JPS6130258U - 圧接形半導体装置 - Google Patents

圧接形半導体装置

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JPS6130258U
JPS6130258U JP11433284U JP11433284U JPS6130258U JP S6130258 U JPS6130258 U JP S6130258U JP 11433284 U JP11433284 U JP 11433284U JP 11433284 U JP11433284 U JP 11433284U JP S6130258 U JPS6130258 U JP S6130258U
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JP
Japan
Prior art keywords
pressure contact
conductor
semiconductor device
type semiconductor
control electrode
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Pending
Application number
JP11433284U
Other languages
English (en)
Inventor
真志 平野
聰 石橋
Original Assignee
株式会社明電舎
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２，図ａ，
ｂはともに第１図の要部を説明する構成図、第３図ａは
ゲートターンオフサイリスタのゲートドライブ回路の一
例を示す回路図、第３図ｂは第３図ａの回路を説明する
為の電流、電圧特性図、第４図ａ， ｂはともにトラン
ジスタの保護回路図である。 − １０１・・・ゲートターンオフサイリスタ、１０２
・・・カソード熱補償板、１０３・・・リング状ゲート
電極、１０４・・・カソード銅ポスト、１０５・・・ゲ
ート接触リング、１、０６・・・補助ゲートリング、１
０７・・・保護素子、１０８・・・補助カソードリング
、１０９・・・絶縁リング、１１０・・・外部ゲード電
極、１１１・・・皿バネ、１１２・・・アノード銅ポス
ト、１２０・・・鍔部、１２１・・・カソード電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 少なくとも２つの主電極と少なくとも１つの制御電極を
    有する半導体素子の各主電極部にそれぞれ導電性の圧核
    板を配設し、これらの圧接板により前記半導体素子を所
    要の圧力で圧接してなる圧接形半導体装置におりて、前
    記制御電極側に位置する一方の圧接板の該制御電極に対
    向する部位に所定深さを有する鍔部を設け、この鍔部に
    、前記制御電極へ接触する外部引き出し用導体と、この
    導体および前記一方の圧接板の間に接続される前記半導
    体素子保護用の保護素子と、前記導体および前記一方の
    圧接板の間に介在される弾性体とを収設し、前記導体を
    外部に引き出したことを特徴とする圧接形半導体装置。
JP11433284U 1984-07-27 1984-07-27 圧接形半導体装置 Pending JPS6130258U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6347977A (ja) * 1986-08-18 1988-02-29 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5046075A (ja) * 1973-08-28 1975-04-24
JPS5080781A (ja) * 1973-11-13 1975-07-01
JPS5242070B2 (ja) * 1972-05-02 1977-10-21
JPS58127376A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Ｇｔｏサイリスタ
JPS599560B2 (ja) * 1974-01-17 1984-03-03 スアミ テツオ ニトロソニヨウソユウドウタイ ノ セイゾウホウ

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