JP4034173B2 - 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ - Google Patents
半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4034173B2 JP4034173B2 JP2002346160A JP2002346160A JP4034173B2 JP 4034173 B2 JP4034173 B2 JP 4034173B2 JP 2002346160 A JP2002346160 A JP 2002346160A JP 2002346160 A JP2002346160 A JP 2002346160A JP 4034173 B2 JP4034173 B2 JP 4034173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- chip
- semiconductor integrated
- semiconductor
- working fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/345—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
- H01L2224/05572—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電子計算機等を含めた電子機器において広く用いられる半導体集積回路装置に係り、特に、その動作によってかかる装置の集積回路内で発生される発熱を半導体チップ内で伝達（拡散）することにより、素子内部の温度分布を平坦化し、もって、集積回路装置の半導体チップ内での局所的温度上昇を抑制することが可能な半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器に搭載される半導体素子等の発熱体からの熱を拡散（伝達）するための装置として、例えば、高熱伝導材からなる上板と下板との接合面にループ状の溝を形成し、これら両板を当該ループ状溝が対向するように重ね合わせて接合し、もって、その内部にヒートパイプを形成する熱拡散板は、既に、例えば、以下の特許文献１により知られている。
【０００３】
また、一般に、発熱体からの熱を輸送する装置としては、例えば、内部に封入した流体を駆動させることによって熱を輸送することが既に知られている。例えば、以下の特許文献２に開示された装置においては、その上に複数の半導体素子（発熱体）が搭載された配線基板から熱を輸送するため、形成された液流路の一部に、毛細管から構成され、かつ、その一部に電気的な加熱手段を備えることにより、毛細管内部の液をパルス的に加熱、突沸させ、この突沸時の気化に伴う急激な圧力上昇によって上記液を駆動する。
【０００４】
なお、液体の振動を利用して熱を伝達する原理については、例えば、以下の非特許文献１に詳しい。
【０００５】
また、ヒートパイプや液体の振動を利用して熱を伝達する装置を内蔵した容器を用いて、消費電力の大きな半導体チップの発熱を分散するための構造が、以下の非特許文献２のFigure１０に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１３０９６４号公報
【特許文献２】
特開平７−２８６７８８号公報
【非特許文献１】
小澤 守、外５名、“液体振動による熱伝達の促進”（第２２８〜２３５頁）、５０巻５３０号（１９９０−１０）、日本機械学会論文集（Ｂ編）
【非特許文献２】
Z. J. Zuo、L. R. Hoover and A. L. Phillips、”An integrated thermal architecture for thermal management of high power electronics”、第３１７〜３３６頁、Suresh V. Garimella、Thermal Challenges in Next Generation Electronic System（、PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE THERMES 2002）、 SANTA FE、 NEW MEXICO、 USA、、 13-16 JANUARY 2002
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年においては、かかる計算機等において演算処理などに用いられる高集積化された半導体チップは、更なるチップダイサイズの小型化や演算処理速度の向上と共に、低消費電力に伴うチップ当たりの電力密度の低減が強く望まれており、これらを両立させるために、例えば、同一チップ内に論理素子と記憶素子とを実装する技術（通称「システムオンチップ」）等の採用が進んでいる。
【０００８】
このような半導体チップでは、論理素子と比較して電力密度が小さい記憶素子部が当該論理素子と共に同一の半導体チップ上に混載されているため、そのチップ当たりの電力密度は、従来の半導体チップと比較して小さい。しかしながら、半導体チップとしては、チップ内に大きな電力密度の差が発生する。さらに、その論理素子部においても、やはり電力密度分布が生じることから、結果としてチップ内には大きな電力密度の差が発生することとなる。
【０００９】
上述した電力密度差は、半導体チップにおいては、そのまま発熱密度の差となって表れることから、このような同一チップ内に論理素子と記憶素子とを実装したチップが動作する際には、大きな温度分布、具体的には、論理素子部内に局所的な温度上昇（所謂、ホットスポット）が発生することになる。そして、このようなホットスポットがトランジスタのジャンクション上限温度にまで達すると、半導体素子の熱暴走が発生するため、かかるホットスポットを解消するための何等かの手段や対策が必要とされている。また、かかるホットスポットの発生は、当該半導体チップを搭載した集積回路パッケージの動作許容温度（そのパッケージ内に搭載された半導体チップの回路が正常に動作するのを保証するため、パッケージに許容される最高温度）を低減させる大きな原因ともなり、そのため、冷却構造全体が大型化してしまい、特に、可搬性を必要とする、例えば、デスクトップやノートサイズと称される小型の計算機や小型の電子機器に採用することや、ラックマウントサーバーやブレードサーバーと称される集積回路パッケージが複数高密度実装される計算機に採用することは困難であった。
【００１０】
これに対し、例えば、上述の特許文献１や特許文献２に示された熱拡散機構では、発熱部品である半導体素子（チップ）が、高熱伝導グリースや高熱伝導性接着材、又は、高熱伝導性ゴム等を介して当該熱拡散板に取り付けられる構造が採用されている。そのため、当該発熱部品内でホットスポットが生じた場合、このホットスポットは、その発熱部品に直接熱的に接触されているグリースや接着材又はゴムを介して、熱拡散板に拡散されることとなる。ところで、かかるグリースや接着剤又はゴムは、その熱伝導率において、最も大きなものでも、高々１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）のオーダーであり、これは、例えばアルミニウムやシリコンといった金属・半導体の熱伝導率（例えば、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）のオーダー）に対して著しく小さい。そのため、上記従来技術になるグリースや接着剤又はゴムを介して発熱部品である半導体チップを熱拡散板に取り付ける構造では、なお、半導体チップ内において、ホットスポットに起因する大きな温度差が発生してしまうという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みて成されたものであり、より具体的には、チップの小型化や電力密度の差により半導体チップ内に生じるホットスポットを確実に低減し、半導体チップ内で生じる熱分布の差を抑制することにより、半導体チップを搭載した集積回路パッケージの許容温度を低減させることなく、その結果として、冷却構造全体の小型軽量化を容易に実現ならしめる半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明では、上記の目的を達成するため、まず、板状の半導体チップであって、その一側面には、複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には熱伝達層を一体に接合した半導体集積回路チップであって、前記熱伝達層は、当該半導体チップと同質の材料により形成されており、かつ、その内部に閉流路と、前記閉流路内に封入される作動流体と、前記作動流体の駆動手段とを備えている半導体集積回路チップが提供されている。
【００１３】
なお、本発明によれば、前記板状の半導体チップ及び前記熱伝達層は、共に、シリコン材により形成され、前記作動流体の駆動手段は、前記閉流路内に封入される作動流体に対して振動を付与する手段からなり、又は、前記振動付与手段は抵抗層により形成されている。また、前記抵抗層は、前記半導体集積回路チップ全体の平均発熱密度より小さい発熱密度の領域に配置されている。
【００１４】
また、本発明によれば、前記作動流体は水であり、また、前記板状の半導体チップは、回路を形成した一側面内に、論理素子と記憶素子とが分離して形成されたチップである。
【００１５】
