JP3993543B2 - 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

半透過型液晶表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3993543B2
JP3993543B2 JP2003274358A JP2003274358A JP3993543B2 JP 3993543 B2 JP3993543 B2 JP 3993543B2 JP 2003274358 A JP2003274358 A JP 2003274358A JP 2003274358 A JP2003274358 A JP 2003274358A JP 3993543 B2 JP3993543 B2 JP 3993543B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
forming
liquid crystal
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003274358A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004038186A (ja
Inventor
キム ホン−ジン
Original Assignee
エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド filed Critical エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド
Publication of JP2004038186A publication Critical patent/JP2004038186A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3993543B2 publication Critical patent/JP3993543B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特にマスク工程数を削減した半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
最近、液晶表示装置は、消費電力が低く携帯性に優れた技術集約的で付加価値が高い次世代先端表示装置素子として脚光を浴びている。
前記液晶表示装置は、透明電極が形成された両基板間に液晶を注入し、上部及び下部基板の外部に上部及び下部偏光板を配置させて形成され、上部及び下部電極に電圧を印加して液晶の配列を変えることによって光の透過率を調節する方式により駆動される。
現在、各画素を開閉するスイッチング素子である薄膜トランジスタが画素ごとに配置されるアクティブマトリックス方式液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ；Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）が解像度及び動画具現能力が優秀で最も注目を浴びている。
図１は一般的な液晶表示装置の断面図である。
図示したように、上部基板２及び下部基板４が相互に一定の間隔を空けて配置されており、上部基板２及び下部基板４の間には液晶層６が介在している。
前記下部基板４の透明基板上部にはゲート電極８が形成されていて、ゲート電極８上部にはゲート絶縁膜９が形成されており、ゲート絶縁膜９上部のゲート電極８を覆う位置にはアクティブ層１１ａ、オーミックコンタクト層１１ｂが順に積層された半導体層１１が形成されている。半導体層１１の上部には相互に一定の間隔を空けて配置されたソース電極１３及びドレイン電極１５が形成されており、ソース電極１３及びドレイン電極１５間の離隔区間にはアクティブ層１１ａの一部を露出させたチャネルが形成されていて、ゲート電極８、半導体層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１５、チャネルｃｈは薄膜トランジスタＴを形成する。
図面に提示しなかったが、前記ゲート電極８と連結して第１方向にゲート配線が形成されて、この第１方向と交差する第２方向に前記ソース電極１３と連結するデータ配線が形成され、このゲート及びデータ配線が交差する領域は画素領域Ｐと定義される。
また、前記薄膜トランジスタＴの上部にはドレインコンタクトホール１７を有する保護層１９が形成されていて、画素領域Ｐにはドレインコンタクトホール１７を通じて前記ドレイン電極１５と連結する画素電極２１が形成されている。
また、前記上部基板２の透明基板下部には、画素電極２１と対応する位置に特定波長帯の光だけをろ過するカラーフィルター層２３が形成されており、カラーフィルター層２３のカラー別境界部には光漏れ現象及び薄膜トランジスタＴへの光流入を遮断するブラックマトリックス２７が形成されている。
また、このカラーフィルター層２３及びブラックマトリックス２７の下部には液晶層６に電圧を印加するための、別の電極である共通電極２９が形成されている。
一方、前記上部基板２及び下部基板４の間に介在する液晶層６の漏洩を防止するために、上部基板２及び下部基板４の縁はシールパターン３１により封止されている。
また、前記上部基板２及び下部基板４の間にはボールスペーサー３３が配置され、前述したシールパターン３１と一緒に一定のセルギャップを維持する役割を果たす。
図面に提示しなかったが、前記上部基板２及び下部基板４の液晶層６と各々接する部分は、液晶の配列を容易に誘導するために上部及び下部配向膜をさらに含む。
図面に提示しなかったが、このような液晶表示装置は別の光源であるバックライトを含む。しかし、前記バックライトから生成された光は液晶表示装置の各セルを通過しながら実際に画面上には７％程度だけ透過されるので、高輝度の液晶表示装置を提供するためにはバックライトをさらに明るくしなければならず、電力消耗量が大きくなる。
それゆえ、充分なバックライトの電源供給用として重量の大きいバッテリーを用いてきたが、これも使用時間に制限がある。
このような問題点を解決するために、最近、バックライト光を使用しないか、または外部光を兼用する反射／半透過型液晶表示装置が研究／開発された。
この中反射型液晶表示装置は、外部光を利用して動作するので、バックライトが消耗する電力量を大幅に減少する効果があるため、長時間携帯状態で使用が可能であって、電子手帳やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯用表示素子として利用されている。
前記反射／半透過型液晶表示装置は、既存透過型液晶表示装置において透明電極で形成された画素部に反射特性が良い金属物質で構成された反射板が備わることを特徴とする。
前記画素部において、反射板は、透明電極の上部、下部どちらに配置しても構わないが、液晶配列を容易に誘導するために透明電極を反射板上部に配置する構造が最近注目を浴びており、このような構造でも前記反射板と透明電極間の短絡及び反射板の保護を目的とする多重層構造絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置が提案されている。
