JP4145222B2 - Cmosラッチ回路およびcmos・dff回路 - Google Patents
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松本外2名著、「MOSトランジスタとキャパシタ・メモリを使った4値論理回路の設計」、電子情報通信学会論文誌、第J70−D巻、第1号、50−59頁、1987年1月 亀山外2名著、「Signed-Digit数系に基づく双方向電流モード多値基本演算回路とその評価」、電子情報通信学会論文誌、第J71−D巻、第7号、1189−1198頁、1988年7月
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のCMOSラッチ回路において、前記入力端子と前記出力端子の間に接続され前記第1の転送ゲートと逆のタイミングで導通/遮断する第2の転送ゲートを具備することを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、前記第1、第2のインバータを、一方の入力側が第1のプリセット端子に共通接続され、他方の入力側が前記入力端子に共通接続される第1、第2の2入力ナンドゲートに置き換え、記第1のプリセット端子に初期設定時に前記VDD0の電圧が印加されそれ以外では前記VDD2の電圧が印加されるようにしたことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、前記第1、第2のインバータを、一方の入力側が第2のプリセット端子に共通接続され、他方の入力側が前記入力端子に共通接続される第1、第2の2入力ノアゲートに置き換え、前記第2のプリセット端子に初期設定時に前記VDD2の電圧が印加されそれ以外では前記VDD0の電圧が印加されるようにしたことを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、前記第1のインバータを、一方の入力側が第3のプリセット端子に接続され、他方の入力側が前記入力端子に接続される2入力ナンドゲートに置き換え、前記第2のインバータを、一方の入力側が第4のプリセット端子に接続され、他方の入力側が前記入力端子に接続される2入力ノアゲートに置き換え、前記第3のプリセット端子に初期設定時に前記VDD1の電圧が印加されそれ以外では前記VDD2の電圧が印加され、前記第4のプリセット端子に初期設定時に前記VDD1の電圧が印加されそれ以外では前記VDD0の電圧が印加される、ようにしたことを特徴とする。
請求項6にかかる発明は、請求項1のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、該マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断を、前記スレーブ側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断と反対に制御するようにしたことを特徴とする。
請求項7にかかる発明は、請求項2のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項3のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項4のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項5のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、前記マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートと前記スレーブ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第2の転送ゲートの導通/遮断を同一タイミングとし、且つ前記マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第2の転送ゲートと前記スレーブ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断と反対に制御するようにしたことを特徴とする。
20:スレーブ部
INV1〜INV4:インバータ
NAND1〜NAND4:ナンドゲート
NOR1〜NOR4:ノアゲート
PATH1、PATH2:パス回路
G1〜G4:転送ゲート
Claims (7)
- VDD2,VDD1,VDD0(VDD2>VDD1>VDD1)の電圧を3値のサインデジット数の「+1」、「0」、「−1」のデータとして記憶するCMOSラッチ回路であって、
前記VDD2の電源端子と前記VDD1の電源端子との間に接続され入力側が入力端子に接続された第1のインバータと、前記VDD1の電源端子と前記VDD0の電源端子との間に接続され入力側が前記入力端子に接続された第2のインバータと、前記VDD1の電源端子と出力端子の間に接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタの直列回路からなるパス回路と、前記VDD2の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用PMOSトランジスタと、前記VDD0の電源端子と前記出力端子との間に接続された出力用NMOSトランジスタと、前記入力端子に接続された第1の転送ゲートとを有し、
前記第1のインバータの出力側が前記出力用PMOSトランジスタのゲートおよび前記パス回路のNMOSトランジスタのゲートに接続され、前記第2のインバータの出力側が前記出力用NMOSトランジスタのゲートおよび前記パス回路のPMOSトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするCMOSラッチ回路。 - 請求項1に記載のCMOSラッチ回路において、
前記入力端子と前記出力端子の間に接続され前記第1の転送ゲートと逆のタイミングで導通/遮断する第2の転送ゲートを具備することを特徴とするCMOSラッチ回路。 - 請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、
前記第1、第2のインバータを、一方の入力側が第1のプリセット端子に共通接続され、他方の入力側が前記入力端子に共通接続される第1、第2の2入力ナンドゲートに置き換え、
前記第1のプリセット端子に初期設定時に前記VDD0の電圧が印加されそれ以外では前記VDD2の電圧が印加されるようにしたことを特徴とするCMOSラッチ回路。 - 請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、
前記第1、第2のインバータを、一方の入力側が第2のプリセット端子に共通接続され、他方の入力側が前記入力端子に共通接続される第1、第2の2入力ノアゲートに置き換え、
前記第2のプリセット端子に初期設定時に前記VDD2の電圧が印加されそれ以外では前記VDD0の電圧が印加されるようにしたことを特徴とするCMOSラッチ回路。 - 請求項2に記載のCMOSラッチ回路において、
前記第1のインバータを、一方の入力側が第3のプリセット端子に接続され、他方の入力側が前記入力端子に接続される2入力ナンドゲートに置き換え、
前記第2のインバータを、一方の入力側が第4のプリセット端子に接続され、他方の入力側が前記入力端子に接続される2入力ノアゲートに置き換え、
前記第3のプリセット端子に初期設定時に前記VDD1の電圧が印加されそれ以外では前記VDD2の電圧が印加され、
前記第4のプリセット端子に初期設定時に前記VDD1の電圧が印加されそれ以外では前記VDD0の電圧が印加される、
ようにしたことを特徴とするCMOSラッチ回路。 - 請求項1のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、該マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断を、前記スレーブ側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断と反対に制御するようにしたことを特徴とするCMOS・DFF回路。
- 請求項2のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項3のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項4のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、又は請求項5のCMOSラッチ回路を2個縦属接続してマスタ部とスレーブ部とし、
前記マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートと前記スレーブ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第2の転送ゲートの導通/遮断を同一タイミングとし、且つ前記マスタ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第2の転送ゲートと前記スレーブ部側の前記CMOSラッチ回路の前記第1の転送ゲートの導通/遮断と反対に制御するようにしたことを特徴とするCMOS・DFF回路。
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