また、本発明によれば、前記の半導体集積回路チップにおいて、前記基板に形成された閉流路は、前記半導体チップの一側辺に沿って、複数本形成されており、前記複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段を備え、さらには、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成してもよい。あるいは、前記半導体チップの他の一側辺に沿って、他の複数本の閉流路が、前記形成された複数本の閉流路に交差して形成され、さらに、前記複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段を備え、さらには、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成してもよい。
【００１６】
また、本発明によれば、やはり、上記の目的を達成するため、板状の半導体チップの一側面には、複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には、当該半導体チップの回路形成層内における回路の発熱に起因する局所的温度上昇を抑制するための基板層を一体に接合した半導体集積回路チップが提供される。
【００１７】
加えて、本発明によれば、やはり、上記の目的を達成するため、一部に複数の回路が形成された半導体集積回路チップと、一部に配線パターンが形成されて上記集積回路チップを搭載した実装基板と、前記集積回路チップが搭載された前記実装基板を内部に収容するケースと、前記ケース又は前記実装基板から外部に植立され、かつ、前記半導体集積回路チップに形成された回路に電気的に接続された複数の端子とを備えた半導体集積回路装置であって、前記集積回路チップは、前記に記載した集積回路チップである半導体集積回路装置が提供される。
【００１８】
そして、本発明では、前記した半導体集積回路装置において、前記ケースの外表面の一部にヒートシンクを取り付けており、又は、前記半導体集積回路チップの前記熱伝達基板に形成された前記駆動手段に供給する電力は、前記半導体集積回路装置の端子を介して前記半導体集積回路チップへ供給される電力の一部となっている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明になる実施の形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
添付の図２には、本発明になる半導体集積回路装置の外観（一部展開図を含む）が示されている。すなわち、図からも明らかなように、半導体集積回路装置１００は、例えば、高熱伝導性のセラミックスからなり、外形略立方形を成すパッケージケース１０５と配線基板（実装基板）１０３が重なり合って閉空間を形成し、その内部には、例えば、矩形のシリコン板から成る回路素子である半導体チップ１０１が搭載されている。また、この半導体チップ１０１は、配線基板（実装基板）１０３上に搭載されて電気的に接続されている。そして、配線基板１０３を介して、半導体チップ１０１内の回路（例えば、ＣＰＵやメモリなど）が、ここでは図示しない外部に電気的に接続するために設けられた複数の外部端子２０１に電気的に接続されている。
【００２１】
また、図示のように、上記本発明になる半導体集積回路装置１００は、そのパッケージケースの状態で、例えば、その上面に放熱のためのヒートシンク３００が取り付けられ、さらには、サーバ等のキャビネット（筐体）４００内における所定の位置に搭載されることとなる。あるいは、上記のヒートシンクを取り付けることなく、そのまま、例えば可搬型のパーソナルコンピュータを含む電子機器内に搭載されてもよい。
【００２２】
また、図３の断面図は、図２に示した上記本発明になる半導体集積回路装置１００において、複数のピン（外部端子）２０１を下面に植立た配線基板１０３上に、上記半導体チップ１０１を搭載した状態を示している。なお、図中において、上記図２におけると同じ符号は、同様の構成部品を示しており、また、図中の符号１０４は、半導体チップ１００とパッケージケース１０５との間に挿入された高熱伝導グリースや高熱伝導性接着材、又は、高熱伝導性ゴムである。
【００２３】
次に、添付の図４は、上記本発明になる半導体集積回路装置１００に搭載される半導体チップ（チップダイ）１０１である集積回路基板１の詳細な構造を破線により透視して示している。即ち、図において、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の下面側は、既知の半導体装置の製造方法によって、例えば、上述したシステムオンチップを採用して、同一チップ内に論理素子（ＣＰＵ）や記憶素子（メモリ）を形成する回路が、それぞれ領域を分離して、多数形成された層であり、所謂、電子回路（回路形成）層２である。
【００２４】
一方、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の上面（チップダイにおける上記電子回路層２と反対の面）側には、当該チップ（チップダイ）と一体に、複数の通路ダクト３により閉流路が形成されており、その内部には作動流体４が封入されている。また、各通路ダクト３の一方の端部付近には、作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成されると共に、これら各通路ダクト３の他方の端部には、互いに連通する空間であるバッファ６が形成されている。
【００２５】
図５（Ａ）は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の、上記図４における矢印Ａ方向から見た状態を示している。なお、この図において、符号１０２は、集積回路基板１の電子回路層２と実装基板１０３との間に挿入された半田ボールを示している。また、図５（Ｂ）は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の、上記図４における矢印Ｂ方向から見た状態を示している。
【００２６】
これらの図からも明らかなように、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１では、上記電子回路層２と反対の側に、基板の一側辺に沿って（上記図５（Ｂ）の例では、半導体チップの横辺）、複数の通路ダクト３とバッファ部６とが櫛状に形成されており、これら通路ダクト３の内部には、例えば水等、潜熱の大きな流体（作動流体４）が封入されている。また、これらの通路ダクト３の、上記バッファ部６が形成された側とは反対側の端部、あるいは、その近傍に面しては、それぞれ、通路ダクトとほぼ同じ又はそれより僅かに大きな幅で、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成されている。すなわち、各抵抗膜５は、通路ダクト３の内部に封入された作動流体４と接している（図５（Ａ）を参照）。なお、上記の作動流体の駆動手投は、半導体チップ１０１である集積回路装置の発熱により受ける影響を出来る限り低減するため、チップ全体の平均発熱密度より小さい発熱密度の領域に配置されることが好ましく、本例では、集積回路基板１の一端に近接した領域に形成されている。あるいは、比較的発熱の少ない、メモリの形成部に対応して設けてもよい。
【００２７】
また、これら図５（Ａ）及び（Ｂ）において、符号７は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１において発生するホットスポットを検出するための温度センサであり、より具体的には、上記電子回路層２の下層に抵抗層として形成されている。すなわち、この温度センサ７の抵抗値の変化を測定することにより、上記集積回路基板１のどの位置に（より具体的には、図５（Ｂ）の集積回路基板１の縦方向におけるどの位置に）ホットスポットが発生しているかを検出することが可能となる。なお、本例では、この温度センサ７を、上記基板１の略中央部において、複数の通路ダクト３の形成位置に合わせてかつその直交方向に、１列に形成した例を示した。しかしながら、本発明は、これのみに限定することなく、これら複数の通路ダクト３を、例えば、上記集積回路基板１の平面に沿って、適宜、設ける（平面上に分散して形成する）ことも可能である。
【００２８】
次に、添付の図１は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１に形成された通路ダクト３において、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成された端部の断面を拡大して示す、一部拡大断面図である。なお、この図においては、上記図５（Ａ）及び（Ｂ）の構成とは異なり、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５を、図において、上記通路ダクト３の下側に形成した例が示されている。
【００２９】
図からも明らかなように、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１は、その下面側に、同一チップ内に論理素子（ＣＰＵ）や記憶素子（メモリ）を形成する回路が多数形成された電子回路（回路形成）層２を備える。一方、上記集積回路基板１の上面側（すなわち、上記電子回路層２の形成面とは反対側）には、絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2層）１１を介して、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５を形成する抵抗層（例えば、ポリシリコン、タンタル化合物（ＴａＮ）の層など）１２が積層して形成されている。
【００３０】
さらに、この抵抗層１２の両側の上面には、当該抵抗層１２に電力を供給するための配線を形成する金属層１３が形成され、それらの上面には、保護層１４が形成されている。そして、その上面には、上記集積回路基板１と同じ材料であるシリコン板からなる流路（熱拡散）層（基板）１５が、上記集積回路基板１と一体に接合されている。なお、上記流路（熱拡散）基板１５を構成するシリコン板の下面には、予め、例えばドライエッチング等の加工技術によって、上記した複数の通路ダクト３やバッファ６が形成され、この流路基板１５を集積回路基板１と一体に接合する。
