JP3117833B2 - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、蛍光Ｘ線分析におけ
る微量分析の検出下限向上に関する。
る微量分析の検出下限向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線管球から発生するエネルギー幅の広
い一次Ｘ線を試料に照射する直接励起方式による蛍光Ｘ
線分析装置では、前記試料中の元素が励起されて発生す
る特性Ｘ線の他に、前記一次Ｘ線が前記試料で散乱され
る散乱Ｘ線が発生する。前記試料から発生するＸ線をＸ
線検出器で検出し、波高分光されたＸ線スペクトル上で
は前記特性Ｘ線（蛍光Ｘ線）に起因するピークに対し
て、前記散乱Ｘ線は、バックグランドを形成する。この
バックグランドは、蛍光Ｘ線分析における検出下限を制
約するものである。この直接励起方式において、前記バ
ックグランドを下げるために前記Ｘ線管球と、前記試料
の間に特定のエネルギー範囲だけ大きく吸収する元素で
構成された一次フィルタを配置する。この一次フィルタ
により、前記一次Ｘ線のうち前記特定のエネルギー範囲
だけ大きく吸収され、減衰した一次Ｘ線が前記試料に照
射される。前記試料に含まれる元素の特性Ｘ線のエネル
ギーが前記エネルギー範囲にあれば、検出下限が向上す
る。
い一次Ｘ線を試料に照射する直接励起方式による蛍光Ｘ
線分析装置では、前記試料中の元素が励起されて発生す
る特性Ｘ線の他に、前記一次Ｘ線が前記試料で散乱され
る散乱Ｘ線が発生する。前記試料から発生するＸ線をＸ
線検出器で検出し、波高分光されたＸ線スペクトル上で
は前記特性Ｘ線（蛍光Ｘ線）に起因するピークに対し
て、前記散乱Ｘ線は、バックグランドを形成する。この
バックグランドは、蛍光Ｘ線分析における検出下限を制
約するものである。この直接励起方式において、前記バ
ックグランドを下げるために前記Ｘ線管球と、前記試料
の間に特定のエネルギー範囲だけ大きく吸収する元素で
構成された一次フィルタを配置する。この一次フィルタ
により、前記一次Ｘ線のうち前記特定のエネルギー範囲
だけ大きく吸収され、減衰した一次Ｘ線が前記試料に照
射される。前記試料に含まれる元素の特性Ｘ線のエネル
ギーが前記エネルギー範囲にあれば、検出下限が向上す
る。
【０００３】この直接励起方式の他に、Ｘ線管球から発
生する一次Ｘ線を単一元素で構成されたターゲット板に
照射しターゲット板から発生する単一元素の特性Ｘ線を
試料に照射して、前記試料中の元素を励起する二次ター
ゲット励起方式がある。この二次ターゲット方式では前
記ターゲット板から発生するＫα線をモノクロ化するた
め、Ｘ線の吸収端がＫα線とＫβ線の中間にあるような
元素で構成された吸収板を前記ターゲット板と、前記試
料の間に配置し、Ｋβ線を取り除くようにしている。こ
の二次ターゲット方式では、前記ターゲット板から発生
するＫα特性Ｘ線でほとんど前記試料を励起するため、
バックグランドが下がり、かつ、単一エネルギーのＸ線
で前記試料を励起するため、定量分析のための解析モデ
ルが単純化される。
生する一次Ｘ線を単一元素で構成されたターゲット板に
照射しターゲット板から発生する単一元素の特性Ｘ線を
試料に照射して、前記試料中の元素を励起する二次ター
ゲット励起方式がある。この二次ターゲット方式では前
記ターゲット板から発生するＫα線をモノクロ化するた
め、Ｘ線の吸収端がＫα線とＫβ線の中間にあるような
元素で構成された吸収板を前記ターゲット板と、前記試
料の間に配置し、Ｋβ線を取り除くようにしている。こ
の二次ターゲット方式では、前記ターゲット板から発生
するＫα特性Ｘ線でほとんど前記試料を励起するため、
バックグランドが下がり、かつ、単一エネルギーのＸ線
で前記試料を励起するため、定量分析のための解析モデ
ルが単純化される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記直接励起方式で使
