JP3888800B2 - アセチレン化合物、液晶組成物および液晶素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なアセチレン化合物に関する。さらに詳しくは、液晶表示素子などに用いる液晶組成物の成分として有用な新規なアセチレン化合物、該化合物を含有する液晶組成物および該液晶組成物を使用した液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は薄型軽量で消費電力が低いため、種々の用途のディスプレイとして利用されている。
現在、液晶表示素子としては、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型表示方式が最も広汎に使用されている。しかしながら、このＴＮ型表示方式は、応答時間が１０〜５０ｍ秒と低速なため、応答時間の点において、発光型素子（陰極管、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等）と比較して劣っている。また、ねじれ角を１８０〜２７０゜にしたＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型表示素子も開発されているが、応答時間はやはり劣っている。この様に種々の改善の努力が行われているが、応答時間の短いＴＮ型表示素子は実現には到っていない。
しかしながら、近年、盛んに研究が進められているスメクチック液晶（強誘電性液晶）を用いる新しい表示方式に於いては、著しい応答時間の改善の可能性がある〔N.A.Clarkら;Applied Phys.lett.,36,899(1980)〕。
【０００３】
この方式は、強誘電性を示すカイラルスメクチックＣ相等のカイラルスメクチック相を利用する方式である。強誘電性を示す相はカイラルスメクチックＣ相のみではなく、カイラルスメクチックＦ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相が強誘電性を示す強誘電性液晶相であることが知られている。これらのスメクチック液晶相は、チルト系のカイラルスメクチック相に属するものであるが、実用的には、その中で低粘性であり、高速応答性が期待されるカイラルスメクチックＣ相の利用が検討されている。
また、カイラルスメクチックＣ相の高次の相である、カイラルスメクチックＣＡ相（反強誘電性相）を利用した表示方式に関しても近年盛んに研究が行われている〔L.Chandaniら；Jpn.J.Appl.Phys.,27,L729(1988)〕。
【０００４】
さらには、反強誘電性の液晶化合物または液晶組成物において、閾値の無いＶ字特性の応答を示すスメクチック液晶（ＴＬＡＦＬＣ）も見出されており、これを応用した表示方式に関しても盛んに研究が行われている〔S.Inuiら；J.Mater.Chem.，6,71(1996)〕。
【０００５】
これらチルト系のカイラルスメクチック相を示す液晶化合物は、これまでにも種々検討されており、既に数多くの化合物が探索、製造されている。しかしながら、高速応答性の液晶素子として、実際に使用するためには、
（ａ）室温を含む幅広い温度範囲でチルト系のカイラルスメクチック相を示すこと、
（ｂ）粘性が低いこと、
（ｃ）適当なチルト角を有すること、
（ｄ）自発分極がある程度大きいこと、
（ｅ）配向性が良好なこと、
等の条件を満たす必要があり、これらを単独で満足する化合物は得られていない。
【０００６】
このため、チルト系のカイラルスメクチック相を示す液晶化合物は、他のチルト系のカイラルスメクチック相またはチルト系のスメクチック相を示す幾つかの液晶化合物と混合してチルト系のカイラルスメクチック相を示す液晶組成物として用いられるが、いずれにせよチルト系のカイラルスメクチック相を示す液晶化合物としては、温度範囲が幅広いこと、粘性が小さいことと、ある程度以上大きな自発分極を有することが必要である。
【０００７】
チルト系のカイラルスメクチック相を示す化合物としては、例えば、下記の化合物（化７）が知られている〔特開昭５９−２１９２５１号公報（米国特許第４５９６６６７号、米国特許第４８２０４４４号）〕。
【０００８】
【化７】

〔上記式に於いて、ｍは０，１または２であり、Ｒ＊は光学活性アルキル基を示し、環Ａは１，４−フェニレン基または１，４−トランスシクロヘキシレン基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖アルキル基、またはアルコキシ基を表す〕
しかしながら、本発明者等が、該化合物に関して検討を行ったところ、Ｘがアルコキシ基である化合物は、カイラルスメクチック相（カイラルスメクチックＣ相）の上限温度が高いものの、粘性が高く、また、Ｘがアルキル基である化合物は、粘性は低いが、カイラルスメクチック相の上限温度が低いという問題点があった。
【０００９】
また、下記の化合物（化８）〔特開昭６０−３２７４８号公報（米国特許第４５７６７３２号）、特開平０３−８３９５１号公報（米国特許第５１１６５３１号）〕に関しても、光学活性基と反対側の長鎖部位（化８中のＲ）がアルコキシ基であると、上限温度が高いが、粘性も高く、アルキル基であると、粘性は低いが、上限温度も低いという問題点があった。
【００１０】
【化８】

〔式中、Ｒは炭素数が２０以下のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、Ｒ＊は光学活性基で、不斉炭素を含むものである。また、ｍ、ｎは自然数である。但し、ｍ＝ｎ＝１のときＲは炭素数７以上である〕
【００１１】
さらには、下記骨格を有する化合物（化９）（例えば、特開平４−１０３５６０号公報）の場合にも、本発明者等が、下記Ｒで表される末端基をアルキル基の化合物とアルコキシ基の化合物とで比較したところ、アルコキシ基の化合物は上限温度は高いが、粘性が高く、アルキル基の化合物は粘性が低いが、上限温度が低いという問題点があることが判明した。
【００１２】
【化９】

【００１３】
以上のように従来より知られている化合物は、光学活性でない末端基が−Ｏ−結合（アルコキシ）または単結合（アルキル）で結合しているものが多く、これらの化合物の場合、高い上限温度と、低い粘性を兼ね備えることは不可能であった。
【００１４】
また、アセチレン結合を結合基として導入した化合物も知られている（特開平８−８１４１７号公報）。しかしながら、該化合物に関する明細書中には、直鎖末端基をアセチレン結合で連結した化合物に関しては何ら言及されておらず、不斉炭素を有する基をアセチレン結合で結合させた化合物のみが記されている。また、アセチレン結合を介して光学活性基を導入した化合物の場合、液晶分子の光学活性部位と中心骨格の間がアセチレン結合であるため、この間に大きな双極子を導入することが不可能となり、大きな自発分極を示す化合物が得られないという問題があった。
【００１５】
以上のように、従来のチルト系のカイラルスメクチック相を示す液晶化合物および液晶組成物は、その液晶温度範囲、粘性、自発分極等の物性において、まだ不十分であり、その改善が望まれている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、スメクチック液晶素子の実用化のために、スメクチック液晶組成物に配合した際に、高速応答性、広いスメクチック液晶温度範囲、高いコントラスト比等の諸特性を改善するに適した化合物および該化合物を含有してなる液晶組成物、該組成物を使用した液晶素子を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ある種のアセチレン化合物を見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明は一般式（１）（化１０）で表されるアセチレン化合物に関するものであり、さらに、一般式 （１）で表されるアセチレン化合物を少なくとも１種含有する液晶組成物、該組成物を一対の電極基板間に配置してなる液晶素子に関するものである。
【００１８】
【化１０】

〔式中、ｍは２〜２４の整数を表し、Ｒ₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数３〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニル基、あるいは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニルオキシアルキル基を表し、Ｒ₁は不斉炭素を有していてもよく、該不斉炭素は光学活性であってもよく、Ａは
【００１９】
【化１１】

より選ばれる基を表し、
Ｂは
【００２０】
【化１２】

より選ばれる基を表し、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｚ₁は−ＣＯＯ−基または−ＣＨ₂Ｏ−基を表し、Ｙ₁は
−Ｏ−基、−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基を表し、Ｙ₂は−ＣＨ₂Ｏ−基、
−ＯＣＨ₂−基、−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基を表す〕。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物はＹ₁の構造に応じて、以下に示す（１−Ａ）、（１−Ｂ）および（１−Ｃ）の３種の構造に大別される。
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−Ｚ₁−Ｂ−ＣＯＯ−Ｒ₁ （１−Ａ）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−Ｚ₁−Ｂ−ＯＣＯ−Ｒ₁ （１−Ｂ）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−Ｚ₁−Ｂ−Ｏ−Ｒ₁ （１−Ｃ）
【００２２】
また、Ｚ₁の構造によって以下に示す（１−Ａ１）、（１−Ａ２）、（１−Ｂ１）、（１−Ｂ２）、（１−Ｃ１）および（１−Ｃ２）の６種に大別される。
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＯＯ−Ｂ−ＣＯＯ−Ｒ₁ （１−Ａ１）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＨ₂Ｏ−Ｂ−ＣＯＯ−Ｒ₁ （１−Ａ２）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＯＯ−Ｂ−ＯＣＯ−Ｒ₁ （１−Ｂ１）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＨ₂Ｏ−Ｂ−ＯＣＯ−Ｒ₁ （１−Ｂ２）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＯＯ−Ｂ−Ｏ−Ｒ₁ （１−Ｃ１）
ｎ−Ｃ_mＨ_2m+1−Ｃ≡Ｃ−Ａ−ＣＨ₂Ｏ−Ｂ−Ｏ−Ｒ₁ （１−Ｃ２）
【００２３】
これらの化合物はいずれも液晶組成物の構成成分として有用である。
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ｙ₁およびＺ₁の組み合わせは、好ましくは、上記一般式（１−Ａ１）または一般式（１−Ａ２）で表されるＹ₁が−ＣＯＯ−基であり、Ｚ₁が−ＣＯＯ−基または−ＣＨ₂Ｏ−基である組み合わせ、および、上記一般式（１−Ｃ１）および一般式（１−Ｃ２）で表されるＹ₁が−Ｏ−基であり、Ｚ₁が−ＣＯＯ−基または−ＣＨ₂Ｏ−基で表される組み合わせである。また、液晶組成物として反強誘電性を発現する液晶組成物を目的とする際には、上記一般式（１−Ａ１）および一般式（１−Ａ２）で表される化合物がより好ましい。
【００２４】
さらに、本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、ＡおよびＢで表される基の組み合わせは、
【００２５】
【化１３】

【００２６】
【化１４】

【００２７】
【化１５】

【００２８】
【化１６】

【００２９】
【化１７】

【００３０】
【化１８】

【００３１】
の２０通りの組み合わせがある。ＡとＢの組み合わせにおいて、好ましい組み合わせは、芳香族の数が合計で３個以内である上記(1)〜(6)および(9)〜(20)で表される組み合わせであり（ナフタレン環、テトラヒドロナフタレン環も１つの芳香環として数える）、Ａが、
【００３２】
【化１９】