【００３１】
作動流体の封入は、例えば上述した流路基板１５を集積回路基板１と一体に接合する際に、上記複数の通路ダクト３やバッファ６の内部に、作動流体４である水等の液体を、封入する。または、ここでは図示しないが、通路ダクト３と半導体チップ１０１の表面間を連通するポートを設け、ここから作動流体４を封入する。作動流体４の封入にあたっては、作動流体４の特性に応じて封入圧力を変更したり、封入時に不凝縮ガスの気相部（空気）を混入する。
【００３２】
また、上記の流路基板１５を形成する部材は、シリコンに限らず、その熱膨張率がシリコンのそれに近い材料であってもよい。また、上記の保護層１４は、当該抵抗層１２が水等の作動流体４に直接接触するのを防止するために設けられているが、しかしながら、これら抵抗層と作動流体の材料の選択によっては不要である。
【００３３】
上記本発明になる半導体集積回路装置１００に搭載される半導体チップ（チップダイ）チップのサイズは、十ミリから数十ミリ角程度が想定され、これに対して通路ダクト断面は十ミクロンから百ミクロン角程度の断面積をもつものである。
【００３４】
また、ここでは図示しないが、上記金属層１３からなる配線を介して、当該抵抗層１２に電力を間欠的なパルス状に供給するための手段が設けられる。このときのパルス周波数は作動流体４の種類や通路ダクト３の寸法に依存するが、概ね数十Ｈｚから数百Ｈｚ程度である。かかるパルス電力供給手段としては、例えば、上記集積回路基板１の電子回路層２に形成したり、または電子回路層２の形成面内に形成されるＣＰＵなどの論理素子によって形成することも可能であり、かつ、やはり図示しないが、本発明の半導体集積回路装置１００に対して駆動電力を供給する電源からの電力の一部（より具体的には、上記の外部端子を介して集積回路基板１に供給される電力の一部）を利用することも可能であり、かかる構成は、回路の簡素化の面から有利である。
【００３５】
続いて、上記にその構成を詳細に説明した集積回路基板１における発熱の伝達（拡散）作用について、上記図１及び図５（Ａ）及び（Ｂ）を参照しながら詳細に説明する。
【００３６】
まず、上述したパルス電力供給手段からパルス状に電力が供給されると、上記図１に示した抵抗層１２が発熱し、通路ダクト３内の作動流体４（例えば、本例では水）は急激（パルス状）に加熱され、これにより気化（突沸）して作動流体４内に蒸気４ａによる気泡を発生する。その後、パルス状電力の供給が停止すると、抵抗層１２による加熱は停止し、上記発生した作動流体蒸気４ａは消滅する。
なお、前述した保護層１４は、蒸気４ａが消滅する際に発生するキャビテーション作用によって抵抗層１２が損傷を被ることを保護するという目的からも必要とされるものである。このように、上記抵抗層１２に対してパルス状の電力を間欠的に供給することにより、通路ダクト３内の端部では、内部に封入された作動流体４が、作動流体蒸気４ａによる気泡の発生と消滅とを繰り返す。そして、作動流体４の突沸時、気化に伴う急激な圧力上昇、それに伴う気泡の膨張により振動が発生し、この発生した振動によって作動流体４が駆動されることとなる。すなわち、通路ダクト３内の作動流体４の振動に伴って、集積回路基板１の電子回路層２で発生した熱（特に、ホットスポットのような局所的温度上昇）が伝達（拡散）されることとなり（図５（Ａ）及び（Ｂ）の矢印を参照）、もって、集積回路基板１内部の温度分布を平坦化して局所的温度上昇の発生を抑制することとなる。
【００３７】
また、上記の集積回路基板１では、上記の通路ダクト３は、基板の上面側に複数並列に設けられており、かつ、各通路ダクト３は、個別に駆動・動作するように構成されている。そこで、上述したパルス電力供給手段は、基板内に配置した温度センサ７からの温度検出信号を利用して局所的温度上昇位置を検出し、通路ダクト３に供給する駆動電力を選択的に制御することが可能である。すなわち、集積回路基板１の電子回路層２においてホットスポットのような局所的温度上昇が発生した部分に対応する通路ダクト３の抵抗層１２に対してだけ、パルス状の電力を間欠的に供給する（駆動する）。これにより、基板全体ではなく、必要な部分においてのみ熱伝達（拡散）を行うことが可能となり、より効率の高い集積回路基板１における熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となる。
【００３８】
なお、上記の実施の形態においては、上記集積回路基板１の上面側には、複数の通路ダクト３が一方向（すなわち、上記図５（Ｂ）における上下方向）だけに並列に設けられた構成についてのみ説明した。しかしながら、本発明はこれのみに限定されるものではなく、例えば、上記上下方向に並列に設けられた複数の通路ダクト３に加え、その上下の何れかの層に、更に、上記図５（Ｂ）における左右方向に並列に設けられた複数の通路ダクト３の層を設けることも可能である。すなわち、かかる構成によれば、特に、温度センサ７を基板平面内に分散して配置した場合、これら温度センサ７からの温度検出信号を利用して、駆動する通路ダクト３を平面的に（すなわち、上下方向だけでなく、左右方向からも）選択して駆動・制御することが可能となり、より効率の高い熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となる。
【００３９】
また、上記の実施の形態では、温度センサ７からの温度検出信号を利用して駆動する通路ダクト３を選択する構成について述べたが、しかしながら、かかる温度センサ７を上記した集積回路基板１内に設けることなく、例えば、上記集積回路基板１の電子回路層２内に形成されるＣＰＵ（発熱の大きい部分）に対する制御信号によって発熱部分を算出（予測）し、もって、駆動する通路ダクト３を選択・制御することも可能である。なお、かかる構成では、温度センサ７が不要と成ることから、比較的簡単な構成により、効率の高い熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となり、経済的にも有利であろう。
【００４０】
上記の実施の形態によれば、半導体集積回路装置１００を構成する半導体チップ１０１である集積回路基板１は、その一方の面には上記したホットスポットに代表される局所的な温度上昇を伴う回路素子を多数形成した電子回路層２が形成されると共に、他方、当該電子回路層２が形成されたとは反対側には、当該電子回路層２内で発生した熱を伝達（拡散）する作用を行う層（例えば、複数の通路ダクト３が形成された流路層（基板）１５と、加熱・駆動手段としての抵抗層１２が、当該集積回路基板１と同じ部材（例えば、本例ではシリコン）によって一体的に形成されている。そのため、半導体チップ１０１である集積回路基板１内で発生した熱は、基板の内部で効率良く伝達（拡散）されることから、上記したシステムオンチップを採用した半導体チップであっても、電力密度の差に起因するホットスポットに代表される局所的な温度上昇を、大幅に抑制することが可能となる。
【００４１】
更には、上記に伴い、かかる半導体チップを搭載した集積回路パッケージでは、その使用の際の許容温度を設定する際、局所的な温度上昇を考慮して低い値に設定する必要がなく、そのため、比較的高い許容温度での使用が可能となる。すなわち、機器に搭載する際、集積回路パッケージの冷却機能の向上や高効率化、更には、冷却構造の大型化を伴うことなく、例えば、上述したヒートシンクの取り付けにより、簡単に、許容温度での使用が可能となる。また、特に、可搬性を必要とする、例えば、デスクトップやノートサイズと称される小型の計算機や小型の電子機器に採用することや、ラックマウントサーバーやブレードサーバーと称される集積回路パッケージが複数高密度実装される計算機に採用することも可能になることは当然であろう。
【００４２】
また、上記のように、複数の通路ダクト３が形成された流路層（基板）１５を当該集積回路基板１と同じ部材（例えば、本例ではシリコン）、又は、その熱膨張率の近い材料によって一体的に形成することから、集積回路基板１内で繰り返して発生する熱による応力に対しても強度的に優れており、特に、かかる応力による接合部が破壊されるにより、電子回路では致命的となる通路ダクト３内に封入した水が外部に漏れ出す事故から、確実に防止することが可能となる。すなわち、安全性に優れた熱伝達（拡散）機能を備えた半導体集積回路装置が提供できる。
【００４３】
さらに、上記の実施の形態になる半導体チップ１０１である集積回路基板１では、特に、上記基板の電子回路層２が形成されたとは反対側の面に絶縁膜１１、抵抗層１２、配線用金属膜１３、保護層１４を積層して形成し、複数の通路ダクト３が形成されたシリコンの流路層（基板）１５を接合する構成であることから、通常の集積回路基板の製造技術を適用することによって、容易に製造し、かつ、実現することが可能であり、経済的にも有利である。
【００４４】
次に、添付の図６及び図７には、本発明の集積回路基板１を構成する流路（熱伝達）層（基板）１５に形成された通路ダクト３についての他の例が示されている。すなわち、図６に示された通路ダクト３は、１本であり、基板の表面全体に渡ってジグザグ状に這いまわして形成された例を示している。なお、図示のように、駆動手段を構成する抵抗膜５は、図の上方の左側に設けられており、また、バッファ６は、この抵抗膜５が形成された位置とは反対（図の下側）に形成されている。
【００４５】
また、図７では、やはり、形成される通路ダクト３は、１本であり、基板の表面全体に渡ってジグザグ状に這いまわして形成されているが、その両端部が互いに接続されて、全体として円環状になっている。なお、この図の例では、駆動手段を構成する抵抗膜５は、図の右側中央部に設けられており、また、バッファ６は、この抵抗膜５が形成された位置とは反対（図の左側）に形成されている。