用される前記一次フィルタは、前記フィルタを構成する
構成元素のＸ線の吸収端を利用するものなので、吸収端
より高エネルギー側は、試料に到達するＸ線が大きく減
衰し、エネルギーが高くなるにつれて減衰率は小さくな
る。そのため、前記吸収端のエネルギーから高エネルギ
ー側へ、数ＫｅＶは、バックグランドが低下するので、
その範囲に特性Ｘ線をもつ元素の測定しか検出下限が向
上しないという問題点があった。
用される前記一次フィルタは、前記フィルタを構成する
構成元素のＸ線の吸収端を利用するものなので、吸収端
より高エネルギー側は、試料に到達するＸ線が大きく減
衰し、エネルギーが高くなるにつれて減衰率は小さくな
る。そのため、前記吸収端のエネルギーから高エネルギ
ー側へ、数ＫｅＶは、バックグランドが低下するので、
その範囲に特性Ｘ線をもつ元素の測定しか検出下限が向
上しないという問題点があった。
【０００５】更に、前記試料中に含まれる主元素の特性
Ｘ線エネルギーの低エネルギー側に微量元素の特性Ｘ線
のエネルギーがある場合、エネルギー分散型Ｘ線検出系
の計数率の上限から、Ｘ線管球の管電流の設定が前記主
元素のピークで決まって、前記微量元素の特性Ｘ線強度
を十分には得られないという問題点があった。
Ｘ線エネルギーの低エネルギー側に微量元素の特性Ｘ線
のエネルギーがある場合、エネルギー分散型Ｘ線検出系
の計数率の上限から、Ｘ線管球の管電流の設定が前記主
元素のピークで決まって、前記微量元素の特性Ｘ線強度
を十分には得られないという問題点があった。
【０００６】一方、前記二次ターゲット励起方式では、
前記ターゲット板から発生する特性Ｘ線で励起するため
複数個の元素の異なるターゲット板を用意して、測定元
素に応じて前記ターゲット板を切り換えることにより低
エネルギーから高エネルギーまで測定可能になり、かつ
検出下限の向上が期待できる。
前記ターゲット板から発生する特性Ｘ線で励起するため
複数個の元素の異なるターゲット板を用意して、測定元
素に応じて前記ターゲット板を切り換えることにより低
エネルギーから高エネルギーまで測定可能になり、かつ
検出下限の向上が期待できる。
【０００７】しかし、前記ターゲット板でもＸ線管球か
ら発生する一次Ｘ線を微量ながら散乱するため、極微量
分析する時は、この散乱過程が問題になっていた。
ら発生する一次Ｘ線を微量ながら散乱するため、極微量
分析する時は、この散乱過程が問題になっていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】Ｘ線管球と、切換可能な
複数個のターゲット板の内の１個の選択されたターゲッ
ト板との間に、前記ターゲット板を構成する元素の原子
番号より少なくとも５以上小さい原子番号の元素で構成
される吸収板が吸収板切換機構から選べる機構として、
前記Ｘ線管球から発生する一次Ｘ線により前記ターゲッ
ト板を励起し発生するＸ線の強度が、吸収板による吸収
がない時の強度とくらべて１０％から９０％までの範囲
内に低下させるような吸収板を選択して前記一次Ｘ線を
吸収させる。前記ターゲット板から発生するＸ線を測定
試料に照射し、前記試料から発生する特性Ｘ線を検出す
る。前記ターゲット板が選択された時、ターゲット板の
種類に応じて、あらかじめＸ線管球の管電圧と管電流は
指定された値をし前記Ｘ線管球に印加する。
複数個のターゲット板の内の１個の選択されたターゲッ
ト板との間に、前記ターゲット板を構成する元素の原子
番号より少なくとも５以上小さい原子番号の元素で構成
される吸収板が吸収板切換機構から選べる機構として、
前記Ｘ線管球から発生する一次Ｘ線により前記ターゲッ
ト板を励起し発生するＸ線の強度が、吸収板による吸収
がない時の強度とくらべて１０％から９０％までの範囲
内に低下させるような吸収板を選択して前記一次Ｘ線を
吸収させる。前記ターゲット板から発生するＸ線を測定
試料に照射し、前記試料から発生する特性Ｘ線を検出す