である上記(1)〜(6)で表される組み合わせが好ましい。
【００３３】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、ｍは２〜２４の整数を表す。好ましくは、２〜２０であり、より好ましくは、４〜１５であり、さらに好ましくは、４〜１２である。
【００３４】
また、本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ｒ₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数３〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニル基、あるいは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニルオキシアルキル基を表し、Ｒ₁は不斉炭素を有していてもよく、該不斉炭素は光学活性であってもよい。Ｒ₁の炭素数は好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５であり、さらに好ましくは、４〜１２である。
【００３５】
Ｒ₁は好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖または分岐鎖のアルキル基またはハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基を表し、より好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい分岐鎖のアルキル基、または、直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基を表し、さらに好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい不斉炭素を有する分岐鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシアルキル基、または、不斉炭素を有する分岐鎖のアルコキシアルキル基を表す。また、Ｒ₁が不斉炭素を有する基である場合、好ましくは、Ｒ₁は光学活性な不斉炭素を有する基である。
【００３６】
Ｒ₁で表される基の具体例としては、例えば、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘネイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基等の直鎖アルキル基、
【００３７】
１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、１−エチルプロピル基、１−ｎ−プロピルプロピル基、１−メチルブチル基、１−エチルブチル基、１−ｎ−プロピルブチル基、１−ｎ−ブチルブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、１−ｎ−プロピルペンチル基、１−ｎ−ブチルペンチル基、１−ｎ−ペンチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１−ｎ−プロピルヘキシル基、１−ｎ−ブチルヘキシル基、１−ｎ−ペンチルヘキシル基、１−ｎ−ヘキシルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−ｎ−プロピルヘプチル基、１−ｎ−ブチルヘプチル基、１−ｎ−ペンチルヘプチル基、１−ｎ−ヘキシルヘプチル基、１−ｎ−ヘプチルヘプチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルオクチル基、１−ｎ−プロピルオクチル基、１−ｎ−ブチルオクチル基、１−ｎ−ペンチルオクチル基、１−ｎ−ヘキシルオクチル基、１−ｎ−ヘプチルオクチル基、１−ｎ−オクチルオクチル基、１−メチルノニル基、１−エチルノニル基、１−ｎ−プロピルノニル基、１−ｎ−ブチルノニル基、１−ｎ−ペンチルノニル基、１−ｎ−ヘキシルノニル基、１−ｎ−ヘプチルノニル基、１−ｎ−オクチルノニル基、１−ｎ−ノニルノニル基、１−メチルデシル基、２−メチルプロピル基、２−メチルブチル基、２−エチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−エチルペンチル基、２−ｎ−プロピルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−ｎ−プロピルヘキシル基、２−ｎ−ブチルヘキシル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、２−ｎ−プロピルヘプチル基、２−ｎ−ブチルヘプチル基、２−ｎ−ペンチルヘプチル基、２−メチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−プロピルオクチル基、２−ｎ−ブチルオクチル基、２−ｎ−ペンチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシルオクチル基、２−メチルノニル基、２−エチルノニル基、２−ｎ−プロピルノニル基、２−ｎ−ブチルノニル基、２−ｎ−ペンチルノニル基、２−ｎ−ヘキシルノニル基、２−ｎ−ヘプチルノニル基、２−メチルデシル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３，３−トリメチルブチル基、３−メチルブチル基、３−メチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、２，３，３，４−テトラメチルペンチル基、３−メチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、３，５，５，−トリメチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、６−メチルヘプチル基、３，７−ジメチルオクチル基、６−メチルオクチル基等の分岐アルキル基、
【００３８】
２−フルオロ−ｎ−ペンチル基、３−フルオロ−ｎ−ペンチル基、５−フルオロ−ｎ−ペンチル基、２，４−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２，５−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２−フルオロ−３−メチルブチル基、２−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、３−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、４−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、５−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、６−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、２−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、４−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、５−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、２−フルオロ−ｎ−オクチル基、３−フルオロ−ｎ−オクチル基、６−フルオロ−ｎ−オクチル基、４−フルオロ−ｎ−ノニル基、７−フルオロ−ｎ−ノニル基、３−フルオロ−ｎ−デシル基、６−フルオロ−ｎ−デシル基、４−フルオロ−ｎ−ドデシル基、８−フルオロ−ｎ−ドデシル基、５−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、９−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、２−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ヘキシル基、４−クロロ−ｎ−ヘプチル基、６−クロロ−ｎ−オクチル基、７−クロロ−ｎ−ノニル基、３−クロロ−ｎ−デシル基、８−クロロ−ｎ−ドデシル基、ｎ−パーフルオロペンチル基、ｎ−パーフルオロヘキシル基、ｎ−パーフルオロヘプチル基、ｎ−パーフルオロオクチル基、ｎ−パーフルオロノニル基、ｎ−パーフルオロデシル基、ｎ−パーフルオロウンデシル基、ｎ−パーフルオロドデシル基、ｎ−パーフルオロテトラデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−３−ペンタフルオロエチルパーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンタデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキサデシル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，６−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，７−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，８−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１，９−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１，１１−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、
【００３９】
２−（ｎ−パーフルオロプロピル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロブチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロペンチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘキシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘプチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロオクチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロデシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロノニル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロドデシル）エチル基、２−（パーフルオロ−９’−メチルデシル）エチル基、３−（パーフルオロエチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロプロピル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロブチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘキシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘプチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロオクチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロデシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロドデシル）プロピル基、４−（パーフルオロエチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロプロピル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロブチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロペンチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロオクチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロデシル）ブチル基、４−（パーフルオロイソプロピル）ブチル基、５−（ｎ−パーフルオロプロピル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロブチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロペンチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロオクチル）ペンチル基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロオクチル）ヘキシル基、６−（パーフルオロイソプロピル）ヘキシル基、６−（パーフルオロ−７’−メチルオクチル）ヘキシル基、７−（パーフルオロエチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロペンチル）ヘプチル基、１−（トリフルオロメチル）エチル基、１−（トリフルオロメチル）プロピル基、１−（トリフルオロメチル）ブチル基、１−（トリフルオロメチル）ペンチル基、１−（トリフルオロメチル）ヘキシル基、１−（トリフルオロメチル）ヘプチル基、１−（トリフルオロメチル）オクチル基、１−（トリフルオロメチル）ノニル基、１−（トリフルオロメチル）デシル基等のハロゲン原子で置換されたアルキル基、
【００４０】
メトキシメチル基、２−メトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシブチル基、５−メトキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、エトキシメチル基、２−エトキシエチル基、３−エトキシプロピル基、４−エトキシブチル基、５−エトキシペンチル基、６−エトキシヘキシル基、７−エトキシヘプチル基、８−エトキシオクチル基、９−エトキシノニル基、１０−エトキシデシル基、ｎ−プロピルオキシメチル基、２−ｎ−プロピルオキシエチル基、３−ｎ−プロピルオキシプロピル基、４−ｎ−プロピルオキシブチル基、５−ｎ−プロピルオキシペンチル基、６−ｎ−プロピルオキシヘキシル基、７−ｎ−プロピルオキシヘプチル基、８−ｎ−プロピルオキシオクチル基、９−ｎ−プロピルオキシノニル基、１０−ｎ−プロピルオキシデシル基、ｎ−ブチルオキシメチル基、２−ｎ−ブチルオキシエチル基、３−ｎ−ブチルオキシプロピル基、４−ｎ−ブチルオキシブチル基、５−ｎ−ブチルオキシペンチル基、６−ｎ−ブチルオキシヘキシル基、７−ｎ−ブチルオキシヘプチル基、８−ｎ−ブチルオキシオクチル基、９−ｎ−ブチルオキシノニル基、１０−ｎ−ブチルオキシデシル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、２−ｎ−ペンチルオキシエチル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、４−ｎ−ペンチルオキシブチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−ｎ−ペンチルオキシヘキシル基、７−ｎ−ペンチルオキシヘプチル基、８−ｎ−ペンチルオキシオクチル基、９−ｎ−ペンチルオキシノニル基、１０−ｎ−ペンチルオキシデシル基、ｎ−ヘキシルオキシメチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、５−ｎ−ヘキシルオキシペンチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、７−ｎ−ヘキシルオキシヘプチル基、８−ｎ−ヘキシルオキシオクチル基、９−ｎ−ヘキシルオキシノニル基、１０−ｎ−ヘキシルオキシデシル基、ｎ−ヘプチルオキシメチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、３−ｎ−ヘプチルオキシプロピル基、４−ｎ−ヘプチルオキシブチル基、５−ｎ−ヘプチルオキシペンチル基、６−ｎ−ヘプチルオキシヘキシル基、７−ｎ−ヘプチルオキシヘプチル基、８−ｎ−ヘプチルオキシオクチル基、９−ｎ−ヘプチルオキシノニル基、１０−ｎ−ヘプチルオキシデシル基、ｎ−オクチルオキシメチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、５−ｎ−オクチルオキシペンチル基、６−ｎ−オクチルオキシヘキシル基、７−ｎ−オクチルオキシヘプチル基、８−ｎ−オクチルオキシオクチル基、９−ｎ−オクチルオキシノニル基、１０−ｎ−オクチルオキシデシル基、ｎ−ノニルオキシメチル基、２−ｎ−ノニルオキシエチル基、３−ｎ−ノニルオキシプロピル基、４−ｎ−ノニルオキシブチル基、５−ｎ−ノニルオキシペンチル基、６−ｎ−ノニルオキシヘキシル基、７−ｎ−ノニルオキシヘプチル基、８−ｎ−ノニルオキシオクチル基、９−ｎ−ノニルオキシノニル基、１０−ｎ−ノニルオキシデシル基、ｎ−デシルオキシメチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、５−ｎ−デシルオキシペンチル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、７−ｎ−デシルオキシヘプチル基、８−ｎ−デシルオキシオクチル基、９−ｎ−デシルオキシノニル基、１０−ｎ−デシルオキシデシル基、２−ｎ−ウンデシルオキシエチル基、４−ｎ−ウンデシルオキシブチル基、６−ｎ−ウンデシルオキシヘキシル基、８−ｎ−ウンデシルオキシオクチル基、１０−ｎ−ウンデシルオキシデシル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、６−ｎ−ドデシルオキシヘキシル基、８−ｎ−ドデシルオキシオクチル基、１０−ｎ−ドデシルオキシデシル基、１−メチル−２−エトキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−プロピルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ブチルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ペンチルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−オクチルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ノニルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−デシルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ウンデシルオキシエチル基、１−メチル−２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−エトキシプロピル基、２−ｎ−プロピルオキシプロピル基、２−ｎ−ブチルオキシプロピル基、２−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、２−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、２−ｎ−ヘプチルオキシプロピル基、２−ｎ−オクチルオキシプロピル基、２−ｎ−ノニルオキシプロピル基、２−ｎ−デシルオキシプロピル基、２−ｎ−ウンデシルオキシプロピル基、２−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、
【００４１】
１−メチル−３−メトキシプロピル基、１−メチル−３−エトキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−プロピルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ブチルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ヘプチルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ノニルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−デシルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ウンデシルオキシプロピル基、１−メチル−３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−メトキシブチル基、３−エトキシブチル基、３−ｎ−プロピルオキシブチル基、３−ｎ−ブチルオキシブチル基、３−ｎ−ペンチルオキシブチル基、３−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、３−ｎ−ヘプチルオキシブチル基、３−ｎ−オクチルオキシブチル基、３−ｎ−ノニルオキシブチル基、３−ｎ−デシルオキシブチル基、３−ｎ−ウンデシルオキシブチル基、３−ｎ−ドデシルオキシブチル基、２−イソプロピルオキシエチル基、３−イソプロピルオキシプロピル基、４−イソプロピルオキシブチル基、５−イソプロピルオキシペンチル基、６−イソプロピルオキシヘキシル基、７−イソプロピルオキシヘプチル基、８−イソプロピルオキシオクチル基、９−イソプロピルオキシノニル基、１０−イソプロピルオキシデシル基、イソブチルオキシメチル基、２−イソブチルオキシエチル基、３−イソブチルオキシプロピル基、４−イソブチルオキシブチル基、５−イソブチルオキシペンチル基、６−イソブチルオキシヘキシル基、７−イソブチルオキシヘプチル基、８−イソブチルオキシオクチル基、９−イソブチルオキシノニル基、１０−イソブチルオキシデシル基、tert−ブチルオキシメチル基、２−tert−ブチルオキシエチル基、３−tert−ブチルオキシプロピル基、４−tert−ブチルオキシブチル基、５−tert−ブチルオキシペンチル基、６−tert−ブチルオキシヘキシル基、７−tert−ブチルオキシヘプチル基、８−tert−ブチルオキシオクチル基、９−tert−ブチルオキシノニル基、１０−tert−ブチルオキシデシル基、
【００４２】
（２−エチルブチルオキシ）メチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、３−（２’−エチルブチルオキシ）プロピル基、４−（２’−エチルブチルオキシ）ブチル基、５−（２’−エチルブチルオキシ）ペンチル基、６−（２’−エチルブチルオキシ）ヘキシル基、７−（２’−エチルブチルオキシ）ヘプチル基、８−（２’−エチルブチルオキシ）オクチル基、９−（２’−エチルブチルオキシ）ノニル基、１０−（２’−エチルブチルオキシ）デシル基、（３−エチルペンチルオキシ）メチル基、２−（３’−エチルペンチルオキシ）エチル基、３−（３’−エチルペンチルオキシ）プロピル基、４−（３’−エチルペンチルオキシ）ブチル基、５−（３’−エチルペンチルオキシ）ペンチル基、６−（３’−エチルペンチルオキシ）ヘキシル基、７−（３’−エチルペンチルオキシ）ヘプチル基、８−（３’−エチルペンチルオキシ）オクチル基、９−（３’−エチルペンチルオキシ）ノニル基、１０−（３’−エチルペンチルオキシ）デシル基、６−（１’−メチル−ｎ−ヘプチルオキシ）ヘキシル基、４−（１’−メチル−ｎ−ヘプチルオキシ）ブチル基、
【００４３】
２−（２’−メトキシエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−プロピルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−イソプロピルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−イソブチルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−tert−ブチルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）エチル基、２−〔２’−（２”−エチルブチルオキシ）エトキシ〕エチル基、２−（２’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）エチル基、２−〔２’−（３”−エチルペンチルオキシ）エトキシ〕エチル基、２−（２’−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−オクチルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−ノニルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−デシルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−ウンデシルオキシエトキシ）エチル基、２−（２’−ｎ−ドデシルオキシエトキシ）エチル基、
【００４４】
２−〔２’−（２”−メトキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−エトキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−プロピルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−イソプロピルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−イソブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−tert−ブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−｛２’−〔２”−（２”’−エチルブチルオキシ）エトキシ〕エトキシ｝エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−｛２’−〔２”−（３”’−エチルペンチルオキシ）エトキシ〕エトキシ｝エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−オクチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ノニルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−デシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ウンデシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、２−〔２’−（２”−ｎ−ドデシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、
【００４５】
２−｛２’−〔２”−（２”’−メトキシエトキシ）エトキシ〕エトキシ｝エチル基、２−｛２’−〔２”−（２”’−ｎ−ドデシルオキシエトキシ）エトキシ〕エトキシ｝エチル基、２−｛２’−｛２”−〔２”’−（２−メトキシエトキシ）エトキシ〕エトキシ｝エトキシ｝エチル基、
２−｛２’−｛２”−｛２”’−〔２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ〕エトキシ｝エトキシ｝エトキシ｝エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−メトキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−エトキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−プロピルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−イソプロピルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−イソブチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−tert−ブチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−オクチルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ノニルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−デシルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ウンデシルオキシエトキシ）エチル基、１−メチル−２−（１’−メチル−２’−ｎ−ドデシルオキシエトキシ）エチル基、
【００４６】
１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−メトキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−エトキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−プロピルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−イソプロピルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−イソブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−tert−ブチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−オクチルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ノニルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−デシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ウンデシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、１−メチル−２−〔１’−メチル−２’−（１”−メチル−２”−ｎ−ドデシルオキシエトキシ）エトキシ〕エチル基、
【００４７】
２−エトキシエトキシメチル基、２−ｎ−ブチルオキシエトキシメチル基，２−ｎ−ヘキシルオキシエトキシメチル基、３−エトキシプロピルオキシメチル基、３−ｎ−プロピルオキシプロピルオキシメチル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピルオキシメチル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピルオキシメチル基、２−メトキシ−１−メチルエトキシメチル基、２−エトキシ−１−メチルエトキシメチル基、２−ｎ−ブチルオキシ−１−メチルエトキシメチル基、４−メトキシブチルオキシメチル基、４−エトキシブチルオキシメチル基、４−ｎ−ブチルオキシブチルオキシメチル基、２−（３’−メトキシプロピルオキシ）エチル基、２−（３’−エトキシプロピルオキシ）エチル基、２−（１’−メチル−２’−メトキシエトキシ）エチル基、２−（１’−メチル−２’−エトキシエトキシ）エチル基、２−（１’−メチル−２’−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エチル基、２−（４’−メトキシブチルオキシ）エチル基、２−（４’−エトキシブチルオキシ）エチル基、２−〔４’−（２”−エチルブチルオキシ）ブチルオキシ〕エチル基、２−〔４’−（３”−エチルペンチルオキシ）ブチルオキシ〕エチル基、３−（２’−メトキシエトキシ）プロピル基、３−（２’−エトキシエトキシ）プロピル基、３−（２’−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）プロピル基、３−（２’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）プロピル基、３−（３’−エトキシプロピルオキシ）プロピル基、３−（３’−ｎ−プロピルオキシプロピルオキシ）プロピル基、３−（３’−ｎ−ブチルオキシプロピルオキシ）プロピル基、３−（４’−エトキシブチルオキシ）プロピル基、３−（５’−エトキシペンチルオキシ）プロピル基、４−（２’−メトキシエトキシ）ブチル基、４−（２’−エトキシエトキシ）ブチル基、４−（２’−イソプロピルオキシエトキシ）ブチル基、４−（２’−イソブチルオキシエトキシ）ブチル基、４−（２’−ｎ−ブチルオキシエトキシ）ブチル基、４−（２’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）ブチル基、４−（３’−ｎ−プロピルオキシプロピルオキシ）ブチル基、４−（２’−ｎ−プロピルオキシ−１’−メチルエトキシ）ブチル基、４−〔２’−（２”−メトキシエトキシ）エトキシ〕ブチル基、４−〔２’−（２”−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エトキシ〕ブチル基、４−〔２’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）エトキシ〕ブチル基、５−（２’−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）ペンチル基、２−［２’−（２”−ｎ−ブチルオキシエトキシ）エトキシ］エチル基、
【００４８】
（２−エチルヘキシルオキシ）メチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）メチル基、（３，７−ジメチルオクチルオキシ）メチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−（３’，５’，５’−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、２−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）エチル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−（３’，５’，５’−トリメチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）プロピル基、４−（２’−エチルヘキシルオキシ）ブチル基、４−（３’，５’，５’−トリメチルヘキシルオキシ）ブチル基、４−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）ブチル基、５−（２’−エチルヘキシルオキシ）ペンチル基、５−（３’，５’，５’−トリメチルヘキシルオキシ）ペンチル基、５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）ペンチル基、６−（２’−エチルヘキシルオキシ）ヘキシル基、６−（３’，５’，５’−トリメチルヘキシルオキシ）ヘキシル基、６−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）ヘキシル基等のアルコキシアルキル基、
【００４９】
２−（２’−トリフルオロメチルプロピルオキシ）エチル基、４−（２’−トリフルオロメチルプロピルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリフルオロメチルプロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリフルオロメチルプロピルオキシ）オクチル基、２−（２’−トリフルオロメチルブチルオキシ）エチル基、４−（２’−トリフルオロメチルブチルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリフルオロメチルブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリフルオロメチルブチルオキシ）オクチル基、２−（２’−トリフルオロメチルヘプチルオキシ）エチル基、４−（２’−トリフルオロメチルヘプチルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリフルオロメチルヘプチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリフルオロメチルヘプチルオキシ）オクチル基、４−（２’−フルオロエトキシ）ブチル基、６−（２’−フルオロエトキシ）ヘキシル基、８−（２’−フルオロエトキシ）オクチル基、２−（２’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（２’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（２’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（３’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（３’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（３’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（３’−フルオロ−２’−メチルプロピルオキシ）エチル基、４−（３’−フルオロ−２’−メチルプロピルオキシ）ブチル基、６−（３’−フルオロ−２’−メチルプロピルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−フルオロ−２’−メチルプロピルオキシ）オクチル基、２−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（２’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（２’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（２’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（３’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（３’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（３’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（４’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（４’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（４’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（４’−フルオロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’，３’−ジフルオロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、
【００５０】
２−ｎ−ヘキシルオキシパーフルオロエチル基、３−ｎ−プロピルオキシ−１，１−ジヒドロパーフルオロプロピル基、２−ｎ−ペンチルオキシ−１，１−ジヒドロパーフルオロエチル基、２−（２’−ｎ−パーフルオロブチルオキシエトキシ）エチル基、３−（ｎ−パーフルオロブチルオキシ）−３，３−ジフルオロプロピル基、４−（１’，１’，７’−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチルオキシ）ブチル基、２−（ｎ−パーフルオロプロピルオキシ）−２−トリフルオロメチル−２−フルオロエチル基、
【００５１】
２−（２’−トリクロロメチルプロピルオキシ）エチル基、４−（２’−トリクロロメチルプロピルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリクロロメチルプロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリクロロメチルプロピルオキシ）オクチル基、２−（２’−トリクロロメチルブチルオキシ）エチル基、４−（２’−トリクロロメチルブチルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリクロロメチルブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリクロロメチルブチルオキシ）オクチル基、２−（２’−トリクロロメチルヘプチルオキシ）エチル基、４−（２’−トリクロロメチルヘプチルオキシ）ブチル基、６−（２’−トリクロロメチルヘプチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−トリクロロメチルヘプチルオキシ）オクチル基、４−（２’ークロロエトキシ）ブチル基、６−（２’−クロロエトキシ）ヘキシル基、８−（２’−クロロエトキシ）オクチル基、２−（２’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（２’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（２’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（３’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（３’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（３’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−クロロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（３’−クロロ−２’−メチルプロピルオキシ）エチル基、４−（３’−クロロ−２’−メチルプロピルオキシ）ブチル基、６−（３’−クロロ−２’−メチルプロピルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−クロロ−２’−メチルプロピルオキシ）オクチル基、２−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−プロピルオキシ）エチル基、４−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−プロピルオキシ）ブチル基、６−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−プロピルオキシ）ヘキシル基、８−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−プロピルオキシ）オクチル基、２−（２’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（２’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（２’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（３’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（３’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（３’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（３’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（４’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（４’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（４’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（４’−クロロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、２−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−ブチルオキシ）エチル基、４−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−ブチルオキシ）ブチル基、６−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−ブチルオキシ）ヘキシル基、８−（２’，３’−ジクロロ−ｎ−ブチルオキシ）オクチル基、
【００５２】
１−（トリフルオロメチル）−２−メトキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−エトキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−プロピルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−ブチルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−ペンチルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−オクチルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−ノニルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２−ｎ−デシルオキシエチル基、１−（トリフルオロメチル）−３−メトキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−エトキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−プロピルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−ブチルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−ヘプチルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−ノニルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−３−ｎ−デシルオキシプロピル基、１−（トリフルオロメチル）−４−メトキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−エトキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−プロピルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−ブチルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−ペンチルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−ヘプチルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−オクチルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−ノニルオキシブチル基、１−（トリフルオロメチル）−４−ｎ−デシルオキシブチル基等のハロゲン原子で置換されたアルコキシアルキル基、
【００５３】
２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、２−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、４−ヘプテニル基、５−ヘプテニル基、６−ヘプテニル基、２−オクテニル基、３−オクテニル基、４−オクテニル基、５−オクテニル基、６−オクテニル基、７−オクテニル基、２−ノネニル基、３−ノネニル基、４−ノネニル基、５−ノネニル基、６−ノネニル基、７−ノネニル基、８−ノネニル基、２−デセニル基，３−デセニル基、４−デセニル基、５−デセニル基、６−デセニル基、７−デセニル基、８−デセニル基、９−デセニル基、３，７−ジメチル−６−オクテニル基等のアルケニル基、
【００５４】
３−ｎ−パーフルオロプロピル−２−プロペニル基、３−ｎ−パーフルオロブチル−２−プロペニル基、３−ｎ−パーフルオロペンチル−２−プロペニル基、３−ｎ−パーフルオロヘキシル−２−プロペニル基、３−ｎ−パーフルオロヘプチル−２−プロペニル基、３−ｎ−パーフルオロオクチル−２−プロペニル基等のハロゲン原子で置換されたアルケニル基、
【００５５】
２−（２’−プロペニルオキシ）エチル基、２−〔２’−（２”−プロペニルオキシ）エトキシ〕エチル基、３−（２’−プロペニルオキシ）プロピル基、４−（２’−プロペニルオキシ）ブチル基、５−（２’−プロペニルオキシ）ペンチル基、６−（２’−プロペニルオキシ）ヘキシル基、７−（２’−プロペニルオキシ）ヘプチル基、８−（２’−プロペニルオキシ）オクチル基、９−（２’−プロペニルオキシ）ノニル基、１０−（２’−プロペニルオキシ）デシル基等のアルケニルオキシアルキル基、
【００５６】
２−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロエチル基、３−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロプロピル基、４−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロブチル基、５−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロペンチル基、６−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロヘキシル基、７−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロヘプチル基、８−（２’−プロペニルオキシ）−パーフルオロオクチル基等のハロゲン原子で置換されたアルケニルオキシアルキル基を挙げることができる。
【００５７】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物のＲ₁が光学活性な不斉炭素を有する場合、該光学活性な不斉炭素の絶対配置は特に限定されるものではなく、（Ｒ）−配置であっても、（Ｓ）−配置であってもよい。また、光学活性な不斉炭素の光学純度は、（Ｒ）体と（Ｓ）体の比として、０：１００（１００％ｅｅ）〜４５：５５（１０％ｅｅ）または５５：４５（１０％ｅｅ）〜１００：０（１００％ｅｅ）までのものが有効に使用できる。Ｒ₁が光学活性な不斉炭素を有する基である場合、Ｒ₁の構造としては、好ましくは、下記一般式（３）の構造を挙げることができる。
【００５８】
−（ＣＨ₂）_s−Ｃ＊Ｈ（ＣＸ'₃）−（ＣＨ₂）_t−（Ｏ）_u−Ｃ_lＨ_2l+1 （３）一般式（３）において、ｓおよびｔは０〜１０の整数を表し、ｌは１〜１０の整数を表し、ｕは０または１を表し、Ｘ’は水素原子またはハロゲン原子を表し、＊が付された炭素原子は光学活性な炭素原子を表す。ｓは好ましくは、０〜８の整数を表し、より好ましくは、０〜６の整数を表す。また、ｔは好ましくは、０〜６の整数を表し、より好ましくは、０〜４の整数を表す。ｌは好ましくは、１〜８の整数を表し、より好ましくは１〜６の整数を表す。また、ｕが０の場合、ｔ＋ｌは好ましくは、１〜１４の整数を表し、より好ましくは、２〜１０の整数を表す。
【００５９】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ｙ₁は−Ｏ−基、−ＣＯＯ−基および−ＯＣＯ−基を表す。
Ｙ₁は好ましくは、−Ｏ−基または−ＣＯＯ−基である。また、Ｙ₁が−Ｏ−基であって、液晶化合物の融点を低下させる必要がある場合には、Ｒ₁が分岐鎖のアルキル基または、直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基であることが好ましく、Ｒ₁が光学活性なアルキル基またはアルコキシアルキル基であることが、より好ましい。
【００６０】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ｚ₁ は−ＣＯＯ−基または−ＣＨ₂Ｏ−基を表す。
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ａは以下に示す基より選ばれる環状基を表す。
【００６１】
【化２０】

