JP4040930B2 - 磁場均一化方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁場均一化方法および装置並びに磁場形成装置に関し、とくに、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に形成される磁場の強度分布を均一化する方法および装置、並びに、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に均一な磁場を形成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に均一な磁場を形成する装置では、磁極面に平行に設けられた平板上に配置した磁性素子によって磁場の強度分布を微調整し、所望の均一度を得るようにしている。平板上で磁性素子が配置可能な位置は予め固定されており、そこにどの磁性素子を配置するかが試行錯誤的に決定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法では、試行錯誤の繰り返しとなるので能率が悪い。
そこで、本発明の課題は、能率良く磁場を均一化する方法および装置、並びに、磁場均一化が能率良く行われた磁場形成装置を実現することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）上記の課題を解決するためのひとつの観点での発明は、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に形成される磁場の強度分布を均一化するにあたり、前記磁場の強度分布を均一にするための磁性素子が設けられる平面について、前記磁場の強度分布を均一にするための連続的な磁化分布を求め、前記磁化分布に基づいて前記平面に磁性素子を配置する、ことを特徴とする磁場均一化方法である。
【０００５】
（２）上記の課題を解決するための他の観点での発明は、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に形成される磁場の強度分布を均一化する装置であって、前記磁場の強度分布を均一にするための磁性素子が設けられる平面について、前記磁場の強度分布を均一にするための連続的な磁化分布を求める計算手段と、前記磁化分布に基づいて前記平面に磁性素子を配置する配置手段と、を具備することを特徴とする磁場均一化装置である。
【０００６】
（３）上記の課題を解決するための他の観点での発明は、互いに対向する１対の磁極面の間の空間に磁場を形成する磁場形成装置であって、磁性素子が設けられる平面と、前記空間における磁場の強度分布を均一にするように求められた前記平面上の連続的な磁化分布に基づいて前記平面に配置された磁性素子と、を具備することを特徴とする磁場形成装置ある。
【０００７】
上記各観点での発明では、磁場の強度分布を均一にするための磁性素子が設けられる平面について、前記磁場の強度分布を均一にするための連続的な磁化分布を求め、それに基づいて磁性素子を配置するので、能率良く磁場を均一化することができる。
【０００８】
前記磁化分布を直交関数の多項式として求めることが、連続的な磁化分布を効果的に求める点で好ましい。
前記多項式を最適化手法によって求めることが、最適な多項式を求める点で好ましい。
【０００９】
前記最適化手法は最小自乗法であることが、最適化を効果的に行う点で好ましい。
前記磁性素子の配置は離散化された前記磁化分布に基づいて行うことが、磁性素子適正に配置する点で好ましい。
【００１０】
前記平面は前記磁極面であることが、空間の利用効率を良くする点で好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。図１に磁場形成装置の模式的構成を断面図によって示す。本装置は本発明の実施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明の磁場形成装置に関する実施の形態の一例が示される。
【００１２】
同図に示すように、本装置は１対の水平ヨーク（ｙｏｋｅ）２０２および１対の垂直ヨーク２０４を有する。水平ヨーク２０２は概ね板状の外形を有する。図ではその厚みを示す。垂直ヨーク２０４は概ね柱状の外形を有する。図ではその太さを示す。
【００１３】
１対の水平ヨーク２０２は、空間を挟んで互いに対向するように１対の垂直ヨーク２０４によって支持されている。各ヨークは、例えば軟鉄等の磁性材料で構成され、次に述べる磁石のための磁気回路を形成している。なお、１対の垂直ヨーク２０４はいずれか一方を省略してもよい。
【００１４】
１対の水平ヨーク２０２の互いに対向する面には、１対の磁石１０２がそれぞれ設けられている。これら磁石１０２の外形は概ね円板状である。図ではその厚みを示す。１対の磁石１０２は厚み方向に同じ極性で磁化されている。磁石１０２としては例えば永久磁石が用いられる。なお、それに限らず、超伝導電磁石や常伝導電磁石等であってよい。
【００１５】
１対の磁石１０２の、水平ヨーク２０２とは反対側の磁極に、１対のポールピース（ｐｏｌｅ ｐｉｅｃｅ）１０４がそれぞれ設けられている。ポールピース１０４は、例えば軟鉄等の磁性材料で構成され、磁石１０２に対する整磁板となってる。これらポールピース１０４の外形も概ね円板状であり、図ではその厚みを示す。
【００１６】
ポールピース１０４を有する１対の磁石１０２は、中心軸１０６を共有する。１対のポールピース１０４の互いに対向する端面が本装置の１対の磁極面となる。１対の磁極面の極性は互いに逆になる。これら磁極の間の空間に磁場が形成される。磁場の方向は図における上下方向である。これは垂直磁場とも呼ばれる。
【００１７】
この磁場について磁場強度の均一化が行われる。磁場強度の均一化はシミング（ｓｈｉｍｍｉｎｇ）とも呼ばれる。シミングは、磁場強度の空間的分布がマグネットセンタ（ｍａｇｎｅｔ ｃｅｎｔｅｒ）Ｃを中心とする所定の直径の球形領域（ＤＳＶ：Ｄｉａｍｅｔｅｒ Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｖｏｌｕｍｅ）内で均一になるように行われる。
【００１８】
シミングの方法について説明する。以下に述べるシミング方法は、本発明の実施の形態である。本方法によって、本発明の磁場均一化方法に関する実施の形態の一例が示される。
【００１９】
シミングには、例えば永久磁石等の磁性素子が利用される。磁性素子は、ＤＳＶにおける磁場の不均一を補正するように、ポールピース１０４の端面に取り付けられる。以下、磁性素子をシム磁石ともいう。シム磁石は、本発明における磁性素子の実施の形態の一例である。ポールピース１０４の端面は、本発明における平面の実施の形態の一例である。
【００２０】
シム磁石は、ポールピース１０４の端面に取り付ける代わりに、ポールピース１０４の端面に専用の支持板を設け、その上に取り付けるようにしてもよい。ただし、空間的の利用効率を良くするためには、磁化にポールピース１０４の端面にじかに取り付けることが好ましい。以下、シム磁石をポールピース１０４の端面に取り付ける例で説明するが、専用の支持板に取り付ける場合も同様になる。
【００２１】
ポールピース１０４の端面におけるシム磁石の磁化がＤＳＶに生じる磁界は、計算によって求めることができる。すなわち、図２に示すように、ポールピース１０４の端面上の一点ρにおける微小磁化ｄｍがＤＳＶの表面の一点Ｐに生じる磁界をＢｚｐとしたとき、磁界Ｂｚｐは次式で与えられる。
【００２２】
【数１】