る。前記ターゲット板が選択された時、ターゲット板の
種類に応じて、あらかじめＸ線管球の管電圧と管電流は
指定された値をし前記Ｘ線管球に印加する。
【０００９】また、二次ターゲットによる励起方式（二
次ターゲット励起）と前記一次Ｘ線を試料に直接照射す
る方式（直接励起）とを切り換えられる機構を有し、直
接励起方式の時は、Ｘ線の照射量を制限する微小孔を有
するコリメータを配置する。
次ターゲット励起）と前記一次Ｘ線を試料に直接照射す
る方式（直接励起）とを切り換えられる機構を有し、直
接励起方式の時は、Ｘ線の照射量を制限する微小孔を有
するコリメータを配置する。
【００１０】
【作用】前記吸収板の挿入により前記ターゲット板から
発生し、測定試料に照射されるＸ線強度は、１０％から
９０％に低下するが、前記ターゲット板は通常特性Ｘ線
の内、特にＫ線を発生するものを選ぶことが多い。この
時、前記吸収板の構成元素を前記ターゲット板の構成元
素より５以上小さい元素で構成すると吸収板の構成元素
の吸収端エネルギーより上は、吸収端がなく、かつ前記
吸収板の吸収端エネルギーに近ければ、近いほど多く吸
収する。この効果は指数関数で変化することと、前記タ
ーゲット板から発生するＸ線強度は、前記ターゲット板
を構成する元素の吸収端か下のエネルギーＸ線がその発
生には寄与せず上のエネルギー全部がその発生に寄与す
ることで、前記測定試料に照射されるＸ線量をさほど損
なわずに、前記吸収板を構成する元素の吸収端エネルギ
ーから前記ターゲット板を構成する元素の特性Ｘ線エネ
ルギーまでは、大きく前記一次Ｘ線が吸収される。
発生し、測定試料に照射されるＸ線強度は、１０％から
９０％に低下するが、前記ターゲット板は通常特性Ｘ線
の内、特にＫ線を発生するものを選ぶことが多い。この
時、前記吸収板の構成元素を前記ターゲット板の構成元
素より５以上小さい元素で構成すると吸収板の構成元素
の吸収端エネルギーより上は、吸収端がなく、かつ前記
吸収板の吸収端エネルギーに近ければ、近いほど多く吸
収する。この効果は指数関数で変化することと、前記タ
ーゲット板から発生するＸ線強度は、前記ターゲット板
を構成する元素の吸収端か下のエネルギーＸ線がその発
生には寄与せず上のエネルギー全部がその発生に寄与す
ることで、前記測定試料に照射されるＸ線量をさほど損
なわずに、前記吸収板を構成する元素の吸収端エネルギ
ーから前記ターゲット板を構成する元素の特性Ｘ線エネ
ルギーまでは、大きく前記一次Ｘ線が吸収される。
【００１１】そのため前記ターゲット板で散乱される前
記エネルギー範囲のＸ線も極端に小さくなり、前記測定
試料から発生する散乱Ｘ線も同様に小さくなる。そのた
め、測定されるＸ線スペクトルではバックグランドが小
さくなり、検出下限が向上する。
記エネルギー範囲のＸ線も極端に小さくなり、前記測定
試料から発生する散乱Ｘ線も同様に小さくなる。そのた
め、測定されるＸ線スペクトルではバックグランドが小
さくなり、検出下限が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、図１に従い本発明の実施例を説明す
る。Ｘ線管球１は、一次Ｘ線ａを発生する。発生した一
次Ｘ線１ａは、吸収板２ａ（フィルタ）を通過して、二
次ターゲット３ａを照射する。吸収板２ａは、吸収板切
換機構２に保持されており、吸収切換機構２は複数の材
質の異なった吸収板２ａを備えている。吸収切換機構機
構２を回転することにより任意に、一次Ｘ線１ａが通過
する吸収板２ａを切換えることができる。
る。Ｘ線管球１は、一次Ｘ線ａを発生する。発生した一
次Ｘ線１ａは、吸収板２ａ（フィルタ）を通過して、二
次ターゲット３ａを照射する。吸収板２ａは、吸収板切
換機構２に保持されており、吸収切換機構２は複数の材
質の異なった吸収板２ａを備えている。吸収切換機構機
構２を回転することにより任意に、一次Ｘ線１ａが通過
する吸収板２ａを切換えることができる。
