JP4022750B2

JP4022750B2 - 導電性粉体及びその製造方法並びに導電性シリコーンゴム組成物

Info

Publication number: JP4022750B2
Application number: JP2002317752A
Authority: JP
Inventors: 基夫福島; 幹夫飯野; 中村　　勉
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-10-31
Filing date: 2002-10-31
Publication date: 2007-12-19
Anticipated expiration: 2022-10-31
Also published as: JP2004152660A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性粉体及びその製造方法並びにそれを用いた導電性シリコーンゴム組成物に関し、更に詳しくは、加工性が優れ、マイグレーション等の不具合のない導電性粉体、及びその製造方法、並びにシリコーンゴムを使用する温度領域で安定な高い導電性を発揮できる導電性シリコーンゴム組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
導電性シリコーンゴム組成物は、硬化して導電性に優れたシリコーンゴムを形成するため、耐熱性、耐屈曲性及び高導電性が要求される多くの電気・電子材料の分野で利用されている。このようなゴム組成物に用いられる導電性粉体は、従来は低価格なカーボンが主に用いられていたが、最近電子部品の低抵抗化への要請から、高い導電性を持つ金属粉が用いられるようになってきた。
【０００３】
金属粉として金や白金などの貴金属は、高い抗酸化性と高い導電性を持つため、耐熱性の高い導電性付与の粉体として可能性を持っているが、極めて高価であり、比重が高いという問題点のため、商業的には全く使用されていない。また、安価である銅やニッケル粉は、高い導電性を持っているものの、空気中の酸素や水分の影響により粉体表面に酸化膜を形成して導電性を悪化させるという問題点がある。そのため、耐熱性のあるシリコーンゴムが使用される条件下で、比較的酸化膜を形成しにくく導電性が高い銀粉体が、シリコーンゴム用の導電性粉体として頻繁に使用されていた。
【０００４】
こうした銀粉を導電性粉体としたシリコーンゴム組成物は、従来より知られている様々な処方で架橋成形され、付加反応硬化型シリコーンゴム組成物、縮合反応硬化型シリコーンゴム組成物、パーオキサイド加硫型シリコーンゴム組成物等のシリコーンゴム組成物が、導電性シリコーンゴム組成物として利用されている。
【０００５】
しかしながら、銀粉は、マイグレーションと硫化という２つの大きな問題点を持っていた。銀粉は、もともと溶出を起こし易い性質を有しており、水分の存在下で直流電圧が印加されると、電極や配線導体にマイグレーションと呼ばれている銀の電解析出が生じ、本来絶縁されているべき電極間や配線間が短絡するという重大な問題があった。近年の電子部品の小型軽量化に伴い、回路基板に設けられた電極ピッチや配線間の距離は狭くなっているため、こうしたマイグレーションは、即装置の重大な故障に直結する。そこで、このマイグレーションの防止は、導電性材料としての実用化に不可欠になっている。
【０００６】
また、硫化とは、空気中に微量存在する排気ガス等からの二酸化硫黄や火山性のガスからの硫化水素等の硫黄を含む弱酸性気体と、銀が反応して硫化銀という導電性の低い物質に変化する現象を言う。これは水分の存在下に加速され、導電性粉体の抵抗率が増加し、結果的に導電性シリコーンゴムの体積抵抗率が上昇・悪化する。
【０００７】
これらは、いずれも銀が水分の存在下にイオン化されることが第一ステップであり、イオン化した銀が溶出し再度銀として析出したものがマイグレーションであり、イオン化した銀が硫黄イオンと反応したものが硫化であると解釈すれば対策は共通している。
【０００８】
従来より、こうした問題を抑制するために、銀とパラジウムの合金化によるイオン化の抑制が行われていたが、効果の割には高価なパラジウムの使用による価格の沸騰を招くため、実質的に限定的な使用しか行われていなかった。通常は、マイグレーションに関しては、素材レベルよりもむしろ、主に材料レベルでその耐マイグレーション性評価が行われ、その防止策が取られており（例えば、特開２０００−３５７７１５号公報）、安価な方法として、接点の外部をエポキシ樹脂等の膜で被覆することによる空気や水分との切断等による対策が行われていたが、確実に防止できる方法とは言えなかった。
【０００９】
このように、適切な導電性粉体の選択のために、その原料である導電性粉体レベルでの耐マイグレーション性の評価方法の確立と防止方法の実現が望まれていた。
【００１０】
導電性粉体の処理に関しては、既に、カーボンファンクショナルシランのような有機ケイ素化合物により表面処理した金属粉体を導電性粉体として用いることで、材料としての硬化物の特性が改良されたり（特開昭５９−２２３７３５号公報）、硬化性の経時変化を抑制でき、結果的に電気特性がよくなる（特許第２８６８９８６号明細書）ことは報告されているが、本マイグレーション問題に関しては、単なる銀粉体等のような金属粉を導電性粉体に用いている限り、決して解決されないでいた。
【００１１】
【特許文献１】
特開２０００−３５７７１５号公報
【特許文献２】
特開昭５９−２２３７３５号公報
【特許文献３】
特許第２８６８９８６号明細書
【特許文献４】
特開平１１−３０６８５５号公報
【特許文献５】
特開２０００−３１９５４１号公報
【特許文献６】
特開２０００−３１９５４２号公報
【特許文献７】
特開２００１−２３４３５号公報
【特許文献８】
特開２００１−１５２０４５号公報
【特許文献９】
特開２００１−１７２５０６号公報
【特許文献１０】
特開２００１−２００１５８号公報
【特許文献１１】
特開２００１−２００１８０号公報
【特許文献１２】
特開２００２−４０５７号公報
【特許文献１３】
特開２００２−１３３９４８号公報
【特許文献１４】
特開２００２−１６７５１２号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、シリコーンゴム組成物の成分に対する良好な混合・加工性を有し、またマイグレーションを防止して、シリコーンゴムを使用する温度領域で安定な高い導電性を発揮できる導電性粉体及びその製造方法、並びにそれを用いた導電性シリコーンゴム組成物を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上述した文献に、基材粉体の表面をポリシラン等のケイ素系高分子で処理することで、無電解メッキが容易になること、この無電解メッキによる金属で被覆された導電性粉体は、核となる粉体とそれを覆っている金属の間の密着性が極めて向上し、高信頼性を要求されるシリコーンゴム用の導電性粉体として使用できることを開示している。
【００１４】
