JP4040389B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、更に詳細には、半導体素子内蔵型の半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、複数のプリント配線基板を多段に積層した多層板の内部に半導体素子を埋め込んだ、いわゆる埋設型の半導体装置が知られている。図16は代表的な埋設型半導体装置100の断面図である。図16に示したように、この半導体装置100では、3層のプリント配線基板101,102,103が積層され、合計4層の配線パターン104,105,106,107が配設され、それぞれの配線パターン104〜107はスルーホール108A〜108E等の層間接続部材により層間接続されている。そして、半導体素子120はプリント配線基板101と102との間に配設された配線パッド109上にマウントされており、半導体素子120はプリント配線基板102,103の一部をくり抜いたスペース110内に埋設されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような埋設型の半導体装置100を製造するには、プリント配線基板102,103の一部を片面側からくり抜いて半導体素子120を埋設する。このためのスペース110を設け、半導体素子120をマウントした後に半導体素子120の周囲の隙間にエポキシ樹脂等の絶縁性封止材料130を充填した後に硬化させて半導体素子120を埋設するのが一般的である。
【0004】
しかし、このようにプリント配線基板102,103の一部を機械的にくり抜くと、プリント配線基板102,103の機械的強度が低下したり、プリント配線基板102,103のくり抜き時の切断面と、充填した絶縁性封止材料130との境界面から水分が侵入し易くなり耐湿性が低下するという問題がある。
【0005】
更にプリント配線基板103のくり抜き部分に絶縁性封止材料130を充填した部分には配線パターンを形成できないため、この部分を利用して配線パターンを形成し、集積度を上げることができないという問題がある。
【0006】
本発明は上記従来の問題を解消するためになされた発明である。即ち本発明は、機械的強度や耐湿性といった半導体装置としての信頼性が高く、しかも多層板表面全体に配線パターンを形成して集積度を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、前記第1の2層基板の前記電極パッド上に半導体素子実装用の実装バンプを導電ペーストによって形成する工程と、第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程とを具備することを特徴とする。
【0008】
本発明のもう一つの半導体装置の製造方法は、少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、前記第1の2層基板の配線パターンの前記電極パッド以外の部分に所定のマスキングを施しつつメッキ処理を行って、前記電極パッド上にメッキ金属による半導体素子実装用の実装バンプを形成する工程と、第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程とを具備することを特徴とする。
【0009】
本発明の他の半導体装置の製造方法は、少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、前記第1の2層基板の前記電極パッド側に金属導体層を形成する工程と、前記金属導体層に所定のマスキングを施しつつエッチング処理を行って、前記電極パッド上に前記金属導体層のエッチングによる半導体素子実装用の実装バンプが形成された配線パターンを形成する工程と、第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程とを具備することを特徴とする。
本発明のさらに他の半導体装置の製造方法は、少なくとも上面側には半導体素子用の電極パッドと受動部品実装用の電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、前記第1の2層基板の前記電極パッド上に半導体素子実装用の実装バンプを導電ペーストによって形成する工程と、第1の2層基板の半導体素子用の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合するとともに、受動部品実装用の実装バンプ上には受動部品を実装して実装済基板を形成する工程と、配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成する工程と、前記半導体素子及び受動部品を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を前記各開口内に前記半導体素子と前記受動部品がそれぞれ位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、第2の2層基板の下面側を、前記積層バンプが第1の2層基板の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、前記積層物を加熱、加圧し、第1の2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて第2の2層基板の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の各開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程とを具備することを特徴とする。
本発明においては、前記積層物とする工程に先立って、実装バンプに、バリアメタル層と溶接性金属層を形成する工程をおくことができる。
【0010】