【００１３】二次ターゲット３ａは、二次ターゲット切
換機構３に保持されている。二次ターゲット切換機構３
は、複数の材質の異なった二次ターゲット３ａを備えて
いる。二次ターゲット切換機構３を回転することによ
り、任意に一次Ｘ線１ａが照射する二次ターゲット３ａ
を切換えることができる。
換機構３に保持されている。二次ターゲット切換機構３
は、複数の材質の異なった二次ターゲット３ａを備えて
いる。二次ターゲット切換機構３を回転することによ
り、任意に一次Ｘ線１ａが照射する二次ターゲット３ａ
を切換えることができる。
【００１４】二次ターゲット３ａから発生する二次Ｘ線
１ｂは、測定する試料４を照射する。試料４を構成する
元素は、二次Ｘ線１ｂにより励起され、蛍光Ｘ線１ｃを
発生する。発生した蛍光Ｘ線１ｃは、エネルギー分散型
のＸ線検出器５に入射し、電気信号ｄに変換され、波高
分析器６でＸ線スペクトルとして検出される。
１ｂは、測定する試料４を照射する。試料４を構成する
元素は、二次Ｘ線１ｂにより励起され、蛍光Ｘ線１ｃを
発生する。発生した蛍光Ｘ線１ｃは、エネルギー分散型
のＸ線検出器５に入射し、電気信号ｄに変換され、波高
分析器６でＸ線スペクトルとして検出される。
【００１５】コンピュータ７は波高分析器６にて検出さ
れたＸ線スペクトルを読み込んで、定性／定量分析す
る。二次ターゲット機構３で、Ｓｉ板、Ｔｉ板、Ｃｒ
板、Ｎｉ板、Ｚｎ板、Ｚｒ板の二次ターゲット３ａを選
択可能にし、吸収機構２でＢｅ２００μｍ板、Ｃｒ１０
０μｍ板、Ａｌ５０μｍ、Ａｌ１００μｍ、Ａｌ２００
μｍ、Ａｌ３００μｍ、Ｐｂ５ｍｍの吸収板２ａまた
は、ブランクを選択可能にした本実施例の説明する。
れたＸ線スペクトルを読み込んで、定性／定量分析す
る。二次ターゲット機構３で、Ｓｉ板、Ｔｉ板、Ｃｒ
板、Ｎｉ板、Ｚｎ板、Ｚｒ板の二次ターゲット３ａを選
択可能にし、吸収機構２でＢｅ２００μｍ板、Ｃｒ１０
０μｍ板、Ａｌ５０μｍ、Ａｌ１００μｍ、Ａｌ２００
μｍ、Ａｌ３００μｍ、Ｐｂ５ｍｍの吸収板２ａまた
は、ブランクを選択可能にした本実施例の説明する。
【００１６】例えば、二次ターゲット切換機構３でＳｉ
（原子番号１４）板の二次ターゲット３ａが選択された
時、吸収機構２でＢｅ（原子番号４）２００μｍ板の吸
収板２ａを設定する。この時、二次Ｘ線強度１ｂは、Ｂ
ｅの吸収板２ａがない時と比べて５７％まで低下する。
（原子番号１４）板の二次ターゲット３ａが選択された
時、吸収機構２でＢｅ（原子番号４）２００μｍ板の吸
収板２ａを設定する。この時、二次Ｘ線強度１ｂは、Ｂ
ｅの吸収板２ａがない時と比べて５７％まで低下する。
【００１７】一方、Ｂｅの吸収板２ａで吸収された一次
Ｘ線１ａのＡｌＫα線に相当するエネルギーでの減衰率
は、０．１４％となる。これは試料４から発生する特性
Ｘ線と散乱Ｘ線の強度比（Ｐ／Ｂ比）が、２桁改善さ
れ、検出下限が１桁向上する。表１にあるその他の元素
の検出下限も１桁以上向上する。表１にその例を示す。
Ｘ線１ａのＡｌＫα線に相当するエネルギーでの減衰率
は、０．１４％となる。これは試料４から発生する特性
Ｘ線と散乱Ｘ線の強度比（Ｐ／Ｂ比）が、２桁改善さ
れ、検出下限が１桁向上する。表１にあるその他の元素
の検出下限も１桁以上向上する。表１にその例を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表２に、二次ターゲット３ａとしてＴｉ
（原子番号２２）板を選択した時に、吸収板２ａとして
Ａｌ（原子番号１３）５０μｍを設定した例を示す。表
２からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果に
より６１％に低下する一方、例えばＣａＫα相当のバッ
クグランドは０．２％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁改善し、検出下限が１桁向上する。
（原子番号２２）板を選択した時に、吸収板２ａとして