【００６２】
尚、ここでＸ₁およびＸ₂は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。好ましくは、水素原子またはフッ素原子である。
また、Ｘ₁およびＸ₂がハロゲン原子である場合、Ａは、例えば、以下に示す構造を取る。
【００６３】
【化２１】

【００６４】
Ａは好ましくは、
【化２２】

である（ここでＸ１はハロゲン原子を表す）。
【００６５】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物において、Ｂは以下に示す基より選ばれる環状基を表す。
【化２３】

【００６６】
尚、ここでＸ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。好ましくは、水素原子またはフッ素原子である。Ｙ₂は−ＣＨ₂Ｏ−基、−ＯＣＨ₂−基、−ＣＯＯ−基および−ＯＣＯ−基を表し、好ましくは、−ＣＨ₂Ｏ−基、−ＣＯＯ−基および−ＯＣＯ−基を表す。
【００６７】
また、Ｂが、一般式（２）、
【化２４】

で表される基である場合は、Ｙ２の構造により以下の４種の構造を取る。
【００６８】
【化２５】

【００６９】
さらに、ＢはＸ₃およびＸ₄がハロゲン原子である場合に、例えば、以下の構造を取る。
【化２６】

【００７０】
【化２７】

【００７１】
Ｂは好ましくは、
【化２８】

である（ここでＸ₃およびＸ₄はハロゲン原子を表す）。
【００７２】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物の具体例としては、以下の表１〜表１２に示すような化合物を挙げることができる。
尚、表中の、Ｐｈ、（Ｆ）Ｐｈ、Ｐｈ（Ｆ）、（Ｃｌ）Ｐｈ、Ｐｈ（Ｃｌ）、ＢｉＰｈ、（Ｆ）ＢｉＰｈ、ＢｉＰｈ（Ｆ）、Ｐｈ（Ｆ）−Ｐｈ、Ｐｈ−（Ｆ）Ｐｈ、Ｐｈ−ＣＯＯ−Ｐｈ、Ｐｈ−ＯＣＯ−Ｐｈ、Ｐｈ−ＣＨ₂Ｏ−Ｐｈ、Ｐｈ−ＯＣＨ₂−Ｐｈ、Ｐｈ−ＣＨ₂Ｏ−Ｐｈ（Ｆ）、Ｎａｐ、Ｔｅｔｒａは以下に示す基を表す。
【００７３】
【化２９】

【００７４】
【表１】

【００７５】
【表２】

【００７６】
【表３】

【００７７】
【表４】

【００７８】
【表５】

【００７９】
【表６】

【００８０】
【表７】

【００８１】
【表８】

【００８２】
【表９】

【００８３】
【表１０】

【００８４】
【表１１】

【００８５】
【表１２】

【００８６】
【表１３】

【００８７】
【表１４】

【００８８】
【表１５】

【００８９】
【表１６】

【００９０】
【表１７】

【００９１】
【表１８】

【００９２】
【表１９】

【００９３】
【表２０】

【００９４】
【表２１】

【００９５】
【表２２】

【００９６】
【表２３】

【００９７】
【表２４】

【００９８】
【表２５】

【００９９】
【表２６】

【０１００】
【表２７】

【０１０１】
【表２８】

【０１０２】
【表２９】

【０１０３】
【表３０】

【０１０４】
【表３１】

【０１０５】
【表３２】

【０１０６】
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物の製造方法に関して以下に述べる。
本発明の一般式（１）で表されるアセチレン化合物は、例えば、以下に示す工程を経て製造することができる。
【０１０７】
−Ｚ₁が−ＣＯＯ−基である場合−
一般式（４）で表されるカルボン酸と、一般式（５）で表される化合物をエステル化することで一般式（１）で表されるアセチレン化合物を製造することができる。尚、一般式（４）で表されるカルボン酸と一般式（５）で表される化合物とのエステル化反応は、例えば、
１）一般式（４）で表されるカルボン酸をハロゲン化剤（例えば、チオニルクロライド、オギザリルクロライド）によりカルボン酸ハロゲン化物とし、その後、塩基（例えば、トリエチルアミン、ピリジン）の存在下に一般式（５）で表される化合物と反応させる方法、
２）一般式（４）で表されるカルボン酸と、一般式（５）で表される化合物をＮ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド（以下、ＤＣＣと略記する）等の脱水縮合剤と、触媒（例えば、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、４−ピロリジノピリジン）の存在下に反応させる方法により実施できる。
【０１０８】