上記半導体装置の製造方法において、前記バリアメタル層の例としてNi層を挙げることができ、前記溶接性金属の例としてAuを挙げることができる。
【0014】
本発明の製造方法により得られる半導体装置は、少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、
前記第1の2層基板の前記電極パッド上に実装バンプが形成され、前記実装バンプに異方性導電性接着剤層を介して半導体素子が実装された実装済基板の上に、前記半導体素子を収容可能な開口を有する絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子を位置させて配置し、該絶縁基板前駆体上には、配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターンに積層用の積層バンプが形成された積層バンプ付2層基板を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置し、加熱、加圧により、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させてなることを特徴とする。
【0016】
本発明では、絶縁基板前駆体の開口部に半導体素子を収容し、更にその上に絶縁基板を重ねて完全に蓋をしてしまうので、機械的強度や耐湿性といった半導体装置としての信頼性が高く、しかも多層板表面全体に配線パターンを形成して集積度を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法が得られる。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図1及び図2は本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、図3、図4及び図5は製造途中の本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【0018】
本実施形態に係る半導体装置を製造するには、まず絶縁基板の両面に配線パターンを形成した、いわゆる2層板を用意する。この2層板の製造方法のフローチャートを示したのが図1であり、製造途中の2層板の断面図を示したのが図3である。この2層板を製造するには、最初に図3(a)に示したように銅箔などの導体板10を用意する。この導体板10の上に印刷技法を用いて導体バンプ20,20…を形成する。
【0019】
この導体バンプ20,20,…の形成方法としては、例えば、バンプ形成部分に孔を設けたマスキングを施す(ステップ1)。この孔内に導電性ペースト、例えば銀などの金属微粒子をエポキシ樹脂のような液状樹脂中に分散させたペースト状組成物を充填する(ステップ2)。マスキング上面からスキージ(ステップ3)し、前記マスキングを剥離する(ステップ4)。このようにして、図3(b)に示したような、略円錐形の導体バンプ20,20,…を形成した後、この導体バンプ20,20,…を乾燥させ、硬化する(ステップ5)。
【0020】
次に、図3(c)に示したように、導体バンプ20,20,…の上にプリプレグ(絶縁基板前駆体)30、すなわちガラス繊維マットのような補強材料中にエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含浸させたものを重ね、更にこのプリプレグ30の上にもう1枚の銅箔などの導体板40を重ね合わせる(ステップ6)。この状態でヒートプレス、すなわち加熱下に加圧する(ステップ7)。このヒートプレスすることにより導体バンプ20,20,…はプリプレグ30を貫通して導体板10と導体板40との間が電気的に接続されると同時にプリプレグ30が硬化して、図3(d)に示したような、2層型プリント配線基板50が得られる。この2層型プリント配線基板50表面の導体板10,40に例えばエッチング処理等によるパターニング(ステップ8)を施すことにより配線パターン11,41aが形成された2層板52が形成される。
【0021】
次いで2層板52上の配線パターン41aのうち、図4(f)に示すように、半導体素子の電極に対応する位置に形成した電極パッド41b,41b,…上に銀ペーストバンプ60,60,…を形成する。この銀ペーストバンプ60,60,…の形成方法は上記導体バンプ20,20,…の形成方法と実質的に同じである。
【0022】
すなわち、バンプ形成部分に孔を設けたマスキングを施す(ステップ1a)。この孔内に導電性ペースト、例えば銀などの金属微粒子をエポキシ樹脂のような液状樹脂中に分散させたペースト状組成物を充填する(ステップ2a)。マスキング上面からスキージ(ステップ3a)し、前記マスキングを剥離する(ステップ4a)ことからなる方法である。
【0023】
但し、ここで形成する銀ペーストバンプ60,60,…の大きさは、高さが300〜500μm、底面半径が150〜350μmである。これは後述する半導体素子70の大きさに対応させるためである。
【0024】
次に、マスキング剥離後、銀ペーストバンプ60,60,…を硬化させ(ステップ5a)、然る後に、例えば電解メッキや無電解メッキなどのNiメッキ処理(ステップ6a)を施すことにより、銀ペーストバンプ60,60,…及びその底部の電極パッド41b表面に図4(g)に示したようなバリアメタル層としてのNi層61を形成する(ステップ6a)。次いでNi層61の上からAuメッキ処理(ステップ7a)を施すことによりAu層62を形成する。こうして、図4(h)に示したような、バンプ付基板52Aが得られる。
【0025】
次に、こうして得られたバンプ付基板52Aの銀ペーストバンプ60,60,…形成面上に図4(i)に示したように、ACF(異方性導電接着剤層)63を配置し、電極パッド41b,41b,…に対して電極板71,71,…が対向するように半導体素子70を位置合わせする(ステップ8a)。
【0026】
