JP3832956B2 - 光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学記憶媒体から光学ヘッドにより情報を読み取る光学記憶装置において、光学記憶媒体のセクターマークを検出する光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法に関する。
【０００２】
光ディスク装置等の光学記憶装置においては、光学ヘッドが光学記憶媒体に光を照射して、情報の読み出し及び書き込みを行う。この光学記憶装置には、記憶容量の増大が求められている。
【０００３】
【従来の技術】
図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、従来技術の説明図である。
【０００４】
光ディスクの各トラックは、セクター毎に分割されている。図１４（Ａ）に示すように、各セクターの先頭には、セクタ開始を見分けるためのセクターマークが設けられている。セクターマークは、データと容易に区別できるパターンで構成されている。セクターマークに続いて、アイデンティファ（ＩＤ）領域と、ＤＡＴＡ ＦＩＥＬＤを有するデータ領域とが設けられている。アイデンティファ領域は、ＶＦＯ調整パターンとアドレスマーク（ＡＭ）を少なくとも有する。このＤＡＴＡ ＦＩＥＬＤに、ユーザデータが書かれる。ヘッダは、ディスク媒体製造業者によって、エンボスピットとして書込まれ、ユーザーは書き換えることができない。
【０００５】
ディスク媒体に予め形成されているエンボスピットの有無をＩＤ信号として、ディテクタ上のビームの光量変化として検出する。光磁気ディスクでは、ディスク媒体の記録膜の磁化方向をレーザ光の偏光面変化としてディテクタ上でＭＯ信号として検出する。又、相変化型光ディスクでは、記録膜の相変化現象を利用して記録を行い、ビームの光量変化としてＤＤ信号として検出する。
【０００６】
このセクターマークを検出することにより、アイデンティファ（ＩＤ）領域を認識して、トラック番号、ＩＤ番号、セクター番号などのアドレスを確認する。そして、データ領域にアクセスする。このため、セクターマークを高精度に検出する必要がある。
【０００７】
図１４（Ｂ）に示すように、セクターマークの検出回路は、読み取り信号を２値化する２値化回路９０と、２値化回路９０の出力からセクターマークを認識する認識回路９１とで構成されている。この２値化回路９０は、読み取り信号にゲインを付与し、且つ所定のスライスレベルと比較する。これにより、２値化信号を得る。
【０００８】
このゲイン、スライスレベルという２値化の検出条件は、従来固定に設定されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、次の問題があった。
【００１０】
第１に、光ディスクの記憶容量の増大に伴い、光学的検出の条件が厳しくなっている。例えば、レーザーダイオードやフォトデテクターの性能のバラツキが、セクターマークの検出率に影響を与えている。このため、各装置に同一の検出条件を設定する従来技術では、セクターマークの検出率が低下し、アクセスタイムの低下を招いていた。
【００１１】
第２に、光ディスク装置では、記憶容量の異なる可換型光ディスクを取り扱う必要がある。例えば、３．５インチ光ディスクでは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０／６４０ＭＢ、１．３ＧＢの光ディスクがある。従来のセクターマーク検出回路では、記憶容量の異なる可換型光ディスクに対し、同一の検出条件を設定していたため、セクターマークの検出率が低下し、アクセスタイムの低下を招いていた。即ち、記憶密度の向上に伴い、データ密度／トラック密度が上昇し、ノイズ量が増加することにより、セクターマークの検出率が低下する。例えば、１２８ＭＢでは、２５セクタ／トラックであるが、５４０ＭＢでは、８４セクタ／トラックとなり、３倍強のタイミング的な厳しさがある。
【００１２】
本発明の目的は、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の更に他の目的は、各種の光学記憶媒体を取り扱っても、各種の使用環境で使用しても、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この目的の達成のため、本発明は、セクター単位で情報が記憶された光学記憶媒体の情報を光学ヘッドにより読み取る光学記憶装置を開示する。この光学記憶装置は、前記セクターの開始を示すセクターマークがピットで形成された前記光学記憶媒体の情報を光学的に読み出す前記光学ヘッドと、前記光学ヘッドの読み取り出力から前記セクターマークを検出するセクターマーク検出回路と、前記光学ヘッドの読み取り出力を再生して、前記セクターのアドレス情報と、前記セクターのデータを出力する再生回路と、前記検出したセクターマークにより前記セクターの開始を認識し、前記アドレス情報を確認して、前記再生回路から所望のデータを得る制御回路とを有する。そして、このセクターマーク検出回路は、所定の検出パラメータに従い、前記光学ヘッドの読み取り信号を２値化し、且つ前記検出パラメータを変化しうる２値化回路と、前記２値化回路の出力からセクターマークを認識する認識回路とを有し、前記制御回路は、前記２値化回路の前記検出パラメータを変化しながら、前記認識回路のセクターマーク検出確率を測定して、前記検出確率により、前記２値化回路の前記検出パラメータの最適値を決定し、且つ前記２値化回路の前記検出パラメータを前記最適値に制御する。
【００１６】
本発明は、光学記憶装置個々の最適なセクターマークの検出条件を自動測定して、２値化回路の検出パラメータを最適値に調整する。このため、検出パラメータを可変である２値化回路を設けている。更に、２値化回路の検出パラメータの最適値を測定し、且つ２値化回路の検出パラメータを最適値に制御する制御回路を設けている。
【００１７】
本発明は、光学記憶装置個々のセクターマーク検出条件を最適値に設定できる。このため、光学記憶媒体の記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上することができる。又、各種の光学記憶媒体を取り扱っても、セクターマークの検出率を向上できる。従って、光学記憶装置のアクセスタイムの低下を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施の形態の光ディスク装置の構成図、図２は、図１のリード回路の構成図である。
【００１９】
図１に示すように、光ディスク１０は、スピンドルモータ１２により回転される。光学ヘッド１３は、対物レンズ、フォーカスアクチュエータ、トラックアクチュエータを有する。光学ヘッド１３は、ポジショナー１４に搭載される。ポジショナー１４は、光学ヘッド１３を位置決めする。光学固定部１５は、レーザーダイオードと、光検出器とを有する。
【００２０】
光学固定部１５のレーザーダイオードからの光は、ポジショナー１４を介し、光学ヘッド１３に入射した後、光学ヘッド１３から光ディスク１０に照射される。光ディスク１０からの反射光は、光学ヘッド１３に入射した後、ポジショナー１４を介し光学固定部１５の光検出器に入射する。
【００２１】