本発明者らは、これを利用して、上記のマイグレーション問題を解決する方法を見出したものである。即ち、まず、原料である導電性粉体における耐マイグレーション性の評価手法を開発した。次に、これをもとにイオン化を防ぐための導電性粉体を選定したところ、電気陰性度の異なる２種類以上の金属で構成された金属被覆粉体が、マイグレーション性を阻止するのに望ましいことを見出した。更に、この金属被覆粉体の最表層をポリシロキサンで処理した導電性粉体を用いれば、耐マイグレーション性が大きく高まることを見出した。
【００１５】
つまり、本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面を、還元性を有するケイ素系高分子で処理し、この上を無電解メッキした後、最表層をポリシロキサンで処理すれば、電子材料用途に使用できるマイグレーション等の問題のない導電性粉体を容易に製造できることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１６】
従って、本発明は、
［Ｉ］無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面に還元性を有するケイ素系高分子層又はその一部又は全部をセラミック化した層が形成され、この層の表面上をメッキにより金属で被覆した第一金属層が形成され、更にその上を第一金属層よりも電気陰性度が高い金属で被覆した第二金属層が形成された金属被覆粉体であって、その最表層をポリシロキサンで処理してなることを特徴とする導電性粉体、
［ＩＩ］無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面に還元性を有するケイ素系高分子層又はその一部又は全部をセラミック化した層が形成され、この層の表面上をメッキにより金属で被覆した第一金属層が形成され、更にその上を第一金属層よりも電気陰性度が高い金属で被覆した第二金属層が形成された金属被覆粉体の最表層を、ポリシロキサンに対して溶解度パラメーターの差が２〜５である溶剤に溶解されたポリシロキサンで処理することを特徴とする導電性粉体の製造方法、
［ＩＩＩ］上記導電性粉体を含有してなる導電性シリコーンゴム組成物、特に
［ＩＶ］（Ａ）下記平均組成式
Ｒ_aＳｉＯ_(4-a)/2
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基、ａは１．９５〜２．０５の正数を表す。）
で示されるオルガノポリシロキサン：１００重量部、
（Ｂ）上記導電性粉体：５０〜５００重量部、
（Ｃ）架橋剤：硬化有効量
を含有することを特徴とする［ＩＩＩ］記載の導電性シリコーンゴム組成物
を提供する。
【００１７】
本発明による導電性粉体を用いれば、良好な加工性を有し、シリコーンゴムを使用する温度領域において安定で高い導電性を有する導電性シリコーンゴム組成物を得ることができる。
【００１８】
また、本組成物を架橋して得られたシリコーンゴムは、低比重、高耐熱性、高導電性の特性を安定して発揮できるため、高信頼性の電子材料用途に使用できる。特に、高温での酸化による導電性の低下が抑えられ、マイグレーション等の絶縁不良を起こすことなく、低い電気抵抗率を安定に保持できるため、ゴムコネクター、電磁波シールド用のガスケットや面状発熱体等の用途に好適に用い得る。
【００１９】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の導電性粉体は、無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面に還元性を有するケイ素系高分子層又はその一部又は全部をセラミック化した層が形成され、この層の表面上をメッキにより、電気陰性度の低い金属で被覆し、更にその上を電気陰性度が高い金属で被覆した金属被覆粉体であって、更に最表層をポリシロキサンで処理した導電性粉体である。
【００２０】
ここで、核となる粉体としては、無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体が選ばれるが、２００℃以上の耐熱性のある無機粉体が望ましい。その形状は球状、棒状、針状、中空状、その他不定形状であっても、外観上粒状又は粉状として扱われるもの全てを包含するが、分散性の点とコストを最小にする必要性から表面の貴金属を最小量にできる球状が望ましい。
【００２１】
このような無機粉体として、金属又は非金属の酸化物、アルミノ珪酸塩を含む金属珪酸塩、金属炭化物、金属窒化物、金属酸塩、金属ハロゲン化物又はカーボンであり、例えばシリカ、アルミナ、珪酸アルミナ、タルク、マイカ、シラスバルーン、グラファイト、ガラスファイバー、シリコンファイバー、カーボンファイバー、アスベスト、チタン酸カリウムウィスカー、亜鉛華、窒化アルミ、酸化マグネシウム、窒化ホウ素のようなものが挙げられる。
【００２２】
ポリシロキサンに分散させたときに比重差により沈降しない低比重導電性粉体用途に使用するためには、中空粒子が望ましく、本核となる中空粒子としては、無機中空粉体あるいは耐熱性のある有機中空粉体などが利用できる。ガラス中空粉体は、Ｃｅｌ−ｓｔａｒ（東海工業）、スコッチライト（住友３Ｍ）、中空ガラスビーズ（東芝バロティーニ）の名称で市販されており、アルミノシリケートからなる中空粉体は、Ｅ−Ｓｐｈｅｒｅｓ（秩父小野田）、Ｆｉｌｌｉｔｅ（日本フィライト）、シラスバルーン（丸中白土）が用い得る。
【００２３】
高度な信頼性を要求される電子材料に使用するためには、イオン性の金属を含んでおらず、耐熱的にも安定な無機粉体が望ましく、特にはケイ素系高分子化合物と相性のよいシリカであることが望ましい。特に、比表面積を低くするため、表面に繋がる空洞を内部に持たないものが望ましく、溶融石英粉が好適に用い得る。
【００２４】
核粉体の平均粒径は、０．１〜５００μｍ、より望ましくは１〜１００μｍである。０．１μｍ未満では、比表面積が高くなるため、メッキ金属の量が多くなり高価となる場合が生じる。また、５００μｍを超えると母材に混合しにくくなり、硬化物の表面が凸凹となる場合が生じる。
【００２５】
核粉体の比重は０．５〜５、より望ましくは０．６〜４である。０．５未満では、粒子の壁が薄くなるため機械的に破壊され易くなる場合が生じ、また、５を超えると、金属を被覆した場合の比重がポリシロキサンよりも高くなり、ゴム組成物とした場合経時で導電性粉体が沈降分離し易くなる場合が生じる。
【００２６】
この粉体を、還元性を有するケイ素系高分子で処理し、粉体の表面に還元性ケイ素系高分子の層を形成する。還元作用を持つケイ素系高分子としては、Ｓｉ−Ｓｉ結合及び／又はＳｉ−Ｈ結合を有するポリシラン、ポリカルボシラン、ポリシロキサン、ポリシラザン等が挙げられ、中でも、ポリシランが好適に用い得る。
【００２７】
特に、下記式（１）で表されるポリシランが好適である。
（Ｒ¹ _mＲ² _nＸ_pＳｉ）_q （１）
