JPS58125879U - 半導体装置の測定装置 - Google Patents

半導体装置の測定装置

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JPS58125879U
JPS58125879U JP2113182U JP2113182U JPS58125879U JP S58125879 U JPS58125879 U JP S58125879U JP 2113182 U JP2113182 U JP 2113182U JP 2113182 U JP2113182 U JP 2113182U JP S58125879 U JPS58125879 U JP S58125879U
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JP
Japan
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semiconductor device
measurement equipment
device measurement
thyristor
load resistance
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Pending
Application number
JP2113182U
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English (en)
Inventor
八鍬　範正
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の測定装置の基本回路図、第
２図は本考案の半導体装置の測定装置の一実施例の基本
回路図、を示す。 なお図において、１・・・・・・電源部、２・・・・・
・負荷抵６抗、３・・・・・・大容量接点、４・・・・
・・オン電流モニター、５・・・・・・測定開始用スイ
ッチ（サイリスタ）、６・・・・・・ゲート回路、７・
・・・・・被測定物、８・・・・・・負荷抵抗切替用サ
イリスタ、９・・・・・・ゲート切替小容量接点、であ
る。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. サイリスタ及びダイオードのオン電圧を測定する半導体
    装置の測定装置において、負荷抵抗を切替える際にサイ
    リスクをスイッチとして用いたことを特徴とする半導体
    装置の測定装置。
JP2113182U 1982-02-17 1982-02-17 半導体装置の測定装置 Pending JPS58125879U (ja)

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JPS58125879U true JPS58125879U (ja) 1983-08-26

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JP2113182U Pending JPS58125879U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 半導体装置の測定装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020116236A1 (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 日本電産リード株式会社 検査装置、検査方法、及び検査装置用プログラム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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