位置検出器１６は、ポジショナー１４の位置を検出し、ポジショナー位置信号を出力する。ＭＰＵ２０は、装置全体の制御を行うものであり、マイクロプロセッサで構成される。不揮発性メモリ２１は、ＭＰＵ２０の処理に必要なプログラム及びデータを格納する。
【００２２】
ＤＳＰ２２は、フォーカス制御、トラック制御及びポジショナーの制御を行うものであり、デジタル・シグナルプロセッサで構成される。ＤＳＰ２２は、光学固定部１５の光検出器からのトラックエラー信号ＴＥＳ、フォーカスエラー信号ＦＥＳ及び位置検出器１６からのポジショナ位置信号を受け、トラック駆動信号、フォーカス駆動信号、ポジショナー駆動信号を計算する。
【００２３】
ドライバー回路２３は、駆動信号を駆動電流に変換し、光学ヘッド１３のトラックアクチュエータ、フォーカスアクチュエータ及びポジショナー１４に出力する。
【００２４】
ディスク制御回路（ＯＤＣ）２４は、上位とのインターフェース制御を行うものである。ＯＤＣ２４は、ライトデータと、ライトクロックを出力し、リードデータ、リードクロック、セクターマーク信号を受ける。ライト回路２５は、光学固定部１５からのレーザー光のモニター信号を受け、レーザーダイオードの駆動電流を出力する。
【００２５】
リード回路２６は、光学固定部１５からの読み取り信号から、リードデータ、リードクロック、セクターマークを検出する。アドレス／データバス２７は、ＭＰＵ２０、メモリ２１、ＤＳＰ２２、ＯＤＣ２４、ライト回路２５、リード回路２６との間で、データ等のやりとりを行うものである。
【００２６】
図２に示すように、リード回路２６は、２値化回路３０と、再生回路３１とを有する。２値化回路３０は、セクターマークの検出のため、読み取り信号（ＩＤ）を２値化するものである。再生回路３１は、読み取り信号（光磁気ディスクの場合はＭＯ信号、相変化型光ディスクの場合はＤＤ信号）からリードデータ、リードクロックを再生する。
【００２７】
ＯＤＣ２４は、セクターマーク認識回路３２と、復調回路３３とを有する。セクターマーク認識回路３２は、２値化回路３０からの２値化信号からセクターマークを認識する。そして、セクターマーク認識回路３２は、セクターマークを検出した時に、セクターマーク検出信号ＳＭＤを、ＭＰＵ２０に出力する。
【００２８】
復調回路３３は、リードクロック、リードデータを受け、ＩＤ信号をＭＰＵ２０に出力する。ＭＰＵ２０は、アドレス／データバスを介し、ＯＤＣ２４とリード回路２６とを制御する。
【００２９】
図３は、図２の２値化回路３０のブロック図、図４は、図３のＡＧＣアンプの構成図、図５は、図３の２値化回路の各部波形図である。
【００３０】
図３に示すように、ＡＧＣアンプ４０は、所定のゲインＧで読み取り信号Ａを増幅する。ここで、図５に示すように、セクターマーク領域に記録されたセクターマークのパターンを、５３３３５パターンで説明する。即ち、このパターンは、ハイレベルの期間が、５Ｔ、３Ｔ、３Ｔ、３Ｔ、５Ｔと続く。その間のローレベルの期間は、３Ｔ、７Ｔ、３Ｔ、３Ｔと続く。尚、Ｔは１チャネルビット長である。
【００３１】
１次微分回路４２は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂを、１次微分する。１次微分する理由は、反射光量がディスク媒体の反射率変動、面振れなどの影響を受けて激しく変化するため、ベースライン変動をなくして、パルス検出するためである。即ち、１次微分回路４２は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂは、１回微分して、そして１次微分信号Ｄを出力する。コンパレータ４４は、１次微分信号ＤをスライスレベルＳＭＳ（＋）、ＳＭＳ（−）と比較する。コンパレータ４４は、比較結果を示す比較信号Ｆと、その反転信号＊Ｆを出力する。
【００３２】
２次微分回路４１は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂを、２次微分する。即ち、ＡＧＣアンプ４０の出力は、微分された後、ピット長に対応するデータを生成するため、微分信号が再度微分される。コンパレータ４３は、２次微分信号Ｃをゼロレベルと比較する。コンパレータ４３は、比較結果を示す比較信号Ｅと、その反転信号＊Ｅを出力する。
【００３３】
アンドゲート４５は、比較信号Ｆと反転信号＊Ｅとの論理積Ｇを出力する。アンドゲート４６は、比較信号Ｅと反転信号＊Ｆとの論理積Ｈを出力する。フリップフロップ４７は、論理積信号Ｇによりセットされ、論理積信号Ｈによりリセットされる。従って、フリップフロップ４７からは、２値化されたセクターマーク信号Ｋが得られる。
【００３４】
レジスタ４８には、ＭＰＵ２０がバス２７を介して与える制御ゲインＧがセットされる。図４に示すように、ＡＧＣアンプ４０は、アンプ４０ー１と、入力抵抗ｒと、フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４とで構成される。フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４は、直列接続されている。
【００３５】
各フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４には、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が並列接続されている。各スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は、レジスタ４８の制御ゲインＧにより制御される。このため、ＡＧＣアンプ４０のゲインは、レジスタ４８に設定されたゲインＧに制御される。
【００３６】
レジスタ５０には、ＭＰＵ２０がバス２７を介して与えるスライスレベルＳＬがセットされる。ＤＡＣ（デジタル／アナログ変換器）４９は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬをアナログ量に変換して、コンパレータ４４のスライスレベルを出力する。このため、コンパレータ４４のスライスレベルＳＭＳは、レジスタ５０に設定されたスライスレベルに制御される。
【００３７】
図６は、図２のセクターマーク認識回路の構成図、図７は、図６の認識回路の波形図である。
【００３８】
セクターマーク認識回路３２は、セクタマークのパターンの長さ（時間）及び位置を認識する。セクターマークのパターンを、前述の５３３３５パターンで説明する。
【００３９】
５Ｔ測定部６０、３Ｔ測定部６１、３Ｔ測定部６２、３Ｔ測定部６３は、５Ｔ測定部６４の各々は、タイマーで構成されている。５Ｔ測定部６０は、セクターマークの１個目の５Ｔパターンを検出する。３Ｔ測定部６１は、５Ｔ測定部６０の検出信号Ｌにより、起動され、セクターマークの１個目の３Ｔパターンを検出する。
【００４０】
３Ｔ測定部６２は、３Ｔ測定部６１の検出信号Ｍにより、起動され、セクターマークの２個目の３Ｔパターンを検出する。３Ｔ測定部６３は、３Ｔ測定部６２の検出信号Ｎにより、起動され、セクターマークの３個目の３Ｔパターンを検出する。５Ｔ測定部６４は、３Ｔ測定部６３の検出信号Ｏにより、起動され、セクターマークの２個目の５Ｔパターンを検出する。
【００４１】
アンドゲート６５は、各測定部６０〜６４の検出信号Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐの論理積を取り、セクターマーク検出信号ＳＭＤを出力する。このようにして、セクタマークのパターンの長さ（時間）及び位置を認識する。
