JP3975578B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にシリコンウェハにMOS型のトランジスタを形成する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIにおいて、回路素子の高速化の要請に対し、MOS型のトランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化して配線抵抗を低減するサリサイド技術が知られており、LogicLSIにおいて広く適用されている。サリサイド技術は、Ti 等の金属を堆積してゲート、ソースおよびドレインの表面をシリサイド化するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしLSIでは、抵抗値が低くなることが必ずしも望ましくない回路がある。例えば静電破壊防止のための保護回路においては、ソースおよびドレインの拡散層の表面抵抗が低くなることで静電破壊耐量が必要な耐量に達しないおそれがあり、かかる保護回路等のトランジスタは選択的に非サリサイドとする必要がある。
【0004】
また、トランジスタをサリサイド技術で作ると、ソースおよびドレインとの接合部において、僅かなリーク電流が生じる。このリーク電流はLogicLSIにおいては問題にならないが、DRAMのメモリセルのスイッチ用のトランジスタにおいてはキャパシタの電荷保持特性を劣化させる。このためLogic部とDRAM部とを1チップの中に混載させる場合、サリサイドとするトランジスタと、非サリサイドとするトランジスタとに作り分ける必要がある。
【0005】
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、ウェハ内でシリサイド化する領域とそうでない領域とを作り分けることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
第1の不純物注入工程において不純物が注入されたシリコンウェハの表面においては、したがって非シリサイドとする領域であるソースまたはドレイン部においては、続く熱酸化工程において、酸化速度が助長され、その他の部位よりも厚い酸化膜が成長し、酸化膜エッチング工程後にも残される。したがって上記ソースまたはドレイン部はシリサイド化しない。このようにマスク精度、重ね合わせ精度の管理等を厳しくすることなく、ソースまたはドレインのみを自己整合的にシリサイド化しないようにすることができる。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明では、本発明の課題を解決するために、半導体装置の製造方法において、上記トランジスタ形成工程では、シリコンウェハにトランジスタ領域を画成するウェルを形成した後に、酸化膜形成工程と、酸化膜エッチング工程とを行い、
上記酸化膜形成工程として、
熱酸化によりシリコンウェハの全面にゲート酸化膜を、ソースおよびドレインを非シリサイドとするトランジスタ領域を厚く、ソースおよびドレインをシリサイド化するトランジスタ領域を薄く形成する第1の熱酸化工程と、
全面に上記ゲート酸化膜が形成された状態にて、各トランジスタ領域にゲートを形成するゲート形成工程と、
熱酸化によりシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する第2の熱酸化工程と、 各トランジスタ領域のソースおよびドレインを形成する位置に不純物を注入してソースおよびドレインとなる拡散層を形成する不純物注入工程、
とをこの順で行って、上記トランジスタ領域にソースおよびドレインを形成するとともに、トランジスタ領域の全面に酸化膜を、非シリサイドとするソースおよびドレイン領域を厚く、シリサイド化しようとするソースおよびドレイン領域とゲート領域を薄く形成し、
上記酸化膜エッチング工程として、
酸化膜形成工程により形成された酸化膜を、上記シリサイド化しようとするソースおよびドレイン領域とゲート領域を全部除去し、上記非シリサイドとするソースおよびドレイン領域を残すエッチング量にてエッチングするようにしたものである。
【0011】
第1の熱酸化工程はゲート形成前に行われるので、このとき、非シリサイドとするソースおよびドレインを形成する位置に形成された酸化膜が、後から形成されるゲートの上に形成されることはない。しかして、マスク精度、重ね合わせ精度の管理等を厳しくしなくとも正確に、酸化膜を、非シリサイドとする領域であるソースおよびドレインを形成する位置では厚く、ゲート上では薄くすることができる。したがって、上記ソースおよびドレイン部のみがシリサイド化しない。このようにマスク精度、重ね合わせ精度の管理等を厳しくすることなく、ソースおよびドレインのみを自己整合的にシリサイド化しないようにすることができる。
【0012】
請求項2記載の発明では、上記非シリサイドとする領域を一部のトランジスタのソースおよびドレインとする。そして請求項2記載の発明に加え、上記第1の熱酸化工程では、上記シリコンウェハの全面に酸化膜を形成した後、該酸化膜のうち、ソースおよびドレインをシリサイドとするトランジスタ領域を選択的にエッチングして上記トランジスタ領域の酸化膜の膜厚を減じる酸化膜減退工程を行うゲート酸化膜となる。
