CN117686888B - 一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体芯片测试技术领域，公开了一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取半导体芯片的测试温度；根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度；控制三温测试探头的温度为目标温度；对半导体芯片进行三温测试。本发明在对半导体芯片进行性能的三温测试时，能够使半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，大大提高三温测试的测试精度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片测试技术领域，具体涉及一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质。
背景技术
半导体芯片三温测试是一种对芯片的性能参数和质量可靠性进行检验的测试方法，芯片三温测试需要在高温环境（例如，150℃）、常温环境（例如，25℃）和低温环境（例如，-40℃）下分别对芯片进行测试。通常使用三温测试装置中的三温测试探头对半导体芯片的测试温度进行控制，即根据半导体芯片所需的测试温度控制三温测试探头对半导体芯片进行加热或者降温，并在达到预设温度之后，对半导体芯片进行性能测试。
但是，由于半导体芯片具有封装结构，导致半导体芯片封装内外存在温差，进而导致对半导体芯片进行三温测试时，半导体芯片封装内部的实际温度与三温测试探头的温度存在偏差，从而导致半导体芯片三温测试的测试精度较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种半导体芯片的三温测试方法、装置、设备及介质，以解决半导体芯片三温测试的测试精度较低的问题。
第一方面，本发明提供了一种半导体芯片的三温测试方法，方法包括：获取半导体芯片的测试温度；根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度；控制三温测试探头的温度为目标温度；对半导体芯片进行三温测试。
本实施例提供的半导体芯片的三温测试方法，中央控制装置获取半导体芯片的测试温度之后，根据第一映射关系和测试温度确定目标温度，然后控制三温测试探头的温度为目标温度，在三温测试探头的温度为目标温度的情况下，对半导体芯片进行电性能的三温测试。本实施例提供的方法，通过三温测试探头的温度与半导体芯片封装内部的温度之间的对应关系，对三温测试探头输出的温度进行控制，从而实现对半导体芯片封装内部的温度的控制，使得在对半导体芯片进行电性能的三温测试时，半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，从而大大提高三温测试的测试精度。
在一种可选的实施方式中，在根据第一映射关系和测试温度确定目标温度之前，方法还包括：基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，其中，多个指定温度与多个实际温度一一对应，指定温度为三温测试探头的预设温度，实际温度表征在对应的指定温度下，半导体芯片封装内部的温度。
在本实施例中，通过多个指定温度和多个实际温度的拟合曲线，确定第一映射关系，可以提升第一映射关系的准确性。
在一种可选的实施方式中，第一映射关系为：
t=Kn×T
其中，T为测试温度，t为目标温度，Kn为拟合系数，拟合系数通过对多个指定温度和多个实际温度进行拟合确定。
在本实施例中，通过函数表征第一映射关系，能够更方便的基于多个指定温度和多个实际温度确定第一映射关系。
在一种可选的实施方式中，三温测试探头处安装有第一温度传感器，第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，第一温度感应模块设置在第一外壳远离三温测试探头的一侧，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同，以使第一温度感应模块检测的温度等效于半导体芯片封装内部的温度。
本实施例提供的半导体芯片的三温测试方法，通过在三温测试探头处安装与半导体芯片的封装结构完全相同的第一温度传感器，能够准确确定半导体芯片封装外部的温度达到指定温度时，半导体芯片封装内部的实际温度，从而准确确定第一映射关系。
在一种可选的实施方式中，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同包括第一外壳的材料和半导体封装的材料相同、第一外壳的厚度和半导体封装的厚度相同以及第一外壳的形状和半导体封装的形状相同。
在一种可选的实施方式中，三温测试探头处安装有多个第二温度传感器，各个第二温度传感器分别与不同的半导体芯片的封装结构相同。
在本实施例中，三温测试装置可以对不同封装的半导体芯片同时进行三温测试，在同时得到不同封装的半导体芯片的拟合曲线系数Kn之后，再同时对不同封装的半导体芯片进行各项电性能测试，从而大大提高三温测试的效率。
在一种可选的实施方式中，方法还包括：基于预设测试温度区间和第一步进温度确定多个指定温度，其中，多个指定温度位于预设测试温度区间内，第一步进温度为多个指定温度中相邻的两个指定温度的温度差；依次将三温测试探头的温度控制在多个指定温度下，根据第一温度感应模块检测得到的温度，确定多个实际温度。
在一种可选的实施方式中，方法还包括：确定测试模式，其中，测试模式包括单点测试模式和扫描测试模式；在测试模式为单点测试模式的情况下，记录半导体芯片在测试温度下的测试结果之后，结束测试；在测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，并根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度，继续测试。
在本实施例中，能够自动完成多次三温测试，提高测试效率。
在一种可选的实施方式中，根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度，包括：在测试温度大于预设最小测试温度，且测试温度小于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和，或更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差；在测试温度等于预设最小测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和；在测试温度等于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差。
在一种可选的实施方式中，在第一测试温度与第二步进温度的和大于预设最大测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最大测试温度，在第一测试温度与第二步进温度的差小于预设最小测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最小测试温度，其中，第一测试温度为多次更新后的测试温度。