【００４２】
図８は、本発明の一実施の態様の検出条件調整フロー図である。
【００４３】
（Ｓ１）ＭＰＵ２０は、レジスタ４８の制御ゲインＧを初期値（＝０）に設定する。
【００４４】
（Ｓ２）ＭＰＵ２０は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬを初期値（＝０）に設定する。
【００４５】
（Ｓ３）ＭＰＵ２０は、ループ回数をＮに設定する。そして、ＭＰＵ２０は、セクターマークの検出回数を示す回数Ｍを初期値（＝０）に設定する。
【００４６】
（Ｓ４）ＭＰＵ２０は、セクターマークの検出をＯＤＣ２４及びリード回路２６に指示する。ＭＰＵ２０は、検出を指示した後、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来するかを調べる。ＭＰＵ２０は、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来した時に、正常検出と判断し、回数Ｍを（Ｍ＋１）に更新する。ＭＰＵ２０は、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来しない時に、異常検出と判断し、回数Ｍを（Ｍ＋１）に更新しない。
【００４７】
（Ｓ５）ＭＰＵ２０は、ループ回数Ｎを（Ｎ−１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、所定のループ回数分の測定が終了したかを判断する。ループ回数分の測定が終了していない時は、ステップＳ４に戻る。
【００４８】
（Ｓ６）ＭＰＵ２０は、ループ回数分の測定が終了したと判断すると、検出回数Ｍを、メモリ２１に保存する。そして、ＭＰＵ２０は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬを（ＳＬ＋１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、スライスレベルＳＬが最大値かを調べる。スライスレベルＳＬが最大値でない場合には、ステップＳ３に戻る。
【００４９】
（Ｓ７）ＭＰＵ２０は、スライスレベルＳＬが最大値に到達したと判断すると、レジスタ４８の制御ゲインＧを（Ｇ＋１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、制御ゲインＧが最大値かを調べる。制御ゲインＧが最大値でない場合には、ステップＳ２に戻る。
【００５０】
（Ｓ８）ＭＰＵ２０は、制御ゲインＧが最大値に到達したと判断すると、検出条件の最良点を検出して、レジスタ４８、５０に設定する。即ち、メモリ２１には、各制御ゲイン値における各スライスレベルを設定した時の検出回数が格納されている。ＭＰＵ２０は、検出回数が最大の時の制御ゲインとスライスレベルの組み合わせを求める。これにより、最も検出確率の高い検出条件が得られる。
【００５１】
尚、１次微分のスライスレベルを変化している理由は、次の通りである。１次微分からウィンドウ信号が作成される。１次微分信号が適切でないと、ウィンドウが正確に作成されなかったり、ノイズによってランダムに発生したりする。これによって正確なセクターマークを作成できない。
【００５２】
図９及び図１０は、装置試験時の測定フロー図である。
【００５３】
この実施態様では、１２８ＭＢ（Ｍｅｇａ Ｂｙｔｅ）の媒体、２３０ＭＢの媒体、５４０ＭＢの媒体、６４０ＭＢの可換型媒体が取扱いできる光ディスク装置のセクターマーク検出条件の調整処理を示す。
【００５４】
（Ｓ１０）１２８ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５５】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００５６】
（Ｓ１１）２３０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５７】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００５８】
（Ｓ１２）５４０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５９】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００６０】
（Ｓ１３）６４０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００６１】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００６２】
（Ｓ１４）ドライブレディ状態にならないと、試験不良とする。
【００６３】
このようにして、装置の出荷前の試験時に、各種の媒体を挿入して、その最適条件に調整して、メモリ２１に格納する。このため、媒体毎に異なる最適条件を設定できる。
【００６４】
図１１は、カートリッジの挿入時の動作フロー図である。
【００６５】
この実施の態様では、カートリッジ挿入時に、セクターマーク検出条件の調整処理を行うものである。
【００６６】
（Ｓ２０）ＭＰＵ２０は、カートリッジ（光ディスク媒体）が挿入されると、フォーカス調整及びトラック調整を行う。
【００６７】
（Ｓ２１）ＭＰＵ２０は、メモリ２１にその媒体の記憶容量を識別する。そして、ＭＰＵ２０は、その記憶容量の媒体の最適条件がメモリ２１に保存されているかを調べる。
【００６８】
（Ｓ２２）ＭＰＵ２０は、最適条件がメモリ２１に保存されていないと判断すると、図８に示したセクターマークの最適条件の調整処理を実行する。そして、終了する。
【００６９】
（Ｓ２３）逆に、ＭＰＵ２０は、最適条件がメモリ２１に保存されていると判断すると、メモリ２１に保存してある最適条件をレジスタ４８、５０に設定して、終了する。
【００７０】
このようにして、カートリッジ挿入時の調整処理において、２値化回路３０のセクターマーク検出条件を最適値に設定する。メモリ２１に最適値が保存されている時は、メモリ２１の内容を設定する。メモリ２１に最適値が保存されていない時は、調整処理を実行し、最適値に設定する。
【００７１】
従って、カートリッジの挿入時に調整を行うことにより、記憶容量が異なっても、製造メーカーが異なっても、記憶媒体一枚一枚に対し、最適値を設定することが可能となる。又、カートリッジ挿入時やシーク前など各種のタイミングで調整することにより、ドライブ自身の性能、環境（温度、電圧）に対し、最適値を設定することができる。
【００７２】
図１２は、シーク処理時の動作フロー図である。
【００７３】
この例では、シークを実行する前に、セクターマークの検出条件の調整処理を行なう。
【００７４】
（Ｓ３０）ＭＰＵ２０は、シークを実行する前に、温度センサから装置の温度を検出する。温度センサは、光学ヘッド１３に設けられている。そして、メモリ２１には、前回の調整時の測定温度が、格納されている。ＭＰＵ２０は、メモリ２１の前回の測定温度と、今回の測定温度との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、温度変化が大きいことを示す。従って、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７５】
