JP3898628B2 - 配線基板及び、その製造方法 - Google Patents

Description

【発明の属する技術分野】
【０００１】
本発明は、パッドと、基板本体の基準位置を表す導体パターンとが基板本体表面に形成されてなる配線基板および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、配線基板としては、銅メッキにて構成された配線パターンを有する合成樹脂製又はセラミック製の基板本体表面に、複数の入出力端子を主表面に備えたＬＳＩやＩＣチップあるいはチップコンデンサなどの電子部品を搭載するためのパッドを備えた電子部品搭載用の配線基板が知られている。また、この種の配線基板としては、電子部品をフリップチップ実装方式にて接合するためのハンダバンプを、パッド表面上に備えたものが知られている。
【０００３】
上記のようなフリップチップ実装用のハンダバンプを備えた配線基板は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）などといったタイプのパッケージ製造に用いられ、そのハンダバンプが形成されたパッドを有する基板本体の第一主表面には、電子部品を機械操作で基板本体に実装する際に必要な基板本体の基準位置を表す導体パターン（以下、「アライメントマーク」とも称する）が形成されている。また、第一主表面とは反対側の基板本体の第二主表面には、例えば、球状のハンダ（所謂、ハンダボール）を取り付けてＢＧＡパッケージを作成するためのハンダ層が、その第二主表面のパッド表面上に形成されている。
【０００４】
ところで、このような配線基板を製造する際には、フリップチップ実装用の上記ハンダバンプやハンダボール取付用の上記ハンダ層をパッド表面上に形成する前に、無電解Ｎｉ（ニッケル）メッキ、さらにＡｕ（金）メッキをこの順序にてパッド表面に施し、該パッド表面に、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層をこの順序にて積層形成することが一般的に行われている。これらＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層は、ハンダの濡れ性が悪いパッドに対して良好にハンダ付けが行えるようにするとともに、不動態膜としてのＡｕメッキ層にてＮｉメッキ層の酸化を防ぎ、安定したハンダ付け性を得るために形成するものである。そのため、上記ハンダバンプや上記ハンダ層は、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層を介して、パッドと接続されることになる。
【０００５】
また、上記のようにパッド表面に対して、それぞれＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層をこの順序にて形成する場合には、アライメントマーク表面にも同時にそれぞれＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層をこの順序で形成して、そのアライメントマークを構成するＣｕ（銅）メッキ表面が酸化するのを防止するのが一般的である。
【０００６】
【特許文献１】
特願２００１−１７７０１０号公報（段落００３３）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにＮｉメッキ層をパッド表面に形成すると、電子部品実装時やハンダボール取付時における熱作用により、Ｎｉメッキ層のＮｉがハンダ内部にまで拡散して、該ハンダ（上記ハンダバンプや上記ハンダ層）の成分元素であるＳｎ（錫）などと脆い金属間化合物が形成され、これが原因で、電子部品やハンダボールとパッドとの間の接合強度が十分に確保できないなどの問題があった。そこで、本発明者らは、パッド表面にＮｉメッキ層を形成させず、Ａｕメッキ層のみを形成することで、電子部品やハンダボールとパッドとの間の接合を良好に保つ方法を考え出した。このような方法を採用する際には、パッド表面にＮｉメッキ層を形成する工程を省くと同時に、アライメントマーク表面へのＮｉメッキ層の形成工程をも省くのが製造効率の観点からも良い。
【０００８】
上記のようにＮｉメッキ層の形成工程を省くと、アライメントマーク表面にはＡｕメッキ層のみが形成されることになる。しかしながら、このＡｕメッキ層の層厚は、Ｎｉメッキ層の層厚に比べて、構成材料のコストの観点より、必然的に小さく設定（例えば、２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度）する必要が生じる。そのため、アライメントマーク表面の平坦性よりも平坦性を十分に向上させた形でＡｕメッキ層が形成されず、結果として、Ａｕメッキ層の表面の平坦性が十分に確保されない問題や、アライメントマーク表面が部分的に表面露出した形でＡｕメッキ層が形成されてしまうといった問題が新たに生じた。
【０００９】
電子部品を機械操作で基板本体に実装する際にアライメントマークを読み取る光学読取装置は、基板本体に光を照射して、その光の反射光にてアライメントマークを読み取るものである。そのため、アライメントマーク表面に形成されたＡｕメッキ層の表面の平坦性が十分に確保されていない場合、Ａｕメッキ層の表面での光の乱反射に起因して、光学読取装置にて取得する反射光の強度に過度のバラツキが生じることに繋がる。また、アライメントマーク表面が部分的に表面露出した形でＡｕメッキ層が形成されてしまうと、該部分的に表面露出した領域とＡｕメッキ層の表面とにおける同波長で同強度の光に対する反射強度は、自ずと異なるものとなり、上記同様にして光学読取装置にて取得する反射光の強度に過度のバラツキが生じることに繋がる。このような光学読取装置にて取得する反射光の強度に過度のバラツキが生じると、アライメントマークに対する位置認識の精度が低下することになり、ひいては、電子部品の実装信頼性が低下することになる。
【００１０】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、基板本体の基準位置を表す導体パターンに対する光学読取装置での位置認識精度を高めることが可能な配線基板および、その製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
上記課題を解決するための本発明の配線基板は、
配線構造を有する基板本体と、
該基板本体表面に配列された銅製のパッドと、
該パッド表面に接触し、かつ、該パッド表面を被覆する第一Ａｕ層と、
該第一Ａｕ層の直上に位置し、かつ、前記パッド表面を被覆する第一ハンダ層と、
前記基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンと、
