JP4002149B2 - X線分析装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光X線分析装置などのX線分析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、地球環境問題は深刻化の度合いを増し、さらに複雑化している。この地球環境問題を受け、EU(欧州連合)は、廃電気電子リサイクル指令(WEEE)および特定物質の使用制限指令(RoHS)を発信し、その危険性を法制化という手段で警鐘を鳴らした。このRoHSで使用を制限された物質は、カドミウム(Cd)、鉛(Pb)、水銀、六価クロム、ポリ臭化ビフェニール、ポリ臭化ディフェニールエーテルの6物質である。
【0003】
そして、現在、流通している電気電子機器に使用されている部品の大部分はプラスチックであるが、このプラスチック中には、RoHSで使用を制限されたカドミウムや鉛などが含まれている。そこで、最近では、プラスチック中に含まれるカドミウムや鉛の量を正確に測定することが必要となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これまでの分析装置では、プラスチック中に含まれる数ppm〜数十ppmの微量カドミウムの正確な分析結果は得られていない。
【0005】
分析装置の1つである蛍光X線分析装置を用いても、その正確な分析結果は得られていない。この原因は、蛍光X線分析により得られたX線スペクトル中のバックグランドにあり、微量カドミウムのスペクトルピークのバックグランドは、そのカドミウムのスペクトルピークに対してかなり大きい。すなわち、P/B比はかなり悪い。
【0006】
本発明はこのような点に鑑みて成されたもで、その目的は、プラスチック中の微量カドミウムの量を正確に測定できるX線分析装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成する本発明のX線分析装置は、X線管のロジウムターゲットからの1次X線を試料に照射し、その1次X線照射によって試料から発生した2次X線を検出して、試料中に含まれるカドミウムまたは鉛を分析するようにしたX線分析装置において、前記X線管のロジウムターゲットからの1次X線を濾波するジルコニウムからなる第1X線フィルタと、前記第1X線フィルタを透過したX線を濾波すると共に、前記1次X線によって励起されて前記第1X線フィルタから発生したX線を吸収する銅または亜鉛またはニッケルからなる第2X線フィルタと、前記第2X線フィルタを透過したX線を濾波すると共に、前記第1X線フィルタを透過したX線によって励起されて前記第2X線フィルタから発生したX線を吸収するモリブデンからなる第3X線フィルタとを備えたX線フィルタを、前記X線管と前記試料との間に配置している。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0009】
図1は、本発明のX線分析装置の一例を示した図であり、エネルギー分散形X線分光装置(EDS)を備えた蛍光X線分析装置を示した図である。
【0010】
図1において、1は試料室カバーであり、2は試料室である。この試料室2には試料ホルダ3が配置されており、その試料ホルダ3には試料としてプラスチック4がセットされている。プラスチック4は、鉛を1%程度含み、カドミウムを数ppm〜数十ppm含んでいる。
【0011】
5はX線管であり、X線管5はロジウム(Rh)からなるターゲットを有している。
【0012】
6はX線フィルタであり、X線フィルタ6は、X線管5と試料4との間に配置されている。このX線フィルタ6は、円形のジルコニウム箔よりなる第1X線フィルタ6aと、円形の銅箔よりなる第2X線フィルタ6bと、円形のモリブデン箔よりなる第3X線フィルタ6cとを備えている。それらのフィルタは、図1に示すように、X線管5から試料4の方に向けて、第1フィルタ6a、第2フィルタ6b、第3フィルタ6cの順に配置されている。
【0013】
なお、第1フィルタ6aの厚さは100μm程度、第2フィルタ6bの厚さは200μm程度、第3フィルタ6cの厚さは40μm程度である。
【0014】
また、図1中、7は半導体X線検出器であり、試料4からのX線は半導体X線検出器7で検出される。
【0015】
半導体X線検出器7の出力信号はマイクロチャンネルアナライザ(MCA)8に入力されるように構成されている。そして、MCA8の出力信号は中央制御装置(CPU)9に入力されるように構成されている。
【0016】