以下、多重層絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程について図面を参照しながら説明する。
図２ないし図８、及び図９ないし図１５は、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に示した図面である。図２ないし図８は画面が駆動される領域と定義されるアクティブ領域における薄膜トランジスタ部及び画素部の段階別断面図であり、図９ないし図１５は半透過型液晶表示装置用アレイ基板の周辺部に位置する非アクティブ領域でのアライメントマーク形成部に対する段階別断面図である。
前記アレイ基板に形成されるパターンは、蒸着またはコーティング、フォトエッチング、エッチングを含むマスク工程により形成されるものであって、マスク工程毎に図示した。
図２及び図９では、第１マスク工程により、透明基板４上に第１金属物質を使用してゲート電極１０及び第１アライメントマーク１２を各々形成する。
図３及び図１０では、前記ゲート電極１０及び第１アライメントマーク１２を覆う基板全面に第１絶縁物質を使用してゲート絶縁膜１４を形成し、次いで第２マスク工程により、非晶質シリコン及び不純物シリコンを使用して、ゲート電極１０上部に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなるアクティブ層１６ａと、不純物シリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）からなるオーミックコンタクト層１６ｂで構成される半導体層１６とを形成する。
次に、図４及び図１１では、第３マスク工程により、第２金属物質を使用して、前記半導体層１６上部に相互に一定の間隔を空けて配置されるソース電極１８及びドレイン電極２２と、ソース電極１８と連結されるデータ配線２０と、前述した第１アライメントマーク１２と対応する位置のゲート絶縁膜１４上部に第２アライメントマーク２４とを形成する。
前記ゲート電極１０、半導体層１６、ソース電極１８及びドレイン電極２２は、薄膜トランジスタＴを形成する。
図５及び図１２では、前記薄膜トランジスタＴ及び第２アライメントマーク２４を覆う基板全面に第１保護層２５、第２保護層２６、第３保護層２８を順に形成し、その後第４マスク工程により、前記第２アライメントマーク２４と対応する位置の第２保護層２６及び第３保護層２８に、第２アライメントマーク２４を露出させるための第１開口部３０を形成する。
この段階は、比較的厚い厚さで形成される第２保護層２６により第２アライメントマーク２４が遮られることを防止するための段階であって、前述した第１ないし３マスク工程に利用されるマスクより単純な構造のオープンマスクが利用される。
図６及び図１３は、第５マスク工程により、前記薄膜トランジスタＴ部の第３保護層２８上部に反射特性が良い第３金属物質を使用して第２開口部３４を有する反射層３２を形成し、第３保護層２８を一部露出させる段階である。
この段階では、前述した第４マスク工程を通じて露出させた第２アライメントマーク２４が反射層３２のパターニング工程のためのアライメントマークとして利用される。
前記第１保護層２５、第３保護層２８は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で構成され、第２保護層２６はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）から選択されることを特徴とする。前記第２保護層２６は反射層３２と図示しなかった透過電極間の電気的干渉を低下させるために形成され、第１保護層２５は薄膜トランジスタＴの電気的特性を改善するために形成されたものであって、第３保護層２８は第２保護層２６と反射層３２間の接触特性を向上させるために形成されたものである。
図７及び図１４では、前記反射層３２を覆う基板全面に第４保護層３６を形成し、次いで第６マスク工程により前述した第２開口部３４と対応する位置にドレイン電極２２を露出させるためのドレインコンタクトホール３８を形成する。
前記第４保護層３６は、前述した第１保護層２５、第３保護層２８と同一の物質から選択され、反射層３２と透過電極（図示せず）の間の腐蝕現象であるガルバニック（Ｇａｌｖａｎｉｃ）現象を防止する役割を果たす。
次に、図８及び図１５は、第７マスク工程により、透明導電性物質を使用して、前記ドレインコンタクトホール３８を通じて液晶が駆動される領域と定義される画素部Ｐに、ドレイン電極２２と連結する透過電極４０を形成する段階である。
この段階を経て、画素部Ｐは、反射層３２と対応する領域として外部光を反射させて画面を具現する反射部と、基板下部に配置されたバックライトから供給される光を利用して画面を具現する透過部とにより構成される。
このように、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板製作には、ゲート工程、半導体層工程、データ工程、反射層工程、アライメントマークオープン工程、コンタクトホール工程、画素工程からなる７マスク工程が要求された。
すなわち、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の工程は、透過型液晶表示装置用アレイ基板に比べて多くの工程を有し、マスク工程では化学的／物理的工程が反復されて、工程数が増加するほど製造費用が増加し、また素子に損傷を加える確率が高まる問題点があった。
前記問題点を解決するために、本発明ではマスク工程が単純化されて生産収率が向上した半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
このために、本発明では、ソース電極及びドレイン電極とデータ配線を形成する金属物質を少なくとも二重層以上の金属物質で構成し、最上部層を形成する金属物質を反射特性が良い金属物質で構成し、他の反射層工程を省略して、これにより少ないマスク工程により半透過型液晶表示装置用アレイ基板を製作する。
前記目的を達成するために、本発明の第１様態では、基板と；前記基板上部に形成されるゲート配線と；前記ゲート配線と交差して透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と；前記ゲート配線に連結されるゲート電極と；前記ゲート電極上部に相互に離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層として前記画素領域に形成され、前記透過部に対応する透過ホールを有する反射層と；前記画素領域に形成され、前記ドレイン電極に連結される画素電極とを含み、前記ソース電極が前記データ配線に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極と前記反射層とが複数個の金属層で構成され、前記複数個の金属層の最上層が反射特性を有する金属物質からなることを特徴とする、半透過型液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