【００４６】
すなわち、これらの通路ダクト３についての他の例では、通路ダクト３は１本であり、その駆動手段を構成する抵抗膜５もただ１個であることから、製造が容易であり、特に、比較的小型で安価な集積回路基板を提供するのに適する。
【００４７】
【発明の効果】
以上の詳細な説明からも明らかなように、本発明によれば、チップの小型化やシステムオンチップ化等に伴って、半導体チップ内で生じるホットスポットに代表される熱分布の差を確実に低減かつ抑制することにより、当該半導体チップを搭載した集積回路パッケージの許容温度を低減させることなく、もって、冷却構造の小型・軽量化を容易に実現可能な半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップにおける駆動手段の詳細を示す一部拡大断面図である。
【図２】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップを備えた半導体集積回路装置の機器への搭載状態を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップが内蔵された半導体集積回路装置の内部構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップの外観及び内部構造を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップを、上記図４における矢印Ａ及びＢの方向から見た、側面図及び上面図である。
【図６】本発明になる半導体集積回路チップにおける流路（熱伝達）基板に形成される通路ダクトの他の例を示す図である。
【図７】やはり、本発明になる半導体集積回路チップにおける流路（熱伝達）基板に形成される通路ダクトの他の例を示す図である。
【符号の説明】
１…集積回路基板、２…電子回路層、３…流路ダクト、４…作動流体、４ａ…作動流体（蒸気）、５…作動流体駆動手段、６…バッファ、７…温度センサ、１１…絶縁膜、１２…抵抗膜、１３…電極配線、１４…保護膜、１５…流路層（基板）、１０１…集積回路チップ、１０２…半田ボール、１０３…実装基板、１０４…熱伝導部材、１０５…集積回路囲い体、１０５…集積回路囲い体、１０６…ヒートシンク
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電子計算機等を含めた電子機器において広く用いられる半導体集積回路装置に係り、特に、その動作によってかかる装置の集積回路内で発生される発熱を半導体チップ内で伝達（拡散）することにより、素子内部の温度分布を平坦化し、もって、集積回路装置の半導体チップ内での局所的温度上昇を抑制することが可能な半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器に搭載される半導体素子等の発熱体からの熱を拡散（伝達）するための装置として、例えば、高熱伝導材からなる上板と下板との接合面にループ状の溝を形成し、これら両板を当該ループ状溝が対向するように重ね合わせて接合し、もって、その内部にヒートパイプを形成する熱拡散板は、既に、例えば、以下の特許文献１により知られている。
【０００３】
また、一般に、発熱体からの熱を輸送する装置としては、例えば、内部に封入した流体を駆動させることによって熱を輸送することが既に知られている。例えば、以下の特許文献２に開示された装置においては、その上に複数の半導体素子（発熱体）が搭載された配線基板から熱を輸送するため、形成された液流路の一部に、毛細管から構成され、かつ、その一部に電気的な加熱手段を備えることにより、毛細管内部の液をパルス的に加熱、突沸させ、この突沸時の気化に伴う急激な圧力上昇によって上記液を駆動する。
【０００４】
なお、液体の振動を利用して熱を伝達する原理については、例えば、以下の非特許文献１に詳しい。
【０００５】
また、ヒートパイプや液体の振動を利用して熱を伝達する装置を内蔵した容器を用いて、消費電力の大きな半導体チップの発熱を分散するための構造が、以下の非特許文献２のFigure１０に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１３０９６４号公報
【特許文献２】
特開平７−２８６７８８号公報
【非特許文献１】
小澤 守、外５名、“液体振動による熱伝達の促進”（第２２８〜２３５頁）、５０巻５３０号（１９９０−１０）、日本機械学会論文集（Ｂ編）
【非特許文献２】
Z. J. Zuo、L. R. Hoover and A. L. Phillips、”An integrated thermal architecture for thermal management of high power electronics”、第３１７〜３３６頁、Suresh V. Garimella、Thermal Challenges in Next Generation Electronic System（、PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE THERMES 2002）、 SANTA FE、 NEW MEXICO、 USA、、 13-16 JANUARY 2002
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年においては、かかる計算機等において演算処理などに用いられる高集積化された半導体チップは、更なるチップダイサイズの小型化や演算処理速度の向上と共に、低消費電力に伴うチップ当たりの電力密度の低減が強く望まれており、これらを両立させるために、例えば、同一チップ内に論理素子と記憶素子とを実装する技術（通称「システムオンチップ」）等の採用が進んでいる。
【０００８】
このような半導体チップでは、論理素子と比較して電力密度が小さい記憶素子部が当該論理素子と共に同一の半導体チップ上に混載されているため、そのチップ当たりの電力密度は、従来の半導体チップと比較して小さい。しかしながら、半導体チップとしては、チップ内に大きな電力密度の差が発生する。さらに、その論理素子部においても、やはり電力密度分布が生じることから、結果としてチップ内には大きな電力密度の差が発生することとなる。
【０００９】
上述した電力密度差は、半導体チップにおいては、そのまま発熱密度の差となって表れることから、このような同一チップ内に論理素子と記憶素子とを実装したチップが動作する際には、大きな温度分布、具体的には、論理素子部内に局所的な温度上昇（所謂、ホットスポット）が発生することになる。そして、このようなホットスポットがトランジスタのジャンクション上限温度にまで達すると、半導体素子の熱暴走が発生するため、かかるホットスポットを解消するための何等かの手段や対策が必要とされている。また、かかるホットスポットの発生は、当該半導体チップを搭載した集積回路パッケージの動作許容温度（そのパッケージ内に搭載された半導体チップの回路が正常に動作するのを保証するため、パッケージに許容される最高温度）を低減させる大きな原因ともなり、そのため、冷却構造全体が大型化してしまい、特に、可搬性を必要とする、例えば、デスクトップやノートサイズと称される小型の計算機や小型の電子機器に採用することや、ラックマウントサーバーやブレードサーバーと称される集積回路パッケージが複数高密度実装される計算機に採用することは困難であった。
【００１０】
これに対し、例えば、上述の特許文献１や特許文献２に示された熱拡散機構では、発熱部品である半導体素子（チップ）が、高熱伝導グリースや高熱伝導性接着材、又は、高熱伝導性ゴム等を介して当該熱拡散板に取り付けられる構造が採用されている。そのため、当該発熱部品内でホットスポットが生じた場合、このホットスポットは、その発熱部品に直接熱的に接触されているグリースや接着材又はゴムを介して、熱拡散板に拡散されることとなる。ところで、かかるグリースや接着剤又はゴムは、その熱伝導率において、最も大きなものでも、高々１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）のオーダーであり、これは、例えばアルミニウムやシリコンといった金属・半導体の熱伝導率（例えば、１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）のオーダー）に対して著しく小さい。そのため、上記従来技術になるグリースや接着剤又はゴムを介して発熱部品である半導体チップを熱拡散板に取り付ける構造では、なお、半導体チップ内において、ホットスポットに起因する大きな温度差が発生してしまうという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みて成されたものであり、より具体的には、チップの小型化や電力密度の差により半導体チップ内に生じるホットスポットを確実に低減し、半導体チップ内で生じる熱分布の差を抑制することにより、半導体チップを搭載した集積回路パッケージの許容温度を低減させることなく、その結果として、冷却構造全体の小型軽量化を容易に実現ならしめる半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明では、上記の目的を達成するため、まず、板状の半導体チップであって、その一側面には、複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には熱伝達層を一体に接合した半導体集積回路チップであって、前記熱伝達層は、当該半導体チップと同質の材料により形成されており、かつ、その内部に閉流路と、前記閉流路内に封入される作動流体と、前記作動流体の駆動手段とを備えている半導体集積回路チップが提供されている。
【００１３】