【０１０９】
−Ｚ₁が−ＣＨ₂Ｏ−基である場合−
一般式（６）で表される化合物（式中、Ｚ₂は−ＯＨ基、ハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す）と、一般式（５）で表される化合物をエーテル化することで一般式（１）で表されるアセチレン化合物を製造することができる。尚、一般式（６）で表される化合物と一般式（５）で表される化合物とのエーテル化反応は、例えば、
１）一般式（６）において、Ｚ₂がハロゲン原子またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の化合物と、一般式（５）で表される化合物とを塩基（例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム）等の存在下、溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アルコール類）中で、室温または室温以上の温度で反応させる方法、
２）一般式（６）で表される化合物と、一般式（５）で表される化合物をジエチルアゾジカルボン酸（以下、ＤＥＡＤと略記する）等の脱水縮合剤と、トリフェニルホスフィンの存在下に反応させる方法により実施できる。
【０１１０】

【０１１１】
また、一般式（４）で表されるカルボン酸は、例えば、以下に示す製造方法に従い製造することができる。
すなわち、一般式（７）で表されるカルボン酸エステル（式中、Ｒ₂はメチル基、エチル基等の低級アルキル基を表し、Ｘ₅は塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す）と、一般式（８）で表されるアルキンを塩基（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）等のパラジウム触媒およびヨウ化銅等のハロゲ化銅の存在下に反応させ、一般式（９）で表されるカルボン酸エステルを得る。その後、一般式（９）で表されるカルボン酸エステルを塩基（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム）の存在下、加水分解することで、一般式（４）で表されるカルボン酸を製造することができる。
【０１１２】

【０１１３】
また、一般式（６）で表される化合物は、例えば、以下に示す製造方法に従い製造することができる。
すなわち、一般式（６）において、Ｚ₂が−ＯＨ基である化合物は、一般式（９）で表されるカルボン酸エステルまたは一般式（４）で表されるカルボン酸を溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル）中で、水素化リチウムアルミニウム等の還元剤により還元することで製造できる。

【０１１４】
尚、一般式（６）においてＺ₂がハロゲン原子である化合物は、
１）一般式（６）において、Ｚ₂が−ＯＨである化合物に、ＤＥＡＤおよびトリフェニルホスフィンの存在下、ハロゲン化水素（例えば、塩化水素、臭化水素）等を作用させる方法、
２）一般式（６）において、Ｚ₂が−ＯＨ基である化合物とハロゲン化剤（例えば、臭化水素、チオニルクロライド、三臭化燐）を作用させる方法により製造することができる。
また、一般式（６）においてＺ₂がｐ−トルエンスルホニルオキシ基である化合物は、一般式（６）において、Ｚ₂が−ＯＨ基である化合物に塩基（例えば、トリエチルアミン、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム）の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロライドを反応させることで製造できる。
【０１１５】
また、一般式（５）で表される化合物は、例えば、一般式（１０）で表される化合物（式中、Ｚ₃はベンジル基、テトラヒドロピラニル基等の保護基を表す）を、定法に従い脱保護させる方法により製造することができる。

【０１１６】
本発明のアセチレン化合物には、それ自体で液晶性を示す化合物および液晶性を示さない化合物がある。液晶性を示す化合物には、チルト系のスメクチック相｛例えば、強誘電性相〔例えば、カイラルスメクチックＣ相（以下、ＳＣ＊相と略記する）〕、スメクチックＣ相（以下、ＳＣ相と略記する）、反強誘電性相〔例えば、カイラルスメクチックＣ_A相（以下Ｓ_CA＊相と略記する）〕およびフェリ誘電性相〔例えば、カイラルスメクチックＣα相〕｝を示す化合物と、液晶性は示すが、チルト系のスメクチック相を示さない化合物がある。これらの化合物は、それぞれ液晶組成物の構成成分として有効に使用することができる。
【０１１７】
次に、本発明の液晶組成物について説明する。液晶組成物は、一般に２種以上の成分からなるが、本発明の液晶組成物は、必須成分として、本発明のアセチレン化合物を少なくとも１種含有するものである。
【０１１８】
本発明の液晶組成物に用いる本発明のアセチレン化合物としては、液晶性を示さないアセチレン化合物、チルト系のスメクチック相を示すアセチレン化合物および液晶性を示すがチルト系のスメクチック相を示さないアセチレン化合物である。
本発明の液晶組成物としては、好ましくは、カイラルスメクチックＣ、Ｃ_A、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ等の相またはフェリ誘電性相を示す液晶組成物が挙げられ、より好ましくは、Ｓ_C＊相、Ｓ_CA＊相またはフェリ誘電性相を示す液晶組成物である。
【０１１９】
Ｓ_C＊相を示す液晶組成物は、強誘電性液晶組成物であり、Ｓ_CA＊相を示す液晶組成物は反強誘電性液晶組成物である。本発明の液晶組成物は、強誘電性液晶であっても良く、反強誘電性液晶組成物であっても良い。また、無閾値反強誘電性液晶（ＴＬＡＦＬＣ）組成物であっても良い。
本発明の液晶組成物は、本発明のアセチレン化合物、本発明のアセチレン化合物以外の光学活性液晶化合物、本発明のアセチレン化合物以外の非光学活性液晶化合物および本発明のアセチレン化合物以外の光学活性化合物から選ばれる化合物を複数組み合わせることにより調製される組成物であり、本発明のアセチレン化合物を少なくとも一種含有する。
【０１２０】
本発明のアセチレン化合物以外の光学活性液晶化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、光学活性フェニルベンゾエート系液晶化合物、光学活性ビフェニルベンゾエート系液晶化合物、光学活性ナフタレン系液晶化合物、光学活性フェニルナフタレン系液晶化合物、光学活性トラン系液晶化合物、光学活性フェニルピリミジン系液晶化合物、光学活性ナフチルピリミジン系液晶化合物および光学活性テトラリン系液晶化合物を挙げることができる。
【０１２１】
本発明のアセチレン化合物以外の非光学活性液晶化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、非光学活性フェニルベンゾエート系液晶化合物、非光学活性ビフェニルベンゾエート系液晶化合物、非光学活性ナフタレン系液晶化合物、非光学活性フェニルナフタレン系液晶化合物、非光学活性トラン系液晶化合物、非光学活性フェニルピリミジン系液晶化合物、非光学活性ナフチルピリミジン系液晶化合物および非光学活性テトラリン系液晶化合物を挙げることができる。
【０１２２】
また、光学活性化合物とは、それ自体では液晶性を示さないが、チルト系のスメクチック相を示す液晶化合物または液晶組成物と混合することにより、カイラルなチルト系のスメクチック相を発現する能力を有する化合物であり、本発明のアセチレン化合物以外の光学活性化合物としては、特に限定されるものではないが、例えば、光学活性フェニルベンゾエート系非液晶化合物、光学活性ビフェニルベンゾエート系非液晶化合物、光学活性ナフタレン系非液晶化合物、光学活性フェニルナフタレン系非液晶化合物、光学活性トラン系非液晶化合物、光学活性フェニルピリミジン系非液晶化合物、光学活性ナフチルピリミジン系非液晶化合物および光学活性テトラリン系非液晶化合物を挙げることができる。
【０１２３】
本発明の液晶組成物には、上記の必須成分の他に、本発明のアセチレン化合物以外の液晶性を示さない化合物（例えば、アントラキノン系色素、アゾ系色素等の２色性色素、および導電性付与剤、寿命向上剤等）を含有していてもよい。本発明の液晶組成物中、本発明のアセチレン化合物の含有量は特に限定されるものではなく、本発明の液晶組成物は本発明のアセチレン化合物のみからなる液晶組成物であってもよい。
本発明の液晶組成物に於ける本発明のアセチレン化合物の含有量としては、通常１〜１００重量％であり、好ましくは３〜９０重量％であり、より好ましくは５〜８０重量％である。
【０１２４】
本発明のアセチレン化合物を少なくとも１種含有する液晶組成物は、従来より知られている液晶組成物と比較して高速応答性、閾値特性、液晶領域の温度範囲、配向特性等の点で優れている。
【０１２５】
次に、本発明の液晶素子に関して説明する。
本発明の液晶素子は、本発明の液晶組成物を１対の電極基板間に配置してなる。図１は強誘電性または反強誘電性を利用した液晶素子の構成を説明するためのカイラルスメクチック相を有する液晶素子の一例を示す断面概略図である。
【０１２６】
液晶素子は、それぞれ透明電極３および絶縁性配向制御層４を設けた１対の基板２間にカイラルスメクチック相を示す液晶層１を配置し、かつ、その層厚をスペーサー５で設定してなるものであり、１対の透明電極３間にリード線６を介して電源７より電圧を印加可能なように接続する。また、１対の基板２は、１対のクロスニコル状態に配置された偏光板８により挟持され、その一方の外側には光源９が配置される。
基板２の材質としては、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等のガラスおよびポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート等の透明性高分子が挙げられる。
【０１２７】
２枚の基板２に設けられる透明電極３としては、例えば、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂またはＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜からなる透明電極が挙げられる。
絶縁性配向制御層４は、ポリイミド等の高分子の薄膜をナイロン、アセテート、レーヨン等の植毛布等でラビングし、液晶を配向させるためのものである。絶縁性配向制御層４の材質としては、例えば、シリコン窒化物、水素を含有するシリコン窒化物、シリコン炭化物、水素を含有するシリコン炭化物、シリコン酸化物、ホウ素窒化物、水素を含有するホウ素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物質絶縁層、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂などの有機絶縁層が挙げられ、無機絶縁層の上に有機絶縁層を形成した２層構造の絶縁性配向制御層であってもよく、無機絶縁層または有機絶縁層のみからなる絶縁性配向制御層であってもよい。
【０１２８】
絶縁性配向制御層が無機絶縁層である場合には、蒸着法などで形成することができる。また、有機絶縁層である場合には、有機絶縁層材料またはその前駆体の溶液をスピンナー塗布法、浸透塗布法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の条件下（例えば、加熱下）で溶媒を除去し、所望により焼成させて形成することができる。
なお、有機絶縁層を形成する際に、必要に応じ、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤等を使用して透明電極の設けられた基板の表面処理を行い、その後、有機絶縁層材料またはその前駆体を塗布してもよい。絶縁性配向制御層４の層厚は、通常１０オングストローム〜１μｍ、好ましくは１０〜３０００オングストローム、さらに好ましくは１０〜２０００オングストロームである。
【０１２９】
２枚の基板２は、スペーサ５により任意の間隔に保たれている。例えば、所定の直径を持つシリカビーズ、アルミナビーズをスペーサとして基板２で挟み、２枚の基板２の周囲をシール剤（例えば、エポキシ系接着剤）を用いて密封することにより、任意の間隔に保つことができる。また、スペーサーとして高分子フィルムやガラスファイバーを使用してもよい。
この２枚の基板の間にカイラルスメクチック相を示す液晶を封入する。液晶層１は、一般的には０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍの厚さに設定する。
透明電極３はリード線６によって外部の電源７に接続されている。
【０１３０】
基板２の外側には、互いの偏光軸を、例えば、クロスニコル状態とした１対の偏光板８が配置されている。図１の例は透過型であり、光源９を備えている。
本発明の液晶組成物を使用した液晶素子は、図１に示した透過型の素子としてだけではなく、反射型の素子としても応用可能である。
【０１３１】
本発明の液晶組成物を使用する液晶素子の表示方式に関しては、特に限定されるものではないが、例えば、（ａ）ヘリカル変歪型、（ｂ）ＳＳＦＬＣ（サーフェス・スタビライズド・フェロエレクトリック・リキッド・クリスタル）型、 （ｃ）ＴＳＭ（トランジェント・スキャッタリング・モード）型、（ｄ）Ｇ−Ｈ（ゲスト−ホスト）型、（ｅ）フィールドシーケンシャルカラー型の表示方式を使用することができる。
【０１３２】
本発明の液晶組成物を使用する液晶素子の駆動方法は、セグメント型、単純マトリックス型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。
【０１３３】
本発明のアセチレン化合物および該化合物を含有してなる液晶組成物は、表示用液晶素子以外の分野（例えば、▲１▼非線形光機能素子、▲２▼コンデンサー材料等のエレクトロニクス材料、▲３▼リミッター、メモリー、増幅器、変調器などのエレクトロニクス素子、▲４▼熱、光、圧力、機械変形などと電圧の変換素子やセンサー、▲５▼熱電発電素子等の発電素子、▲６▼空間光変調素子、▲７▼光導電性材料）への応用が可能である。
【０１３４】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
尚、各実施例および表中の記号Ｉ、Ｎ、Ｃｈ、Ｓ_A、Ｓ_C＊、Ｓ_C、Ｓ_CA＊、Ferri、Ｓ_XおよびＣは以下の意味を表す。
【０１３５】
Ｉ：等方性液体
Ｎ：ネマチック相
Ｃｈ：コレステリック相（カイラルネマチック相）
Ｓ_A：スメクチックＡ相
Ｓ_C＊：カイラルスメクチックＣ相
Ｓ_C：スメクチックＣ相
Ｓ_CA＊：カイラルスメクチックＣＡ相
Ｆerri：フェリ誘電性相（未同定）
Ｓ_X:未同定のスメクチック相
Ｃ：結晶相
また、各製造例、実施例中の相転移温度は温度制御装置を備えた偏光顕微鏡または示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定した。
【０１３６】
製造例１：４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸の製造
４−ブロモ安息香酸エチル２２．９ｇ、１−ｎ−オクチン１１．０ｇ、トリフェニルホスフィン０．５ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）０．１ｇおよびヨウ化銅０．１ｇをトリエチルアミン５０ｇに添加し、窒素気流下、４０℃で１時間、続いて、８０℃で２時間加熱撹拌を行った。その後、反応混合物からトリエチルアミンを留去し、得られた残渣をトルエンに溶解し、このトルエン溶液を希塩酸、飽和食塩水で洗浄した。トルエン溶液からトルエンを減圧下に留去し、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸エチルを褐色油状物として得た。次に、得られた４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸エチル２５ｇ、水酸化ナトリウム１１．６ｇ、エタノール５０ｇおよび水３０ｇよりなる混合物を６０℃で５時間加熱撹拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、反応混合物が酸性になるまで濃塩酸を添加し、析出した固体をろ別した。得られた固体を酢酸エチルに溶解し、酢酸エチル溶液を飽和食塩水により洗浄し、水相との分離を行った後、溶液より酢酸エチルを減圧下に留去した。得られた残渣をヘキサンより再結晶し、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸を無色の結晶として１８．５ｇ得た。
融点：１２７〜１２９℃
【０１３７】
製造例２：４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸の製造
製造例１において１−ｎ−オクチン１１．０ｇを使用する代わりに、１−ｎ−デシン１３．８ｇを使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸を無色の結晶として１９．２ｇ得た。この化合物の融点は１１２〜１１３℃であり、降温過程において、１０６〜１０２℃の間でネマチック相を示した。
【０１３８】
製造例３：４−（１’−ｎ−ヘプチニル）安息香酸の製造
製造例１において１−ｎ−オクチン１１．０ｇを使用する代わりに、１−ｎ−ヘプチン９．６ｇを使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い４−（１’−ｎ−ヘプチニル）安息香酸を無色の結晶として１７．９ｇ得た。
融点：１４４〜１４５℃
【０１３９】
製造例４：４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコールの製造
テトラヒドロフラン１２５ｇに水素化リチウムアルミニウム１．６９ｇを添加し、水素化リチウムアルミニウムの懸濁液を調製した。この懸濁液に４−（１’−オクチニル）安息香酸エチル９．０６ｇをテトラヒドロフラン５０ｇに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。その後、反応混合物を３時間加熱還流し、室温に冷却した後、氷冷下に水２０ｇをゆっくりと滴下した。さらに、１／２規定塩酸を添加し、反応混合物を酸性とした。反応混合物に酢酸エチルを添加し、水洗した後、酢酸エチルを減圧下に留去して、４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコールを褐色の油状物として７．８ｇ得た。
【０１４０】
製造例５：４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸の製造
▲１▼：１，４−ジブロモベンゼン２３．６ｇ、１−ｎ−オクチン１１ｇ、トリフェニルホスフィン０．１ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）０．０５ｇ、ヨウ化銅０．０５ｇおよびトリエチルアミン８０ｇよりなる混合物を、窒素気流下、室温で１時間攪拌し、その後、４０℃で３０分、６０℃で２時間攪拌した。反応混合物を室温に冷却した後、生成したトリエチルアミンの塩をろ別し、ろ液よりトリエチルアミンを留去した。残渣にトルエンを添加し、トルエン溶液とし、この溶液を１／２規定塩酸により中和し、水洗した。トルエン溶液よりトルエンを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留し、４−（１’−ｎ−オクチニル）ブロモベンゼンを無色の油状物として１８．１ｇ得た。
沸点：１４５〜１４８℃／５ｍｍＨｇ
【０１４１】
▲２▼：削状マグネシウム０．９５ｇをテトラヒドロフラン８ｇに添加し、ここに４−（１’−ｎ−オクチニル）ブロモベンゼン１０．５ｇとテトラヒドロフラン４７ｇよりなる混合物を緩やかな還流を維持する程度の滴下速度で滴下した。滴下終了後、反応混合物を、さらに２時間加熱還流した後、室温に冷却した。この溶液を、−７０℃に冷却したホウ酸トリメチル６．５ｇとテトラヒドロフラン２０ｇよりなる溶液に滴下し、同温度で１時間、室温で１時間攪拌した。その後、反応混合物に塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗した後、溶液から酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンで再結晶して、４−（１’−ｎ−オクチニル）フェニルホウ酸６．３８ｇを無色の結晶として得た。
融点：１２２〜１２３℃
【０１４２】
▲３▼：４−（１’−ｎ−オクチニル）フェニルホウ酸３．４５ｇ、４−ブロモ安息香酸エチル３．４３ｇ、炭酸ナトリウム３．１８ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１７４ｇ、トルエン２０ｇおよび水２０ｇよりなる混合物を、窒素気流下、７０℃で３時間加熱攪拌した。その後、室温に冷却し、トルエン相を分離して、１／２規定塩酸による中和、水洗を行い、トルエン相よりトルエンを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体をエタノールより再結晶し、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸エチルを無色の結晶として４．５１ｇを得た。
【０１４３】
▲４▼：４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸エチル３．０ｇ、水酸化ナトリウム２．５ｇ、エタノール２０ｇおよび水１０ｇよりなる混合物を６０℃で４時間加熱攪拌した。その後、反応混合物に濃塩酸を添加し酸性とした後、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、酢酸エチルを減圧下に留去した後、残渣をトルエンより再結晶し、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸２．７ｇを無色の結晶として得た。
この化合物の相転移温度（℃）を以下に示した。