【0013】
酸化膜減退工程により、酸化膜が、シリサイド化しようとするソースおよびドレインを形成する位置では薄く、非シリサイドとするソースおよびドレインを形成する位置では厚くなるように、酸化膜の厚さに差がつけられる。このように、同じシリコンウェハで、ゲートはシリサイド化し、かつソースおよびドレインは非シリサイドとするトランジスタと、ソースおよびドレインがシリサイド化したトランジスタとを作り分けることができる。
【0014】
請求項3記載の発明では、上記酸化膜形成工程では、すべてのトランジスタのゲート上に酸化膜を一定の膜厚に形成する。
【0015】
ゲート上の酸化膜が一定の膜厚としてあるので、酸化膜エッチング工程において、すべてのトランジスタのゲート上の酸化膜が同時に速やかに全部、除去される。一部のゲートが過剰なオーバーエッチングとなることを防止することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1、図2は、1チップ中にLogic部とDRAM部との両方を搭載したLSIのウェハプロセスにおいて、各段階のシリコンウェハの断面を示すもので、これにより本発明の半導体装置の製造方法を説明する。シリコンウェハ10の、図中、左側がLogic部のトランジスタ領域20Aであり、右側がDRAM部のトランジスタ領域20Bである。なお、以下の説明においてトランジスタはnMOSとして説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、MOS型のトランジスタ構造を形成するトランジスタ形成工程と、金属を堆積する堆積工程と、金属をシリサイド化するシリサイド化工程とを行うようになっており、基本的に一般的なウェハプロセスを用いている。
【0017】
トランジスタ形成工程では、先ず、シリコンウェハ10に各トランジスタ領域を絶縁分離するシャロートレンチアイソレーション(STI)11を形成するとともに、トランジスタ領域に共通にP型のウェル(Pwell)12を形成する。そして、シリコンウェハ10表面の全面にゲート酸化膜13を熱酸化により形成する。その後、リン(P)をドーピングした多結晶Si (Poly Si )を全面に堆積し、通常のホトリソグラフィー工程およびエッチング工程を行ってゲート酸化膜13により絶縁されたゲート14を形成する(図1(a))。
【0018】
次いで、トランジスタのソースおよびドレインの電界緩和層を形成すべく、シリコンウェハ10の、ゲート14の両端側に不純物イオンを注入し、ソースおよびドレインの不純物濃度よりも低濃度の不純物拡散領域15を形成する。そしてCVD法により、全面に酸化膜16を形成する(図1(b))。このときゲート14の側面にもシリコンウェハ10の表面から立ち上がる酸化膜16aが形成される。
【0019】
次いで、全面をドライエッチングして上記酸化膜16aのみ残し、Si O2 の側壁16aを形成する。次いで、第1の不純物注入工程を行う。第1の不純物注入工程は、トランジスタ領域20Bについてのソース/ドレイン形成工程である。すなわち、ホトリソグラフィー工程により、シリサイドを形成しないトランジスタ領域20Bの、ソースおよびドレイン設計位置(ゲート14の両側位置)が開口するホトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、As 等の不純物イオンを注入して不純物濃度の高い不純物拡散領域を形成し、該不純物拡散領域をソースおよびドレイン17Bとする(図1(c))。
【0020】
次いで、再び全面を熱酸化し酸化膜18を形成する熱酸化工程を行う。図3は、かかる熱酸化により形成された酸化膜18の厚さを示すもので、ウェット酸化を850°Cで行ったときのものである。「Si 上」はトランジスタ領域20Aのソースおよびドレイン設計位置すなわちゲート14の両端側のシリコンウェハ10のSi 露出部上を、「n+S/D」はトランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17A上を、「Poly Si 上」はゲート14上を示している。なおソースおよびドレイン17Bは、As を加速電圧40kVで5×1015個/cm2 のイオン注入を行ったものである。
【0021】
さて、不純物濃度の高い領域上では酸化速度が助長され、厚い酸化膜が形成されることが知られているが、酸化膜形成工程の前にソース/ドレイン形成工程が行われてトランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17Bは既に形成されているから、不純物濃度は高くなっている。この結果、トランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17B上では、酸化膜18が72nmもの膜厚に成長し、ゲート14上の18nmおよび、トランジスタ領域20Aのソースおよびドレイン設計位置の4nmと比してはるかに厚い酸化膜となる。
【0022】