（式中、Ｒ¹，Ｒ²は水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基、ＸはＲ¹、アルコキシ基、ハロゲン原子、酸素原子、又は窒素原子を示し、ｍは０．１≦ｍ≦２、ｎは０≦ｎ≦１、ｐは０≦ｐ≦０．５であり、かつ、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する数である。ｑは４≦ｑ≦１００，０００を満足する整数である。）
【００２８】
本発明に用いる上記ポリシランにおいて、Ｒ¹，Ｒ²の種類は、水素原子、脂肪族又は脂環式炭化水素基としては、炭素数１〜１２、好ましくは１〜６であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１４、より好ましくは６〜１０のものが好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置換炭化水素基としては、上記に例示した非置換の炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。Ｘは、Ｒ¹と同様の基、アルコキシ基、ハロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４のもの、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が用いられる。ｍは０．１≦ｍ≦２、特に０．５≦ｍ≦１、ｎは０≦ｎ≦１、特に０．５≦ｎ≦１、ｐは０≦ｐ≦０．５、特に０≦ｐ≦０．２であり、かつ、１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、特に１．５≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは４≦ｑ≦１００，０００、特に１０≦ｑ≦１０，０００の範囲の整数である。
【００２９】
本発明において、粉体をトルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶媒中にてケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面に該ケイ素系高分子化合物の層を形成した後、この粉体を凝集のない状態で分散させ、次いでこの粉体を塩化パラジウムのような標準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属からなる金属塩で処理して、ケイ素系高分子化合物層上に金属コロイドを析出させ、その後無電解メッキ液で処理して、粉体の最表面に金属層を析出させる。必要により、最後に得られた粉体を２００℃以上の温度で熱処理して、該ケイ素系高分子化合物の一部又は全部をセラミック化することで、金属被覆粉体からなる導電性粉体を製造する。
【００３０】
無電解メッキ処理時のメッキ液は、必須成分であるメッキ金属塩液と還元剤液と任意成分である錯化剤、ｐＨ調整剤、界面活性剤などからなる。
【００３１】
本導電性粉体は、粉体表面上に、ケイ素系高分子化合物層、第一金属層及び第二金属層が順次形成されて、特に、電気陰性度の低い金属で被覆し、更にその上を電気陰性度が高い金属で被覆することを特徴とする。
【００３２】
メッキ金属塩液の金属の電気陰性度としてはＰａｕｌｉｎｇにより求められ、化学便覧等に記載されており、亜鉛／１．６、鉄／１．８、ニッケル／１．８、銅／１．９、銀／１．９、コバルト／１．８、タングステン／１．７、亜鉛／１．６、金／２．４、白金／２．２、パラジウム／２．２などの金属を含んでなるものが好適に用いられる。この単独の金属の他、合金、例えばＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｔ、Ｐｄ−Ｐｔなどから構成させることができる。かかる合金被膜を形成させるには所望に応じた複数の金属塩を添加すればよい。特に、第一金属層は、ニッケル、亜鉛、鉄、コバルトから選ばれる電気陰性度の低い金属よりなり、第二金属層は電気陰性度が高い金、銀、白金、パラジウムから選ばれる金属よりなる導電性粉体であることが望ましい。特には、第一金属層がニッケル、第二金属層が金あるいは銀である粉体−ケイ素系高分子−ニッケル−金あるいは銀という４層構造を持つ金属被覆粉体が望ましい。更には、粉体の最表面となる第二金属層は、貴金属の中でも高い導電率を持ち、高温、多湿雰囲気下に長時間置かれても酸化や硫化により抵抗率が上がることのない金が望ましく、第一金属層は、低価格、耐食性、適度な硬度があり、第二金属層の下地層として安定に保持する層となるニッケルが望ましい。
【００３３】
メッキ液は、更に、次亜リン酸ナトリウム、ホルマリン、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤、酢酸ナトリウムのようなｐＨ調整剤、フェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウムのような錯化剤を含む。メッキ金属塩液と還元剤液の配合割合は、それらの組み合わせにより異なるため一様ではないが、還元剤が酸化等による無効分解で消費されるため金属塩より過剰に用いられ、通常は金属塩の１．１〜５倍モルの還元剤が使用される。なお、無電解メッキ液は、市販されており、安価に入手することができる。
【００３４】
メッキ温度は、１５〜１００℃とし得るが、より望ましくは、浴中の金属イオン拡散速度が速く、メッキ金属のつきまわりがよく、かつ浴成分の揮発による減少、溶媒の減少などが比較的少ない４０〜９５℃、好ましくは６５〜８５℃で管理する。４０℃より低いとメッキ反応の進行が非常に遅くなる場合が生じ、９５℃より高いと溶媒に水を用いていることから溶媒の蒸発が激しく、浴管理が難しくなる場合が生じる。
【００３５】
このようにして粉体上に金属層を形成できるが、電気陰性度の低い第一の金属層が酸化されないうちにすぐに、電気陰性度の高い第二の金属層を形成させることが好ましい。この中で、金が安定性の面から、また銀が価格の面から最も望ましい。最初の金属層を形成させた粉体に対する次の金属層の表面被膜を形成する方法としては、無電解メッキ、電気メッキ、置換メッキのいずれの方法でもよい。無電解メッキの場合は、上記と同様の方法で行うことができる。
【００３６】
この工程終了後に、不要な金属塩、還元剤、錯化剤、界面活性剤等を除くため、十分な洗浄を行うとよい。金属層の厚さは、０．０１〜２０μｍ、望ましくは０．１〜１０μｍである。０．０１μｍ未満では、粉体を完全に被い、かつ十分な硬度や耐食性が得られにくくなる場合が生じ、また、２０μｍを超えると、金属の量が多くなり、高価となり、かつ比重が高くなるため、経済的に望ましくない場合が生じる。更に、価格を押さえるために、電気陰性度の低い第一の金属層が、電気陰性度の高い第二の金属層より厚いことが望ましく、第一の金属層が０．１〜１０．０μｍ、望ましくは０．２〜５．０μｍ、第二の金属層が、０．００５〜５μｍ、望ましくは０．０１〜１．０μｍであることがよい。
【００３７】