次いでこの状態で半導体素子70とバンプ付基板52Aとを加圧すると、図4(j)に示したように銀ペーストバンプ60,60,…がACF(異方性導電接着剤層)63を貫通し、電極板71,71,…に加圧される(ステップ9a)。このとき銀ペーストバンプ60,60,…の表面にはAu層62,62,…が形成されており、電極板71,71,…はAlで出来ているので、銀ペーストバンプ60,60,…と電極板71,71,…との間にはAl−Au接合が形成され、電極パッド41b,41b,…と電極板71,71,…との間がAu層62,Ni層61,銀ペーストバンプ60,ACF(異方性導電接着剤層)63を介して電気的に接合される。こうして、図4(j)に示したような、半導体素子70が実装された実装済基板53が得られる。
【0027】
次に、こうして得られた実装済基板53の上に穴あきプリプレグ31とバンプ付2層板54とを図5(k)のように位置合わせする(ステップ10a)。ここで用いるプリプレグ31は、例えばガラス繊維のような補強材にエポキシ樹脂のような絶縁性液状熱硬化性樹脂を含浸させたものの半導体素子対応部分を打ち抜いて開口部31aを設けたものである。バンプ付2層板54は、例えば層間接続部材が貫挿された絶縁材料層の両面に配線パターンを形成し、この配線パターンの上に導体バンプ54aを形成したものである。バンプ付基板52Aと対応する部分には同一符号を付してある。
【0028】
次いで、この状態で実装済基板53、穴あきプリプレグ31、及びバンプ付2層板54をヒートプレスにかけて加熱下に加圧する(ステップ11a)。その結果、図5(l)に示したように、バンプ付2層板54の導体バンプが穴あきプリプレグ31を貫通して実装済基板53とバンプ付2層板54との間を電気的に接合する。それと同時に、穴あきプリプレグ31内に含浸されたエポキシ樹脂が流れ出して穴明きプリプレグ31の開口部31aとこの中に収容される半導体素子70との隙間から空気を追い出してこの隙間を封止する。更に、このヒートプレス時の熱によりエポキシ樹脂が硬化して図5(l)に示したような、いわゆる4層配線型の半導体素子70内蔵型の半導体装置1が得られる。
【0029】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置1では、半導体素子70が多層板の内部に埋め込まれており、半導体素子70の周囲を封止する樹脂とこの樹脂の外周を包囲する多層板との間の境界面が半導体装置1の表面に露出していない。そのため、この境界面を伝わって水分が侵入することが防止され、その結果として耐湿性の高い半導体装置が得られる。
【0030】
また、本実施形態に係る半導体装置1では、実装された半導体素子70が内部に埋め込まれており、半導体装置1の表面には2層板53,54の表面が露出しているだけである。そのため、この2層板53,54の表面を利用して更に別の配線パターンや半導体素子などを実装することができ、半導体装置の集積度を更に向上させることができる。
【0031】
(第2の実施の形態)
以下、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造について説明する。図6は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、図7及び図8は、製造途中の本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【0032】
本実施形態に係る半導体装置を製造するには、上記第1の実施の形態の図3(a)〜(e)に示したステップ1〜8の工程に従って2層板52を形成する。
【0033】
次いで、2層板52の表面に感光性樹脂を塗布などの方法により適用して感光性樹脂層80を形成する(ステップ1b)。次いで2層板52上の配線パターン41aのうち、図7(f)に示すように、半導体素子の電極に対応する位置に形成した電極パッド41b,41b,…上に対応する位置の感光性樹脂層80上面上にメッキホール81,81,…を形成する。このメッキホールの形成方法としては、例えば、電極パッド41b,41b,…の真上の位置にマスキング(図示省略)を形成し(ステップ2b)、このマスキングの上から露光し(ステップ3b)、溶剤中に浸漬して現像(ステップ4b)する方法などが挙げられる。
【0034】
メッキホール81を形成した感光性樹脂層80の上から電解メッキや無電解メッキなどのメッキ処理を施すことにより、図7(h)に示したような、メッキバンプ64,64,…を形成する(ステップ5b)。次いで、図7(i)に示したように、感光性樹脂層80を除去し(ステップ6b)、メッキバンプ64,64,…を露出させる。次いでメッキバンプ64,64,…の上にNiメッキ(ステップ7b)を施して、図7(j)に示したような、バリアメタル層としてのNi層61を形成する。次いで、更にその上からAuメッキ(ステップ8b)を施して、図7(k)に示したような、Au層62を形成する。
【0035】
以下、上記第1の実施の形態と同様に、ACF63と半導体素子70とを図8(l)に示したように位置合わせし(ステップ9b)、加圧して図8(m)に示したように実装する(ステップ10b)。次いで、図8(n)に示したように、その上に穴あきプリプレグ31とバンプ付2層板54を位置合わせする(ステップ11b)。次いでこの状態でヒートプレスする(ステップ12b)。かくして、図8(O)に示したような、いわゆる4層配線型の半導体素子70内蔵型の半導体装置1Bが得られる。
【0036】
本実施形態によれば、金属製のメッキバンプ64を用いて半導体素子70を実装するので、より確実に実装することができる。
【0037】
(第3の実施の形態)
以下、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の製造について説明する。図9は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、図10及び図11は、製造途中の本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【0038】