在一种可选的实施方式中，在更新后的测试温度等于预设最小测试温度或者预设最大测试温度的情况下，方法还包括：确定测试次数是否大于预设测试次数；在测试次数大于预设测试次数的情况下，记录半导体芯片在多个测试温度下的测试结果之后，结束测试；在测试次数小于预设测试次数的情况下，再次根据第二步进温度更新测试温度，得到再次更新后的测试温度，其中，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和。
在一种可选的实施方式中，在确定测试次数是否大于预设测试次数之前，方法还包括：根据预设最大测试温度、预设最小测试温度和第二步进温度，确定预设测试次数。
在一种可选的实施方式中，对半导体芯片进行三温测试，包括：在三温测试探头的温度保持在目标温度的时长大于第一预设时长之后，对半导体芯片进行三温测试。
在一种可选的实施方式中，在第一次控制三温测试探头的温度为目标温度的情况下，控制三温测试探头的温度为目标温度，包括：以第一预设速度控制三温测试探头的温度为第一温度，其中，第一温度根据目标温度与预设间隔温度确定；以第二预设速度将三温测试探头从第一温度调整到目标温度，其中，第二预设速度小于第一预设速度。
第二方面，本发明提供了一种半导体芯片的三温测试装置，装置包括：获取模块，用于获取半导体芯片的测试温度；第一确定模块，用于根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度；第一控制模块，用于控制三温测试探头的温度为目标温度；测试模块，用于对半导体芯片进行三温测试。
在一种可选的实施方式中，在根据第一映射关系和测试温度确定目标温度之前，装置还包括：第二确定模块，用于基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，其中，多个指定温度与多个实际温度一一对应，指定温度为三温测试探头的预设温度，实际温度表征在对应的指定温度下，半导体芯片封装内部的温度。
在一种可选的实施方式中，第一映射关系为：
t=Kn×T
其中，T为测试温度，t为目标温度，Kn为拟合系数，拟合系数通过对多个指定温度和多个实际温度进行拟合确定。
在一种可选的实施方式中，三温测试探头处安装有第一温度传感器，第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，第一温度感应模块设置在第一外壳远离三温测试探头的一侧，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同，以使第一温度感应模块检测的温度等效于半导体芯片封装内部的温度。
在一种可选的实施方式中，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同包括第一外壳的材料和半导体封装的材料相同、第一外壳的厚度和半导体封装的厚度相同以及第一外壳的形状和半导体封装的形状相同。
在一种可选的实施方式中，三温测试探头处安装有多个第二温度传感器，各个第二温度传感器分别与不同的半导体芯片的封装结构相同。
在一种可选的实施方式中，装置还包括：第三确定模块，用于基于预设测试温度区间和第一步进温度确定多个指定温度，其中，多个指定温度位于预设测试温度区间内，第一步进温度为多个指定温度中相邻的两个指定温度的温度差；第二控制模块，用于依次将三温测试探头的温度控制在多个指定温度下，根据第一温度感应模块检测得到的温度，确定多个实际温度。
在一种可选的实施方式中，装置还包括：第四确定模块，用于确定测试模式，其中，测试模式包括单点测试模式和扫描测试模式；第一记录模块，用于在测试模式为单点测试模式的情况下，记录半导体芯片在测试温度下的测试结果之后，结束测试；第一更新模块，用于在测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，并根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度，继续测试。
在一种可选的实施方式中，第一更新模块，包括：第一更新单元，用于在测试温度大于预设最小测试温度，且测试温度小于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和，或更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差；第二更新单元，用于在测试温度等于预设最小测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和；第三更新单元，用于在测试温度等于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差。
在一种可选的实施方式中，在第一测试温度与第二步进温度的和大于预设最大测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最大测试温度，在第一测试温度与第二步进温度的差小于预设最小测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最小测试温度，其中，第一测试温度为多次更新后的测试温度。
在一种可选的实施方式中，在更新后的测试温度等于预设最小测试温度或者预设最大测试温度的情况下，装置还包括：第五确定模块，用于确定测试次数是否大于预设测试次数；第二记录模块，用于在测试次数大于预设测试次数的情况下，记录半导体芯片在多个测试温度下的测试结果之后，结束测试；第二更新模块，用于在测试次数小于预设测试次数的情况下，再次根据第二步进温度更新测试温度，得到再次更新后的测试温度，其中，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和。
在一种可选的实施方式中，装置还包括：第六确定模块，用于根据预设最大测试温度、预设最小测试温度和所述第二步进温度，确定所述预设测试次数。
在一种可选的实施方式中，测试模块，包括：第一测试单元，用于在三温测试探头的温度保持在目标温度的时长大于第一预设时长之后，对半导体芯片进行三温测试。
在一些可选的实施方式中，在第一次控制三温测试探头的温度为目标温度的情况下，第一控制模块，包括：第一控制单元，用于以第一预设速度控制三温测试探头的温度为第一温度，其中，第一温度根据目标温度与预设间隔温度确定；第二控制单元，用于以第二预设速度控制三温测试探头的第一温度为目标温度，其中，第二预设速度小于第一预设速度。
第三方面，本发明提供了一种半导体芯片的三温测试设备，设备包括中央控制装置和三温测试装置，三温测试装置包括三温测试探头；中央控制装置，用于获取半导体芯片的测试温度，用于根据第一映射关系和测试温度确定目标温度，用于控制三温测试探头的温度为目标温度，以及用于对半导体芯片进行三温测试，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度。