【０１４４】
製造例６：４−(３’−フルオロ−４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸の製造
▲１▼：４−ヨード−３−フルオロブロモベンゼン２１．１ｇ、１−ｎ−オクチン９．７ｇ、トリフェニルホスフィン０．２５ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II)０．０７ｇ、ヨウ化銅０．０７ｇおよびトリエチルアミン６０ｇよりなる混合物を、窒素気流下、室温で１時間攪拌し、その後、４０℃で３０分、６０℃で２時間攪拌した。反応混合物を室温に冷却した後、生成したトリエチルアミンの塩をろ別し、ろ液よりトリエチルアミンを留去した。残渣にトルエンを添加し、トルエン溶液とし、この溶液を１／２規定塩酸により中和し、水洗した。トルエン溶液よりトルエンを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留し、４−（１’−ｎ−オクチニル）−３−フルオロブロモベンゼンを無色の油状物として１７．８ｇ得た。
沸点：１５１〜１５４℃／５ｍｍＨｇ
【０１４５】
▲２▼：削状マグネシウム０．７８ｇをテトラヒドロフラン７ｇに添加し、ここに４−（１’−ｎ−オクチニル）−３−フルオロブロモベンゼン１０．０ｇとテトラヒドロフラン３８ｇよりなる混合物を緩やかな還流を維持する程度の滴下速度で滴下した。滴下終了後、反応混合物を、さらに２時間加熱還流した後、室温に冷却した。この溶液を、−７０℃に冷却したホウ酸トリメチル５．２５ｇとテトラヒドロフラン２０ｇよりなる溶液に滴下し、同温度で１時間、室温で１時間攪拌した。その後、反応混合物に塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗した後、溶液から酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンで再結晶して、４−（１’−ｎ−オクチニル）−３−フルオロフェニルホウ酸７．８ｇを無色の結晶として得た。
【０１４６】
▲３▼：４−（１’−ｎ−オクチニル）−３−フルオロフェニルホウ酸５ｇ、４−ブロモ安息香酸エチル４．１５ｇ、炭酸ナトリウム３．８２ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２０９ｇ、トルエン２０ｇおよび水２０ｇよりなる混合物を、窒素気流下、７０℃で３時間加熱攪拌した。その後、室温に冷却し、トルエン相を分離して、１／２規定塩酸による中和後、水洗を行い、トルエン相よりトルエンを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体をエタノールより再結晶し、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）−３’−フルオロフェニル)安息香酸エチルを無色の結晶として６．３ｇを得た。
【０１４７】
▲４▼：４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸エチル６．０ｇ、水酸化ナトリウム５．０ｇ、エタノール２０ｇおよび水１０ｇよりなる混合物を６０℃で４時間加熱攪拌した。その後、反応混合物に濃塩酸を添加し酸性とした後、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、酢酸エチルを減圧下に留去した後、残渣をトルエンより再結晶し、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）−３’−フルオロフェニル)安息香酸５．６ｇを無色の結晶として得た。
この化合物の相転移温度（℃）を以下に示した。

【０１４８】
製造例７：４−(３’−フルオロ−４’−（１”−ｎ−デシニル）フェニル)安息香酸の製造
▲１▼：４−（３’−フルオロ−４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸エチル７．１ｇおよびピリジン１３ｇよりなる混合物を０℃に冷却し、その後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物８．２ｇを１時間かけて滴下した。その後室温で１２時間攪拌し、反応混合物より過剰のピリジンを減圧下に留去した後、トルエンを添加した。トルエン溶液を１／２規定塩酸で中和後、水洗し、溶液からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−（３’−フルオロ−４’−トリフルオロメタンスルホニルオキシフェニル）安息香酸エチル８．０ｇを得た。
【０１４９】
▲２▼：４−（３’−フルオロ−４’−トリフルオロメタンスルホニルオキシフェニル）安息香酸エチル２．７４ｇ、１−ｎ−デシン０．９７ｇ、トリフェニルホスフィン３５ｍｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）３０ｍｇ、ヨウ化銅７ｍｇおよびトリエチルアミン８ｇよりなる混合物を窒素気流下、室温で１時間、４０℃で１時間、６０℃で３時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、トリエチルアミンを減圧下に留去し、残渣にトルエンを添加した。トルエン溶液を１／２規定塩酸で中和後、水洗し、溶液からトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−(３’−フルオロ−４’−（１”−ｎ−デシニル）フェニル)安息香酸エチル２．０２ｇを得た。
【０１５０】
▲３▼：４−(３’−フルオロ−４’−（１”−ｎ−デシニル）フェニル)安息香酸エチル２．０ｇ、水酸化ナトリウム３．０ｇ、エタノール１０ｇおよび水５ｇよりなる混合物を６０℃で６時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却し、濃塩酸を加えて酸性とし、酢酸エチルを添加して水洗を行った。酢酸エチル溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンで再結晶し、４−(３’−フルオロ−４’−（１”−ｎ−デシニル）フェニル)安息香酸１．６を無色の結晶として得た。
この化合物の相転移温度（℃）を以下に示した。