Ａｌ（原子番号１３）５０μｍを設定した例を示す。表
２からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果に
より６１％に低下する一方、例えばＣａＫα相当のバッ
クグランドは０．２％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁改善し、検出下限が１桁向上する。
【００２０】
【表２】
【００２１】表３に二次ターゲット３ａとしてＣｒ（原
子番号２４）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）１００μｍを設定した例を示す。表３
からは二次Ｘ線強度１ｂが、吸収板２ａの吸収効果によ
り５５％に低下する、一方例えばＴｉＫα相当のバック
グランドは０．０８％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁以上改善し、検出下限が１桁向上する。
子番号２４）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）１００μｍを設定した例を示す。表３
からは二次Ｘ線強度１ｂが、吸収板２ａの吸収効果によ
り５５％に低下する、一方例えばＴｉＫα相当のバック
グランドは０．０８％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁以上改善し、検出下限が１桁向上する。
【００２２】
【表３】
【００２３】表４に二次ターゲット３ａとしてＮｉ（原
子番号２８）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）２００μｍを設定した例を示す。表４
からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果によ
り５８．２％に低下する一方、例えばＭｎＫα相当のバ
ックグランドは、０．１３％まで低下するので、Ｐ／Ｂ
比が２桁改善し、検出下限が１桁向上する。
子番号２８）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）２００μｍを設定した例を示す。表４
からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果によ
り５８．２％に低下する一方、例えばＭｎＫα相当のバ
ックグランドは、０．１３％まで低下するので、Ｐ／Ｂ
比が２桁改善し、検出下限が１桁向上する。
【００２４】
【表４】
【００２５】表５に二次ターゲット３ａとしてＮｉ（原
子番号２８）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）３００μｍを設定した例を示す。表５
からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果によ
り５７％に低下する一方、例えばＣｏＫα相当のバック
グランドは、０．２％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁改善し、検出下限が１桁向上する。
子番号２８）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＡｌ
（原子番号１３）３００μｍを設定した例を示す。表５
からは、二次Ｘ線強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果によ
り５７％に低下する一方、例えばＣｏＫα相当のバック
グランドは、０．２％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が２
桁改善し、検出下限が１桁向上する。
【００２６】
【表５】
【００２７】表６に二次ターゲット３ａとしてＺｒ（原