本実施形態に係る半導体装置を製造するには、上記第1の実施の形態の図1(a)〜(e)に示したステップ1〜8の工程に従って2層板52を形成する。
【0039】
次いで、図10(f)に示したように、2層板52の表面に銅箔などの金属板又は金属層を貼り付けやメッキなどの方法によりCu層65を形成する(ステップ1c)。次いで、2層板52上の配線パターン41aのうち、図10(g)に示すように、半導体素子の電極に対応する位置に形成した電極パッド41b,41b,…上に対応する位置のCu層65上面上にマスキング82,82,…を形成する(ステップ2c)。
【0040】
マスキング82,82,…を形成したCu層65の上からエッチング処理を施すことにより、図10(h)に示したような、エッチングバンプ66,66,…を形成する(ステップ3c)。次いで図10(i)に示したようにマスキング82,82,…を除去し(ステップ4c)、エッチングバンプ66,66,…を露出させる。次いで、エッチングバンプ66,66,…の上にNiメッキ(ステップ5c)を施して図10(j)に示したようなバリアメタル層としてのNi層61を形成する。次いで、その上からAuメッキ(ステップ6c)を施して図10(k)に示したようなAu層62を形成する。
【0041】
以下、上記第1の実施形態と同様に、ACF63と半導体素子70とを図11(l)に示したように位置合わせし(ステップ7c)、加圧して実装し(ステップ8c)、その上に穴あきプリプレグ31とバンプ付2層板54を位置合わせして(ステップ9c)、ヒートプレス(ステップ10b)することにより、図11(O)に示したような、いわゆる4層配線型の半導体素子70内蔵型の半導体装置1Cが得られる。
【0042】
本実施形態によれば、金属製のエッチングバンプ66を用いて半導体素子70を実装するので、より確実に実装することができる。
【0043】
(第4の実施の形態)
以下、本発明の第4の実施の形態について説明する。図12は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、図13は、製造途中の本実施形態に係る半導体装置の断面図である。本実施形態に係る半導体装置では、半導体素子70の他にコンデンサや抵抗器等の受動素子75を半導体装置に実装後埋め込んだ構造を採用した。
【0044】
本実施形態に係る半導体装置を製造するには、上記第1の実施形態のステップ1〜8と同様にして2層板51aを形成する。この2層板51aには受動素子75を実装するための電極パッド41c,41cが形成されている。この2層板51aを使用し、上記第1の実施形態のステップ1a〜11aと同様の工程を経て半導体装置が形成される(ステップ1d〜11d)。これらの工程の中で、本実施形態に係る製法では、ステップ9dの半導体素子70を実装する際に、受動素子75をも電極パッド41c,41cを介して実装する。
【0045】
以下、第1の実施形態のステップ9a〜11aと同様にしてプリプレグ32を挟んで位置合わせし(ステップ10d)、ヒートプレスする(ステップ11d)が、本実施形態に係る方法では、プリプレグ32にも開口部33が設けられており、受動素子75を収容するようになっている。そのため、最終的に得られる半導体装置1Dでは、半導体素子70の他に受動素子75が内部に埋め込まれている。
【0046】
本実施形態に係る半導体装置1Dでは、半導体素子70のみならず、受動素子75をも内部に包含し、その表面は2層板の表面が露出しているだけであるので、この表面に更に他の配線パターンや他の素子等を実装することができ、更に集積度の高い半導体装置を得ることができる。
【0047】
なお、本発明は上記実施形態の記載内容に限定されない。例えば、上記発明の実施形態では、4層の配線パターンを備えたいわゆる4層型多層板の中間の基板内に半導体素子を一段だけ内蔵させた構造のものを例にして説明したが、図14に示したように、6層の配線パターンを備えたいわゆる6層型多層板の内側の二段にわたって半導体素子を内蔵させることもできる。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、コア材絶縁基板前駆体の開口部に半導体素子を収容し、更にその上に絶縁基板を重ねて完全に蓋をしてしまうので、機械的強度や耐湿性といった半導体装置としての信頼性が高く、しかも多層板表面全体に配線パターンを形成して集積度を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図2】第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図3】第1の実施形態に係る半導体装置の製造途中のもの断面図である。
【図4】第1の実施形態に係る半導体装置の製造途中のもの断面図である。
【図5】第1の実施形態に係る半導体装置の製造途中のもの断面図である。
【図6】第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図7】第2の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図8】第2の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図9】第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図10】第3の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図11】第3の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図12】第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図13】第4の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図14】第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図15】第4の実施形態に係る半導体装置の製造途中のものの断面図である。