前記反射特性を有する金属物質は、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属物質から選択され、前記金属物質はアルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）である。
前記データ配線は、前記反射層から間隔を空けて配置され、該間隔は５μｍ〜７μｍである。
当該アレイ基板は、前記ゲート配線及びゲート電極の上部に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上部に形成される半導体層と、前記ソース電極及びドレイン電極と反射層上部に連続的に形成され、前記ドレイン電極を露出するためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層をさらに含むことができる。
また、当該アレイ基板は、前記ゲート配線と同一層に形成される第１キャパシター電極と、前記データ配線と同一層に形成されて前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極とをさらに含むことができる。
前記第１絶縁層は、前記第１キャパシター電極と第２キャパシター電極の間に形成され、前記第２キャパシター電極は前記第２絶縁層が有するキャパシターコンタクトホールを通じて前記画素電極に連結される。
本発明の第２様態では、第１マスク工程により、基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；第２マスク工程により前記ゲート電極を覆う第１絶縁層上部に半導体層を形成する段階と；第３マスク工程により、前記半導体層上部に相互に間隔を空けて配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差して透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と、前記第１絶縁層上部に前記透過部に対応する透過ホールを有して前記画素領域に配置される反射層とを形成する段階と；第４マスク工程により、前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層を形成する段階と；第５マスク工程により、前記第２絶縁層上部に、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結される透明導電性物質からなる画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース電極を前記データ配線に連結し、前記ソース電極及びドレイン電極と前記反射層とを複数個の金属層で構成して前記複数個の金属層の最上層を反射特性を有する金属物質から構成することを特徴とする、半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
当該方法は、前記基板の非表示領域に前記第３マスク工程を通じて第２アライメントマークを形成する段階と、前記第２アライメントマーク上部に、前記第４マスク工程を通じて前記第２アライメントマークを露出させるための開口部を有する第２絶縁層を形成する段階をさらに含む。
当該方法はまた、前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて前記第２アライメントマークに対応する第１アライメントマークを形成する段階をさらに含む。
当該方法では、前記データ配線は前記反射層から間隔を空けて配置し、該間隔は５μｍ〜７μｍとする。また当該方法は、前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて第１キャパシター電極を形成する段階と、前記第３マスク工程を通じて前記第１絶縁層上部に前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極を形成する段階とをさらに含むことができる。
当該方法は、前記第４マスク工程を通じて前記第２絶縁層に前記第２キャパシター電極を露出するためのキャパシターコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、よって前記画素電極を前記キャパシターコンタクトホールを通じて前記第２キャパシター電極と連結させる。
以下、本発明による望ましい実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１６は、本発明による半透過型液晶表示装置の平面図であって、一つの画素領域を中心に図示した。
図示したように、第１方向にゲート配線１１１が形成されていて、第２方向にゲート配線１１１と交差するデータ配線１２０が形成されており、ゲート配線１１１からはゲート電極１１０が、データ配線１２０からはソース電極１１８が分岐しており、ソース電極１１８から一定の間隔を空けて、ソース電極１１８と共にゲート電極１１０と一定間隔重なるドレイン電極１２２が形成されている。
本実施例は、前記ゲート配線１１１及びデータ配線１２０が交差する領域と定義される画素領域に、前記データ配線１２０と同一物質で構成され、中央部に透過ホール１２３を有する反射層１２４が形成されていることを特徴とする。
また、前記画素領域には、ドレインコンタクトホール１３２を通じてドレイン電極１２２と連結する画素電極１３６が形成されている。
前記画素領域において、前述した反射層１２４が形成された部分は反射部を構成し、透過ホール１２３を通じて露出する画素電極１３６が形成された部分は透過部を構成する。
また、本発明は、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２と、データ配線１２０とを構成する物質を選択する際に、上部層物質を反射特性が良い金属物質から選択し、かつソース電極１１８及びドレイン電極１２２、及びデータ配線１２０の形成段階で反射層１２４を同時に形成することによって、マスク工程数を削減することを特徴とする。
この時、前記データ配線１２０と反射層１２４の間の間隔Ｉを5μｍ〜7μｍとして、データ配線１２０と反射層１２４の間に短絡が発生するのを防止する。
また、前記ストレージキャパシターＣＳＴを構成するためにゲート配線１１１からは第１キャパシター電極１１３が分岐しており、キャパシター電極１１３を覆う領域には絶縁体が介在した状態でデータ配線１２０と同一物質で構成された第２キャパシター電極１２１が形成され、第２キャパシター電極１２１はキャパシターコンタクトホール１２５を通じてもう一つの絶縁体が介在した状態で画素電極１３６と連結している。
図１７ないし図２１、及び図２２ないし図２６は、本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に示した図面である。図１７ないし図２１は、画面が駆動される領域と定義されるアクティブ領域に薄膜トランジスタ部及び画素部を形成する工程の段階別断面図であり、図２２ないし図２６は半透過型液晶表示装置用アレイ基板の周辺部に位置する非アクティブ領域にアライメントマークを形成する工程の段階別断面図である。
図１７及び図２２では、第１マスク工程により透明基板１００上に第１金属物質を使用してゲート電極１１０及び第１アライメントマーク１１２を形成する。