（Ｓ３１）ＭＰＵ２０は、温度差が規定値以上でない場合には、装置の電源電圧を検出する。メモリ２１には、前回の調整時の測定電圧が、格納されている。ＭＰＵ２０は、メモリ２１の前回の測定電圧と、今回の測定電圧との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、電圧変化が生じたことを示す。従って、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７６】
（Ｓ３２）メモリ２１には、前回の調整時の時刻が、格納されている。ＭＰＵ２０は、電圧差が規定値以上でない場合には、メモリ２１の前回の測定時刻と、今回の時刻との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７７】
（Ｓ３３）ＭＰＵ２０は、図８で示したセクターマークの検出条件の調整処理を実行する。
【００７８】
（Ｓ３４）そして、ＭＰＵ２０は、シークを実行する。
【００７９】
このように、温度の変化時、電圧の変化時、前回の調整時刻から長い時間が経過したときには、光学ヘッドの読み取り条件が変化するおそれがある。このような場合に、セクターマークの最適条件が変化するおそれがある。そこで、シーク実行前に、セクターマークの検出条件を調整する。これにより、セクターマークの検出率の低下を未然に防止することができる。
【００８０】
図１３は、シークリトライ時の動作フロー図である。
【００８１】
この実施の態様では、シークに失敗した後のシークリトライ前に、セクターマーク検出条件の調整処理を行うものである。
【００８２】
（Ｓ４０）ＭＰＵ２０は、シークリトライに先立って、フォーカス調整及びトラック調整を行う。
【００８３】
（Ｓ４１）ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマークの最適条件の調整処理を実行する。
【００８４】
（Ｓ４２）そして、ＭＰＵ２０は、シークのリトライを開始する。
【００８５】
このように、シークが失敗した時に、セクターマークの最適条件が変化しているおそれがある。そこで、シークリトライの実行前に、セクターマークの検出条件を調整する。これにより、セクターマークの検出ミスによる、シークリトライの不成功を未然に防止することができる。
【００８６】
上述の実施の態様の他に、本発明は、次のような変形が可能である。
【００８７】
(1) 光学記憶媒体を、光ディスクで説明したが、光カード等他の光学記憶媒体に適用できる。
【００８８】
(2) ２値化回路を、図３の構成のもので説明したが、他の構成の２値化回路を用いることができる。
【００８９】
(3) ２値化回路の検出パラメータとして、ゲイン、スライスレベルを例に説明したが、ゲイン又はスライスレベルの一方を可変にすることもできる。又、２値化のための他のパラメータを変化しても良い。
【００９０】
(4) 検出条件の調整を、装置の試験時、カートリッジの挿入時、シーク時、シークリトライ時の各々に行なう例で説明したが、いずれか一つの場合や、いずれか複数の場合を組み合わせることができる。
【００９１】
(5) 記憶容量の異なる４種類の媒体を取り扱う装置で説明したが、単一の種類の媒体を取り扱う装置や２種類以上の媒体を取り扱う装置にも適用できる。
【００９２】
(6) ２種類以上の媒体を取り扱う装置において、各媒体に応じて、検出条件を設定しているが、同一の検出条件を設定してもよい。
【００９３】
以上、本発明の実施の形態により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次の効果を奏する。
【００９５】
（１）セクターの開始を示すセクターマークが固定ピットで形成された光学記憶媒体を読み取る光学記憶装置の個々の最適なセクターマークの検出条件を自動測定して、２値化回路の検出パラメータを最適値に調整するため、光学記憶媒体の記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上することができ、セクターのデータへのアクセスタイムを向上できる。
【００９６】
(2) 各種の光学記憶媒体を取り扱っても、セクターマークの検出率を向上できる。従って、光学記憶装置のアクセスタイムの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の光ディスク装置の構成図である。
【図２】図１のリード回路の構成図である。
【図３】図２の２値化回路のブロック図である。
【図４】図３のＡＧＣアンプの構成図である。
【図５】図３の２値化回路の各部波形図である。
【図６】図２のセクターマーク認識回路の構成図である。
【図７】図６のセクターマーク認識回路の波形図である。
【図８】本発明の一実施の形態の検出条件調整フロー図である。
【図９】本発明の一実施の形態の試験時の測定フロー図（その１）である。
【図１０】本発明の一実施の形態の試験時の測定フロー図（その２）である。
【図１１】本発明の一実施の形態のカートリッジ挿入時の動作フロー図である。
【図１２】本発明の一実施の形態のシーク時の動作フロー図である。
【図１３】本発明の一実施の形態のシークリトライ時の動作フロー図である。
【図１４】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
１０ 光ディスク
１２ スピンドルモータ
１３ 光学ヘッド
１４ ポジショナー
１５ 固定光学部
２０ ＭＰＵ（制御回路）
２１ メモリ
２４ ドライブ制御回路
２６ リード回路
３０ ２値化回路
３２ セクターマーク認識回路
４０ ＡＧＣアンプ
４４ コンパレータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学記憶媒体から光学ヘッドにより情報を読み取る光学記憶装置において、光学記憶媒体のセクターマークを検出する光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法に関する。
【０００２】
光ディスク装置等の光学記憶装置においては、光学ヘッドが光学記憶媒体に光を照射して、情報の読み出し及び書き込みを行う。この光学記憶装置には、記憶容量の増大が求められている。
【０００３】
【従来の技術】
図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、従来技術の説明図である。
【０００４】
光ディスクの各トラックは、セクター毎に分割されている。図１４（Ａ）に示すように、各セクターの先頭には、セクタ開始を見分けるためのセクターマークが設けられている。セクターマークは、データと容易に区別できるパターンで構成されている。セクターマークに続いて、アイデンティファ（ＩＤ）領域と、ＤＡＴＡ ＦＩＥＬＤを有するデータ領域とが設けられている。アイデンティファ領域は、ＶＦＯ調整パターンとアドレスマーク（ＡＭ）を少なくとも有する。このＤＡＴＡ ＦＩＥＬＤに、ユーザデータが書かれる。ヘッダは、ディスク媒体製造業者によって、エンボスピットとして書込まれ、ユーザーは書き換えることができない。
【０００５】