【００２３】
【数２】

【００２４】
ここで、
【００２５】
【数３】

【００２６】
は、原点Ｏから点Ｐに向かうベクトル（ｖｅｃｔｏｒ）であり、
【００２７】
【数４】

【００２８】
は、原点Ｏから点ρに向かうベクトルである。なお、ポールピースの中心を原点Ｏとする。
磁界Ｂｚｐを一般的に
【００２９】
【数５】

【００３０】
で表すと、ポールピースの端面上の微小磁化の分布ｍ（ρ）が点Ｐに生じる磁界Ｂｚ（Ｐ）は、次式によって計算することができる。
【００３１】
【数６】

【００３２】
ここで、ｒ，θ，ψは点Ｐの極座標であり、ｒ’，ψ’は点ρの極座標である。また、ｒ０はシム磁石の配置範囲の半径である。
シミングは、このような磁界Ｂｚ（Ｐ）によって、点Ｐにおける磁場強度を補正することにより行われる。点Ｐは、ＤＳＶの表面の全体にわたって複数個設定されている。また、それらの点Ｐにおけるシミング前の磁場強度は予め測定されている。
【００３３】
図３に、シミングのフロー（ｆｌｏｗ）図を示す。同図に示すように、ステップ（ｓｔｅｐ）３０１で、磁化分布ｍ（ρ）を直交関数の多項式によって表す。すなわち、
【００３４】
【数７】

【００３５】
【数８】

【００３６】
このように、直交関数の多項式としたことにより、ｍ（ρ）は連続関数となる。
次に、ステップ３０３で、ｍ（ρ）で表せる磁化分布からＤＳＶの各点における磁界を求める。すなわち、ＤＳＶの各点Ｐ１，Ｐ２，・・・，ＰＭにおけるシミング前の磁界に、磁化分布ｍ（ρ）による磁界を加算した磁界Ｂ（Ｐ１），Ｂ（Ｐ２），・・・，Ｂ（ＰＭ）を求める。なお、磁化分布ｍ（ρ）による、ＤＳＶの各点Ｐ１，Ｐ２，・・・，ＰＭにおける磁界は、（４）式によって与えられる。
【００３７】
次に、ステップ３０５で、ＤＳＶの磁界と均一磁界Ｂ０の差の２乗和を求める。すなわち、
【００３８】
【数９】