【０１５１】
製造例８：４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)ベンジルアルコールの製造
テトラヒドロフラン２０ｇに水素化リチウムアルミニウム０．３ｇを添加し、水素化リチウムアルミニウムの懸濁液を調製した。この懸濁液に、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)安息香酸エチル２．０ｇとテトラヒドロフラン１０ｇよりなる混合物を１時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を６０℃で３時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却して、氷冷下に水２０ｇを滴下した。さらに、１／２規定塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶し、４−(４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル)ベンジルアルコール１．８ｇを無色の結晶として得た。
融点：１１３〜１１４℃
【０１５２】
製造例９：６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸の製造
▲１▼：６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸エチル５．４ｇとピリジン２５ｇよりなる混合物に氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物７．５ｇを滴下した。反応混合物を室温で１２時間攪拌し、その後、過剰のピリジンを減圧下に留去した。残渣にトルエンおよび１／２規定塩酸を添加し、中和後、水洗を行い、トルエン相を分離した後、トルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン−２−カルボン酸エチル６．３ｇを無色の結晶として得た。
【０１５３】
▲２▼：６−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタレン−２−カルボン酸エチル５．２２ｇ、１−ｎ−デシン３．１１ｇ、トリフェニルホスフィン４５ｍｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）４０ｍｇ、ヨウ化銅１７ｍｇおよびトリエチルアミン１５ｇよりなる混合物を、窒素気流下、室温で１時間、４０℃で２時間、６０℃で４時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、過剰のトリエチルアミンを減圧下に留去し、残渣にトルエンを添加した。トルエン溶液に１／２規定塩酸を添加し、中和後、水洗を行い、トルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸エチル５．２ｇを得た。
【０１５４】
▲３▼：６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸エチル２．４７ｇ 、水酸化ナトリウム２．０６ｇ、エタノール１０ｇ、水５ｇよりなる混合物を６０℃で６時間加熱攪拌した。その後、反応混合物に濃塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加して酢酸エチル溶液を水洗した。酢酸エチル溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンより再結晶して、６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸２．０ｇを無色の結晶として得た。
融点：１７１〜１７２℃
【０１５５】
製造例１０：６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノールの製造
テトラヒドロフラン２０ｇに水素化リチウムアルミニウム０．４ｇを添加し、水素化リチウムアルミニウムの懸濁液を調製した。この懸濁液に、６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン安息香酸エチル２．７ｇとテトラヒドロフラン１０ｇよりなる混合物を１時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を６０℃で３時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却して、氷冷下に水２０ｇを滴下した。さらに、１／２規定塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶し、６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２．４ｇを無色の結晶として得た。
融点：６８〜６９℃
【０１５６】
製造例１１：６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸の製造
▲１▼：６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸エチル５．５ｇとピリジン２５ｇよりなる混合物に氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物７．５ｇを滴下した。反応混合物を室温で１２時間攪拌し、その後、過剰のピリジンを減圧下に留去した。残渣にトルエンおよび１／２規定塩酸を添加し、中和後、水洗を行い、トルエン相を分離した後、トルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸エチル５．１ｇを無色の油状物として得た。
【０１５７】
▲２▼：６−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸エチル４．７２ｇ、１−ｎ−デシン２．７ｇ、トリフェニルホスフィン４０ｍｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）３０ｍｇ、ヨウ化銅１５ｍｇおよびトリエチルアミン１３ｇよりなる混合物を、窒素気流下、室温で１時間、４０℃で２時間、６０℃で４時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、過剰のトリエチルアミンを減圧下に留去し、残渣にトルエンを添加した。トルエン溶液に１／２規定塩酸を添加し、中和後、水洗を行い、トルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸エチル５．３ｇを得た。
【０１５８】
▲３▼：６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸エチル２．０４ｇ 、水酸化ナトリウム１．７ｇ、エタノール１０ｇ、水５ｇよりなる混合物を６０℃で６時間加熱攪拌した。その後、反応混合物に濃塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加して酢酸エチル溶液を水洗した。酢酸エチル溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンより再結晶して、６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸１．５ｇを無色の結晶として得た。
融点：１２４〜１３５℃
【０１５９】
製造例１２：６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−メタノールの製造
テトラヒドロフラン２０ｇに水素化リチウムアルミニウム０．５ｇを添加し、水素化リチウムアルミニウムの懸濁液を調製した。この懸濁液に、６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン安息香酸エチル２．３５ｇとテトラヒドロフラン１０ｇよりなる混合物を１時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を６０℃で３時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却して、氷冷下に水２０ｇを滴下した。さらに、１／２規定塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶し、６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−メタノール１．６ｇを無色の結晶として得た。
融点：１４８〜１５０℃
【０１６０】
製造例１３：４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロ安息香酸の製造
▲１▼：４−ヨード−３−フルオロブロモベンゼン２１．１ｇ、１−ｎ−デシン１０．２ｇ、トリフェニルホスフィン０．２５ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）０．０７ｇ、ヨウ化銅０．０７ｇおよびトリエチルアミン６０ｇよりなる混合物を、窒素気流下、室温で１時間攪拌し、その後、４０℃で３０分、６０℃で２時間攪拌した。反応混合物を室温に冷却した後、生成したトリエチルアミンの塩をろ別し、ろ液よりトリエチルアミンを留去した。残渣にトルエンを添加し、トルエン溶液とし、この溶液を１／２規定塩酸により中和し、水洗した。トルエン溶液よりトルエンを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留し、４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロブロモベンゼンを無色の油状物として１９．２ｇ得た。
沸点：１６３〜１６５℃／５ｍｍＨｇ
【０１６１】
▲２▼：削状マグネシウム０．１３５ｇをテトラヒドロフラン３ｇに添加し、ここに４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロブロモベンゼン４．７ｇとテトラヒドロフラン１８ｇよりなる混合物を緩やかな還流を維持する程度の滴下速度で滴下した。滴下終了後、反応混合物を、さらに２時間加熱還流した後、室温に冷却した。その後、反応混合物にドライアイス２ｇを３回に分けて添加し、さらに室温で１時間攪拌した。その後、反応混合物に濃塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗した後、溶液から酢酸エチルを減圧下に留去し、残渣をヘキサンで再結晶して、４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロ安息香酸２．０ｇを無色の結晶として得た。
融点：１３１〜１３２℃
【０１６２】
実施例１：例示化合物３１の製造
（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇ、４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、室温で５時間攪拌した。 反応混合物から不溶物をろ別し、ジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。選られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物３１を無色の結晶として４８７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
尚、表１３において「・」はその液晶相が存在することを表し、「−」はその液晶相が存在しないことを表す。また、表１３の数字の単位は℃であり、（）内の数字は降温過程での相転移温度を表す。
【０１６３】
実施例２：例示化合物４５の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２”−ｎ−ブチルオキシエチル３１４ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４５を無色の結晶として４６５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６４】
実施例３：例示化合物５１の製造
（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２５０ｍｇ、４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、室温で５時間攪拌した。反応混合物から不溶物をろ別し、ジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより２回精製し、例示化合物５１を無色の油状物として２９６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６５】
実施例４：例示化合物５４の製造
実施例３において４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例３に記載の操作に従い例示化合物５４を無色の油状物として３４１ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６６】
実施例５：例示化合物５６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−メチルヘプチル３００ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５６を無色の結晶として４４３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６７】
実施例６：例示化合物５９の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’，１’，３’−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル３５２ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５９を無色の結晶として４４０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６８】
実施例７：例示化合物６８の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−ヒドロキシ安息香酸−２’−メチルブチル２０８ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６８を無色の結晶として１９３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１６９】
実施例８：例示化合物７６の製造
▲１▼：４−ベンジルオキシ安息香酸２．２８ｇ、（Ｓ）−４−ヒドロキシ安息香酸−２’−メチルブチル２．０８ｇ、ＤＣＣ２．０６ｇおよびジクロロメタン２０ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、この混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加して、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、析出した不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、（Ｓ）−４−（４’−ベンジルオキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２”−メチルブチル４．０５ｇ得た。
【０１７０】
▲２▼：（Ｓ）−４−（４’−ベンジルオキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２”−メチルブチル４．０ｇ、パラジウム／炭素０．４ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をトルエンから再結晶して、（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２”−メチルブチルを無色の結晶として２．７９ｇ得た。
【０１７１】
▲３▼：（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２”−メチルブチル３２８ｍｇ、４−（１’−ｎ−ヘプチニル）安息香酸２１６ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、室温で５時間攪拌した。反応混合物から不溶物をろ別し、ジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物７６を無色の結晶として４２６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１７２】
実施例９：例示化合物８７の製造
実施例８の▲１▼において、（Ｓ）−４−ヒドロキシ安息香酸−２’−メチルブチル２．０８ｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２．５０ｇを使用した以外は実施例８の▲１▼および▲２▼に記載の操作に従い、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチルを無色の結晶として２．４５ｇ得た。
得られた（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチル３７０ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、室温で５時間攪拌した。反応混合物から不溶物をろ別し、ジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物８７を無色の結晶として４２６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１７３】
この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である７０℃から５℃低い６５℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：３８μ秒 チルト角：１２．５°
後述の比較例６および７との比較より、本発明のアセチレン化合物が比較例７の化合物と比較して高い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有しており、比較例６の化合物と比較して高速応答性（低粘性）を有していることが判る。
【０１７４】
実施例１０：例示化合物９３の製造
実施例１において４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロ安息香酸２７６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９３を無色の結晶として５１７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１７５】
実施例１１：例示化合物１０７の製造
実施例１において４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１０７を無色の結晶として４１０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である７８℃から２℃低い７６℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：４３μ秒 チルト角：１２．５°
後述の比較例４および５と比較して、本発明のアセチレン化合物が比較例５の化合物と比較して高い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有しており、比較例４の化合物と比較して高速応答性（低粘性）を有していることが判る。
【０１７６】
実施例１２：例示化合物１１１の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２”−メチルブチル２８４ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）−３−フルオロ安息香酸２７６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１１１を無色の結晶として４６１ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１７７】
実施例１３： 例示化合物１２２の製造
（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇ、トリフェニルホスフィン２８８ｍｇおよびテトラヒドロフラン５ｇよりなる混合物を室温で１０分間攪拌した。その後、この混合物にＤＥＡＤの４０％トルエン溶液４７８．５ｍｇを添加し、室温で３時間攪拌した。反応終了後、テトラヒドロフランを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物１２２を無色の結晶として３７２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１７８】
実施例１４：例示化合物１２６の製造
▲１▼：４−ベンジルオキシ安息香酸クロライド（この化合物は、４−ベンジルオキシ安息香酸とオギザリルクロライドより調製した）２．４７ｇ、２−ｎ−パーフルオロブチルエタノール２．６４ｇおよびトルエン１０ｇよりなる混合物に、トリエチルアミン１．１ｇおよびトルエン５ｇよりなる溶液を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、混合物を室温で６時間攪拌した。析出した塩をろ別し、ろ液を１／２規定塩酸で中和し、水洗した後、トルエンを減圧下に留去した。残渣をメタノールより再結晶し、４−ベンジルオキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロブチルエチルを無色の結晶として３．３ｇ得た。
【０１７９】
▲２▼：４−ベンジルオキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロブチルエチル３．０ｇ、パラジウム／炭素０．３ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をトルエンから再結晶して、４−ヒドロキシ安息香酸−２’−パーフルオロブチルエチルを無色の結晶として２．０ｇ得た。
【０１８０】
▲３▼：４−ヒドロキシ安息香酸−２’−パーフルオロブチルエチル３８４ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、室温で５時間攪拌した。反応混合物から不溶物をろ別し、ジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物１２６を無色の結晶として４５３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８１】
実施例１５：例示化合物１３１の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−メチルヘプチル３００ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１３１を無色の結晶として３０９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８２】
実施例１６：例示化合物１４４の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２”−メチルブチル２８４ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１４４を無色の結晶として３６３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８３】
実施例１７：例示化合物１４８の製造
実施例１４の▲１▼において２−ｎ−パーフルオロブチルエタノール２．６４ｇを使用する代わりに、２−ｎ−パーフルオロオクチルエタノール４．６４ｇを使用した以外は、実施例１４の▲１▼および▲２▼に記載の操作に従い、４−ヒドロキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロオクチルエチル３．３ｇを得た。
得られた４−ヒドロキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロオクチルエチル５８４ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇ、トリフェニルホスフィン２８８ｍｇおよびテトラヒドロフラン５ｇよりなる混合物を室温で１０分間攪拌した。その後、この混合物にＤＥＡＤの４０％トルエン溶液４７８．５ｍｇを添加し、室温で３時間攪拌した。反応終了後、テトラヒドロフランを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物１４８を無色の結晶として５０８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８４】
実施例１８：例示化合物１７４の製造
▲１▼：４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール３．０２ｇ、４−ヒドロキシ安息香酸エチル２．３２ｇ、トリフェニルホスフィン４．０３ｇおよびテトラヒドロフラン２０ｇよりなる混合物を室温で１０分間攪拌した。その後、この混合物に氷冷下、ＤＥＡＤの４０％トルエン溶液６．７０ｇを１時間かけて滴下し、さらに、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、テトラヒドロフランを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体をメタノールより再結晶して、４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕安息香酸エチルを無色の結晶として４．９ｇ得た。
【０１８５】
▲２▼：テトラヒドロフラン３５ｇに水素化リチウムアルミニウム０．５ｇを添加し、水素化リチウムアルミニウムの懸濁液を調製した。この懸濁液に、４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕安息香酸エチル３．６ｇとテトラヒドロフラン１０ｇよりなる混合物を１時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を６０℃で３時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温に冷却して、氷冷下に水２０ｇを滴下した。さらに、１／２規定塩酸を添加し、酸性とし、酢酸エチルを添加した。酢酸エチル溶液を水洗し、溶液より酢酸エチルを減圧下に留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶し、４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕ベンジルアルコール２．７ｇを無色の結晶として得た。
融点：８２〜８３℃
【０１８６】
▲３▼（Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−フルオロ安息香酸−１’−トリフルオロメチル−６’−エチルオキシヘキシル３３５ｍｇ、４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕ベンジルアルコール３２２ｍｇ、トリフェニルホスフィン２８８ｍｇおよびテトラヒドロフラン５ｇよりなる混合物を室温で１０分間攪拌した。その後、この混合物にＤＥＡＤの４０％トルエン溶液４７８．５ｍｇを添加し、室温で３時間攪拌した。反応終了後、テトラヒドロフランを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物１７４を無色の結晶として３７７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８７】
実施例１９：例示化合物１８３の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−ヒドロキシ安息香酸−２’−メチルブチル２０８ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕ベンジルアルコール３２２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１８３を無色の結晶として３４３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８８】
実施例２０：例示化合物１９０の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチル３７０ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１９０を無色の結晶として４０３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１８９】
実施例２１：例示化合物１９６の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、４−ヒドロキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロブチルエチル３８４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１９６を無色の結晶として３９６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１９０】
実施例２２：例示化合物２１７の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−（４’−ｎ−ヘキシルカルボニルフェニル）フェノール２９８ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物２１７を無色の結晶として３８８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１９１】
実施例２３：例示化合物２３１の製造
▲１▼：４−ヒドロキシ安息香酸ベンジル２．２８ｇ、ｎ−トリデカン酸クロライド２．３３ｇおよびトルエン１５ｇよりなる混合物に、氷冷下、トリエチルアミン１．１ｇおよびトルエン５ｇよりなる溶液を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、混合物を室温で３時間攪拌した。反応終了後、析出した塩をろ別し、ろ液を１／２規定塩酸により中和し、水洗し、トルエンを減圧下に留去した。残渣をエタノールより再結晶して、４−ｎ−ドデシルカルボニルオキシ安息香酸ベンジルを無色の結晶として３．５２ｇ得た。
【０１９２】
▲２▼：４−ｎ−ドデシルカルボニルオキシ安息香酸ベンジル３．５ｇ、パラジウム／炭素０．４ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をトルエンから再結晶して、４−ｎ−ドデシルカルボニルオキシ安息香酸を無色の結晶として２．４０ｇ得た。
【０１９３】
▲３▼：４−ｎ−ドデシルカルボニルオキシ安息香酸２．１４ｇ、４−ベンジルオキシフェノール１．４０ｇ、ＤＣＣ１．４４ｇおよびジクロロメタン２０ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液からジクロロメタンを減圧下に留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−（４’−ｎ−ドデシルカルボニルオキシフェニルカルボニルオキシ）−１−ベンジルオキシベンゼンを無色の結晶として３．３ｇ得た。
【０１９４】
▲４▼：４−（４’−ｎ−ドデシルカルボニルオキシフェニルカルボニルオキシ）−１−ベンジルオキシベンゼン３．３ｇ、パラジウム／炭素０．３ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をトルエンから再結晶して、４−（４’−ｎ−ドデシルカルボニルオキシフェニルカルボニルオキシ）フェノールを無色の結晶として２．５ｇ得た。
４−（４’−ｎ−ドデシルカルボニルオキシフェニルカルボニルオキシ）フェノール４２６ｍｇ、４−（１’−ｎ−ヘプチニル）安息香酸２１６ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で３時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、その後、エタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物２３１を無色の結晶として４９９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０１９５】
実施例２４：例示化合物２８７の製造
▲１▼：４−ベンジルオキシフェノール２．００ｇ、（Ｓ）−１−メチルノニルカルボン酸１．８６ｇ、ＤＣＣ２．０６ｇおよびジクロロメタン２０ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、（Ｓ）−４−（１’−メチルノニルカルボニルオキシ）−１−ベンジルオキシベンゼンを無色の結晶として３．２ｇ得た。
【０１９６】
▲２▼：（Ｓ）−４−（１’−メチルノニルカルボニルオキシ）−１−ベンジルオキシベンゼン３．０ｇ、パラジウム／炭素０．３ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、（Ｓ）−４−（１’−メチルノニルカルボニルオキシ）フェノールを無色の油状物として２．０得た。
【０１９７】
▲３▼：（Ｓ）−４−（１’−メチルノニルカルボニルオキシ）フェノール１．６６ｇ、４−ベンジルオキシ安息香酸１．３７ｇ、ＤＣＣ１．２４ｇおよびジクロロメタン１０ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルカルボニルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕−１−ベンジルオキシベンゼンを無色の結晶として２．０ｇ得た。
【０１９８】
▲４▼：（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルカルボニルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕−１−ベンジルオキシベンゼン２．０ｇ、パラジウム／炭素０．２ｇおよび酢酸エチル１０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶して、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルカルボニルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノールを無色の結晶として１．４ｇ得た。
【０１９９】
▲５▼：（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルカルボニルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３９８ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で３時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、その後、エタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物２８７を無色の結晶として４６４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２００】
実施例２５：例示化合物３００の製造
▲１▼４−（４’−ベンジルオキシフェニル）フェノール２．８ｇ、（Ｓ）−２−メチルブチルカルボン酸１．２ｇ、ＤＣＣ３．０９ｇおよびジクロロメタン１５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルカルボニルオキシフェニル〕−１−ベンジルオキシベンゼンを無色の結晶として３．５ｇ得た。
【０２０１】
▲２▼：（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルカルボニルオキシ）フェニル〕−１−ベンジルオキシベンゼン３．５ｇ、パラジウム／炭素０．４ｇおよび酢酸エチル２０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶して、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルカルボニルオキシ）フェニル〕フェノールを無色の結晶として１．６ｇ得た。
【０２０２】
▲３▼：（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルカルボニルオキシ）フェニル〕フェノール２８４ｍｇ、４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で３時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、その後、エタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物３００を無色の結晶として３８３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は１３に示した。
【０２０３】
実施例２６：例示化合物３８２の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物３８２を無色の結晶として４２３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である７４℃から１０℃低い６４℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：１８μ秒 チルト角：３８° 自発分極：７６ｎＣ／ｃｍ²後述の比較例２と比較して、本発明のアセチレン化合物が高い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有していることが判る。また、比較例１および３の化合物と比較して高速応答性（低粘性）を有していることが判る。さらには、比較例１、２および３の化合物と比較して、広いチルト角、高い自発分極を有していることが判る。
【０２０４】
実施例２７：例示化合物３８７の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、４−〔４’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエチルオキシ）−３’−フルオロフェニル〕フェノール３３２ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物３８７を無色の結晶として３８９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２０５】
実施例２８：例示化合物３９０の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−〔４’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエチルオキシ）−３’−フルオロフェニル〕フェノール３３２ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物３９０を無色の結晶として３９３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２０６】
実施例２９：例示化合物４２６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−〔４’−（２”−ｎ−ブチルオキシエチルオキシ）フェニル〕フェノール２８６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４２６を無色の結晶として３４３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２０７】
実施例３０：例示化合物４３３の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−〔４’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエチルオキシ）フェニル〕フェノール３１４ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４３３を無色の結晶として３２１ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２０８】
実施例３１：例示化合物４３４の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）−３’−フルオロフェニル〕フェノール３１６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４３４を無色の結晶として４２２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２０９】
実施例３２：例示化合物４４０の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）−３’−フルオロフェニル〕フェノール３１６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４４０を無色の結晶として３８０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１０】
実施例３３：例示化合物４５２の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４５２を無色の結晶として３１７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１１】
実施例３４：例示化合物４５７の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、４−〔４’−（２”−ｎ−ヘキシルオキシエチルオキシ）フェニル〕フェノール３１４ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４５７を無色の結晶として３７８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１２】
実施例３５：例示化合物４６８の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕−２−フルオロフェノール３１６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４６８を無色の結晶として４０９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１３】
実施例３６：例示化合物４７４の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（２’−メチルブチルオキシ）フェノール１８０ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４７４を無色の結晶として１７８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１４】
実施例３７：例示化合物４８３の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（４’−メチルヘキシルオキシ）フェノール２０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４８３を無色の結晶として２２４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１５】
実施例３８：例示化合物４９１の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３００ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物４９１を無色の結晶として３９９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１６】
実施例３９：例示化合物５０１の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルオキシ）フェニル〕フェノール２５６ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５０１を無色の結晶として２８６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１７】
実施例４０：例示化合物５０６の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５０６を無色の結晶として３６０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２１８】
実施例４１：例示化合物５２１の製造
▲１▼：（Ｓ）−４−（１’−メチルヘプチルオキシ）安息香酸１．２５ｇ、４−ベンジルオキシフェノール１．０ｇ、ＤＣＣ１．０３ｇおよびジクロロメタン１０ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルカルボニルオキシ〕−１−ベンジルオキシベンゼン２．２１ｇを得た。
【０２１９】
▲２▼：（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルカルボニルオキシ〕−１−ベンジルオキシベンゼン２．２ｇ、パラジウム／炭素０．２ｇおよび酢酸エチル１０ｇよりなる混合物を水素雰囲気下、６時間攪拌した。その後、パラジウム／炭素をろ別し、ろ液より酢酸エチルを留去し、得られた残渣をヘキサンから再結晶して、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルカルボニルオキシ〕フェノールを無色の結晶として１．１ｇ得た。
【０２２０】
▲３▼（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルカルボニルオキシ〕フェノール３４２ｍｇ、４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール３２２ｍｇ、トリフェニルホスフィン２８８ｍｇおよびテトラヒドロフラン５ｇよりなる混合物を室温で１０分間攪拌した。その後、この混合物にＤＥＡＤの４０％トルエン溶液４７８．５ｍｇを添加し、室温で３時間攪拌した。反応終了後、テトラヒドロフランを減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、例示化合物５２１を無色の結晶として３８３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２１】
実施例４２：例示化合物５２６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルオキシ）フェニル〕フェノール２５６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５２６を無色の結晶として３４６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２２】
実施例４３：例示化合物５３０の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルカルボニルオキシ〕フェノール３４２ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５３０を無色の結晶として４２１ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２３】
実施例４４：例示化合物５３１の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（ラセミ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルオキシ）フェニル〕フェノール３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５３１を無色の結晶として４０９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２４】
実施例４５：例示化合物５３６の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（２’−メチルブチルオキシ）フェノール１８０ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５３６を無色の結晶として２４９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２５】
実施例４６：例示化合物５５４の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−（２’−メチルブチルオキシ）−２−ナフトール２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５５４を無色の結晶として３１２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２６】
実施例４７：例示化合物５６３の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−（２’−メチルブチルオキシ）−２−ナフトール２３０ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）安息香酸２３０ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物５６３を無色の結晶として３４５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２７】
実施例４８：例示化合物５７０の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３４２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５７０を無色の結晶として３９４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２８】
実施例４９：例示化合物５７６の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（１’−メチルヘプチルオキシ）フェノール２２２ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）ベンジルオキシ〕ベンジルアルコール３２２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物５７６を無色の結晶として３６８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２２９】
実施例５０：例示化合物６０１の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−メチルヘプチル３００ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−デシニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３５２ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６０１を無色の結晶として５１３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３０】
実施例５１：例示化合物６０６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−４’−メチルヘキシル２８６ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−デシニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３５２ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６０６を無色の結晶として４５９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３１】
実施例５２：例示化合物６１６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２５０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕安息香酸３０６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６１６を無色の結晶として４０９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３２】
実施例５３：例示化合物６２６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−２’−メチルブチル２５８ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３２４ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６２６を無色の結晶として４５７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３３】
実施例５４：例示化合物６２８の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２５０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−デシニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３５２ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６２８を無色の結晶として４９６ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３４】
実施例５５：例示化合物６３５の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸−１’−（トリフルオロメチル）ヘプチル３５７ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−デシニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３５２ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６３５を無色の結晶として３２９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３５】
実施例５６：例示化合物６３９の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−（トリフルオロメチル）プロピル２９８ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３２４ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６３９を無色の結晶として４６５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３６】
実施例５７：例示化合物６４７の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２５０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕ベンジルアルコール２９２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物６４７を無色の結晶として３６７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３７】
実施例５８：例示化合物６６８の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−メチルヘプチル３００ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕安息香酸３０６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物６６８を無色の結晶として３２３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３８】
実施例５９：例示化合物６７３の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−１’−（トリフルオロメチル）ヘキシル３４０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕ベンジルアルコール２９２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物６７３を無色の結晶として３７４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２３９】
実施例６０：例示化合物７５９の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−フルオロ安息香酸−１’−（トリフルオロメチル）−６’−エチルオキシヘキシル３３５ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕ベンジルアルコール２９２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物７５９を無色の結晶として３５９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４０】
実施例６１：例示化合物７８８の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸−１’−（トリフルオロメチル）−３’−エチルオキシプロピル３４５ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕ベンジルアルコール２９２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物７８８を無色の結晶として３６２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４１】
実施例６２：例示化合物８０１の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（１’−メチルノニルカルボニルオキシ）フェノール２５０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）−３’−フルオロフェニル〕安息香酸３２４ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物８０１を無色の結晶として４１１ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４２】
実施例６３：例示化合物９０４の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−（２’−メチルブチルオキシ）−２−ナフトール２３０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕安息香酸３０６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９０４を無色の結晶として３５２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４３】
実施例６４：例示化合物９１３の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（２’−メチルブチルオキシ）フェノール１８０ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕ベンジルアルコール２９２ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物９１３を無色の結晶として２６３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４４】
実施例６５：例示化合物９４８の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（１’−メチルヘプチルオキシ）フェノール２２２ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕安息香酸３０６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９４８を無色の結晶として３４２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４５】
実施例６６：例示化合物９６０の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３４２ｍｇおよび４−〔４’−（１”−ｎ−オクチニル）フェニル〕安息香酸３０６ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９６０を無色の結晶として４７３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４６】
実施例６７：例示化合物９７３の製造
実施例１において４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９７３を無色の結晶として４９９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４７】
実施例６８：例示化合物９８３の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチル３７０ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９８３を無色の結晶として４２９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４８】
実施例６９：例示化合物９８９の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−２’−メチルブチル２５８ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９８９を無色の結晶として４２２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２４９】
実施例７０：例示化合物９９２の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２’−メチルブチル２８４ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物９９２を無色の結晶として３７０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５０】
実施例７１：例示化合物９９６の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、４−ヒドロキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロブチルエチル３８４ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物９９６を無色の結晶として３５７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５１】
実施例７２：例示化合物１００４の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ安息香酸−１’−メチルヘプチル２５０ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１００４を無色の結晶として２６８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５２】
実施例７３：例示化合物１０１２の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸−２’−メチルブチル２５８ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１０１２を無色の結晶として３５２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５３】
実施例７４：例示化合物１０４５の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−フルオロ安息香酸−１’−（トリフルオロメチル）−６’−エチルオキシヘキシル３３５ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１０４５を無色の結晶として３２２ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５４】
実施例７５：例示化合物１０８３の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルノニルカルボニルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３９８ｍｇよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１０８３を無色の結晶として４０４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５５】
実施例７６：例示化合物１１１４の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−（１’−メチルヘプチルオキシ）フェノール２２２ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１１１４を無色の結晶として２５４ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５６】
実施例７７：例示化合物１１３０の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１１３０を無色の結晶として４４７ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５７】
実施例７８：例示化合物１１３５の製造
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３４２ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１１３５を無色の結晶として４２３ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５８】
実施例７９：例示化合物１１４４の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３４２ｍｇよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１１４４を無色の結晶として３８９ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２５９】
実施例８０：例示化合物１１５３の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（２”−メチルブチルオキシ）フェニルオキシカルボニル〕フェノール３００ｍｇよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−メタノール２９４ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１１５３を無色の結晶として３２８ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２６０】
実施例８１：例示化合物１１７０の合成
実施例１において（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−デシニル）安息香酸２５８ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−６−（２’−メチルブチルオキシ）−２−ナフトール２３０ｍｇおよび６−（１’−ｎ−デシニル）ナフタレン−２−カルボン酸３０８ｍｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い例示化合物１１７０を無色の結晶として３４０ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２６１】
実施例８２：例示化合物１２６０の合成
（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２”−メチルブチル２８４ｍｇ、６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−カルボン酸３１１ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で５時間攪拌した。反応混合物から不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより２回精製し、例示化合物１２６０を無色の結晶として５９５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２６２】
実施例８３：例示化合物１２８０の製造
実施例１３において、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−（１’−ｎ−オクチニル）ベンジルアルコール２１６ｍｇを使用する代わりに、４−ヒドロキシ安息香酸−２’−ｎ−パーフルオロブチルエチル３８４ｍｇよび６−（１’−ｎ−デシニル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−メタノール２９７ｍｇを使用した以外は、実施例１３に記載の操作に従い、例示化合物１２８０を無色の結晶として３８５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２６３】
実施例８４：例示化合物１３７３の製造
実施例８２において、（Ｓ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−２”−メチルブチル２８４ｍｇを使用する代わりに、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）−３’−フルオロフェニル〕フェノール３１６ｍｇを使用した以外は、実施例８２に記載の操作に従い例示化合物１３７３を無色の結晶として３６５ｍｇ得た。この化合物の相転移温度は表１３に示した。
【０２６４】
【表３３】

【０２６５】
【表３４】

【０２６６】
【表３５】

【０２６７】
【表３６】

【０２６８】
【表３７】

【０２６９】
【表３８】

【０２７０】
【表３９】

【０２７１】
【表４０】

【０２７２】
【表４１】

【０２７３】
【表４２】

【０２７４】
【表４３】

【０２７５】
【表４４】

【０２７６】
【表４５】

【０２７７】
【表４６】

【０２７８】
【表４７】

【０２７９】
【表４８】

【０２８０】
【表４９】

【０２８１】
比較例１
４−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸２３６ｍｇ、（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇ、ＤＣＣ２０６ｍｇおよびジクロロメタン５ｇよりなる混合物を室温で３０分間攪拌した。その後、混合物に触媒量の４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを添加し、さらに室温で６時間攪拌した。反応終了後、混合物中の不溶物をろ別し、ろ液よりジクロロメタンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた固体をエタノール／酢酸エチル混合溶媒（１０：１Vol/Vol）により２回再結晶し、下記化合物を無色の結晶として４０２ｍｇ得た。
【０２８２】
【化３０】

【０２８３】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である９２℃から１０℃低い８２℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：３３μ秒 チルト角：３３° 自発分極：５４ｎＣ／ｃｍ²
実施例２６との比較より、この化合物は高い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有するが、応答時間が遅く、粘性が高いことが判る。また、自発分極、チルト角の値も本発明のアセチレン化合物と比較して小さいことが判る。
【０２８４】
比較例２
比較例１において４−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸２３６ｍｇを使用する代わりに、４−ｎ−オクチル安息香酸２３４ｍｇを使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶とし３５４ｍｇ得た。
【０２８５】
【化３１】

【０２８６】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である６７℃から１０℃低い５７℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：２４μ秒 チルト角：３５° 自発分極：４６ｎＣ／ｃｍ²
実施例２６との比較から、この化合物は、上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）が低く、また、自発分極、チルト角も本発明のアセチレン化合物と比較して小さいことが判る。また、比較例１との比較よりこの化合物は応答時間が速いが、上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）が低い。
【０２８７】
比較例３
比較例１において４−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸２３６ｍｇを使用する代わりに、４−ｎ−デシルオキシ安息香酸２７８ｍｇを使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶とし３３３ｍｇ得た。
【０２８８】
【化３２】

【０２８９】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である１０４℃から１０℃低い９４℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：３４μ秒 チルト角：３２° 自発分極：５７ｎＣ／ｃｍ²
実施例２６との比較から、この化合物は、上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）は高いが、応答時間が遅く、粘性が高いことが判る。また、自発分極、チルト角も本発明のアセチレン化合物と比較して小さいことが判る。
【０２９０】
比較例４
比較例１において（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇを使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶として３８６ｍｇ得た。
【０２９１】
【化３３】

