JPS6232555U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6232555U JPS6232555U JP12366885U JP12366885U JPS6232555U JP S6232555 U JPS6232555 U JP S6232555U JP 12366885 U JP12366885 U JP 12366885U JP 12366885 U JP12366885 U JP 12366885U JP S6232555 U JPS6232555 U JP S6232555U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- semiconductor element
- gate
- overvoltage protection
- copper post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例を示す半断面図、第
2図は他の実施例を示す半断面図、第3図はGT
Oサイリスタのターンオフ時の電圧、電流波形図
、第4図はGTOサイリスタの過電圧保護回路図
、第5図は過電圧保護素子の構造図、第6図は過
電圧保護素子のモールド構造図である。 11……GTOサイリスタ素子本体、13……
タングステン板、14……アルミ電極、15……
ゲート電極、16,17……銅ポスト、18……
セラミツクス、22……ゲート端子、23……位
置決めガイド、24……リング板、26……過電
圧保護素子、27……スプリング導体片。
2図は他の実施例を示す半断面図、第3図はGT
Oサイリスタのターンオフ時の電圧、電流波形図
、第4図はGTOサイリスタの過電圧保護回路図
、第5図は過電圧保護素子の構造図、第6図は過
電圧保護素子のモールド構造図である。 11……GTOサイリスタ素子本体、13……
タングステン板、14……アルミ電極、15……
ゲート電極、16,17……銅ポスト、18……
セラミツクス、22……ゲート端子、23……位
置決めガイド、24……リング板、26……過電
圧保護素子、27……スプリング導体片。
Claims (1)
- 自己消弧形半導体素子をケースに気密封入する
において、前記半導体素子のカソード側銅ポスト
の内面又は該銅ポストをケースに封着する導体板
の内面に一方の電極面が固着され前記半導体素子
のゲート.カソード間の逆電圧をバイパスする降
伏電圧にされた過電圧保護素子と、前記半導体素
子のゲート電極に接続され前記ケース外に引出さ
れたゲート端子と、前記ケース内で前記ゲート端
子と前記過電圧保護素子の他方の電極面との間に
圧接されるスプリング導体片とを備えたことを特
徴とする半導体素子の封入構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12366885U JPH0526773Y2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12366885U JPH0526773Y2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6232555U true JPS6232555U (ja) | 1987-02-26 |
JPH0526773Y2 JPH0526773Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31014975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12366885U Expired - Lifetime JPH0526773Y2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0526773Y2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129538A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 複合形半導体素子の構造 |
WO2000042664A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur colle par compression |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5791258U (ja) * | 1980-11-26 | 1982-06-04 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP12366885U patent/JPH0526773Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5791258U (ja) * | 1980-11-26 | 1982-06-04 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129538A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 複合形半導体素子の構造 |
WO2000042664A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur colle par compression |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0526773Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE59307770D1 (de) | Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement | |
JPS6232555U (ja) | ||
JPS5875490U (ja) | Gtoの保護回路 | |
JPS61199058U (ja) | ||
JPS63178924U (ja) | ||
JPH0438063U (ja) | ||
JPS61119363U (ja) | ||
JPS6247148U (ja) | ||
JPS60144326U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6121137U (ja) | 自己消弧形サイリスタの過電圧防止回路 | |
JPS6343453U (ja) | ||
JPS61179834U (ja) | ||
JPS6073254U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5868040U (ja) | サイリスタとそのスナバ回路の組立構造 | |
JPS6291456U (ja) | ||
JPS593558U (ja) | Gto素子の保護装置 | |
JPS6197855U (ja) | ||
JPS6442627U (ja) | ||
JPS61205230U (ja) | ||
JPS6130258U (ja) | 圧接形半導体装置 | |
JPS60109339U (ja) | 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
JPS5815487U (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト駆動回路 | |
JPS61123549U (ja) | ||
JPS6090850U (ja) | 半導体装置 | |
JPS59128704U (ja) | ギヤツプレス避雷器 |