JP3825638B2 - 高電圧リニア電流感知ic用の回路 - Google Patents
高電圧リニア電流感知ic用の回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3825638B2 JP3825638B2 JP2000614556A JP2000614556A JP3825638B2 JP 3825638 B2 JP3825638 B2 JP 3825638B2 JP 2000614556 A JP2000614556 A JP 2000614556A JP 2000614556 A JP2000614556 A JP 2000614556A JP 3825638 B2 JP3825638 B2 JP 3825638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage level
- voltage
- width modulation
- current sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- PIRWNASAJNPKHT-SHZATDIYSA-N pamp Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](CO)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](C)N)C(C)C)C1=CC=CC=C1 PIRWNASAJNPKHT-SHZATDIYSA-N 0.000 description 5
- 102100032814 ATP-dependent zinc metalloprotease YME1L1 Human genes 0.000 description 3
- 101800000795 Proadrenomedullin N-20 terminal peptide Proteins 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/003—Changing the DC level
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
- H03K7/08—Duration or width modulation ; Duty cycle modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
(発明の背景)
1.発明の分野
本発明は高電圧集積回路(IC)用の回路、より詳細には、高電圧電源の近くで数百ミリボルトの差信号を増幅し、固有温度オフセットドリフトを最小化し、電流感知ICにおいて高側電流基準を生成する差動増幅回路に関する。
【0002】
2.関連技術の説明
カリフォルニア州、エルセグンドのインターナショナルレクティファイアー会社から販売されたIR2171電流感知ICのような高電圧電流感知ICの回路が、1999年3月12日に提出された米国特許出願番号09/266,822に開示されており、その開示全体が参照されて本明細書に取り入れられている。
【0003】
IR2171は、静的または時間変化するアナログ情報を電気的分離すること無く、第1(ソース)の基準電位から第2(宛先)の基準電位へ転送する回路を備える。
【0004】
より詳細には、IR2171回路は、第2の電位からの同相変位によってオフセットされている第1の電位において入力信号を回復する。その最も基本的な形の回路は、(1)第1の電位における入力信号をパルス幅変調信号に変換する回路、および(2)パルス幅変調信号を第1の電位から第2の電位にレベルシフトする回路を含む。IR2171は、電流に関する情報を調整し処理するために、高側抵抗を通して高電圧電位からより低いレベルの電位へこの電流に関する情報を転送するモータコントローラにおいて有効に利用することができる。
【0005】
IR2171のような高電圧電流感知ICの望ましい特徴としては、電源の近くで数百ミリボルトの差信号を増幅し、固有温度オフセットドリフトを最小化し、高側電流基準を生成する差動増幅器を含むことである。
【0006】
図1は、典型的な従来技術による差動増幅回路2を示す。回路2は、整合抵抗6、8、10、および12によってバイアスされた差動増幅器4を含む。図1に示された回路のような従来技術による差動増幅器回路の利点は、VinがVSS=−1VからVDD近くまでのCMIV(同相入力電圧)で増幅され得るということである。
【0007】
図1の回路の欠点は次の通りである。(1)4つの整合抵抗6、8、10、および12が必要である、(2)4つの抵抗はダイ上に貴重なスペースを占める、(3)CMRR(同相除去比)は抵抗がどれほど密接に整合されるかに依存し、これはIC実現において通常1%より良くない、(4)オフセットはまた、抵抗がどれほど密接に整合されるかに依存する、および(5)10および12に電流を供給する必要があるVrefは低インピーダンス出力を有する必要があり、実際に、Vrefは電圧基準およびフォロワ演算増幅器14として図2に示されるように実施される。
【0008】
図3は、別の従来技術である差動増幅回路16を示す。回路16は差動増幅器18、ならびに抵抗20、および22を含み、Vref24が与えられる。図3の回路16の利点は次の通りである。(1)2つの抵抗20、および22だけを整合する必要があり、これはずっと容易であり、0.5%より良いCMMRを生じる、(2)CMRRは図1の回路2に対して改善され、所要抵抗数の削減(抵抗の整合が改善される)に因ってオフセットはより良い、および(3)Vrefは高インピーダンス負荷、したがって簡単な抵抗分割器であり、図2のバッファの必要がないので、回路は小さい面積を占める。図3の回路16の欠点は、VinがVSSに参照されるので、それはVSSのCMIVを有し得るだけであるということである。
【0009】
従来技術の別の欠点は、従来の演算増幅器は温度に対して敏感な入力オフセット電圧を有することである。入力オフセット電圧が一定で、かつ温度変化に無関係である演算増幅回路を提供することが望ましいだろう。
【0010】
高電圧電流感知ICは高側電流基準を必要とする。図4を参照して、これは、VB電源に接続されたコレクタを有するNPNトランジスタ22を設けることによって通常達成される。以下により充分に説明されるように、NPNトランジスタのエミッタ抵抗24の電圧を調節し、抵抗24を再配置することによって、ΔVbe/R電流基準が高側で実現され得る。非常に良好な許容範囲(±10%)および電源除去比が、この方法を用いて実現された。
【0011】
(発明の概要)
