JPS6197855U - - Google Patents

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JPS6197855U
JPS6197855U JP18252884U JP18252884U JPS6197855U JP S6197855 U JPS6197855 U JP S6197855U JP 18252884 U JP18252884 U JP 18252884U JP 18252884 U JP18252884 U JP 18252884U JP S6197855 U JPS6197855 U JP S6197855U
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JP
Japan
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snubber
flat
semiconductor element
cooling fins
diode
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JP18252884U
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【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案の一実施例を示す
構成図およびそのコンデンサ部を示す部分構成図
、第3図は本考案の他の実施例を示す構成図、第
4図は一般的なスナバ回路を有する半導体装置の
接続図、第5図は従来例を示す構造図、第6図は
半導体素子のしや断時の波形例を示す図である。 1,1′…サイリスタ、2,2′…スナバコン
デンサ、3,3′,3″…スナバダイオード、4
…スナバ抵抗、6,6′…冷却フイン、8b,8
c,8b′,8c′…スナバコンデンサ8aの平
型端子、8d,8d′…絶縁物。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子の両電極端側に冷却フインを配して
    該冷却フイン間に半導体素子を圧接するとともに
    、前記半導体素子の両電極間にスナバコンデンサ
    とスナバダイオードとスナバ抵抗からなるスナバ
    回路を接続してなるものにおいて、平型スナバダ
    イオードと冷却フインの間に直接的に面接合可能
    な平型端子を具備するスナバコンデンサを設け、
    前記冷却フイン間に接合される平型半導体素子に
    、平型スナバダイオードと絶縁物を介する前記ス
    ナバコンデンサの平型端子からなる構成体を並設
    したことを特徴とするスナバ回路を有する半導体
    装置。
JP18252884U 1984-11-30 1984-11-30 Pending JPS6197855U (ja)

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JP18252884U JPS6197855U (ja) 1984-11-30 1984-11-30

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JPS6197855U true JPS6197855U (ja) 1986-06-23

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JP18252884U Pending JPS6197855U (ja) 1984-11-30 1984-11-30

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58112358A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Toshiba Corp 半導体スタツク装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58112358A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Toshiba Corp 半導体スタツク装置

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