最後に、この金属被覆粉体を、アルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性気体、あるいは水素、アルゴン−水素、アンモニア等の還元性気体の存在下に１５０℃以上の温度で熱処理することが望ましい。不活性気体あるいは還元性気体の処理条件は、通常２００〜９００℃で、処理時間は１分〜２４時間が好適である。より望ましくは、２００〜５００℃で、処理時間は３０分〜４時間行うのがよい。これにより、粉体と金属間にある還元性ケイ素系高分子の一部あるいは全部は、セラミックに変化させられ、より高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことになる。このときの雰囲気を水素のような還元系で行うことにより、金属中の酸化物を減少させ、ケイ素系高分子を安定な構造に変えることで、粉体と金属が強固に結合し高い導電性を安定的に示す粉体を得ることができる。
【００３８】
この粉末は、更なる耐マイグレーション性向上のために、その表面をポリシロキサンにより処埋する。このポリシロキサンとしては、Ｒ³ ₃ＳｉＯ_1/2単位とＲ³ ₂ＳｉＯ_2/2単位からなる低粘度オイルからガム状までのジオルガノポリシロキサン；Ｒ³ ₃ＳｉＯ_1/2単位とＳｉＯ₂単位からなるシリコーンレジン、Ｒ³ＳｉＯ_3/2単位からなるシリコーンレジン、Ｒ³ ₂ＳｉＯ_2/2単位とＲ³ＳｉＯ_3/2単位からなるシリコーンレジン、Ｒ³ ₂ＳｉＯ_2/2単位とＲ³ＳｉＯ_3/2単位とＳｉＯ₂単位からなるシリコーンレジン等のシリコーンレジンが例示され、これらのポリシロキサンの単独もしくは２種以上の組み合わせからなるものであってもよい。
【００３９】
上記ポリシロキサンの単位式中、Ｒ³は置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素数１〜１２、特に１〜１０のもので、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、オクチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフロロプロピル基等の置換アルキル基が例示される。一分子中のＲ³は全て同一でもよく、また異なるものがあってもよいが、メチル基とビニル基が好ましく、特に全Ｒ³基中の９５モル％以上がメチル基であることが好ましい。また、Ｒ³はその一部が水酸基（シラノール基）であってもよい。シラノール基は末端に有することが好ましく、またシラノール基は一価の炭化水素基と併存していることが好ましい。
【００４０】
とりわけ、本ポリシロキサンは、マイグレーション性を防止しながら加工性を付与する成分であり、前記したＲ³ ₃ＳｉＯ_1/2及びＳｉＯ₂単位からなるＭＱレジンと称されるものと、Ｒ³ ₃ＳｉＯ_1/2及びＲ³ ₂ＳｉＯ_2/2単位からなる鎖状ポリシロキサンオイルと称されるものの組み合わせが好適に用い得る。
【００４１】
上記金属被覆粉体を上記ポリシロキサンで処理する方法としては、上記金属被覆粉体を上記ポリシロキサン自体に湿潤するか、又はポリシロキサンの有機溶剤溶液に浸漬した後、濾過により粉体と溶剤を分離し乾燥することにより、その最表層をポリシロキサンで処理した導電性粉体を製造することができる。この場合、ポリシロキサンの粘度が比較的高い場合や粉体表面に薄いポリシロキサンの被膜を形成するために、有機溶剤溶液を使用することが好ましい。特に、ポリシロキサンに対して溶解度パラメーターの差が２以上５以下である溶剤を用いて処理をする、導電性粉体の製造方法が好適に挙げられる。この場合、溶剤の溶解度パラメーター（ＳＰ価）は、例えば溶剤ハンドブック（浅原編ｐ．６２〜６３）、ポリシロキサンの溶解度パラメーターは、例えばシリコーンハンドブック（伊藤編ｐ．１４０）に記載されているが、ジメチルシリコーンは、７．２である。
【００４２】
溶解度パラメーターの差が２未満である溶剤は、ポリシロキサンを溶解・溶出させ易いため、所定の量のポリシロキサンを付着させ難い場合が生じ、溶解度パラメーターの差が５を超える溶剤は、ポリシロキサンを溶解しにくいため、粉体表面に均質にポリシロキサンを付着させ難いため、導電性が粉体のサンプリング場所で異なる場合が生じることがある。
【００４３】
このような有機溶剤としては、例えばエタノール／１１．２、プロパノール／１０．２等のアルコール系有機溶剤やアセトン／９．４等のケトン系有機溶剤、ジオキサン／９．８等のエーテル系有機溶剤が挙げられる。
【００４４】
上記オルガノポリシロキサンで処理する場合の条件は適宜選定されるが、処理温度は１０〜７０℃、特に２０〜５０℃、処理時間は１〜１００分、特に１５〜６０分であることが好ましい。また、かかる処理を複数回（例えば２〜４回）繰り返すことができる。更に、上記ポリシロキサンを上記溶剤に溶解して用いる場合、ポリシロキサンの濃度は０．１〜１５重量％、特に１〜５重量％とすることが好ましい。
【００４５】
また、上記金属被覆粉体を表面処理した後の乾燥条件は特に限定されず、室温から１０５℃の温度範囲で、更には５０℃以上の温度で４〜２４時間程度処理することが好ましい。
【００４６】
なお、このように金属被覆粉体表面はポリシロキサンで処理されるが、その場合の被膜の厚さは特に限定されず、薄膜であればあるほどシリコーンゴム組成物に配合して得られるシリコーンゴムの導電性が優れている点で好ましいが、シリコーンゴム組成物との親和性が低下するおそれがあり、またマイグレーション性が大きくなるおそれがあるので、目的により被膜の厚さを適宜選択する必要があるが、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．００１〜０．１μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍである。
【００４７】
本発明の導電性粉体は、種々の導電性用途に使用し得るが、特にシリコーンゴム組成物に配合して、導電性シリコーンゴム組成物を得ることが好ましい。この導電性シリコーンゴム組成物としては、この導電性粉体を含有し、硬化して導電性シリコーンゴムとなるものなら特に制限されない。
【００４８】
この場合、本発明に係る導電性シリコーンゴム組成物としては、特に
（Ａ）下記平均組成式
Ｒ_aＳｉＯ_(4-a)/2
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基、ａは１．９５〜２．０５の正数を表す。）
で示されるオルガノポリシロキサン：１００重量部、
（Ｂ）上記導電性粉体：５０〜５００重量部、
（Ｃ）本組成物を硬化させるに十分な量である架橋剤
を含有する導電性シリコーンゴム組成物が好ましい。
【００４９】
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、
Ｒ_aＳｉＯ_(4-a)/2
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基、ａは１．９５〜２．０５の正数を表す。）
で示され、本発明の組成物の主剤であり、強度に大きな影響を与えるものである。
【００５０】
