JPS5914337U - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
- Publication number
- JPS5914337U JPS5914337U JP10965182U JP10965182U JPS5914337U JP S5914337 U JPS5914337 U JP S5914337U JP 10965182 U JP10965182 U JP 10965182U JP 10965182 U JP10965182 U JP 10965182U JP S5914337 U JPS5914337 U JP S5914337U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor pellet
- temperature compensating
- compensating plate
- semiconductor
- power semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来の半導体装置の構成を示す断面図、第2図
はこの考案に係る半導体装置の一実施例の□断面図、第
3図および第4図はそれぞれこの考案の他の実施例の断
面図である。 10・・・半導体ペレット、12.40.50゜60・
・・温度補償板、14・・・カソード用電極、16゜1
B、 42. 44・・・傾斜端面、20・・・ゲー
トリード、46.48・・・絶縁被覆層。
はこの考案に係る半導体装置の一実施例の□断面図、第
3図および第4図はそれぞれこの考案の他の実施例の断
面図である。 10・・・半導体ペレット、12.40.50゜60・
・・温度補償板、14・・・カソード用電極、16゜1
B、 42. 44・・・傾斜端面、20・・・ゲー
トリード、46.48・・・絶縁被覆層。
Claims (1)
- 少なくともアノード、ゲートおよびカソードを有する半
導体素子から成る半導体ペレットと、この半導体ペレッ
トのアノードと電気的に接続されると共にこの半導体ペ
レットを載置固着した導電性の温度補償板と、この温度
補償板が接続された面とは反対側の前記半導体ペレット
面に離間して設けたゲート電極用リードおよびカソード
電極とを具え、前記温度補償板の端面部に傾斜面を形成
し、前記半導体ペレット面の周縁部から前記温度補償板
の端面部まで電気絶縁層で被覆したことを特徴とする電
力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10965182U JPS5914337U (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10965182U JPS5914337U (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5914337U true JPS5914337U (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=30255338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10965182U Pending JPS5914337U (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5914337U (ja) |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP10965182U patent/JPS5914337U/ja active Pending
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