前記第１金属物質は、抵抗率値が低い金属物質、特にアルミニウムを含む金属物質から選択することが望ましい。
図１８及び図２３は、第１絶縁物質を使用してゲート電極１１０及び第１アライメントマーク１１２を覆う基板全面に第１絶縁層１１４を形成し、次に第２マスク工程により、非晶質シリコン、不純物シリコンを使用してゲート電極１１０と対応する位置に非晶質シリコンで構成されたアクティブ層１１６ａと、不純物シリコンからなるオーミックコンタクト層１１６ｂで構成される半導体層１１６とを形成する段階である。
前記第１絶縁層１１４を構成する第１絶縁物質は、シリコン絶縁物質から選択し、特にシリコン窒化膜とすることが望ましい。
図１９及び図２４では、第３マスク工程により、第２金属物質を使用して、半導体層１１６と一部重なるソース電極１１８を含むデータ配線１２０と、ソース電極１１８と一定の間隔を空けて配置されるドレイン電極１２２と、画素部Ｐに透過ホール１２３を有する反射層１２４とを、前記半導体層１１６が形成された基板上に形成し、前述した第１アライメントマーク１１２と対応する位置に第２アライメントマーク１２６を形成する。
前記ゲート電極１１０、半導体層１１６、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２は薄膜トランジスタＴを形成する。
前記第２金属物質は、化学的耐蝕性が強い金属物質を下部層とし、反射特性が良い金属物質を上部層とする少なくとも二重層構造で構成されたことを特徴とする。
前記下部層金属物質は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）のうちいずれか一つの物質から選択されることが望ましく、前記上部層金属物質はアルミニウムまたはアルミニウム合金から選択されることが望ましく、さらに望ましくはアルミニウムネオジムである。
すなわち、前記ソース電極１１８及びドレイン電極１２２、データ配線１２０、反射層１２４、及び第２アライメントマーク１２６は、各々第１ソース金属層１１８ａと第２ソース金属層１１８ｂ及び第１ドレイン金属層１２２ａと第２ドレイン金属層１２２ｂ、第１データ金属層１２０ａと第２データ金属層１２０ｂ、第１反射金属層１２４ａと第２反射金属層１２４ｂ、及び第２−１アライメントマーク金属層１２６ａと第２−２アライメントマーク金属層１２６ｂで構成され、特に反射層１２４の上部層を構成する第２反射金属層１２４ｂが反射特性が良い金属物質から選択されることによって、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２、及びデータ配線１２０を形成する段階で、反射層１２４を同時に形成できることを特徴とする。
次に、図２０及び図２５では、前記薄膜トランジスタＴ及び第２アライメントマーク１２６を覆う基板全面に、第２絶縁層を成す第１保護層１２８と第２保護層１３０とを順序通り形成した後、第４マスク工程により第１保護層１２８と第２保護層１３０とから成る第２絶縁層に、前記ドレイン電極１２２を一部露出させるためのドレインコンタクトホール１３２、及び第２アライメントマーク１２６を露出させるためのアライメントマークコンタクトホール１３４を形成する。
前記第１保護層１２８は、無機絶縁物質、特にシリコン絶縁物質から選択することが望ましく、第２保護層１３０は低誘電率値を有する有機絶縁物質から選択し、特にＢＣＢとすることが望ましい。
従来技術では別の工程としてアライメントマークオープン工程が追加されたが、本発明ではソース及びドレイン工程で反射層を形成するために、ドレインコンタクトホール形成段階でアライメントマークを同時にオープンさせることができ、これに相当するマスク工程を省略できる。
図２１及び図２６は、第５マスク工程により、透明導電性物質を使用して、ドレインコンタクトホール１３２を通じてドレイン電極１２２と連結する画素電極１３６を画素部Ｐに形成する段階である。
前記画素部Ｐにおいて、前述した反射層１２４と対応する領域は反射部を構成し、画素電極１３６下部に反射層１２４がなく、画素電極１３６だけが形成された領域は透過部を構成する。
このように、本発明によるアレイ工程ではソース電極及びドレイン電極、並びにデータ配線を構成する上部層金属物質を、反射特性が良い金属物質から選択することが望ましい。
しかし、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱せずに様々に変更して実施できる。
このように、本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程によれば、マスク工程数を削減することができ、生産収率が向上した製品を提供できる。
一般的な液晶表示装置に対する断面図。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置の平面図。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。 本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
符号の説明
１００：透明基板
１１０：ゲート電極
１１２：第１アライメントマーク
１１４：第１絶縁層
１１６ａ：アクティブ層
１１６ｂ：オーミックコンタクト層
１１６：半導体層
１１８ａ：第１ソース金属層
１１８ｂ：第２ソース金属層
１１８：ソース電極
１２０ａ：第１データ金属層
１２０ｂ：第２データ金属層
１２０：データ配線
１２２ａ：第１ドレイン金属層
１２２ｂ：第２ドレイン金属層
１２２：ドレイン電極
１２４ａ：第１反射金属層
１２４ｂ：第２反射金属層
１２４：反射層
１２６ａ：第２−１アライメントマーク金属層
１２６ｂ：第２−２アライメントマーク金属層
１２６：第２アライメントマーク
１２８，１３０：第２絶縁層
１３２：ドレインコンタクトホール
１３６：画素電極
Ｐ：画素部
Ｔ：薄膜トランジスタ


Claims (13)

  1. 第１マスク工程により、基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；
    前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；
    第２マスク工程により、前記ゲート電極を覆う第１絶縁層上部に半導体層を形成する段階と；
    第３マスク工程により、前記半導体層上部に相互に離間するソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差し、透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と、前記第１絶縁層上部に前記透過部に対応する透過ホールを有し、前記画素領域に配置する反射層とを形成する段階と；
    第４マスク工程により、前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層を形成する段階と；
    第５マスク工程により、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結し、透明導電性物質からなる画素電極を前記第２絶縁層上部に形成する段階と