Ｒは、同一又は異種の置換もしくは非置換の炭素数１〜１０、好ましくは１〜８の一価炭化水素基であるが、このような一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基等の一価炭化水素基が例示され、好ましくはメチル基、フェニル基、ビニル基であり、メチル基が５０モル％以上、特に８０モル％以上であることが好ましい。ａは１．９５〜２．０５の正数である。
【００５１】
後述する架橋剤が、オルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金系触媒を用いる場合は、Ｒは一分子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和基（アルケニル基）を有することが必要で、Ｒ中の脂肪族不飽和基の含有量は、０．０１〜１０モル％、特に０．０５〜５モル％であることが好ましい。具体的なアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基等が例示され、好ましくはビニル基である。該アルケニル基の結合位置は特に限定されず、例えば分子鎖末端、分子鎖側鎖、分子鎖末端と分子鎖側鎖が挙げられる。
【００５２】
このような（Ａ）成分は、具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体等が例示される。
【００５３】
架橋剤が、有機過酸化物である場合は、上記と同様なアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンが好ましいが、有機過酸化物の種類によっては、アルケニル基を含まないオルガノポリシロキサンも使用できる。具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体が例示される。
【００５４】
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、又は一部分岐を有する直鎖状が好ましい。なお、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、１種を単独で又は重合度や分子構造の異なる２種以上を混合して用いてよい。
【００５５】
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの重合度は、Ｒ_aＳｉＯ_(4-a)/2単位として１００以上の整数であり、好ましくは２００〜１００，０００である。この単位が１００未満ではゴム強度特性が悪く、本発明の目的を達し得ない場合がある。（Ａ）成分の粘度としては、２５℃において、２，０００センチポイズ以上、特に１万センチポイズ以上が好ましく、具体的には、通常シリコーン生ゴムと呼ばれる形態のオルガノポリシロキサンが好ましい。
【００５６】
（Ｂ）成分は、上述した本発明のポリシロキサン処理を施した導電性粉体であり、この（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して５０〜５００重量部の範囲であり、好ましくは１００〜４００重量部の範囲である。これは、（Ｂ）成分の配合量が、（Ａ）成分１００重量部に対して５０重量部未満であると、得られたシリコーンゴムの導電性が著しく低下するためであり、また５００重量部を超えると、得られた組成物の流動性が著しく低下し、その組成物の取扱い作業が著しく困難となるためである。
【００５７】
（Ｃ）成分は、（Ａ）成分を硬化し得る量の架橋剤である。この架橋剤としては、オルガノハイドロジェンポリシロキサンと白金系触媒、又は有機過酸化物が好ましい。
【００５８】
オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、架橋剤として機能するもので、ケイ素原子に結合している水素原子が（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中のアルケニル基とヒドロシリル化反応して架橋する。オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、一分子中にケイ素原子に直接結合している水素原子を少なくとも２個含有するものが好ましく、下記平均組成式
Ｒ⁴ _SＨ_tＳｉＯ_(4-s-t)/2
（式中、Ｒ⁴はＲと同様の基で、好ましくは脂肪族不飽和結合を有さないものである。ｓ，ｔは０≦ｓ＜３、０＜ｔ＜３、０＜ｓ＋ｔ＜３の数である。）
で表されるものが好ましく、特に限定はされないが、例えば下記式で示されるものが挙げられる。
Ｍｅ₃ＳｉＯ［ＳｉＭｅ₂Ｏ］_a［ＳｉＨＭｅＯ］_bＳｉＭｅ₃、
Ｍｅ₃ＳｉＯ［ＳｉＨＭｅＯ］_cＳｉＭｅ₃、
［ＳｉＨＭｅＯ］_d（環状シロキサン）、
Ｍｅ₂ＨＳｉＯ［ＳｉＭｅ₂Ｏ］_eＳｉＨＭｅ₂、
Ｍｅ₂ＨＳｉＯ［ＳｉＭｅ₂Ｏ］_f［ＳｉＨＭｅＯ］_gＳｉＨＭｅ₂
（式中、Ｍｅはメチル基を示し、ａ，ｂ，ｃ，ｅ，ｆ及びｇは２以上の整数、ｄは３以上の整数を表す。）
【００５９】
また、Ｍｅ₂ＨＳｉＯ_1/2単位及び／又はＭｅＨＳｉＯ_2/2単位を含み、更にＭｅ₃ＳｉＯ_1/2単位、Ｍｅ₂ＳｉＯ_2/2単位、（Ｃ₆Ｈ₅）₂ＳｉＯ_2/2単位、ＭｅＳｉＯ_3/2単位、（Ｃ₆Ｈ₅）ＳｉＯ_3/2単位及びＳｉＯ₂単位から選ばれる少なくとも１種の単位を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを使用することができる。
【００６０】
これらの１種又は２種以上を選んで配合するが、その配合量はケイ素原子に直接結合した水素原子（ＳｉＨ基）の全原子数（モル数）（Ｈ）と（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中の全アルケニル基のモル数（Ｖｉ）の比（Ｈ）／（Ｖｉ）が０．１〜１５、特に１〜１０の範囲になるように配合することが好ましい。この比が０．１未満になると架橋密度が低くなってゴム強度も低くなる場合があり、１５を超えると加熱時に水素ガスによる発泡が生じ易くなる場合がある。
【００６１】
白金系触媒はヒドロシリル化反応を促進する触媒で、金属白金でも白金化合物でもよい。具体的には、塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィンとの錯体、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯体等が例示される。その添加量は、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合計量に対して１〜５，０００ｐｐｍ、特に５〜２，０００ｐｐｍとすることが好ましい。１ｐｐｍ未満の添加量では架橋密度が低く凝集力が低下する場合があり、５，０００ｐｐｍを超えると可使時間が短くなる場合があり、経済的にも不利になる。更に、可使時間を長くする目的で、各種のエチニル化合物、アミン化合物、リン化合物等を付加反応（ヒドロシリル化反応）の抑制剤として配合することができる。