第四方面，本发明提供了一种计算机设备，包括：存储器和处理器，存储器和处理器之间互相通信连接，存储器中存储有计算机指令，处理器通过执行计算机指令，从而执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的方法。
第五方面，本发明提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机指令，计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的方法。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或相关技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的一种半导体芯片的三温测试方法的流程示意图；
图2是根据本发明实施例的另一种半导体芯片的三温测试方法的流程示意图；
图3是根据本发明实施例的又一种半导体芯片的三温测试方法的流程示意图；
图4是根据本发明实施例的半导体芯片的三温测试装置的结构框图；
图5是本发明实施例的计算机设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请提供的半导体芯片的三温测试方法，在对半导体芯片进行性能的三温测试时，能够使半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，大大提高三温测试的测试精度。
根据本发明实施例，提供了一种半导体芯片的三温测试方法实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
在本实施例中提供了一种半导体芯片的三温测试方法，可用于中央控制装置，该中央控制装置可以为计算机设备、笔记本电脑或平板电脑等终端设备，也可以为设置在三温测试装置中的处理器，本申请不做限定。图1是根据本发明实施例的半导体芯片的三温测试方法的流程示意图，如图1所示，该方法包括如下步骤：
步骤S101，获取半导体芯片的测试温度。
具体地，测试温度为在对半导体芯片进行电性能或其他性能的三温测试时，半导体芯片封装内部所需达到的温度。
示例性的，测试温度可以由测试工程师通过外部输入设备（例如，鼠标、键盘或者触摸屏等）输入中央控制装置，使中央控制装置获取测试温度。中央控制装置也可以从远端设备获取测试温度，其中，远端设备与中央控制装置连接，远端设备存储测试温度，远端设备可以为服务器、云平台、手机、电脑或计算机等设备。
本实施例中，半导体芯片封装内部的温度具体指封装之后的半导体芯片内裸片（die）的温度，即芯片实际温度。
步骤S102，根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度。
其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度。也就是说，第一映射关系为三温测试探头的温度（半导体芯片封装外部的温度）与半导体芯片封装内部的温度之间的对应关系。
示例性的，可以通过预设函数模型（一种数学模型）表示第一映射关系，在确定预设函数模型和测试温度之后，将测试温度输入预设函数模型，然后将预设函数模型的输出值确定为目标温度。
示例性的，第一映射关系可以由测试工程师确定，并通过外部输入设备输入中央控制装置，使第一映射关系提前存储在中央控制装置。
示例性的，第一映射关系也可以由中央控制装置自动生成，中央控制装置自动生成第一映射关系的过程在下文进行详细说明。
步骤S103，控制三温测试探头的温度为目标温度。
具体地，中央控制装置在确定目标温度之后，向三温测试装置发送加热指令，使三温测试装置控制三温测试探头将温度升高至目标温度，或者，向三温测试装置发送降温指令，使三温测试装置控制三温测试探头将温度降低至目标温度。
需要说明的是，中央控制装置与三温测试装置可以为一体设备，也可以为两个独立的分体设备，并且中央控制装置和三温测试装置可实现数据通信。
步骤S104，对半导体芯片进行三温测试。
具体地，在三温测试探头的温度为目标温度时，表示半导体芯片封装内部的温度达到测试温度，开始对半导体芯片进行各项电性能的三温测试。其中，三温测试的详细操作过程可从相关技术中选取，本实施例不进行赘述。
本实施例提供的半导体芯片的三温测试方法，中央控制装置获取半导体芯片的测试温度之后，根据第一映射关系和测试温度确定目标温度，然后控制三温测试探头的温度为目标温度，在三温测试探头的温度为目标温度的情况下，对半导体芯片进行电性能的三温测试。本实施例提供的方法，通过三温测试探头的温度与半导体芯片封装内部的温度之间的对应关系，对三温测试探头输出的温度进行控制，从而实现对半导体芯片封装内部的温度的控制，使得在对半导体芯片进行电性能的三温测试时，半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，从而大大提高三温测试的测试精度。
在本实施例中提供了一种半导体芯片的三温测试方法，可用于上述的中央控制装置，图2是根据本发明实施例的另一种半导体芯片的三温测试方法的流程示意图，如图2所示，该方法包括如下步骤：
步骤S201，获取半导体芯片的测试温度。
详细请参见图1所示实施例的步骤S101，在此不再赘述。
步骤S202，基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系。
其中，多个指定温度tn与多个实际温度Tn一一对应，指定温度为三温测试探头的预设温度，实际温度表征在对应的指定温度下，半导体芯片封装内部的温度。
下面首先对指定温度对应的实际温度的确定方式进行说明。
具体地，在三温测试探头处安装第一温度传感器，其中，第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，第一温度感应模块设置在第一外壳远离三温测试探头的一侧，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同，以使第一温度感应模块检测的温度等效于半导体芯片封装内部的温度，三温测试探头的温度等效于半导体芯片封装外部的温度。即，第一温度传感器的外壳部分（即第一外壳）分为靠近三温测试探头的一侧和远离三温测试探头的一侧，三温测试探头设置于靠近三温测试探头的一侧，第一温度感应模块设置于外壳部分远离三温测试探头的一侧。其中，中央控制装置与第一温度传感器同样可以实现数据通信。
示例性的，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同包括第一外壳的材料和半导体芯片的封装的材料完全相同、第一外壳的厚度和半导体芯片的封装的厚度完全相同以及第一外壳的形状和半导体芯片的封装的形状完全相同。
在一些可选的实施方式中，在上述设置下，确定多个指定温度tn与多个实际温度Tn的步骤包括步骤a1和步骤a2：
步骤a1，基于预设测试温度区间和第一步进温度确定多个指定温度。
其中，多个指定温度位于预设测试温度区间内，第一步进温度为多个指定温度中相邻的两个指定温度的温度差。