該導体パターン表面に接触し、かつ、該導体パターン表面を被覆する第二Ａｕ層と、
該第二Ａｕ層の直上に位置し、かつ、前記導体パターン表面を被覆する第二ハンダ層と、
を備えることを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の配線基板では、Ａｕよりも材料コストが安価なハンダを用いて、第二ハンダ層を形成させてなる。つまり、導体パターン表面に、該表面を被覆するように第二Ａｕ層および第二ハンダ層が、この順序にて他の層を介在させない形で積層形成されてなる。第二ハンダ層の層厚は、第二Ａｕ層の層厚よりも大きく設定できるので、第二ハンダ層の表面を、第二Ａｕ層の表面よりも平坦性が向上したものとできるとともに、導体パターン表面が部分的に表面露出した形で第二ハンダ層が形成されることを防止できる。その結果、光学読取装置にて精度よく導体パターンの位置を認識することでき、ひいては、電子部品の実装信頼性を十分に確保することが可能となる。なお、第二ハンダ層の層厚は、少なくとも第二Ａｕ層の層厚よりも大きくなるように適宜設定されれば、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度にまで大きく設定することができる。
【００１３】
上記第二ハンダ層をなすハンダの種類としては、銅よりも少なくとも酸化しにくい、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ系ハンダなどを用いればよいが、特には、この中でも酸化しにくいＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダなどが好適であると言える。第二ハンダ層の表面が過度に酸化されると、光学読取装置による導体パターンの位置認識精度の低下が、新たな問題として顕在化することが想定されるからである。
【００１４】
また、酸化されやすい銅製のそれぞれパッドおよび導体パターンの表面には、該表面を被覆するように、それぞれ第一Ａｕ層および第二Ａｕ層が形成されてなるので、パッド表面および導体パターン表面が酸化されることを効果的に抑制することができる。そして、この酸化抑制により、それぞれ第一Ａｕ層および第二Ａｕ層の表面に、それぞれ第一ハンダ層および第二ハンダ層を、ハンダ濡れ性を高めた状態で形成させることが可能となる。その結果、第一Ａｕ層を介したパッドと第一ハンダ層との接合強度等の接合性および、第二Ａｕ層を介した導体パターンと第二ハンダ層との接合強度等の接合性を有為に確保することが可能となる。
【００１５】
また、第一ハンダ層と同じ材料を用いて第二ハンダ層を形成することができるので、生産コストを抑制することができる。さらには、第一ハンダ層と第二ハンダ層とを同時に形成することもできるので、この点においても生産コストの抑制に寄与することになる。
【００１６】
次に、本発明の配線基板においては、パッドおよび導体パターンは、それぞれの周縁が基板本体表面に形成されたソルダーレジスト層に包囲されており、導体パターン表面を被覆する第二ハンダ層は、その上面がソルダーレジスト層の上面よりも低くなるように形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
パッドおよび導体パターンは、それぞれの周縁が基板本体表面に形成させたソルダーレジスト層にて包囲した状態とすることが望ましい。このような状態となすことで、それぞれパッドおよび導体パターン自体を、電気的短絡が起こらないように十分に外部との絶縁性が確保された状態となすことができる。しかしながら、第二ハンダ層の上面を、ソルダーレジスト層上面よりも高い位置となるように形成すると、第二ハンダ層の断面は、例えば図１０（ａ）の模式図のような状態となりやすくなる。つまり、図１０（ａ）に示すように、第二ハンダ層１２０の上面が湾曲した状態となる。このように上面が湾曲してしまうと、光学読取装置から照射する光が乱反射してしまい、これが原因で反射光を有為に光学読取装置で読み取れない問題を招くことになる。このことは、光学読取装置における導体パターンの位置認識精度の低下に繋がる。そのため、第二ハンダ層の上面は、ソルダーレジスト層の上面よりも低くなるように形成することが望ましい。なお、図１０（ｂ）の模式図は、第二ハンダ層１２０の上面が、ソルダーレジスト層１１４の上面よりも高い位置となるようにした場合の光学読取装置による導体パターンの読取結果を表すものである。図１０（ｂ）に示すように、理想的には点線にて示す形状のように導体パターンの形状を読み取るべきものが、実際には、実線で示すような形で導体パターンの形状は認識されしまう。
【００１８】
上述のように、第二ハンダ層の上面を、ソルダーレジスト層の上面よりも低くすることで、第二ハンダ層の上面が湾曲することを効果的に抑制することができる。つまり、上面を平坦状にすることができる。このように、第二ハンダ層の上面を平坦状とすることにより、光学読取装置からの照射光が乱反射しにくく、導体パターンの形状を正確に読み取ることができる。
【００１９】
ここまでに述べた本発明としては、例えば、パッド表面上に形成される第一ハンダ層を、ソルダーレジスト層上面よりも突出するように形成されたフリップチップ実装用のハンダバンプとする配線基板に適用してもよいし、第一ハンダ層を、ハンダボール取付用のハンダ層とする配線基板に適用してもよい。このように本発明は、パッド表面に、従来のようなＮｉメッキ層を介さずに直接、Ａｕ層が形成されてなるとともに、アライメントマークとされる導体パターンを有する配線基板であれば、第一に適用可能である。次に、本発明の配線基板の形態となすための有用な製造方法とされるとともに、本発明の配線基板の形態も含めて、パッド表面に直接、Ａｕ層を形成し、該Ａｕ層の表面にさらに直接、ハンダ層を形成させる形にて製造される形態の配線基板の製造方法として、有用に適用される本発明の配線基板の製造方法について述べる。
【００２０】
そこで、第一の本発明の配線基板の製造方法は、
配線構造を有する基板本体の表面に配列された銅製のパッド、および、該基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンの表面に、それぞれＡｕ層およびハンダ層をこの順序にて積層形成させる配線基板の製造方法であって、
前記基板本体に形成された前記パッドおよび前記導体パターンの表面に、直接、Ａｕメッキを施し、前記Ａｕ層を形成するＡｕメッキ工程と、
該Ａｕメッキ工程の後、前記Ａｕ層の表面に、ハンダペーストを直接印刷するハンダ印刷工程と、
前記Ａｕメッキ工程の後、前記導体パターンの表面に形成された前記Ａｕ層の表面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