子番号３０）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＣｒ
１００μｍを設定した例を示す。表６からは、二次Ｘ線
強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果により３７％に低下す
る一方、例えばＰｂＬα相当のバックグランドは、０．
０１９％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が３桁改善し、検
出下限が１桁向上する。
子番号３０）板を選択した時に、吸収板２ａとしてＣｒ
１００μｍを設定した例を示す。表６からは、二次Ｘ線
強度１ｂが吸収板２ａの吸収効果により３７％に低下す
る一方、例えばＰｂＬα相当のバックグランドは、０．
０１９％まで低下するので、Ｐ／Ｂ比が３桁改善し、検
出下限が１桁向上する。
【００２８】
【表６】その他の元素を二次ターゲット３ａとして使用
した時に、吸収板２ａの元素と厚みが同様に実験的に決
定され使用される。測定を終了したら、吸収板としてＰ
ｂ５ｍｍを選択すると、Ｘ線は完全にカットされ測定試
料の変換が可能になる。もちろん、吸収板切換機構２に
シャッター機能を持たせる他に、シャッター機構を独立
に配置する構成でも良い。二次ターゲット切換機構３
で、前記金属板の他に合金あるいはグラファイト等の軽
元素を二次ターゲットとして使用する場合、合金の場合
は二次Ｘ線１ｂとして特性Ｘ線が何本か発生し、グラフ
ァイト等の軽元素の場合は、散乱するＸ線が多いので散
乱線で試料４の原子を励起することになる。
した時に、吸収板２ａの元素と厚みが同様に実験的に決
定され使用される。測定を終了したら、吸収板としてＰ
ｂ５ｍｍを選択すると、Ｘ線は完全にカットされ測定試
料の変換が可能になる。もちろん、吸収板切換機構２に
シャッター機能を持たせる他に、シャッター機構を独立
に配置する構成でも良い。二次ターゲット切換機構３
で、前記金属板の他に合金あるいはグラファイト等の軽
元素を二次ターゲットとして使用する場合、合金の場合
は二次Ｘ線１ｂとして特性Ｘ線が何本か発生し、グラフ
ァイト等の軽元素の場合は、散乱するＸ線が多いので散
乱線で試料４の原子を励起することになる。
【００２９】この時は、吸収板切換機構２をＸ線のパス
からはずれて出入れ可能な機構を設けるか、ブランクを
吸収板切換機構２の設定で選べるようにしておく。この
ような二次ターゲット励起方式の他に、Ｘ線管球１から
発生する一次Ｘ線ａを直接測定試料４に照射する直接励
起方式とを切り換える機構を持たせる。この直接励起方
式の場合は、一次Ｘ線ａ’は、微小孔を有する制限コリ
メータ８を通って、測定試料４に照射される。これは一
次Ｘ線ａ７があまりに強すぎるため、Ｘ線管球１に流す
管電流を落とす必要があるが、管電流の直線性を考慮す
ると、せいぜい２桁から３桁までの可変範囲が通常限度
である。そのため、さらに一次Ｘ線ａ’を弱めるために
制限コリメータ８を配置する。
からはずれて出入れ可能な機構を設けるか、ブランクを
吸収板切換機構２の設定で選べるようにしておく。この
ような二次ターゲット励起方式の他に、Ｘ線管球１から
発生する一次Ｘ線ａを直接測定試料４に照射する直接励
起方式とを切り換える機構を持たせる。この直接励起方
式の場合は、一次Ｘ線ａ’は、微小孔を有する制限コリ
メータ８を通って、測定試料４に照射される。これは一
次Ｘ線ａ７があまりに強すぎるため、Ｘ線管球１に流す
管電流を落とす必要があるが、管電流の直線性を考慮す
ると、せいぜい２桁から３桁までの可変範囲が通常限度
である。そのため、さらに一次Ｘ線ａ’を弱めるために
制限コリメータ８を配置する。
【００３０】
【発明の効果】蛍光Ｘ線の測定強度は、吸収板の吸収効
果で数１０％吸収されるが、バックグランドは２〜３桁
以上吸収されるのでＰ／Ｂ比が向上し、検出下限が下が
る。つまり、検出感度がよくなる。
果で数１０％吸収されるが、バックグランドは２〜３桁
以上吸収されるのでＰ／Ｂ比が向上し、検出下限が下が
る。つまり、検出感度がよくなる。
【図１】本発明の実施例の概略斜視図である。
１ Ｘ線管球 ２ 吸収板切換機構 ３ 二次ターゲット切換機構 ４ 試料 ５ エネルギー分散型Ｘ線検出器 ６ 波高分析器 ７ コンピュータ ８ 微小有孔制限コリメータ １ａ 一次Ｘ線（二次ターゲット励起方式） １ａ’二次Ｘ線（直接励起方式） １ｂ 吸収板を通過した二次Ｘ線 １ｃ 蛍光Ｘ線 ｄ 電気信号
Claims (4)
- 【請求項１】 一次Ｘ線を発生するＸ線管球と、前記一
次Ｘ線を照射され二次Ｘ線を発生する異なった複数の材
質のターゲット板と、前記一次Ｘ線を照射するターゲッ
ト板を任意に切換可能にするターゲット切換機構と、前
記ターゲット板から発生する二次Ｘ線を、測定試料に照
射することにより、前記測定試料中に含まれる元素から
発生する蛍光Ｘ線を検出するエネルギー分散型Ｘ線検出
器と、前記Ｘ線管球と前記ターゲット板との間に切換可
能に配置された材質の異なった複数個の吸収板とよりな
る蛍光Ｘ線分析装置において、 前記吸収板は、前記ターゲット板構成元素の原子番号よ
り少なくとも５以上小さい原子番号の元素で構成されて
いることを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項２】 前記エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置
において、 前記複数個のターゲット板の内の１個を選択した時、あ
らかじめ前記ターゲットの種類ごとに決められた電圧を
前記Ｘ線管球に印加される機構を持ち、前記吸収板は、 前記選択されたターゲットと前記電圧の
条件下で発生する前記二次Ｘ線の強度が前記吸収板によ
る吸収で１０％から９０％の範囲まで減衰する板厚にタ
ーゲット種類毎に決められて切換可能になっている請求
項１記載の蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項３】 前記エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置
において、前記複数個の吸収板の他に、１個は前記一次
Ｘ線をほとんどすべて吸収する遮蔽板で１個は、吸収板
が装着されていない、ブランクを有し、非測定時は前記
遮蔽板を選択し、測定時は前記複数個の吸収板の内の１
個が前記ブランクを選択できる請求項１記載の蛍光Ｘ線
分析装置。 - 【請求項４】 前記エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置
において、前記蛍光Ｘ線励起方式の他に、前記Ｘ線管球
と、前記試料の間に駆動機構を有するシャッターを有
し、前記試料が前記一次Ｘ線により直接励起することが
可能なように、多数の微小孔を有する制限板を前記Ｘ線
管球と前記試料の間に配置した請求項１記載の蛍光Ｘ線
分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05040312A JP3117833B2 (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 蛍光ｘ線分析装置 |
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-
1993
- 1993-03-01 JP JP05040312A patent/JP3117833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0566994U (ja) * | 1992-02-15 | 1993-09-03 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
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