MCA8は、半導体X線検出器7の出力信号をそのエネルギーに応じて分離し、CPU9の記憶部10には、各エネルギーに対応してX線強度信号が積算して記憶される。すなわち、試料の分析が進むにつれて、そのX線強度信号の強度は大きくなる。この記憶部10に記憶されたデータは、CPU9のスペクトル表示部11に送られるように構成されており、スペクトル表示部11はこのデータに基づき、X線スペクトルをディスプレイ12の画面上に表示させるように構成されている。たとえば、スペクトル表示部11における現在の設定は、CdKαピークに関するX線スペクトルがディスプレイ12の画面上に表示されるようになっている。
【0017】
以上、図1の装置構成について説明した。以下、動作説明を行う。
【0018】
まず、プラスチック試料4の分析時には、X線管フィラメント(図示せず)と前記Rhターゲット間に所定の電圧V1が印加されて、X線管フィラメントからの電子線はRhターゲットを照射する。この電子線照射により、Rhターゲットから1次X線が放射される。図2(a)の実線は、そのRhターゲットから放射される1次X線のX線スペクトルを示したものである。
【0019】
この図2(a)のX線スペクトルから分かるように、X線管5のRhターゲットから放射される1次X線のX線スペクトルには、RhLピーク,RhKαピーク,RhKβピーク,RhKβ2ピークが存在しており、それらの各ピークは大きなバックグランド上にのっている。なお、カドミウムのCdKα線のエネルギー(波長)は23.127keVであって、RhKβ2線のエネルギー(23.170keV)とほぼ同じである。
【0020】
さて、X線管5のRhターゲットから放射された1次X線は、まず、X線フィルタ6の第1フィルタ6aに入射する。この第1フィルタ6aはジルコニウム箔からなっており、図2(a)の点線は、そのジルコニウム(Zr)のX線吸収特性を示したものである。図2(a)に示すように、Zrの吸収端のエネルギーは、RhKα線のエネルギー(20.189keV)よりやや低い17.993keVである。
【0021】
このようなZrからなる第1フィルタ6aにおいて、前記X線管5からの1次X線の一部は吸収される。図2(b)の実線は、その第1フィルタ6aを透過した1次X線(第2フィルタ6bに入射する前の1次X線)のX線スペクトルを示したものである。
【0022】
この図2(b)のX線スペクトルから分かるように、第1フィルタ6aを透過した1次X線のX線スペクトルには、Zrの吸収端付近のエネルギーをもつピークP1,RhKαピーク,RhKβピーク,RhKβ2ピークが存在している。しかし、RhKαピーク,RhKβピーク,RhKβ2ピークの強度は、図2(a)の場合より著しく低下しており、また、それらのピークのバックグランドも図2(a)の場合より著しく小さくなっている。
【0023】
次に、第1フィルタ6aを透過した1次X線は、第2フィルタ6bに入射する。この第2フィルタ6bは銅箔からなっており、図2(b)の点線は、その銅(Cu)のX線吸収特性を示したものである。図2(b)に示すように、Cuの吸収端のエネルギーは、8.978keVである。
【0024】
このようなCuからなる第2フィルタ6bにおいて、前記第1フィルタ6aを透過した1次X線の一部は吸収される。図2(c)の実線は、その第2フィルタ6bを透過した1次X線(第3フィルタ6cに入射する前の1次X線)のX線スペクトルを示したものである。
【0025】
この図2(c)のX線スペクトルから分かるように、第2フィルタ6bを透過した1次X線のX線スペクトルには、図2(b)の場合と同様に、RhKαピーク,RhKβピーク,RhKβ2ピークは依然として存在している。しかし、図2(b)におけるピークP1は、図2(c)のX線スペクトルには存在していない。一方、図2(c)のX線スペクトルには、CuKαピークが新たに発生している。これは、銅箔からなる第2フィルタ6bが1次X線によって励起されて発生したものである。
【0026】
次に、第2フィルタ6bを透過した1次X線は、第3フィルタ6cに入射する。この第3フィルタ6cはモリブデン箔からなっており、図2(c)の点線は、そのモリブデン(Mo)のX線吸収特性を示したものである。図2(c)に示すように、Moの吸収端のエネルギーは、19.996keVである。
【0027】
このようなMoからなる第3フィルタ6cにおいて、前記第2フィルタ6bを透過した1次X線の一部は吸収される。図2(d)は、その第3フィルタ6cを透過した1次X線のX線スペクトルを示したものである。
【0028】
この図2(d)のX線スペクトルから分かるように、第3フィルタ6cを透過した1次X線のX線スペクトルには、図2(a)〜(c)において存在していたX線ピークは存在しておらず、また、広いエネルギー範囲にわたってバックグランドの原因になる1次X線は押さえられている。図2(d)においてX線強度が示されているのは、RhKβ2線のエネルギー位置よりさらに高エネルギー側の部分P2だけであり、これは、RhKβ2線よりもさらに高エネルギーを有する1次X線(XH)によるものである。
【0029】