【００６２】
有機過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化クミル、過酸化ｔ−ブチルクミル、過酸化ｔ−ブチル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化２−メチルベンゾイル、過酸化４−メチルベンゾイル、過酸化ｔ−ブチルイソブチレート、過酸化ｔ−ブチルベンゾエート、過酸化ｔ−ブチル−２−エチルヘキサレート、２，２−ビス過酸化ｔ−ブチルオクタン、１，１−ビス過酸化ｔ−ブチルシクロヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ過酸化ベンゾイルヘキサン等が挙げられる。（Ｃ）成分の架橋剤（有機過酸化物）は、これらの１種又は２種以上を選んで配合するが、その配合量は前記（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計量に対して０．５〜５重量％、特に１〜３重量％とすることが好ましく、０．５重量％未満の添加量では架橋密度が低くゴム強度が低下する傾向があり、５重量％を超えると過酸化物の分解残渣が残存し易くなる場合がある。
【００６３】
本発明に係る導電性シリコーンゴム組成物には、上記必須成分に加え、任意成分として本発明の効果を妨げない範囲で、必要に応じ、他の導電剤、補強剤、発泡剤、難燃剤、耐熱性向上剤などの各種添加剤や反応制御剤、離型剤あるいは充填剤用分散剤を加えることができる。
【００６４】
導電剤は、（Ｂ）成分と併用して、従来から知られている導電性カーボンブラック、導電性亜鉛華、導電性酸化チタン等の導電剤を添加してもよい。
【００６５】
補強剤は、補強性シリカ粉末を好適に用い得る。このシリカ粉末は、機械的強度の優れたシリコーンゴムを得るために添加されるものであるが、この目的のためには、比表面積が５０ｍ²／ｇ以上、特に１００〜３００ｍ²／ｇであることが好ましい。比表面積が５０ｍ²／ｇに満たないと硬化物の機械的強度が低くなってしまう。このような補強性シリカとしては、例えば煙霧質シリカ、沈降シリカ等が挙げられ、またこれらの表面をクロロシランやヘキサメチルジシラザンなどで疎水化したものも好適に用いられる。補強性シリカ粉末の添加量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して０〜７０重量部、特に３〜５０重量部とすることが好ましい。また、ベンガラ等の着色剤、粉砕石英、炭酸カルシウムなどの増量剤を添加してもよい。
【００６６】
発泡剤は、スポンジを成形するための無機、有機の発泡剤を添加してもよい。この発泡剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、ジニトロペンタメチレンテトラミン、ベンゼンスルフォンヒドラジド、アゾジカルボンアミドなどが例示され、その添加量は（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００重量部に対し１〜１０重量部の範囲が好適である。このように、本発明組成物に発泡剤を添加すると、スポンジ状のシリコーンゴムを得ることができる。
【００６７】
難燃剤は、本発明のシリコーンゴム組成物を難燃性、耐火性にするために、白金含有材料、白金化合物と二酸化チタン、白金と炭酸マンガン、白金とγ−Ｆｅ₂Ｏ₃、フェライト、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレークなどの公知の添加剤を添加してもよい。
【００６８】
分散剤としては、ジフェニルシランジオール、各種アルコキシシラン、カーボンファンクショナルシラン、重合度が１００未満であるシラノール基含有低分子量シロキサンなど、通常のものが用い得るが、添加量は本発明の効果を損なわないように最小限の添加量に止めることが好ましい。
【００６９】
一般に本発明で使用するシリコーンゴム組成物を得るには、例えば、まず（Ａ）成分と（Ｂ）、（Ｃ）成分を混合する方法を採用し得る。本発明に係るシリコーンゴム組成物は、上記した成分を２本ロール、バンバリーミキサー、ドウミキサー（ニーダー）などのゴム混練り機を用いて均一に混合して、必要に応じて加熱処理を施すことにより得ることができる。
【００７０】
このようにして得られたシリコーンゴム組成物は、金型加圧成形、押出成形、カレンダー成形などの種々の成形法によって必要とされる用途に成形することができる。なお、硬化は、硬化方法、成形物の肉厚により適宜選択することができるが、通常８０〜２５０℃で１０秒〜３０日の条件にて行うことができる。
【００７１】
（Ｃ）成分が、オルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金系触媒の場合は、硬化条件として１００〜１３０℃で１〜１５分間が、（Ｃ）成分が有機過酸化物の場合は、硬化条件として１２０〜２００℃で１〜３０分間が一般的に用いられる。
【００７２】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の例において部は重量部を示し、Ｐｈはフェニル基、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【００７３】
［参考例１］ポリシランの製造方法
フェニルハイドロジェンポリシラン（以下、ＰＰＨＳと略記する）を以下の方法により製造した。
アルゴン置換したフラスコ内にビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウムのＴＨＦ溶液にメチルリチウムのジエチルエーテル溶液を添加し、３０分室温で反応させた後、溶剤を減圧にて留去することで、系内で触媒を調製した。これに、フェニルトリヒドロシランを触媒の１０，０００倍モル添加し、１００℃から１５０℃で３時間、次いで２００℃で８時間加熱撹拌を行った。生成物をトルエンに溶解させ、塩酸水洗を行うことで、触媒を失活除去した。このトルエン溶液に硫酸マグネシウムを加え水分を除去し、濾過した。これにより、ほぼ定量的に重量平均分子量１，２００、ガラス転移点６５℃のＰＰＨＳを得た。これは、ＮＭＲにより、［＝ＳｉＰｈ−］_a［−ＳｉＰｈＨ−］_b；ａ／ｂ＝１／１の構造を有していた。
【００７４】
［参考例２］銀メッキシリカ粉体の製造（銀−Ｎｉメッキシリカ）
核粉体としては、球状シリカ粉体ＵＳ−１０（三菱レーヨン製；平均粒径１０μｍ；真比重２．２）を分級して粒径を揃えたものを用いた。
【００７５】
ＰＰＨＳ０．５ｇをトルエン２００ｇに溶解させ、この溶液を本核粉体１００ｇに加え１時間撹拌した。ロータリーエバポレーターにて、６０℃の温度、４５ｍｍＨｇの圧力で、トルエンを留去させ、乾燥させた。
【００７６】
このポリシラン処理粉体は疎水化されているので、界面活性剤として、サーフィノール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．５％水溶液５０ｇにこの処理粉体１００ｇを撹拌しながら投入し、水に分散させた。