そして再びホトリソグラフィー工程とイオン注入工程の組み合わせにより、第2の不純物注入工程を行う。第2の不純物注入工程は、トランジスタ領域20Aについてのソース/ドレイン形成工程である。今度は、前のソース/ドレイン形成工程においてソースおよびドレインが形成されなかったトランジスタ領域20Aの、ゲート14の両端側位置を開口したホトレジストパターンを形成し、これをマスクとして酸化膜18を介してシリコンウェハ10に不純物イオンを注入して不純物濃度の高い不純物拡散領域を形成し、該不純物拡散領域をソースおよびドレイン17Aとする(図1(d))。
【0023】
かかる第1の不純物注入工程、熱酸化工程および第2の不純物注入工程により、ソースおよびドレイン17A,17Bを形成するとともに、ゲート14上ならびにトランジスタ領域20Aのソースおよびドレイン17A上の酸化膜厚と、トランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17B上の酸化膜厚に差をつけることができる(酸化膜形成工程)。
【0024】
次いで、全面をドライエッチングする酸化膜エッチング工程を行う。このエッチングにより、先ず、最も薄いトランジスタ領域20Aのソースおよびドレイン17A上の酸化膜18が除去されてソースおよびドレイン17Aが露出し、次いでゲート14上の酸化膜18が除去されてゲート14が露出する。そしてトランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17B上の酸化膜18が残っている時点でエッチングを終了する(図2(e))。ここで、図3より知られるように、ゲート14上の酸化膜18が完全に除去されるようにオーバーエッチング時間を設定して酸化膜18のエッチング量を36nmとしても、トランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17B上の酸化膜18は、なお36nm残っている。したがってこのエッチングにより、酸化膜18は、容易に、トランジスタ領域20Bのソースおよびドレイン17B上のみ(酸化膜18a)残すことができる。
【0025】
次いで、金属堆積工程を行う。すなわちスパッタリング法により全面にTi /Ti Nを堆積し堆積層19を形成する(図2(f))。
【0026】
次いで、シリサイド化工程を行う。すなわち全体にRTAにより熱処理を加える。これにより、堆積したTi /Ti NがSi またはPoly Si と直接接している部分のみシリサイド化しTi Si2が形成され、Ti /Ti Nが酸化膜18aと接触している部分(すなわち酸化膜18a上)ではシリサイド化しない。さらに金属選択エッチング工程を行う。すなわち、ウェット選択エッチングにより、酸化膜18a上のTi /Ti Nを除去する(図2(g))。
【0027】
かくして、Logic部のトランジスタ領域20Aは、ゲート14、ソースおよびドレイン17Aとも表面にシリサイド141,171が形成されてトランジスタ21Aが完成し、DRAM部のトランジスタ領域20Bは、ゲート14のみ表面にシリサイド141が形成されてトランジスタ領域21Bが完成する。この後は、通常の配線工程が行われてウェハプロセスが終了する。
【0028】
このように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、同じシリコンウェハにおいて、ゲート、ソースおよびドレインともシリサイド化したトランジスタと、ゲートのみシリサイド化したトランジスタとを作り分けることができる。しかも非サリサイドとしたトランジスタにおいても、ゲートについてはシリサイド化することができるので、ゲートの低抵抗化と、ソースおよびドレインとゲート間のリーク電流防止とを両立せしめることができ、DRAMのメモリセルに好適な構造を実現できる。
【0029】
しかも、シリサイド化しないようにするためのマスク用の酸化膜を、トランジスタが完成し全面に酸化膜を形成した後に、ホトリソグラフィー工程とエッチング工程とにより非シリサイド化しようとする領域のみマスク用の酸化膜を残し、その状態で金属堆積工程を行う方法に比べて、次の効果がある。すなわち上記方法では、ソースおよびドレインを非シリサイドとしこれと隣接するゲートをシリサイド化するには、ホトリソグラフィー用のマスクの精度、重ね合わせ精度、ホトレジストパターンの寸法精度等は相当厳しく管理する必要があり、実際上、不可能といってよい。これに対して、本発明の方法では、ソースおよびドレインは不純物イオンを注入して不純物濃度を高めた領域であり、かかる不純物濃度を高めた領域の上に、シリサイド化しないようにするためのマスクとなる厚い酸化膜が自己整合的に形成されるので、マスクの精度等を管理することなく、常に、ソースおよびドレインがシリサイド化しないようにすることができる。
【0030】
また本実施形態は、本発明の製造方法により、1チップ内にLogic部とDRAM部とを混載し、トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのうち、DRAM部のトランジスタのソースおよびドレインのみをシリサイド化しないようにしたが、DRAM単体のチップにおいて、ゲートのみシリサイド化するときにも本製造方法を適用することができる。
【0031】
