JP4029844B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents
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Description
図1において、電子部品としてのICチップ10は、たとえば、シリコン半導体チップに半導体製造技術を用いて、その表面11側にIC回路を形成したもの等とすることができる。
次に、上記半導体装置S1の製造方法について、図2および図3を参照して述べる。
ところで、本実施形態によれば、搭載部としてのアイランド部21の周囲にリード部22を有する基材としてのリードフレーム20を用意し、アイランド部21にディスペンスノズルD1を用いて接着剤30を塗布した後、接着剤30を介してアイランド部21に電子部品10を搭載するようにしたダイボンディング方法において、次のような特徴を有する方法が提供される。
なお、基材として、上記したリードフレーム以外にも、プリント基板やセラミック基板等の配線基板を用い、この配線基板上にICチップやその他の電子部品をダイボンディングする場合にも、上記カバー部材100を用いたダイボンディング方法を採用することができる。
21…搭載部としてのアイランド部、22…リード部、30…接着剤、
100…カバー部材、110…カバー部材の開口部、120…飛散防止壁、
D1…ディスペンスノズル。
Claims (4)
- 基材(20)の搭載部(21)にディスペンスノズル(D1)を用いて接着剤(30)を塗布した後、前記接着剤(30)を介して前記搭載部(21)に電子部品(10)を搭載するようにしたダイボンディング方法において、
前記接着剤(30)を塗布する工程は、前記搭載部(21)に対応した開口部(110)を有するとともに前記基材(20)のうち前記搭載部(21)以外の部位を覆うカバー部材(100)を用いて、前記接着剤(30)の塗布を行うものであり、
前記カバー部材(100)における前記開口部(110)の縁部には、前記カバー部材(100)にて覆われる前記基材(20)の部位への前記接着剤(30)の飛散を防止するための飛散防止壁(120)が設けられていることを特徴とするダイボンディング方法。 - 搭載部としてのアイランド部(21)の周囲にリード部(22)を有する基材としてのリードフレーム(20)を用意し、
前記アイランド部(21)にディスペンスノズル(D1)を用いて接着剤(30)を塗布した後、前記接着剤(30)を介して前記アイランド部(21)に電子部品(10)を搭載するようにしたダイボンディング方法において、
前記接着剤(30)を塗布する工程は、前記アイランド部(21)に対応した開口部(110)を有するとともに前記リードフレーム(20)のうち前記アイランド部(21)以外の部位を覆うカバー部材(100)を用いて、前記接着剤(30)の塗布を行うものであり、
前記カバー部材(100)における前記開口部(110)の縁部には、前記カバー部材(100)にて覆われる前記リードフレーム(20)の部位への前記接着剤(30)の飛散を防止するための飛散防止壁(120)が設けられていることを特徴とするダイボンディング方法。 - 前記飛散防止壁(120)は、前記カバー部材(100)の前記開口部(110)の縁部を折り曲げた形状として形成されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載のダイボンディング方法。
- 前記接着剤(30)を塗布する工程では、前記ディスペンスノズル(D1)を前記カバー部材(100)よりも上方に位置させた状態にて、前記ディスペンスノズル(D1)から前記接着剤(30)の吐出を開始することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のダイボンディング方法。
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