【００７７】
パラジウム処理は、上記粉体の水分散体１５０ｇに対し１％ＰｄＣｌ₂水溶液を７０ｇ（塩化パラジウムとして０．７ｇ、パラジウムとして０．４ｇ）添加して、３０分撹拌後、濾過し、水洗した。これらの処理により、粉体表面はパラジウムコロイドが付着した黒灰色に着色した粉体が得られた。この粉体は濾過により単離し、水洗後、直ちにメッキ化を行った。
【００７８】
ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈した次亜リン酸ナトリウム２．０Ｍ、酢酸ナトリウム１．０Ｍ、グリシン０．５Ｍの混合溶液１００ｇを用いた。パラジウムコロイド析出粉体を、ＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製消泡剤）０．５ｇと共にニッケルメッキ還元液中に分散させた。撹拌しながら液温を室温から６５℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナトリウム２．０Ｍを空気ガスにより同伴させながら滴下し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル１．０Ｍを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下した。これにより、細かい発泡と共に粉体が黒色となり、粉体表面に金属ニッケルが析出した。この粉体は、全面に金属ニッケルが析出していた。
【００７９】
この粉体を、銀メッキ液（高純度化学研究所製）Ｓ−７００１００ｇ中に分散させた。撹拌しながら液温を室温から７０℃に上げると、細かい発泡と共に粉体が銀色となり、粉体表面に銀が析出した。
【００８０】
メッキ溶液中に浮遊している粉体は、濾過、水洗、乾燥（５０℃で３０分）の後、水素で置換された電気炉にて２００℃で１時間焼成した。実体顕微鏡観察により、粉体全表面が銀により覆われた粉体が得られていることが分かった。
【００８１】
この粉体は、銀−Ｎｉメッキシリカと表記する。顕微鏡により観察した外観は球状銀色、比重は２．９であった。金属の含有量は、銀１２重量％、ニッケル２０重量％であった。
【００８２】
導電性粉体の抵抗率は、４端子を持つ円筒状のセルに粉体を充填し、両末端の面積０．２ｃｍ²の端子からＳＭＵ−２５７（ケースレ社製電流源）より−１０〜１０ｍＡの電流を流し、円筒の中央部に０．２ｃｍ離して設置した端子から、２０００型ケースレ社製ナノボルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗率は、１．０ｍΩ・ｃｍであった。
【００８３】
［参考例３］金メッキシリカ粉体の製造（金−Ｎｉメッキシリカ）
銀メッキの代わりに、金メッキ液として、高純度化学研究所製金メッキ液Ｋ−２４Ｎ１００ｇを希釈せず用いた。その他は参考例２と同様に操作した。全面に金属ニッケルが析出した粉体を、金メッキ液中に分散させた。撹拌しながら液温を室温から９５℃に上げると、細かい発泡と共に粉体が金色となり、粉体表面に金が析出した粉体を得た。
【００８４】
この粉体は、金−Ｎｉメッキシリカと表記する。顕微鏡により観察した外観は黄色、比重は３．９であった。金属の含有量は、金８重量％、ニッケル５０重量％で、抵抗率は、１．１ｍΩ・ｃｍであった。
【００８５】
（導電性粉体の製造とその物性）
［実施例１］
銀−Ｎｉメッキシリカ１００ｇを０．５Ｌの回転タンクに入れ、アセトン１５０ｇを加えて１時間回転させてこれに分散させた。処理用ポリシロキサンとしてＶＦオイル（分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、粘度５０００ｃｓ）とＶＭＱレジン（Ｍｅ₃ＳｉＯ_0.5、ＶｉＭｅ₂ＳｉＯ_0.5及びＳｉＯ₂単位からなるもので、（Ｍｅ₃ＳｉＯ_0.5＋ＶｉＭｅ₂ＳｉＯ_0.5単位）／ＳｉＯ₂単位のモル比が０．８５、ビニル含有量：０．０８６モル／１００ｇ、平均分子量４０００）の５０／５０ｗ／ｗの混合物１ｇを１０ｇのアセトンに分散させた溶液（以下、処理用ポリシロキサンと略記する。）を上記分散液に加えて混合した。
３０分撹拌後、濾過によりアセトンと処理粉を分離した。アセトンで完全に回転タンクから濾過器に移し、５ｍｍＨｇの減圧下に６０℃で減圧乾燥させた。この粉体の電気抵抗率は１．１ｍΩ・ｃｍであった。
【００８６】
粉体の耐マイグレーション性評価
この粉体のマイグレーション性は、図１の（マイグレーション測定セル）装置に充填して測定した。
この装置は、直径６ｍｍ、高さ２ｍｍの円柱状中空部を有する絶縁ゴム製充填塔１の上記中空部内に導電性粉体２を充填し、また、直径１５ｍｍ、高さ０．７ｍｍの円柱状中空部を有するプラスチック製スペーサー３の上記中空部に水含有ゼラチン４（マルハ社製ゼラチンリーフを３０分間水に浸漬させておいたもの）を高さ０．７ｍｍとなるように挿入し、上記充填塔１とプラスチック製スペーサー３とを重ね合わせたものを２枚の電極（金メッキ銅板）５，６で挟み、圧縮固定し、上記プラスチック製スペーサー３側の電極をマイナス極として、５Ｖの電圧を印加したときに流れる電流を測定した。この場合、電圧＋５Ｖを印加し、６秒おきに電流値を測定して、５０ｍＡになるまでの時間でマイグレーション性を評価した。
【００８７】
その結果、図２の通り、１日間以上測定したが全く絶縁破壊を起こさず、耐マイグレーション性が極めて良好なことがわかった。
【００８８】
［比較例１］
比較のために、この粉体をポリシロキサンで処理せずにマイグレーション性を測定評価したところ、図２の通り、１０時間測定して完全に絶縁破壊を起こし、耐マイグレーション性が悪いことがわかった。
【００８９】
［実施例２］
銀−Ｎｉメッキシリカの代わりに、金−Ｎｉメッキシリカを用いた。この粉体の電気抵抗率は１．３ｍΩ・ｃｍと良好な低い値であった。また、この粉体のマイグレーション性は、１日間以上測定したが、全く絶縁破壊を起こさず、耐マイグレーション性が極めて良好なことがわかった。
【００９０】
［比較例２］
比較用の導電粉として、銀粉（三井金属鉱業（株）製：３０５０ＨＤ：比重１０．５）を用いた。この粉体の電気抵抗率は０．３ｍΩ・ｃｍと良好な低い値であった。
しかし、この粉体のマイグレーション性は、図２の通り、３時間程度ですぐに絶縁破壊を起こし、耐マイグレーション性が極めて悪いことがわかった。
【００９１】
［比較例３］
比較例２の銀粉を実施例１と同様な方法で、ポリシロキサンで処理した。この粉体の電気抵抗率は０．５ｍΩ・ｃｍであった。この粉体のマイグレーション性は、図２の通り、比較例１とほぼ同時期に絶縁破壊を起こし、耐マイグレーション性がポリシロキサン処理だけでは、改善されないことがわかった。
【００９２】
［比較例４］
比較用の導電粉として、銀メッキガラス粉（東芝タンガロイ社製：比重２．７）を用いた。この粉体は、ポリシランもニッケルも用いられていない市販の導電性粉体である。この銀粉を実施例１と同様な方法で、ポリシロキサンで処理した。この電気抵抗率は１．０ｍΩ・ｃｍであった。しかし、この粉体のマイグレーション性は、図２の通り、１０時間以内に絶縁破壊を起こし、耐マイグレーション性が悪いことがわかった。