前記ハンダ印刷工程および前記フラックス塗布工程の後に、前記ハンダペーストをリフローし、前記ハンダ層を形成するリフロー工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２１】
上記本発明の製造方法によれば、Ａｕメッキ工程にて、導体パターン表面にＡｕメッキを施すことにより形成されるＡｕ層（以下、第二Ａｕ層とも称する）の表面に対して、フラックス塗布工程にてフラックスを塗布することによって、該第二Ａｕ層の表面に印刷したハンダペーストのハンダ濡れ性を調整できる。その結果、導体パターン表面全体を均一に被覆する形にて、該導体パターン表面上にハンダ層を形成することができる。
【００２２】
また、フラックスでハンダ濡れ性を調整すれば、パッド表面および導体パターン表面上にＡｕ層を介して同一種類のハンダペーストを印刷しながら、パッド表面上と導体パターン表面上とに異なった形状のハンダ層（ハンダバンプなど）を形成することができる。
【００２３】
例えば、パッド表面上には、ソルダーレジスト層上面よりも突出するフリップチップ実装用のハンダバンプを形成しつつ、導体パターン表面上には、上面がソルダーレジスト層上面よりも低い位置となるようにハンダ層を形成することができる。また、フラックスによりハンダ濡れ性を調整することによって、導体パターン表面上に形成されるハンダ層上面を平坦にすることができる。
【００２４】
また、それぞれパッド表面上およぶ導体パターン表面上に形成させるハンダ層の構成材料を同一種類とすることもできる。この場合、パッド表面上および導体パターン表面上にＡｕ層を介して同時にハンダペーストを印刷することができる。その結果、ハンダペースト印刷に係わる工程（上記ハンダ印刷工程）を効率よく行うことができ、ひいては製造効率の向上を図ることができる。
【００２５】
尚、フラックス塗布工程は、ハンダ印刷工程前に行われるものであってもよいし、印刷工程後に行われるものであってもよい。このような第一の本発明の製造方法以外にも、以下に記載する第二の本発明の製造方法を用いても、上記した内容と同様な効果を得ることができる。
【００２６】
そこで、第二の本発明の配線基板の製造方法は、
配線構造を有する基板本体の表面に配列された銅製のパッド、および、該基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンの表面に、それぞれＡｕ層およびハンダ層をこの順序にて積層形成させる配線基板の製造方法であって、
前記基板本体に形成された前記パッドおよび前記導体パターンの表面に、直接、Ａｕメッキを施し、前記Ａｕ層を形成するＡｕメッキ工程と、
前記Ａｕメッキ工程の後、前記Ａｕ層の表面に、ハンダペーストを直接印刷するハンダ印刷工程と、
該ハンダ印刷工程の後、前記ハンダペーストをリフローする第一リフロー工程と、
該第一リフロー工程の後、前記導体パターンの表面に形成された前記Ａｕ層の表面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
該フラックス塗布工程の後、前記フラックスが塗布された前記Ａｕ層の表面のハンダをリフローし、前記パッドおよび前記導体パターンの表面上に、前記ハンダ層を形成する第二リフロー工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２７】
上記第二の本発明の製造方法においても、上記第一の本発明の製造方法と同じくして、Ａｕメッキ工程にて、導体パターン導体表面にＡｕメッキを施すことによりＡｕ層を形成した後、該Ａｕ層の表面に対して、フラックス塗布工程にてフラックスを塗布することによって、該Ａｕ層の表面に印刷したハンダペーストのハンダ濡れ性の調整がなされる。よって、第二の本発明の製造方法においても、上述した第一の本発明の製造方法に係わる効果と同様のもの得ることができる。
【００２８】
なお、上述の本発明の製造方法における第一にてはリフロー工程にて、第二にては第一リフロー工程および第二リフロー工程にて、Ａｕ層の表面に形成したハンダペーストをリフローすることによりハンダ層を形成することになる。この際、Ａｕ層の層厚は、ハンダ層の層厚よりも小さく、例えば、２０ｎｍ〜２００ｎｍといった程度であるので、リフローにてハンダ層を形成した後には、Ａｕの過度の流れによりＡｕ層自体の消滅や、パッド表面や導体パターン表面を部分的に被覆する形でのみＡｕ層が残存するといった形態となる場合もある。この場合、上記本発明の配線基板の形態とは異なる形態の配線基板となるが、Ａｕ層を形成させる主要な目的である、ハンダ層を形成させるまでのパッド表面や導体パターン表面の酸化を抑制すること自体は同様に機能させることができるので、本発明の製造方法を用いて製造される配線基板は、上述した本発明の配線基板と同内容の効果を得るものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図面を併用して説明する。
図１は、ＩＣチップ３及びハンダボール５が取り付けられた配線基板１の側面の構成を表す概略側面図である。また、図２は、基板本体１０の第一主表面の構成を表す説明図（同図（ａ））及び、その第一主表面とは反対側の第二主表面の構成を表す説明図（同図（ｂ））である。この他、図３は、配線基板１の断面の構成を概略的に表す概略断面図である。また、図４は、アライメントマーク１３の上面の構成を表す概略上面図（同図（ａ））、及び、アライメントマーク１３のＡ−Ａ’断面の構成を表す概略断面図（同図（ｂ））、及び、光学読取装置７にて読み取ったアライメントマーク１３の形状に関する説明図である。
【００３０】
本発明が適用された配線基板１は、２９ｍｍ四方の基板本体１０を備え、その基板本体１０の両面に銅メッキからなるパッド１１，１２を備えている。
詳述すると、基板本体１０は、エポキシ樹脂などの合成樹脂から構成される基体２１と、銅メッキ２２，２３，２６，３３による配線層と、樹脂絶縁層２９，３５と、を備えている。
【００３１】
この基板本体１０には、第一主表面の中央部（中央の概ね１０ｍｍ四方）に、最上層の配線層として、ＩＣチップ３の入出力端子の配列パターンに対応する配列で、複数の上記パッド１１（以下、「ＦＣパッド１１」とも表現する。）が形成されている。また、基板本体１０の第二主表面には、略全面（概ね２５ｍｍ四方）に分散して複数の上記パッド１２（以下、「ＢＧＡパッド１２」とも表現する。）が配列されている。この他、基板本体１０の第一主表面には、十字状の銅メッキパターンであるアライメントマーク１３が形成されている。尚、このアライメントマーク１３は、基板本体１０の基準位置を表す導体パターンであり、光学読取装置７にて、読み取るためのものである。