示例性的，预设测试温度区间和第一步进温度为预设值，可以由测试工程师根据测试需求确定，例如，预设测试温度区间为-40℃到150℃，第一步进温度为10℃。此时，多个指定温度可以为-40℃，-30℃，-20℃，-10℃，0℃，10℃，20℃，……，140℃，150℃。多个指定温度的个数可以根据预设测试温度区间和第一步进温度确定，例如，预设测试温度区间为预设最小测试温度Tmin-预设最大测试温度Tmax，可将n设计为(Tmin-Tmax)/Td1，其中，n表示多个指定温度的个数，Td1表示第一步进温度。比如，Tmin为-40℃，Tmax为150℃，若Td1为10℃，则n为19，若Td1为5℃，则n为38。
步骤a2，依次将三温测试探头的温度控制在多个指定温度下，根据第一温度感应模块检测得到的温度，确定多个实际温度。
示例性的，依据多个指定温度，中央控制装置给三温测试装置发送加热或者降温指令，使三温测试装置控制三温测试探头升高或者降低到指定温度t1，三温测试装置将三温测试探头的实时温度传输到中央控制装置，中央控制装置对三温测试探头的温度稳定在指定温度t1的时长进行计时，当三温测试探头的温度稳定在指定温度t1的时长超过第一预设时长M后，中央控制装置对温度传感器发出测温指令，通过第一温度传感器的第一温度感应模块对外壳部分远离三温测试探头的一侧的温度进行温度检测，中央控制装置读取并存储通过第一温度传感器得到的实际温度T1，重复上述过程，中央控制装置内存储对应的指定温度tn和实际温度Tn，即得到多个指定温度对应的多个实际温度。
可选地，第一预设时长M可以为5s-10s中的任意值，例如，M为5s、6s、8s或10s。
具体地，为了提高第一次测试的指定温度对应的实际温度的准确性，在第一次将三温测试探头的温度控制在指定温度时的具体操作步骤可以包括：以第一预设速度控制三温测试探头的温度为中间温度，在三温测试探头的温度达到中间温度之后，以第二预设速度控制三温测试探头的温度从中间温度上升或下降到该指定温度。其中，中间温度根据指定温度与预设间隔温度确定，第二预设速度小于第一预设速度，例如，若第一预设速度为每秒2℃，第二预设速度为每秒0.1℃，指定温度为50℃，预设间隔温度2℃，则控制三温测试探头以每秒2℃的速度快速地上升到48℃=(50℃-2℃)或下降到52℃=(50℃+2℃)，然后控制三温测试探头以每秒0.1℃的速度升温或者降温到50℃。
需要说明的是，在非首次（第一次）将三温测试探头的温度控制在指定温度时，可以直接以第三预设速度控制三温测试探头的温度到达指定温度，其中，第三预设速度小于第一预设速度，第三预设速度可以与第二预设速度相同，也可以与第二预设速度不同，例如，第三预设速度可以为每秒0.1℃、每秒0.2℃或每秒0.3℃等。
在另一些可选的实施方式中，为了进一步提高三温测试的精度和效率，多个指定温度之间的温度差可以不同，具体地，根据具体待测试半导体芯片的应用场景，可以将预设测试温度区间划分为两个温度区间，即预设测试温度区间包括第一温度区间和第二温度区间，第一温度区间为待测试半导体芯片最常出现的应用场景下的温度区间，第一温度区间中相邻的两个指定温度的温度差小于第二温度区间中相邻的两个指定温度的温度差。
例如，当该待测芯片实际所需的三温测试的温度区间为-40℃到150℃，且其最常出现的应用场景下的温度区间为0℃到70℃时，可将-40℃到0℃以及70℃到150℃的步进温度设计为5℃或者10℃，而将0℃到70℃（即第一温度区间）的步进温度设计为2℃或者3℃，从而得到更多的指定温度和实际温度，进一步提高三温测试的精度和效率。
下面对根据多个指定温度和多个实际温度确定第一映射关系的方式进行说明。
示例性的，在确定多个指定温度和多个实际温度之后，可以对多个指定温度和多个实际温度进行曲线拟合，进而确定第一映射关系。
具体地，中央控制装置可以基于多个指定温度和多个实际温度，自动生成第一映射关系。示例性的，中央控制装置配置有matlab、origin或Excel等软件，中央控制装置在确定多个指定温度和多个实际温度之后，可以通过matlab、origin或Excel等软件进行曲线拟合，确定测试温度与目标温度之间的函数关系，并自动将确定的函数关系确定为第一映射关系。
示例性的，在确定多个指定温度和多个实际温度之后，可以将如下公式（1）确定为第一映射关系：
其中，T为测试温度，t为目标温度 ，Kn为拟合系数，其中，拟合系数通过对多个指定温度和多个实际温度进行拟合确定，示例性的，在n=1时，K1=t1/T1，在n＞1时，Kn=(t(n)-t(n-1))/(T(n)-T(n-1))，其中，n表示指定温度的个数，t(n)表示第n个指定温度，t(n-1)表示第n-1个指定温度，T(n)表示与t(n)对应的实际温度，T(n-1)表示与t(n-1)对应的实际温度。
步骤S203，根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度。
具体地，在确定测试温度Ts1之后，中央控制装置在存储器中查找测试温度Ts1所处的实际温度区间T(n-1)-T(n)，得到此时Kn，进而根据公式（1）和测试温度确定目标温度tz1。
步骤S204，控制三温测试探头的温度为目标温度。
详细请参见图1所示实施例的步骤S103，在此不再赘述。
步骤S205，对半导体芯片进行三温测试。
详细请参见图1所示实施例的步骤S104，在此不再赘述。
本实施例提供的半导体芯片的三温测试方法，通过在三温测试探头处安装具有与半导体芯片的封装结构完全相同的第一外壳的第一温度传感器，能够准确确定半导体芯片封装外部的温度达到指定温度时，半导体芯片封装内部的实际温度，从而准确确定第一映射关系。
进一步地，在一些可选的实施方式中，三温测试探头处安装有多个第二温度传感器，各个第二温度传感器的第二外壳分别与不同的半导体芯片的封装结构相同。具体地，三温测试探头出安装有多个第二温度传感器，且各个第二温度传感器的第二外壳分别与不同半导体芯片的封装的材料、厚度以及形状完全一一对应。
在本实施例中，三温测试装置可以对不同封装的半导体芯片同时进行三温测试，在同时得到不同封装的半导体芯片的拟合曲线系数Kn之后，再同时对不同封装的半导体芯片进行各项电性能测试，从而大大提高三温测试的效率。
在本实施例中提供了一种半导体芯片的三温测试方法，可用于上述的中央控制装置，图3是根据本发明实施例的又一种半导体芯片的三温测试方法的流程示意图，如图3所示，该方法包括如下步骤：
步骤S301，获取半导体芯片的测试温度。
详细请参见图1所示实施例的步骤S101，在此不再赘述。
步骤S302，根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度。
详细请参见图1所示实施例的步骤S102，在此不再赘述。
步骤S303，控制三温测试探头的温度为目标温度。
具体地，在实际应用中，可能需要在多个测试温度下对半导体芯片的性能进行测试。
示例性的，在第一次控制三温测试探头的温度为目标温度的情况下，上述步骤S303包括步骤b1和步骤b2：
步骤b1，以第一预设速度控制三温测试探头的温度为第一温度。
