JP3991961B2 - Side-emitting light-emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト、パネルメーター、表示灯や面発光スイッチなどに用いられる発光装置、および光学センサなどに用いられる受光装置並びにそれらを用いた光学装置に関する。 The present invention is a backlight of a liquid crystal display panel meter, light emitting device used such as lights, surface-emitting switches, and an optical device using the light-receiving device as well as their use, such as the optical sensor.

今日、発光素子や受光素子に代表される半導体素子と、該発光素子や受光素子を外部環境から保護し、それらの電極と接続するリード電極を備えた支持体とを有する半導体装置が提供されている。 Today, a semiconductor element typified by a light emitting element and the light receiving element, to protect the light emitting element and the light receiving element from the external environment, a semiconductor device having a support body provided with a lead electrode connected to the electrodes are provided there.

特に発光装置として、発光素子と該発光素子からの光を吸収して異なる波長を有する光を発光する蛍光体とを組み合わせて白色系の混色光を高輝度に発光可能な発光ダイオードが開発された。 Particularly light emitting device, capable of emitting light emitting diodes have been developed in the white mixed light of a combination of a phosphor that emits light having a different wavelength by absorbing light from the light emitting element and the light emitting element high intensity . その結果、これらの複数の発光ダイオードを配列して構成される光源が種々の分野にて利用されている。 As a result, a light source constituted by arranging a plurality of these light emitting diodes have been utilized in various fields. このような発光ダイオードは、発光素子がパッケージと呼ばれる支持体に固定され、発光装置とされている。 Such light emitting diodes, light-emitting element is fixed to a support called packages, there is a light-emitting device. 例えば、発光装置の発光面が発光装置の実装面にほぼ垂直な方向に設けられ、発光装置の実装面にほぼ平行な方向に光を照射可能な表面実装型発光装置(例えば、特許文献1参照。)が挙げられる。 For example, the light emitting surface of the light emitting device is provided in a direction substantially perpendicular to the mounting surface of the light emitting device, a surface-mount type light emitting device capable of emitting light to a direction substantially parallel to the mounting surface of the light emitting device (e.g., see Patent Document 1 .), and the like.

また、発光ダイオード等の発光装置が固定された透光性部材の光入射面から発光ダイオードの光を入射させ、透光性部材内を導光させた後、該透光性部材の光出射面側から光を取り出す光源が知られている。 The light-emitting device such as light emitting diodes so that a light having a light-emitting diode from the light incident surface of the fixed translucent member, after guiding the light transmissive member, the light emitting surface of the light-transmitting member light source in which light is taken out from the side is known. このような光源として例えば、液晶ディスプレイ用バックライト等の面状光源が挙げられる。 For example, as such a light source, a planar light source for backlights for liquid crystal displays.

特開2000−196153号公報。 JP 2000-196153 JP.

しかしながら、上記特許文献1に開示されるパッケージは、薄膜電極を絶縁性基板に設けて成り、該絶縁性基板のみにてパッケージの外形が決定する。 However, the package disclosed in Patent Document 1 is made by providing a thin-film electrode on an insulating substrate, package outline is determined by the insulative substrate only. ここで、絶縁性基板は高温下にて収縮が激しく一定形状がえられにくい。 Here, the insulating substrate is unlikely to be e violently constant shape shrinkage at elevated temperatures. また、絶縁性基板を使用すればパッケージの小型化に限界がある。 Further, there is a limit to the miniaturization of the package be used an insulating substrate. さらに、薄膜電極を利用しているため、小型化になるほど放熱性が乏しくなる。 Furthermore, because of the use of thin film electrodes, the heat dissipation property as it becomes miniaturization becomes poor.

そこで、樹脂の射出成型により形成される成型体をパッケージとすることにより、発光装置の薄型化および小型化を図るとともに放熱性を向上させることとしている。 Therefore, by setting the molded body package formed by injection molding of resin, and the improving the heat dissipation properties while achieving a thinner and smaller light emitting device. このようなパッケージは、リード電極がパッケージ内に挿入されるように一体成型され、パッケージ成型後リード電極は、パッケージ側面から突出している部分を折り曲げられ、実装基板に対して実装しやすい形状とされる。 Such package is integrally molded to the lead electrode is inserted into the package, the package after molding the lead electrode is bent a portion projecting from the package side, is a mounting easy shape to the mounting board that. ここで、半導体素子が載置されるリード電極は、パッケージ全体の大きさに対して比較的大きくすることが容易にできるため、半導体装置の放熱性を向上させることができる。 Here, the lead electrodes semiconductor element is mounted, since it is easily possible to relatively large relative to the size of the entire package, it is possible to improve the heat dissipation of the semiconductor device. しかしながら、樹脂の射出成型により形成されるパッケージは、リード電極を折り曲げる(フォーミング)強度により公差が生じ、一定形状を量産性良く得ることが困難である。 However, packages that are formed by injection molding of the resin, bending the lead electrodes (forming) occurs tolerance by the intensity, it is difficult to obtain good productivity constant shape. そのため、複数の半導体装置を外部支持体や光学部材等に精度良く嵌め込む際、それぞれ異なるパッケージの外形に対応する外形を外部支持体や光学部材等にそれぞれ設けることが必要となり、効率よく装置を組み立てることが困難であった。 Therefore, when fitting accurately a plurality of semiconductor devices to an external support or the optical member or the like, it becomes necessary to provide each an outer shape corresponding to the outer shape of different packages to external supports and optical members such as, efficiently device it is difficult to assemble.

そこで本発明は、上記問題点を解決し、量産性および実装性に優れた半導体装置およびそれを利用した光学装置を提供する。 The present invention is to solve the above problems, to provide a semiconductor device and an optical device using the same is excellent in mass productivity and mountability.

本願発明は、発光素子と、その発光素子を配置する凹部を有する支持体と、上記発光素子に接続するリード電極と、を備えており、上記支持体の側面のうち、上記凹部を有する主面と垂直かつ上記凹部の長手方向に設けられた側面の一つを実装面とする側面発光型発光装置であって、上記支持体は、上記凹部の外側に、第一の主面と、その第一の主面の外側に、上記第一の主面との間に段差を有して設けられた第二の主面と、を少なくとも有しており、上記第一の主面より外側の主面に凹形状または凸形状が設けられ、上記リード電極は、上記支持体の側面から突出された接続端子部を有し、その接続端子部が折り曲げられて配置される支持体の側面のうち、上記凹部の短手側の側面が、 ハンガーリードの先端部を配置する凹部を有すること The present invention, the main surface having a light emitting element, a support having a recess for placing the light-emitting element, provided with a lead electrode connected to the light emitting element, among the side surfaces of the support, the recess a vertical and side-emitting light-emitting device according to one mounting surface of the provided sides in the longitudinal direction of the recess, the support body, on the outside of the recess, and the first major surface, the first on the outside of one main surface, the a second major surface provided with a step between the first major surface, and at least has, the outside of the main from the first major surface concave or convex is provided on a surface, the lead electrode has a connection terminal portion that protrudes from the side surface of the support, of the side surfaces of the support placed by bending the connection terminal portion, side of the shorter side of the recess, having a concave portion to place the front end portion of the hanger lead 特徴とする。 And features.

本発明により、リード電極の接続端子部が所定の位置に配置された実装性の高い薄型の側面発光型発光装置とすることができる。 The present invention makes it possible to connect the terminal portions of the lead electrodes is a predetermined disposed at a position a mounted highly thin side-emitting light-emitting device.

以下、図面を参照しながら本願発明に係る実施の形態について、特に発光装置を例にとり説明する。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings in particular, taking a light-emitting device as an example. 本発明にかかる半導体装置が発光装置に限定されないことはいうまでもない。 It goes without saying that the semiconductor device according to the present invention is not limited to the light emitting device. 図1から図5は、本願発明にかかる発光装置の模式的な斜視図(a)、および該発光装置を発光面に対して垂直な方向に切断した際の模式的な断面図(b)を示す。 FIGS. 1-5 is a schematic perspective view (a), and schematic cross-sectional view taken in the direction perpendicular to the light-emitting surface of the light emitting device of a light emitting device according to the present invention (b) show. また、図16(a)〜(d)は、本実施の形態におけるパッケージの成型工程を示す模式的な断面図である。 Further, FIG. 16 (a) ~ (d) are schematic cross-sectional view showing a package molding step in this embodiment.

本実施の形態の発光装置において、例えば図1に示すように、パッケージ1は、正負両リード電極2の一端部がパッケージ1に挿入されるように一体成型される。 In the light emitting device of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 1, the package 1, one end portion of the positive and negative lead electrodes 2 are integrally molded so as to be inserted into the package 1. 詳細に説明すると、パッケージ1は、主面側に発光素子4を収納することが可能な凹部を有し、その凹部の底面には、正のリード電極の一端部と負のリード電極の一端部とが互いに分離されてそれぞれの主面が露出するように設けられ、正のリード電極と負のリード電極の間には絶縁性の成型材料が充填されている。 In detail, the package 1 has a recess capable of housing the light emitting element 4 to the main surface, the bottom surface of the recess, one end portion and the negative lead electrode positive lead electrode end Doo is separated each of the main surface provided so as to be exposed to one another, the molding material of the insulating property between the positive lead electrode and the negative lead electrode are filled. ここで本明細書中において「主面」とは、パッケージ、リード電極等、半導体装置の各構成部材の表面について、半導体発光素子の光が取り出される発光面側の面のことをいう。 Here in this specification, the term "major surface" refers to the package, the lead electrode or the like, for the surface of the components of a semiconductor device corresponds to a surface of the light emitting surface side of light of the semiconductor light emitting element is taken out. また、本発明において、発光装置主面に形成される発光面の形状は、図1に示されるような四角形状に限定されるものではなく、図6に示されるような楕円状としてもよい。 In the present invention, the shape of the light emitting surface formed on the light emitting device main surface is not limited to the rectangular shape as shown in FIG. 1, it may be an elliptical shape as shown in FIG. このような形状とすることにより、凹部を形成するパッケージ側壁部の機械的強度を保持しながら発光面をできるだけ大きくすることができ、薄型化しても広い範囲に照射可能な発光装置とすることができる。 With such a configuration, it is possible to maximize the light emitting surface while maintaining the mechanical strength of the package side wall portion forming the recess, it is irradiated a light-emitting device capable in a wide range even if thinned it can.

本実施の形態の発光装置において正のリード電極および負のリード電極2は、他端部がパッケージ側面より突出するように挿入されている。 Positive lead electrodes and negative lead electrodes 2 in the light emitting device of this embodiment, the other end portion is inserted so as to protrude from the package side surface. 該リード電極の突出した部分は、上記パッケージの主面に対向する裏面側に向かって、または上記主面と垂直を成す実装面側に向かって折り曲げられている。 Projecting portion of the lead electrode, toward the rear surface side opposite to the main surface of the package, or is bent toward the mounting surface side forming the main surface perpendicular. ここで、本実施の形態の発光装置は、主面と垂直を成し且つ凹部の長手方向と平行を成す面を実装面とし、該実装面に対してほぼ平行な方向へ光を発光する側面発光型発光装置である。 Here, the light emitting device of this embodiment, the side surface of the surface that forms a parallel to the longitudinal direction of and the recess forms a main surface perpendicular to the mounting surface, for emitting light to a direction substantially parallel to the mounting surface it is emitting light-emitting device.

本実施の形態の発光装置に用いられるパッケージ1は、主面側にパッケージ内壁面8により凹部が形成され、該凹部に隣接するパッケージ主面の側壁部に段差を有している。 Package 1 used in the light-emitting device of this embodiment, the recess by the package wall 8 is formed on the main surface, it has a step on the side wall of the package main surface adjacent to the recess. 具体的には、凹部に隣接する第一の主面1aと、該第一の主面1aより一段低い第二の主面1bとを少なくとも有している。 Specifically, a first main surface 1a which is adjacent to the recess, and at least and a step lower second major surface 1b than the first principal surface 1a. 即ち、第一の主面1aと第二の主面1bとの間に段差を有する。 That has a step between the first main surface 1a and the second main surface 1b. この段差は、第一及び第二の主面に対して垂直である必要はない。 This step need not be perpendicular to the first and second major surface. 本発明にかかる半導体装置を外部の支持体や、導光板のような光学部材に嵌め込み易くするため、斜めにすることもあり得る。 The semiconductor device according to the present invention and an external support, for easy fitting to the optical member such as a light guide plate, may also be obliquely. なお、第一の主面1aおよび第二の主面1bを有する形状に限定されず、さらに第三の主面、第四の主面、…と、3つ以上の主面を設けても構わない。 Incidentally, it may not be limited to a shape having a first major surface 1a and the second main surface 1b, further a third main surface, a fourth main surface, ... and be provided with three or more major surface Absent. このように構成されることにより、第一の主面1a、第二の主面1b、さらに第一の主面1aと第二の主面1bの間に設けることができる段差構造の側壁により、光学部材と位置決め可能な外形が一定形状で形成される。 By such a configuration, the first main surface 1a, the second main surface 1b, by further side walls of the stepped structure can be provided between the first principal surface 1a and the second main surface 1b, the optical member and positionable contour is formed at a constant shape. 即ち、本願発明の発光装置の輝度を向上させるため、あるいは所望の光学特性を持たせるため、特定形状のレンズ等の光学部材を設けたり、本願発明の発光装置と導光板等を組み合わせ面状光源とする場合がある。 That is, since improving the luminance of the light emitting device of the present invention or desired for imparting optical properties, or providing an optical member such as a lens of a particular shape, combined planar light source a light emitting device and a light guide plate or the like of the present invention, there is a case to be. その際、発光装置の第一の主面1aと第二の主面1bを少なくとも有する主面側形状と隙間無く填め込むことが可能な形状を光学部材等に設けることにより、容易に精度良く組み立てることができ、量産性および光学特性に優れた光源が得られる。 At this time, by providing the first main surface 1a and the second main surface shape having at least a main surface 1b and without gaps fitted into it possible shapes of the light-emitting device to an optical member or the like, assembled easily and precisely it can be an excellent source for mass production and optical characteristics can be obtained. なお、本実施の形態においては、第一の主面1aと第二の主面1bとの間に段差を有する主面としたが、本発明は、段差を有する形状に限られず、図18に示すように、第二の主面1bが第一の主面1aに対して傾斜するように連続している主面としてもよい。 In this embodiment, although the main surface has a step between the first main surface 1a and the second main surface 1b, the present invention is not limited to the shape having a step, in FIG. 18 as shown, may be the main surface of the second main surface 1b is continuous so as to be inclined with respect to the first main surface 1a. 連続した第一の主面1aと第二の主面1bに隙間無く填め込むことが可能な形状に光学部材の装着面を加工することにより、本発明は、特に段差を有さなくても他の光学部材との装着性に優れる発光装置である。 By processing the mounting surface of the optical member into a shape that can be fitted into without a gap on the first main surface 1a and the second main surface 1b consecutive, the present invention may contain other without particular have a step a light emitting device excellent in mounting of the optical member.

図17から図26は、本発明の種々の実施形態を示す。 Figure 26 Figure 17 shows various embodiments of the present invention. 図17に示される実施形態によると、第二の主面1bは支持体(パッケージ1)両端の凸形状により形成される。 According to the embodiment shown in FIG. 17, the second main surface 1b is formed by a support (package 1) convex shape at both ends. この凸形状は、凹部を形成するパッケージの内壁面8を発光観測面方向に延長させた面を仮定したとき、その内壁面の外側に形成されていることが好ましい。 The convex shape is, when it is assumed a plane obtained by extending the inner wall 8 of the package forming a recess in light emission observing surface direction, it is preferably formed on the outside of the inner wall surface thereof. このように構成することにより、凸形状が出光の妨げとならない発光装置とすることができる。 With this configuration, a convex shape may be a light emitting device which does not interfere with Idemitsu. また、この凸形状は、パッケージ1の両端にある必要はなく、導光板等の光学部材や実装基板と半導体装置との位置決めに都合のよい場所に単数あるいは複数設ければよい。 Furthermore, this convex shape is not necessarily at the ends of the package 1, the positioning of the optical member and the mounting substrate and a semiconductor device such as a light guide plate may be provided one or a plurality of a convenient location. なお、この凸形状はパッケージ1の長手方向に対して垂直である必要はなく、図21に示す溝形状の凹部のように斜めでも良い。 Incidentally, the convex shape need not be perpendicular to the longitudinal direction of the package 1 may be a diagonal like a trough-shaped recesses illustrated in Figure 21. さらに、凸形状と第一の主面1aとの接続線は、直線である必要はなく、曲線でもよい。 Further, a convex shape and a connection line between the first main surface 1a is not necessarily a straight line, or a curve.

図19及び図20は、第二の主面1bが円盤状の凹部あるいは凸部によって形成される場合の例である。 19 and 20 is an example of a case where the second main surface 1b is formed by a disc-shaped concave or convex portion. 即ち、図19及び図20に示される第二の主面1bは、それぞれ円盤状の凹部の底面、および円盤状の凸部の最上面となる。 That is, the second principal surface 1b shown in FIGS. 19 and 20, respectively at the bottom surface of the disk-shaped recess, and a top surface of a disc-shaped protrusions. この円盤状の凹部あるいは凸部は円形である必要はなく、多角形であってもよい。 The disk-shaped recess or protrusion need not be circular, it may be polygonal.

更に凹部あるいは凸部は、図21に示すように、溝形状であっても良い。 Further recesses or projections, as shown in FIG. 21, may be a groove shape. 更に凹部あるいは凸部は、図22及び23に示すように環状の溝、あるいは内部が空洞の環状壁であってもよい。 Further recesses or protrusions, annular groove, or internal, may be a annular wall of the cavity as shown in FIGS. 22 and 23. 本実施例における凹部あるいは凸部の形状が環状に限定されず、多角形状であってもよいことはいうまでもない。 Shape of the recess or protrusion in the embodiment is not limited to circular, it is needless to say may be a polygonal shape.

図24から図26においては、第二の主面上にさらに凹部または凸部が形成されている実施の形態を示す。 Figure in Figure 26 is from 24 shows a second embodiment further recesses or protrusions on the main surface is formed. ここで、図24から図26における支持体は、第一及び第二の主面の他、第三の主面を有する。 Here, the support in FIG. 26 from FIG. 24, another of the first and second major surfaces, having a third main surface. 即ち、図24および図26に示される第三の主面は、凸形状の最上面であり、図25に示される第三の主面は、凹形状の底面である。 That is, the third main surface shown in FIG. 24 and FIG. 26 is a top surface of the convex third main surface shown in FIG. 25 is a concave bottom. このように構成することにより、本発明にかかる半導体装置は、主面の形状と嵌合可能な形状を有する光学部材と高精度な位置決めができる。 With this configuration, the semiconductor device according to the present invention may highly accurate positioning and an optical member having a principal surface shape shape to be fitted. なお、本実施の形態における凸形状は、支持体とともに一体成型されてなることが好ましいが、支持体と同じ材料、あるいは異なる材料からなる部材を支持体の主面に固着させることにより形成されてもよい。 Incidentally, convex shape in the present embodiment is preferably formed by integrally molded with the support, it is formed by fixing a member made of the same material or different materials, and the support on the main surface of the support it may be.

以上の実施の形態から明らかなように、本発明のパッケージにおける第一の主面及び第二の主面により構成される形状は、本発明の半導体装置の位置決めや、接着剤の流動あるいはその他の要因、例えば半導体素子の大きさ、形状等を考慮して自由に決めることができる。 As apparent from the above embodiments, the shape formed by a first main surface and a second major surface of the package of the present invention, the positioning and the semiconductor device of the present invention, the adhesive flow or other factors such the size of the semiconductor element, can be freely determined in mind shape.