なお、本発明によれば、前記板状の半導体チップ及び前記熱伝達層は、共に、シリコン材により形成され、前記作動流体の駆動手段は、前記閉流路内に封入される作動流体に対して振動を付与する手段からなり、又は、前記振動付与手段は抵抗層により形成されている。また、前記抵抗層は、前記半導体集積回路チップ全体の平均発熱密度より小さい発熱密度の領域に配置されている。
【００１４】
また、本発明によれば、前記作動流体は水であり、また、前記板状の半導体チップは、回路を形成した一側面内に、論理素子と記憶素子とが分離して形成されたチップである。
【００１５】
また、本発明によれば、前記の半導体集積回路チップにおいて、前記基板に形成された閉流路は、前記半導体チップの一側辺に沿って、複数本形成されており、前記複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段を備え、さらには、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成してもよい。あるいは、前記半導体チップの他の一側辺に沿って、他の複数本の閉流路が、前記形成された複数本の閉流路に交差して形成され、さらに、前記複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段を備え、さらには、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成してもよい。
【００１６】
また、本発明によれば、やはり、上記の目的を達成するため、板状の半導体チップの一側面には、複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には、当該半導体チップの回路形成層内における回路の発熱に起因する局所的温度上昇を抑制するための基板層を一体に接合した半導体集積回路チップが提供される。
【００１７】
加えて、本発明によれば、やはり、上記の目的を達成するため、一部に複数の回路が形成された半導体集積回路チップと、一部に配線パターンが形成されて上記集積回路チップを搭載した実装基板と、前記集積回路チップが搭載された前記実装基板を内部に収容するケースと、前記ケース又は前記実装基板から外部に植立され、かつ、前記半導体集積回路チップに形成された回路に電気的に接続された複数の端子とを備えた半導体集積回路装置であって、前記集積回路チップは、前記に記載した集積回路チップである半導体集積回路装置が提供される。
【００１８】
そして、本発明では、前記した半導体集積回路装置において、前記ケースの外表面の一部にヒートシンクを取り付けており、又は、前記半導体集積回路チップの前記熱伝達基板に形成された前記駆動手段に供給する電力は、前記半導体集積回路装置の端子を介して前記半導体集積回路チップへ供給される電力の一部となっている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明になる実施の形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
添付の図２には、本発明になる半導体集積回路装置の外観（一部展開図を含む）が示されている。すなわち、図からも明らかなように、半導体集積回路装置１００は、例えば、高熱伝導性のセラミックスからなり、外形略立方形を成すパッケージケース１０５と配線基板（実装基板）１０３が重なり合って閉空間を形成し、その内部には、例えば、矩形のシリコン板から成る回路素子である半導体チップ１０１が搭載されている。また、この半導体チップ１０１は、配線基板（実装基板）１０３上に搭載されて電気的に接続されている。そして、配線基板１０３を介して、半導体チップ１０１内の回路（例えば、ＣＰＵやメモリなど）が、ここでは図示しない外部に電気的に接続するために設けられた複数の外部端子２０１に電気的に接続されている。
【００２１】
また、図示のように、上記本発明になる半導体集積回路装置１００は、そのパッケージケースの状態で、例えば、その上面に放熱のためのヒートシンク３００が取り付けられ、さらには、サーバ等のキャビネット（筐体）４００内における所定の位置に搭載されることとなる。あるいは、上記のヒートシンクを取り付けることなく、そのまま、例えば可搬型のパーソナルコンピュータを含む電子機器内に搭載されてもよい。
【００２２】
また、図３の断面図は、図２に示した上記本発明になる半導体集積回路装置１００において、複数のピン（外部端子）２０１を下面に植立た配線基板１０３上に、上記半導体チップ１０１を搭載した状態を示している。なお、図中において、上記図２におけると同じ符号は、同様の構成部品を示しており、また、図中の符号１０４は、半導体チップ１００とパッケージケース１０５との間に挿入された高熱伝導グリースや高熱伝導性接着材、又は、高熱伝導性ゴムである。
【００２３】
次に、添付の図４は、上記本発明になる半導体集積回路装置１００に搭載される半導体チップ（チップダイ）１０１である集積回路基板１の詳細な構造を破線により透視して示している。即ち、図において、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の下面側は、既知の半導体装置の製造方法によって、例えば、上述したシステムオンチップを採用して、同一チップ内に論理素子（ＣＰＵ）や記憶素子（メモリ）を形成する回路が、それぞれ領域を分離して、多数形成された層であり、所謂、電子回路（回路形成）層２である。
【００２４】
一方、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の上面（チップダイにおける上記電子回路層２と反対の面）側には、当該チップ（チップダイ）と一体に、複数の通路ダクト３により閉流路が形成されており、その内部には作動流体４が封入されている。また、各通路ダクト３の一方の端部付近には、作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成されると共に、これら各通路ダクト３の他方の端部には、互いに連通する空間であるバッファ６が形成されている。
【００２５】
図５（Ａ）は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の、上記図４における矢印Ａ方向から見た状態を示している。なお、この図において、符号１０２は、集積回路基板１の電子回路層２と実装基板１０３との間に挿入された半田ボールを示している。また、図５（Ｂ）は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１の、上記図４における矢印Ｂ方向から見た状態を示している。
【００２６】
これらの図からも明らかなように、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１では、上記電子回路層２と反対の側に、基板の一側辺に沿って（上記図５（Ｂ）の例では、半導体チップの横辺）、複数の通路ダクト３とバッファ部６とが櫛状に形成されており、これら通路ダクト３の内部には、例えば水等、潜熱の大きな流体（作動流体４）が封入されている。また、これらの通路ダクト３の、上記バッファ部６が形成された側とは反対側の端部、あるいは、その近傍に面しては、それぞれ、通路ダクトとほぼ同じ又はそれより僅かに大きな幅で、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成されている。すなわち、各抵抗膜５は、通路ダクト３の内部に封入された作動流体４と接している（図５（Ａ）を参照）。なお、上記の作動流体の駆動手投は、半導体チップ１０１である集積回路装置の発熱により受ける影響を出来る限り低減するため、チップ全体の平均発熱密度より小さい発熱密度の領域に配置されることが好ましく、本例では、集積回路基板１の一端に近接した領域に形成されている。あるいは、比較的発熱の少ない、メモリの形成部に対応して設けてもよい。
【００２７】
また、これら図５（Ａ）及び（Ｂ）において、符号７は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１において発生するホットスポットを検出するための温度センサであり、より具体的には、上記電子回路層２の下層に抵抗層として形成されている。すなわち、この温度センサ７の抵抗値の変化を測定することにより、上記集積回路基板１のどの位置に（より具体的には、図５（Ｂ）の集積回路基板１の縦方向におけるどの位置に）ホットスポットが発生しているかを検出することが可能となる。なお、本例では、この温度センサ７を、上記基板１の略中央部において、複数の通路ダクト３の形成位置に合わせてかつその直交方向に、１列に形成した例を示した。しかしながら、本発明は、これのみに限定することなく、これら複数の通路ダクト３を、例えば、上記集積回路基板１の平面に沿って、適宜、設ける（平面上に分散して形成する）ことも可能である。
【００２８】
次に、添付の図１は、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１に形成された通路ダクト３において、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５が形成された端部の断面を拡大して示す、一部拡大断面図である。なお、この図においては、上記図５（Ａ）及び（Ｂ）の構成とは異なり、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５を、図において、上記通路ダクト３の下側に形成した例が示されている。
【００２９】
