
SH1,SH2:電圧シフト回路
Claims (4)
- 3値のサインデジット数に対応する電圧VDD0,VDD1,VDD2(VDD0<VDD1<VDD2)のいずれかの信号を入力し波形整形して出力するCMOSドライバ回路であって、
前記VDD2の電源端子と前記VDD1の電源端子との間に接続され入力側が入力端子に接続された第1のインバータと、前記VDD1の電源端子と前記VDD0の電源端子との間に接続され入力側が前記入力端子に接続された第2のインバータと、前記VDD1の電源端子と出力端子の間に接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタの直列回路からなるパス回路と、前記VDD2の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用PMOSトランジスタと、前記VDD0の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用NMOSトランジスタとを具備し、
前記第1のインバータの出力側が前記出力用PMOSトランジスタのゲートおよび前記パス回路のNMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2のインバータの出力側が前記出力用NMOSトランジスタのゲートおよび前記パス回路のPMOSトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするCMOSドライバ回路。 - 3値のサインデジット数に対応する電圧VDD0,VDD1,VDD2(VDD0<VDD1<VDD2)のいずれかの信号を入力し波形整形し反転して出力するCMOSインバータ回路であって、
前記VDD2の電源端子と前記VDD1の電源端子との間に接続され入力側が入力端子に接続された第1のインバータと、前記VDD1の電源端子と前記VDD0の電源端子との間に接続され入力側が前記入力端子に接続された第2のインバータと、前記VDD1の電源端子と出力端子の間に接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタの直列回路からなるパス回路と、前記VDD2の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用PMOSトランジスタと、前記VDD0の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用NMOSトランジスタと、前記VDD2の電源端子と前記入力端子との間に接続され前記入力端子の電圧が前記VDD0ならほぼ前記VDD1にシフトし前記VDD1ならほぼ前記VDD2にシフトする第1の電圧シフト回路と、前記VDD0の電源端子と前記入力端子との間に接続され前記入力端子の電圧が前記VDD2ならほぼ前記VDD1にシフトし前記VDD1ならほぼ前記VDD0にシフトする第2の電圧シフト回路とを具備し、
前記第1のインバータの出力側が前記パス回路のNMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2のインバータの出力側が前記パス回路のPMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第1の電圧シフト回路の出力側が前記出力用PMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2の電圧シフト回路の出力側が前記出力用NMOSトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするCMOSインバータ回路。 - 請求項2に記載のCMOSインバータ回路において、
前記第1の電圧シフト回路は、前記VDD2の電源端子と前記入力端子との間に直列接続された2個のPMOSトランジスタからなり、該2個のPMOSトランジスタの内の前記VDD2の電源端子側のトランジスタのゲートには前記VDD1の電源端子が接続され、前記2個のPMOSトランジスタの内の前記入力端子側のトランジスタはダイオード接続され、且つ前記2個のPMOSトランジスタの共通接続点が前記出力側となり、
前記第2の電圧シフト回路は、前記VDD0の電源端子と前記入力端子との間に直列接続された2個のNMOSトランジスタからなり、該2個のNMOSトランジスタの内の前記VDD0の電源端子側のトランジスタのゲートには前記VDD1の電源端子が接続され、前記2個のNMOSトランジスタの内の前記入力端子側のトランジスタはダイオード接続され、且つ前記2個のNMOSトランジスタの共通接続点が前記出力側となる、
ことを特徴とするCMOSインバータ回路。 - 請求項3に記載のCMOSインバータ回路において、
前記第1の電圧シフト回路の前記ダイオード接続のPMOSトランジスタのしきい値電圧および前記第2の電圧シフト回路の前記ダイオード接続のNMOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記電圧VDD2とVDD1の差分、又は前記電圧VDD1とVDD0の差分にほぼ相当することを特徴とするCMOSインバータ回路。
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