上記の結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】

耐マイグレーション性評価
◎：極めてよい ○：よい ×：悪い ××：極めて悪い
総合評価
◎：極めてよい ○：よい ×：悪い ××：極めて悪い
【００９４】
［実施例３，４、比較例５，６］
次に、上記導電性粉末をジメチルシロキサン単位９９．８５モル％とメチルビニルシロキサン単位０．１５モル％とからなる平均重合度が約８，０００のメチルビニルポリシロキサン（シロキサンポリマー）に表２に示す通り添加し、５０％ベンゾイルパーオキサイドを得られたコンパウンド１００部に対して２部添加し、１６５℃で１０分間加熱加圧処理し、１ｍｍのシートを得、電気特性及びシート物性（硬度、引っ張り強度、伸び）を測定した。結果を表２に示す。
ここで、導電性粉体は、以下のものを用いた。
実施例３：（Ｂ−１）ポリシロキサン処理−銀−Ｎｉメッキシリカ（実施例１で製造したもの）
実施例４：（Ｂ−２）ポリシロキサン処理−金−Ｎｉメッキシリカ（実施例２で製造したもの）
比較例５：（比較−１）ポリシロキサン処理−銀粉末（比較例３で製造したもの）
比較例６：（比較−２）ポリシロキサン処理−銀メッキシリカ粉末（比較例４で製造したもの）
この厚さ１ｍｍの導電性ゴムシートを調製後、調製直後（初期）、２００℃で２４時間後、１００時間後、２００時間後の体積抵抗率をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。
【００９５】
［実施例５］
導電性粉体は、以下のものを用い、５０％ベンゾイルパーオキサイドの代わりに、粘度３０センチポイズの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン（Ｓｉ−Ｈ結合水素原子含有量＝１．５重量％：平均組成式Ｍｅ₃ＳｉＯ［ＭｅＨＳｉＯ］₃₈ＳｉＭｅ₃：以下、Ｈシロキサンと略記する。）１．５部、エチニルシクロヘキサノール（以下、制御剤と略記する。）０．５部及びＣａｔ−ＰＬ−５０Ｔ（塩化白金酸のジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液：以下、白金触媒と略記する。）０．３部を混合して、１ｍｍのシートを得、実施例３と同様にして電気特性及びシート物性（硬度、引っ張り強度、伸び）を測定した。結果を表２に示す。
実施例５の導電性粉体：（Ｂ−２）ポリシロキサン処理−金−Ｎｉメッキシリカ（実施例２で製造したもの）
この厚さ１ｍｍの導電性ゴムシートを調製後、調製直後（初期）、２００℃で２４時間後、１００時間後、２００時間後の体積抵抗率をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。
【００９６】
【表２】

評価
◎：非常に良好 ○：良好 △：やや不良 ×：不良
硬化条件
Ａ：１２０℃，１分Ｂ：１６５℃，５分
【００９７】
以上のように、４段階で評価した結果、実施例は、導電安定性の全てにおいて○〜◎であったが、比較例は、×になっており、明らかに本発明の効果が認められた。
【００９８】
【発明の効果】
本発明に係るポリシロキサンで処理した２種の金属からなる金属被覆粉体を導電性粉体として用いることで、高安定性と高信頼性の電子材料用途に使用できるシリコーンゴム組成物を与える。本発明の導電性粉体は、シリコーンゴム組成物との親和性が優れ、該組成物を硬化して得られるシリコーンゴムは、マイグレーション等の絶縁不良を起こすことなく、所定のコンタクト部で低い体積低抗率の安定性に優れたものであるため、信頼性の高いコネクターや導電性ガスケット材料の原料とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マイグレーション測定セル装置の概略断面図である。
【図２】実施例１，２、比較例１〜４のマイグレーション試験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１充填塔
２導電性粉体
３プラスチック製スペーサー
４水含有ゼラチン
５，６電極（金メッキ銅板）

Claims

無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面に還元性を有するケイ素系高分子層又はその一部又は全部をセラミック化した層が形成され、この層の表面上をメッキにより金属で被覆した第一金属層が形成され、更にその上を第一金属層よりも電気陰性度が高い金属で被覆した第二金属層が形成された金属被覆粉体であって、その最表層をポリシロキサンで処理してなることを特徴とする導電性粉体。
還元性を有するケイ素系高分子がポリシランであり、金属被覆粉体が、電気陰性度の異なる２種類以上の金属で構成された金属のうち、第二金属層が銀、金、パラジウム、白金から選ばれる貴金属から形成される請求項１に記載の導電性粉体。
第一金属層が、ニッケル、亜鉛、鉄、コバルトから選ばれる金属よりなり、第二金属層が、金、銀、白金、パラジウムから選ばれる金属よりなることを特徴とする請求項１に記載の導電性粉体。
無機粉体又は有機樹脂粉体からなる基材粉体の表面に還元性を有するケイ素系高分子層又はその一部又は全部をセラミック化した層が形成され、この層の表面上をメッキにより金属で被覆した第一金属層が形成され、更にその上を第一金属層よりも電気陰性度が高い金属で被覆した第二金属層が形成された金属被覆粉体の最表層を、ポリシロキサンに対して溶解度パラメーターの差が２〜５である溶剤に溶解されたポリシロキサンで処理することを特徴とする導電性粉体の製造方法。
還元性を有するケイ素系高分子がポリシランであり、金属被覆粉体が、電気陰性度の異なる２種類以上の金属で構成された金属のうち、第二金属層が銀、金、パラジウム、白金から選ばれる貴金属から形成される請求項４に記載の製造方法。
第一金属層が、ニッケル、亜鉛、鉄、コバルトから選ばれる金属よりなり、第二金属層が、金、銀、白金、パラジウムから選ばれる金属よりなることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
請求項１，２又は３記載の導電性粉体を含有するシリコーンゴム組成物。
（Ａ）下記平均組成式
Ｒ_aＳｉＯ_(4-a)/2
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基、ａは１．９５〜２．０５の正数を表す。）
で示されるオルガノポリシロキサン：１００重量部、
（Ｂ）請求項１，２又は３記載の導電性粉体：５０〜５００重量部、
（Ｃ）架橋剤：硬化有効量
を含有することを特徴とする請求項７記載の導電性シリコーンゴム組成物。
（Ｃ）成分の架橋剤が、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金系触媒、又は有機過酸化物からなる請求項８に記載の導電性シリコーンゴム組成物。