また本発明の製造方法により、上記保護トランジスタのソースおよびドレインのみシリサイド化しないようにすることもできる。この場合、ソースおよびドレインの両方を非シリサイド化するのではなく、上記酸化膜形成工程の前にドレイン部のみイオン注入を行うことでゲート、ソースをシリサイド化し、ドレインのみをシリサイド化しないようにしてもよい。ESD用の保護素子も信号の入出力のバッファに使われるが、できるだけ多く電流能力を取りたい一方、ESDのような高エネルギーが入力された時、ドレイン端のゲート酸化膜が壊れるおそれがある。これを防ぐため、ドレインの抵抗を上げ(シリサイド化しない)、ソース側は電流能力確保のため低抵抗化する(サリサイド化する)ことができる。または本発明の製造方法をCMOSトランジスタに適用し、CMOSトランジスタのNchトランジスタとPchトランジスタとのうちいずれかの、ソースおよびドレインをシリサイド化しないようにすることもできる。
【0032】
(第2実施形態)
図4、図5、図6、図7は、LSIのウェハプロセスの、各段階のシリコンウェハの断面を示すもので、これにより、図中、右側のトランジスタのソースおよびドレインのみを非シリサイドとする本発明の別の製造方法を説明する。なお基本的なプロセスは第1実施形態と同じであるので、第1実施形態と実質的に同じ部分については同一番号を付し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。先ず、シリコンウェハ10に各トランジスタ領域を絶縁分離するSTI11を形成するとともに、トランジスタ領域30A,30Bに共通にPwell12を形成する(図4(a))。そして犠牲酸化膜100を除去する(図4(b))。
【0033】
次いで、第1の熱酸化工程を行う。先ず、熱酸化によりシリコンウェハ10の全面に酸化膜31を形成する(図4(c))。
【0034】
この熱酸化後、酸化膜減退工程を行う。先ず、ホトリソグラフィーにより、ソースおよびドレインを非シリサイドとするトランジスタ領域30Bをレジストパターン32により被覆せしめる(図4(d))。次いで、ウェットエッチングにより、レジストパターン32非形成の、ゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化しようとするトランジスタ領域30Aの酸化膜31を選択的に除去する(図5(e))。
【0035】
酸化膜減退工程は、次に、レジスト除去の後、全面を熱酸化する。これにより、トランジスタ領域30Aでは再び酸化膜31aが形成されるが、上記ウェットエッチング時にレジストパターン32により保護されていたトランジスタ領域30Bの酸化膜31bよりも薄くなる(図5(f))。これら酸化膜31a,31bは各トランジスタ領域30A,30Bに形成されるトランジスタのゲート酸化膜31a,31bとなる。
【0036】
その後、ゲート酸化膜31a,31bにより絶縁されたゲート14を形成するゲート形成工程を行う(図5(g))。
【0037】
次いで、全面を熱酸化により酸化膜33を形成する。この熱酸化では、酸化膜33が、ゲート14上の膜厚がトランジスタ領域30Aのゲート14の両端側のソースおよびドレイン設計位置と同程度となるようにする。そしてゲート14の両側位置に電界緩和層となる不純物拡散領域15を形成する(図5(h))。
【0038】
この後、全面に絶縁膜16を堆積し全面をドライエッチングすることにより、ゲート14横に側壁16aを形成する。このときのエッチング量は、酸化膜33が、トランジスタ領域30Aの薄膜のソースおよびドレインの設計位置で全部除去され、トランジスタ領域30Bの厚膜のソースおよびドレイン設計位置で一定厚さ残るように設定する(図6(i))。なお、酸化膜33は、ゲート14上ではトランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン設計位置と略同じ膜厚としたから、トランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン設計位置と略同時に全部除去され、一方のゲート14が過剰にオーバーエッチングになることが防止される。
【0039】
次いで、熱酸化により、全面に酸化膜34を形成する。この熱酸化は、酸化膜33を形成した熱酸化とともに第2の熱酸化工程を構成する。上記ドライエッチングにおいて、トランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン設計位置の酸化膜33bが一定厚さ残っているので、トランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン設計位置およびゲート14の上には薄い酸化膜34aが、トランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン設計位置には厚い酸化膜34bが再び形成される。
【0040】
次いで、不純物注入工程を行う。この不純物注入工程はソース/ドレイン形成工程である。すなわち、ホトリソグラフィーにより、ソースおよびドレイン設計位置が開口するホトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、As 等の不純物イオンを注入して不純物濃度の高い不純物拡散領域を形成し、該不純物拡散領域をソースおよびドレイン17C,17Dとする(図6(j))。