ディスク媒体に予め形成されているエンボスピットの有無をＩＤ信号として、ディテクタ上のビームの光量変化として検出する。光磁気ディスクでは、ディスク媒体の記録膜の磁化方向をレーザ光の偏光面変化としてディテクタ上でＭＯ信号として検出する。又、相変化型光ディスクでは、記録膜の相変化現象を利用して記録を行い、ビームの光量変化としてＤＤ信号として検出する。
【０００６】
このセクターマークを検出することにより、アイデンティファ（ＩＤ）領域を認識して、トラック番号、ＩＤ番号、セクター番号などのアドレスを確認する。そして、データ領域にアクセスする。このため、セクターマークを高精度に検出する必要がある。
【０００７】
図１４（Ｂ）に示すように、セクターマークの検出回路は、読み取り信号を２値化する２値化回路９０と、２値化回路９０の出力からセクターマークを認識する認識回路９１とで構成されている。この２値化回路９０は、読み取り信号にゲインを付与し、且つ所定のスライスレベルと比較する。これにより、２値化信号を得る。
【０００８】
このゲイン、スライスレベルという２値化の検出条件は、従来固定に設定されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、次の問題があった。
【００１０】
第１に、光ディスクの記憶容量の増大に伴い、光学的検出の条件が厳しくなっている。例えば、レーザーダイオードやフォトデテクターの性能のバラツキが、セクターマークの検出率に影響を与えている。このため、各装置に同一の検出条件を設定する従来技術では、セクターマークの検出率が低下し、アクセスタイムの低下を招いていた。
【００１１】
第２に、光ディスク装置では、記憶容量の異なる可換型光ディスクを取り扱う必要がある。例えば、３．５インチ光ディスクでは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０／６４０ＭＢ、１．３ＧＢの光ディスクがある。従来のセクターマーク検出回路では、記憶容量の異なる可換型光ディスクに対し、同一の検出条件を設定していたため、セクターマークの検出率が低下し、アクセスタイムの低下を招いていた。即ち、記憶密度の向上に伴い、データ密度／トラック密度が上昇し、ノイズ量が増加することにより、セクターマークの検出率が低下する。例えば、１２８ＭＢでは、２５セクタ／トラックであるが、５４０ＭＢでは、８４セクタ／トラックとなり、３倍強のタイミング的な厳しさがある。
【００１２】
本発明の目的は、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の更に他の目的は、各種の光学記憶媒体を取り扱っても、各種の使用環境で使用しても、セクターマークの検出率を向上するための光学記憶装置及び光学記憶装置のセクターマーク検出方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この目的の達成のため、本発明は、セクター単位で情報が記憶された光学記憶媒体の情報を光学ヘッドにより読み取る光学記憶装置を開示する。この光学記憶装置は、前記セクターの開始を示すセクターマークがピットで形成された前記光学記憶媒体の情報を光学的に読み出す前記光学ヘッドと、前記光学ヘッドの読み取り出力から前記セクターマークを検出するセクターマーク検出回路と、前記光学ヘッドの読み取り出力を再生して、前記セクターのアドレス情報と、前記セクターのデータを出力する再生回路と、前記検出したセクターマークにより前記セクターの開始を認識し、前記アドレス情報を確認して、前記再生回路から所望のデータを得る制御回路とを有する。そして、このセクターマーク検出回路は、所定の検出パラメータに従い、前記光学ヘッドの読み取り信号を２値化し、且つ前記検出パラメータを変化しうる２値化回路と、前記２値化回路の出力からセクターマークを認識する認識回路とを有し、前記制御回路は、前記２値化回路の前記検出パラメータを変化しながら、前記認識回路のセクターマーク検出確率を測定して、前記検出確率により、前記２値化回路の前記検出パラメータの最適値を決定し、且つ前記２値化回路の前記検出パラメータを前記最適値に制御する。
【００１６】
本発明は、光学記憶装置個々の最適なセクターマークの検出条件を自動測定して、２値化回路の検出パラメータを最適値に調整する。このため、検出パラメータを可変である２値化回路を設けている。更に、２値化回路の検出パラメータの最適値を測定し、且つ２値化回路の検出パラメータを最適値に制御する制御回路を設けている。
【００１７】
本発明は、光学記憶装置個々のセクターマーク検出条件を最適値に設定できる。このため、光学記憶媒体の記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上することができる。又、各種の光学記憶媒体を取り扱っても、セクターマークの検出率を向上できる。従って、光学記憶装置のアクセスタイムの低下を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施の形態の光ディスク装置の構成図、図２は、図１のリード回路の構成図である。
【００１９】
図１に示すように、光ディスク１０は、スピンドルモータ１２により回転される。光学ヘッド１３は、対物レンズ、フォーカスアクチュエータ、トラックアクチュエータを有する。光学ヘッド１３は、ポジショナー１４に搭載される。ポジショナー１４は、光学ヘッド１３を位置決めする。光学固定部１５は、レーザーダイオードと、光検出器とを有する。
【００２０】
光学固定部１５のレーザーダイオードからの光は、ポジショナー１４を介し、光学ヘッド１３に入射した後、光学ヘッド１３から光ディスク１０に照射される。光ディスク１０からの反射光は、光学ヘッド１３に入射した後、ポジショナー１４を介し光学固定部１５の光検出器に入射する。
【００２１】
位置検出器１６は、ポジショナー１４の位置を検出し、ポジショナー位置信号を出力する。ＭＰＵ２０は、装置全体の制御を行うものであり、マイクロプロセッサで構成される。不揮発性メモリ２１は、ＭＰＵ２０の処理に必要なプログラム及びデータを格納する。
【００２２】
ＤＳＰ２２は、フォーカス制御、トラック制御及びポジショナーの制御を行うものであり、デジタル・シグナルプロセッサで構成される。ＤＳＰ２２は、光学固定部１５の光検出器からのトラックエラー信号ＴＥＳ、フォーカスエラー信号ＦＥＳ及び位置検出器１６からのポジショナ位置信号を受け、トラック駆動信号、フォーカス駆動信号、ポジショナー駆動信号を計算する。
【００２３】
ドライバー回路２３は、駆動信号を駆動電流に変換し、光学ヘッド１３のトラックアクチュエータ、フォーカスアクチュエータ及びポジショナー１４に出力する。
【００２４】
ディスク制御回路（ＯＤＣ）２４は、上位とのインターフェース制御を行うものである。ＯＤＣ２４は、ライトデータと、ライトクロックを出力し、リードデータ、リードクロック、セクターマーク信号を受ける。ライト回路２５は、光学固定部１５からのレーザー光のモニター信号を受け、レーザーダイオードの駆動電流を出力する。
【００２５】
リード回路２６は、光学固定部１５からの読み取り信号から、リードデータ、リードクロック、セクターマークを検出する。アドレス／データバス２７は、ＭＰＵ２０、メモリ２１、ＤＳＰ２２、ＯＤＣ２４、ライト回路２５、リード回路２６との間で、データ等のやりとりを行うものである。
【００２６】