図からも明らかなように、上記半導体チップ１０１である集積回路基板１は、その下面側に、同一チップ内に論理素子（ＣＰＵ）や記憶素子（メモリ）を形成する回路が多数形成された電子回路（回路形成）層２を備える。一方、上記集積回路基板１の上面側（すなわち、上記電子回路層２の形成面とは反対側）には、絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2層）１１を介して、上記作動流体の駆動手段を構成する抵抗膜５を形成する抵抗層（例えば、ポリシリコン、タンタル化合物（ＴａＮ）の層など）１２が積層して形成されている。
【００３０】
さらに、この抵抗層１２の両側の上面には、当該抵抗層１２に電力を供給するための配線を形成する金属層１３が形成され、それらの上面には、保護層１４が形成されている。そして、その上面には、上記集積回路基板１と同じ材料であるシリコン板からなる流路（熱拡散）層（基板）１５が、上記集積回路基板１と一体に接合されている。なお、上記流路（熱拡散）基板１５を構成するシリコン板の下面には、予め、例えばドライエッチング等の加工技術によって、上記した複数の通路ダクト３やバッファ６が形成され、この流路基板１５を集積回路基板１と一体に接合する。
【００３１】
作動流体の封入は、例えば上述した流路基板１５を集積回路基板１と一体に接合する際に、上記複数の通路ダクト３やバッファ６の内部に、作動流体４である水等の液体を、封入する。または、ここでは図示しないが、通路ダクト３と半導体チップ１０１の表面間を連通するポートを設け、ここから作動流体４を封入する。作動流体４の封入にあたっては、作動流体４の特性に応じて封入圧力を変更したり、封入時に不凝縮ガスの気相部（空気）を混入する。
【００３２】
また、上記の流路基板１５を形成する部材は、シリコンに限らず、その熱膨張率がシリコンのそれに近い材料であってもよい。また、上記の保護層１４は、当該抵抗層１２が水等の作動流体４に直接接触するのを防止するために設けられているが、しかしながら、これら抵抗層と作動流体の材料の選択によっては不要である。
【００３３】
上記本発明になる半導体集積回路装置１００に搭載される半導体チップ（チップダイ）チップのサイズは、十ミリから数十ミリ角程度が想定され、これに対して通路ダクト断面は十ミクロンから百ミクロン角程度の断面積をもつものである。
【００３４】
また、ここでは図示しないが、上記金属層１３からなる配線を介して、当該抵抗層１２に電力を間欠的なパルス状に供給するための手段が設けられる。このときのパルス周波数は作動流体４の種類や通路ダクト３の寸法に依存するが、概ね数十Ｈｚから数百Ｈｚ程度である。かかるパルス電力供給手段としては、例えば、上記集積回路基板１の電子回路層２に形成したり、または電子回路層２の形成面内に形成されるＣＰＵなどの論理素子によって形成することも可能であり、かつ、やはり図示しないが、本発明の半導体集積回路装置１００に対して駆動電力を供給する電源からの電力の一部（より具体的には、上記の外部端子を介して集積回路基板１に供給される電力の一部）を利用することも可能であり、かかる構成は、回路の簡素化の面から有利である。
【００３５】
続いて、上記にその構成を詳細に説明した集積回路基板１における発熱の伝達（拡散）作用について、上記図１及び図５（Ａ）及び（Ｂ）を参照しながら詳細に説明する。
【００３６】
まず、上述したパルス電力供給手段からパルス状に電力が供給されると、上記図１に示した抵抗層１２が発熱し、通路ダクト３内の作動流体４（例えば、本例では水）は急激（パルス状）に加熱され、これにより気化（突沸）して作動流体４内に蒸気４ａによる気泡を発生する。その後、パルス状電力の供給が停止すると、抵抗層１２による加熱は停止し、上記発生した作動流体蒸気４ａは消滅する。
なお、前述した保護層１４は、蒸気４ａが消滅する際に発生するキャビテーション作用によって抵抗層１２が損傷を被ることを保護するという目的からも必要とされるものである。このように、上記抵抗層１２に対してパルス状の電力を間欠的に供給することにより、通路ダクト３内の端部では、内部に封入された作動流体４が、作動流体蒸気４ａによる気泡の発生と消滅とを繰り返す。そして、作動流体４の突沸時、気化に伴う急激な圧力上昇、それに伴う気泡の膨張により振動が発生し、この発生した振動によって作動流体４が駆動されることとなる。すなわち、通路ダクト３内の作動流体４の振動に伴って、集積回路基板１の電子回路層２で発生した熱（特に、ホットスポットのような局所的温度上昇）が伝達（拡散）されることとなり（図５（Ａ）及び（Ｂ）の矢印を参照）、もって、集積回路基板１内部の温度分布を平坦化して局所的温度上昇の発生を抑制することとなる。
【００３７】
また、上記の集積回路基板１では、上記の通路ダクト３は、基板の上面側に複数並列に設けられており、かつ、各通路ダクト３は、個別に駆動・動作するように構成されている。そこで、上述したパルス電力供給手段は、基板内に配置した温度センサ７からの温度検出信号を利用して局所的温度上昇位置を検出し、通路ダクト３に供給する駆動電力を選択的に制御することが可能である。すなわち、集積回路基板１の電子回路層２においてホットスポットのような局所的温度上昇が発生した部分に対応する通路ダクト３の抵抗層１２に対してだけ、パルス状の電力を間欠的に供給する（駆動する）。これにより、基板全体ではなく、必要な部分においてのみ熱伝達（拡散）を行うことが可能となり、より効率の高い集積回路基板１における熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となる。
【００３８】
なお、上記の実施の形態においては、上記集積回路基板１の上面側には、複数の通路ダクト３が一方向（すなわち、上記図５（Ｂ）における上下方向）だけに並列に設けられた構成についてのみ説明した。しかしながら、本発明はこれのみに限定されるものではなく、例えば、上記上下方向に並列に設けられた複数の通路ダクト３に加え、その上下の何れかの層に、更に、上記図５（Ｂ）における左右方向に並列に設けられた複数の通路ダクト３の層を設けることも可能である。すなわち、かかる構成によれば、特に、温度センサ７を基板平面内に分散して配置した場合、これら温度センサ７からの温度検出信号を利用して、駆動する通路ダクト３を平面的に（すなわち、上下方向だけでなく、左右方向からも）選択して駆動・制御することが可能となり、より効率の高い熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となる。
【００３９】
また、上記の実施の形態では、温度センサ７からの温度検出信号を利用して駆動する通路ダクト３を選択する構成について述べたが、しかしながら、かかる温度センサ７を上記した集積回路基板１内に設けることなく、例えば、上記集積回路基板１の電子回路層２内に形成されるＣＰＵ（発熱の大きい部分）に対する制御信号によって発熱部分を算出（予測）し、もって、駆動する通路ダクト３を選択・制御することも可能である。なお、かかる構成では、温度センサ７が不要と成ることから、比較的簡単な構成により、効率の高い熱の伝達（拡散）作用を実現することが可能となり、経済的にも有利であろう。
【００４０】
上記の実施の形態によれば、半導体集積回路装置１００を構成する半導体チップ１０１である集積回路基板１は、その一方の面には上記したホットスポットに代表される局所的な温度上昇を伴う回路素子を多数形成した電子回路層２が形成されると共に、他方、当該電子回路層２が形成されたとは反対側には、当該電子回路層２内で発生した熱を伝達（拡散）する作用を行う層（例えば、複数の通路ダクト３が形成された流路層（基板）１５と、加熱・駆動手段としての抵抗層１２が、当該集積回路基板１と同じ部材（例えば、本例ではシリコン）によって一体的に形成されている。そのため、半導体チップ１０１である集積回路基板１内で発生した熱は、基板の内部で効率良く伝達（拡散）されることから、上記したシステムオンチップを採用した半導体チップであっても、電力密度の差に起因するホットスポットに代表される局所的な温度上昇を、大幅に抑制することが可能となる。
【００４１】
更には、上記に伴い、かかる半導体チップを搭載した集積回路パッケージでは、その使用の際の許容温度を設定する際、局所的な温度上昇を考慮して低い値に設定する必要がなく、そのため、比較的高い許容温度での使用が可能となる。すなわち、機器に搭載する際、集積回路パッケージの冷却機能の向上や高効率化、更には、冷却構造の大型化を伴うことなく、例えば、上述したヒートシンクの取り付けにより、簡単に、許容温度での使用が可能となる。また、特に、可搬性を必要とする、例えば、デスクトップやノートサイズと称される小型の計算機や小型の電子機器に採用することや、ラックマウントサーバーやブレードサーバーと称される集積回路パッケージが複数高密度実装される計算機に採用することも可能になることは当然であろう。
【００４２】
また、上記のように、複数の通路ダクト３が形成された流路層（基板）１５を当該集積回路基板１と同じ部材（例えば、本例ではシリコン）、又は、その熱膨張率の近い材料によって一体的に形成することから、集積回路基板１内で繰り返して発生する熱による応力に対しても強度的に優れており、特に、かかる応力による接合部が破壊されるにより、電子回路では致命的となる通路ダクト３内に封入した水が外部に漏れ出す事故から、確実に防止することが可能となる。すなわち、安全性に優れた熱伝達（拡散）機能を備えた半導体集積回路装置が提供できる。
【００４３】
さらに、上記の実施の形態になる半導体チップ１０１である集積回路基板１では、特に、上記基板の電子回路層２が形成されたとは反対側の面に絶縁膜１１、抵抗層１２、配線用金属膜１３、保護層１４を積層して形成し、複数の通路ダクト３が形成されたシリコンの流路層（基板）１５を接合する構成であることから、通常の集積回路基板の製造技術を適用することによって、容易に製造し、かつ、実現することが可能であり、経済的にも有利である。
【００４４】