【００３２】
そして、基板本体１０の主表面には、ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１２を構成する銅メッキ２２，２３の一部を露出した状態で、ソルダーレジスト層１４が形成されている。
即ち、両面のパッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１２）は、基板本体１０最上部のソルダーレジスト層１４に周囲（周縁）を包囲されており、そのソルダーレジスト層１４が形成されていない基板本体１０の凹部１５，１６内に位置している。尚具体的に、本実施例の配線基板１では、ＦＣパッド１１の径が概ね１００μｍ程度の大きさになるように、凹部１５を形成している（ただし、搭載するＩＣチップ３により大きさは若干異なる。）。そして、ＢＧＡパッド１２の径が概ね５３０μｍになるように、凹部１６を形成している。この他、ソルダーレジスト層１４は、ＢＧＡパッド１２表面より概ね２１μｍの高さまで形成されている。
【００３３】
また、ソルダーレジスト層１４は、基板本体１０の第一面に形成されているアライメントマーク１３の端部（図４（ａ）に表すアライメントマーク１３の端部点線部分）をわずかに被覆し、そのアライメントマーク１３の中央部を露出した状態で、包囲するようにされている。つまり、アライメントマーク１３の略全面は、ソルダーレジスト層１４が形成されていない基板本体１０の凹部１７内に位置している。尚、本実施例では、ソルダーレジスト層１４に正方形状の開口部を形成することにより凹部１７を構成している。また本実施例においては、その開口部の一辺を、概ね５５０μｍとしている。この他、ソルダーレジスト層１４は、アライメントマーク１３の表面より概ね２１μｍの高さまで形成されている。
【００３４】
そして、この基板本体１０の第一主表面に配列されたＦＣパッド１１には、フリップチップ実装方式にてＩＣチップ３を接合するためのＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなるハンダバンプ１８がソルダーレジスト層１４より突出するようにして形成されている（図３参照）。尚、このハンダバンプ１８は、ＦＣパッド１１の表面に接触し、該表面を被覆する形で形成されてなる第一Ａｕ層５１の直上に、ＦＣパッド１１の表面を被覆する形で形成されている。
【００３５】
また、第二主表面に配列されたＢＧＡパッド１２には、ハンダボール５（本実施例ではφ＝６００μｍ）を接合して取り付けるためのＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなるハンダボール取付用ハンダ層１９が、そのＢＧＡパッド１２の表面を被覆するようにして形成されている。尚、このハンダボール取付用ハンダ層１９は、その上面（より詳しくは、頂点）がソルダーレジスト層１４の上面より低い位置となるようにされているとともに、ＢＧＡパッド１２の表面に接触し、該表面を被覆する形で形成されてなる第一Ａｕ層５１の直上に形成されている。
【００３６】
この他、第一主表面に形成されたアライメントマーク１３の表面には、アライメントマーク１３を構成する銅メッキ表面が酸化するのを防止するための第二Ａｕ層５２が、そのアライメントマーク１３の表面の露出部全面を被覆する形で形成されているとともに、さらに第二Ａｕ層５２の表面には、Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダからなる第二ハンダ層２０が、そのアライメントマーク１３の表面の露出部全面を被覆するように形成されている（図４（ｂ）参照）。この第二ハンダ層２０は、第二Ａｕ層５２よりも層厚を大きく設定できる利点を生かして、光学読取装置７によるアライメントマーク１３に対する位置認識精度を向上させるためのものである。具体的には、第二Ａｕ層５２の層厚は、２０ｎｍ〜２００ｎｍ、第二ハンダ層２０の層厚は、５μｍ〜１０μｍとされている。尚、この第二ハンダ層２０の上面はソルダーレジスト層１４の上面より低い位置となるようにされて、第二Ａｕ層５２の直上に形成されている。
【００３７】
次に、上記構成の配線基板１の製造に適用可能な製造方法について、その第一実施例を説明する。尚、図５及び図６は、第一実施例の製造方法に関する説明図であり、図５（ａ）は基板本体１０の構成を表す概略断面図、図５（ｂ）は洗浄工程に関する説明図である。また、図６（ａ）は、第一ハンダ印刷工程に関する説明図であり、図６（ｂ）は、フラックス塗布工程に関する説明図であり、図６（ｃ）は、第二ハンダ印刷工程に関する説明図であり、図６（ｄ）は、リフロー工程に関する説明図である。また、図７は、ハンダバンプ１８の形成過程を表した説明図である。この他、図８は、第二ハンダ層２０の形成過程を表した説明図である。
【００３８】
第一実施例においては、基板本体１０の作製工程（図５（ａ））、洗浄工程（図５（ｂ））、Ａｕメッキ工程、第一ハンダ印刷工程（図６（ａ））、フラックス塗布工程（図６（ｂ））、第二ハンダ印刷工程（図６（ｃ））、リフロー工程（図６（ｄ））の各工程を経て配線基板１を製造しているため、以下では、この順に各工程について説明する。ただし、基板本体１０は、周知の方法で作製されているため、ここでは簡単に説明することにする。
【００３９】
基板本体１０の作製工程では、まず基体２１の両面に、銅箔２５（１０〜１５μｍ程度）を形成する。この後、ドリルやレーザー等で基体２１にスルーホール（貫通孔）を形成し、銅箔２５が形成された基体２１の両面及びスルーホール内の側面に銅メッキ２６を施して、基体２１の両面の銅メッキ２６をスルーホールを介して接続する。更に、基体２１上の銅メッキ２６表面を粗化し、スルーホールを充填材２７（例えば、エポキシ樹脂）にて充填する。
【００４０】
そして、両面の銅メッキ２６上にエッチングレジスト層（図示せず）を形成し、配線パターンに対応するガラスマスクを用いて露光、現像処理を施すことにより、エッチングレジスト層を一部除去し、更に、このエッチングレジスト層上部からエッチング液を用いてエッチング処理を施すことにより、銅メッキ２６及びそれより下層の上記銅箔２５を一部除去して、銅メッキ２６による配線層（配線パターン）を形成する。
【００４１】