図２に示すように、リード回路２６は、２値化回路３０と、再生回路３１とを有する。２値化回路３０は、セクターマークの検出のため、読み取り信号（ＩＤ）を２値化するものである。再生回路３１は、読み取り信号（光磁気ディスクの場合はＭＯ信号、相変化型光ディスクの場合はＤＤ信号）からリードデータ、リードクロックを再生する。
【００２７】
ＯＤＣ２４は、セクターマーク認識回路３２と、復調回路３３とを有する。セクターマーク認識回路３２は、２値化回路３０からの２値化信号からセクターマークを認識する。そして、セクターマーク認識回路３２は、セクターマークを検出した時に、セクターマーク検出信号ＳＭＤを、ＭＰＵ２０に出力する。
【００２８】
復調回路３３は、リードクロック、リードデータを受け、ＩＤ信号をＭＰＵ２０に出力する。ＭＰＵ２０は、アドレス／データバスを介し、ＯＤＣ２４とリード回路２６とを制御する。
【００２９】
図３は、図２の２値化回路３０のブロック図、図４は、図３のＡＧＣアンプの構成図、図５は、図３の２値化回路の各部波形図である。
【００３０】
図３に示すように、ＡＧＣアンプ４０は、所定のゲインＧで読み取り信号Ａを増幅する。ここで、図５に示すように、セクターマーク領域に記録されたセクターマークのパターンを、５３３３５パターンで説明する。即ち、このパターンは、ハイレベルの期間が、５Ｔ、３Ｔ、３Ｔ、３Ｔ、５Ｔと続く。その間のローレベルの期間は、３Ｔ、７Ｔ、３Ｔ、３Ｔと続く。尚、Ｔは１チャネルビット長である。
【００３１】
１次微分回路４２は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂを、１次微分する。１次微分する理由は、反射光量がディスク媒体の反射率変動、面振れなどの影響を受けて激しく変化するため、ベースライン変動をなくして、パルス検出するためである。即ち、１次微分回路４２は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂは、１回微分して、そして１次微分信号Ｄを出力する。コンパレータ４４は、１次微分信号ＤをスライスレベルＳＭＳ（＋）、ＳＭＳ（−）と比較する。コンパレータ４４は、比較結果を示す比較信号Ｆと、その反転信号＊Ｆを出力する。
【００３２】
２次微分回路４１は、ＡＧＣアンプ４０の出力Ｂを、２次微分する。即ち、ＡＧＣアンプ４０の出力は、微分された後、ピット長に対応するデータを生成するため、微分信号が再度微分される。コンパレータ４３は、２次微分信号Ｃをゼロレベルと比較する。コンパレータ４３は、比較結果を示す比較信号Ｅと、その反転信号＊Ｅを出力する。
【００３３】
アンドゲート４５は、比較信号Ｆと反転信号＊Ｅとの論理積Ｇを出力する。アンドゲート４６は、比較信号Ｅと反転信号＊Ｆとの論理積Ｈを出力する。フリップフロップ４７は、論理積信号Ｇによりセットされ、論理積信号Ｈによりリセットされる。従って、フリップフロップ４７からは、２値化されたセクターマーク信号Ｋが得られる。
【００３４】
レジスタ４８には、ＭＰＵ２０がバス２７を介して与える制御ゲインＧがセットされる。図４に示すように、ＡＧＣアンプ４０は、アンプ４０ー１と、入力抵抗ｒと、フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４とで構成される。フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４は、直列接続されている。
【００３５】
各フィードバック抵抗ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４には、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が並列接続されている。各スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は、レジスタ４８の制御ゲインＧにより制御される。このため、ＡＧＣアンプ４０のゲインは、レジスタ４８に設定されたゲインＧに制御される。
【００３６】
レジスタ５０には、ＭＰＵ２０がバス２７を介して与えるスライスレベルＳＬがセットされる。ＤＡＣ（デジタル／アナログ変換器）４９は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬをアナログ量に変換して、コンパレータ４４のスライスレベルを出力する。このため、コンパレータ４４のスライスレベルＳＭＳは、レジスタ５０に設定されたスライスレベルに制御される。
【００３７】
図６は、図２のセクターマーク認識回路の構成図、図７は、図６の認識回路の波形図である。
【００３８】
セクターマーク認識回路３２は、セクタマークのパターンの長さ（時間）及び位置を認識する。セクターマークのパターンを、前述の５３３３５パターンで説明する。
【００３９】
５Ｔ測定部６０、３Ｔ測定部６１、３Ｔ測定部６２、３Ｔ測定部６３は、５Ｔ測定部６４の各々は、タイマーで構成されている。５Ｔ測定部６０は、セクターマークの１個目の５Ｔパターンを検出する。３Ｔ測定部６１は、５Ｔ測定部６０の検出信号Ｌにより、起動され、セクターマークの１個目の３Ｔパターンを検出する。
【００４０】
３Ｔ測定部６２は、３Ｔ測定部６１の検出信号Ｍにより、起動され、セクターマークの２個目の３Ｔパターンを検出する。３Ｔ測定部６３は、３Ｔ測定部６２の検出信号Ｎにより、起動され、セクターマークの３個目の３Ｔパターンを検出する。５Ｔ測定部６４は、３Ｔ測定部６３の検出信号Ｏにより、起動され、セクターマークの２個目の５Ｔパターンを検出する。
【００４１】
アンドゲート６５は、各測定部６０〜６４の検出信号Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐの論理積を取り、セクターマーク検出信号ＳＭＤを出力する。このようにして、セクタマークのパターンの長さ（時間）及び位置を認識する。
【００４２】
図８は、本発明の一実施の態様の検出条件調整フロー図である。
【００４３】
（Ｓ１）ＭＰＵ２０は、レジスタ４８の制御ゲインＧを初期値（＝０）に設定する。
【００４４】
（Ｓ２）ＭＰＵ２０は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬを初期値（＝０）に設定する。
【００４５】
（Ｓ３）ＭＰＵ２０は、ループ回数をＮに設定する。そして、ＭＰＵ２０は、セクターマークの検出回数を示す回数Ｍを初期値（＝０）に設定する。
【００４６】
（Ｓ４）ＭＰＵ２０は、セクターマークの検出をＯＤＣ２４及びリード回路２６に指示する。ＭＰＵ２０は、検出を指示した後、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来するかを調べる。ＭＰＵ２０は、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来した時に、正常検出と判断し、回数Ｍを（Ｍ＋１）に更新する。ＭＰＵ２０は、所定時間内にセクターマークの検出信号ＳＭＤが到来しない時に、異常検出と判断し、回数Ｍを（Ｍ＋１）に更新しない。
【００４７】
（Ｓ５）ＭＰＵ２０は、ループ回数Ｎを（Ｎ−１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、所定のループ回数分の測定が終了したかを判断する。ループ回数分の測定が終了していない時は、ステップＳ４に戻る。
【００４８】