    を含み、
    前記ソース電極を前記データ配線に連結し、前記ソース電極及びドレイン電極と、前記反射層とを複数個の金属層で構成して前記複数個の金属層の最上層を反射特性を有する金属物質から構成することを特徴とする半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  2. 前記基板の非表示領域に前記第３マスク工程を通じて第２アライメントマークを形成する段階と、前記第２アライメントマーク上部に前記第４マスク工程を通じて前記第２アライメントマークを露出するための開口部を有する第２絶縁層を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  3. 前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて前記第２アライメントマークに対応する第１アライメントマークを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  4. 前記データ配線は、前記反射層から間隔を空けて配置し、該間隔を５μｍ〜７μｍとすることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  5. 前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて第１キャパシター電極を形成する段階と、前記第１絶縁層上部に前記第３マスク工程を通じて前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  6. 前記第２絶縁層に前記第４マスク工程を通じて前記第２キャパシター電極を露出するためのキャパシターコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記画素電極を前記キャパシターコンタクトホールを通じて前記第２キャパシター電極と連結させることを特徴とする請求項５に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  7. 基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；
    前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；
    前記第１絶縁層上部にアクティブ層とオーミックコンタクト層で構成した半導体層を形成する段階と；
    前記第１絶縁層上部に、ソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差し、透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と、反射層とを複数個の金属層で同時に形成する段階と；
    前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層の上側に、透明導電性物質からなり、前記ドレイン電極と連結する画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。


  8. 前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層の形成と同時に、前記第１絶縁層上部に第２アライメントマークを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  9. 前記ゲート電極とゲート配線の形成と同時に、前記第２アライメントマークに対応する第１アライメントマークを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  10. 前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを含む第２絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  11. 前記画素電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結させることを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  12. 前記データ配線と反射層は、相互に電気的に絶縁されるように間隔を空けて配置されることを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
  13. 前記反射層の最上層は反射特性を有し、前記反射層の最下層は化学的耐蝕性を有することを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
JP2003274358A 2002-07-15 2003-07-14 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3993543B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0041289A KR100467944B1 (ko) 2002-07-15 2002-07-15 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004038186A JP2004038186A (ja) 2004-02-05
JP3993543B2 true JP3993543B2 (ja) 2007-10-17

Family

ID=27752003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003274358A Expired - Fee Related JP3993543B2 (ja) 2002-07-15 2003-07-14 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6794228B2 (ja)
JP (1) JP3993543B2 (ja)
KR (1) KR100467944B1 (ja)
CN (1) CN1237384C (ja)
DE (1) DE10331826B4 (ja)
GB (1) GB2390932B (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483358B1 (ko) * 2001-09-07 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20040061292A (ko) * 2002-12-30 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법
KR101090246B1 (ko) * 2003-12-10 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101064185B1 (ko) * 2004-02-05 2011-09-14 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시장치