【０２９２】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。なお、（）内の数字は降温過程での相転移温度を示す（以下の実施例、比較例においても同じ）。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である７５℃から２℃低い７３℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：６１μ秒 チルト角：１２．５°
実施例１１との比較よりこの化合物が遅い応答時間を有しており、粘性が高いことが判る。
【０２９３】
比較例５
比較例１において（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇおよび４−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸２３６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニル）安息香酸−１”−メチルヘプチル３２６ｍｇおよび４−ｎ−オクチル安息香酸２３４ｍｇを使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶として３５８ｍｇ得た。
【０２９４】
【化３４】

【０２９５】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である４６℃から２℃低い４４℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：４５μ秒 チルト角：７°
実施例１１との比較より、この化合物が低い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有していることが判る。また、チルト角も本発明のアセチレン化合物と比較して小さいことが判る。
【０２９６】
比較例６
比較例１において（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチル３７０ｍｇを使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶として３８９ｍｇ得た。
【０２９７】
【化３５】

【０２９８】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である７３℃から５℃低い６８℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：７０μ秒 チルト角：１２°
実施例９との比較より、この化合物は、応答時間が遅く、粘性が高いことが判る。
【０２９９】
比較例７
比較例１において（Ｓ）−４−〔４’−（１”−メチルヘプチルオキシ）フェニル〕フェノール２９８ｍｇおよび４−ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸２３６ｍｇを使用する代わりに、（Ｒ）−４−（４’−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−１”−メチルヘプチル３７０ｍｇおよび４−ｎ−オクチル安息香酸２３４を使用した以外は、比較例１に記載の操作に従い、下記化合物を無色の結晶として３２６ｍｇ得た。
【０３００】
【化３６】

【０３０１】
この化合物の相転移温度（℃）は以下に示した。

この化合物を、ＩＴＯ電極およびラビング処理したポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ８６１６）の配向膜を有する、厚さ２μｍのガラス製のテストセルに注入し、電界印加時の駆動特性を測定した。測定は、この化合物のＳ_C＊相転移点である５６℃から５℃低い５１℃で行い、印加電圧は±２０Ｖで行った。測定結果を以下に示す。
応答時間：４３μ秒 チルト角：１１°
実施例９との比較よりこの化合物は、本発明のアセチレン化合物と比較して低い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を有していることが判る。
【０３０２】
実施例８５：液晶組成物の調製
本発明のアセチレン化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１００℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３０３】
【化３７】

この液晶組成物の相転移温度（℃）を以下に示した。

【０３０４】
実施例８６：液晶素子の作製
２枚の１．１ｍｍ厚のＩＴＯ膜付きのガラス板に絶縁性配向制御層〔ポリイミド（住友ベークライト社製：ＣＲＤ−８６１６）〕をスピンコートし、成膜後、９０℃で５分間、２００℃で３０分間焼成した。この配向膜にラビング処理を行い、平均粒径１．９μｍのシリカビーズを一方のガラス板上に散布した。その後、それぞれのラビング処理軸が互いに反平行となるよう、シール剤を用いてガラス板を張り合わせ、セルを作製した。このセルを１００℃に加熱し、加熱（１００℃）した実施例８５で調製した液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で室温まで冷却し、液晶素子を作製した。この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、３０℃での光学的な応答時間は４８μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、２７．５°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は１０８ｎＣ／ｃｍ²であり、また、±１０Ｖでの応答時間は９２μ秒であった。
【０３０５】
実施例８７：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１２０℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３０６】
【化３８】

この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３０７】
実施例８８：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例８７で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、３０℃での光学的な応答時間は４６μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、３１．０°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、６５ｎＣ／ｃｍ²であり、±１０Ｖでの応答時間は６８μ秒であった。
【０３０８】
実施例８９：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１２０℃で加熱溶融し、液晶組成物（反強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３０９】
【化３９】

この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３１０】
実施例９０：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例８９で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、３０℃での光学的な応答時間は２８μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は ２２．５°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、１０７ｎＣ／ｃｍ²であり、±１０Ｖ駆動時の応答時間は６２μ秒であった。
【０３１１】
実施例９１：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１２０℃で加熱溶融し、液晶組成物（反強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３１２】
【化４０】

この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３１３】
実施例９２：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例９１で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、３０℃での光学的な応答時間は８９μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、２１．５°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、１０１ｎＣ／ｃｍ²であった。また、±１０ｖ駆動時の応答時間は１６０μ秒であった。
【０３１４】
実施例９３：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１２０℃で加熱溶融し、液晶組成物（反強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３１５】
【化４１】

この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３１６】
実施例９４：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例９３で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、３０℃での光学的な応答時間は４２μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、２２．０°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、９６ｎＣ／ｃｍ²であった。また、±１０Ｖ駆動時の応答時間は８２μ秒であった。
【０３１７】
実施例９５：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１００℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３１８】
【化４２】

この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３１９】
実施例９６：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例９５で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、室温（２５℃）での光学的な応答時間は４８μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１５．０°であり、コントラストは良好であった。
【０３２０】
比較例８：液晶組成物の調製
実施例９５との比較のため、本発明のアセチレン化合物を含有しない液晶組成物を調製し、液晶素子を作製した。
すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１００℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３２１】
【化４３】

【０３２２】
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

次に、実施例８６と同様の操作に従い作製したセルを１００℃に加熱し、加熱（１００℃）した上記の液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で冷却し、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。尚、室温（２５℃）における光学的な応答時間は１４１μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は１７．０°であった。
【０３２３】
実施例９７：液晶組成物の調製
本発明のアセチレンの化合物を含む液晶組成物を調製した。すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１３０℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３２４】
【化４４】

この液晶組成物の相転移温度（℃）を以下に示した。

【０３２５】
実施例９８：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例９７で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、室温（２５℃）での光学的な応答時間は１６３μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１９．５°であり、コントラストは良好であった。
【０３２６】
比較例９
実施例９７との比較のため、本発明のアセチレン化合物を含有しない液晶組成物を調製し、液晶素子を作製した。
すなわち、下記の化合物群を書きに示した割合で混合し、１３０℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３２７】
【化４５】

【０３２８】
この液晶組成物の相転移温度（℃）を以下に示した。

次に、実施例８６と同様の操作に従い作製したセルを１２０℃に加熱し、加熱（１２０℃）した上記の液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で冷却し、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。尚、室温（２５℃）における光学的な応答時間は２２６μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１９．５°であった。
【０３２９】
比較例１０：ホスト液晶の調製
本発明のアセチレン化合物を含有しない液晶組成物を調製した。
すなわち、下記の化合物群を、下記に示した割合で混合し、１００℃で加熱溶融し、液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
【０３３０】
【化４６】

【０３３１】
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

次に、実施例８６と同様の操作に従い作製したセルを１００℃に加熱し、加熱（１００℃）した上記の液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で冷却し、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。尚、室温（２５℃）における光学的な応答時間は１１８μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１７．５°であった。また、この液晶組成物の自発分極は１８ｎＣ／ｃｍ²であった。
【０３３２】
実施例９９：液晶組成物の調製
比較例１０で調製した液晶組成物に、実施例２６で製造した本発明のアセチレン化合物を１０重量％添加して液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３３３】
実施例１００：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例９９で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、室温（２５℃）での光学的な応答時間は７４μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１７．５°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、２２ｎＣ／ｃｍ²であった。 後述の比較例１１との比較より本発明のアセチレン化合物を含有する液晶組成物が、高い上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）と、大きなチルト角、大きな自発分極を有していることが判る。また、比較例１２との比較より本発明のアセチレン化合物を含有する液晶組成物が速い応答時間（低粘性）を有していることが判る。
【０３３４】
比較例１１
実施例９９との比較のため、比較例１０で調製した液晶組成物に比較例２で製造した化合物を１０重量％添加し、液晶組成物を調製し、液晶素子を作製した。
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

次に、実施例８６と同様の操作に従い作製したセルを１００℃に加熱し、加熱（１００℃）した上記の液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で冷却し、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。尚、室温（２５℃）における光学的な応答時間は７４μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１５．５°であった。また、この液晶組成物の自発分極は１８ｎＣ／ｃｍ²であった。
【０３３５】
比較例１２
実施例９９との比較のため、比較例１０で調製した液晶組成物に比較例３で製造した化合物を１０重量％添加し、液晶組成物を調製し、液晶素子を作製した。
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

次に、実施例８６と同様の操作に従い作製したセルを１００℃に加熱し、加熱（１００℃）した上記の液晶組成物を注入し、その後、３℃／分の速度で冷却し、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。尚、室温（２５℃）における光学的な応答時間は１２０μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１７．５°であった。また、この液晶組成物の自発分極は２０ｎＣ／ｃｍ²であった。
【０３３６】
実施例１０１：液晶組成物の調製
比較例１０で調製した液晶組成物に、実施例３０で製造した本発明のアセチレン化合物を１０重量％添加して液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３３７】
実施例１０２：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例１０１で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、室温（２５℃）での光学的な応答時間は１０２μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１９．０°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、１６ｎＣ／ｃｍ²であった。比較例１０との比較より本発明のアセチレン化合物を液晶組成物の構成成分として使用することで、粘性を増加（応答時間を増加）させること無く、上限温度（Ｓ_C＊相転移温度）を上げることが可能であることが判る。
【０３３８】
実施例１０３：液晶組成物の調製
比較例１０で調製した液晶組成物に、実施例３３で製造した本発明のアセチレン化合物を１０重量％添加して液晶組成物（強誘電性液晶組成物）を調製した。
この液晶組成物の相転移温度（℃）は以下に示した。

【０３３９】
実施例１０４：液晶素子の作製
実施例８６において、実施例８５で調製した液晶組成物を使用する代わりに、実施例１０３で調製した液晶組成物を使用した以外は実施例８６に記載の操作に従い、液晶素子を作製した。
この液晶素子をクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板間に挿入し、±２０Ｖ、１０Ｈｚの矩形波を印加したところ、明瞭なスイッチング現象が観察された。また、偏光顕微鏡観察では良好な均一配向状態が観察された。尚、室温（２５℃）での光学的な応答時間は８６μ秒であり、矩形波駆動時のスイッチングにおける２点の消光位より求めたチルト角は、１９．０°であり、コントラストは良好であった。また、この液晶組成物の自発分極は、１９ｎＣ／ｃｍ²であった。
【０３４０】
実施例９、１１および２６と比較例１、２、３、４、５、６および７との比較より、本発明のアセチレン化合物は、末端アルキル基が単結合で結合している化合物と比較して、液晶相の上限温度（Ｓ_C＊転移温度）が高く、また、応答速度は同等であることが判る。また、末端アルキル基が−Ｏ−基により結合した化合物と比較して、上限温度は同等であり、且つ応答速度が速いことが判る。また、実施例９６と比較例８の比較より、本発明のアセチレン化合物を使用することで液晶組成物の応答時間を改善することができることが判る。また、実施例９８と比較例９との比較より、本発明のアセチレン化合物は、液晶組成物の上限温度を維持しつつ応答時間を向上させる効果を有することが判る。さらに実施例１００と比較例１０との比較からも、本発明のアセチレン化合物を液晶組成物の構成成分として使用することにより、液晶組成物の上限温度を向上させ、さらに応答時間を改善することが可能になることが判る。実施例１００と比較例１１および１２からも本発明のアセチレン化合物を液晶組成物の構成成分として使用することにより、液晶組成物の上限温度を維持・向上させ、応答時間を改善することが可能になることが判る。
【０３４１】
【発明の効果】
本発明により液晶組成物の構成成分として有用なアセチレン化合物、特に、液晶組成物に添加した際に、液晶組成物の上限温度を上げつつ、粘度を下げる（応答時間を早める）化合物を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた液晶素子の一例の断面概略図である。
【符号の説明】
１ カイラルスメクチック相を有する液晶層
２ 基板
３ 透明電極
４ 絶縁性配向制御層
５ スペーサー
６ リード線
７ 電源
８ 偏光板
９ 光源
Ｉ₀ 入射光
Ｉ 透過光

Claims (13)

1. 一般式（１）（化１）で表されるアセチレン化合物。
   

   

   〔式中、ｍは２〜２４の整数を表し、Ｒ₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２４の直鎖または分岐鎖のアルコキシアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数３〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニル基、あるいは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数４〜２４の直鎖または分岐鎖のアルケニルオキシアルキル基を表し、Ｒ₁は不斉炭素を有していてもよく、該不斉炭素は光学活性であってもよく、Ａは
   

   

   より選ばれる基を表し、
   Ｂは
   

   

   より選ばれる基を表し、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｚ₁は−ＣＯＯ−基または−ＣＨ₂Ｏ−基を表し、Ｙ₁は
   −Ｏ−基、−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基を表し、Ｙ₂は−ＣＨ₂Ｏ−基、
   −ＯＣＨ₂−基、−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基を表す〕
2. Ｙ₁が−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基である請求項１記載のアセチレン化合物。
3. Ｚ₁が−ＣＯＯ−基である請求項２記載のアセチレン化合物。
4. Ａが
   

   

   〔式中、Ｘ₁、Ｘ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表す〕である請求項３記載のアセチレン化合物。
5. Ｚ₁が−ＣＨ₂Ｏ−基である請求項２記載のアセチレン化合物。
6. Ｙ₁が−Ｏ−基である請求項１記載のアセチレン化合物。
7. Ｚ₁が−ＣＯＯ−基である請求項６記載のアセチレン化合物。
8. Ａが
   

   

   〔式中、Ｘ₁、Ｘ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表す〕である請求項７記載のアセチレン化合物。
9. Ｒ₂が光学活性なアルキル基である請求項６記載のアセチレン化合物。
10. Ｂが一般式（２）（化６）
    

    

    〔式中、Ｘ₃およびＸ₄は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｙ₂は−ＣＨ₂Ｏ−基、−ＯＣＨ₂−基、−ＣＯＯ−基または−ＯＣＯ−基を表す〕 で表される請求項６記載のアセチレン化合物。
11. Ｚ₁が−ＣＨ₂Ｏ−基である請求項６記載のアセチレン化合物。
12. 請求項１記載のアセチレン化合物を少なくとも１種含有する液晶組成物。
13. 請求項１２記載の液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる液晶素子。

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