次に、添付の図６及び図７には、本発明の集積回路基板１を構成する流路（熱伝達）層（基板）１５に形成された通路ダクト３についての他の例が示されている。すなわち、図６に示された通路ダクト３は、１本であり、基板の表面全体に渡ってジグザグ状に這いまわして形成された例を示している。なお、図示のように、駆動手段を構成する抵抗膜５は、図の上方の左側に設けられており、また、バッファ６は、この抵抗膜５が形成された位置とは反対（図の下側）に形成されている。
【００４５】
また、図７では、やはり、形成される通路ダクト３は、１本であり、基板の表面全体に渡ってジグザグ状に這いまわして形成されているが、その両端部が互いに接続されて、全体として円環状になっている。なお、この図の例では、駆動手段を構成する抵抗膜５は、図の右側中央部に設けられており、また、バッファ６は、この抵抗膜５が形成された位置とは反対（図の左側）に形成されている。
【００４６】
すなわち、これらの通路ダクト３についての他の例では、通路ダクト３は１本であり、その駆動手段を構成する抵抗膜５もただ１個であることから、製造が容易であり、特に、比較的小型で安価な集積回路基板を提供するのに適する。
【００４７】
【発明の効果】
以上の詳細な説明からも明らかなように、本発明によれば、チップの小型化やシステムオンチップ化等に伴って、半導体チップ内で生じるホットスポットに代表される熱分布の差を確実に低減かつ抑制することにより、当該半導体チップを搭載した集積回路パッケージの許容温度を低減させることなく、もって、冷却構造の小型・軽量化を容易に実現可能な半導体集積回路装置及びそのための半導体集積回路チップが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップにおける駆動手段の詳細を示す一部拡大断面図である。
【図２】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップを備えた半導体集積回路装置の機器への搭載状態を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップが内蔵された半導体集積回路装置の内部構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップの外観及び内部構造を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態になる半導体集積回路チップを、上記図４における矢印Ａ及びＢの方向から見た、側面図及び上面図である。
【図６】本発明になる半導体集積回路チップにおける流路（熱伝達）基板に形成される通路ダクトの他の例を示す図である。
【図７】やはり、本発明になる半導体集積回路チップにおける流路（熱伝達）基板に形成される通路ダクトの他の例を示す図である。
【符号の説明】
１…集積回路基板、２…電子回路層、３…流路ダクト、４…作動流体、４ａ…作動流体（蒸気）、５…作動流体駆動手段、６…バッファ、７…温度センサ、１１…絶縁膜、１２…抵抗膜、１３…電極配線、１４…保護膜、１５…流路層（基板）、１０１…集積回路チップ、１０２…半田ボール、１０３…実装基板、１０４…熱伝導部材、１０５…集積回路囲い体、１０５…集積回路囲い体、１０６…ヒートシンク
Claims (7)
- 板状の半導体チップであって、その一側面には複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には熱伝達層を一体に接合した半導体集積回路チップにおいて、前記熱伝達基板は、当該半導体チップと同質の材料により形成されており、かつ、その内部に閉流路と、前記閉流路内に封入される作動流体と、前記作動流体の駆動手段とを備え、前記作動流体の駆動手段は、前記閉流路内に封入される作動流体に対して振動を付与する振動付与手段からなり、前記振動付与手段は抵抗層により形成されており、前記抵抗層は、前記集積回路チップ全体の平均発熱密度より小さい発熱密度の領域に配置されていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
- 板状の半導体チップであって、その一側面には複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には熱伝達層を一体に接合した半導体集積回路チップにおいて、前記熱伝達基板は、当該半導体チップと同質の材料により形成されており、かつ、その内部に閉流路と、前記閉流路内に封入される作動流体と、前記作動流体の駆動手段とを備え、前記熱伝達層に形成された閉流路は、前記半導体チップの一側辺に沿って、複数本形成され、当該複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段と、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成したことを特徴とする半導体集積回路チップ。
- 板状の半導体チップであって、その一側面には複数の回路を形成した回路形成層を形成し、かつ、前記回路形成層が形成された側面とは反対の側面には熱伝達層を一体に接合した半導体集積回路チップにおいて、前記熱伝達基板は、当該半導体チップと同質の材料により形成されており、かつ、その内部に閉流路と、前記閉流路内に封入される作動流体と、前記作動流体の駆動手段とを備え、前記熱伝達層に形成された閉流路は、前記半導体チップの一側辺に沿って、複数本形成され、さらに、前記半導体チップの他の一側辺に沿って、他の複数本の閉流路が、前記形成された複数本の閉流路に交差して形成されていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
- 前記請求項３に記載した半導体集積回路チップにおいて、前記複数本形成された閉流路は、それぞれ独立して、その内部に封入された作動流体を駆動する手段を備えていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
- 前記請求項４に記載した半導体集積回路チップにおいて、前記半導体チップ内に複数の温度検知手段を設け、かつ、前記独立して設けられた複数の駆動手段を前記温度検知手段からの温度検出出力に応じて制御するように構成したことを特徴とする半導体集積回路チップ。
- 一部に複数の回路が形成された半導体集積回路チップと、一部に配線パターンが形成されて上記集積回路チップを搭載した実装基板と、前記集積回路チップが搭載された前記実装基板を内部に収容するケースと、前記ケース又は前記実装基板から外部に植立され、かつ、前記半導体集積回路チップに形成された回路に電気的に接続された複数の端子とを備えた半導体集積回路装置であって、前記半導体集積回路チップは、前記請求項１乃至５のいずれかに記載した半導体集積回路チップであることを特徴とする半導体集積回路装置。
- 前記請求項６に記載した半導体集積回路装置において、前記半導体集積回路チップの前記熱伝達層に形成された前記駆動手段に供給する電力は、前記半導体集積回路装置の端子を介して前記半導体集積回路チップへ供給される電力の一部であることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346160A JP4034173B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ |
| TW092131419A TWI254787B (en) | 2002-11-28 | 2003-11-10 | Semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit chip thereof |
| US10/722,597 US20040104468A1 (en) | 2002-11-28 | 2003-11-28 | Semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit chip thereof |
| CNB2003101187093A CN1317760C (zh) | 2002-11-28 | 2003-11-28 | 半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346160A JP4034173B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004179534A JP2004179534A (ja) | 2004-06-24 |
| JP4034173B2 true JP4034173B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=32376047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002346160A Expired - Fee Related JP4034173B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040104468A1 (ja) |
| JP (1) | JP4034173B2 (ja) |
| CN (1) | CN1317760C (ja) |
| TW (1) | TWI254787B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1607707A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-21 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Bubble generator and heat transfer assembly |
| JP2006237125A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Kansai Electric Power Co Inc:The | バイポーラ型半導体装置の運転方法およびバイポーラ型半導体装置 |