KR101023978B1 (ko) * 2004-03-18 2011-03-28 삼성전자주식회사 반투과 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치
JP2005275102A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
KR101049001B1 (ko) * 2004-05-31 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식(ｉｐｓ)의 컬러필터 온박막트랜지스터(ｃｏｔ) 구조의 액정표시장치
US7612373B2 (en) * 2004-06-30 2009-11-03 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device with color filter layer on thin film transistor
JP4802462B2 (ja) * 2004-07-27 2011-10-26 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
KR101096706B1 (ko) * 2004-11-30 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR20060069080A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US20060139527A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Wei-Chih Chang Liquid crystal display device with transmission and reflective display modes and method of displaying balanced chromaticity image for the same
US20060139522A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Toppoly Optoelectronics Corp. Transflective liquid crystal display device with balanced chromaticity
JP4744156B2 (ja) * 2005-01-19 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4083752B2 (ja) * 2005-01-31 2008-04-30 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR20060100872A (ko) 2005-03-18 2006-09-21 삼성전자주식회사 반투과 액정 표시 장치 패널 및 그 제조 방법
US7248317B2 (en) * 2005-04-21 2007-07-24 Toppoly Optoelectronics Corporation Transflective display panels and methods for making the same
KR101198216B1 (ko) 2005-09-20 2012-11-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
JP4663485B2 (ja) * 2005-11-04 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法、半透過型液晶表示装置
JP4419946B2 (ja) * 2005-11-30 2010-02-24 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR101279927B1 (ko) * 2006-10-16 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101347014B1 (ko) * 2006-11-30 2014-01-07 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2012079998A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP4874420B2 (ja) * 2010-12-22 2012-02-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN103943643B (zh) * 2014-04-25 2017-03-15 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多层堆积的金属遮光薄膜及其制备方法
JP6259120B2 (ja) * 2014-11-28 2018-01-10 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN108963497B (zh) * 2017-05-19 2022-09-20 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 电连接器
DE112017007966T5 (de) * 2017-09-01 2020-06-04 Mitsubishi Electric Corporation Feldeffekttransistor
CN111694464B (zh) * 2020-06-19 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN112015016B (zh) * 2020-09-07 2022-11-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
CN113205773B (zh) * 2021-04-28 2023-08-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3751681B2 (ja) * 1996-06-11 2006-03-01 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US6295109B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions
JP4167335B2 (ja) * 1998-01-30 2008-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6317185B1 (en) * 1998-05-29 2001-11-13 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display apparatus