この後、残留するエッチングレジスト層を基体２１から除去して、銅メッキ２６を表面粗化し、この上に絶縁フィルムによる樹脂絶縁層２９を形成する。この樹脂絶縁層２９の形成後、露光、現像により一部の樹脂絶縁層２９を除去してビア３１（孔）を形成し、更に、樹脂絶縁層２９を熱硬化、表面粗化する。そして、樹脂絶縁層２９の表面に所定のパターンのめっきレジストを形成し、選択的に銅メッキ３３を施し、一層目の銅メッキ２６（配線層）に接続するようにして、二層目の配線層（配線パターン）を形成する。また更に、この二層目の配線層が形成された基体２１上に樹脂絶縁層３５を形成する。尚、このような方法（公知のフォトリソグラフィ技術、アディティブ法、サブトラクティブ法など）で銅メッキによる配線層（配線パターン）の形成及び樹脂絶縁層の形成を繰り返すことにより多層に配線層を形成する。また、最上層の配線層には、十字状の銅メッキを形成することにより、アライメントマーク１３を設ける。
【００４２】
このようにして最上層の配線層を形成した後には更に、最上層の配線層を構成する銅メッキ２２，２３の表面を粗化し、その配線層の上にソルダーレジスト層１４を形成する。このソルダーレジスト層１４の形成後には、露光、現像により、配列するパッド１１，１２及びアライメントマーク１３表面のソルダーレジスト層１４のみを選択的に除去して上記凹部１５，１６，１７を形成する。これにより、銅メッキ２２，２３の表面の一部が露出されてソルダーレジスト層１４に周囲を包囲されるパッド１１，１２が完成する。また、アライメントマーク１３の表面は外部に露出される。
【００４３】
このパッド１１，１２及びアライメントマーク１３の形成後には、ソルダーレジスト層１４に対して熱硬化、表面粗化などの処理を施す。以上の処理により、ＦＣパッド１１とＢＧＡパッド１２とを下層の配線層を介して電気的に接続する基板本体１０が完成する（図５（ａ））。また、このように基板本体１０が完成した後においては、洗浄工程に処理を移行する。
【００４４】
洗浄工程では、過硫酸ナトリウム溶液にパッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１２）及びアライメントマーク１３の表面を浸すことにより、パッド１１，１２及びアライメントマーク１３の表面をソフトエッチングし、パッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面の酸化膜などの不純物を除去する。また、硫酸にパッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１２）表面及びアライメントマーク１３表面を浸すことにより、パッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面を洗浄し、パッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面の酸化膜やその他の不純物などをパッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面から除去する。
【００４５】
尚、この工程は、主に、パッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面を洗浄することにより酸化膜を除去するとともに、表面の平滑性を高めるためのものである。このように酸化膜を除去するとともに平滑性を向上させることで、この後のハンダ層形成時におけるハンダ濡れ性を良くことが可能となる。本実施例では、二種類の溶液（過硫酸ナトリウム溶液及び硫酸）を用いて酸化膜を除去し、不純物をパッド１１，１２表面及びアライメントマーク１３表面から除去するようにしているが、いずれか一方の溶液を用いるだけでも酸化膜、不純物の除去は十分可能であり、洗浄工程では、過硫酸ナトリウム溶液による洗浄、硫酸による洗浄、一方だけ行っても良い。
【００４６】
この洗浄工程後には、Ａｕメッキ工程にて、それぞれパッド（ＦＣパッド１１及びＢＧＡパッド１２）及びアライメントマーク１３表面に対して、直接Ａｕメッキを施し、それぞれ第一Ａｕ層５１および第二Ａｕ層５２を形成させる。そして、このＡｕメッキ工程後に、図６（ａ）に示す第一ハンダ印刷工程に移行する。
第一ハンダ印刷工程では、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１及びアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２へ、直接ハンダペースト４１をスクリーン印刷（則ち、ハンダ印刷）する。尚、この第一Ａｕ層５１及び第二Ａｕ層５２へのハンダ印刷では、ＦＣパッド１１に対応する配列パターンの貫通孔４３及び、アライメントマーク１３の交差部１３ａ（図４（ａ）に示す中央点線部分）に対応する位置に形成された貫通孔４４を有するメタルマスク４５（図７，図８参照）が用いられる。貫通孔４３，４４の開口径及びメタルマスク４５の厚みは、形成するハンダバンプ１８の形状及び第二ハンダ層２０の形状に合わせて設定されている。
【００４７】
第一ハンダ印刷工程では、基板本体１０の第二主表面を下側にして載置台４７に載置した後、図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように、メタルマスク４５を基板本体１０上面（即ち第一主表面）に載置し、ハンダペースト４１を、そのメタルマスク４５の上面から塗布することにより、貫通孔４３，４４を介してＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面及び、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２の交差部１３ａ表面にハンダペースト４１を直接印刷する。図７（ａ）は、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面におけるハンダペースト４１の印刷態様を表した説明図であり、図８（ａ）は、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面におけるハンダペースト４１の印刷態様を表した説明図である。
【００４８】
尚、第一ハンダ印刷工程において塗布するハンダペースト４１には、ＦＣパッド１１表面上に形成するハンダバンプ１８の形状に合わせてフラックスが混合されている。つまり本実施例においては、ソルダーレジスト層１４より突出する形状のハンダバンプ１８を形成するために、リフロー時に必要以上に濡れ広がらないようなハンダ濡れ性を有するハンダペースト４１をＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１及びアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２の交差部１３ａに塗布している。また、第一実施例では、上記メタルマスク４５を用いることにより、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面のハンダペースト４１の印刷量を、配線基板完成時のハンダバンプ１８がソルダーレジスト層１４より突出する量に調整している。また、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面のハンダペースト４１の印刷量を、配線基板完成時の第二ハンダ層２０の上面がソルダーレジスト層１４の上面より低くなる量に調整している。