| JP4381998B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2009-12-09 | 株式会社日立製作所 | 液冷システム |
| US7839201B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-11-23 | Raytheon Company | Integrated smart power switch |
| US7294926B2 (en) * | 2005-09-22 | 2007-11-13 | Delphi Technologies, Inc. | Chip cooling system |
| US7412844B2 (en) * | 2006-03-07 | 2008-08-19 | Blue Zone 40 Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor chips |
| DE102008000621A1 (de) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Robert Bosch Gmbh | Steuergerät |
| US9137895B2 (en) * | 2008-12-24 | 2015-09-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS) and corresponding manufacturing process |
| JP5921055B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2016-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US9030054B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-05-12 | Raytheon Company | Adaptive gate drive control method and circuit for composite power switch |
| CN105451503B (zh) * | 2014-07-21 | 2019-03-08 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备 |
| CN108024392B (zh) * | 2018-01-04 | 2024-01-12 | 承德福仁堂保健咨询服务有限公司 | 一种采用半导体芯片由内部加热石材的装置 |
| US12080614B2 (en) * | 2020-10-26 | 2024-09-03 | Mediatek Inc. | Lidded semiconductor package |
| CN117238776B (zh) * | 2023-09-06 | 2024-07-02 | 广东芯聚能半导体有限公司 | 功率模块的封装方法、装置和功率模块 |
| CN117686888B (zh) * | 2024-01-24 | 2024-05-07 | 苏州贝克微电子股份有限公司 | 一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0156622B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-10-15 | 문정환 | 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법 |
| ATE267507T1 (de) * | 2000-09-29 | 2004-06-15 | Nanostream Inc | Mikrofluidische vorrichtung zur wärmeübertragung |
| US6631077B2 (en) * | 2002-02-11 | 2003-10-07 | Thermal Corp. | Heat spreader with oscillating flow |
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002346160A patent/JP4034173B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-10 TW TW092131419A patent/TWI254787B/zh active
- 2003-11-28 US US10/722,597 patent/US20040104468A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-28 CN CNB2003101187093A patent/CN1317760C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1317760C (zh) | 2007-05-23 |
| CN1505136A (zh) | 2004-06-16 |
| TWI254787B (en) | 2006-05-11 |
| JP2004179534A (ja) | 2004-06-24 |
| TW200416376A (en) | 2004-09-01 |
| US20040104468A1 (en) | 2004-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI243011B (en) | Cooling system or electronic apparatus, and electronic apparatus using the same | |
| JP4034173B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ | |
| JP6722426B2 (ja) | 電子機器システムのためのサーマルクランプ装置 | |
| US7289326B2 (en) | Direct contact cooling liquid embedded package for a central processor unit | |
| JP3445936B2 (ja) | ヒートパイプを備えた半導体パッケージリッド | |
| JP3147087B2 (ja) | 積層型半導体装置放熱構造 | |
| US9386685B2 (en) | Interposer and semiconductor module using the same | |
| JP2006178968A (ja) | 流体冷却式集積回路モジュール | |
| KR20060123783A (ko) | 마이크로채널 및 마이크로채널의 박막 열전 냉각 장치 내의냉각제 흐름을 이용한 집적회로 다이 냉각 | |
| TW200836615A (en) | Liquid-based cooling system for cooling a multi-component electronics system | |
| JP2002270743A (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
| KR101477323B1 (ko) | 적층형 반도체 장치 | |
| JP2012138473A (ja) | 半導体デバイス・電子部品の実装構造 | |
| JP2008060172A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009026818A (ja) | 電子装置 | |
| JPH09213851A (ja) | Ｉｃデバイスの放熱方法及び放熱手段 | |
| JP2007324544A (ja) | 積層型半導体パッケージ | |
| JP4542443B2 (ja) | 伝熱装置 | |
| JP2008004688A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2002026214A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
| JP4404861B2 (ja) | 熱発生構成要素を冷却する装置、及び熱発生構成要素を冷却する装置を製造する方法 | |
| JPH10256677A (ja) | プリント基板 | |
| JPS58218148A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
| JP2000227821A (ja) | 電子部品の冷却装置 | |
| JPS63289847A (ja) | Ｌｓｉパッケ−ジの放熱構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051101 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070702 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070907 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071002 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071024 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |