JP4001341B2 - ボンディング方法およびその装置 - Google Patents
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Description
すなわち、チップには個々に厚みのバラツキがあり、チップごとにヘッドを押圧しなければ精度よく基板に固着させることができないという不都合がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、実装部材と基板の間に樹脂を介在させて実装部材を基板に実装するボンディング方法において、
基板上に整列されて配置された複数個の実装部材と加圧手段との間に弾性材を介在させた状態で、加圧手段と基板を支持する支持部材とにより挟み込んで複数個の実装部材を同時に加圧する加圧過程と、
縦断面が楕円状であり、この楕円の長軸端に実装部材と光源が対向配置されるとともに、この内壁を金属膜で被覆した楕円空間が実装部材の整列方向にわたって形成され、各実装部位に赤外線を照射するように構成された加熱手段で、前記加圧状態にある前記樹脂に赤外線を照射して加熱硬化する加熱過程とするものである。
また、楕円体状をした内部空間を有する加熱手段の内壁を金属膜で被覆することにより、放射する赤外線が内部の金属膜で反射し、集光されて出力される。したがって、基板上の実装部材の箇所のみに赤外線を照射することができる。また、赤外線を集光して所定箇所に照射することができ、樹脂を効率よく加熱することができる。なお、ここで、楕円体状とは、その従断面が楕円状であって、奥行きを有するものである。
前記基板を載置保持する保持テーブルと、
前記載置された基板上に整列されて配置された複数個の実装部材を同時に加圧する単一の加圧手段と、
前記複数個の実装部材を加圧するときに実装部材と加圧手段との間に介在させる弾性材と、
前記基板の前記実装部材を実装する部分を下方から支持する支持部材と、
前記基板の下方から赤外線を照射して樹脂を加熱硬化させる加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、縦断面が楕円状であり、この楕円の長軸端に実装部材と光源が対向配置されるとともに、この内壁を金属膜で被覆した楕円空間が実装部材の整列方向にわたって形成され、各実装部位に赤外線を照射するように構成されていることを特徴とするものである。
また、楕円体状をした内部空間を有する加熱手段の内壁を金属膜で被覆することにより、放射する赤外線が内部の金属膜で反射し、集光されて出力される。したがって、基板上の実装部材の箇所のみに赤外線を照射することができる。また、赤外線を集光して所定箇所に照射することができ、樹脂を効率よく加熱することができる。なお、ここで、楕円体状とは、その縦断面が楕円状であって、奥行きを有するものである。
図1は本発明に係るボンディング装置である本圧着装置の概略構成を示した斜視図、図2は実施例装置の要部構成を示した側面図、図3は実施例装置の概略構成を示した側面図である。
基板2が、図示しない搬送機構により、本圧着装置へと搬送される。この基板2は、可動テーブル3の基板保持ステージ10に移載されて吸着保持される。基板保持ステージ10は図示しない駆動機構によって、前方(図1のY方向)である、ヘッド12とガラスバックアップ7との間に向かって移動し、弾性材6を介してヘッド5とガラスバックアップ7とでチップ4を上下方向から挟み込めるように基板2の位置合わせを行なう。
樹脂が、例えば190℃以上となるように実装部分への赤外線IRの照射レベル(例えば、出力レベルまたはオン・オフ切り替えによる)および照射時間を制御部53により調節している。ACFの場合の設定温度として好ましくは、200〜220℃の範囲である。設定温度が190℃を下回ると樹脂の硬化促進を損なうからである。220℃を超え、さらに240℃以上になると、樹脂の耐熱に問題がある。
加熱工程が終了すると、樹脂温度がTg温度となるように冷却が開始される。具体的には、以下の手順で冷却が行なわれる。
冷却温度がTg温度に到達すると、ヘッド12によるチップ4への加圧を解除し、ヘッド12を上方待機位置に復帰させる。
ヘッド12の加圧が解除されると、基板保持ステージ10が基板受け渡し位置まで移動する。受け渡し位置に移動した基板2は、図示しない基板搬送機構によって基板収納ユニットに搬送されて基板回収マガジンに収納される。
2 … 基板
3 … 可動テーブル
4 … チップ
5 … 加圧手段
6 … 弾性材
7 … ガラスバックアップ
8 … 赤外線照射部
Claims (13)
- 実装部材と基板の間に樹脂を介在させて実装部材を基板に実装するボンディング方法において、
基板上に整列されて配置された複数個の実装部材と加圧手段との間に弾性材を介在させた状態で、加圧手段と基板を支持する支持部材とにより挟み込んで複数個の実装部材を同時に加圧する加圧過程と、
縦断面が楕円状であり、この楕円の長軸端に実装部材と光源が対向配置されるとともに、この内壁を金属膜で被覆した楕円空間が実装部材の整列方向にわたって形成され、各実装部位に赤外線を照射するように構成された加熱手段で、前記加圧状態にある前記樹脂に赤外線を照射して加熱硬化する加熱過程と
を備えたことを特徴とするボンディング方法。 - 請求項1に記載のボンディング方法において、
前記樹脂は、導電粒子を混入した樹脂であることを特徴とするボンディング方法。 - 請求項1または請求項2に記載のボンディング方法において、
前記基板は、フラット表示パネルであることを特徴とするボンディング方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のボンディング方法において、
前記樹脂を加熱硬化した後にガラス転移点近傍以下まで冷却してから実装部材の加圧を解除する冷却過程を備えたことを特徴とするボンディング方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のボンディング方法において、
前記加熱過程で前記支持部材を同時に加熱することを特徴とするボンディング方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のボンディング方法において、
前記弾性体は、断熱性を有する部材であることを特徴とするボンディング方法。 - 実装部材と基板の間に樹脂を介在させて実装部材を基板に実装するボンディング装置において、
前記基板を載置保持する保持テーブルと、
前記載置された基板上に整列されて配置された複数個の実装部材を同時に加圧する単一の加圧手段と、
前記複数個の実装部材を加圧するときに実装部材と加圧手段との間に介在させる弾性材と、
前記基板の前記実装部材を実装する部分を下方から支持する支持部材と、
前記基板の下方から赤外線を照射して樹脂を加熱硬化させる加熱手段とを備え、
前記加熱手段は、縦断面が楕円状であり、この楕円の長軸端に実装部材と光源が対向配置されるとともに、この内壁を金属膜で被覆した楕円空間が実装部材の整列方向にわたって形成され、各実装部位に赤外線を照射するように構成されている
ことを特徴とするボンディング装置。 - 請求項7に記載のボンディング装置において、
前記支持部材は、ガラスバックアップであって、加熱手段から出力される赤外線がこのガラスバックアップを通過して基板上に実装されるチップ部分のみを照射する出力部を形成するように、このガラスバックアップの基板側表面の一部を残して他の部分を金属膜で被覆したことを特徴とするボンディング装置。 - 請求項8に記載のボンディング装置において、
前記ガラスバックアップを金属膜で被覆し、かつ、赤外線照射と同時にガラスバックアップを加熱することを特徴とするボンディング装置。 - 請求項9に記載のボンディング装置において、
前記ガラスバックアップを被覆した金属膜が、アルミニウム、金、銅、クロムのいずれかであることを特徴とするボンディング装置。 - 請求項8または請求項10に記載のボンディング装置において、
前記ガラスバックアップを加熱するヒータを備えたことを特徴とするボンディング装置。 - 請求項7ないし請求項11のいずれかに記載のボンディング装置において、
前記加熱硬化した樹脂をガラス転移点近傍以下まで冷却する冷却手段を備えたことを特徴とするボンディング装置。 - 請求項7ないし請求項12のいずれかに記載のボンディング装置において、
基板の裏面側に向けてエアーを送るエアーノズルを備えたことを特徴とするボンディング装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4687273B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 電子部品の実装方法 |
JP4872291B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 電極接続方法、電極接続装置、および配線板接合体の製造方法 |
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KR100734422B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-07-03 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디용 본딩장치 |
JP4862963B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-01-25 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102204419A (zh) * | 2008-10-31 | 2011-09-28 | 东丽株式会社 | 电子部件和挠性薄膜基板的接合方法及接合装置 |
KR101119541B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-02-22 | (주)멜파스 | Acf본딩을 위한 압착 장치 및 상기 압착 장치의 동작 방법 |
JP2011199184A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 基板実装装置及び基板実装方法 |
WO2014142330A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 株式会社ニコン | バイオチップ固定方法、バイオチップ固定装置及び生体分子アレイのスクリーニング方法 |
WO2018232711A1 (zh) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 承载装置和压合设备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444918A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Konishiroku Photo Ind | Production of liquid crystal display device |
JPH07130795A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子接続方法および半導体素子接続装置 |
JPH09297318A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-11-18 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 |
JP3815149B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2006-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | 部品実装方法および電気光学装置の製造方法 |
JP3949031B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2007-07-25 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法 |
JP2003303851A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-10-24 | Toray Eng Co Ltd | チップ実装方法およびそれを用いた装置 |
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