其中，第一温度根据目标温度与预设间隔温度确定。例如，第一温度可以为目标温度与预设间隔温度的和，也可以为目标温度与预设间隔温度的差值。预设间隔温度为预设值，例如，预设温度为2℃，目标温度为40℃，此时，第一温度可以为38℃或42℃。
步骤b2，以第二预设速度将三温测试探头的温度从第一温度调整到目标温度。
具体地，以第二预设速度将三温测试探头的温度从第一温度上升或降低（调整）到目标温度，其中，第二预设速度小于第一预设速度。例如，第一预设速度为每秒2℃，第二预设速度为每秒0.1℃。
具体地，控制三温测试探头的温度为目标温度时，可以首先快速地将温度升高或降低到第一温度，然后再从第一温度升高或降低到目标温度，能够更快速准确地将三温测试探头的温度控制在目标温度。
在非首次（第一次）控制三温测试探头的温度为目标温度的情况下，控制三温测试探头的温度为目标温度，可以包括：以第三预设速度将三温测试探头的温度调整（上升或降低）到目标温度，其中，第三预设速度小于第一预设速度，第三预设速度可以和第二预设速度相同，也可以和第二预设速度不同，例如，第三预设速度可以为每秒0.1℃、每秒0.2℃或每秒0.3℃。
步骤S304，在三温测试探头的温度保持在目标温度的时长大于第一预设时长之后，对半导体芯片进行三温测试。
其中，第一预设时长为预设值，例如，第一预设时长可以为5s、8s或10s。
具体地，中央控制装置对三温测试探头的温度稳定在目标温度的时长进行计时，当计时时长达到第一预设时长后，认为半导体芯片封装外部的温度达到目标温度，半导体芯片封装内部的温度达到测试温度，此时对半导体芯片的各项电性能进行三温测试。
步骤S305，确定测试模式。
其中，测试模式包括单点测试模式和扫描测试模式。
示例性的，测试模式可以由测试工程师通过外部输入设备输入中央控制装置。
具体地，在测试模式为单点测试模式的情况下，执行步骤S306，在测试模式为扫描测试模式的情况下，执行步骤S307。
步骤S306，在测试模式为单点测试模式的情况下，记录半导体芯片在测试温度下的电性能测试结果之后，结束测试。
步骤S307，在测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，并根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度，继续测试。
具体地，上述步骤S307包括步骤c1至步骤c3：
步骤c1，在测试温度大于预设最小测试温度，且测试温度小于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和，或更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差。
步骤c2，在测试温度等于预设最小测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和。
步骤c3，在测试温度等于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差。
其中，预设最小测试温度Tmin、预设最大测试温度Tmax和第二步进温度Td2均为预设值。
即，在Tmin＜测试温度Ts1＜Tmax时，在测试温度Ts1的基础上，中央控制装置升高或者降低第二步进温度Td2后，得到更新后的测试温度（即新的测试温度），之后，中央控制装置重新执行上述步骤S302、步骤S303、步骤S304和步骤S307，直到新的测试温度等于Tmin或者Tmax；在测试温度Ts1=Tmin时，中央控制装置升高第二步进温度Td2后，得到更新后的测试温度（即新的测试温度），之后，中央控制装置重新执行上述步骤S302、步骤S303、步骤S304和步骤S307，直到新的测试温度Ts1等于Tmax；在测试温度Ts1=Tmax时，中央控制装置降低第二步进温度Td2后，得到更新后的测试温度（即新的测试温度），之后，中央控制装置重新执行上述步骤S302、步骤S303、步骤S304和步骤S307，直到新的测试温度Ts1等于Tmin。
需要说明的是，在第一测试温度与第二步进温度的和大于预设最大测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最大测试温度，在第一测试温度与第二步进温度的差小于预设最小测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最小测试温度。即，在第一测试温度加上或者减去第二步进温度之后，大于Tmax或者小于Tmin时，将新的测试温度取值为Tmax或者Tmin。其中，第一测试温度为经过多次更新后的测试温度。
示例性的，中央控制装置包括计数器，在每次执行步骤S307时，控制计数器中的数值加1，中央控制装置可以从计数器中获取测试次数。
进一步地，在更新后的测试温度等于预设最小测试温度或者预设最大测试温度的情况下，即在新的测试温度等于Tmin或者Tmax时，半导体芯片的三温测试方法还包括步骤d1至步骤d3：
步骤d1，确定测试次数是否大于预设测试次数。
示例性的，预设测试次数可以为预设值，可以由测试工程师根据经验配置。
在一个可选的实施方式中，可以根据预设最大测试温度、预设最小测试温度和第二步进温度，确定预设测试次数。具体地，预设测试次数md可以为(Tmax-Tmin)/Td2。
具体地，在确定测试次数和预设测试次数md之后，在测试次数m大于预设测试次数md的情况下，执行步骤d2，在测试次数m小于预设测试次数md的情况下，执行步骤d3。
步骤d2，在测试次数大于预设测试次数的情况下，记录半导体芯片在多个测试温度下的三温测试结果之后，结束测试。
步骤d3，在测试次数小于预设测试次数的情况下，再次根据第二步进温度更新测试温度，得到再次更新后的测试温度。
其中，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和。
也就是说，在m<md的情况下，则在初次输入的测试温度Ts1的基础上，中央控制装置根据步骤S307的操作，反向升高或者降低第二步进温度Td2后，得到再次更新后的测试温度，之后，重复执行上述步骤S302、步骤S303、步骤S304和步骤S307，直到再次更新后的测试温度等于Tmin或者Tmax。即，若步骤S307是在初次输入的测试温度的基础上升高第二步进温度Td2，则此时在初次输入的测试温度的基础上降低第二步进温度Td2，反之亦然，从而得到再次更新的测试温度，然后根据第一映射关系重新确定三温测试装置的三温测试探头的目标温度，当三温测试探头的温度稳定在新的目标温度的时长超过第一预设时长M后，即说明半导体芯片封装内部的温度为再次更新后的测试温度，此时，对半导体芯片进行各项电性能测试，之后记录测试次数，根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度。
本实施例提供的半导体芯片的三温测试方法，中央控制装置获取半导体芯片的测试温度之后，根据第一映射关系和测试温度确定目标温度，然后控制三温测试探头的温度为目标温度，并在三温测试探头的温度保持在目标温度的时长大于第一预设时长之后，对半导体芯片进行电性能的三温测试，之后，中央控制装置还会确定测试模式，在测试模式为单点测试模式的情况下，记录测试结果并结束测试，在测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，更新测试温度，继续测试，直达测试次数大于预设测试次数，测试温度达到预设最大测试温度或预设最小测试温度。本实施例通过三温测试探头的温度与半导体芯片封装内部的温度之间的对应关系，对三温测试探头输出的温度进行控制，从而实现对半导体芯片封装内部的温度的控制，使得在对半导体芯片进行电性能的三温测试时，半导体芯片封装内部的温度为实际所需的温度，从而大大提高三温测试的测试精度。同时，本实施例能够自动完成多次测试，提高测试效率。
在本实施例中还提供了一种半导体芯片的三温测试装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的，术语“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
本实施例提供一种半导体芯片的三温测试装置，如图4所示，包括：
获取模块401，用于获取半导体芯片的测试温度；
第一确定模块402，用于根据第一映射关系和测试温度，确定目标温度，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度；
第一控制模块403，用于控制三温测试探头的温度为目标温度；
测试模块404，用于对半导体芯片进行三温测试。
在一些可选的实施方式中，在根据第一映射关系和测试温度确定目标温度之前，装置还包括：
第二确定模块，用于基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，其中，多个指定温度与多个实际温度一一对应，指定温度为三温测试探头的预设温度，实际温度表征在对应的指定温度下，半导体芯片封装内部的温度。
在一些可选的实施方式中，第一映射关系为：
t=Kn×T
其中，T为测试温度，t为目标温度，Kn为拟合系数，其中，拟合系数通过对多个指定温度和多个实际温度进行拟合确定。
在一些可选的实施方式中，三温测试探头处安装有第一温度传感器，第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，第一温度感应模块设置在第一外壳远离三温测试探头的一侧，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同，以使第一温度感应模块检测的温度等效于半导体芯片封装内部的温度。
在一些可选的实施方式中，第一外壳与半导体芯片的封装结构相同包括第一外壳的材料和半导体封装的材料相同、第一外壳的厚度和半导体封装的厚度相同以及第一外壳的形状和半导体封装的形状相同。
在一些可选的实施方式中，三温测试探头处安装有多个第二温度传感器，各个第二温度传感器分别与不同的半导体芯片的封装结构相同。
在一些可选的实施方式中，装置还包括：
第三确定模块，用于基于预设测试温度区间和第一步进温度确定多个指定温度，其中，多个指定温度位于预设测试温度区间内，第一步进温度为多个指定温度中相邻的两个指定温度的温度差；
第二控制模块，用于依次将三温测试探头的温度控制在多个指定温度下，根据第一温度感应模块检测得到的温度，确定多个实际温度。
在一些可选的实施方式中，装置还包括：
第四确定模块，用于确定测试模式，其中，测试模式包括单点测试模式和扫描测试模式；
第一记录模块，用于在测试模式为单点测试模式的情况下，记录半导体芯片在测试温度下的测试结果之后，结束测试；
第一更新模块，用于在测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，并根据第二步进温度更新测试温度，得到更新后的测试温度，继续测试。
在一些可选的实施方式中，第一更新模块，包括：
第一更新单元，用于在测试温度大于预设最小测试温度，且测试温度小于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和，或更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差；
第二更新单元，用于在测试温度等于预设最小测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和；
第三更新单元，用于在测试温度等于预设最大测试温度的情况下，更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差。
在一些可选的实施方式中，在第一测试温度与第二步进温度的和大于预设最大测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最大测试温度，在第一测试温度与第二步进温度的差小于预设最小测试温度时，更新后的第一测试温度为预设最小测试温度。
在一些可选的实施方式中，在更新后的测试温度等于预设最小测试温度或者预设最大测试温度的情况下，装置还包括：
第五确定模块，用于确定测试次数是否大于预设测试次数；
第二记录模块，用于在测试次数大于预设测试次数的情况下，记录半导体芯片在多个测试温度下的测试结果之后，结束测试；
第二更新模块，用于在测试次数小于预设测试次数的情况下，再次根据第二步进温度更新测试温度，得到再次更新后的测试温度，其中，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差，在更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的差的情况下，再次更新后的测试温度为测试温度与第二步进温度的和。
在一些可选的实施方式中，装置还包括：
第六确定模块，用于根据预设最大测试温度、预设最小测试温度和第二步进温度，确定预设测试次数。
在一些可选的实施方式中，测试模块404，包括：
第一测试单元，用于在三温测试探头的温度保持在目标温度的时长大于第一预设时长之后，对半导体芯片进行三温测试。
在一些可选的实施方式中，在第一次控制三温测试探头的温度为目标温度的情况下，第一控制模块403，包括：
第一控制单元，用于以第一预设速度控制三温测试探头的温度为第一温度，其中，第一温度根据目标温度与预设间隔温度确定；
第二控制单元，用于以第二预设速度将三温测试探头的温度从第一温度调整（即上升或下降）到目标温度，其中，第二预设速度小于第一预设速度。
上述各个模块和单元的更进一步的功能描述与上述对应实施例相同，在此不再赘述。
本实施例中的半导体芯片的三温测试装置是以功能单元的形式来呈现，这里的单元是指专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC），执行一个或多个软件或固定程序的处理器和存储器，和/或其他可以提供上述功能的器件。
本发明实施例还提供了一种半导体芯片的三温测试设备，设备包括中央控制装置和三温测试装置，三温测试装置包括三温测试探头；中央控制装置，用于获取半导体芯片的测试温度，用于根据第一映射关系和测试温度确定目标温度，用于控制三温测试探头的温度为目标温度，以及用于对半导体芯片进行三温测试，其中，第一映射关系为测试温度和目标温度之间的函数关系，目标温度为三温测试探头使半导体芯片封装内部的温度达到测试温度所需的温度。
本发明实施例还提供一种计算机设备，具有上述图4所示的半导体芯片的三温测试装置。
请参阅图5，图5是本发明可选实施例提供的一种计算机设备的结构示意图，如图5所示，该计算机设备包括：一个或多个处理器510、存储器520，以及用于连接各部件的接口，包括高速接口和低速接口。各个部件利用不同的总线互相通信连接，并且可以被安装在公共主板上或者根据需要以其它方式安装。处理器可以对在计算机设备内执行的指令进行处理，包括存储在存储器中或者存储器上以在外部输入/输出装置(诸如，耦合至接口的显示设备)上显示GUI的图形信息的指令。在一些可选的实施方式中，若需要，可以将多个处理器和/或多条总线与多个存储器和多个存储器一起使用。同样，可以连接多个计算机设备，各个设备提供部分必要的操作(例如，作为服务器阵列、一组刀片式服务器、或者多处理器系统)。图5中以一个处理器510为例。
处理器510可以是中央处理器，网络处理器或其组合。其中，处理器510还可以进一步包括硬件芯片。上述硬件芯片可以是专用集成电路，可编程逻辑器件或其组合。上述可编程逻辑器件可以是复杂可编程逻辑器件，现场可编程逻辑门阵列，通用阵列逻辑或其任意组合。
其中，存储器520存储有可由至少一个处理器510执行的指令，以使至少一个处理器510执行实现上述实施例示出的方法。
存储器520可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据计算机设备的使用所创建的数据等。此外，存储器520可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非瞬时存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非瞬时固态存储器件。在一些可选的实施方式中，存储器520可选包括相对于处理器510远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该计算机设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
存储器520可以包括易失性存储器，例如，随机存取存储器；存储器也可以包括非易失性存储器，例如，快闪存储器，硬盘或固态硬盘；存储器520还可以包括上述种类的存储器的组合。
该计算机设备还包括输入装置530和输出装置540。处理器510、存储器520、输入装置530和输出装置540可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。
输入装置530可接收输入的数字或字符信息，以及产生与该计算机设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入，例如触摸屏、小键盘、鼠标、轨迹板、触摸板、指示杆、一个或者多个鼠标按钮、轨迹球、操纵杆等。输出装置40可以包括显示设备、辅助照明装置（例如，LED）和触觉反馈装置（例如，振动电机）等。上述显示设备包括但不限于液晶显示器，发光二极管，显示器和等离子体显示器。在一些可选的实施方式中，显示设备可以是触摸屏。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，上述根据本发明实施例的方法可在硬件、固件中实现，或者被实现为可记录在存储介质，或者被实现通过网络下载的原始存储在远程存储介质或非暂时机器可读存储介质中并将被存储在本地存储介质中的计算机代码，从而在此描述的方法可被存储在使用通用计算机、专用处理器或者可编程或专用硬件的存储介质上的这样的软件处理。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体、随机存储记忆体、快闪存储器、硬盘或固态硬盘等；进一步地，存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。可以理解，计算机、处理器、微处理器控制器或可编程硬件包括可存储或接收软件或计算机代码的存储组件，当软件或计算机代码被计算机、处理器或硬件访问且执行时，实现上述实施例示出的方法。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (16)
1.一种半导体芯片的三温测试方法，其特征在于，所述方法包括：
获取半导体芯片的测试温度；
基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，其中，所述多个指定温度与所述多个实际温度一一对应，所述指定温度为三温测试探头的预设温度，所述实际温度表征在对应的所述指定温度下，所述半导体芯片封装内部的温度，所述半导体芯片封装内部的温度指封装之后的半导体芯片内裸片的温度；所述三温测试探头处安装有第一温度传感器，所述第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，所述第一温度感应模块设置在所述第一外壳远离所述三温测试探头的一侧，所述第一外壳与所述半导体芯片的封装结构相同，以使所述第一温度感应模块检测的温度等效于所述半导体芯片封装内部的温度；
根据所述第一映射关系和所述测试温度，确定目标温度，其中，所述第一映射关系为所述测试温度和所述目标温度之间的函数关系，所述目标温度为三温测试探头使所述半导体芯片封装内部的温度达到所述测试温度所需的温度；
控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度；
对所述半导体芯片进行三温测试。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一映射关系为：
t=Kn×T
其中，T为所述测试温度，t为所述目标温度，Kn为拟合系数，所述拟合系数通过对所述多个指定温度和所述多个实际温度进行拟合确定。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外壳与所述半导体芯片的封装结构相同包括所述第一外壳的材料和所述半导体芯片的封装材料相同、所述第一外壳的厚度和所述半导体芯片的封装的厚度相同以及所述第一外壳的形状和所述半导体芯片的封装的形状相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三温测试探头处安装有多个第二温度传感器，各个所述第二温度传感器的第二外壳分别与不同的半导体芯片的封装结构相同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
基于预设测试温度区间和第一步进温度确定多个指定温度，其中，所述多个指定温度位于所述预设测试温度区间内，所述第一步进温度为所述多个指定温度中相邻的两个指定温度的温度差；
依次将所述三温测试探头的温度控制在所述多个指定温度下，根据所述第一温度感应模块检测得到的温度，确定多个实际温度。
6.根据权利要求1至5中任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定测试模式，其中，所述测试模式包括单点测试模式和扫描测试模式；
在所述测试模式为单点测试模式的情况下，记录所述半导体芯片在所述测试温度下的测试结果之后，结束测试；
在所述测试模式为扫描测试模式的情况下，记录测试次数，并根据第二步进温度更新所述测试温度，得到更新后的测试温度，继续测试。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据第二步进温度更新所述测试温度，得到更新后的测试温度，包括：
在所述测试温度大于预设最小测试温度，且所述测试温度小于预设最大测试温度的情况下，所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的和，或所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的差；
在所述测试温度等于所述预设最小测试温度的情况下，所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的和；
在所述测试温度等于所述预设最大测试温度的情况下，所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的差。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在第一测试温度与所述第二步进温度的和大于预设最大测试温度的情况下，更新后的第一测试温度为所述预设最大测试温度，在所述第一测试温度与所述第二步进温度的差小于预设最小测试温度的情况下，更新后的第一测试温度为所述预设最小测试温度，其中，所述第一测试温度为多次更新后的测试温度。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述更新后的测试温度等于预设最小测试温度或者预设最大测试温度的情况下，所述方法还包括：
确定所述测试次数是否大于预设测试次数；
在所述测试次数大于所述预设测试次数的情况下，记录所述半导体芯片在多个测试温度下的测试结果之后，结束测试；
在所述测试次数小于所述预设测试次数的情况下，再次根据所述第二步进温度更新所述测试温度，得到再次更新后的测试温度，其中，在所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的和的情况下，所述再次更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的差，在所述更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的差的情况下，所述再次更新后的测试温度为所述测试温度与所述第二步进温度的和。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述确定所述测试次数是否大于预设测试次数之前，所述方法还包括：
根据预设最大测试温度、预设最小测试温度和所述第二步进温度，确定所述预设测试次数。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述半导体芯片进行三温测试，包括：
在所述三温测试探头的温度保持在所述目标温度的时长大于第一预设时长之后，对所述半导体芯片进行三温测试。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在第一次控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度的情况下，所述控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度，包括：
以第一预设速度控制所述三温测试探头的温度为第一温度，其中，所述第一温度根据所述目标温度与预设间隔温度确定；
以第二预设速度将所述三温测试探头从所述第一温度调整到所述目标温度，其中，所述第二预设速度小于所述第一预设速度。
13.一种半导体芯片的三温测试装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于获取半导体芯片的测试温度；
第二确定模块，用于基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，其中，所述多个指定温度与所述多个实际温度一一对应，所述指定温度为三温测试探头的预设温度，所述实际温度表征在对应的所述指定温度下，所述半导体芯片封装内部的温度，所述半导体芯片封装内部的温度指封装之后的半导体芯片内裸片的温度；所述三温测试探头处安装有第一温度传感器，所述第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，所述第一温度感应模块设置在所述第一外壳远离所述三温测试探头的一侧，所述第一外壳与所述半导体芯片的封装结构相同，以使所述第一温度感应模块检测的温度等效于所述半导体芯片封装内部的温度；
第一确定模块，用于根据所述第一映射关系和所述测试温度，确定目标温度，其中，所述第一映射关系为所述测试温度和所述目标温度之间的函数关系，所述目标温度为三温测试探头使所述半导体芯片封装内部的温度达到所述测试温度所需的温度；
第一控制模块，用于控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度；
测试模块，用于对所述半导体芯片进行三温测试。
14.一种半导体芯片的三温测试设备，其特征在于，所述设备包括中央控制装置和三温测试装置，所述三温测试装置包括三温测试探头；
所述中央控制装置，用于获取半导体芯片的测试温度，用于基于多个指定温度和多个实际温度，确定第一映射关系，用于根据所述第一映射关系和所述测试温度，确定目标温度，用于控制所述三温测试探头的温度为所述目标温度，以及用于对所述半导体芯片进行三温测试，其中，所述第一映射关系为所述测试温度和所述目标温度之间的函数关系，所述目标温度为三温测试探头使所述半导体芯片封装内部的温度达到所述测试温度所需的温度，所述多个指定温度与所述多个实际温度一一对应，所述指定温度为所述三温测试探头的预设温度，所述实际温度表征在对应的所述指定温度下，所述半导体芯片封装内部的温度，所述半导体芯片封装内部的温度指封装之后的半导体芯片内裸片的温度；
所述三温测试探头处安装有第一温度传感器，所述第一温度传感器包括第一外壳和第一温度感应模块，所述第一温度感应模块设置在所述第一外壳远离所述三温测试探头的一侧，所述第一外壳与所述半导体芯片的封装结构相同，以使所述第一温度感应模块检测的温度等效于所述半导体芯片封装内部的温度。
15.一种计算机设备，其特征在于，包括：
存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1至12中任一项所述的方法。
16.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1至12中任一项所述的方法。
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