【0041】
かかる第1の熱酸化工程、ゲート形成工程、第2の熱酸化工程および不純物注入工程により、ゲート14、ならびにソースおよびドレイン17C,17Dを形成するとともに、ゲート14上ならびにトランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン17C上の酸化膜厚と、トランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン17D上の酸化膜厚に差をつけることができる(酸化膜形成工程)。
【0042】
次いで酸化膜エッチング工程を行う。すなわち、全面をドライエッチングする。エッチングは、トランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン17C上の薄い酸化膜34aおよびゲート14上の薄い酸化膜34cが除去された時点で止め、トランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン17D上の厚い酸化膜34bは一定量残す(図6(k))。
【0043】
次いで、金属堆積工程を行い、Ti /Ti Nの堆積層19を形成する(図6の(l))。堆積層19はトランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン17Cおよびゲート14上ではシリコンと接触し、トランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン17D上では酸化膜34bと接触する。
【0044】
次いで、シリサイド化工程を行う。すなわち全体にRTAにより熱処理を加え、堆積層19が、シリコンと接触しているトランジスタ領域30Aのソースおよびドレイン17Cおよびゲート14上のみシリサイド化し、酸化膜34bに被覆されたトランジスタ領域30Bのソースおよびドレイン17Dはシリサイド化しない。この酸化膜34b上のTi /Ti Nを、続く金属選択エッチング工程(ウェット選択エッチング)により、除去する(図7(m))。
【0045】
かくして、トランジスタ領域30Aは、ソースおよびドレイン17Cおよびゲート14とも表面にシリサイド141,171が形成されてトランジスタ31Aが完成し、トランジスタ領域30Bは、ゲート14のみ表面にシリサイド141が形成されてトランジスタ領域31Bが完成する。この後は、通常の配線工程が行われてウェハプロセスが終了する。
【0046】
このように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、同じシリコンウェハにおいて、ゲート、ソースおよびドレインともシリサイド化したトランジスタと、ゲートのみシリサイド化したトランジスタとを作り分けることができる。しかも、トランジスタ30Bのソースおよびドレイン設計位置に、ゲート14形成時にゲート酸化膜31bが形成されているようにしたので、マスク精度、重ね合わせ精度の管理等を厳しくすることなく、ソースおよびドレイン17D上のみに酸化膜を残した状態で金属19を堆積せしめることができ、ソースおよびドレイン17Dを非シリサイドとし、ゲート14をシリサイド化することができる。そして、ゲート14形成前に酸化膜31aを上記酸化膜31bよりも薄くしておくことで、ソースおよびドレインがシリサイド化されたトランジスタ31Aと、ソースおよびドレインがシリサイド化されないトランジスタ31Bとを作り分けることができる。
【0047】
なお、ゲート酸化膜31a,31bの厚さがトランジスタ31Aとトランジスタ31Bとで異なるので、トランジスタの閾値Vt の調整が必要な場合は、例えばゲート形成前に閾値Vt 制御のイオン注入を行えばよい。
【0048】
また、すべてのトランジスタについて、ソースおよびドレインを非シリサイドとしゲートをシリサイド化する場合には、酸化膜エッチング工程において、ゲート上のみ酸化膜をすべて除去された時点でエッチングを終了すればよい。これにより、すべてのトランジスタ領域において、Ti /Ti N堆積層が、ゲート上ではシリコンと接触し、ソースおよびドレイン上では酸化膜と接触する。この場合、ソースおよびドレイン間で酸化膜の膜厚に差をつける必要はないので、上記酸化膜減退工程を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b),(c),(d)は、本発明の半導体装置の製造方法を示す第1、第2、第3、第4のシリコンウェハの断面図である。
【図2】(e),(f),(g)は、本発明の半導体装置の製造方法を示す第5、第6、第7のシリコンウェハの断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法におけるトランジスタ各部における酸化膜の厚さを示すグラフである。
【図4】(a),(b),(c),(d)は、本発明の別の半導体装置の製造方法を示す第1、第2、第3、第4のシリコンウェハの断面図である。
