JP3835218B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層セラミックコンデンサ、特に外部電極を構成するガラスフリットの焼き付け後の組成を最適化した積層セラミックコンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサは、内部電極を形成した誘電体セラミックス焼結体と、内部電極に導通し誘電体セラミックス焼結体の側面に形成され焼き付けられた外部電極とから構成されている。誘電体セラミック焼結体は、Ni等の内部電極を備えた誘電体層が積層形成されている。外部電極は導電ペーストの焼付けにより形成されている。外部電極表面には金属メッキが施されており、外部電極の腐食の防止および実装基板への半田付け性を向上させている。
【0003】
このような積層セラミックコンデンサの外部電極において、ガラスフリットに要求される重要な特性としては、外部電極の焼結を促す焼結助剤としての機能と、焼結後に外部電極に行うメッキのメッキ液に対するシール性を確保する機能との二つが存在する。
【0004】
これまで、これらの機能を有するために、外部電極用のガラスフリットとしては、Ba−Si−B系フリットおよびZn−Si−B系フリットを通常使用していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の積層セラミックコンデンサの外部電極の構成においては、以下に説明する解決すべき課題があった。
【0006】
近年、積層セラミックコンデンサの薄層化および多層化が進行する中、外部電極のメッキ液に対するシール性の確保がさらに要求されるようになってきた。しかし、シール性を確保するために外部電極の焼結性を向上した場合、シール性は確保できるものの、外部電極中のガラスフリットが外部電極の焼結とともに外部電極表面部に析出する。これは、外部電極の焼結が促進されると外部電極内の金属粒子同士の焼結が率先して行われ、外部電極内部で金属粒子間に存在したガラスフリットが外部に押し出されることによる。このように、ガラスフリットが外部電極表面に析出すると、メッキ付け性が低下し、場合によっては、メッキされなくなってしまう。この結果、実装基板に積層セラミックコンデンサを実装する際に、濡れ性が悪くなる等の不具合が発生する。
【0007】
また、一方で、メッキ付け性を確保するために外部電極の焼結度を低下させたり、ガラスフリットの添加量を減じた場合には、メッキ液に対するシール性が低下し、積層セラミックコンデンサの信頼性を悪化させる可能性がある。
【0008】
この発明の目的は、外部電極のシール性およびメッキ付け性のどちらの特性も良好な積層セラミックコンデンサを構成することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は、積層セラミックコンデンサの端面外周部となる外部電極の電極外周部付近におけるガラスフリットに、少なくともBa,Si,Bの各酸化物を含有させ、外部電極の中央部におけるガラスフリットのSiO 2 の含有率を、当該ガラスフリットの50mol%より多くし、外部電極の中央部に比べて前記電極外周部における前記Baの酸化物の含有率が高めて、外部電極の電極外周部付近におけるガラスフリットのSiO2の含有率を、当該ガラスフリットの50mol%以下にして積層セラミックコンデンサを構成する。
【0010】
また、この発明は、ガラスフリットがガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットからなり、これに含有されたアルカリ土類金属酸化物を電極外周部付近に析出させることにより、該エッジ部付近のガラスフリット成分に対するSiO2の含有率を50mol%以下にした積層セラミックコンデンサを構成する。
【0011】
また、この発明は、ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の低い側のガラスフリットを、Zn−Si−B系、Bi−Si−B系またはPb−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成する。
【0012】
また、この発明は、ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の高い側の前記ガラスフリットを、Ba−Si−B系、Sr−Si−B系またはCa−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つを含有して積層セラミックコンデンサを構成する。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの構成について、図1を参照して説明する。
【0014】
図1の(a)は積層セラミックコンデンサの側面断面図であり、(b)はその外部電極からみた正面図である。
【0015】
図1において、1はセラミック焼結体、2はセラミック焼結体1を構成する複数の誘電体層、3は複数の誘電体層2間に配置される内部電極、4はセラミック焼結体1の両端に形成された外部電極であり、41は外部電極中央部、42は外部電極外周部である。
【0016】
積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極3がそれぞれ形成された複数の誘電体層2が積層され、焼成されたセラミック焼結体1の外面の内部電極3の端部となる面に外部電極4が形成されている。