図16(a)〜(d)は、本実施の形態におけるパッケージ1の成型工程を示す模式的な断面図である。 Figure 16 (a) ~ (d) are schematic cross-sectional view showing a molding process of the package 1 in this embodiment. 以下、本発明にかるパッケージの成型方法を(a)〜(d)として順に説明する。 The following description sequentially molding method of a package mow the present invention as (a) ~ (d). まず、(a)金属平板に打ち抜き加工を施して形成されたリードフレーム24を、一対の成型用型である凸型27と凹型28とにて挟持し、凸型27と凹型28の内壁面によって形成される空洞内にリードフレーム24を配置する。 First, by (a) a lead frame 24 formed by performing a punching a metal flat plate, and held between the convex 27 and concave 28. a pair of mold, the inner wall surface of the convex 27 and concave 28 placing the lead frame 24 within the cavity formed. このとき、後工程で正負一対のリード電極として形成されるリードフレーム24の先端部が所定の間隔をおいて互いに対向するように配置する。 At this time, the tip portion of the lead frame 24 formed as a pair of positive and negative lead electrodes in a subsequent step are arranged so as to face each other with a predetermined interval. なお、凸型27は、貫通孔に嵌め込まれた棒状の突き出し部材25(例えば、ピン等)を少なくとも一つ以上有し、上記空洞および凹型28方向に可動である。 Incidentally, convex 27, extension member 25 of the fitted into the through-hole rod-like (e.g., pins or the like) has at least one is movable in the cavity and the concave 28 directions. 次に、(b)凹型28に対し上記空洞方向に設けられたゲートへパッケージ成型材料26を注入し、上記空洞内をパッケージ成型材料26で満たす。 Next, with respect to (b) concave 28 injected package shaped material 26 to the gate provided in the cavity direction, fill the said cavity in the package molding material 26. なお、パッケージ成型材料の注入方向は、図16(b)にパッケージ成型材料注入方向29の矢印として示される。 Incidentally, the injection direction of the package molding material is shown in FIG. 16 (b) as arrows package molding material injecting direction 29. また、パッケージ成型材料26の注入時、図16(b)に示されるように、突き出し部材25の下面が凸型27の内壁面(第二の主面を形成する面)とほぼ同一平面となるように配置してもよいが、第二の主面に凹凸を形成する場合は、突き出し部材25の下面が凹型28方向にある程度突出するように配置する。 Further, during injection of the package molding material 26, as shown in FIG. 16 (b), the lower surface of the projecting member 25 is substantially flush with the inner wall surface of the convex 27 (surface forming a second main surface) it may be arranged so, but the case of forming the unevenness on the second major surface, a lower surface of the projecting member 25 is arranged to some extent projects concavely 28 direction. (c)上記空洞内へ充填された成型材料を加熱および冷却することにより硬化させる。 (C) it is cured by heating and cooling the molding material filled into the cavity. (d)最初に凹型28を取り外し、パッケージ主面の第二の主面1bをピンノック面とし、該第二の主面1bに突き出し部材25の下面を圧し当て、突き出し部材25を凹型28の方向に移動させることにより、パッケージ1を凸型27内から取り外す。 (D) first remove the concave 28, the second principal surface 1b of the package main surface and Pin'nokku surface, against divides the lower surface of the member 25 projects into said second main surface 1b, the direction of the projecting member 25 concave 28 by moving to, remove the package 1 from the convex inside 27. なお、突き出し部材25の移動方向は、図16(d)に突き出し方向30の矢印として示される。 The moving direction of the extension member 25 is shown as an arrow direction 30 protrude FIG 16 (d).

以上説明したように、本実施の形態の発光装置で用いられるパッケージ1の如く、成形型を用いた射出成形にて形成させるパッケージ1は、成形型内にて形成された後、型内部に備えられたピン等の突き出し部材25にて押し出されて型から取り外される。 As described above, as the package 1 used in the light-emitting device of the present embodiment, the package 1 to form by injection molding using a mold, after being formed in the mold inside, provided inside the mold extruded at a pin or the like of the protruding member 25 that is removed from the mold.

しかしながら、取り外し作業を行う際、パッケージの成形部材部分はまだ熱を有しており、外圧により変形しやすい状態となっている。 However, when performing the detaching, the molding member of the package still has heat, has a deformable state by external pressure. 例えば、凹部内のリード電極2主面をピンノック面とした場合、成形部材の機械的強度が弱いため、内部に挿入されたリード電極2の保持力が弱く、リード電極2の位置ずれやリード電極2自体に歪みが生じたりする場合があり、リード電極2上に載置される発光素子4は傾いた状態にて配置され、各発光装置間に指向特性のずれが生じる。 For example, when the lead electrodes 2 main surfaces of the recess and Pin'nokku surface, since the mechanical strength of the molded member is weak, the holding force of the lead electrode 2 inserted therein is weak, displacement and the lead electrode of the lead electrode 2 may distortion 2 itself or cause, the light emitting element 4 is mounted on the lead electrode 2 is arranged in an inclined state, the deviation of the directional characteristic is generated between each of the light-emitting devices. そこで、パッケージ1の表面にピンノック面を設ける必要があるが、この場合、発光装置を小型化しようとすると、パッケージ1の端部をノック面としなければならなくなる。 Therefore, it is necessary to provide the Pin'nokku surface on the surface of the package 1, in this case, when the light emitting device attempts to miniaturize, will have to knock it faces the ends of the package 1. しかしながら、パッケージ1は型から取り外される際、まだ軟弱であり、ピンにてノックすると成形部材の一部が型の内部へ押し戻されてしまう。 However, when the package 1 is to be removed from the mold, is still soft, a portion of the molding member knock at pin will be pushed back into the interior of the mold. このピンノック面が凹部を形成する側壁の上面である場合、押し戻された成型材料は側壁にて形成される光反射面側へ向かうため光反射面の形状が変形し、発光装置の光学特性に悪影響を及ぼす危険性がある。 If this Pin'nokku surface is a top surface of the side walls forming the recess, molding material pushed back shape of the light reflecting surface is deformed because toward the light reflecting surface side which is formed at the side wall, adverse effect on the optical characteristics of the light emitting device there is a risk on the.

一方、本実施の形態の発光装置は、開口部が発光面となる凹部から発光装置の外側に向かって第一の主面1aと第二の主面1bを順に有しており、この第二の主面1bをピンノック面としてパッケージを成形型から取り出すことで、パッケージ1を小型化した際にも、凹部の形状に変形を加えてしまうことがなくなるため、発光特性に影響を与えることなく量産性良く形成することができる。 On the other hand, the light-emitting device of the present embodiment has a first main surface 1a and the second main surface 1b in order toward the outside of the light emitting device from the recess in which the opening is a light emitting side, the second by taking out the principal surface 1b from the mold package as Pin'nokku surface, even when the miniaturization of the package 1, because it is no longer cause added deformation to the shape of the recess, mass production without affecting the emission properties it can be sexual well formed.

本実施の形態において、第二の主面1bの形状は特に限定されないが、第二の主面1b上に凸部1cを有していることが好ましく、凸部1cの高さは第一の主面までの高さよりも低いことが好ましい。 In this embodiment, the shape of the second main surface 1b is not particularly limited, preferably has a second principal surface 1b on the convex portion 1c, the height of the convex portion 1c of the first it is preferably lower than the height of the main surface. これにより、本願発明の発光装置を他の部材に固定する際、第二の主面1b上に接着剤等との接触面積が増大し、接着強度を高めることができる。 Accordingly, when fixing the light-emitting device of the present invention to other members, the contact area between the adhesive or the like increases on the second main surface 1b, it is possible to increase the bonding strength. さらに、図2から図4に示されるように、凸部1cにより内部が空洞である外周壁が形成されていることが好ましい。 Furthermore, as shown in FIGS. 2-4, it is preferable that the outer peripheral wall interior is hollow is formed by the convex portion 1c. これにより、内部の空洞に接着剤を充填させ光学部材等に固着させると、接着剤がリード電極や第一の主面1a側にまで流出することは外周壁により防止されるため、信頼および光学特性に優れた発光装置を形成することができる。 Thus, when the affixed to an optical member or the like is filled with an adhesive to the inside of the cavity, for adhesive to be prevented by the outer peripheral wall which flows to the lead electrodes and the side first main surface 1a, reliability and optical it is possible to form an excellent light-emitting device characteristics. なお、第二の主面1b上に凸部1cを有する形状は、凸型27の内壁面に凸部1cを成形する形状を設けるだけでなく、突き出し部材25を第二の主面1bに圧し当てることにより、パッケージ1を取り出す工程(図16(d))と同時に形成することもできる。 The shape having a second protrusion 1c on the main surface 1b of not only providing the shape for molding the protrusion 1c on the inner wall surface of the convex 27, divides the projecting member 25 on the second main surface 1b by applying it can be formed simultaneously with the step (FIG. 16 (d)) to retrieve the package 1.

本実施の形態のパッケージ1は、発光素子4や受光素子を収納することが可能な凹部を有している。 Package 1 of the present embodiment has a recess capable of housing the light emitting element 4 and the light receiving element. 凹部を形成する内壁面の形状は、特に限定されないが、発光素子4を載置する場合、開口側へ内径が徐々に大きくなるようなテーパー形状とすることが好ましい。 The shape of the inner wall surface forming the recess is not particularly limited, when placing the light emitting element 4, it is preferable that the inner diameter toward the opening side and gradually increases such tapered shape. これにより、発光素子4の端面から発光される光を効率よく発光観測面方向へ取り出すことができる。 This makes it possible to take out the light emitted from the end face of the light emitting element 4 to emit light efficiently observation surface direction. また、光の反射を高めるため、凹部の内壁面に銀等の金属メッキを施すなど、光反射機能を有するようにしてもよい。 In order to enhance the reflection of light, such as plated with a metal such as silver on the inner wall surface of the recess, it may have a light reflecting function.

本実施の形態の発光装置は、以上のように構成されたパッケージ1の凹部内に、発光素子4が載置され、凹部内の発光素子4を被覆するように透光性樹脂が充填され、封止部材3が形成される。 The light-emitting device of this embodiment, the package 1 in the recess is configured as described above, the light emitting element 4 is mounted, translucent resin so as to cover the light emitting element 4 in the concave portion is filled, the sealing member 3 is formed. 次に、本実施の形態にかかる発光装置の製造工程および各構成部材について詳述する。 Next, it will be described in detail the manufacturing process and the components of the light-emitting device according to this embodiment.

[工程1:リード電極形成] [Step 1: lead electrode formation]
本実施の形態では、まず第一の工程として、金属板に対し打ち抜き加工を施し正負一対のリード電極となる端部を複数対有するリードフレームを形成し、該リードフレーム表面に金属メッキを施す。 In this embodiment, first as a first step, to form a lead frame having a plurality of pairs of ends as a pair of positive and negative lead electrodes subjected to punching to a metal plate, applying a metal plating on the lead frame surface. なお、リード電極のカットフォーミング工程から発光装置の分離工程までパッケージを支持するハンガーリードをリードフレームの一部に対して設けることができる。 Incidentally, it is possible to provide a hanger lead which supports the package up to the step of separating the light emitting device from the cut forming process of the lead electrode to a portion of the lead frame.

(リード電極2) (Lead electrode 2)
本実施の形態におけるリード電極2は、発光素子に電力を供給するとともに、該発光素子を載置可能な導電体である。 Lead electrode 2 in this embodiment supplies power to the light emitting element is mounted capable conductors of the light emitting element. 特に、本実施の形態にかかるリード電極2は、一方の端部がパッケージ側面からパッケージ内部に挿入され、他方の端部がパッケージ側面から突出するようにパッケージ成型時に一体成型される。 In particular, the lead electrode 2 according to the present embodiment, one end is inserted from the package side surface inside the package, the other end portion is integrally molded during package molding so as to project from the package side surface. また、パッケージ内部に挿入されたリード電極2の端部の主面は、成型用型の一部をリード電極に接触させることにより、パッケージの凹部底面から露出するように一体成型することができる。 Further, the main surface of the end portion of the lead electrode 2 is inserted into the package by contacting a portion of the mold for molding the lead electrodes, so as to be exposed from the bottom surface of the recess of the package may be integrally molded. なお、パッケージの凹部底面からリード電極2の端部の主面を露出させない構成とした半導体装置は、凹部内に載置された半導体素子と凹部外に露出させたリード電極との接続を導電性ワイヤにより行うこととなる。 Note that the semiconductor device has a recess bottom surface of the package configured not to expose the main surface of the end portion of the lead electrode 2, the electrically conductive connection between the lead electrodes exposed in the recess outside the mounted semiconductor element in the recess so that the performed by wire.

リード電極2の材料は、導電性であれば特に限定されないが、半導体素子と電気的に接続する部材である導電性ワイヤ5やバンプ6等との接着性及び電気伝導性が良いことが求められる。 Material of the lead electrode 2 is not particularly limited as long as it is electrically conductive, it is required that good adhesion and electrical conductivity between the conductive wires 5 and the bump 6 and the like is a member for connecting the semiconductor element and electrically . 具体的な電気抵抗としては、300μΩ−cm以下が好ましく、より好ましくは3μΩ−cm以下である。 Specific electrical resistance is preferably not more than 300μΩ-cm, more preferably not more than 3μΩ-cm. これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等が好適に挙げられる。 These conditions are satisfied materials, iron, copper, iron-containing copper, tin-containing copper and copper, gold, aluminum plated with silver, iron, copper and the like are preferably exemplified.

プレス加工後の長尺金属板の各パッケージに対応する部分において、正のリード電極は、成形後の凹部の底面においてその一端面が負のリード電極の一端面と対向するように負のリード電極とは分離されている。 In the portion corresponding to each package of the long metal plate after pressing, the positive lead electrode, a negative lead electrode to one end surface facing the one end face a negative lead electrode in the bottom surface of the recess after the molding It is separated from the. 本実施形態では、端部主面が凹部底面で露出されるリード電極2に特別な加工を施していないが、凹部の長手方向を軸とし左右に貫通孔を少なくとも1対設けるなどして成形樹脂との結合強度を強めることも可能である。 In this embodiment, the end portion main surface is not subjected to special processing to the lead electrode 2 exposed in the recess bottom surface, molded by such as at least one pair providing through holes in the lateral and longitudinal recesses between axial resin it is also possible to enhance the bond strength between.

[工程2:パッケージ形成] [Step 2: Package formation]
本実施の形態におけるパッケージ1は、発光素子4が載置可能で、発光素子4が載置されるリード電極2を固定保持する支持体として働き、発光素子4や導電性ワイヤ5を外部環境から保護する機能も有する。 Package 1 of the present embodiment, the light emitting element 4 is capable mounted, serves as a support for fixing and holding the lead electrodes 2 where the light emitting element 4 is mounted, the light emitting element 4 and the conductive wires 5 of the external environment also it has the function of protection.

工程1に続いて、上記長尺金属板を成形用型である凸型および凹型の間に配置させてこれらの型を閉じる。 Following step 1, close these mold is disposed between the convex and concave is mold the long metal plate. このとき、少なくとも二つのリード電極の端部が凸型および凹型を閉じることにより得られる空洞部内に配置されるようにする。 At this time, the ends of the at least two lead electrodes are to be placed in the convex and hollow portion obtained by closing the concave. 次に、凹型背面に設けられたゲートより空洞部内へ成形材料を注入し、少なくとも二つのリード電極の端部を被覆する。 Then, the molding material is injected from the gate provided in a concave back into the cavity portion, to cover the end portion of the at least two lead electrode. 上記空洞部は、パッケージの外形に対応している。 The cavity corresponds to the outer shape of the package. 本実施の形態において、成形樹脂部を成形するための成形型は、凹部に隣接するパッケージ主面に段差を有し、第一の主面1aと、該第一の主面1aから一段低く且つ該第一の主面1aよりも凹部から外側に配置された第二の主面1bと、を備えたパッケージ1が得られるような形状を有している。 In this embodiment, the mold for molding the resin portion has a step on the package surface adjoined to the recess, a first main surface 1a, one step from the first principal surface 1a low and It has a second main surface 1b which is arranged outside the recess than the first main surface 1a, a shape such that package 1 is obtained with a. また、成形型において、プレス加工された長尺金属板は、プレスの打ち抜き方向と成形型内に樹脂を注入する方向とが一致するように凸型と凹型の間に挿入配置することが好ましい。 Further, in the mold, a long metal plate is press working, it is preferred to insert disposed between the convex and concave so that the direction for injecting a resin is equal to the punching direction and the mold of the press. このように長尺金属板の配置方向を決定すると、正及び負のリード電極の端部により形成される空間に隙間なく樹脂を充填することができ、注入される成形樹脂の一方の主面上への流出を阻止することができる。 In this way to determine the orientation of the elongate metal plate, the space formed by the ends of the positive and negative lead electrodes can be filled without gaps resin injected on one main face of the molded resin it is possible to prevent the outflow of to.

また、上述したハンガーリードをリードフレームに設けると、図3(a)に示されるように、ハンガーリード先端部の形状によりパッケージ側面に凹部を有するパッケージ1が成型され、フォーミング工程終了までハンガーリードは該凹部を利用してパッケージを支えることができる。 Also, providing a hanger lead as described above on the lead frame, as shown in FIG. 3 (a), the package 1 is shaped to have a concave portion in the package side by the shape of the hanger lead tip, the hanger lead to the forming step is completed the it is possible to support the package by using the recess.

(成形材料) (Molding material)
本発明で用いられるパッケージの成形材料は特に限定されず、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等、従来から知られているあらゆる熱可塑性樹脂を用いることができる。 Molding material of the package used in the present invention is not particularly limited, a liquid crystal polymer, a polyphthalamide resin, polybutylene terephthalate (PBT), etc., it can be used any thermoplastic resin conventionally known. 特に、ポリフタルアミド樹脂のように高融点結晶が含有されてなる半結晶性ポリマー樹脂を用いると、表面エネルギーが大きく、開口内部に設けることができる封止樹脂や後付することができる導光板等との密着性が良好なパッケージが得られる。 In particular, the use of semi-crystalline polymer resin refractory crystal as polyphthalamide resin is formed by containing a large surface energy, light guide plate can be retrofit and the sealing resin may be provided within the opening adhesion to the equal obtain good package. これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、冷却過程でのパッケージと封止樹脂との界面に剥離が発生することを抑制することができる。 Thus, in the step of curing filling the sealing resin, peeling at the interface between the package and the sealing resin in the cooling process can be suppressed from being generated. また、発光素子チップからの光を効率よく反射させるために、パッケージ成形部材中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合させることができる。 In order to efficiently reflect light from the light emitting device chip, it is possible to mix such as white pigments such as titanium oxide into the package molding member.

このようにして形成された成形部材を型から取り外す。 Removing such a molding member formed by a from the mold. 具体的には、まず凹型を開き、次に凸型内部に備えられたピンをパッケージの第二の主面へ向かって突きだす。 Specifically, first open the concave shove it then towards the pin provided inside convex to the second major surface of the package. この際、第二の主面上にピンの径を内壁とする円柱外壁が形成される。 At this time, cylinder outer wall the diameter of the pin and the inner wall on a second main surface is formed. このような円柱外壁を有することにより、発光装置を接着剤等にて他部材と固着させる際、接着剤の流れを防止することができ、他部材との固着力が向上する。 By having such a cylindrical outer wall, when causing the light-emitting device is fixed to the other member by an adhesive or the like, it is possible to prevent the flow of adhesive, adhesive force with the other member is improved.

[工程3:半導体素子載置] [Step 3: semiconductor element placed]
次に、パッケージ1に設けた凹部の底面に露出されたリード電極2に対し、半導体素子を固定する。 Next, with respect to the lead electrodes 2 exposed at the bottom surface of the recess formed in the package 1, to fix the semiconductor element. 本実施の形態では、半導体素子として特に発光素子について説明するが、本発明に使用することができる半導体素子は、発光素子に限られず、受光素子、静電保護素子(ツェナーダイオード、コンデンサ等)、あるいはそれらを少なくとも二種以上組み合わせたものを使用することができる。 In the present embodiment, especially a light-emitting element as a semiconductor element, a semiconductor element that can be used in the present invention is not limited to the light emitting element, light receiving element, an electrostatic protection element (Zener diode, capacitor, etc.), or it can be used a combination thereof at least two or more kinds.

(発光素子4) (Light-emitting element 4)
本発明における半導体素子として、発光素子、受光素子等の半導体素子が考えられるが、本実施の形態において使用される半導体素子は、発光素子として使用されるLEDチップである。 As a semiconductor device of the present invention, the light emitting device, although a semiconductor element such as a light receiving element is considered, the semiconductor element used in this embodiment is an LED chip used as a light-emitting element. 本実施の形態におけるLEDチップは、凹部底面の大きさに合わせて複数用いてもよいし、凹部底面の形状に合わせて種々の形状とすることができる。 LED chip in this embodiment, may be more used in accordance with the size of the bottom surface of the recess, it can have various shapes according to the shape of the bottom surface of the recess.

ここで、本発明において発光素子4は特に限定されないが、蛍光物質7を共に用いた場合、該蛍光物質を励起可能な波長を発光できる活性層を有する半導体発光素子が好ましい。 Here, the light emitting element 4 in the present invention is not particularly limited, when using both the fluorescent substance 7, the semiconductor light-emitting device having an active layer capable of emitting light excitable wavelength of the fluorescent substance is preferred. このような半導体発光素子として、ZnSeやGaNなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(In Al Ga 1−X−Y N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。 As such a semiconductor device, the device can be mentioned various semiconductors such as ZnSe and GaN, short wavelength emission can nitride semiconductor capable of efficiently exciting the fluorescent substance (In X Al Y Ga 1- X-Y N , 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) is preferably exemplified. 前記窒化物半導体は、所望に応じてボロンやリンを含有させることもできる。 The nitride semiconductor may contain boron or phosphorus as desired. 半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。 The structure of the semiconductor, MIS junction, homo structure with like PIN junction or pn junction may include the hetero structure to heterostructure or double. 半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。 It can be variously selected emission wavelength depending on the material and the mixed crystal ratio of the semiconductor layer. また、活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。 It is also possible to the active layer with a single quantum well structure or multiple quantum well structure provided with thin layer (s) for quantum effect.

窒化物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN等の材料が好適に用いられる。 When using a nitride semiconductor, the semiconductor substrate is sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, material such as GaN is preferably used. 結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。 In order to form good mass productivity good nitride semiconductor crystallinity is preferable to use a sapphire substrate. このサファイア基板上にMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。 Thereby forming a nitride semiconductor with MOCVD or the like to the sapphire substrate. 例えば、サファイア基板上にGaN、AlN、GaAIN等のバッファ層を形成しその上にpn接合を有する窒化物半導体を形成させる。 For example, GaN on a sapphire substrate, AlN, to form a nitride semiconductor having formed a buffer layer such as GaAlN pn junction thereon. また基板は、半導層を積層した後、取り除くことも可能である。 The substrate is, after laminating the Hanshirubeso, it is also possible to remove.