したがって、このような1次X線(XH)がプラスチック試料4を照射すると、試料4で反射して検出器7で検出される1次X線は、その1次X線(XH)だけであり、それより低いエネルギーの1次X線が検出されることはない。これは、バックグランドが発生しないことを意味している。
【0030】
一方、この1次X線(XH)は高エネルギーを有するので、プラスチック中のカドミウム(Cd)や鉛(Pb)を励起するには十分である。
【0031】
この結果、CPU9の記憶部10には、最終的に、図2(e)の実線で示すようなX線強度信号が記憶される。ここに現れているCdKαピークは、プラスチック試料4から発生したCdKα線のみによって形成されたものであり、その中に他のX線によるバックグランドは含まれていない。同様に、ここに現れているPbLαピークとPbLβピークは、プラスチック試料4から発生したPbLα線とPbLβ線のみによってそれぞれ形成されたものであり、その中に他のX線によるバックグランドは含まれていない。なお、図2(e)の破線は、X線管と試料間にフィルタを置かなかったときのX線スペクトルを示したものである。
【0032】
このため、CPU9は、この記憶部10に記憶されたデータに基づき、プラスチック試料4中の微量カドミウムや鉛の量を求めれば、正確な定量分析結果を得ることができる。また、スペクトル表示部11はこのデータに基づき、CdKαピークに関するX線スペクトルをディスプレイ12の画面上に表示させる。
【0033】
なお、従来、鉛(Pb)を含んだプラスチックの蛍光X線分析では、分析結果のX線スペクトル上において、PbのサムピークがCdKαスペクトルピークのバックグランドを押し上げていた。このバックグランドの上昇は、PbLα線とPbLβ線が同時にX線検出されたときに最も強く出ていたが、本発明ではこのサムピークの出現を抑えることができるようになった。それは、上述したように、カドミウム(Cd)や鉛(Pb)を励起するには十分な1次X線(XH)だけを試料に照射するようにして、従来よりも試料を照射する1次X線の量を制限したためであり、これによって、Pbのサムピークの発生確率を格段と下げることができるようになった。
【0034】
以上、図1の蛍光X線分析装置について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。
【0035】
たとえば、上記例において、第2X線フィルタを、亜鉛またはニッケルでつくるようにしてもよい。
【0036】
また、前記第1X線フィルタを銅または亜鉛またはニッケルでつくり、前記第2X線フィルタをジルコニウムでつくり、前記第3X線フィルタをモリブデンでつくるようにしてもよい。また、前記第1X線フィルタを銅または亜鉛またはニッケルでつくり、前記第2X線フィルタをモリブデンでつくり、前記第3X線フィルタをジルコニウムでつくるようにしてもよい。
【0037】
また、前記X線管のターゲットがモリブデンのときは、前記第1X線フィルタをモリブデンでつくり、前記第2X線フィルタを銅または亜鉛またはニッケルでつくり、前記第3X線フィルタをモリブデンでつくるようにすれば、上記例と同様な効果を得ることができる。なお、このときの第1X線フィルタの厚さは80μm程度、第2X線フィルタの厚さは200μm程度、第3X線フィルタの厚さは40μm程度にすればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一例を示した図である。
【図2】 図1の装置の動作説明に利用した図である。
【符号の説明】
1…試料室チャンバ、2…試料室、3…試料ホルダ、4…試料、5…X線管、6…X線フィルタ、7…半導体X線検出器、8…MCA、9…CPU、10…記憶部、11…スペクトル表示部、12…ディスプレイ
Claims (1)
- X線管のロジウムターゲットからの1次X線を試料に照射し、その1次X線照射によって試料から発生した2次X線を検出して、試料中に含まれるカドミウムまたは鉛を分析するようにしたX線分析装置において、
次の構成要素(a),(b),(c)を備えたX線フィルタを、前記X線管のロジウムターゲットと前記試料との間に配置したことを特徴とするX線分析装置
(a)前記X線管のロジウムターゲットからの1次X線を濾波する、ジルコニウムからなる第1X線フィルタ
(b)前記第1X線フィルタを透過したX線を濾波すると共に、前記1次X線によって励起されて前記第1X線フィルタから発生したX線を吸収する、銅または亜鉛またはニッケルからなる第2X線フィルタ
(c)前記第2X線フィルタを透過したX線を濾波すると共に、前記第1X線フィルタを透過したX線によって励起されて前記第2X線フィルタから発生したX線を吸収する、モリブデンからなる第3X線フィルタ。
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