【0017】
外部電極4は、焼結されたセラミック焼結体1にバレル研磨等を行った後、導電ペーストを塗布して乾燥させた後、N2 とH2 Oとからなる所定の雰囲気と所定の温度条件に制御した焼成炉で焼付することにより形成される。この外部電極にメッキを行い、半田とのなじみ性および信頼性を向上する。
【0018】
内部電極はNiで、誘電体層はBaTiO3 を主成分とするセラミックスで構成されており、外部電極はBa−Sr−Si−B系のガラスフリット、Zn−Si−B系のガラスフリット、およびCuを含有した導電ペーストの焼成物より構成されている。これら二種類のガラスフリットは、その構成により、ガラス転移点が異なり、Zn−Si−B系のガラスフリットは転移点が低く、濡れ性を向上させる。一方、Ba−Sr−Si−B系のガラスフリットは拡散しにくいため、Cuとともに焼成され、外部電極の形状が構成される。
【0019】
このように、二種類の組成の異なるガラスフリットを混合することにより、内部電極およびセラミック焼結体への外部電極の濡れ性と、外部電極の形状形成とを容易にすることができる。
【0020】
ここで、外部電極の焼成条件を変更することにより、焼成後の外部電極表面の組成が変化する。すなわち、焼成温度および、焼成雰囲気のO2 濃度を変更することにより、外部電極の表面に析出するガラスフリット内の組成が異なる。
【0021】
次に、複数の条件下で焼成を行った場合の外部電極表面のガラスフリットの組成について、表1、表2を用いて説明する。
【0022】
表1は焼成後の外部電極中央部41での組成を示したものであり、表2は外部電極外周部42での組成を示したものである。
なお、組成については、走査型オージェ電子顕微鏡、および波長分散型X線マイクロアナライザを用いて、外部電極の表面および、表面から2μm以内の内部について分析を行っている。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
表1に示すように、焼成条件を変化させても、外部電極中央部に存在するガラスフリットの組成は、ZnO−SiO2 −B2 O3 を主体とするフリットで構成されている。よって、焼成条件による影響は殆どない。
【0026】
一方、表2に示すように、外部電極外周部に存在するガラスフリットの組成は、ZnO−SiO2 −B2 O3 を主体とするフリットではあるが、焼成条件により、それぞれ比率が変化し、全体としてのZnO−SiO2 −B2 O3 の比率が減少するかわりに、BaO,SrOの析出量が増加する。このように、外部電極の中央部と外周部とではガラスフリットの組成が異なる。
【0027】
なお、検出されたTiO2におけるTiは、ガラスフリットに含まれておらず、セラミック焼結体から拡散して析出したものである。
【0028】
これらの複数の組成からなるコンデンサのメッキ付き性試験および耐湿負荷(シール性)試験の結果を表3、表4にそれぞれ示す。
【0029】
表3に示すメッキ付き性試験は、各焼成条件で形成された外部電極に、Ni、Snを順次メッキしていき、目視観察によりメッキが形成されているか(Cu外部電極が露出していないか)により判断した。
【0030】
一方、表4に示す耐湿負荷試験は、温度が70℃、湿度が95%Rhで10V通電を2000時間実施した後の絶縁抵抗不良で判断した。
【0031】
【表3】
【0032】
【表4】
【0033】
表3に示すように、焼成条件▲7▼,▲8▼の外部電極構造を有する積層セラミックコンデンサには不良が発生し、他の焼成条件では発生しなかった。
【0034】
この結果から、メッキ付き性の確保には、外部電極外周部のガラスフリット内における、BaO,SrOの含有量、およびBaO,SrOを含有した状態でのSiO2 の含有量に影響を受け、SiO2 の含有量が多ければ(ガラスフリット全体の50mol%を超えて存在すれば)、メッキ付き性が低下する。
【0035】
また、表4に示すように、焼成条件▲2▼,▲3▼,▲4▼,▲5▼,▲8▼の外部電極構造を有する積層セラミックコンデンサには不良の発生はなかった。
【0036】
この結果から、BaO,SrOを含有することは、シール性を確保するための必須条件であり、特に、外部電極外周部で含有していることが不可欠である。
【0037】
これらの結果から、焼成条件▲2▼,▲3▼,▲4▼,▲5▼の外部電極構造を有する積層セラミックコンデンサは、メッキ付き性、耐湿負荷(シール性)ともに問題はない。すなわち、外部電極表面にBaO,SrOを含有し、かつ外部電極外周部におけるガラスフリット全体に占めるSiO2 の含有比率が50mol%以下となるような外部電極の構成であれば、良好な半田なじみ性(実装しやすさ)を有し、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成することができる。
【0038】
なお、本実施形態では、内部電極をNi、BaTiO3 とし、導電ペーストのガラスフリットをBa−Sr−Si−B系およびZn−Si−B系とし、外部電極をCuとしてた積層セラミックコンデンサを示したが、内部電極、セラミック焼結体、および外部電極の構成はこれに限るものではない。
【0039】
また、本実施形態では、導電ペースト内のガラスフリットの組成を変更せず、焼成条件を複数種用いて、外部電極表面に析出するガラスフリットの組成を設定した。しかし、導電ペーストに混ぜるガラスフリットの組成を変更したり、ガラスフリットの組成変更と焼成条件の設定により、析出するガラスフリットの組成を定めるようにしてもよい。
