JP3962667B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波帯域で動作する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
GaAs等の化合物半導体を用いた電界効果型トランジスタは、化合物半導体基板上にゲートやソース、ドレインの各電極を設けて構成され、マイクロ波帯で動作する半導体装置として広く実用化されている。
【0003】
ここで、従来の半導体装置の製造方法について、電界効果型トランジスタを例にとり図2を参照して説明する。
【0004】
半導体基板30は、GaAsなどの半導体(図示せず)上に、エピタキシャル層31およびAlGaAs電子供給層32、GaAsキャップ層33を順に形成して構成され、半導体基板30上たとえばキャップ層33上に絶縁膜34およびレジスト35が形成されている。そして、レジスト35のゲート電極を形成する領域に第1開口36を形成し、その後、パターン化されたレジスト35をマスクにして絶縁膜34に第2開口37が形成される(図a)。
【0005】
次いで、レジスト35を除去し、選択エッチングでキャップ層33に第3開口38を形成する(図b)。次いで絶縁膜34を後退エッチングし、第2開口37を図示横方向に拡大する(図c)。
【0006】
次いで、電子供給層32およびキャップ層33、絶縁膜34上に絶縁膜39を形成する(図d)。次いで、絶縁膜39の一部を除去し、絶縁膜34の第2開口37を囲む側壁部分およびキャップ層33の第3開口38を囲む側壁部分に絶縁膜39を残し、残された絶縁膜39によって側壁39aが形成される(図e)。
【0007】
次いで、電子供給層32およびキャップ層33、絶縁膜34上に、蒸着あるいはスパッタ、CVDなどの方法で第1ゲートメタル40を形成する(図f)。次いで、第1ゲートメタル40上に、スペーサレジスト41およびレジスト42を順に形成し、その後、レジスト42に第4開口43を形成し、スペーサレジスト41に第5開口44を形成する(図g)。
【0008】
次いで、第4開口43および第5開口44を利用して、蒸着あるいはスパッタ、CVDなどの方法で第2ゲートメタル45を形成する(図h)。次いで、スペーサレジスト41およびレジスト42を除去し、その後、第2ゲートメタル45を覆う形でレジスト46を形成する(図i)。次いで、レジスト46をマスクにして第1ゲート電極メタル40を除去し、その後、トップパッシベーション膜47を全面に形成する(図j)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲートメタルを形成する場合、蒸着やスパッタ、CVDなどの方法が用いられている。
【0010】
一方、電界効果トランジスタなどでは、電気的特性を改善するために、ゲート長の短いゲート電極が求められている。しかし、ゲート長を短くするために、ゲートメタル形成用の開口を細くすると、蒸着方法などの場合、開口の底部まで到達する金属原子の量が少なくなり、ゲートメタルの堆積速度が小さくなる。このとき、開口部以外では、ゲートメタルの堆積速度に変化がないため、所望のゲート電極形状が得られず、ゲート長の短いゲート電極の実現が困難になっている。
【0011】
本発明は、上記した欠点を解決し、ゲート長が短く所望の電極形状をもつゲート電極の実現が容易な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する第1工程と、前記絶縁膜のゲート電極形成領域に開口を形成する第2工程と、前記開口が形成された前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第3工程と、この第3工程の後、前記開口を囲む前記絶縁膜の側面に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第4工程と、前記絶縁膜の側面に残された前記導電性物質膜上および一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第5工程と、この第5工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第6工程とからなることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図1の工程図を参照して説明する。
【0014】
半導体基板10は、GaAsなどの化合物半導体11およびこのGaAs半導体11上に順に形成された複数の化合物半導体層、たとえばエピタキシャル層12やAlGaAs電子供給層13、GaAsキャップ層14などから構成されている。そして、半導体基板10上たとえばキャップ層14上に絶縁膜15およびレジスト16が形成されている。レジスト16はゲート電極を形成する領域に第1開口17を設けてパターニングされ、また、パターン化されたレジスト16をマスクにして絶縁膜15に第2開口18が形成されている(図a)。
【0015】
次いで、レジスト16をすべて剥離し、絶縁膜15をマスクにしてキャップ層14を電子供給層13と選択的にエッチングし、第3開口19を形成する(図b)。次いで、絶縁膜15を後退エッチングして、第2開口18を図示横方向に拡大する。この場合、第2開口18の開口面積は第3開口19よりも大きくする(図c)。次いで、絶縁膜15上を含む半導体基板10上にTiなどの導電性物質膜20を堆積する(図d)。
【0016】
次いで、全面をエッチバックして導電性物質膜20の一部を除去し、第2開口18を囲む絶縁膜15の側壁部分および第3開口19を囲むキャップ層14の側壁部分に、残された導電性物質膜20により側壁21を形成する。同時に、第2開口18や第3開口19の延長方向たとえば図示下方に位置する電子供給層13の一部を露出させる(図e)。
【0017】
次いで、絶縁膜15上にレジスト22を形成し、レジスト22に第4開口23を形成する。このとき、第4開口23は、その開口面積が側壁21よりも大きくなるように形成する(図f)。
【0018】