【００４９】
そして、このハンダペーストの印刷後には、図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すように、メタルマスク４５を基板本体１０から取り除き、基板本体１０を図６（ａ）に示すような状態とする。
またこの後、第二Ａｕ層５２表面にフラックスを塗布する（図６（ｂ）に示すフラックス塗布工程）。つまり、ここでは、第一主表面のアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２部分にのみ図８（ｂ）に示すようにフラックスを塗布し、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１には、フラックスを塗布しない。尚、フラックス塗布は、メタルマスクによるスクリーン印刷法により行ってもよい。
【００５０】
第一ハンダ印刷工程後、このような処理を施すのは、光学読取装置７にてアライメントマーク１３の形状を光学的に精度よく読み取るためである。
第一実施例では、上述のようにハンダバンプ１８の形状に合わせて、塗布するハンダペーストの種類を選択しているから、そのまま同種類のハンダペースト４１をアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２に印刷してリフローするだけでは、第二ハンダ層が図１０（ａ）に示すように盛り上がってしまい、この結果として光学読取装置７からの入射光が第二ハンダ層２０表面で散乱し、反射光にてアライメントマーク１３の形状を光学的に精度よく読み取れなくなってしまう（図１０（ｂ））。
【００５１】
そこで、本実施例では、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１にはフラックスを塗布しないことにより、該第一Ａｕ層５１に印刷したハンダペースト４１がリフロー時に必要以上に濡れ広がらないようにして、ソルダーレジスト層１４より突出する形状のハンダバンプ１８を形成できるようにし、一方で、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２にはフラックスを塗布することにより、交差部１３ａに印刷したハンダペースト４１がリフロー時に第二Ａｕ層５２表面全面に均一濡れ広がるようにし、第二ハンダ層２０の上面を平坦に形成できるようにしている。
【００５２】
このようにしてフラックス塗布工程が完了すると、基板本体１０を裏返し、第一主表面を下側にして載置台４７に載置した後に、ＢＧＡパッド１２に対応するパターンの貫通孔を有するメタルマスク４９を、基板本体１０の第二主表面に載置し、この後、メタルマスク４９の上面からハンダペースト４１を塗布することにより、貫通孔を介してＢＧＡパッド１２表面に形成された第一Ａｕ層５１表面にハンダペースト４１を直接印刷する（第二ハンダ印刷工程）。尚、図６（ｃ）は、ＢＧＡパッド１２表面に形成された第二Ａｕ層５２表面にハンダペースト４１を印刷する際における基板本体１０の態様を表した説明図である。
【００５３】
上記ＦＣパッド１１へのハンダ印刷時と同様、第二ハンダ印刷工程においては、ＢＧＡパッド１２用に貫通孔の開口径、厚みなどを設定して上記メタルマスク４９を形成し、そのメタルマスク４９を用いることにより、ハンダペースト４１の印刷量を、配線基板完成時のハンダボール取付用ハンダ層１９の上面がソルダーレジスト層１４上面より低くなる量に調整している。
【００５４】
また、上記載置台４７は、基板本体１０の第一主表面のＦＣパッド１１が形成された中央部に接触しないようにして、ＦＣパッド１１が形成されていない基板本体１０の端部を支持する構成にされており、本実施例では、この載置台４７を用いて、ＦＣパッド１１及びアライメントマーク１３を有する第一主表面、ＢＧＡパッド１２を有する第二主表面の順にハンダ印刷を行うことにより、基板本体１０の第一主表面に印刷されたハンダペースト４１を崩さずに両面のハンダ印刷を行うようにしている。
【００５５】
この後、リフロー工程において、両面がハンダ印刷された基板本体１０をリフロー炉内に収容し（図６（ｄ））、そのリフロー炉内でハンダペースト４１を加熱してリフローすることにより、図７（ｃ）に示すようにＦＣパッド１１表面上にフリップチップ実装用のハンダバンプ１８を形成し、図８（ｃ）に示すようにアライメントマーク１３表面上に、上面が平坦な第二ハンダ層２０を形成し、ＢＧＡパッド１２表面上にハンダボール取付用ハンダ層１９を形成する。以上のような工程を経て配線基板１は完成する。
【００５６】
また、このように製造された配線基板１のＦＣパッド１１には、周知の技法にて、ＩＣチップ３が載置された状態で、ハンダバンプ１８が溶解され、これによりＩＣチップ３がＦＣパッド１１に接合される。この他、配線基板１のＢＧＡパッド１２には、ハンダボール５が載置された状態で、ハンダボール取付用ハンダ層１９が溶解され、これによりハンダボール５がＢＧＡパッド１２に接合される。また同時に、ハンダボール５はプリント基板９（マザーボード等）の入出力端子と接合され、これにより配線基板１は、プリント基板９（マザーボード等）に接合される。
【００５７】
以上、配線基板１の構成、及びその製造方法について説明したが、この配線基板１によれば、アライメントマーク１３表面上に第二Ａｕ層５２を介して第二ハンダ層２０を形成しているので、従来のようにＮｉメッキ層を形成しなくても、製造コストの観点より制約される第二Ａｕ層５２の層厚に係わりなく、光学読取装置７にてアライメントマーク１３の位置を精度よく読み取ることができる。
【００５８】
特に、第一実施例では、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面へのハンダ印刷と同時に、同じハンダペースト４１を用いてアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面にハンダ印刷を行い、第二ハンダ層２０を形成しているから、配線基板１の製造工程数が少なくてすみ、その第二Ａｕ層５２表面の被覆が簡便に行える。
【００５９】
また、第一実施例では、ハンダペースト４１を印刷した後、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面にフラックスを塗布することによって、該第二Ａｕ層５２表面に印刷したハンダペーストのハンダ濡れ性を良くし、第二ハンダ層２０が、ソルダーレジスト層１４の上面より低く、しかも上面全体が平坦になるようにしているので、光学読取装置７でのアライメントマーク１３の読み取りが良好に行える。
【００６０】
つまり、上記製造方法で作製した配線基板１では、アライメントマーク１３表面の第二ハンダ層２０の上面が、図４（ｂ）に示すように平坦状になるから、光学読取装置７は、図１に示すように照射光をアライメントマーク１３に当てて、そのアライメントマーク１３を読み取った場合、図４（ｃ）にしめすように、そのアライメントマーク１３の形状を、実際の形状（点線）と略同様の実線形状のように認識することができる。したがって、第一実施例の製造方法で作製した配線基板１においては、光学読取装置７がアライメントマーク１３を正確に読み取れないためＩＣチップを実装できないなどといった事態が発生するのを防止することができる。
【００６１】
また、本実施例の配線基板１では、第二ハンダ層２０の上面がソルダーレジスト層１４の上面よりも低くなるように形成されているので、ＩＣチップ３等のアセンブリの際に、第二ハンダ層２０が邪魔にならなくて済む。
尚、本実施例では、アライメントマーク１３が十字形状の配線基板１及びその製造方法について説明したが、本発明は、その他の形状（三角形状など）のアライメントマークを有する配線基板にも適用することが可能である。
【００６２】
また、配線基板１を製造する際には、必ずしも上記手順でフラックスを塗布しなくてもよく、第一ハンダ印刷工程とフラックス塗布工程との順序を入れ替えてもよい。つまり、フラックス塗布工程として、ハンダ印刷前のアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面にフラックスの塗布を行い、この後に、第一ハンダ印刷工程として、ＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面及びアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面に上記方法でハンダペースト４１を印刷してもよい。
【００６３】
このようにフラックス塗布をハンダ印刷前に行っても、フラックス塗布後にハンダ印刷を行う上記第一実施例と同様に、配線基板１を製造することができて、第一実施例の製造方法と同様の効果を得ることができる。
その他、図９に示すような手順で第二ハンダ層２０を形成してもよい。図９は、配線基板１の製造に適用可能な製造方法の第二実施例に関して、特にアライメントマーク１３上の第二ハンダ層２０の形成過程を表す説明図である。以下では、第二実施例について、第一実施例とは異なる部分を主に説明することにし、同一部分に関しては省略することにする。
【００６４】
第二実施例では、まず、上述の第一実施例と同様、基板作製工程にて図５（ａ）に示すような基板本体１０を作製し、この後に、洗浄工程として、図５（ｂ）に示すように、パッド１１，１２及びアライメントマーク１３表面を洗浄する。そして、洗浄工程の後、Ａｕメッキ工程にて、それぞれパッド１１，１２及びアライメントマーク１３表面に対して、直接Ａｕメッキを施し、それぞれ第一Ａｕ層５１および第二Ａｕ層５２を形成させる。
このＡｕメッキ工程を終えると続く第一ハンダ印刷工程にて、図６（ａ）に示すようにＦＣパッド１１表面に形成された第一Ａｕ層５１表面にハンダペースト４１を直接印刷し、同時に、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面にも、フラックス塗布を行うことなくハンダペースト４１を直接印刷する（図９（ａ））。そして、メタルマスク４５を取り除く（図９（ｂ））。尚、図９（ａ）は、第一ハンダ印刷工程におけるハンダペースト４１の塗布態様を表す説明図であり、図９（ｂ）は、第一ハンダ印刷工程完了後のアライメントマーク１３表面の構成を表す説明図である。この第一ハンダ印刷工程において、第一Ａｕ層５１表面及び第二Ａｕ層５２表面には同一種類のハンダペースト４１が印刷される。
【００６５】
第一ハンダ印刷工程を終えると、フラックス塗布工程をスキップして、第二ハンダ印刷工程に処理を移行し、その第二ハンダ印刷工程にて、ＢＧＡパッド１２表面に形成された第一Ａｕ層５１表面にハンダペースト４１を直接印刷する（図６（ｃ））。また、この第二ハンダ印刷工程後、リフロー工程にて、ＦＣパッド１１表面上及びＢＧＡパッド１２表面上及びアライメントマーク１３表面上のハンダペースト４１をリフローする（図６（ｄ））。
【００６６】
この状態において、ＦＣパッド１１表面上にはハンダバンプ１８が完成し、ＢＧＡパッド１２表面上にはハンダボール取付用ハンダ層１９が完成する。一方、アライメントマーク１３表面上には、フラックスを塗布せずにリフローしたので、全体的に盛り上がった形状の未完成の第二ハンダ層２０’が形成される（図９（ｃ））。尚、図９（ｃ）は、リフロー工程後のアライメントマーク１３表面の構成を表す説明図である。
【００６７】
勿論、この状態では光学読取装置７でのアライメントマーク１３の読取が好ましくないので、第二実施例では、リフロー工程後、図９（ｄ）に示すように、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２にフラックスを塗布する（フラックス塗布工程）。尚、図９（ｄ）は、リフロー工程後のアライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２表面へのフラックス塗布の態様を表す説明図である。
【００６８】
そして、このフラックス塗布後に、再度、基板本体１０をリフロー炉内に収容して、ハンダバンプ１８、ハンダボール取付用ハンダ層１９と共に、フラックスが塗布された未完成の第二ハンダ層２０’をリフローする（再リフロー工程）。このようにフラックス塗布後、アライメントマーク１３表面上の第二ハンダ層２０’を再度リフローすると、未完成の第二ハンダ層２０’は、図９（ｅ）に示すように、アライメントマーク１３表面に形成された第二Ａｕ層５２全面に濡れ広がり、上面が平坦状の第二ハンダ層２０が完成する。そして、配線基板１は完成する。
【００６９】
以上、第二実施例について説明したが、この製造方法では、基板作製工程、洗浄工程、Ａｕメッキ工程、第一ハンダ印刷工程、第二ハンダ印刷工程、リフロー工程、フラックス塗布工程、再リフロー工程の順に各工程を行うことにより、配線基板１を製造しているため、第一実施例の製造方法と比較すると、二度のリフロー工程をおこわなければならないという欠点がある。しかしながら、フラックス塗布をリフロー工程の後に行えばよいので、製造ラインを、既存の製造ラインから変更して組み立てるのが容易で、便利である。
【００７０】
尚、本発明の第一ハンダ層は、上記実施例のＦＣパッド１１上のハンダバンプ１８や、ＢＧＡパッド１２上のハンダボール取付用ハンダ層１９に相当する。また、本発明の導体パターンは、上記実施例のアライメントマーク１３に相当する。また、本発明の第二リフロー工程は、上記実施例の再リフロー工程に相当する。
【００７１】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明の配線基板及びその配線基板の製造方法は、上記実施例に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。
例えば、上記実施例では、ＦＣパッド１１が形成された基板本体１０の第一主表面のアライメントマーク１３表面上に第二Ａｕ層５２を介して第二ハンダ層２０を形成した配線基板１の例について説明したが、勿論、ＢＧＡパッド１２側にアライメントマークが形成されている場合には、そのアライメントマークにも、上記実施例と同様の手順で、第二ハンダ層を形成するのが良い。
【００７２】
この他、ハンダバンプ１８及びハンダボール取付用ハンダ層１９及び第二ハンダ層２０には、Ｓｎ−ＡｇやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ等の共晶ハンダを用いても構わない。
【００７３】
また、上述した配線基板１の製造に適用可能な製造方法の実施例は、配線基板１の製造に限定されるものではない。具体的には、リフロー工程における過度のＡｕ流れに起因して、最終的に製造される配線基板において、Ａｕメッキ工程にて形成した第一Ａｕ層や第二Ａｕ層すべてが消滅したり部分的に残存するような形態となるものに対しても上記実施例は上記同内容の効果をもって有為に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施例の配線基板１の側面の構成を表す概略側面図。
【図２】 基板本体１０の第一主表面及び第二主表面の構成に関する説明図。
【図３】 配線基板１の断面の構成を概略的に表す概略断面図。
【図４】 アライメントマーク１３の構成に関する説明図。
【図５】 第一実施例の配線基板１の製造方法に関する説明図。
【図６】 第一実施例の配線基板１の製造方法に関する説明図。
【図７】 ハンダバンプ１８の形成過程を表す説明図。
【図８】 第二ハンダ層２０の形成過程を表す説明図。
【図９】 第二実施例の配線基板１の製造方法に関する説明図。
【図１０】 第二ハンダ層を盛り上げて形成した際における第二ハンダ層１２０の構成を表す概略断面図（同図（ａ））と、そのアライメントマークの読取結果に関する説明図（同図（ｂ））。
【符号の説明】
１…配線基板、３…ＩＣチップ、５…ハンダボール、７…光学読取装置、９…プリント基板、１０…基板本体、１１…ＦＣパッド、１２…ＢＧＡパッド、１３…アライメントマーク、１３ａ…交差部、１４…ソルダーレジスト層、１５，１６，１７…凹部、１８…ハンダバンプ、１９…ハンダボール取付用ハンダ層、２０…第二ハンダ層、２１…基体、２２，２３，２６，３３…銅メッキ、２５…銅箔、２７…充填材、２９，３５…樹脂絶縁層、３１…ビア、４１…ハンダペースト、４３，４４…貫通孔、４５，４９…メタルマスク、４７…載置台、５１…第一Ａｕ層、５２…第二Ａｕ層

Claims (4)

1. 配線構造を有する基板本体と、
   該基板本体表面に配列された銅製のパッドと、
   該パッド表面に接触し、かつ、該パッド表面を被覆する第一Ａｕ層と、
   該第一Ａｕ層の直上に位置し、かつ、前記パッド表面を被覆する第一ハンダ層と、
   前記基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンと、
   該導体パターン表面に接触し、かつ、該導体パターン表面を被覆する第二Ａｕ層と、
   該第二Ａｕ層の直上に位置し、かつ、前記導体パターン表面を被覆する第二ハンダ層と、
   を備えることを特徴とする配線基板。
2. 前記パッドおよび前記導体パターンは、それぞれの周縁が前記基板本体表面に形成されたソルダーレジスト層に包囲されており、
   前記導体パターン表面を被覆する前記第二ハンダ層は、その上面が前記ソルダーレジスト層の上面よりも低くなるように形成されてなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 配線構造を有する基板本体の表面に配列された銅製のパッド、および、該基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンの表面に、それぞれＡｕ層およびハンダ層をこの順序にて積層形成させる配線基板の製造方法であって、
   前記基板本体に形成された前記パッドおよび前記導体パターンの表面に、直接、Ａｕメッキを施し、前記Ａｕ層を形成するＡｕメッキ工程と、
   該Ａｕメッキ工程の後、前記Ａｕ層の表面に、ハンダペーストを直接印刷するハンダ印刷工程と、
   前記Ａｕメッキ工程の後、前記導体パターンの表面に形成された前記Ａｕ層の表面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
   前記ハンダ印刷工程および前記フラックス塗布工程の後に、前記ハンダペーストをリフローし、前記ハンダ層を形成するリフロー工程と、
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
4. 配線構造を有する基板本体の表面に配列された銅製のパッド、および、該基板本体表面に形成された該基板本体の基準位置を表す銅製の導体パターンの表面に、それぞれＡｕ層およびハンダ層をこの順序にて積層形成させる配線基板の製造方法であって、
   前記基板本体に形成された前記パッドおよび前記導体パターンの表面に、直接、Ａｕメッキを施し、前記Ａｕ層を形成するＡｕメッキ工程と、
   前記Ａｕメッキ工程の後、前記Ａｕ層の表面に、ハンダペーストを直接印刷するハンダ印刷工程と、
   該ハンダ印刷工程の後、前記ハンダペーストをリフローする第一リフロー工程と、
   該第一リフロー工程の後、前記導体パターンの表面に形成された前記Ａｕ層の表面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
   該フラックス塗布工程の後、前記フラックスが塗布された前記Ａｕ層の表面のハンダをリフローし、前記パッドおよび前記導体パターンの表面上に、前記ハンダ層を形成する第二リフロー工程と、
   を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

Images