【0040】
例えば、Ba−Sr−Si−B系のガラスフリットの代わりに、Ba−Si−B系、Sr−Si−B系、Ca−Si−B系、またはBa−Ca−Si−B系のガラスフリットを用いてもよく、Zn−Si−B系のガラスフリットの代わりに、Bi−Si−B系、Pb−Si−B系の低ガラス転移点を有するガラスフリットを用いてもよい。
【0041】
【発明の効果】
この発明によれば、外部電極のエッジ部付近におけるガラスフリットの成分として、少なくともBa,Si,Bの各酸化物を含有し、かつSiO2 の構成比率が全体の50mol%以下となるようにすることで、メッキ付け性が良好で、実装性が良好な、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成することができる。
【0042】
また、この発明によれば、ガラスフリットがガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットからなり、これに含有されたアルカリ土類金属が外部電極の電極外周部付近に拡散することにより、BaO等のアルカリ土類金属酸化物が外部電極の表面に析出し、実装性が良好で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを容易に構成することができる。
【0043】
また、この発明によれば、ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の低い側のガラスフリットを、Zn−Si−B系、Bi−Si−B系またはPb−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つを含有することにより、内部電極およびセラミック焼結体への濡れ性が向上し、実装性が良好で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成することができる。
【0044】
また、この発明によれば、ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の高い側の前記ガラスフリットを、Ba−Si−B系、Sr−Si−B系またはCa−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つを含有することにより、アルカリ土類金属酸化物が外部電極の表面に析出しやすく、実装性が良好で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】積層セラミックコンデンサの側面断面図および正面図
【符号の説明】
1−セラミック焼結体
2−誘電体層
3−内部電極
4−外部電極
41−外部電極中央部
42−外部電極外周部
Claims (5)
- 積層セラミックコンデンサの端面外周部となる外部電極の電極外周部付近の表層部におけるガラスフリットは、少なくともBa,Si,Bの各酸化物を含有し、
前記外部電極の中央部付近のガラスフリットのSiO 2 の含有率は、当該ガラスフリットの50mol%より多く、
前記外部電極の中央部に比べて前記電極外周部における前記Baの酸化物の含有率を高めて、前記外部電極の電極外周部付近のガラスフリットのSiO2の含有率を、当該ガラスフリットの50mol%以下にした積層セラミックコンデンサ。 - 前記ガラスフリットがガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットからなり、該ガラスフリットに含有されたアルカリ土類金属酸化物が前記電極外周部付近に析出している請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の低い側の前記ガラスフリットが、Zn−Si−B系、Bi−Si−B系またはPb−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つである請求項2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記ガラス転移点の異なる二種類のガラスフリットにおけるガラス転移点の高い側の前記ガラスフリットが、Ba−Si−B系、Sr−Si−B系またはCa−Si−B系のガラスフリットのいずれか一つである請求項2または請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。
- ガラスフリットを含有する伝導ペーストが塗布されたセラミック焼結体を、酸素濃度を調整した雰囲気中で焼成することにより、
積層セラミックコンデンサの端面外周部となる外部電極の電極外周部付近の表層部におけるガラスフリットに、少なくともBa,Si,Bの各酸化物を含有させ、前記外部電極の中央部付近におけるガラスフリットのSiO 2 の含有率を、当該ガラスフリットの50mol%より多くし、前記外部電極の中央部に比べて前記電極外周部における前記Baの酸化物の含有率を高めて、前記外部電極の電極外周部付近におけるガラスフリットのSiO2の含有率を、当該ガラスフリットの50mol%以下にした積層セラミックコンデンサの製造方法。
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