窒化物半導体を使用したpn接合を有する発光素子例として、バッファ層上に、n型窒化ガリウムで形成した第1のコンタクト層、n型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第1のクラッド層、窒化インジウム・ガリウムで形成した活性層、p型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第2のクラッド層、p型窒化ガリウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などが挙げられる。 As the light emitting element example having a pn junction using the nitride semiconductor, on the buffer layer, a first contact layer formed with n-type gallium nitride, a first clad layer was formed in the n-type aluminum gallium nitride, active layer formed of indium-gallium, second cladding layer of p-type aluminum gallium nitride, and the like terrorism constitutes a second contact layer of p-type gallium nitride to double as a laminate in this order. 窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でn型導電性を示す。 Nitride semiconductor shows n-type conductivity when not doped with impurities. 発光効率を向上させるなど所望のn型窒化物半導体を形成させる場合は、n型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。 Case of forming a desired n-type nitride semiconductor such as improving luminous efficiency, Si as an n-type dopant, Ge, Se, Te, it is preferable to appropriately introduce C like. 一方、p型窒化物半導体を形成させる場合は、p型ドーパントであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。 On the other hand, when forming a p-type nitride semiconductor, Zn is a p-type dopant, Mg, Be, Ca, Sr, is doped with Ba or the like. 窒化物半導体は、p型ドーパントをドープしただけではp型化しにくいためp型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。 Nitride semiconductor, after just the p-type hard for p-type dopant introduction doped with a p-type dopant, be low resistance is preferable by heating or plasma irradiation or the like by a furnace. 電極形成後、半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで窒化物半導体からなる発光素子を形成させることができる。 After electrode formation, thereby forming the light-emitting element of a nitride semiconductor by causing cut into chips from the semiconductor wafer. また、パターニングにより、各電極のボンディング部のみを露出させ素子全体を覆うようにSiO 等からなる絶縁性保護膜を形成すると、小型化発光装置を信頼性高く形成することができる。 Also, patterned by, when forming the insulating protective film made of SiO 2 or the like so as to cover the entire element to expose the bonding portion only of each electrode, a compact light-emitting device can be reliably formed. 本発明の発光ダイオードにおいて白色系を発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関係や透光性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波長は400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。 When light emission of white in the light emitting diode of the present invention, the emission wavelength is preferably 400nm or more 530nm or less of the light emitting device by considering the deterioration of the complementary color relationship or translucent resin with the emission wavelength from the fluorescent material, 420 nm more than 490nm or less is more preferable. 発光素子と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。 Excitation of the light emitting element and a fluorescent substance, in order to improve more the luminous efficiency of each is more preferably 450nm or more 475nm or less. なお、比較的紫外線により劣化されにくい部材との組み合わせにより400nmより短い紫外線領域或いは可視光の短波長領域を主発光波長とする発光素子を用いることもできる。 It is also possible to use a light emitting element that mainly emission wavelength short-wavelength region combinations by short ultraviolet region or the visible light from 400nm and less likely to be degraded by relatively UV member.

(バンプ6) (Bump 6)
本実施の形態において発光素子4は、同一面側に設けられた一対の電極をパッケージ凹部より露出された一対のリード電極と対向させてなるフリップチップ方式にて実装すると、発光面側に光を遮るものが存在せず、均一な発光を得ることができる。 Emitting element 4 in the present embodiment, when implemented in a flip chip method comprising to face the pair of lead electrodes a pair of electrodes provided exposed from the package concave on the same side, the light on the emission surface side there is no unobstructed, it can obtain uniform light emission. バンプの材料は、導電性であれば特に限定されないが、発光素子の正負両電極およびリード電極のメッキ材料に含まれる材料の少なくとも一種を含有することが好ましい。 Material of the bump is not particularly limited as long as it is electrically conductive, it preferably contains at least one material contained in the plating material of the positive and negative of the light emitting element the electrodes and the lead electrodes. 例えばAg、Au、共晶ハンダ(Au−Sn)、Pb−Sn、鉛フリーハンダ等が挙げられる。 For example Ag, Au, eutectic solder (Au-Sn), Pb-Sn, Pb-free solder and the like. 本実施の形態では、各リード電極2上にそれぞれAuからなるバンプ6を形成し、各バンプ上に発光素子4の各電極を対向させ、熱、超音波および荷重を印加することによりバンプと電極とを接合する。 In this embodiment, the bumps 6 made of Au, respectively on each lead electrode 2 are formed, are opposed to the electrodes of the light emitting element 4 on each bump, heat, bump and the electrode by applying ultrasonic waves and load joining the door. あるいは別の実施の形態では、まず、発光素子の各電極上にそれぞれバンプ6を形成した後、各バンプ6と各リード電極2を対向させ、同様に超音波にて接合する。 Or in another embodiment, first, after forming the respective bumps 6 on each electrode of the light emitting element, it is opposed to each bump 6 each lead electrode 2, similarly joined with ultrasonic. それぞれ形成方法の異なるバンプの種類としては、導電性ワイヤの端部をボンディングした後、該端部を残すようにワイヤを切断して得られるスタッドバンプや、所望のマスクパターンを施した後の金属蒸着により得られるバンプ等がある。 The types of different bumps of each forming method, after bonding the ends of the conductive wire, and stud bumps obtained by cutting wires so as to leave the end portion, metal subjected to desired mask pattern there are bumps and the like obtained by vapor deposition. また、このようなバンプは、リード電極の側に先に設けることもできるし、発光素子の電極の側に先に設けることもできるし、リード電極と発光素子の電極の側にそれぞれ分けて設けることもできる。 Moreover, such bumps may be provided in the above on the side of the lead electrode, it may be provided in the above on the side of the electrode of the light-emitting element, provided separately each on the side of the electrode of the lead electrode and the light emitting element it is also possible.

また、フリップチップ方式にて実装する場合、半導体素子は、支持基板としてサブマウントを介して実装することが好ましい。 In addition, when implemented in a flip-chip method, a semiconductor element is preferably mounted via a sub-mount as the support substrate. 図7は、サブマウントを介して実装する実施例の模式的な斜視図を示す。 Figure 7 shows a schematic perspective view of an example of mounting via a sub-mount. フリップチップ方式では、パッケージの熱応力によりリード電極がズレ動くため、パンプを介して接合されている発光素子とリード電極との間が剥離しやすい。 The flip-chip method, since the thermal stress of the package moving shift lead electrodes, is likely to peel between the light emitting element and the lead electrode which is bonded via the bumps. また、対向する正負両リード電極の先端部の間隔を発光素子の正負両電極の間隔程度まで狭めることが困難であり、発光素子をリード電極に対して安定に接続することが難しい。 Further, it is difficult to reduce the distance of the front end portion of the opposing positive and negative lead electrodes to intervals of about positive and negative electrodes of the light emitting element, it is difficult to stably connect the light emitting element to the lead electrode. パッケージ材料の最適化により上記問題はある程度解消するが、サブマウントを介してフリップチップ実装することにより、発光装置の更なる信頼性の向上を図ることが容易にできる。 The problems by optimizing the packaging material to some extent overcome, but by flip-chip mounting via a sub-mount, it can be easily further improve the reliability of the light emitting device.

サブマウント基板11の表面には、発光素子4に対向する面からリード電極2に対向する面にかけて導電性部材12により導電性パターンが配されている。 On the surface of the submount substrate 11, the conductive pattern by a conductive member 12 from the surface facing the light emitting element 4 to the surface facing the lead electrode 2 is disposed. 導電性パターンの間隔は、エッチング等の方法により発光素子4の正負両電極の間隔程度まで狭めて設けることも可能である。 Interval of the conductive pattern can be provided with narrowed by a method such as etching to intervals of about positive and negative electrodes of the light emitting element 4. サブマウント基板11の材料は、発光素子4と熱膨張係数がほぼ等しいもの、例えば窒化物半導体発光素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。 Material of the submount substrate 11 are those emitting element 4 and the thermal expansion coefficient substantially equal to, for example, aluminum nitride is preferably the nitride semiconductor light emitting device. このような材料を使用することにより、サブマウント基板11と発光素子4との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。 By using such materials, it is possible to reduce the influence of thermal stress generated between the submount substrate 11 and the light emitting element 4. あるいは、サブマウント基板11の材料は、静電保護素子(ツェナーダイオード)の機能を内部に持たせることもでき安価でもあるシリコンが好ましい。 Alternatively, the material of the submount substrate 11 is silicon, which is also a low cost can also be provided with the function of the electrostatic protection element (Zener diode) therein are preferred. このとき、サブマウントの表面には、p型およびn型半導体が露出され、p型およびn型半導体に設けられる電極は、それぞれ発光素子の負電極および正電極に対しバンプを介して逆並列に接続される。 At this time, the surface of the submount, p-type and n-type semiconductor is exposed, the electrode provided on the p-type and n-type semiconductor is in anti-parallel through the bump to the negative electrode and the positive electrode of each light-emitting element It is connected. また、導電性部材は、反射率の高いアルミニウムや銀、および金とすることが好ましい。 The conductive member is preferably a high reflectivity of aluminum or silver, and gold. さらに、サブマウント基板11に対し、発光素子4の実装に悪影響を与えない箇所に、孔や凹凸形状を設けることが好ましい。 Further, with respect to the sub-mount substrate 11, at a location which does not adversely affect the implementation of the light-emitting element 4, it is preferable to provide a hole or a concavo-convex shape. このような形状を設けることにより、発光素子4からの熱はサブマウントから効率よく放熱することができる。 By providing such a shape, the heat from the light emitting element 4 can be efficiently radiated from the sub-mount. サブマウント基板11の厚さ方向に少なくとも一つ以上の貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に上記導電性部材12が延材するように形成すると、放熱性がさらに向上するため、好ましい。 Provided at least one through-hole in the thickness direction of the sub-mount substrate 11, when the conductive member 12 on the inner wall surface of the through-hole is formed so as to extend material, since the heat dissipation is further improved, which is preferable. なお、本実施の形態におけるサブマウントは、導電性パターンをリード電極と直接接続しているが、導電性ワイヤを介してリード電極と接続する構成としても構わない。 Incidentally, the sub-mount in the present embodiment, although the conductive patterns are connected directly to the lead electrode, it may be configured to be connected to the lead electrode via a conductive wire.

発光装置の信頼性を向上させるため、発光素子の正負両電極間とサブマウントの間、あるいは発光素子の正負両電極間とパッケージの凹部底面に露出されたリード電極2との間に生じた隙間にはアンダフィルが充填されてもよい。 To improve the reliability of the light emitting device, generated between the between the positive and negative electrodes and between the sub-mount of the light emitting element lead electrode 2 or is exposed to the recess bottom surface of the positive and negative electrodes and between the package of the light emitting element, the gap underfill may be filled in. アンダフィルの材料は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。 Material underfill, for example, a thermosetting resin such as epoxy resin. アンダフィルの熱応力を緩和させるため、さらに窒化アルミニウム、酸化アルミニウム及びそれらの複合混合物等がエポキシ樹脂に混入されてもよい。 In order to relax the thermal stress of the underfill, further aluminum nitride, aluminum oxide, and complex mixtures thereof may be mixed in the epoxy resin. アンダフィルの量は、発光素子の正負両電極とサブマウントとの間に生じた隙間を埋めることができる量である。 The amount of underfill is that amount which gaps can be filled generated between the positive and negative electrodes and submount of light emitting elements.

サブマウントに設けた導電性パターンと発光素子4の電極との接続は、例えばAu、共晶ハンダ(Au−Sn、Pb−Sn)、鉛フリーハンダ等の接合部材10によって超音波接合を行う。 Connection between the conductive patterns provided on the sub-mount and the electrode of the light emitting element 4 is performed, for example Au, eutectic solder (Au-Sn, Pb-Sn), ultrasonic bonding by the bonding member 10 such as a lead-free solder. また、サブマウントに設けた導電性パターンとリード電極2との接続は、例えばAuペースト、Agペースト等の接合部材10によって行う。 The connection between the conductive pattern and the lead electrode 2 provided on the sub-mount is performed, for example Au paste, the bonding member 10 such as Ag paste.

(導電性ワイヤ5) (Conductive wires 5)
一方、発光素子4を一方のリード電極上にダイボンド固定した後、発光素子の各電極とリード電極2とをそれぞれ導電性ワイヤ5にて接続してもよい。 Meanwhile, after the die bonding fixing the light emitting element 4 on one of the lead electrodes, with each electrode and the lead electrode 2 of the light-emitting element may be connected with a conductive wire 5, respectively. ここで、ダイボンドに用いられる接合部材は特に限定されず、エポキシ樹脂等の絶縁性接着剤、Au−Sn合金、導電性材料が含有された樹脂やガラス等を用いることができる。 Here, the bonding member used in die bonding is not particularly limited, an epoxy insulating adhesive such as a resin, Au-Sn alloy, a conductive material is contained resin or glass. 含有される導電性材料はAgが好ましく、Agの含有量が80%〜90%であるAgペーストを用いると放熱性に優れて且つ接合後の応力が小さい発光装置が得られる。 Conductive material contained in Ag is preferred, the content of Ag is used Ag paste is 80% to 90% and heat dissipation properties superior and emission stress after bonding is small device is obtained.

導電性ワイヤ5としては、発光素子4の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。 The conductive wires 5, the ohmic property between the electrode of the light emitting element 4, mechanical connectivity, what good electrical conductivity and heat conductivity. 熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm )(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm )(℃/cm)以上である。 Preferably 0.01cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or higher as heat conductivity, and more preferably 0.5cal / (s) (cm 2 ) (℃ / cm) or more. また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。 Further, the diameter of the conductive wire in consideration of workability, preferably, more than Fai10myuemu, or less Fai45myuemu. 特に、蛍光物質が含有されたコーティング部と蛍光物質が含有されていない封止部材との界面で導電性ワイヤが断線しやすい。 In particular, the interface conductive wire is likely to break at the sealing member the coating unit and a fluorescent substance which fluorescent substance is contained is not contained. それぞれ同一材料を用いたとしても蛍光物質が入ることにより実質的な熱膨張量が異なるため断線しやすいと考えられる。 Even with the same material, respectively it is considered easy to break because substantial amount of thermal expansion differ by a fluorescent substance enters. そのため、導電性ワイヤの直径は、25μm以上がより好ましく、発光面積や扱い易さの観点から35μm以下がより好ましい。 Therefore, the diameter of the conductive wire is more preferably more than 25 [mu] m, more preferably 35μm or less from the viewpoint of the light emitting area and ease of handling. このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。 Such Specific examples electrically conductive wire, gold, copper, platinum, conductive wires using metals and their alloys, such as aluminum.

[工程4:封止] [Step 4: Sealing
次に、発光素子4を外部環境から保護するため透光性の封止部材3を設ける。 Next, an sealing member 3 of the translucent for protecting the light emitting element 4 from the external environment. 発光素子4あるいは導電性ワイヤ5等を覆うようにパッケージ1の凹部内に、封止部材3の材料を充填し、硬化させることにより発光素子4等を被覆する。 The light-emitting element 4 or the conductive wires 5 such packages 1 in the recess so as to cover the, filling the material of the sealing member 3 to cover the light emitting element 4 such as by curing.

(封止部材3) (Sealing member 3)
封止部材3の材料は透光性であれば特に限定されず、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた透光性樹脂を用いることができる。 Material of the sealing member 3 is not particularly limited as long as it is translucent, silicone resin, epoxy resin, urea resin, fluorine resin, and a hybrid resin of these resins containing at least one or more, excellent weather resistance Toru It may be provided by an optical resin. また、封止部材は有機物に限られず、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。 The sealing member is not limited to organic matter, it is also possible to use glass, excellent inorganic light resistance such as silica gel. また、本実施の形態において封止部材は、粘度増量剤、光拡散剤、顔料、蛍光物質等、使用用途に応じてあらゆる部材を添加することができる。 The sealing member in this embodiment, the viscosity bulking agent, a light diffusing agent, pigment, fluorescent material or the like, can be added to any member in accordance with the intended use. 光拡散剤として例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化珪素、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、および、それらを少なくとも一種以上含む混合物等を挙げることができる。 For example as a light diffusion agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, silicon dioxide, ground calcium carbonate, precipitated calcium carbonate, and it may include mixtures comprising them at least one kind. 更にまた、封止部材の発光面側を所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができ、発光素子チップからの発光を集束させたりすることができる。 Furthermore, it is possible or lens effect can have a, focuses the light emitted from the light emitting device chip by the light emitting surface side of the sealing member into a desired shape. また、半導体素子として受光素子を使用した場合は、封止部材を透過して受光素子に入射する光が、受光素子の方向に集光するようにすると、受光装置の感度を向上させることが可能である。 In the case of using a light-receiving element as a semiconductor element, light incident on the light receiving element through a sealing member and so as to condense in the direction of the light receiving element, can improve the sensitivity of the light receiving device it is. 具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。 Specifically, a convex lens shape, a concave lens shape can further be shaped to a combination of a plurality of elliptical shape and their viewed from the light emitting observation plane.

(蛍光物質7) (Fluorescent substance 7)
本発明では、半導体素子として発光素子を使用した場合、該発光素子、封止部材、ダイボンド材、アンダーフィルおよびパッケージ等の各構成部材中および/またはその周辺に無機蛍光物質や有機蛍光物質のような種々の蛍光物質を配置させることができる。 In the present invention, when using a light-emitting element as a semiconductor element, the light emitting element, the sealing member, the die bonding material, as an inorganic fluorescent substance or organic fluorescent substance in the constituent member such as the under-fill and package and / or on the periphery thereof various fluorescent materials may be arranged such. また、本実施の形態における蛍光物質は、封止部材の発光観測面側表面を被覆するように封止部材の外部に設けられる他、封止部材の発光観測面側表面および発光素子から離間させた位置に、蛍光体を含む層あるいはフィルターとして封止部材の内部に設けることもできる。 The fluorescent substance of the present embodiment, except that provided outside the sealing member so as to cover the light emission observing surface side surface of the sealing member, is separated from the light emission observing surface side surface and the light emitting element of the sealing member in position, it may be provided inside the sealing member as a layer or filter containing a phosphor. このような蛍光物質の一例として、以下に述べる無機蛍光物質である希土類元素を含有する蛍光物質がある。 An example of such a fluorescent substance, there is a fluorescent material containing a rare earth element is an inorganic fluorescent substance as described below.

希土類元素含有蛍光物質として、具体的には、Y、Lu,Sc、La,Gd、TbおよびSmの群から選択される少なくとも1つの元素と、Al、Ga、およびInの群から選択される少なくとも1つの元素とを有するガーネット(ざくろ石)型蛍光物質が挙げられる。 At least a rare earth-containing fluorescent substance, specifically, Y, Lu, Sc, La, Gd, and at least one element selected from the group of Tb and Sm, Al, is selected from the group of Ga, and In garnet having one element (garnet) fluorescent substances. 特に、本実施の形態に用いられるアルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、AlとY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu、Ga、In及びSmから選択された少なくとも一つの元素とを含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、発光素子から出光された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。 In particular, the aluminum-garnet phosphor used in the present embodiment includes Al and Y, Lu, Sc, La, Gd, Tb, Eu, Ga, and at least one element selected from In and Sm and a phosphor that is activated with at least one element selected from rare earth elements, a phosphor which emits light when excited by visible light or ultraviolet light that is exiting from the light-emitting element. 例えば、以下に述べるイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体(YAG系蛍光体)の他、Tb 2.95 Ce 0.05 Al 12 、Y 2.90 Ce 0.05 Tb 0.05 Al 12 、Y 2.94 Ce 0.05 Pr 0.01 Al 12 、Y 2.90 Ce 0.05 Pr 0.05 Al 12等が挙げられる。 For example, other yttrium aluminum oxide phosphor described below (YAG phosphor), Tb 2.95 Ce 0.05 Al 5 O 12, Y 2.90 Ce 0.05 Tb 0.05 Al 5 O 12, Y 2.94 Ce 0.05 Pr 0.01 Al 5 O 12, Y 2.90 Ce 0.05 Pr 0.05 Al 5 O 12 and the like. これらのうち、特に本実施の形態において、Yを含み、かつCeあるいはPrで付活され組成の異なる2種類以上のイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体が利用される。 Of these, particularly in this embodiment, includes a Y, and two or more kinds of yttrium aluminum oxide phosphors activated with the composition is used with Ce or Pr.

また、本発明で使用される窒化物系蛍光体とは、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体である。 Further, the nitride phosphor used in the present invention include N, and Be, Mg, Ca, Sr, and at least one element selected Ba, and from Zn, C, Si, Ge, Sn , Ti, include Zr, and at least one element selected from Hf, is activated phosphors at least one element selected from rare earth elements. さらに、本実施の形態に用いられる窒化物系蛍光体としては、発光素子から出光された可視光、紫外線、及びYAG系蛍光体からの発光を吸収することによって励起され発光する蛍光体をいう。 Furthermore, the nitride phosphor used in the present embodiment, refers to the visible light exiting from the light emitting element, ultraviolet, and a phosphor is excited to emit light by absorbing the light emitted from the YAG phosphor. 窒化物系蛍光体として、例えば、(Sr 0.97 Eu 0.03 Si 、(Ca 0.985 Eu 0.015 Si 、(Sr 0.679 Ca 0.291 Eu 0.03 Si 、等が挙げられる。 As the nitride-based phosphor, for example, (Sr 0.97 Eu 0.03) 2 Si 5 N 8, (Ca 0.985 Eu 0.015) 2 Si 5 N 8, (Sr 0.679 Ca 0.291 eu 0.03) 2 Si 5 N 8 , and the like. 以下、それぞれの蛍光体について詳細に説明する。 It will be described in detail for each of the phosphor.

(イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体) (Yttrium aluminum oxide phosphor)
本実施の形態の発光装置に用いた蛍光物質は、窒化物系半導体を活性層とする半導体発光素子から発光された光により励起されて、異なる波長の光を発光できるセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースとしたものである。 Yttrium fluorescent substance used in the light-emitting device of the present embodiment is excited by light emitted nitride semiconductor from the semiconductor light emitting element according to the active layer, which is activated with cerium that can emit light of different wavelengths - aluminum oxide based fluorescent substance is obtained by a base. 具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、YAlO :Ce、Y Al 12 :Ce(YAG:Ce)やY Al :Ce、更にはこれらの混合物などが挙げられる。 Specific yttrium aluminum oxide fluorescent substance, YAlO 3: Ce, Y 3 Al 5 O 12: Ce (YAG: Ce) and Y 4 Al 2 O 9: Ce , further include a mixture thereof It is. イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にBa、Sr、Mg、Ca、Znの少なくとも一種が含有されていてもよい。 Ba in yttrium aluminum oxide fluorescent substance, Sr, Mg, Ca, at least one of Zn may be contained. また、Siを含有させることによって、結晶成長の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。 Further, by containing Si, it is possible to align the particles to quench the reaction of the crystal growth fluorescent substance. 本明細書において、Ceで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質は特に広義に解釈するものとし、イットリウムの一部あるいは全体を、Lu、Sc、La、Gd及びSmからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素に置換され、あるいは、アルミニウムの一部あるいは全体をBa、Tl、Ga、Inの何れか又は両方で置換され蛍光作用を有する蛍光物質を含む広い意味に使用する。 In this specification, Ce activated with the yttrium aluminum oxide fluorescent substance shall particularly be interpreted broadly, choosing a part or all of the yttrium, Lu, Sc, La, from the group consisting of Gd and Sm which is substituted with at least one element, or, to use a portion of the aluminum or the entire Ba, Tl, Ga, a broad sense to include a fluorescent material having a fluorescent effect is substituted by either or both of in.

更に詳しくは、一般式(Y Gd 1−z Al 12 :Ce(但し、0<z≦1)で示されるフォトルミネッセンス蛍光物質や一般式(Re 1−a Sm Re' 12 :Ce(但し、0≦a<1、0≦b≦1、Reは、Y、Gd、La、Scから選択される少なくとも一種、Re'は、Al、Ga、Inから選択される少なくとも一種である。)で示されるフォトルミネッセンス蛍光物質である。 More specifically, the general formula (Y z Gd 1-z) 3 Al 5 O 12: Ce ( where, 0 <z ≦ 1) photoluminescent fluorescent substance or the general formula represented by (Re 1-a Sm a) 3 Re '5 O 12: Ce (where, 0 ≦ a <1,0 ≦ b ≦ 1, Re is Y, Gd, La least one selected from Sc, Re' is selected Al, Ga, from in is at least one that.) is a photoluminescence fluorescent material represented by. この蛍光物質は、ガーネット(ざくろ石型)構造のため、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを450nm付近にさせることができる。 The fluorescent substance for garnet (garnet-type) structure, heat, resistant to light and moisture, the peak of the excitation spectrum can be around 450nm. また、発光ピークも、580nm付近にあり700nmまですそを引くブロードな発光スペクトルを持つ。 Furthermore, the emission peak also has a broad emission spectrum catching hem to 700nm is in the vicinity of 580 nm.

またフォトルミネッセンス蛍光物質は、結晶中にGd(ガドリニウム)を含有することにより、460nm以上の長波長域の励起発光効率を高くすることができる。 The photoluminescence fluorescent material, by containing Gd (gadolinium) in the crystal, it is possible to increase the excitation emission efficiency of more long wavelength region 460 nm. Gdの含有量の増加により、発光ピーク波長が長波長に移動し全体の発光波長も長波長側にシフトする。 The increase in the content of Gd, the emission wavelength of the entire emission peak wavelength is shifted to a longer wavelength also shifts to the long wavelength side. すなわち、赤みの強い発光色が必要な場合、Gdの置換量を多くすることで達成できる。 That is, if reddish emission color is needed, can be achieved by increasing the amount of substitution Gd. 一方、Gdが増加すると共に、青色光によるフォトルミネッセンスの発光輝度は低下する傾向にある。 On the other hand, the Gd is increased, the light emission luminance of photoluminescence by the blue light tends to decrease. さらに、所望に応じてCeに加えTb、Cu、Ag、Au、Fe、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti、Eu、およびPr等を含有させることもできる。 Furthermore, in addition to Ce if desired Tb, Cu, Ag, Au, can be Fe, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti, Eu, and also contain a Pr or the like.

また、ガーネット構造を持ったイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光物質の組成のうち、Alの一部をGaで置換すると、発光波長は短波長側にシフトすることができる。 In addition, of the composition of yttrium aluminum garnet fluorescent material having a garnet structure, replacement of part of the Al in Ga, emission wavelength can be shifted to the short wavelength side. 一方、組成のYの一部をGdで置換すると、発光波長が長波長側にシフトすることができる。 On the other hand, a part of Y of the composition substitution with Gd, it is possible emission wavelength shifts to the long wavelength side. Yの一部をGdで置換する場合、Gdへの置換を1割未満にし、且つCeの含有(置換)を0.03から1.0にすることが好ましい。 When substituting a part of Y with Gd, the substitution of Gd to less than 10%, and containing Ce (substituted) preferably to 0.03 to 1.0. Gdへの置換が2割未満では緑色成分が大きく赤色成分が少なくなるが、Ceの含有量を増やすことで赤色成分を補え、輝度を低下させることなく所望の色調を得ることができる。 Substitution of Gd red component green component is large is reduced less than 20%, but compensate the red component by increasing the content of Ce, it is possible to obtain a desired color tone without reducing the brightness. このような組成にすると蛍光物質自体の温度特性が良好となり発光ダイオードの信頼性を向上させることができる。 Temperature characteristics of the fluorescent substance itself With such a composition it is possible to improve the reliability of the light emitting diode becomes excellent. また、赤色成分を多く有するように調整されたフォトルミネッセンス蛍光物質を使用すると、ピンク等の中間色を発光することが可能となり、演色性に優れた発光装置を形成することができる。 Moreover, the use of photoluminescent fluorescent material that is adjusted to have much red component makes it possible to emit neutral color of pink or the like, it is possible to form an excellent light-emitting device in color rendering properties.

このようなフォトルミネッセンス蛍光物質は、Y、Gd、Al、及びCeの原料として酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。 Such photoluminescent phosphor, Y, Gd, Al, and oxides as a raw material for Ce, or using readily become oxide compounds at high temperatures, and sufficiently mixed them in a stoichiometric ratio material obtained. 又は、Y、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。 Or, Y, Gd, and coprecipitated oxide obtained by baking those of the solution, which is obtained by dissolving rare earth elements of Ce in an acid in stoichiometric proportions were coprecipitated with oxalic acid, mixed by mixing the aluminum oxide starting material obtained. これにフラックスとしてフッ化バリウムやフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中1350〜1450℃の温度範囲で2〜5時間焼成して焼成品を得、つぎに焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ることができる。 This packed into a crucible and mixed with an appropriate amount of a fluoride such as ammonium fluoride, barium fluoride and as a flux, to obtain a calcined product by calcining 2-5 hours at a temperature range in air 1350 to 1450 ° C., then calcined product the is ball in water, washed, separated, dried, and finally can be obtained by passing a sieve.

また、上記焼成は、蛍光物質の原料を混合した混合原料とフラックスからなる混合物を、大気中又は弱還元雰囲気中にて行う第一焼成工程と、還元雰囲気中にて行う第二焼成工程とからなる、二段階で焼成することが好ましい。 From Further, the firing is a mixture of mixed material and a flux of a mixture of raw phosphor, a first firing step carried out in air or a weak reducing atmosphere, a second firing step carried out in a reducing atmosphere made, it is preferably fired in two stages. ここで、弱還元雰囲気とは、混合原料から所望の蛍光物質を形成する反応過程において必要な酸素量は少なくとも含むように設定された弱い還元雰囲気のことをいい、この弱還元雰囲気中において所望とする蛍光物質の構造形成が完了するまで第一焼成工程を行うことにより、蛍光物質の黒変を防止し、かつ光の吸収効率の低下を防止できる。 Here, a weak reducing atmosphere, the amount of oxygen required in the reaction process to form a desired fluorescent material from the mixed material refers to a weak reducing atmosphere is set so as to include at least a desired during the weak reducing atmosphere by performing the first baking step until the structure formed of a fluorescent substance is completed to, preventing darkening of the fluorescent material, and a reduction in light absorption efficiency can be prevented. また、第二焼成工程における還元雰囲気とは、弱還元雰囲気より強い還元雰囲気をいう。 The reducing atmosphere in the second firing step refers to a strong reducing atmosphere than the weak reduced atmosphere. このように二段階で焼成すると、励起波長の吸収効率の高い蛍光物質が得られる。 With this baked in two stages, the fluorescent substance can be obtained with high absorption efficiency of the excitation wavelength. 従って、このように形成された蛍光物質にて発光装置を形成した場合に、所望とする色調を得るために必要な蛍光物質量を減らすことができ、光取り出し効率の高い発光装置を形成することができる。 Thus, the in the case of forming the light-emitting device in the thus formed fluorescent substance, desired color tone can be reduced fluorescence substance amount required to obtain a to form a light-emitting device with high light extraction efficiency can.

(シリコンナイトライド系蛍光物質) (Silicon nitride-based fluorescent substance)
また、発光素子から発光される可視光、紫外線、および他の蛍光物質からの可視光を吸収することによって励起され発光する蛍光物質を用いることもできる。 It is also possible to use a fluorescent substance emitting when excited by absorbing the visible light emitted from the light emitting element, ultraviolet, and visible light from other fluorescent material. 具体的には、Mnが添加されたSr−Ca−Si−N:Eu、Ca−Si−N:Eu、Sr−Si−N:Eu、Sr−Ca−Si−O−N:Eu、Ca−Si−O−N:Eu、Sr−Si−O−N:Eu系シリコンナイトライド系蛍光物質を挙げることができる。 Specifically, Mn was added Sr-Ca-Si-N: Eu, Ca-Si-N: Eu, Sr-Si-N: Eu, Sr-Ca-Si-O-N: Eu, Ca- Si-O-N: Eu, Sr-Si-O-N: can be mentioned Eu type silicon nitride-based fluorescent material. この蛍光物質の基本構成元素は、一般式L Si (2X/3+4Y/3) :Eu若しくはL Si (2X/3+4Y/3−2Z/3) :Eu(Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれかである。)で表される。 The basic constituent elements of the phosphor is represented by the general formula L X Si Y N (2X / 3 + 4Y / 3): Eu or L X Si Y O Z N ( 2X / 3 + 4Y / 3-2Z / 3): Eu (L is Sr, Ca, represented by a.) either Sr and Ca. 一般式中、X及びYは、X=2、Y=5又は、X=1、Y=7であることが好ましいが、任意のものも使用できる。 In the formula, X and Y, X = 2, Y = 5 or is preferably a X = 1, Y = 7, can be used optional.

より具体的には、基本構成元素は、Mnが添加された(Sr Ca 1−X Si :Eu、Sr Si :Eu、Ca Si :Eu、Sr Ca 1−X Si 10 :Eu、SrSi 10 :Eu、CaSi 10 :Euで表される蛍光物質を使用することが好ましいが、この蛍光物質の組成中には、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上が含有されていてもよい。 More specifically, the basic constituent elements, Mn is added (Sr X Ca 1-X) 2 Si 5 N 8: Eu, Sr 2 Si 5 N 8: Eu, Ca 2 Si 5 N 8: Eu, sr X Ca 1-X Si 7 N 10: Eu, SrSi 7 N 10: Eu, CaSi 7 N 10: it is preferable to use a fluorescent material represented by Eu, during composition of the phosphor, Mg , Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, at least one or more may be contained is selected from the group consisting of Cr and Ni. SrとCaは、所望により配合比を変えることができる。 Sr and Ca can be varied if desired blending ratio. また、組成にSiを用いることにより安価で結晶性の良好な蛍光物質を提供することができる。 Further, it is possible to provide a good fluorescent substance crystallinity at low cost by using Si in the composition.

母体のアルカリ土類金属系窒化ケイ素に対して、Eu 2+を付活剤として用いる場合、Eu からOを、系外へ除去したものを使用することが好ましい。 The alkali earth metal group silicon nitride as a base case of using Eu 2+ as an activator, O from Eu 2 O 3, it is preferable to use a material obtained by removing out of the system. たとえば、ユウロピウム単体、窒化ユウロピウムを用いることが好ましい。 For example, europium alone, the use of europium nitride. 但し、Mnを添加した場合は、その限りではない。 However, if the addition of Mn, not as far as that. Mnを添加すると、Eu 2+の拡散が促進され、発光輝度、エネルギー効率、量子効率等の発光効率が向上することができる。 The addition of Mn, diffusion of Eu 2+ is promoted, emission luminance, energy efficiency and luminescence efficiency such as quantum efficiency can be improved. Mnは原料中に含有させるか、又は、製造工程中にMn単体若しくはMn化合物を含有させ、原料と共に焼成する。 Mn is that it is added in the starting material, or by containing Mn alone or Mn compounds during the manufacturing process and fired along with raw materials. 但し、Mnは、焼成後の基本構成元素中に含有されていないか、含有されていても当初含有量と比べて少量しか残存していない。 However, Mn is either not contained in the basic constituting elements after firing, only does not remain a small amount compared to the initial content be contained. これは、焼成工程において、Mnが飛散したためであると思われる。 This is in the firing step, seems to Mn it is because scattered.

また、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上を有していることにより、容易に大きな粒径を有する蛍光物質を形成できる他、発光輝度を高めたりすることができる。 Also, a Mg, Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, Cr, by having at least one selected from the group consisting of O and Ni, easily large particle size other capable of forming a fluorescent substance, or can enhance the emission intensity. また、B、Al、Mg、Cr及びNiは、残光を抑えることができるという作用を有している。 Also, B, Al, Mg, Cr and Ni have the effect that it is possible to suppress the afterglow.

上記窒化物系蛍光物質は、青色光の一部を吸収して黄から赤色領域の光を発光する。 The nitride-based fluorescent material emits light in the red region from yellow to absorb part of the blue light. このような窒化物系蛍光物質と、黄色発光の蛍光物質、例えばYAG系蛍光物質と、青色の光を発光する発光素子とを組み合わせると、黄色から赤色光とが混色により暖色系の白色に発光する発光装置が得られる。 Such a nitride-based fluorescent substance, the fluorescent substance of yellow light, for example, a YAG fluorescent material, the combination of a light emitting element for emitting blue light, emitting a white warm by color mixing the red light from the yellow emitting device is obtained which. この白色系の混色光を発光する発光装置は、色温度Tcp=4600K付近において特殊演色評価数R9を40付近まで高めることができる。 The white light-emitting device for emitting mixed color light of the color temperature Tcp = 4600K special color rendering index in the vicinity of several R9 can be increased to around 40.

次に、蛍光物質((Sr Ca 1−X Si :Eu)の製造方法を説明するが、本製造方法に限定されない。 Then, the fluorescent substance: While explaining the manufacturing method of ((Sr X Ca 1-X ) 2 Si 5 N 8 Eu), but is not limited to this manufacturing method. 上記蛍光物質には、Mn、Oが含有されている。 The aforementioned fluorescent substance, Mn, O is contained.

原料のSr、Caを粉砕する。 Raw material Sr, and Ca are pulverized. 原料のSr、Caは、単体を使用することが好ましいが、イミド化合物、アミド化合物などの化合物を使用することもできる。 Material of Sr, Ca, it is preferable to use a single, can also be used an imide compound, a compound such as an amide compound. また原料Sr、Caには、B、Al、Cu、Mg、Mn、Al などを含有するものでもよい。 The raw material Sr, the Ca, B, Al, Cu, Mg, Mn, may be contained such as Al 2 O 3. 原料のSr、Caは、アルゴン雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Material of Sr, Ca is carried in an argon atmosphere, crushed in a glove box. 粉砕により得られたSr、Caは、平均粒径が約0.1μmから15μmであることが好ましいが、この範囲に限定されない。 And Sr, Ca, which is obtained by grinding, it is preferable that the average particle size of 15μm from about 0.1 [mu] m, but is not limited to this range. Sr、Caの純度は、2N以上であることが好ましいが、これに限定されない。 Sr, the purity of Ca is preferably not less than 2N, but is not limited thereto. より混合状態を良くするため、金属Ca、金属Sr、金属Euのうち少なくとも1以上を合金状態としたのち、窒化し、粉砕後、原料として用いることもできる。 For better and more mixed state, after the metal Ca, metal Sr, at least one or more of the metals Eu was an alloy state, it can be used to nitride, pulverized, as a raw material.

原料のSiを粉砕する。 Grinding the Si of raw materials. 原料のSiは、単体を使用することが好ましいが、窒化物化合物、イミド化合物、アミド化合物などを使用することもできる。 Si of a raw material, it is preferable to use a single, it is also possible to use a nitride compound, an imide compound, an amide compound and the like. 例えば、Si 、Si(NH 、Mg Siなどである。 For example, Si 3 N 4, Si ( NH 2) , etc. 2, Mg 2 Si. 原料のSiの純度は、3N以上のものが好ましいが、Al 、Mg、金属ホウ化物(Co B、Ni B、CrB)、酸化マンガン、H BO 、B 、Cu O、CuOなどの化合物が含有されていてもよい。 The purity of stock material Si is preferably more than one 3N, Al 2 O 3, Mg , metal boride (Co 3 B, Ni 3 B , CrB), manganese oxide, H 3 BO 3, B 2 O 3, Cu 2 O, compounds such as CuO may be contained. Siも、原料のSr、Caと同様に、アルゴン雰囲気中、若しくは、窒素雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Si also material of Sr, as with Ca, performed in an argon atmosphere or nitrogen atmosphere, pulverized in a glove box. Si化合物の平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。 The average particle diameter of the Si compound is preferably from about 0.1μm is 15 [mu] m.

次に、原料のSr、Caを、窒素雰囲気中で窒化する。 Next, raw materials of Sr, the Ca, nitrided in a nitrogen atmosphere. この反応式を、以下の式1および式2にそれぞれ示す。 The reaction scheme, shown respectively in Formula 1 and Formula 2 below.

3Sr + N → Sr ・・・(式1) 3Sr + N 2 → Sr 3 N 2 ··· ( Equation 1)
3Ca + N → Ca ・・・(式2) 3Ca + N 2 → Ca 3 N 2 ··· ( Equation 2)
Sr、Caを、窒素雰囲気中、600〜900℃、約5時間、窒化する。 Sr, and Ca, in a nitrogen atmosphere, 600 to 900 ° C., for about 5 hours, nitrided. Sr、Caは、混合して窒化しても良いし、それぞれ個々に窒化しても良い。 Sr, Ca may be nitrided by mixing, respectively may be nitrided individually. これにより、Sr、Caの窒化物を得ることができる。 Thus, it is possible to obtain Sr, the nitride of Ca. Sr、Caの窒化物は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Sr, nitride of Ca is of high purity are preferred, it can be used commercially.

次に、原料のSiを、窒素雰囲気中で窒化する。 Next, the Si of a raw material is nitrided in nitrogen atmosphere. この反応式を、以下の式3に示す。 The reaction scheme is shown in equation 3 below.

3Si + 2N → Si ・・・(式3) 3Si + 2N 2 → Si 3 N 4 ··· ( Equation 3)
ケイ素Siも、窒素雰囲気中、800〜1200℃、約5時間、窒化する。 Silicon Si is also in a nitrogen atmosphere, 800 to 1200 ° C., for about 5 hours, nitrided. これにより、窒化ケイ素を得る。 This gives a silicon nitride. 本発明で使用する窒化ケイ素は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Silicon nitride used in the present invention is of high purity are preferred, it can be used commercially.

Sr、Ca若しくはSr−Caの窒化物を粉砕する。 Sr, grinding the nitride of Ca or Sr-Ca. Sr、Ca、Sr−Caの窒化物を、アルゴン雰囲気中、若しくは、窒素雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Sr, Ca, a nitride of Sr-Ca, in argon atmosphere or nitrogen atmosphere, pulverized in a glove box performs.
同様に、Siの窒化物を粉砕する。 Similarly, grinding the nitride of Si. また、同様に、Euの化合物Eu を粉砕する。 Similarly, grinding the compound Eu 2 O 3 of Eu. Euの化合物として、酸化ユウロピウムを使用するが、金属ユウロピウム、窒化ユウロピウムなども使用可能である。 As compound of Eu, but using europium oxide, metal europium, it can also be used such as europium nitride. このほか、Nの原料は、イミド化合物、アミド化合物を用いることもできる。 In addition, raw material N may also be used an imide compound, an amide compound. 酸化ユウロピウムは、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Europium oxide is of high purity are preferred, it can be used commercially. 粉砕後のアルカリ土類金属の窒化物、窒化ケイ素及び酸化ユウロピウムの平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。 Nitride of alkaline earth metals after the pulverization, the average particle size of the silicon nitride and europium oxide is preferably from about 0.1μm is 15 [mu] m.

上記原料中には、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上が含有されていてもよい。 The above in the raw materials, Mg, Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, Cr, at least one selected from the group consisting of O and Ni may be contained. また、Mg、Zn、B等の上記元素を以下の混合工程において、配合量を調節して混合することもできる。 Also, Mg, Zn, in the mixing step follows the above-mentioned elements such as B, it may be mixed by adjusting the amount. これらの元素は、単独で原料中に添加することもできるが、通常、化合物の形態で添加される。 These elements, although alone may be added in the raw material, usually added in the form of compounds. この種の化合物には、H BO 、Cu 、MgCl 、MgO・CaO、Al 、金属ホウ化物(CrB、Mg 、AlB 、MnB)、B 、Cu O、CuOなどがある。 This class of compounds, H 3 BO 3, Cu 2 O 3, MgCl 2, MgO · CaO, Al 2 O 3, metal borides (CrB, Mg 3 B 2, AlB 2, MnB), B 2 O 3 , Cu 2 O, and the like CuO.

上記粉砕を行った後、Sr、Ca、Sr−Caの窒化物、Siの窒化物、Euの化合物Eu を混合し、Mnを添加する。 After the grinding, Sr, Ca, nitride of Sr-Ca, nitride of Si, a mixture of compound Eu 2 O 3 of Eu, adding Mn. これらの混合物は、酸化されやすいため、Ar雰囲気中、又は、窒素雰囲気中、グローブボックス内で、混合を行う。 These mixtures, and it is easily oxidized in an Ar atmosphere or in a nitrogen atmosphere, in a glove box, mixing is carried out.

最後に、Sr、Ca、Sr−Caの窒化物、Siの窒化物、Euの化合物Eu の混合物をアンモニア雰囲気中で、焼成する。 Finally, Sr, Ca, nitride of Sr-Ca, nitride of Si, a mixture of compounds Eu, Eu 2 O 3 in an ammonia atmosphere, fired. 焼成により、Mnが添加された(Sr Ca 1−X Si :Euで表される蛍光物質を得ることができる。 By firing, Mn is added (Sr X Ca 1-X) 2 Si 5 N 8: it is possible to obtain a fluorescent substance represented by Eu. ただし、各原料の配合比率を変更することにより、目的とする蛍光物質の組成を変更することができる。 However, by changing the mixing ratio of each raw material, it is possible to change the composition of the fluorescent material of interest.

焼成は、管状炉、小型炉、高周波炉、メタル炉などを使用することができる。 Firing the tubular furnace, compact furnace, a high-frequency furnace, and the like can be used metal furnace. 焼成温度は、1200から1700℃の範囲で焼成を行うことができるが、1400から1700℃の焼成温度が好ましい。 Firing temperature, can be carried out firing in the range of 1200 1700 ° C., preferably the firing temperature of 1400 from 1700 ° C. is. 焼成は、徐々に昇温を行い1200から1500℃で数時間焼成を行う一段階焼成を使用することが好ましいが、800から1000℃で一段階目の焼成を行い、徐々に加熱して1200から1500℃で二段階目の焼成を行う二段階焼成(多段階焼成)を使用することもできる。 Firing, it is preferable to use a one-step firing to perform firing several hours gradually 1200 from 1500 ° C. After the temperature was elevated and fired one stage at 1000 ° C. from 800, from 1200 gradually heated two-stage calcination and baked in the second stage at 1500 ° C. the (multi-step firing) can be used. 蛍光物質の原料は、窒化ホウ素(BN)材質のるつぼ、ボートを用いて焼成を行うことが好ましい。 Raw fluorescent substance, it is preferable to perform baking using boron nitride (BN) material crucible, a boat. 窒化ホウ素材質のるつぼの他に、アルミナ(Al )材質のるつぼを使用することもできる。 Other boron nitride material quality of the crucible, alumina (Al 2 O 3) can also be used materials of the crucible.

以上の製造方法を使用することにより、目的とする蛍光物質を得ることが可能である。 By using the above manufacturing method, it is possible to obtain a fluorescent substance of interest.

また、本実施の形態に用いることが可能な赤味を帯びた光を発光する蛍光物質は特に限定されず、例えば、Y S:Eu、La S:Eu、CaS:Eu、SrS:Eu、ZnS:Mn、ZnCdS:Ag,Al、ZnCdS:Cu,Al等が挙げられる。 The fluorescent substance emits light reddish that can be used in the present embodiment is not particularly limited, for example, Y 2 O 2 S: Eu , La 2 O 2 S: Eu, CaS: Eu , SrS: Eu, ZnS: Mn, ZnCdS: Ag, Al, ZnCdS: Cu, Al, and the like.

以上のようにして形成されるアルミニウム・ガーネット系蛍光体、および窒化物系蛍光体に代表される赤色系の光を発光可能な蛍光体は、発光素子の周辺において一層からなる蛍光体層中に二種類以上存在してもよいし、二層からなる蛍光体層中にそれぞれ一種類あるいは二種類以上存在してもよい。 Aluminum garnet-based phosphor is formed as described above, and the nitride-based phosphor capable of emitting red light represented phosphor is the phosphor layer composed of one in the vicinity of the light emitting element it may exist two or more, may be present one kind or two kinds or more each phosphor layer consisting of two layers. 蛍光体層の形成は、透光性樹脂やガラス等の透光性無機部材を結着剤としてポッティングや孔版印刷等により行う。 Formation of the phosphor layer is performed by potting or stencil printing a translucent inorganic member such as translucent resin or glass as a binder. また、半導体発光素子が支持体に固定された後形成する方法、半導体ウエハー状態で形成した後チップ化する方法、あるいはこれらの方法を併用する方法が採られる。 Further, a method of forming after the semiconductor light emitting element is fixed to a support, the method into chips after forming a semiconductor wafer state or a method of combining these methods are taken. このような構成にすると、異なる種類の蛍光体からの光の混色による混色光が得られる。 With such a configuration, color mixing light by mixing light from different kinds of phosphors can be obtained. この場合、各蛍光物質から発光される光をより良く混色しかつ色ムラを減少させるために、各蛍光体の平均粒径及び形状は類似していることが好ましい。 In this case, in order to reduce the better mixing vital color unevenness of light emitted from the fluorescent substance, it is preferable that the average particle size and shape of each phosphor is similar. また、窒化物系蛍光体は、YAG蛍光体により波長変換された光の一部を吸収してしまうことを考慮して、窒化系蛍光体がYAG系蛍光体より発光素子に近い位置に配置されるようにすることが好ましい。 Further, the nitride-based phosphor, and considering that absorbs a part of the wavelength converted light by YAG phosphors, nitride-based phosphors are disposed closer to the light emitting element than the YAG fluorescent material it is preferable to so that. このように構成することによって、YAG蛍光体により波長変換された光の一部が窒化物系蛍光体に吸収されてしまうことがなくなり、YAG系蛍光体と窒化物系蛍光体とを混合して含有させた場合と比較して、混色光の演色性を更に向上させることができる。 By this constitution, part of the light whose wavelength is converted by YAG phosphor prevents the is absorbed by the nitride phosphor, by mixing a YAG phosphor and the nitride phosphor as compared with the case of containing, the color rendering of the mixed light can be further improved.

(アルカリ土類金属ハロゲンアパタイト系蛍光物質) (Alkaline earth metal halide apatite fluorescent substance)
また、少なくともMg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される1種を含むMで代表される元素と、少なくともMn、Fe、Cr、Snから選択される1種を含むM'で代表される元素とを有するEuで附活されたアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光物質を用いることができ、白色系の混色光を高輝度に発光可能な発光装置が量産性良く得られる。 Further, as represented by M 'include an element represented by M includes at least Mg, Ca, Ba, Sr, and one selected from Zn, at least Mn, Fe, Cr, one selected from Sn element and can be used Fukatsu alkaline earth metal halide apatite fluorescent substance Eu having, white light-emitting light-emitting device capable of mixed color light with high luminance can be obtained with good mass productivity. 特に、少なくともMn及び/又はClを含むEuで附活されたアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光物質は、耐光性や、耐環境性に優れている。 In particular, at least Mn and / or Fukatsu alkaline earth metal halide apatite fluorescent substance Eu containing Cl is excellent light resistance and, in environmental resistance. また、窒化物半導体から放出された発光スペクトルを効率よく吸収することができる。 Further, it is possible to absorb the emission spectrum emitted from the nitride semiconductor efficiently. さらに、白色領域を発光可能であると共に組成によってその領域を調整することができる。 Furthermore, the composition as well as a possible emission of a white area can adjust its area. また、長波長の紫外領域を吸収して黄色や赤色を高輝度に発光可能である。 Further, it can emit light by absorbing ultraviolet wavelength region longer yellow and red with high luminance. そのため、演色性に優れた発光装置とすることができる。 Therefore, it is possible to an excellent light emitting device color rendering properties. なお、アルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光物質例としてアルカリ土類金属クロルアパタイト蛍光物質が含まれることは言うまでもない。 Needless to say, it includes alkaline earth metal chlorapatite fluorescent material as the alkaline earth metal halide apatite fluorescent material examples. 前記アルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光物質において、一般式が(M 1−x−y Eu M' 10 (PO などで表される場合(ただし、MはMg、Ca、Ba、Sr、Znから選択される少なくとも1種、M'はMn、Fe、Cr、Snから選択される少なくとも1種、Qはハロゲン元素のF、Cl、Br、およびIから選択される少なくとも1種、である。0.0001≦x≦0.5、0.0001≦y≦0.5である。)、量産性よく混色光が発光可能な発光装置が得られる。 In the alkaline earth metal halide apatite fluorescent substance, if the general formula (M 1-x-y Eu x M 'y) 10 (PO 4) 6 Q 2 represented by like (although, M is Mg, Ca, Ba, Sr, at least one selected from Zn, M 'at least is Mn, Fe, Cr, at least one selected from Sn, Q is selected from F halogen element, Cl, Br, and from I 1 seed is .0.0001 ≦ x ≦ 0.5,0.0001 ≦ y ≦ 0.5 is.), mass production well mixed light is capable of emitting light emitting device is obtained.

また、前記アルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光物質に加えて、BaMg Al 1627 :Eu、(Sr,Ca,Ba) (PO Cl:Eu、SrAl :Eu、ZnS:Cu、Zn GeO :Mn、BaMg Al 1627 :Eu,Mn、Zn GeO :Mn、Y S:Eu、La S:Eu、Gd S:Euから選択される少なくとも1種の蛍光物質を含有させると、より詳細な色調を調整可能であると共に比較的簡単な構成で演色性の高い白色光を得ることができる。 In addition to the alkaline earth metal halide apatite fluorescent material, BaMg 2 Al 16 O 27: Eu, (Sr, Ca, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, SrAl 2 O 4: Eu, ZnS: Cu, Zn 2 GeO 4: Mn , BaMg 2 Al 16 O 27: Eu, Mn, Zn 2 GeO 4: Mn, Y 2 O 2 S: Eu, La 2 O 2 S: Eu, Gd 2 O 2 S: Eu the inclusion of at least one fluorescent substance selected from, it is possible to obtain a relatively simple configuration in a high white light color rendering property with adjustable more detailed color. さらに、上述の蛍光物質は所望に応じてEuに加えTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti、およびPr等を含有させることもできる。 Further, the fluorescent substance described above can also contain a desired addition to Eu according to Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti, and Pr, and the like.

また、本発明で用いられる蛍光物質の粒径は1μm〜100μmの範囲が好ましく、より好ましくは10μm〜50μmの範囲が好ましく、さらに好ましくは15μm〜30μmである。 The particle size of the fluorescent substance used in the present invention is preferably in the range of 1 m to 100 m, more preferably preferably in the range of 10 m to 50 m, more preferably from 15Myuemu~30myuemu. 15μmより小さい粒径を有する蛍光物質は、比較的凝集体を形成しやすく、液状樹脂中において密になって沈降されるため、光の透過効率を減少させてしまう。 Fluorescent substances having 15μm smaller particle size is relatively easy to form aggregates, to be sedimented become dense in the liquid resin, thereby decreasing the transmission efficiency of light. 本発明では、このような蛍光物質を有しない蛍光物質を用いることにより蛍光物質による光の隠蔽を抑制し発光装置の出力を向上させる。 In the present invention, it by improving the output of suppressing light emitting device hiding of light by the fluorescent substance using a fluorescent substance having no such fluorescent substance. また本発明の粒径範囲である蛍光物質は光の吸収率及び変換効率が高く且つ励起波長の幅が広い。 The phosphor width of high and excitation wavelength absorption and conversion efficiency of light is wide a particle size range of the present invention. このように、光学的に優れた特徴を有する大粒径蛍光物質を含有させることにより、発光素子の主波長周辺の光をも良好に変換し発光することができ、発光装置の量産性が向上される。 Thus, by containing a large 径蛍 light material having an optically excellent characteristics, can also be satisfactorily converted emit light of the main wavelength around the light emitting element, improve the mass productivity of the light emitting device is It is.

ここで本発明において、粒径とは、体積基準粒度分布曲線により得られる値である。 In the present invention herein, particle size is a value obtained by the volume-based particle size distribution curve. 前記体積基準粒度分布曲線は、レーザ回折・散乱法により粒度分布を測定し得られるもので、具体的には、気温25℃、湿度70%の環境下において、濃度が0.05%であるヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液に各物質を分散させ、レーザ回折式粒度分布測定装置(SALD−2000A;島津(株)製)により、粒径範囲0.03μm〜700μmにて測定し得られたものである。 The volume-based particle size distribution curve is obtained by measuring the particle size distribution by a laser diffraction scattering method, specifically, air temperature 25 ° C., in 70% under environmental humidity, concentration of 0.05% hexametaphosphate dispersing the respective materials to an aqueous solution of sodium, a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus; by (SALD-2000A manufactured by Shimadzu Corporation), in which was obtained was measured by a particle size range 0.03Myuemu~700myuemu. 本明細書において、この体積基準粒度分布曲線において積算値が50%のときの粒径値を中心粒径といい、本発明で用いられる蛍光物質の中心粒径は15μm〜50μmの範囲であることが好ましい。 In this specification, it accumulated value in this volume-based particle size distribution curve is called a center particle size The particle diameter value when the 50%, the mean particle diameter of the fluorescent substance used in the present invention is in the range of 15μm~50μm It is preferred. また、この中心粒径値を有する蛍光物質が頻度高く含有されていることが好ましく、頻度値は20%〜50%が好ましい。 Further, it is preferable that the fluorescent substance having the central particle size value is contained high frequency, frequency value is preferably 20% to 50%. このように粒径のバラツキが小さい蛍光物質を用いることにより色ムラが抑制され良好な色調を有する発光装置が得られる。 Thus light-emitting device having a good color tone color unevenness is suppressed by the variation of the particle diameter is small is used fluorescent substance is obtained. また、蛍光物質は、本発明で用いられる拡散剤と類似の形状を有することが好ましい。 The fluorescent material preferably has a diffusing agent similar shape used in the present invention. 本明細書において、類似の形状とは、各粒径の真円との近似程度を表す円形度(円形度=粒子の投影面積に等しい真円の周囲長さ/粒子の投影の周囲長さ)の値の差が20%未満の場合をいう。 In the present specification, the similar shape, roundness which represents the degree approximation of the true circle of each particle size (perimeter of the projection of the perimeter / particles of a perfect circle equal to the projected area of ​​circularity = particles) difference value refers to the case of less than 20%. これにより、拡散剤による光の拡散と励起された蛍光物質からの光が、理想的な状態で混ざり合い、より均一な発光が得られる。 Accordingly, the light from the diffusion and the excited fluorescent material of the light by diffusing agent mixes in an ideal state, a more uniform light emission can be obtained.

[工程5:発光装置毎に分離] [Step 5: separation for each emission device]
次に、リードフレームから各リード電極への接続部分を切断して個々の発光装置に分離する。 Then separated by cutting the connecting portion to each lead electrode from the lead frame into individual light emitting devices. なお、パッケージ外壁に設けられた側面凹部9にてパッケージを支持するハンガーリードを利用することもできる。 It is also possible to use a hanger lead which supports the package in a side recess 9 provided in the package the outer wall. このとき、以下に述べるフォーミングを行った後、ハンガーリードによる支持を取り除き図3(a)あるいは図6に示されるようなパッケージ1とする。 In this case, after forming as described below, the package 1 as shown in removed shown in FIG. 3 (a) or FIG. 6 the support by the hanger lead. ハンガーリードを利用することにより、フォーミング工程が各一対のリード電極に対してまとめて行えるため、半導体装置の形成工程数を減らし作業性を向上させることができる。 By utilizing the hanger lead, for enabling the forming process is summarized for each pair of lead electrodes, it is possible to improve the workability reduce the number of steps of forming the semiconductor device.

[工程6:リード電極2のフォーミング] [Step 6: Forming the Lead electrodes 2]
次に、パッケージ1の端面から突出した正負両リード電極を、パッケージ1の側面にそって折り曲げ、J−ベンド(Bend)型の接続端子部を形成する。 Then, the positive and negative lead electrodes that protrude from the end face of the package 1 is bent along the side surface of the package 1 to form a connection terminal portion of the J- Bend (Bend) type. ここで、リード電極2の接続端子部とは、リード電極のうち実装基板の導電性パターンと接触し、電気的に接続することができる部分をいう。 Here, the connection terminal portions of the lead electrodes 2 in contact with the conductive pattern of the printed circuit board of the lead electrodes, refers to a moiety that can be electrically connected.

本実施の形態において、正のリード電極と負のリード電極がパッケージ主面の短軸側端面から突出している場合、突出部はパッケージの主面に対向する裏面側に向かって折り曲げる(例えば、図1(a))ことが好ましく、これにより発光面側に実装ハンダ等が悪影響を及ぼすことなく発光装置を配線基板に実装することができる。 In this embodiment, when a positive lead electrode and the negative lead electrodes protrude from the short axis side end surface of the package main surface, the protrusions bent toward the rear surface side opposite to the main surface of the package (e.g., FIG. 1 (a)) is preferably, thereby such mounting solder emission surface side can implement the light-emitting device without adversely affecting the wiring board. また、正負一対のリード電極2はパッケージ1主面の長軸側端面から突出するように挿入されており、リード電極2の突出部を発光面と垂直を成す面に向かって折り曲げる(例えば、図4(a))と、リード電極の接続端子部と実装基板に設けた導電性パターンとの接触面積を大きくして電気的接続を確実にすることができ、実装精度を高めることができる。 Further, a pair of positive and negative lead electrodes 2 are inserted so as to protrude from the long axis end face of the package 1 main surface, bent toward the surface forming the light-emitting surface perpendicular to the protruding portion of the lead electrode 2 (e.g., Fig. 4 and (a)), it is possible to ensure the electrical connection to increase the contact area between the conductive patterns provided on the mounting substrate and the connection terminal portions of the lead electrodes, it is possible to enhance the mounting precision. また、発光装置を実装基板に仮実装しリフロー工程を施す際に、発光装置が仮実装面から立ち上がってしまうことを防止することもできる。 Further, when performing the temporary mounting reflow process the light-emitting device on the mounting substrate, it is possible to prevent the light emitting device will rise from the temporary mounting surface. このようにリード電極を折り曲げ接続端子部を形成する場合、成形部材の実装面側の壁面とリード電極の露出面とは略同一面上に位置していることが好ましい。 When forming the connection terminal portions thus bent lead electrodes, it is preferably located substantially on the same plane as the mounting surface side of the wall and the exposed surface of the lead electrode of the molding member. 発光装置を実装基板に対し安定に実装できるからである。 The light-emitting device to the mounting substrate is because it stably implemented. 尚、本発明の接続端子部の構造は、J−ベンド(Bend)型に限られるものではなく、ガルウィング型等の他の構造であってもよい。 The structure of the connection terminal portions of the present invention is not limited to the J- Bend (Bend) type, but may be other structures gull wing type. 本実施の形態において、パッケージの側面のうちリード電極が突出している側面周辺は、図3および図6に示されるように予め所定の角度を付けてテーパー形状に成型されることが好ましい。 In this embodiment, the side surface near the lead electrodes protrude out of the sides of the package that is preferably molded in a tapered shape with a previously predetermined angle as shown in FIGS. 3 and 6. これにより、リード電極2の弾性の影響を加味して該側面ぎりぎりまでリード電極2を折り曲げることにより、発光装置の安定な実装を考慮した所望の位置にリード電極2の接続端子部を配置させることが容易にできる。 Thus, by bending the lead electrodes 2 to the side surface barely in consideration of the influence of the lead electrode 2 of resilient, thereby placing the connection terminal portions of the lead electrodes 2 to a desired position in consideration of the stable mounting of the light emitting device It can be easily.

以上のような工程で本実施の形態の発光装置は作製される。 The light-emitting device of the present embodiment in the process, such as is produced. さらに、以上のようにして作成される実施の形態の発光装置を、基板上に外部電極が配線されてなる配線基板上に所定間隔を設けて配列し電気的導通をとる。 Further, the light-emitting device of the embodiment is fabricated as described above, are arranged with a predetermined interval on the wiring board where the external electrode is formed by the wiring on the substrate make electrical conduction. 配線基板の基板部材は、熱伝導性に優れていることが好ましく、アルミベース基板、セラミクスベース基板等を用いることができる。 Board member of the wiring substrate is preferably excellent in heat conductivity, it is possible to use an aluminum-based substrate, a ceramic base substrate. また、熱伝導性の悪い、ガラスエポキシ基板や紙フェノール基板上を用いる場合は、サーマルパッド、サーマルビア等の放熱対策を施すと好ましい。 Moreover, poor thermal conductivity, the case of using a glass epoxy substrate or a paper phenol upper substrate, the thermal pad, when subjected to heat dissipation and thermal vias preferred. また、発光ダイオードと配線基板は、半田等の導電性部材にて導通を取ることができる。 Further, the light emitting diode and the wiring board can take the continuity of a conductive member such as solder. 放熱性を考慮すると、銀ペーストを用いることが好ましい。 In view of the heat dissipation, it is preferable to use a silver paste.

(透光性部材) (Translucent member)
本願発明の半導体装置は、レンズや導光板等、剛性の透光性樹脂やガラスからなる透光性部材の光入射部の形状と精度良く嵌合する形状を発光面側あるいは入光側に設けることができる。 The semiconductor device of the present invention, a lens and a light guide plate or the like, provided with a shape that the shape and accurately fitting the light incident portion of the light transmitting member made of a translucent resin or glass rigid on the light emitting surface side or the light input side be able to. ここで、本明細書中において、「光入出部」とは、半導体装置からの光あるいは半導体装置への光を所望の方向へ導く透光性部材に対し設けられるものであり、半導体装置からの光が入射する部分(特に「光入射部」と呼ぶことがある。)あるいは半導体装置への光が出射する部分(特に「光出射部」と呼ぶことがある。)である。 Here, in this specification, the term "light entrance and exit part", which is provided for the light-transmitting member for guiding light to the optical or semiconductor device from the semiconductor device in the desired direction, from the semiconductor device portions which light is incident (in particular, may be referred to as "light incident portion".) or light to the semiconductor device (sometimes referred to as a particularly "light emitting unit".) portion for emitting a.

本実施の形態における透光性部材とは、光の反射や屈折を利用して、部材内に入射された発光装置からの光を所定の方向に導き、所定の配光性を持たせて部材外部へ出射させる部材である。 The translucent member in the present embodiment, by utilizing the reflection and refraction of light, directing light from the light-emitting device having entered the member in a predetermined direction, to have a predetermined light distribution member a member for emitting to the outside. また、別の実施の形態における透光性部材とは、部材に入射する受光装置外部からの光を受光素子の方向に集光させるものである。 Further, the light-transmitting member in another embodiment, and condenses the light from the light-receiving device outside entering the member in the direction of the light receiving element.

特に、本形態において、発光装置に使用される透光性部材は、発光装置からの光をそれぞれ個別に導入する光入射部を有している。 In particular, in this embodiment, the light-transmitting member used for the light emitting device has a light incident portion for introducing individually light from the light emitting device. 光入射部の内壁は、本実施の形態にかかる発光装置の第一の主面と接する第一の装着面と、第二の主面と接する第二の装着面を少なくとも有している。 The inner wall of the light incident portion includes a first mounting surface in contact with the first major surface of the light-emitting device according to this embodiment, the second mounting surface in contact with the second major surface at least. また、光入射部には、発光装置主面に設けた切り欠き部13と嵌合可能な形状を設けることができる。 Further, the light incident portion may be provided with a cutout portion 13 and the shape to be fitted provided on the light-emitting device main surface.

このように、本願発明は、常にほぼ一定形状となり得る成形部材を有し、該成型部材に他の透光性部材との位置決め可能な形状を設けることにより、歩留まり良く所望の光学特性を有する光源を形成することができる。 Thus, the light source present invention, always has a molding member that can be a substantially constant shape, having by providing a positionable shapes with other translucent member molded type member, a good yield desired optical properties it can be formed.

(面状光源) (Surface light source)
導光板と発光装置からなる光源は、導光板の側面に設けられた光入射部から入射された光を他の側面から出射させる面状光源とすることができる。 Light source light guide plate and a light emitting device can be a light incident from the light incident portions provided on the side surface of the light guide plate and surface light source to emit from the other side.

本実施の形態における導光板とは、部材内壁における光の反射を利用して、部材内に入射された発光装置からの光を所定の方向に導き、所定の面から部材外部へ出射させる板状の透光性部材である。 The light guide plate of the present embodiment, by utilizing the reflection of light in the member interior wall guides light from the light-emitting device enters the member in a predetermined direction, the plate to be emitted from the predetermined surface to members outside a light-transmissive member. 特に、本実施の形態における導光板とは、例えば液晶用バックライト等の面状光源として利用できる光出射面を有する板状の導光体をいう。 In particular, the light guide plate in the present embodiment, for example, refers to a plate-like light guide having a light emitting surface can be used as a planar light source such as a liquid crystal backlight.

導光板の材料は、光透過性、成形性に優れていることが好ましく、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、非結晶性ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂等の有機部材や、ガラス等の無機部材を用いることができる。 Material of the light guide plate, the light transmittance property, it is preferable to have excellent moldability, it can be used an acrylic resin, polycarbonate resin, amorphous polyolefin resin, and an organic member such as a polystyrene resin, an inorganic member such as glass . また、導光板の表面は、透過率・全反射光率を向上させるため、面精度Raが25μm(JIS規格参照)以下が望ましい。 The surface of the light guide plate, to improve the transmittance, the total reflection light ratio, surface accuracy Ra is 25 [mu] m (see JIS standard) or less.

このような導光板は、光入射部に設けられた装着面と発光装置の主面とが対向するように装着される。 The light guide plate mounting surface provided on the light incident portion and the main surface of the light emitting device is mounted so as to be opposed. 導光板の装着方法は、ねじ止め、接着、溶着等、位置決めが容易で 接合強度が確実に得られる方法を用いることができ、仕様や要求に応じて選定することができる。 Method of mounting the light guide plate, set screw, bonding, welding or the like, it is possible to use a method of positioning easy bonding strength can be surely obtained, can be selected according to the specifications and requirements. 本実施例の形態では、パッケージの第二の主面と導光板の端面とを接着剤にて固着する。 In this exemplary embodiment, to fix the end surface of the second main surface and the light guide plate of the package by an adhesive. また、本願発明の面状発光光源は、上方に拡散シートを設けることができる。 Furthermore, the planar light emitting source of the present invention can be provided with a diffusion sheet upward. このように本願発明の面状発光光源は、上方に配置された拡散シート等の他の部材を照射する直下型バックライト光源として利用することもできる。 The surface light source of the present invention, as can also be utilized as a direct backlight source for irradiating the other members such as a diffusion sheet disposed above. 拡散シートの選定は、導光板の膜厚、性能を左右する。 Selection of the diffusion sheet, the film thickness of the light guide plate, affects the performance. そのため、仕様・要求に応じてその都度、検証を行い選定することが好ましい。 Therefore, each time depending on the specifications and requirements, it is preferable to select verifies. 本実施例では、耐熱性に優れたポリカーボネート製で膜厚が20mmの導光板に対し、ヘーズ値88%〜90%(JIS規格参照)で膜厚100μm程度の拡散シートを使用する。 In this embodiment, with respect to polycarbonate in thickness 20mm light guide plate having excellent heat resistance, to use a diffusion sheet having a thickness of about 100μm in haze value of 88% to 90% (see JIS standard). これにより、各光源のドット間がより緩和され、均一な発光が得られる。 Thus, between the dots of the light sources can be more relaxed, uniform light emission can be obtained. このような拡散シートは、導光板に直接接着または溶着等により装着することが可能である。 Such diffusion sheet may be attached by direct bonding or welding or the like to the light guide plate. また上方にカバーレンズを設ける場合、該カバーレンズと導光板の間に挟み込むことにより固定することもできる。 In the case of providing a cover lens upwards, it can be fixed by sandwiching the said cover lens and the light guide plates. 拡散シートと導光板との距離は、0mm〜10mmが好ましく、これらの界面は密着していることが最も好ましい。 The distance between the diffusion sheet and the light guide plate is preferably 0Mm~10mm, it is most preferred that these surfactants are in close contact. 拡散シートの材質は、主にPETが用いられるが、発光ダイオードの発熱に対して変形や変質しない材料であれば特に限定されない。 The material of the diffusion sheet is primarily PET is used is not particularly limited as long as the material is not deformed or altered with respect to heat generation of the light emitting diode.

このようにして得られらた面状発光光源は、発光面一面において均一性で且つ高輝度な発光が得ることができる。 Such surface light source was obtained, et al in the can high luminance light emission obtained and in uniformity in the light-emitting surface plane. 以下、本発明に係る実施例について詳述する。 Hereinafter, described in detail for Example of the present invention. なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。 The present invention is of course not limited to the examples shown below.

図1は、本実施例にかかる表面実装(SMD)型の発光装置を示す。 Figure 1 shows a surface mount (SMD) type light-emitting device according to this embodiment. 発光素子4は、活性層として単色性発光ピークが可視光である475nmのIn 0.2 Ga 0.8 N半導体を有する窒化物半導体素子を用いる。 The light-emitting element 4, monochromatic emission peak as the active layer is a nitride semiconductor device having an In 0.2 Ga 0.8 N semiconductor 475nm is visible light. より詳細に説明すると、発光素子4であるLEDチップは、洗浄させたサファイア基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させることができる。 More particularly, LED chip is a light emitting element 4, TMG (trimethyl gallium) gas on a sapphire substrate was cleaned, TMI (trimethyl indium) gas, nitrogen gas and dopant gas flow with a carrier gas, the MOCVD method the nitride semiconductor can be formed by deposition. ドーパントガスとしてSiH とCp Mgを切り替えることによってn型窒化物半導体やp型窒化物半導体となる層を形成させる。 A layer to be an n-type nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor is formed by switching SiH 4 and Cp 2 Mg as a dopant gas.

図8は、本実施例におけるLEDチップの平面図を示し、図9は、図8の破線AA'における断面図を示す。 Figure 8 shows a plan view of the LED chip in the present embodiment, FIG. 9 is a cross sectional view taken along dashed line AA 'in FIG. 本実施例のLEDチップの素子構造としてはサファイア基板14上に、アンドープの窒化物半導体であるGaN層、Siドープのn型電極が形成されたn型コンタクト層16となるn型GaN層、アンドープの窒化物半導体であるGaN層、次に、バリア層となるGaN層、井戸層となるInGaN層を1セットとして5セット積層して最後にバリア層となるGaN層を積層して活性層17を構成し多重量子井戸構造としてある。 On the sapphire substrate 14 as an element structure of an LED chip of the present embodiment, GaN layer, n-type GaN layer serving as the n-type contact layer 16 n-type electrode is formed of Si-doped, which is a nitride semiconductor of undoped, undoped nitride semiconductor such GaN layer, then, the GaN layer serving as the barrier layer, an InGaN layer as a well layer and five sets stacked as one set by stacking GaN layer serving as the last barrier layer of the active layer 17 configured there as a multiple quantum well structure. 活性層17上にはMgがドープされたp型クラッド層18としてAlGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層19であるp型GaN層を順次積層させた構成としてある。 The on the active layer 17 is a structure in which Mg-AlGaN layer, Mg are successively laminated a p-type GaN layer which is a p-type contact layer 19 which is doped as p-type cladding layer 18 doped. (なお、サファイア基板14上には低温でGaN層を形成させバッファ層15とさせてある。また、p型半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。) (Note that on the sapphire substrate 14 are taken as the buffer layer 15 to form a GaN layer at low temperature. Further, p-type semiconductor is annealed at 400 ° C. or higher after the film formation.)
エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、p型コンタクト層19およびn型コンタクト層16の各表面を露出させる。 In the same side the nitride semiconductor on the sapphire substrate by etching to expose the respective surfaces of the p-type contact layer 19 and the n-type contact layer 16. 次に、p型コンタクト層上にRh、Zrを材料とするスパッタリングを行い、図8に示されるようなパターンを有する拡散電極20を設ける。 Next, the sputtering of Rh, Zr, the material on the p-type contact layer, providing a diffusion electrode 20 having a pattern as shown in FIG. 拡散電極20は、p側台座電極21が形成される位置からLEDチップの外縁方向に延伸するストライブと、該ストライプの途中で枝分かれしLEDチップの外縁方向に延伸するストライプと、によってなる。 Diffusion electrode 20 has a stripe extending from the position p-side pad electrode 21 is formed on the outer edge direction of the LED chip, a stripe extending in the outer edge direction of the branched LED chips in the middle of the stripe, made by. より詳細に説明すると、本実施例における拡散電極20は、p側台座電極21の形成位置近傍において互いに隣接しLEDチップの外縁を形成する二辺に対し、それぞれほぼ平行に該形成位置から延伸する二対のストライプと、LEDチップの対角線方向(AA'方向)に沿うように上記形成位置から延伸する部分と、該延伸する部分の途中で枝分かれして上記二辺に対しほぼ平行となる方向に延伸する部分とを有するストライプと、によってなる。 More particularly, the diffusion electrode 20 in this embodiment, with respect to two sides that form the outer edge of the adjacent LED chips with each other in the vicinity formation position of the p-side pad electrode 21, extending from the formation positioned substantially parallel to each other and two pairs of stripes, and a portion extending from the forming position along the diagonal direction of the LED chip (AA 'direction), and branches on the way of the portion said extending in a direction substantially parallel to the two sides and stripe having a portion extending made by. このような拡散電極20とすることにより、拡散電極20を流れる電流がp型コンタクト層19上の広範囲に広がるようにし、LEDチップの発光効率を向上させることができる。 With such a diffusion electrode 20, it is the current flowing through the diffusion electrode 20 so as to spread wide on the p-type contact layer 19, thereby improving the luminous efficiency of the LED chip.

さらに、W、Pt、Auを材料とするスパッタリングを行い、拡散電極20およびn型コンタクト層16の一部に対し、それぞれW/Pt/Auの順に積層させp側台座電極21とn側台座電極22を同時に形成させる。 Further, W, Pt, perform sputtering to the Au material, diffusion electrode 20 and to a portion of the n-type contact layer 16, p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode are laminated in this order each W / Pt / Au 22 at the same time to form. ここで、p側台座電極21とn側台座電極22を同時に形成させることで、電極を形成するための工程数を減らすことができる。 Here, by forming the p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode 22 at the same time, it is possible to reduce the number of steps for forming the electrodes.

なお、拡散電極20の代わりとして、p型窒化物半導体上の全面にITO(インジウム(In)とスズ(Sn)の複合酸化物)や、Ni/Au等の金属薄膜を透光性電極として形成させた後、該透光性電極上の一部にp側台座電極21を形成しても構わない。 The formation as an alternative to the diffusion electrode 20, (a composite oxide of indium (In) and tin (Sn)) ITO on the entire surface of the p-type nitride semiconductor and a metal thin film such as Ni / Au as the translucent electrode after, it is also possible to form the p-side pad electrode 21 on a portion of the light-transmitting electrode.

出来上がった半導体ウエハーにスクライブラインを引いた後、外力により分割させ半導体発光素子であるLEDチップ(光屈折率2.5)を形成させる。 After subtracting the scribe lines resulting semiconductor wafer to form a LED chip (refractive index 2.5) is a semiconductor light emitting device is divided by an external force.

0.15mm厚の鉄入り銅からなる長尺金属板に対し打ち抜き加工を施し、各パッケージに挿入される正負一対のリード電極2を複数有するリードフレームを形成する。 Subjected to punching to a long metal plate made of 0.15mm thick iron-containing copper, to form a lead frame having a plurality of pair of positive and negative lead electrodes 2 are inserted into each package. また、光反射率を向上させるため、リードフレーム表面にAgメッキを施す。 In order to improve the light reflectance, performing Ag plating on the lead frame surface.

次に、正負一対のリード電極2が挿入されて閉じられた成型用型内に、パッケージ1の下面側に相当するゲートから溶融されたポリフタルアミド樹脂を流し込み硬化させ、図1に示すパッケージを形成する。 Then, the pair of positive and negative lead electrodes 2 in the shaping die closed is inserted, cured pouring polyphthalamide resin melted from the gate corresponding to the lower surface side of the package 1, the package shown in FIG. 1 Form. パッケージ1は、発光素子を収納可能な凹部を有し、該凹部底面から正及び負のリード電極が一方の主面が露出されるように一体成形されている。 Package 1 includes a housing recess capable of light-emitting elements are integrally molded to the concave portion bottom face positive and negative lead electrodes are exposed one main surface. さらに、パッケージ1の主面側は、側壁部の主面に段差を有し、パッケージの内壁面8によって形成される凹部側から第一の主面1aおよび第二の主面1bを有している。 Further, the main surface side of the package 1 has a step on the principal surface of the side wall portion, from the recess side formed by the inner wall surface 8 of the package has a first main surface 1a and second main surface 1b there. また、発光面の短手側であるパッケージ側面から突出されたリード電極2のそれぞれは、パッケージ主面に対向する裏面側で発光装置の内側方向に折り曲げられて接続端子部を形成している。 Also, each of the light-emitting surface of the shorter side a is read protruding from the package side electrodes 2 to form a connection terminal portion inward in bent by the light-emitting device in the back side facing the package main surface.

このように形成されたパッケージ1の凹部の底面に露出されたリード電極2の端部主面に対して、エポキシ樹脂をダイボンド材としてLEDチップを接着し固定する。 Against the thus formed is exposed to the bottom surface of the recess of the package 1 has end main surface of the lead electrode 2, an epoxy resin bonding the LED chip as a die bonding material fixed. 次に、固定されたLEDチップの電極と、パッケージ1の凹部底面から露出された各リード電極2とをそれぞれAuを主な材料とする導電性ワイヤ5にて接続する。 Next, connect the electrodes of the fixed LED chip, are exposed from the bottom surface of the recess of the package 1 a and the lead electrode 2 in the conductive wires 5 that the Au as the main material, respectively.

次に、封止部材3を形成する。 Next, a sealing member 3. まず、フェニルメチル系シリコーン樹脂組成物100wt%(屈折率1.53)に対して、拡散剤として平均粒径1.0μm、吸油量70ml/100gである軽質炭酸カルシウム(屈折率1.62)を3wt%含有させ、自転公転ミキサーにて5分間攪拌を行う。 First, the phenylmethyl silicone resin composition 100 wt% (refractive index 1.53), the average particle diameter of 1.0μm as diffusing agent, light calcium carbonate is oil absorption 70 ml / 100 g (refractive index 1.62) It is contained 3 wt%, stirring is carried out for 5 minutes at rotation revolution mixer. 次に攪拌処理により生じた熱を冷ますため、30分間放置し樹脂を室温に戻し安定化させる。 Next, in order to cool the heat generated by the stirring treatment stabilizes returned to room temperature allowed resin 30 min.

こうして得られた硬化性組成物をパッケージ1の凹部内に、凹部の両端部上面と同一平面ラインまで充填させる。 The curable composition thus obtained in the package 1 in the recess, is filled up to both end portions the top surface coplanar line of the recess. 最後に、70℃×3時間、及び150℃×1時間熱処理を施す。 Finally, 70 ° C. × 3 hours, and 0.99 ° C. × 1 hour heat treatment performed. これにより、凹部の両端部上面から中央部にかけてほぼ左右対称の放物線状に滑らかな凹みを有する発光面が得られる。 Thus, the light emitting surface having a smooth recess substantially symmetric parabolic from both the upper surface of the recess toward the central portion is obtained. また、硬化性組成物の硬化物からなる封止部材3は、拡散剤の含有量の多い第一の層と、該第一の層より拡散剤の含有量が少ないか、若しくは含有していない第二の層との2層に分離しており、LEDチップの表面は第一の層にて被覆されている。 The sealing member 3 made of a cured product of the curable composition includes a first layer with many content of the diffusing agent, or containing a small amount of the diffusing agent from said first layer, or does not contain are separated into two layers with the second layer, the surface of the LED chip is coated with the first layer. さらに、第一の層は、凹部の底面からLEDチップの表面にかけて連続して形成されていることが好ましい。 Further, the first layer are preferably formed continuously over the surface of the LED chip from the bottom of the recess. これにより、LEDチップから発光される光を効率良く外部へ取り出すことができると共に良好な光の均一性が得られる。 Accordingly, good uniformity of light can be obtained with the light emitted from the LED chip can be efficiently taken out to the outside.

このようにして得られた発光装置は、発光面側であるパッケージの主面において、第一の主面と第二の主面とが一定形状で設けられているため、パッケージ主面に対して支持体や光学部材等あらゆる部材を精度良く装着することができる。 The thus obtained light-emitting device, in the main surface of a light-emitting surface side package, since the first main surface and a second major surface is provided with a constant shape, the package main surface the support or an optical member, such as any member can be accurately mounted.

図2、図3、図4に本実施例にかかる半導体装置を示す。 2, FIG. 3 shows a semiconductor device according to the embodiment in FIG. 実施例1において、パッケージ1の第二の主面1b上に円周の外壁を備える以外は同様にして半導体装置を形成する。 In Example 1, except with a circumference of the outer wall on the second major surface 1b of the package 1 to form a semiconductor device in the same manner.

本実施例にかかる半導体装置は、外周壁の内部に接着剤を注入し他部材と接着すると、接着剤は外周壁外部(特に、凹部内)へ流出することがなくなるため、固着力に優れ、信頼性の高い半導体装置である。 The semiconductor device according to the present embodiment, when bonding with other members by injecting adhesive into the interior of the outer peripheral wall, the adhesive outer peripheral Kabegaibu (particularly, the recess) for no longer flow out to the excellent adhesive force, a highly reliable semiconductor device.

図2、図3、図4に本実施例にかかる半導体装置を示す。 2, FIG. 3 shows a semiconductor device according to the embodiment in FIG. LEDチップの各電極上にAuバンプを形成し、超音波接合にてパッケージ凹部底面から露出された各リード電極とそれぞれ対向させて電気的導通を取るフリップチップ実装を行う以外は他の実施例と同様にして発光装置を形成する。 The Au bump is formed on each electrode of the LED chip, except that a flip-chip mounting respectively to face the respective lead electrodes exposed from the package bottom surface of the recess in the ultrasonic bonding to electrically conduction in the other embodiments Similarly to form a light-emitting device.

本実施例による発光装置は、上記実施例と同様の効果が得られるだけでなく、半導体発光素子の電極形成面をリード電極に対する実装面とし素子の基板側から光が取り出されるため、素子の基板側を実装面とした発光装置と比較して放熱性および光の取り出し効率が向上する発光装置である。 The light emitting device according to this embodiment, not only the same effects as described above can be obtained, because the light is extracted to the electrode forming surface of the semiconductor light emitting element from the substrate side of the mounting surface and to the element for lead electrodes, the substrate of the element extraction efficiency as compared to the light emitting device and a side mounting surface heat dissipation and light is a light emitting device is improved.

図2、図3、図4に本実施例にかかる発光装置を示す。 2, FIG. 3 shows a light emitting device according to the embodiment in FIG. 実施例3において、封止部材中に蛍光物質を含有させる以外は、同様にして発光装置を形成する。 In Example 3, except that it contains a fluorescent substance in the sealing member, forming a light-emitting device in a similar manner.

蛍光物質は、Y、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させ、これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。 Fluorescent material, Y, Gd, coprecipitated with oxalic acid the solution, which is obtained by dissolving rare earth elements of Ce in an acid in a stoichiometric ratio, and coprecipitated oxide obtained by firing this, a mixture of aluminum oxide obtain a mixed raw material Te. さらにフラックスとしてフッ化バリウムを混合した後坩堝に詰め、空気中1400℃の温度で3時間焼成することにより焼成品が得られる。 Further packed into a crucible after mixing barium fluoride as a flux, it fired product is obtained by calcining for 3 hours at a temperature of 1400 ° C. in air. 焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して中心粒径が8μmである(Y 0.995 Gd 0.0052.750 Al 12 :Ce 0.250蛍光物質を形成する。 The fired product is ball in water, washed, separated, dried, and finally a central particle diameter of 8μm through a sieve (Y 0.995 Gd 0.005) 2.750 Al 5 O 12: Ce 0.250 fluorescent material to form.

上記シリコーン樹脂組成物(屈折率1.53)に、上記蛍光物質(屈折率1.84)5.5wt%含有させ、自転公転ミキサーにて5分間攪拌を行う。 The silicone resin composition (refractive index 1.53), the fluorescent substance (refractive index 1.84) 5.5 wt% is contained, stirring is carried out for 5 minutes at rotation revolution mixer. こうして得られた硬化性組成物を前記パッケージ凹部内に、前記凹部の両端部上面と同一平面ラインまで充填させる。 The curable composition thus obtained into the package in the recess, is filled up to both end portions the top surface coplanar line of the recess. 最後に、70℃×2時間、及び150℃×1時間熱処理を施す。 Finally, 70 ° C. × 2 hours, and 0.99 ° C. × 1 hour heat treatment performed.

これにより、発光素子からの発光と、該発光を吸収し異なる波長を有する光を出光する蛍光物質による蛍光との混色光が発光可能な発光装置とすることができる。 This makes it possible to mixed light of the light emitted from the light-emitting element, the fluorescence from the fluorescent substance to the light exit light having absorbed different wavelengths emitting light and capable of emitting light emitting device. また、凹部の両端部上面から中央部にかけてほぼ左右対称の放物線状に凹みを有する発光面が得られ、導光板と組み合わせると、該導光板に効率よく光を入射させることができる。 The light emitting surface is obtained having a recess substantially symmetric parabolic from both the upper surface of the concave portion to the center portion, when combined with the light guide plate can be incident light efficiently to the light guide plate.

発光面の長軸側であるパッケージ側面から正及び負のリード電極を露出させ、その露出部を発光面と垂直を成す面側に折り曲げる(例えば、図4(a)に示される。)以外は他の実施例と同様にして発光装置を形成する。 Exposing the positive and negative lead electrodes from the package side is a major axis side of the light-emitting surface, bending the exposed portions on the side that forms the light emitting surface and a vertical (e.g., shown in FIG. 4 (a).) Except in the same manner as other embodiments to form a light-emitting device. 本実施例にかかる発光装置は、安定性よく実装基板に実装することができる。 The light emitting device according to this embodiment can be implemented in stability good mounting substrate.

図5に示されるように、第一の主面の対向する一端部に切り欠き部13を設ける以外は他の実施例と同様にして発光装置を形成する。 As shown in FIG. 5, except that provision of the first major surface of the opposite end portion to the cutout portion 13 for forming a light emitting device in the same manner as the other embodiments. さらに、本実施例にかかる発光装置の主面と対向する透光性部材の装着面に対し、発光装置主面に設けた切り欠き部13と嵌合可能な形状を設ける。 Further, with respect to the mounting surface of the light transmissive member to the major surface facing the light emitting device according to the present embodiment, provision of the cutout portion 13 and the shape to be fitted provided on the light-emitting device main surface. 本実施例にかかる発光装置は、更に透光性部材等の他部材との固着力および装着精度を高めることができる。 The light emitting device according to this embodiment can be further enhanced bonding strength and mounting accuracy between other members such as the light-transmitting member.

図10は、本実施例における面状光源の一実施例を示す模式的な斜視図であり、図11は断面図である。 Figure 10 is a schematic perspective view showing an embodiment of a surface light source in the present embodiment, FIG. 11 is a cross-sectional view. なお、図10において影になる部分は点線で示す。 The portion to be shaded in FIG. 10 are indicated by dotted lines.

本実施例における面状光源は、他の実施例と同様にして形成される発光装置32と、アクリル樹脂を材料とする透光性部材である導光板31とからなる。 Surface light source in this embodiment, the light emitting device 32 which is formed in the same manner as the other embodiments, consists of the light guide plate 31. is a translucent member for the acrylic resin as a material. 導光板31は、複数の発光装置32からの光をそれぞれ個別に導光板内部に導入する光入射部34を一側面に有し、導光板の内壁面における反射を利用して他の一側面に設けられた光出射面35から面状に光を照射する。 The light guide plate 31 has a light incident portion 34 which respectively introduced therein individually light guide plate the light from the plurality of light emitting devices 32 on one side, by utilizing the reflection on the inner wall surface of the light guide plate to another aspect irradiating light to surface from the light exit surface 35 provided. 導光板内部に光を導入する一側面は、光入射部34の壁面と、該光入射部34の壁面に隣接し発光装置32の第一の主面1aと対向する第一の装着面33aと、第二の主面1bと対向する第二の装着面33bとを有している。 One aspect of introducing light inside the light guide plate, and the wall surface of the light entrance portion 34, a first mounting surface 33a that faces the first principal surface 1a of the light emitting device 32 adjacent to the wall surface of the light incident portion 34 , and a second mounting surface 33b facing the second major surface 1b. なお、光入射部34の壁面には、発光装置からの光が導光板内へ広範囲に入射するようにプリズム形状(図示せず)を設けることもできる。 Incidentally, the wall surface of the light incident portion 34 may be provided with a prism shape so that light from the light emitting device is extensively incident into the light guide plate (not shown).

このように、本実施例にかかる面状光源は、発光装置のパッケージが常にほぼ一定形状となり得る成形部材であり、該成型部材に導光板との位置決め可能な形状を設けることにより、信頼性および装着性に優れた面状光源である。 Thus, a planar light source according to the present embodiment is a molded member which packages of the light emitting device is obtained always substantially constant shape, by providing a positionable shapes of the light guide plate molded type member, reliability and an excellent surface light source to the mounting property.

図12、図13に基づいて本実施例における半導体発光素子について説明する。 12, the semiconductor light-emitting device will be described in this embodiment with reference to FIG. 13. 図12は本実施例における半導体発光素子を電極形成面側からみた平面図である。 Figure 12 is a plan view of the semiconductor light emitting element from the electrode formation surface side in the present embodiment. また、図13は、図12の破線X−Xにおけるp側台座電極21近傍の断面図であり、p側台座電極21が設けられた第1の領域の半導体積層構造と、第2の領域に設けられた凸部23との位置関係を示している。 Further, FIG. 13 is a cross-sectional view of a p-side pad electrode 21 near the broken line X-X in FIG. 12, a semiconductor laminated structure of the first region where the p-side pad electrode 21 is provided, in the second region It shows the positional relationship between the protrusions 23 disposed.

本実施例における半導体発光素子は、p側台座電極21及びn側台座電極22が同一面側に設けられており、これらの電極が形成された面側から光を取り出す構成である。 The semiconductor light-emitting element in this embodiment, p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode 22 is provided on the same side, a light is extracted from these electrodes are formed side. 半導体発光素子を構成する半導体積層構造は、他の実施例と同様に、サファイア基板14上にGaNバッファ層15、ノンドープGaN層、n型コンタクト層16となるSiドープGaN層、n型クラッド層となるSiドープGaN層、活性層17となるInGaN層、p型クラッド層18となるMgドープAlGaN層、p型コンタクト層19となるMgドープGaN層が、順次積層された層構造を有する。 The semiconductor multilayer structure constituting the semiconductor light emitting device, like the other embodiments, GaN buffer layer 15 on the sapphire substrate 14, an undoped GaN layer, Si-doped GaN layer serving as the n-type contact layer 16, and the n-type cladding layer Si-doped GaN layer formed, InGaN layer as the active layer 17, Mg doped AlGaN layer as a p-type cladding layer 18, Mg-doped GaN layer serving as the p-type contact layer 19 has a sequentially stacked layer structure. さらに、MgドープGaN層、MgドープAlGaN層、InGaN層、SiドープGaN層、SiドープGaN層が部分的にエッチング等により除去され、SiドープGaN層の露出面にn側台座電極22が形成され、MgドープGaN層にはp側台座電極21が設けられている。 Further, Mg-doped GaN layer, Mg-doped AlGaN layer, InGaN layer, Si-doped GaN layer, Si-doped GaN layer are partially removed by etching or the like, n-side pad electrode 22 on the exposed surface of the Si-doped GaN layer is formed , the p-side pad electrode 21 is provided on the Mg-doped GaN layer. n側台座電極22は、n型コンタクト層側から順にW、Pt、Auが積層されてなる。 n-side pad electrode 22, W from the n-type contact layer side in this order, Pt, Au are laminated. p側台座電極21が形成される拡散電極20はp型コンタクト層のほぼ全面に形成されると共にp型コンタクト層側から順にNi、Auが積層されてなり(又は、NiとAuの合金)、p側台座電極21はn側電極と同様にW、Pt、Auが積層されてなる。 Ni from the p-type contact layer side in this order with substantially formed on the entire surface of the p-side diffusion electrode 20 pad electrode 21 is formed on p-type contact layer, Au is being laminated (or, an alloy of Ni and Au), p-side pad electrode 21 is W like the n-side electrode, Pt, Au are laminated. また、発光領域を確保するために、拡散電極20はn側台座電極22を部分的に囲んでいる。 Further, in order to secure the light emitting region, the diffusion electrode 20 surrounds the n-side pad electrode 22 partially.

ここで、n型コンタクト層16は、電極形成面側からみて、p側台座電極21を有する半導体積層構造が設けられた第1の領域と、該第1の領域と異なる第2の領域から構成され、該第2の領域にはn側台座電極22および複数の凸部23が設けられている。 Here, n-type contact layer 16 is configured as viewed from the electrode forming surface side, a first region where the semiconductor multilayer structure is provided with a p-side pad electrode 21, the second region different from the first region is, in the second region n-side pad electrode 22 and the plurality of protrusions 23 are provided. 図13に示すように、第2の領域に設けられた各凸部23の頂部は、半導体発光素子の断面において、活性層17よりもp型コンタクト層19側に位置する。 As shown in FIG. 13, the top of each protrusion 23 provided in the second region, the cross section of the semiconductor light emitting device, located in the p-type contact layer 19 side of the active layer 17. すなわち、凸部23の頂部が活性層17よりも高くなるように形成されている。 That is, the top portion of the convex portion 23 is formed to be higher than the active layer 17. 本実施例の半導体発光素子はDH構造であるので、凸部23の頂部は、少なくとも活性層17とそれに隣接するn型半導体層との界面より高ければよいが、活性層17とそれに隣接するp型半導体層との界面より高いことがより好ましい。 Since the semiconductor light-emitting device of the present embodiment is a DH structure, the top portion of the convex portion 23 may be higher than the interface between the n-type semiconductor layer adjacent thereto and at least the active layer 17, but adjacent to the active layer 17 p more preferably higher than the interface type semiconductor layer.

このように構成することにより、活性層17から端面(側面)方向に出射された光が、凸部23に当たり光の進行方向を、例えば、電極形成面側となる観測面側に変更することができる。 With this arrangement, the light emitted from the active layer 17 on the end face (side surface) direction, the traveling direction of the light hits the protrusion 23, for example, to change the observation side as the electrode forming surface side it can. また、端面から側面外部に出射された光が複数の凸部23により散乱を起こし、その結果光の取り出し、光の指向性制御を効果的に行うことができる。 Further, the light emitted to the side surface externally from surface undergoes scattering a plurality of protrusions 23, so that light extraction, it is possible to perform directivity control of the light effectively. さらに、n型コンタクト層16内を導波する光が凸部23の根本(n型コンタクト層16と凸部23の接続部分)にて乱反射され、光を効果的に取り出すことができる。 Furthermore, the light guided through the n-type contact layer 16 is diffusely reflected at the root of the protrusion 23 (connecting portions of the n-type contact layer 16 and the convex portion 23), light can be extracted effectively. また、n型コンタクト層16から凸部23内部に光が取り込まれ、凸部23の頂部又はその途中部分から再度光が外部に出射され得る。 Further, the light from the n-type contact layer 16 to the inner protrusion 23 is captured and re-light from the top or the middle portion of the convex portion 23 can be emitted to the outside. 特に、本実施例における半導体発光素子は、凸部23により、活性層17から端面(側面)方向に直接出射された光の進行方向を発光観測面側に変更させることができるので、光の指向性制御を効果的に行うことができる。 In particular, the semiconductor light-emitting device in this embodiment, the convex portion 23, it is possible to change the traveling direction of the direct light emitted from the active layer 17 on the end face (side surface) direction light emission observing surface side, oriented light it is possible to perform sexual control effectively.

さらに、上記効果は、凸部断面において、半導体積層方向つまりn型コンタクト層16側からp型コンタクト層19側に向かって、凸部23の幅が徐々に細くなるように傾斜させることで、より大きなものとなる。 Furthermore, the effect is the protrusion section, toward the p-type contact layer 19 side from the semiconductor stacked direction, that the n-type contact layer 16 side, by the width of the convex portion 23 is inclined so as to gradually narrow, more It becomes large. すなわち、凸部23の側面に故意に角度を付けることにより、活性層17からの光を凸部23の側面にて全反射させて、或いは、n型コンタクト層16を導波した光を散乱させ、結果として発光観測面側への光取り出しを効果的に行うことができる。 That is, intentionally by angling the side surface of the protrusion 23, the light from the active layer 17 is totally reflected by the side surface of the protrusion 23, or scatter the light guided through the n-type contact layer 16 , it is possible to effectively perform light extraction to the emission observing surface side as a result. 凸部23の傾斜角は、40°〜80°が好ましく、次に50°〜75°、さらには60°〜65°がより好ましい。 Inclination angle of the protrusions 23 is preferably from 40 ° to 80 °, then 50 ° to 75 °, further more preferably 60 ° to 65 °. 凸部断面が台形である場合も同様である。 If protrusion cross-section is a trapezoid is the same.

また、凸部23は、第1の領域に近い側の傾斜角と遠い側の傾斜角とが略同じであることが好ましい。 Further, the convex portion 23 is preferably an inclined angle of the inclined angle and the far side of the closer to the first region side are approximately the same. この理由は明らかでないが、各傾斜角が同一であることにより、全体として均一な光取り出し(光指向性の制御)が可能になっているものと考えられる。 The reason for this is not clear, by the inclination angle is the same, it is believed that overall uniform light extraction (light directivity control) is enabled. 傾斜角は前に記載した範囲に形成することが好ましい。 The inclination angle is preferably formed in a range previously described.

さらに、凸部断面の形状が台形、すなわち凸部自体が円錐台形状であることが好ましい。 Furthermore, the shape of the protrusion section is trapezoidal, that is preferably convex portions themselves are frustoconical. このように構成することにより、光の指向性制御がより容易になると共に、全体としてより均一な光取り出しが可能となる。 With this arrangement, the directivity control of the light becomes easier, thereby enabling more uniform light extraction as a whole. p型コンタクト層19側から光を取り出し、p側コンタクト層19を観測面とする場合に、凸部23の観測面側が頂点を含まずに平面を含むことにより、この効果が得られるものと考えられる。 Removed light from the p-type contact layer 19 side, when the observation surface a p-side contact layer 19, the observation surface side of the convex portion 23 may include a flat without the vertex, considered that this effect is obtained It is.

また、凸部断面の形状が台形である場合、台形の上辺(p側)において、さらに凹部を備えることもできる。 Further, when the shape of the protrusion section is trapezoidal, in trapezoidal upper (p-side), it may further comprise a recess. これにより、n型コンタクト層内を導波してきた光が凸部内部に侵入した際に、凸部の頂部に形成された凹部により、観測面側に光が出射されやすくなるので好ましい。 Thus, the n-type contact layer when light guided is penetrated inside the convex portion, the concave portion formed in the top portion of the convex portion, the light on the observation side is likely to be emitted preferred.

さらに、本実施例における半導体素子は、n型コンタクト層16の第1の領域に形成された半導体積層構造の出射端面とほぼ垂直をなす方向において、2以上、好ましくは3以上の凸部が少なくとも部分的に重複して配置されていることが好ましい。 Furthermore, the semiconductor device in this embodiment, in a direction substantially perpendicular the exit end face of the semiconductor multilayer structure formed on the first region of n-type contact layer 16, two or more, preferably 3 or more protrusions least it is preferably arranged partially overlapping. これにより、第1の領域から出射された光が高確率で凸部23を介することになるので、上記効果をより容易に得ることができる。 Accordingly, the light emitted from the first region is going through the protrusion 23 with a high probability, the above effect can be obtained more easily.

本実施例における凸部23は、n側台座電極22の形成に際し、n型コンタクト層16を露出する工程と同時に形成することが好ましい。 Protrusions 23 in the present embodiment, upon formation of the n-side pad electrode 22, it is preferable to simultaneously form the process to expose the n-type contact layer 16. すなわち、本実施例における半導体発光素子は、同一面側に、p側およびn側電極を備える構造であるため、基板上にp型コンタクト層までを積層した後に、半導体積層構造のp側から少なくともn側電極に対応する領域をn型コンタクト層が露出するように除去することが必要となる。 That is, the semiconductor light-emitting device in this embodiment, on the same side, since it is a structure comprising a p-side and n-side electrodes, after stacking up to the p-type contact layer on a substrate, at least from the p-side of the semiconductor multilayer structure the region corresponding to the n-side electrode n-type contact layer is required to be removed to expose. 詳細には、例えば、p型コンタクト層19を積層した後に、レジスト膜を塗布して所望のパターンに露光し、残存するレジスト膜をマスクとして用い、後にp側電極を設ける部位(第1の領域)、および凸部23を形成すべき部位(第2の領域の一部分)以外をn型コンタクト層22が露出するまでエッチング等により除去する。 Specifically, for example, after laminating the p-type contact layer 19, a resist film coated by exposing a desired pattern, using the resist film remaining as a mask, providing the p-side electrode after the site (first region ), and sites to form the convex portion 23 other than (a portion of the second region) of the n-type contact layer 22 is removed by etching or the like to expose. これにより、n側電極を形成する露出面を形成すると共に凸部23を同時に形成することができるので、工程を簡略化することが可能となる。 Thus, it is possible to simultaneously form the convex portion 23 so as to form an exposed surface which forms the n-side electrode, it is possible to simplify the process.

以上のように形成された凸部23は、第1の領域における半導体積層構造と同じ積層構造を備える。 Protrusions 23 formed as described above, comprises the same laminated structure as the semiconductor laminated structure in the first region. しかしながら、第1の領域に含まれる活性層17は発光層として機能するが、第2の領域の凸部に含まれる活性層17は発光層として機能しない。 However, although the active layer 17 included in the first region functions as a light emitting layer, the active layer 17 included in the convex portion of the second region it does not function as a light-emitting layer. これは、第1の領域がp側電極を有するのに対して、第2の領域(凸部23)にはp側電極が形成されていないことによる。 This is because the first region relative to have a p-side electrode, the second region (protrusion 23) is not formed a p-side electrode. すなわち、第1の領域の活性層17は通電によりキャリア(正孔及び電子)が供給され得るのに対し、第2の領域に設けられた凸部23の活性層17には通電によりキャリアは供給されない。 That is, the active layer 17 in the first region whereas carrier (hole and electron) can be supplied by the current, the carriers by energizing the active layer 17 of the convex portion 23 provided in the second region supply not. このように、本願発明の凸部23はそれ自体で発光しうるものではない。 Thus, the convex portion 23 of the present invention is not capable of emitting by itself. 仮に、凸部23にp側電極を形成し凸部内部に電流を流し凸部に含まれる活性層を発光させると、電流経路が狭くなることにより駆動電圧が上昇してしまい好ましくない。 Assuming that emit an active layer included in the protrusion applying a current to the internal protrusions to form a p-side electrode on the convex portion 23, the driving voltage by the current path becomes narrower unfavorably increased. さらに、凸部23における活性層自体の面積も小さいために発光には殆ど関与しないので、発光に直接関与する第1の領域と、発光に直接関与しない第2の領域とに分割して凸部を形成することが好ましい。 Moreover, since hardly involved in light emission due also the area of ​​the active layer itself of the raised portion 23 small, and the first region directly involved in light emission, is divided into a second region which are not directly involved in the light-emitting protrusions preferably it is formed.

ここまで説明した通り、本実施例における半導体発光素子は、横方向(LEDの側面方向)に出射する光を減少させ、上方向(観測面側)へ選択的に出射させるものである。 As described so far, the semiconductor light-emitting element of this embodiment reduces the light emitted in the lateral direction (side direction of the LED), are those that selectively emitted upward direction (observation side). 従って、有機物からなる支持体に半導体発光素子を配置した際に、その支持体自体の寿命を長くすることができる。 Therefore, when disposing the semiconductor light emitting element to a support made of an organic substance, it is possible to increase the life of the support itself. すなわち、本実施例における半導体発光素子を用いることにより、半導体発光素子側面から出射される光により支持体が劣化するのを大幅に軽減することができる。 That is, by using the semiconductor light-emitting element in this embodiment, it is possible to greatly reduce the deterioration is support by the light emitted from the semiconductor light emitting element side. このような効果は、支持体の表面(特に、半導体発光素子が載置される凹部を形成する内壁面)が半導体発光素子の側面に近いものほどより顕著なものとなる。 Such effects, the surface of the support (in particular, the inner wall surface forming a recess in which the semiconductor light-emitting device is placed) is assumed the more remarkable as close to the side surface of the semiconductor light emitting element.

また、本実施例における半導体発光素子は、n側台座電極22と拡散電極20との間の領域に凸部23を形成していないが、該領域に凸部23を形成しても良い。 Also, the semiconductor light-emitting element in this embodiment is not formed a convex portion 23 in the region between the n-side pad electrode 22 and the diffusion electrode 20 may be formed convex portions 23 to the area. n側台座電極22周辺部は比較的発光が強いので、n側台座電極22と拡散電極20との間に凸部23を設けることにより、上記の効果をさらに向上させることができる。 Since n-side pad electrode 22 periphery is relatively light emission is strong, by providing the convex portion 23 between the n-side pad electrode 22 and the diffusion electrode 20, it is possible to further improve the effect described above.

以上説明したような長手方向と短手方向を有する形状の半導体発光素子を他の実施例と同様にパッケージの凹部底面に載置する。 Placing the semiconductor light-emitting elements in the form in the recess bottom surface of the package as well as other embodiments having longitudinal and lateral directions as described above. このとき、凹部底面の長手方向と半導体発光素子の長手方向および凹部底面の短手方向と半導体発光素子の短手方向とがそれぞれほぼ平行となるように位置決めして載置する。 In this case, the lateral direction in the transverse direction and the semiconductor light emitting element in the longitudinal direction and the concave bottom surface of the longitudinal and the semiconductor light emitting element of the bottom surface of the recess is placed in position so as to be substantially parallel to each other. 即ち、長手方向と短手方向を有する形状の半導体発光素子と、該半導体発光素子の大きさおよび形状に対応する凹部底面を有するパッケージとを備える発光装置とする。 That is, the light emitting device and a package having a semiconductor light emitting element having a shape extending in the longitudinal direction and a lateral direction, the recess bottom surface corresponding to the size and shape of the semiconductor light emitting element. これにより、パッケージを薄型化することにより凹部底面が長手方向と短手方向を有する形状となっても、該凹部底面全体にわたって半導体発光素子が載置される領域とすることができ、さらに発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。 Accordingly, even when the recess bottom surface by thinning the package shape having a longitudinal direction and a lateral direction, can be a region where the semiconductor light emitting element is mounted over the recess bottom surface, further light emitting device it is possible to improve the light extraction efficiency. また、半導体発光素子の大きさがパッケージの凹部底面の全体にわたる大きさとなると、半導体発光素子の側面と凹部の内壁面とが近接して対向することとなるが、半導体発光素子に設けた上記凸部により、半導体積層構造端面からの出光を観測面方向に向かわせることができる。 Further, when the size of the semiconductor light emitting element is a size across the recess bottom surface of the package, the convex although the inner wall surface of the side surface and the recess of the semiconductor light emitting element is to be opposed in close proximity, which is provided on the semiconductor light emitting element the parts, it is possible to direct the light output from the semiconductor multilayer structure end face to the observation plane direction. そのため、本実施例にかかる発光装置は、半導体発光素子側面から出射される光により生じていた有機材料使用の支持体の劣化を大幅に軽減することができる。 Therefore, the light emitting device according to this embodiment can significantly reduce the deterioration of the support of the organic material used had caused by light emitted from the semiconductor light-emitting element side.

図14に基づいて、本実施例における半導体発光素子について説明する。 Based on FIG. 14, a description will be given of a semiconductor light-emitting element in this embodiment. 本実施例における半導体発光素子は、第1の領域における半導体積層構造の形状と、それに伴う拡散電極20の形状と、凸部23の形成領域が異なる他は、上述した実施例8における半導体発光素子と同様の構成である。 The semiconductor light-emitting element in this embodiment, the shape of the semiconductor laminated structure in the first region, the shape of the diffusion electrode 20 associated therewith, in addition to forming region of the convex portion 23 are different, the semiconductor light emitting device of Example 8 described above the same configuration as that of the. すなわち、本実施例における半導体発光素子は、pn電極配置面側からみて、n側台座電極22とp側台座電極21との間に位置する第1の領域がくびれ部分を有しており、さらにそのくびれ部分内に複数の凸部23が形成されている。 That is, the semiconductor light-emitting device in this embodiment, as viewed from the pn electrode arrangement surface has a first region constricted portion located between the n-side pad electrode 22 and the p-side pad electrode 21, further a plurality of protrusions 23 are formed in the constricted portion. これにより、発光および観測面側への光取り出しを効果的に行うことができる。 Thus, it is possible to perform the light extraction to the light emitting and observation side effectively.

詳細には、本実施例における半導体発光素子は、p側台座電極21とn側台座電極22が破線X−X上に配置されている。 Specifically, the semiconductor light-emitting device in this example, p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode 22 is disposed on the broken line X-X. そして、図14に示すように、電極形成面側からみて、p側の拡散電極20が破線X−Xに沿った長手形状をしており、それに伴い半導体発光素子自体の形状も破線X−Xに沿った長手形状としている。 Then, as shown in FIG. 14, as viewed from the electrode forming surface side, the diffusion electrode 20 of the p-side has a longitudinal shape along the broken line X-X, also dashed X-X semiconductor light emitting element shape itself along with it It has a longitudinal shape along the. また、p側台座電極21からn側台座電極22に流れる電流は、その経路が最短になるように主に破線X−Xの方向に流れる。 Further, the current flowing from the p-side pad electrode 21 on the n-side pad electrode 22 flows in the direction of the main dashed X-X as the route becomes the shortest. しかしながら、p側台座電極21とn側台座電極22間の拡散電極20のうち、破線X−X、p側台座電極21、n側台座電極22の3箇所から離れた領域には、電流が供給されにくく、その結果、他の領域に比較して発光が弱い。 However, of the diffusion electrode 20 between the p-side pad electrode 21 and the n-side pad electrode 22, the dashed line X-X, in a region away from the three of the p-side pad electrode 21, n-side pad electrode 22, a current supply hardly, so that light emission is weak compared to other regions. 本実施例における半導体発光素子は、上記事情を考慮して、n側台座電極22とp側台座電極21との間に位置する第1の領域にくびれ部分を設け、本来発光すべき該くびれ部分に対応する領域の半導体積層構造を除去し、さらにそのくびれ部分に複数の凸部23を形成することにより、結果として良好な光取り出しが実現可能となる。 The semiconductor light-emitting device in this embodiment, in consideration of the above circumstances, a constricted portion in a first region located between the n-side pad electrode 22 and the p-side pad electrode 21 is provided, the constriction should emit light originally removing the semiconductor laminated structure of the region corresponding to, further by forming a plurality of protrusions 23 on the constricted portion, good light extraction can be realized as a result. これは、くびれ部分に相当する発光の弱い領域をあえて除去し、その除去した領域に凸部を設けることにより、強い発光がそのまま側面外部に放出され、その放出された強い発光が凸部を介して観測面側に方向転換するために、光の取り出し、光の指向制御性が向上するものと考えられる。 This constriction dare remove weak regions corresponding emitting portion, by providing a convex portion in its removal regions, strong emission is directly discharged to the side outside, through the intense luminescence protrusion which is its release to diverted observation side Te, extraction of light directivity control of the light is considered to be improved.

図15に基づいて、本実施例における半導体発光素子について説明する。 Based on FIG. 15, a description will be given of a semiconductor light-emitting element in this embodiment. 本実施例における半導体発光素子は、第1の領域における半導体積層構造の形状と、それに伴う拡散電極20の形状と、凸部23の形成領域が異なる他は、上記実施例における半導体発光素子と同様の構成である。 The semiconductor light-emitting element in this embodiment, the shape of the semiconductor laminated structure in the first region, the shape of the diffusion electrode 20 associated therewith, in addition to forming region of the convex portion 23 is different, as with the semiconductor light-emitting device in the above embodiment which is the configuration.

すなわち、本実施例における半導体発光素子は、凸部23が設けられた第2の領域が第1の領域に囲まれることにより、光の取り出し、光の指向制御性をより向上させることができる。 That is, the semiconductor light-emitting device in this embodiment, since the second region where the convex portion 23 is provided is surrounded by the first region, the light extraction, it is possible to further improve the directivity control of the light. さらに第1の領域に囲まれる凸部23を有する第2の領域は、少なくともその一部が破線X−X付近に重複して設けられることが好ましい。 Further, the second region having a convex portion 23 surrounded by the first region, that at least a portion thereof is provided in duplicate in the vicinity of the broken line X-X are preferred. 上述したように、電流は破線X−X方向に沿って主に流れるが、第1の領域における破線X−X付近の一部をあえて除去し、その除去領域に複数の凸部23を設けることにより、結果的に、光の取り出し効率、光の指向性制御を効果的に向上させることができる。 As described above, the current is mainly flows along the dashed line X-X direction, dare to remove a portion of the vicinity of the broken line X-X in the first region, providing a plurality of protrusions 23 on the removal region Accordingly, consequently, it is possible to improve the light extraction efficiency, directivity control of the light effectively. これは、破線X−X上の一部をあえて除去することにより、電流を半導体積層構造のより広い領域に広げることが可能となると共に、破線X−X上から除去した領域における活性層を含む半導体積層構造端面から出射される比較的強い光りが、複数の凸部23を介して観測面側に方向転換するために、光の取り出し、光の指向制御性が向上するものと考えられる。 This can be achieved by dare removing a portion of the dashed line X-X, with the current it is possible to widen the wider region of the semiconductor multilayer structure includes an active layer in the removal from the broken line X-X region light relatively strong is emitted from the semiconductor stacked structure end face, in order to redirect the observation side through the plurality of protrusions 23, the light extraction, the directivity control of the light is considered to be improved.

また、本実施例における半導体発光素子における構成は、上述した実施例9における半導体発光素子の構成と併用することがより好ましい。 The configuration of the semiconductor light-emitting device in this embodiment, it is more preferably used in combination with the configuration of the semiconductor light emitting element in Embodiment 9 described above. すなわち、本実施例における半導体発光素子に対して、上記実施例9で説明したくびれ部分を備えることにより、上記の効果をより向上させることができる。 That is, the semiconductor light-emitting element of this embodiment, by providing the constricted portion described in Example 9 above, it is possible to further improve the effect described above.

なお、上述した各実施例における半導体発光素子における半導体積層構造は、限定されない。 The semiconductor multilayer structure in a semiconductor light-emitting element in each embodiment described above is not limited. 各半導体層における混晶材料や混晶比、積層数、積層順等は、種々の材料および数値とすることができる。 Mixed crystal or mixed crystal ratio of each of the semiconductor layers, the number of stacked, layered sequentially like can be a variety of materials, numerical values. また、p側電極、n側電極についても同様であり、その積層順、構成材料、膜厚等は任意に設定できる。 Further, the same applies to the p-side electrode, n-side electrode, the stacking order of constituent materials, thicknesses, etc. can be set arbitrarily.

本実施例にかかる受光装置は、実施例1と同様に形成したパッケージと、半導体素子として受光素子とを用い、装置外部から入射する光を受光素子へ集光させるレンズ形状の透光性部材を備えた光検出器とする。 Receiving apparatus according to the present embodiment, a package formed in the same manner as in Example 1, using a light receiving element as a semiconductor element, a translucent member of a lens shape to condense the light incident from the outside of the apparatus to the light receiving element and with photodetectors.

本実施例にかかる受光装置は、光入射側であるパッケージの主面において、第一の主面と第二の主面とを設けることにより、該第一の主面および第二の主面に対応する装着面を有する透光性部材への装着精度および接着強度の高い受光装置とすることができる。 Receiving apparatus according to this embodiment, in the packaging of the main surface is a light incident side, by providing the first major surface and a second major surface, the main surface and a second major surface of said first it can have high receiving apparatus of mounting accuracy and the adhesion strength of the translucent member having a corresponding mounting surface.

本発明にかかる半導体装置は、高精度な位置決めが要求される液晶ディスプレイのバックライト、パネルメーター、表示灯や面発光スイッチおよび光学センサなどに利用可能である。 The semiconductor device according to the present invention can be used liquid crystal display backlight that highly accurate positioning is required, the panel meter, such as lights, surface-emitting switches and optical sensors.

図1は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図2は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 2 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図3は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 3 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図4は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 4 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図5は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図である。 Figure 5 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention. 図6は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図である。 Figure 6 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention. 図7は、本発明にかかる発光装置の他の実施例を示す模式的な斜視図である。 Figure 7 is a schematic perspective view showing another embodiment of a light emitting device according to the present invention. 図8は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な平面図である。 Figure 8 is a schematic plan view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図9は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な断面図である。 Figure 9 is a schematic sectional view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図10は、本発明にかかる光源の一実施例を示す模式的な斜視図である。 Figure 10 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light source according to the present invention. 図11は、本発明にかかる光源の一実施例を示す模式的な断面図である。 Figure 11 is a schematic sectional view showing an embodiment of a light source according to the present invention. 図12は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な正面図である。 Figure 12 is a schematic front view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図13は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な断面図である。 Figure 13 is a schematic sectional view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図14は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な正面図である。 Figure 14 is a schematic front view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図15は、本発明の一実施例における半導体発光素子を示す模式的な正面図である。 Figure 15 is a schematic front view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図16は、本発明の一実施例における半導体装置の形成工程を示す模式的な断面図である。 Figure 16 is a schematic cross-sectional views showing steps of forming a semiconductor device in an embodiment of the present invention. 図17は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 17 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図18は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 18 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図19は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 19 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図20は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 20 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図21は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 21 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図22は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 22 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図23は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 23 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図24は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 24 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図25は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 25 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b). 図26は、本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な斜視図(a)および断面図(b)である。 Figure 26 is a schematic perspective view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention (a) and a sectional view (b).

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1・・・パッケージ1a・・・第一の主面1b・・・第二の主面1c・・・凸部2・・・リード電極3・・・封止部材4・・・発光素子5・・・ワイヤ6・・・バンプ7・・・蛍光物質8・・・凹部を形成するパッケージの内壁面9・・・パッケージ側面凹部10・・・接合部材11・・・サブマウント基板12・・・導電性部材13・・・切り欠き部14・・・サファイア基板15・・・バッファ層16・・・n型コンタクト層17・・・活性層18・・・p型クラッド層19・・・p型コンタクト層20・・・拡散電極21・・・p側台座電極22・・・n側台座電極23・・・第2の半導体領域に設けられた凸部24・・・リードフレーム25・・・突き出し部材26・・・パッケージ成型材料27・・・凸型28・・・凹型29・・ 1 ... package 1a ... first major surface 1b ... second main surface 1c ... protrusions 2 ... lead electrode 3 ... sealing member 4: light-emitting element 5, · wire 6 ... bumps 7 ... fluorescent substance 8 ... inner wall surface of the package to form a recess 9 ... package side recess 10 ... joint member 11 ... submount substrate 12.. conductive members 13 ... notch 14 ... sapphire substrate 15 ... buffer layer 16 ... n-type contact layer 17 ... active layer 18 ... p-type cladding layer 19 ... p-type contact layer 20 ... diffusion electrode 21 ... p-side pad electrode 22 ... n-side pad electrode 23 ... second convex portion 24 provided in the semiconductor region of ... lead frame 25 protrudes ... member 26 ... package shaped material 27 ... convex 28 ... concave 29 .. パッケージ成型材料注入方向30・・・パッケージ突き出し方向31・・・導光板32・・・発光装置33a・・・第一の装着面33b・・・第二の装着面34・・・光入射部35・・・光出射面 Package molding material injecting direction 30 ... package protrudes direction 31 ... light guide plate 32 ... light-emitting device 33a ... first mounting surface 33b ... second mounting surface 34 ... light entrance portion 35 ... light-emitting surface

Claims (5)

  1. 発光素子と、その発光素子を配置する凹部を有する支持体と、前記発光素子に接続するリード電極と、を備えており、前記支持体の側面のうち、前記凹部を有する主面と垂直かつ前記凹部の長手方向に設けられた側面の一つを実装面とする側面発光型発光装置であって、 A light emitting element, a support having a recess for placing the light-emitting element, provided with a lead electrode connected to the light emitting element, among the side surfaces of the support, the main surface perpendicular and the having the recess a side-emitting light-emitting device to the one aspect provided in the longitudinal direction of the recess and the mounting surface,
    前記支持体は、前記凹部の外側に、第一の主面と、その第一の主面の外側に、前記第一の主面との間に段差を有して設けられた第二の主面と、を少なくとも有しており、前記第一の主面より外側の主面に凹形状または凸形状が設けられ、 The support is, on the outside of the recess, and the first major surface, the outer side of the first major surface, a second main provided with a step between the first main surface and the plane, a is at least a, concave or convex is provided from the first main surface on the outside of the main surface,
    前記リード電極は、前記支持体の側面から突出された接続端子部を有し、その接続端子部が折り曲げられて配置される支持体の側面のうち、前記凹部の短手側の側面が、 ハンガーリードの先端部を配置する凹部を有することを特徴とする側面発光型発光装置。 The lead electrode has a connection terminal portion that protrudes from a side surface of the support, of the side surfaces of the support placed by bending the connection terminal portion, the shorter side of the side surface of the recess, hanger side-emitting light-emitting device characterized by having a recess to place the tip end of the lead.
  2. 前記凹形状または凸形状は、円盤状である請求項1に記載の側面発光型発光装置。 The concave or convex shape, side-emitting light-emitting device according to claim 1 which is disc-shaped.
  3. 前記凸形状は、内部が空洞の外周壁を成している請求項1に記載の側面発光型発光装置。 The convex shape is a side-emitting light-emitting device of claim 1 inside forms an outer peripheral wall of the cavity.
  4. 前記凸形状は、前記支持体の一方の側面から該側面に向かい合う他方の側面に向かって直線状に延びる凸部である請求項1に記載の側面発光型発光装置。 The convex shape is a side-emitting light-emitting device according to claim 1, which is a convex portion extending linearly from one side of the support toward the other side surface facing the side surface.
  5. 前記支持体の側面から突出されたリード電極は、前記第一の主面に垂直に、且つ、前記側面と異なる側面に沿って折り曲げられている請求項1から4のいずれか一項に記載の側面発光型発光装置。 It said support side lead electrode protruding from of the perpendicular to the first major surface, and, according the side from claim 1 are bent along a different side to any one of the 4 side-emitting light-emitting device.
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