（Ｓ６）ＭＰＵ２０は、ループ回数分の測定が終了したと判断すると、検出回数Ｍを、メモリ２１に保存する。そして、ＭＰＵ２０は、レジスタ５０のスライスレベルＳＬを（ＳＬ＋１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、スライスレベルＳＬが最大値かを調べる。スライスレベルＳＬが最大値でない場合には、ステップＳ３に戻る。
【００４９】
（Ｓ７）ＭＰＵ２０は、スライスレベルＳＬが最大値に到達したと判断すると、レジスタ４８の制御ゲインＧを（Ｇ＋１）に更新する。そして、ＭＰＵ２０は、制御ゲインＧが最大値かを調べる。制御ゲインＧが最大値でない場合には、ステップＳ２に戻る。
【００５０】
（Ｓ８）ＭＰＵ２０は、制御ゲインＧが最大値に到達したと判断すると、検出条件の最良点を検出して、レジスタ４８、５０に設定する。即ち、メモリ２１には、各制御ゲイン値における各スライスレベルを設定した時の検出回数が格納されている。ＭＰＵ２０は、検出回数が最大の時の制御ゲインとスライスレベルの組み合わせを求める。これにより、最も検出確率の高い検出条件が得られる。
【００５１】
尚、１次微分のスライスレベルを変化している理由は、次の通りである。１次微分からウィンドウ信号が作成される。１次微分信号が適切でないと、ウィンドウが正確に作成されなかったり、ノイズによってランダムに発生したりする。これによって正確なセクターマークを作成できない。
【００５２】
図９及び図１０は、装置試験時の測定フロー図である。
【００５３】
この実施態様では、１２８ＭＢ（Ｍｅｇａ Ｂｙｔｅ）の媒体、２３０ＭＢの媒体、５４０ＭＢの媒体、６４０ＭＢの可換型媒体が取扱いできる光ディスク装置のセクターマーク検出条件の調整処理を示す。
【００５４】
（Ｓ１０）１２８ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５５】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００５６】
（Ｓ１１）２３０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５７】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００５８】
（Ｓ１２）５４０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００５９】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００６０】
（Ｓ１３）６４０ＭＢの媒体（光ディスク）が挿入されると、ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマーク検出条件の調整処理を実行する。そして、装置がドライブレディ状態になるかを調べる。ドライブレディ状態にならない時は、図１０に示すように、ステップＳ１４に進む。
【００６１】
ドライブレディ状態になると、調整した最適条件をメモリ２１に格納する。そして、媒体を排出する。
【００６２】
（Ｓ１４）ドライブレディ状態にならないと、試験不良とする。
【００６３】
このようにして、装置の出荷前の試験時に、各種の媒体を挿入して、その最適条件に調整して、メモリ２１に格納する。このため、媒体毎に異なる最適条件を設定できる。
【００６４】
図１１は、カートリッジの挿入時の動作フロー図である。
【００６５】
この実施の態様では、カートリッジ挿入時に、セクターマーク検出条件の調整処理を行うものである。
【００６６】
（Ｓ２０）ＭＰＵ２０は、カートリッジ（光ディスク媒体）が挿入されると、フォーカス調整及びトラック調整を行う。
【００６７】
（Ｓ２１）ＭＰＵ２０は、メモリ２１にその媒体の記憶容量を識別する。そして、ＭＰＵ２０は、その記憶容量の媒体の最適条件がメモリ２１に保存されているかを調べる。
【００６８】
（Ｓ２２）ＭＰＵ２０は、最適条件がメモリ２１に保存されていないと判断すると、図８に示したセクターマークの最適条件の調整処理を実行する。そして、終了する。
【００６９】
（Ｓ２３）逆に、ＭＰＵ２０は、最適条件がメモリ２１に保存されていると判断すると、メモリ２１に保存してある最適条件をレジスタ４８、５０に設定して、終了する。
【００７０】
このようにして、カートリッジ挿入時の調整処理において、２値化回路３０のセクターマーク検出条件を最適値に設定する。メモリ２１に最適値が保存されている時は、メモリ２１の内容を設定する。メモリ２１に最適値が保存されていない時は、調整処理を実行し、最適値に設定する。
【００７１】
従って、カートリッジの挿入時に調整を行うことにより、記憶容量が異なっても、製造メーカーが異なっても、記憶媒体一枚一枚に対し、最適値を設定することが可能となる。又、カートリッジ挿入時やシーク前など各種のタイミングで調整することにより、ドライブ自身の性能、環境（温度、電圧）に対し、最適値を設定することができる。
【００７２】
図１２は、シーク処理時の動作フロー図である。
【００７３】
この例では、シークを実行する前に、セクターマークの検出条件の調整処理を行なう。
【００７４】
（Ｓ３０）ＭＰＵ２０は、シークを実行する前に、温度センサから装置の温度を検出する。温度センサは、光学ヘッド１３に設けられている。そして、メモリ２１には、前回の調整時の測定温度が、格納されている。ＭＰＵ２０は、メモリ２１の前回の測定温度と、今回の測定温度との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、温度変化が大きいことを示す。従って、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７５】
（Ｓ３１）ＭＰＵ２０は、温度差が規定値以上でない場合には、装置の電源電圧を検出する。メモリ２１には、前回の調整時の測定電圧が、格納されている。ＭＰＵ２０は、メモリ２１の前回の測定電圧と、今回の測定電圧との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、電圧変化が生じたことを示す。従って、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７６】
（Ｓ３２）メモリ２１には、前回の調整時の時刻が、格納されている。ＭＰＵ２０は、電圧差が規定値以上でない場合には、メモリ２１の前回の測定時刻と、今回の時刻との差を計算する。そして、ＭＰＵ２０は、その差が規定値以上かを判定する。差が規定値以上の場合には、光学ヘッドの検出条件が、変化しているおそれがある。このため、ステップＳ３３に進む。
【００７７】
（Ｓ３３）ＭＰＵ２０は、図８で示したセクターマークの検出条件の調整処理を実行する。
【００７８】
（Ｓ３４）そして、ＭＰＵ２０は、シークを実行する。
【００７９】
このように、温度の変化時、電圧の変化時、前回の調整時刻から長い時間が経過したときには、光学ヘッドの読み取り条件が変化するおそれがある。このような場合に、セクターマークの最適条件が変化するおそれがある。そこで、シーク実行前に、セクターマークの検出条件を調整する。これにより、セクターマークの検出率の低下を未然に防止することができる。
【００８０】
図１３は、シークリトライ時の動作フロー図である。
【００８１】