【００３９】
ここで、均一磁界Ｂ０はシミングの目標値である。
次に、ステップ３０７で、最適化アルゴリズム（ａｌｇｏｒｉｔｈｍ）によりＬが最小となるｎ，Ｉｎ，Ｑｎを求める。最適化アルゴリズムとしては、例えば最小自乗法等が用いられる。これによって、ＤＳＶを均一磁界Ｂ０とするための最適な磁化分布ｍ（ρ）が精度良く求まる。
【００４０】
このようにして求められた磁化分布ｍ（ρ）は、例えば図４に示すような連続関数となる。直交関数の多項式は、図４のように複数のピーク値を持つ連続分布を表現するのに都合がよい。
【００４１】
次に、ステップ３０９で、ｍ（ρ）を離散化してシム磁石に置き換える。すなわち、例えば図５に示すように、磁化分布ｍ（ρ）をρ軸に沿って離散化し、離散化した各位置ごとに、その位置の磁化に相当する磁化を持つシム磁石をポールピース１０４の端面に取り付ける。
【００４２】
シム磁石は、例えば図６に示すように、それぞれ異なる磁化を有する複数種類のシム磁石１０８ａ，１０８ｂ，・・・，１０８ｋを予め用意し、その中からの選択または組み合わせによって所望の磁化を得るようにするのがよい。
【００４３】
このように、シミングのための磁化を連続的な分布として求め、これを離散化してシム磁石で置き換えるようにしたので、人為的な試行錯誤によらず能率の良いシミングを行うことができる。また、シム磁石を取り付ける位置は、従来のように予め固定されておらず、磁化分布に合わせた最適位置に取り付けることができるので、シミングの精度を高めることができる。
【００４４】
図７に、以上のようなシミングを行う磁場均一化装置のブロック（ｂｌｏｃｋ）図を示す。本装置は本発明の実施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明の磁場均一化装置に関する実施の形態の一例が示される。
【００４５】
同図に示すように、本装置は磁化分布計算部７０２および磁性素子配置部７０４を有する。磁化分布計算部７０２は、図３に示したフロー図のステップ３０１〜３０７を実行する。磁性素子配置部７０４は、図３に示したフロー図のステップ３０９を実行する。
【００４６】
磁化分布計算部は７０２は、例えばコンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等によって実現される。磁性素子配置部７０４は、コンピュータによる制御の下でポールピース１０４の端面へのシム磁石の取り付けを行うロボット（ｒｏｂｏｔ）等によって実現される。ポールピース１０４の端面へのシム磁石の取り付けは、例えば接着等によって行われる。
【００４７】
以上、好ましい実施の形態の例に基づいて本発明を説明したが、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者は、上記の実施の形態の例について、本発明の技術的範囲を逸脱することなく種々の変更や置換等をなし得る。したがって、本発明の技術的範囲には、上記の実施の形態の例ばかりでなく、特許請求の範囲に属するすべての実施の形態が含まれる。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、能率良く磁場を均一化する方法および装置、並びに、磁場均一化が能率良く行われた磁場形成装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す図である。
【図２】微小磁化によってＤＳＶに生じる磁界を示す図である。
【図３】シミング方法を示すフロー図である。
【図４】連続的な磁化分布を示す図である。
【図５】離散化された磁化分布を示す図である。
【図６】シム磁石を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態の一例のブロック図である。
【符号の説明】
１０２ 磁石
１０４ ポールピース
２０２ 水平ヨーク
２０４ 垂直ヨーク
１０８ａ〜１０８ｋ シム磁石
７０２ 磁化分布計算部
７０４ 磁性素子配置部

Claims (10)

1. 互いに対向する１対の磁極面の間の空間に形成される磁場の強度分布を均一化するにあたり、
   前記磁場の強度分布を均一にするための磁性素子が設けられる平面について、前記磁場の強度分布を均一にするための連続的な磁化分布を直交関数の多項式として求め、
   前記磁化分布に基づいて前記平面に磁性素子を配置する、
   ことを特徴とする磁場均一化方法。
2. 前記多項式を最適化手法によって求める、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁場均一化方法。
3. 前記最適化手法は最小自乗法である、
   ことを特徴とする請求項２に記載の磁場均一化方法。
4. 前記磁性素子の配置は離散化された前記磁化分布に基づいて行う、
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちのいずれか１つに記載の磁場均一化方法。
5. 前記平面は前記磁極面である、
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちのいずれか１つに記載の磁場均一化方法。
6. 互いに対向する１対の磁極面の間の空間に形成される磁場の強度分布を均一化する装置であって、
   前記磁場の強度分布を均一にするための磁性素子が設けられる平面について、前記磁場の強度分布を均一にするための連続的な磁化分布を直交関数の多項式として求める計算手段と、
   前記磁化分布に基づいて前記平面に磁性素子を配置する配置手段と、
   を具備することを特徴とする磁場均一化装置。
7. 前記計算手段は、前記多項式を最適化手法によって求める、
   ことを特徴とする請求項６に記載の磁場均一化装置。
8. 前記最適化手法は最小自乗法である、
   ことを特徴とする請求項７に記載の磁場均一化装置。
9. 前記配置手段は、離散化された前記磁化分布に基づいて前記磁性素子を配置する、
   ことを特徴とする請求項６ないし請求項８のうちのいずれか１つに記載の磁場均一化装置。
10. 前記平面は前記磁極面である、
    ことを特徴とする請求項６ないし請求項９のうちのいずれか１つに記載の磁場均一化装置。

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