【図16】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
1…半導体装置、52…2層板、41a…配線パターン、41b…電極パッド、60…導体バンプ(銀ペーストバンプ)、61…Ni層(バリアメタル層)、62…Au層、63…ACF、30…プリプレグ、70…半導体素子、71…電極板。
Claims (6)
- 少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、
前記第1の2層基板の前記電極パッド上に半導体素子実装用の実装バンプを導電ペーストによって形成する工程と、
第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、
配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、
実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、
前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、
前記第1の2層基板の配線パターンの前記電極パッド以外の部分に所定のマスキングを施しつつメッキ処理を行って、前記電極パッド上にメッキ金属による半導体素子実装用の実装バンプを形成する工程と、
第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、
配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、
実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、
前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 少なくとも上面側には電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、
前記第1の2層基板の前記電極パッド側に金属導体層を形成する工程と、
前記金属導体層に所定のマスキングを施しつつエッチング処理を行って、前記電極パッド上に前記金属導体層のエッチングによる半導体素子実装用の実装バンプが形成された配線パターンを形成する工程と、
第1の2層基板の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合させて実装済基板を形成する工程と、
配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成して積層バンプ付2層基板を形成する工程と、
実装済基板の半導体素子を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を、前記開口内に前記半導体素子が位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、積層バンプ付2層基板の下面側を、前記積層用の積層バンプが実装済基板上面の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、
前記積層物を加熱、加圧し、積層バンプ付2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて実装済基板上面の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 少なくとも上面側には半導体素子用の電極パッドと受動部品実装用の電極パッドが形成された配線パターンを絶縁基板の上下両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第1の2層基板を用意する工程と、
前記第1の2層基板の前記電極パッド上に半導体素子実装用の実装バンプを導電ペーストによって形成する工程と、
第1の2層基板の半導体素子用の実装バンプ上に異方性導電性接着剤層を介して半導体素子を載置し、加圧、接着により実装バンプと半導体素子を接合するとともに、受動部品実装用の実装バンプ上には受動部品を実装して実装済基板を形成する工程と、
配線パターンを両面に有し、これらの配線パターンが層間接続導体により接続されてなる第2の2層基板の、下面側となる配線パターン上に積層用の積層バンプを形成する工程と、
前記半導体素子及び受動部品を収容可能な開口を設けた絶縁基板前駆体を前記各開口内に前記半導体素子と前記受動部品がそれぞれ位置するように実装済基板の上面側に配置し、該絶縁基板前駆体上には、第2の2層基板の下面側を、前記積層バンプが第1の2層基板の所定の配線パターンと対向するよう載置して、実装済基板、絶縁基板前駆体及び積層バンプ付2層基板の積層物とする工程と、
前記積層物を加熱、加圧し、第1の2層基板の積層バンプを絶縁基板前駆体に貫通させて第2の2層基板の配線パターンと接合するとともに、絶縁基板前駆体からの溶融樹脂で絶縁基板前駆体の各開口を封止し、該絶縁基板前駆体及び前記溶融樹脂を熱硬化させて積層物を一体化する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記積層物とする工程に先立って、実装バンプに、バリアメタル層と溶接性金属層を順に形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル層がNi層であり、前記溶接性金属層がAu層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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