JP2000258787A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR100661825B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
TWI290252B (en) * 2000-02-25 2007-11-21 Sharp Kk Liquid crystal display device
KR100719334B1 (ko) * 2000-03-08 2007-05-17 삼성전자주식회사 반사 투과 복합형 컬러 액정표시장치
JP2002044323A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Canon Inc 画像形成装置
US6620655B2 (en) 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same
KR100729763B1 (ko) * 2000-12-04 2007-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20020051455A (ko) * 2000-12-22 2002-06-29 구본준, 론 위라하디락사 반사형 및 투과반사형 액정표시장치와 그 제조방법
KR100766493B1 (ko) 2001-02-12 2007-10-15 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100789146B1 (ko) * 2002-01-22 2007-12-28 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
GB2390932B (en) 2004-09-01
GB0316302D0 (en) 2003-08-13
US6794228B2 (en) 2004-09-21
CN1472582A (zh) 2004-02-04
CN1237384C (zh) 2006-01-18
US6917405B2 (en) 2005-07-12
DE10331826B4 (de) 2011-03-31
JP2004038186A (ja) 2004-02-05
GB2390932A (en) 2004-01-21
KR20040007999A (ko) 2004-01-28
US20050012110A1 (en) 2005-01-20
US20040007704A1 (en) 2004-01-15
DE10331826A1 (de) 2004-02-12
DE10331826A8 (de) 2005-04-07
KR100467944B1 (ko) 2005-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3993543B2 (ja) 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
US20200243625A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same
US7935579B2 (en) Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same
KR101183361B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101325053B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP5106762B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US7602452B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7811870B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof
US8211797B2 (en) Metal wiring layer and method of fabricating the same
US8049830B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP5120828B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板とその製造方法、及びこれを有する液晶表示パネルとその製造方法
JP2006133769A (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
EP2497107B1 (en) Mask level reduction for mofet
KR20080096214A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US20070188682A1 (en) Method for manufacturing a display device
JP2005173613A (ja) 薄膜トランジスタ表示板
KR20110056962A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
US8304772B2 (en) Thin-film transistor array panel and method of fabricating the same
US6861671B2 (en) Thin film transistor liquid crystal display and fabrication method thereof
KR100417917B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100810493B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치
JP2005266475A (ja) 半透過型液晶表示装置
CN110729236A (zh) 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
KR20070072115A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20080034634A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 구비하는액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060523

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3993543

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130803

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees