JP3989583B2 - 圧接型半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は圧接型半導体装置に関し、特にゲート転流型ターンオフサイリスタ(GCT)に関する。
【0002】
【従来の技術】
ゲート転流型ターンオフサイリスタ(以後、GCTサイリスタと呼称)は、ゲートターンオフサイリスタ(以後、GTOサイリスタと呼称)と異なり、ゲート逆電流の上昇率をGTOサイリスタの100倍程度に高め、主電流をすべてゲート回路に流して(転流して)ターンオフ動作を行うものである。
【0003】
図13および図14に、GCTサイリスタ90の断面構成および平面構成を示す。なお、図14は、図13に示す矢印方向からGCTサイリスタ90を見た平面図である。従って、図14の線SA−SBに関する縦断面図が図13にあたる。
【0004】
図13において、GCTサイリスタ90の各セグメントが形成された半導体基板28の下側表面の外周部側に位置する面上に、ゲート電極29aが形成されており、さらにゲート電極29aよりも内側の半導体基板28の下側表面上には、各セグメントの位置に対応して各カソード電極29bが形成されている。
【0005】
半導体基板28の下側表面上のカソード電極29bの下には、カソード歪緩衝板30およびカソードポスト電極31が順に配設されている。一方、半導体基板28の図示しないアノード電極の表面(カソード電極29bと反対側の面)上には、アノード歪緩衝板32およびアノードポスト電極33が順に配設されている。
【0006】
また、半導体基板28のゲート電極29aの表面に接するようにリング状ゲート電極34が配設されており、リング状金属板からなるゲート端子板38が、その内周端縁面がリングゲート電極34と摺動可能になるように、同電極34に対して接触・配置されている。
【0007】
そして、ゲート端子板38とともに、リング状ゲート電極34をゲート電極29aに対して押圧するための皿バネあるいは波バネのようなリング状の弾性体35が配設されている。なお、弾性体35はリング状絶縁体36を介してゲート端子板38を押圧する構成となっている。
【0008】
また、リング状ゲート電極34をカソード歪緩衝板30およびカソードポスト電極31から絶縁するための絶縁シート等からなる絶縁体37が、カソード歪緩衝板30およびカソードポスト電極31の壁面に沿って配設されている。
【0009】
カソードポスト電極31の端縁部にはカソードフランジ26が固着され、アノードポスト電極33にはアノードフランジ40が固着されている。そして、カソードフランジ26とアノードフランジ40との間には、GCTサイリスタ90の主要部を取り囲むように、セラミック等の絶縁物で構成された絶縁筒41が配設されている。絶縁筒41は、ゲート端子板38を挟んで上下に分割されているとともに、沿面距離を長くするための突起部42を有した構成である。従って、ゲート端子板38の外周側部分は絶縁筒41の側面から外部に突出することになる。なお、絶縁筒41はゲート端子板38の上下表面に気密に固着されている。
【0010】
そして、絶縁筒41の下側端面に固着された接続板43aがカソードフランジ26と気密に固着され、絶縁筒41の上側端面に固着された接続板43bがアノードフランジ40と気密に固着されており、これによってGCTサイリスタ90が密閉されたパッケージ構造になっている。なお、この内部は、不活性ガスで置換されている。
【0011】
また、ゲート端子板38の端縁部には、取り付け穴21が所定の間隔で複数個設けられている。図14に示すように、GCTサイリスタ90の外観は円盤形状であり、カソードポスト電極31、カソードフランジ26、ゲート端子板38が順に同心円状に配設されている。ここで、ゲート端子板38は、取り付け穴21を介して図示しないゲートドライバにネジ止めによって接続されることになる。
【0012】
ここで、GCTサイリスタとゲートドライバの動作について説明する。図15にGCTサイリスタと、それを動作させるための回路構成を示す。図15において、各参照符号3はGCTサイリスタであり、このGCTサイリスタ3のゲート電極3Gとカソード電極3Kのノード13との間に、ゲートドライバ4(駆動制御手段)が接続される。
【0013】
ゲートドライバ4は、その駆動電源4a(電源電圧VGD(例えば20V))、コンデンサ4b、インダクタンス4C、トランジスタ4dから成る。
【0014】
このゲートドライバ4は、GCTサイリスタ3をターンオンさせるためのターンオン制御電流IGを発生して、配線経路ないしラインL1を介してこの電流IGをゲート電極3Gに印加する。これに応じて、GCTサイリスタ3はオン状態となる。また、符号11はノードであり、9は同装置10を駆動するための電源、すなわち主回路用電源(電源電圧VDD)である。
【0015】
他方、符号1は、GCTサイリスタ3がターンオンした時に流れる主電流ないし陽極電流IAの上昇率dIA/dtを抑制するためのインダクタンスであり、2は、GCTサイリスタ3がターンオフした時にインダクタンス1に発生するエネルギーを還流させるための還流用ダイオードである。
【0016】
符号5は、アノード電極3Aのノード11とカソード電極3Kのノード12との間にGCTサイリスタ3に対して並列に接続されており、かつGCTサイリスタ3がターンオフした時にアノード・カソード電極間電圧VAKの上昇に伴って発生するピーク電圧のみを抑制するためのピーク電圧抑制回路である。同回路5は、上記電圧VAKがターンオフ時にGCTサイリスタ3の電圧阻止能力に応じて定まる所定の電圧値に所定の時間だけ上記電圧VAKを保持ないしクランプする機能を有する。
【0017】
なお、従来のGTOサイリスタでは、ターンオフ時に、主電流IAより分流してゲートドライバ4側へ流入していたが、GCTサイリスタではゲート逆電流IGQの変化率ないし上昇率(勾配)dIGQ/dtの絶対値を出来る限り大きくして(理想的には、|dIGQ/dt|は∞)、主電流IAの全てをゲート逆電流IGQとしてゲートドライバ4を介してノード12へ流すこととする。すなわち、主電流IAとゲート逆電流IGQとの比の絶対値で定まるターンオフゲインG(=|IA/IGQ|)を1以下(G≦1)に設定することで、主電流IAの全てを、ターンオン制御電流IGとは逆方向に、アノード電極3Aからゲート電極3Gを介してゲートドライバ4及びノード12側へと転流させ、以てGCTサイリスタ3をターンオフさせる。このとき、アノード電極3Aからカソード電極3Kへ向けて直接GCTサイリスタ3内部を流れるカソード電流IKは、直ちに全く流れなくなる。その意味で、本方式は、主電流IAの分流ではなくて、「主電流IAの転流」を実現しているのである。
【0018】
ここで、ゲートドライバ4の駆動電源(主電源)4aの電源電圧値VGDと、ループR1のインダクタンス値との関係に応じて、上昇率dIGQ/dtの値を変化させることができるので、両者4(4a)、R1の値を適切に設定することで、上昇率|dIGQ/dt|を限りなく∞値に近い極めて大きな値に設定してやれば、極めて短時間で主電流IAを全てゲートドライバ4側へ転流させることができる。
【0019】
他方、そのようなゲート逆電流IGQの転流をゲートドライバ4単独で以て実現することは、当該ドライバ4の駆動電源4aがとりうる電源電圧値VGDに限界があるため容易でないが、その反面、ゲートドライバ4の駆動電源電圧VGDを設定可能な実用値に設定しておき、ゲートターンオフゲインGを1以下とするために必要な上昇率dIGQ/dtの絶対値を実現しうるループR1の内部インダクタンスの値を設定することは、現実に可能である。
【0020】
そこで、ゲート電極3Gからゲートドライバ4までのラインL1と、ゲートドライバ4と、ゲートドライバ4からノード13を介してカソード電極3KまでのラインL2と、ゲート・カソード電極間のGCTサイリスタ3内部の経路とからなるループないし経路R1内の(浮遊)内部インダクタンスの値を、ターンオフゲインGを1以下とするのに必要な値にまで低減させることが求められる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、従来のGCTサイリスタにおいては、ゲート逆電流の上昇率(dIGQ/dt)を増加させるために、ゲート電極をリング状にすること、および、GCTサイリスタのゲート端子板とゲートドライバとの接触面積を広くして、ゲートドライバとGCTサイリスタとの間のトータルインダクタンスを低減する構成としている。
【0022】
ここで、ゲートドライバとゲートドライバとの接続を図13に示すGCTサイリスタ90の構成に即して説明すれば、ゲート端子板38がゲートドライバに接続され、カソードポスト電極31とゲートドライバとの接続は、カソードフランジ26を介してなされたり、カソードポスト電極31の外部に配置されたスタック電極とカソードポスト電極31との間に介挿された電極板(リング状金属板)を介してなされていた。
【0023】
例えば、カソードフランジ26を使用する場合、図13に示されるように、ゲート端子板38とカソードフランジ26とは間隔を空けて平行になるように配設されており、ゲート端子板38から、リング状ゲート電極34およびカソードポスト電極31を介してカソードフランジ26に流れる制御系の電流ループが形成され、当該電流ループによって無視し得ないインダクタンスが発生していた。
【0024】
トータルインダクタンスを十分に低減できない場合は、ゲート逆電流の上昇率(dIGQ/dt)が十分に得られず、主電流の全てをゲート回路に転流させることが困難になり、ターンオフ失敗による素子破壊につながる可能性がある。
【0025】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ゲートドライバとGCTサイリスタとの間のトータルインダクタンスを低減し、十分なゲート逆電流の上昇率を確保して、確実なターンオフが可能なGCTサイリスタを提供する。
【0026】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項1記載の圧接型半導体装置は、一方主面の外周端縁部に沿ってゲート電極が形成され、該ゲート電極の内側にカソード電極が形成され、他方主面にアノード電極が形成された半導体基板と、前記カソード電極に電気的に接続されるカソードポスト電極と、一方端面が前記ゲート電極に接触するリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極および前記カソードポスト電極と外部との電気的接続を行う電極体と、少なくとも前記半導体基板および前記リング状ゲート電極を内包する電気絶縁性の絶縁筒とを備え、前記電極体が、前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するゲート端子板と、前記カソードポスト電極に電気的に接続された補助カソード端子板と、少なくとも前記ゲート端子板と前記補助カソード端子板とに挟まれて配設され、両者を電気的に絶縁する絶縁体とを積層した積層体で構成されて、前記カソードポスト電極と前記絶縁筒との間に気密を保つように接続され、前記ゲート端子板は、内周端縁部を折り返して形成されたコの字形領域を有するリング状金属板であって、前記コの字形領域を規定する折り返し部の外面が前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するように配設され、前記電極体は、前記絶縁筒の側面外方に突出するように配設されている。
【0028】
本発明に係る請求項2記載の圧接型半導体装置は、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢し、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極に押圧する弾性体をさらに備え、前記弾性体が、前記コの字形領域内に配設され、前記折り返し部とともに前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢する。
【0029】
本発明に係る請求項3記載の圧接型半導体装置は、一方主面の外周端縁部に沿ってゲート電極が形成され、該ゲート電極の内側にカソード電極が形成され、他方主面にアノード電極が形成された半導体基板と、前記カソード電極に電気的に接続されるカソードポスト電極と、一方端面が前記ゲート電極に接触するリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極および前記カソードポスト電極と外部との電気的接続を行う電極体と、少なくとも前記半導体基板および前記リング状ゲート電極を内包する電気絶縁性の絶縁筒とを備え、前記電極体は、前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するゲート端子板と、前記カソードポスト電極に電気的に接続された補助カソード端子板と、少なくとも前記ゲート端子板と前記補助カソード端子板とに挟まれて配設され、両者を電気的に絶縁する絶縁体とを積層した積層体で構成され、前記補助カソード端子板は、内周端縁部が前記カソードポスト電極の側面に電気的に接続されたリング状金属板であって、前記ゲート端子板は、内周端縁面が、前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するように配設されたリング状金属板であって、前記絶縁筒が、円筒軸に垂直な方向に2つに分割された第1および第2の絶縁筒を有し、前記電極体は、前記第1および第2の絶縁筒で挟まれ、前記絶縁筒の側面外方に突出するように配設されている。
【0030】
本発明に係る請求項4記載の圧接型半導体装置は、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢し、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極に押圧する弾性体をさらに備え、前記弾性体は、前記電極体とともに前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢するように、前記補助カソード端子板の内周端縁部に接触する位置に配設されている。
【0031】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
<装置構成>
図1に本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1として、ゲート転流型ターンオフサイリスタ(以後、GCTサイリスタと呼称)100の断面構成を示す。
【0032】
図1において、GCTサイリスタ100の各セグメントが形成された半導体基板28の下側表面の外周部側に位置する面上にゲート電極29aが形成されており、さらにゲート電極29aよりも内側の半導体基板28の下側表面上には、各セグメントの位置に対応して各カソード電極29bが形成されている。
【0033】
半導体基板28の下側表面上のカソード電極29bの下には、カソード歪緩衝板30およびカソードポスト電極31が順に配設されている。一方、半導体基板28の図示しないアノード電極の表面(カソード電極29bと反対側の面)上には、アノード歪緩衝板32およびアノードポスト電極33が順に配設されている。
【0034】
また、半導体基板28のゲート電極29aの表面に接するようにリング状ゲート電極34が配設されており、当該リング状ゲート電極34にはゲート端子板63が摺動可能に接触・配置されている。
【0035】
ゲート端子板63はリング状金属板の内周端縁を折り返して形成され、断面形状がコの字形になったコの字形領域63aを有している。そして、コの字形領域63aを規定する折り返し部63bがリング状ゲート電極34の後部面に接触する構成となっている。
【0036】
また、ゲート端子板63の外側表面(後に説明する弾性体35が配設される側とは反対側の面)に密着するように絶縁体62が配設されている。絶縁体62はリング状絶縁板の内周端縁が1回折れ曲がり、アノード歪緩衝板32およびアノードポスト電極33の壁面に沿って延在し、その先端部は半導体基板28の主面近傍に達している。
【0037】
また、絶縁体62の外側表面(ゲート端子板63に接する面とは反対側の面)に密着するように補助カソード端子板61が配設され、絶縁体62を、補助カソード端子板61とゲート端子板63とで挟んだ積層体を形成している。
【0038】
なお、補助カソード端子板61はカソードポスト電極31の端縁部に固着され、また、補助カソード端子板61、絶縁体62、ゲート端子板63は、補助カソード端子板61とゲート端子板63との間の電気的絶縁を保つように固着されており、3者が一体となった電極体60を形成している。なお、電極体60は図示しないゲートドライバ(GCTサイリスタのゲートとカソード間に、ゲートターンオン制御電流を発生させる装置)に電気的に接続されている。
【0039】
ゲート端子板63のコの字形領域63aには、折り返し部63bとともに、リング状ゲート電極34をゲート電極29aに対して押圧するための皿バネあるいは波バネのようなリング状の弾性体35が配設されている。なお、弾性体35はリング状絶縁体36を介して先端部63aを押圧し、リング状ゲート電極34をゲート電極29aに確実に接触させる構成となっている。
【0040】
また、アノードポスト電極33にはアノードフランジ40が固着されている。そして、電極体60とアノードフランジ40との間には、GCTサイリスタ100の主要部を取り囲むように、セラミック等の絶縁物で構成された絶縁筒51が配設されている。絶縁筒51は沿面距離を長くするための突起部52を有した構成である。そして、絶縁筒51の下側端面には、接続板43cが固着され、当該接続板43cとゲート端子板63とが気密に固着され、絶縁筒51の上側端面に固着された接続板43bがアノードフランジ40と気密に固着されており、これによってGCTサイリスタ100が密閉されたパッケージ構造になっている。なお、この内部は、不活性ガスで置換されている。
【0041】
また、カソードポスト電極31およびアノードポスト電極33の外部には、両者を互いに向き合う方向に付勢し、カソード歪緩衝板30およびアノード歪緩衝板32を半導体基板28に圧接するためのスタック電極が配置されるが、図示および説明は省略する。
【0042】
<製造工程>
次に、図2〜図6を用いてGCTサイリスタ100の製造工程について説明する。
【0043】
まず、図2に示す工程において、その端縁部に補助カソード端子板61を固着したカソードポスト電極31を準備し、補助カソード端子板61の上に、絶縁体62およびゲート端子板63を順に載置する。なお、補助カソード端子板61および絶縁体62は回転対象な形状であり、円筒形状のカソードポスト電極31に挿入するように載置する。また、カソードポスト電極31上にはカソード歪緩衝板30を載置する。
【0044】
次に、図3に示す工程において、補助カソード端子板61、絶縁体62、ゲート端子板63を、補助カソード端子板61とゲート端子板63との間の電気的絶縁を保つように気密に固着、例えば接着剤等により接着することで3者が一体となった電極体60を形成する。
【0045】
次に、図4に示す工程において、ゲート端子板63のコの字形領域63a内に弾性体35およびリング状絶縁体36を載置する。なお、コの字形領域63aに配設された弾性体35は、リング状絶縁体36を介して折り返し部63bを上部方向(後に半導体基板28が配設される方向)に押し上げるように作用する。
【0046】
次に、図5に示す工程において、GCTサイリスタ100の主要部を取り囲むように、セラミック等の絶縁物で構成された絶縁筒51を配設する。このとき、絶縁筒51の下側端面には接続板43cが、上側端面には接続板43bがそれぞれ固着されており、接続板43cをゲート端子板63に気密に固着する。
【0047】
次に、図6に示す工程において、ゲート端子板63の折り返し部63bの上部に、その後部面が位置するようにリング状ゲート電極34を載置し、カソード歪緩衝板30の上部にカソード電極29bが位置するように半導体基板28を載置する。
【0048】
そして、半導体基板28の図示しないアノード電極の表面(カソード電極29bと反対側の面)上にアノード歪緩衝板32を載置し、当該アノード歪緩衝板32の上部にアノードポスト電極33を載置する。この場合、アノードポスト電極33の端縁部にはアノードフランジ40が固着されており、当該アノードフランジ40と、絶縁筒51に上側端面に固着された接続板43bとを、それぞれの外周端縁部でロウ付けなどの方法で気密に固着することでGCTサイリスタ100が完成する。
【0049】
<特徴的作用効果>
このように、補助カソード端子板61とゲート端子板63とは、絶縁体62を間に挟んで近接した構成となっているので、補助カソード端子板61をゲートドライバに接続した場合に、ゲート端子板63から、リング状ゲート電極34およびカソードポスト電極31を介して補助カソード端子板61に流れる電流ループによるインダクタンスは打ち消されることになり、トータルインダクタンスを十分に低減することができる。従って、ゲート逆電流の上昇率(dIGQ/dt)を十分に得ることができ、主電流の全てをゲート回路に転流させることが可能となって、ターンオフ失敗による素子破壊を防止することができる。
【0050】
なお、電極体60と図示しないゲートドライバとの接続は、補助カソード端子板61側およびゲート端子板63側に、それぞれゲートドライバに電気的に接続された導体板を接触させ、当該導体板で補助カソード端子板61およびゲート端子板63挟むようにすれば良い。この場合、導体板の形状を、補助カソード端子板61およびゲート端子板63とできるだけ広い面積で接触できるような形状にすることで、ゲート電流の局所的な集中を防ぐようにする。
【0051】
<実施の形態2>
<装置構成>
図7に本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2として、GCTサイリスタ200の断面構成を示す。
【0052】
なお、図7において、図1を用いて説明したGCTサイリスタ100と同様の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0053】
図7において、半導体基板28のゲート電極29aの表面に接するようにリング状ゲート電極34が配設されており、当該リング状ゲート電極34にはゲート端子板83が摺動可能に接触・配置されている。
【0054】
ゲート端子板83はリング状金属板であり、その内周端縁面がリング状ゲート電極34の後部面に接触する構成となっている。
【0055】
また、ゲート端子板83の外側(リング状ゲート電極34が配設される側とは反対側)表面に密着するように絶縁体82が配設されている。絶縁体82は内周端縁が1回折れ曲り、アノード歪緩衝板32およびアノードポスト電極33の壁面に沿って延在し、その先端部は半導体基板28の主面近傍に達している。
【0056】
また、絶縁体82の外側表面(ゲート端子板83に接する面とは反対側の面)に密着するように補助カソード端子板81が配設され、絶縁体82を補助カソード端子板81とゲート端子板83とで挟む構成となっている。なお、補助カソード端子板81はリング状であり、その内周端縁部はカソードポスト電極31に固着されている。
【0057】
そして、補助カソード端子板81、絶縁体82、ゲート端子板83を、補助カソード端子板81とゲート端子板83との間の電気的絶縁を保つように気密に固着することで、3者が一体となった電極体80を形成している。
【0058】
補助カソード端子板81とカソードポスト電極31の基部31aのとの間の領域31b内には、電極体80とともにリング状ゲート電極34をゲート電極29aに対して押圧するための皿バネあるいは波バネのようなリング状の弾性体35が配設されている。なお、弾性体35はリング状絶縁体36を介して電極体80を押圧する構成となっている。
【0059】
また、カソードポスト電極31の端縁部にはカソードフランジ26が固着され、アノードポスト電極33にはアノードフランジ40が固着されている。そして、カソードフランジ26とアノードフランジ40との間には、GCTサイリスタ200の主要部を取り囲むように、セラミック等の絶縁物で構成された絶縁筒71が配設されている。絶縁筒71は、電極体80を挟んで第1絶縁筒71aおよび第2絶縁筒71bに分割されているとともに、沿面距離を長くするための突起部82を有した構成である。従って、電極体80の外周側部分は絶縁筒71の側面から外部に突出することになる。なお、絶縁筒71は電極体80の上下表面に気密に固着されている。
【0060】
そして、第1絶縁筒71aの下側端面に固着された接続板43aとカソードフランジ26とが気密に固着され、第2絶縁筒71bの上側端面に固着された接続板43bがアノードフランジ40と気密に固着されており、これによってGCTサイリスタ200が密閉されたパッケージ構造になっている。
【0061】
<製造工程>
次に、図8〜図12を用いてGCTサイリスタ200の製造工程について説明する。
【0062】
まず、図8に示す工程において、その端縁部にカソードフランジ26を固着したカソードポスト電極31を準備する。なお、カソードポスト電極31上にはカソード歪緩衝板30を載置する。
【0063】
次に、図9に示す工程において、カソードポスト電極31の基部31aの上に弾性体35およびリング状絶縁体36を載置する。
【0064】
次に、図10に示す工程において、第1絶縁筒71aの下側端面に固着された接続板43aとカソードフランジ26との接続を行う。ここで、接続板43aとカソードフランジ26とは、それぞれの外周端縁部においてロウ付けなどの方法で気密に固着される。
【0065】
そして、第1絶縁筒71aの上側端面に補助カソード端子板81を載置し、補助カソード端子板81を第1絶縁筒71aの上側端面にロウ付けなどの方法で気密に固着する。このとき、弾性体35およびリング状絶縁体36を、補助カソード端子板81とカソードポスト電極31の基部31aとで挟むようにし、補助カソード端子板81の内周端縁部をカソードポスト電極31の側壁にロウ付けなどの方法で固着する。これにより弾性体35は圧縮され、補助カソード端子板81を上部方向(後に半導体基板28が配設される方向)に押し上げるように作用する。
【0066】
そして、補助カソード端子板81の上に絶縁体82およびゲート端子板83を順に載置する。補助カソード端子板81、絶縁体82、ゲート端子板83を、補助カソード端子板81とゲート端子板83との間の電気的絶縁を保つように気密に固着、例えば接着剤等により接着することで3者が一体となった電極体80を形成する。なお、絶縁体82は回転対象な形状であり、円筒形状のカソードポスト電極31に挿入するように載置する。
【0067】
次に、図11に示す工程において、第2絶縁筒71bの下側端面とゲート端子板83とを気密に固着する。そして、ゲート端子板83の内周端縁面の上部にリング状ゲート電極34の後部面が位置するようにリング状ゲート電極34を配設し、カソード歪緩衝板30の上部にカソード電極29bが位置するように半導体基板28を載置する。
【0068】
次に、図12に示す工程において、半導体基板28の図示しないアノード電極の表面(カソード電極29bと反対側の面)上にアノード歪緩衝板32を載置し、当該アノード歪緩衝板32の上部にアノードポスト電極33を載置する。この場合、アノードポスト電極33の端縁部にはアノードフランジ40が固着されており、当該アノードフランジ40と、第2絶縁筒71bの上側端面に固着された接続板43bとを、それぞれの外周端縁部で気密に固着することでGCTサイリスタ200が完成する。
【0069】
なお、以上の説明では、補助カソード端子板81がリング状であり、その内周端縁部をカソードポスト電極31の側壁にロウ付けなどの方法で固着する構成について説明したが、補助カソード端子板81が円板状であっても良い。すなわち、カソードポスト電極31を軸方向に垂直な方向で2分割し、その分割面で補助カソード端子板81を挟むような構成としても良い。このような構成により、ロウ付け工程が削減され、製造コストを低減することができる。
【0070】
<特徴的作用効果>
このように、補助カソード端子板81とゲート端子板83とは、絶縁体82を間に挟んで近接した構成となっているので、ゲート端子板68から、リング状ゲート電極34およびカソードポスト電極31を介して補助カソード端子板81に電流ループが形成された場合であっても、インダクタンスが打ち消され、トータルインダクタンスを十分に低減することができる。従って、ゲート逆電流の上昇率(dIGQ/dt)を十分に得ることができ、主電流の全てをゲート回路に転流させることが可能となって、ターンオフ失敗による素子破壊を防止することができる。また、ゲート端子板83の構成が簡略化されるので、製造コストを低減することができる。
【0071】
なお、電極体80と図示しないゲートドライバとの接続は、補助カソード端子板81側およびゲート端子板83側に、それぞれゲートドライバに電気的に接続された導体板を接触させ、当該導体板で補助カソード端子板81およびゲート端子板83挟むようにすれば良い。この場合、導体板の形状を、補助カソード端子板81およびゲート端子板83とできるだけ広い面積で接触できるような形状にすることで、ゲート電流の局所的な集中を防ぐようにする。
【0072】
【発明の効果】
本発明に係る請求項1記載の圧接型半導体装置によれば、リング状ゲート電極の他方端面に接触するゲート端子板と補助カソード端子板とが近接して配設された電極体により、リング状ゲート電極およびカソード電極と外部との電気的接続を行うので、ゲート端子板から、リング状ゲート電極およびカソードポスト電極を介して補助カソード端子板流れる電流ループによるインダクタンスは打ち消されることになり、トータルインダクタンスを十分に低減することができる。また、電極体がカソードフランジを兼用することになるので、カソードフランジを補助カソード端子板として使用する場合に、ゲート端子板から、リング状ゲート電極およびカソードポスト電極を介して補助カソード端子板に流れる電流ループによるインダクタンスは打ち消されることになり、トータルインダクタンスを十分に低減することができる。
【0074】
本発明に係る請求項2記載の圧接型半導体装置によれば、請求項1記載の圧接型半導体装置の構成において、リング状ゲート電極をゲート電極に押圧することで、リング状ゲート電極とゲート電極との電気的な接続を確実に行うための具体的構成を得ることができる。
【0075】
本発明に係る請求項3記載の圧接型半導体装置によれば、ゲート端子板から、リング状ゲート電極およびカソードポスト電極を介して補助カソード端子板に流れる電流ループによるインダクタンスは打ち消されることになり、トータルインダクタンスを十分に低減することができるとともに、ゲート端子板の構成が簡略化されるので、製造コストを低減することができる。
【0076】
本発明に係る請求項4記載の圧接型半導体装置によれば、請求項3記載の圧接型半導体装置の構成において、リング状ゲート電極をゲート電極に押圧することで、リング状ゲート電極とゲート電極との電気的な接続を確実に行うための具体的構成を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の構成を説明する断面図である。
【図2】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の製造工程を説明する図である。
【図3】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の製造工程を説明する図である。
【図4】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の製造工程を説明する図である。
【図5】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の製造工程を説明する図である。
【図6】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態1の製造工程を説明する図である。
【図7】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の構成を説明する断面図である。
【図8】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の製造工程を説明する図である。
【図9】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の製造工程を説明する図である。
【図10】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の製造工程を説明する図である。
【図11】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の製造工程を説明する図である。
【図12】 本発明に係る圧接型半導体装置の実施の形態2の製造工程を説明する図である。
【図13】 従来の圧接型半導体装置の構成を説明する断面図である。
【図14】 従来の圧接型半導体装置の構成を説明する平面図である。
【図15】 GCTサイリスタの動作を説明する回路図である。
【符号の説明】
28 半導体基板、31 カソードポスト電極、34 リング状ゲート電極、35 弾性体、60,80 電極体、62,82 絶縁体、63,83 ゲート端子板、63a コの字形領域、63b 先端部、61,81 補助カソード端子板、71 絶縁筒、71a 第1絶縁筒、71b 第2絶縁筒。
Claims (4)
- 一方主面の外周端縁部に沿ってゲート電極が形成され、該ゲート電極の内側にカソード電極が形成され、他方主面にアノード電極が形成された半導体基板と、
前記カソード電極に電気的に接続されるカソードポスト電極と、
一方端面が前記ゲート電極に接触するリング状ゲート電極と、
前記リング状ゲート電極および前記カソードポスト電極と外部との電気的接続を行う電極体と、
少なくとも前記半導体基板および前記リング状ゲート電極を内包する電気絶縁性の絶縁筒とを備え、
前記電極体は、
前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するゲート端子板と、
前記カソードポスト電極に電気的に接続された補助カソード端子板と、
少なくとも前記ゲート端子板と前記補助カソード端子板とに挟まれて配設され、両者を電気的に絶縁する絶縁体とを積層した積層体で構成されて、前記カソードポスト電極と前記絶縁筒との間に気密を保つように接続され、
前記ゲート端子板は、
内周端縁部を折り返して形成されたコの字形領域を有するリング状金属板であって、前記コの字形領域を規定する折り返し部の外面が前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するように配設され、
前記電極体は、
前記絶縁筒の側面外方に突出するように配設される圧接型半導体装置。 - 前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢し、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極に押圧する弾性体をさらに備え、
前記弾性体は、
前記コの字形領域内に配設され、前記折り返し部とともに前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢する、請求項1記載の圧接型半導体装置。 - 一方主面の外周端縁部に沿ってゲート電極が形成され、該ゲート電極の内側にカソード電極が形成され、他方主面にアノード電極が形成された半導体基板と、
前記カソード電極に電気的に接続されるカソードポスト電極と、
一方端面が前記ゲート電極に接触するリング状ゲート電極と、
前記リング状ゲート電極および前記カソードポスト電極と外部との電気的接続を行う電極体と、
少なくとも前記半導体基板および前記リング状ゲート電極を内包する電気絶縁性の絶縁筒とを備え、
前記電極体は、
前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するゲート端子板と、
前記カソードポスト電極に電気的に接続された補助カソード端子板と、
少なくとも前記ゲート端子板と前記補助カソード端子板とに挟まれて配設され、両者を電気的に絶縁する絶縁体とを積層した積層体で構成され、
前記補助カソード端子板は、
内周端縁部が前記カソードポスト電極の側面に電気的に接続されたリング状金属板であって、
前記ゲート端子板は、
内周端縁面が、前記リング状ゲート電極の他方端面に接触するように配設されたリング状金属板であって、
前記絶縁筒は、円筒軸に垂直な方向に2つに分割された第1および第2の絶縁筒を有し、
前記電極体は、
前記第1および第2の絶縁筒で挟まれ、前記絶縁筒の側面外方に突出するように配設される圧接型半導体装置。 - 前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢し、前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極に押圧する弾性体をさらに備え、
前記弾性体は、
前記電極体とともに前記リング状ゲート電極を前記ゲート電極の方向に付勢するように、前記補助カソード端子板の内周端縁部に接触する位置に配設される、請求項3記載の圧接型半導体装置。
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