【図5】(e),(f),(g),(h)は、本発明の別の半導体装置の製造方法を示す第5、第6、第7、第8のシリコンウェハの断面図である。
【図6】(i),(j),(k),(l)は、本発明の別の半導体装置の製造方法を示す第9、第10、第11、第12のシリコンウェハの断面図である。
【図7】(m)は、本発明の別の半導体装置の製造方法を示す第13のシリコンウェハの断面図である。
【符号の説明】
10 シリコンウェハ
11 STI
12 Pwell
13,31a,31b ゲート酸化膜
14 ゲート
141 シリサイド
17A,17B,17C,17D ソースおよびドレイン
171 シリサイド
18,31,33,34 酸化膜
19 Ti /Ti N膜
20A,20B,30A,30B トランジスタ領域
21A,21B,31A,31B トランジスタ
Claims (3)
- シリコンウェハにMOS型のトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、トランジスタが形成されたシリコンウェハの全面に金属を堆積する金属堆積工程と、堆積した金属を熱処理によりシリサイド化するシリサイド化工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記トランジスタ形成工程では、シリコンウェハにトランジスタ領域を画成するウェルを形成した後に、酸化膜形成工程と、酸化膜エッチング工程とを行い、
上記酸化膜形成工程として、
熱酸化によりシリコンウェハの全面にゲート酸化膜を、ソースおよびドレインを非シリサイドとするトランジスタ領域を厚く、ソースおよびドレインをシリサイド化するトランジスタ領域を薄く形成する第1の熱酸化工程と、
全面に上記ゲート酸化膜が形成された状態にて、各トランジスタ領域にゲートを形成するゲート形成工程と、
熱酸化によりシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する第2の熱酸化工程と、
各トランジスタ領域のソースおよびドレインを形成する位置に不純物を注入してソースおよびドレインとなる拡散層を形成する不純物注入工程、
とをこの順で行って、上記トランジスタ領域にソースおよびドレインを形成するとともに、トランジスタ領域の全面に酸化膜を、非シリサイドとするソースおよびドレイン領域を厚く、シリサイド化しようとするソースおよびドレイン領域とゲート領域を薄く形成し、
上記酸化膜エッチング工程として、
酸化膜形成工程により形成された酸化膜を、上記シリサイド化しようとするソースおよびドレイン領域とゲート領域を全部除去し、上記非シリサイドとするソースおよびドレイン領域を残すエッチング量にてエッチングするようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記非シリサイドとする領域を一部のトランジスタのソースおよびドレインとし、上記第1の酸化工程では、上記シリコンウェハの全面に酸化膜を形成した後、該酸化膜のうち、ソースおよびドレインをシリサイドとするトランジスタ領域を選択的にエッチングして該トランジスタ領域の酸化膜の膜厚を減じる酸化膜減退工程を行うようにした半導体装置の製造方法。
- 請求項1または2記載の半導体装置の製造方法において、上記酸化膜形成工程では、すべてのトランジスタのゲート上に酸化膜を一定の膜厚に形成した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27053698A JP3975578B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15666298 | 1998-05-21 | ||
JP10-156662 | 1998-05-21 | ||
JP27053698A JP3975578B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000040819A JP2000040819A (ja) | 2000-02-08 |
JP3975578B2 true JP3975578B2 (ja) | 2007-09-12 |
Family
ID=26484347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27053698A Expired - Fee Related JP3975578B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3975578B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI249843B (en) | 2002-05-14 | 2006-02-21 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic apparatus |
-
1998
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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