この実施の態様では、シークに失敗した後のシークリトライ前に、セクターマーク検出条件の調整処理を行うものである。
【００８２】
（Ｓ４０）ＭＰＵ２０は、シークリトライに先立って、フォーカス調整及びトラック調整を行う。
【００８３】
（Ｓ４１）ＭＰＵ２０は、図８に示したセクターマークの最適条件の調整処理を実行する。
【００８４】
（Ｓ４２）そして、ＭＰＵ２０は、シークのリトライを開始する。
【００８５】
このように、シークが失敗した時に、セクターマークの最適条件が変化しているおそれがある。そこで、シークリトライの実行前に、セクターマークの検出条件を調整する。これにより、セクターマークの検出ミスによる、シークリトライの不成功を未然に防止することができる。
【００８６】
上述の実施の態様の他に、本発明は、次のような変形が可能である。
【００８７】
(1) 光学記憶媒体を、光ディスクで説明したが、光カード等他の光学記憶媒体に適用できる。
【００８８】
(2) ２値化回路を、図３の構成のもので説明したが、他の構成の２値化回路を用いることができる。
【００８９】
(3) ２値化回路の検出パラメータとして、ゲイン、スライスレベルを例に説明したが、ゲイン又はスライスレベルの一方を可変にすることもできる。又、２値化のための他のパラメータを変化しても良い。
【００９０】
(4) 検出条件の調整を、装置の試験時、カートリッジの挿入時、シーク時、シークリトライ時の各々に行なう例で説明したが、いずれか一つの場合や、いずれか複数の場合を組み合わせることができる。
【００９１】
(5) 記憶容量の異なる４種類の媒体を取り扱う装置で説明したが、単一の種類の媒体を取り扱う装置や２種類以上の媒体を取り扱う装置にも適用できる。
【００９２】
(6) ２種類以上の媒体を取り扱う装置において、各媒体に応じて、検出条件を設定しているが、同一の検出条件を設定してもよい。
【００９３】
以上、本発明の実施の形態により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次の効果を奏する。
【００９５】
（１）セクターの開始を示すセクターマークが固定ピットで形成された光学記憶媒体を読み取る光学記憶装置の個々の最適なセクターマークの検出条件を自動測定して、２値化回路の検出パラメータを最適値に調整するため、光学記憶媒体の記憶容量が増大しても、セクターマークの検出率を向上することができ、セクターのデータへのアクセスタイムを向上できる。
【００９６】
(2) 各種の光学記憶媒体を取り扱っても、セクターマークの検出率を向上できる。従って、光学記憶装置のアクセスタイムの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の光ディスク装置の構成図である。
【図２】図１のリード回路の構成図である。
【図３】図２の２値化回路のブロック図である。
【図４】図３のＡＧＣアンプの構成図である。
【図５】図３の２値化回路の各部波形図である。
【図６】図２のセクターマーク認識回路の構成図である。
【図７】図６のセクターマーク認識回路の波形図である。
【図８】本発明の一実施の形態の検出条件調整フロー図である。
【図９】本発明の一実施の形態の試験時の測定フロー図（その１）である。
【図１０】本発明の一実施の形態の試験時の測定フロー図（その２）である。
【図１１】本発明の一実施の形態のカートリッジ挿入時の動作フロー図である。
【図１２】本発明の一実施の形態のシーク時の動作フロー図である。
【図１３】本発明の一実施の形態のシークリトライ時の動作フロー図である。
【図１４】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
１０ 光ディスク
１２ スピンドルモータ
１３ 光学ヘッド
１４ ポジショナー
１５ 固定光学部
２０ ＭＰＵ（制御回路）
２１ メモリ
２４ ドライブ制御回路
２６ リード回路
３０ ２値化回路
３２ セクターマーク認識回路
４０ ＡＧＣアンプ
４４ コンパレータ
Claims (6)
- セクター単位で情報が記憶された光学記憶媒体の情報を光学ヘッドにより読み取る光学記憶装置において、
前記セクターの開始を示すセクターマークがピットで形成された前記光学記憶媒体の情報を光学的に読み出す前記光学ヘッドと、
前記光学ヘッドの読み取り出力から前記セクターマークを検出するセクターマーク検出回路と、
前記光学ヘッドの読み取り出力を再生して、前記セクターのアドレス情報と、前記セクターのデータを出力する再生回路と、
前記検出したセクターマークにより前記セクターの開始を認識し、前記アドレス情報を確認して、前記再生回路から所望のデータを得る制御回路とを有し、
前記セクターマーク検出回路は、
所定の検出パラメータに従い、前記光学ヘッドの読み取り信号を２値化し、且つ前記検出パラメータを変化しうる２値化回路と、
前記２値化回路の出力からセクターマークを認識する認識回路とを有し、
前記制御回路は、前記２値化回路の前記検出パラメータを変化しながら、前記認識回路のセクターマーク検出確率を測定して、前記検出確率により、前記２値化回路の前記検出パラメータの最適値を決定し、且つ前記２値化回路の前記検出パラメータを前記最適値に制御する
ことを特徴とする光学記憶装置。 - 請求項１の光学記憶装置において、
前記認識回路は、前記２値化回路の出力が、所定の長さ及びパターンの位置であることを検出して、前記セクターマークを認識する
ことを特徴とする光学記憶装置。 - 請求項１の光学記憶装置において、
更に、複数種類の光学記憶媒体毎の前記最適値を格納するメモリを有し、
前記制御回路は、セットされる光学記憶媒体の種類に応じて、前記メモリの最適値に前記２値化回路の前記検出パラメータを制御する
ことを特徴とする光学記憶装置。 - 請求項３の光学記憶装置において、
前記メモリは、記憶容量の異なる光学記憶媒体毎の前記最適値を格納する
ことを特徴とする光学記憶装置。 - 請求項１の光学記憶装置において、
前記２値化回路は、
前記読み取り信号にゲインを付与するゲイン制御回路と、
前記ゲイン制御回路の出力と所定のスライスレベルとを比較するコンパレータとを有し、
前記制御回路は、前記ゲイン制御回路の前記ゲイン又は前記コンパレータの前記スライスレベルの少なくとも一方を前記最適値に制御する
ことを特徴とする光学記憶装置。 - セクター単位で情報が記憶された光学記憶媒体の情報を光学ヘッドにより読み取る光学記憶装置のセクターマーク検出方法において、
前記光学ヘッドにより、前記セクターの開始を示すセクターマークがピットで形成され、前記セクターのアドレス情報と、前記セクターのデータが続く前記光学記憶媒体の情報 を読み取るステップと、
２値化回路により、所定の検出パラメータに従い、前記光学ヘッドの読み取り信号を２値化するステップと、
認識回路により、前記２値化出力から前記ピットで形成されたセクターマークを認識するステップと、
前記２値化回路の前記検出パラメータを変化しながら、前記認識回路のセクターマーク検出確率を測定して、前記検出確率により、前記２値化回路の前記検出パラメータの最適値を決定し、且つ前記２値化回路の前記検出パラメータを前記最適値に制御するステップとを有する
ことを特徴とする光学記憶装置のセクターマーク検出方法。
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