次いで、電子供給層13に通電して、電子供給層13上および側壁21上に第1ゲートメタル24、たとえばWなどの高融点のショットキーメタルをメッキする。さらに、側壁21部分に通電して、第1ゲートメタル24上から絶縁膜15上のレジスト22で囲まれた領域にわたり、Auなどの第2ゲートメタル25たとえば低抵抗メタルをメッキし、ゲート電極を形成する(図g)。次いで、レジスト22をすべて除去する(図h)。
【0019】
次いで、電子供給層13およびキャップ層14の両方と選択的に、絶縁膜15および側壁21を、NH4 FやHFなどのエッチング液でエッチングし除去する(図i)。次いで、P−SiNなどのトップパッシベーション膜26を形成する(図j)。
【0020】
上記した構成によれば、半導体基板上の絶縁膜に形成された開口部分に導電性物質膜を設け、この導電性物質膜を利用してゲートメタルをメッキし、その後、導電性物質膜を選択エッチングで除去している。この方法は、ゲート電極形成領域の開口が小さい場合でも、ゲートメタルを確実に形成でき、所望のゲート電極形状をもち、かつ、現在の蒸着やスパッタ、CVDなどの製造技術で埋め込める限界よりも短いゲート長をもつ電気特性の良好な電界効果トランジスタを容易に製造できる。
【0021】
【発明の効果】
本発明によれば、所望のゲート電極形状が得られる半導体装置の製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するための工程図である。
【図2】従来例を説明するための工程図である。
【符号の説明】
10…半導体基板
11…GaAs半導体
12…エピタキシャル層
13…AlGaAs電子供給層
14…GaAsキャップ層
15…絶縁膜
16…レジスト
17…レジストの第1開口
18…絶縁膜の第2開口
19…GaAsキャップ層の第3開口
20…導電性物質膜
21…側壁
22…レジスト
23…レジストの第4開口
24…第1ゲートメタル
25…第2ゲートメタル
26…トップパシベーション膜
Claims (5)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する第1工程と、前記絶縁膜のゲート電極形成領域に開口を形成する第2工程と、前記開口が形成された前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第3工程と、この第3工程の後、前記開口を囲む前記絶縁膜の側面に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第4工程と、前記絶縁膜の側面に残された前記導電性物質膜上および一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第5工程と、この第5工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第6工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に絶縁膜およびレジスト膜を順に形成する第1工程と、前記レジスト膜のゲート電極形成領域に第1開口を形成し、前記レジスト膜をパターニングする第2工程と、パターニングした前記レジスト膜により前記絶縁膜のゲート電極形成領域に第2開口を形成する第3工程と、パターニングした前記レジスト膜を除去する第4工程と、前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第5工程と、この第5工程の後、前記第2開口を囲む前記絶縁膜の側壁に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記第2開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第6工程と、この第6工程で残された前記導電性物質膜上および前記第6工程で一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第7工程と、この第7工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第8工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 化合物半導体上に第1および第2の少なくとも2つの化合物半導体層が順に形成された半導体基板上に、絶縁膜およびレジスト膜を順に形成する第1工程と、前記レジスト膜のゲート電極形成領域に第1開口を形成し、前記レジスト膜をパターニングする第2工程と、パターニングされた前記レジスト膜により前記絶縁膜のゲート電極形成領域に第2開口を形成する第3工程と、パターニングした前記レジスト膜を除去する第4工程と、前記絶縁膜の第2開口に隣接する領域の前記第2化合物半導体層に第3開口を形成する第5工程と、前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第6工程と、前記導電性物質膜の一部を除去し、前記第2開口を囲む前記絶縁膜の側壁部分および前記第3開口を囲む前記第2化合物半導体層の側壁部分に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記第2開口および前記第3開口の下方に位置する前記第1化合物半導体層の一部を露出させる第7工程と、この第7工程で残された前記導電性物質膜上および前記第7工程で露出した前記第1化合物半導体層上にゲートメタルをメッキする第8工程と、この第8工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第9工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 導電性物質膜がTiである請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- ゲートメタルおよび半導体基板の両方に対して選択的に導電性物質膜を除去する工程が、NH4FまたはHFを用いたエッチングで行われる請求項1ないし請求項4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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