本発明が上述の従来技術による回路の欠点を解決する電流感知IC用の差動増幅回路を提供することは有利であり、電源の近くで数百ミリボルトの差信号を増幅できる。さらに、本発明の回路が反対のマイナス温度係数MOSFETを用いて定電流を発生する。したがって、本発明は、一定で、かつ温度変化に対して鈍感な入力オフセット電圧を有する演算増幅回路を提供する。本発明は電流感知ICの高側で電流基準を発生する回路を提供することはまた有利である。
【0012】
本発明の他の特徴および利点は、付帯図面を参照する本発明の次の説明から明らかになる。
【0013】
(好ましい実施形態の詳細な説明)
図5を参照すると、本発明の好ましい実施形態による高電圧電流感知IC30の回路のブロック図が示されている。当該VSPの信号は、先ず差動増幅器(Pamp)32に入力され、バッファリングおよび必要に応じて増幅される。必要に応じて他のオフセット調整を実施することもできる。基準電圧発生回路34が、PAMP32およびICのその他のセクションに入力VREFを供給している。同様に電流基準35も供給されている。
【0014】
Pamp32からの増幅信号は、パルス幅変調方式を用いてアナログからパルスに変換される。本発明の好ましい実施形態においては、鋸波発信器36は高周波(例えば40kHz)波形を出力している(必要に応じて、鋸波発信器を三角波発信器に置き換えることもできる)。パルス幅変調器PWM38の出力波形はパルス幅が変調されており、そのパルスの幅は電圧VSPを表している。
【0015】
PWM38の出力は、立上りエッジトリガパルスおよび立下りエッジトリガパルスを発生するパルス発振器40に供給される。これらのパルスは、MOSFET42、44および低側変換回路46を介して、より低い電位に置換される。デジタルPWMデータの回復は、より低い基準電位で実行される。
【0016】
PWM回路
図6は、PWM回路38のさらに詳細なブロック図を示したものである。PWM回路38は、pcomp回路50、ブロック52内に含まれたレベルシフト回路、およびデジタル回路53を含んでいる。デジタル回路53は、NORゲート54、インバータ56およびNORゲート58、60を含んでいる。
【0017】
PAMP
図7を参照すると、IR−2171電流感知IC中に実施された、本発明による差動増幅回路70が示されている。差動増幅回路70は、差動増幅器72および整合抵抗74、76を含んでいる。VREF78は、基準回路34によって供給されている(図5)。差動増幅回路70は、図3に示す従来技術による回路の利点の全てを備えているが、さらにVDD=15Vと仮定すると、CMIVの範囲が、VSS=−5V(図1および図3の回路と比較すると大きくなっている)からVSS=+5Vに広がっている。
【0018】
図7の回路70では、図1の回路と比較すると、CMIVをVDDにすることはできないが、IR2171のような高電圧電流感知ICにおいては、この特徴は不要である。また、この場合、VSNがICのアナログセクションに対する電源復帰になるため、VSNとVBの間に少なくとももう1個の減結合コンデンサ(図示せず)が必要である。図8は、図7の回路70をICで実施した回路を示したものであり、以下でより完全に説明するように、差動増幅器72がPMOS演算増幅器80に置き換えられている。
【0019】
温度オフセットのドリフトを最小にするための回路−POPAMP
図9は、本発明によるPMOS演算増幅器80のさらに詳細なブロック図を示したものであり、温度に鈍感な入力電圧を有する。好ましい実施形態によれば、演算増幅器80は、上述した、図7に示すPAMP70の一部を形成している。
【0020】
図9を参照すると、Popamp回路80は、対向するMOSFET82および84を備え、回路のオフセット電圧がMOSFET82のゲート−ソース電圧(Vgs)とMOSFET84のゲート−ソース電圧(Vgs)との差になるようにしている。
【0021】
MOSFET82および84のゲート−ソース電圧が温度に対して一定であれば、オフセット電圧も温度に対して一定になるはずである。したがって回路は、対抗するマイナス温度係数MOSFETを用いて、定電流を強制している。
【0022】
ID(ドリフト電流)に対する関係は次式の公式に基づいており、また、その関係を図10のグラフに示す。
【0023】
【数1】
【0024】
ただし、COXは酸化物キャパシタンスであり、VTおよびμはいずれも温度が上昇すると小さくなる値である。
【0025】
チップドライバの高側ウェルにおける電流基準
図4に示す従来技術による回路に関連して考察したように、本発明によれば、電流基準が高電圧ICの高側ウェル中に存在するように、NPNトランジスタのエミッタ電圧を調整し、かつ、抵抗を再配置することにより、高側電流基準が提供される。
【0026】
次式に示す式を、図4に示す従来技術による回路に適用することができる。
【0027】
【数2】
【0028】
ΔVbe/Rを理想に近づけるためには、上記式中のnは1でなけれなばらない。図11および図12に示すNPNトランジスタのレイアウト100は、nを可能な限り1に近づけている。本発明によれば、NPNトランジスタにゲート102を追加することにより、Pウェルの表面が強化されている。
【0029】
本発明を、図4に示す従来技術による回路の中で実施するためには、広い面積を占有する増幅器が必要である。図13を参照すると、高電圧電流感知ICにおける本発明の実施態様は、電流基準35(図5)と同一である。
【0030】
整合トランジスタ120および122がΔVbe/Rを形成している。面積比は9:1であり、MOSFET126および128によって決定される電流比は1:5である。したがって以下の通りである。
【0031】
【数3】
【0032】
MOSFET130、132、134および136は増幅器を形成している。増幅器の出力Voutは、MOSFET130および136のドレインである。その構成は、ΔVbe/RがMOSFET132のソースからアナロググランドへミラーされるようになっている。
【0033】
回路35中のその他のデバイスは、スタートアップおよび安定性のためのものであり、また、電源除去比を向上させるためのものである。理想的な結果に近づくために、特定グループのデバイスを整合させることが好ましい。つまり、トランジスタ120と122、MOSFET130と132、MOSFET126、128および138、MOSFET134、136および140を整合させることが好ましい。したがってΔVbeは、上記整合および温度にのみ左右される。
【0034】
【数4】
【0035】
従って、Irefは、次式に示すように、Rの絶対値によってのみ決まることになる。
【0036】
【数5】
【0037】
R(T)が温度に関してΔVbe(T)を追従する場合、Irefは温度に無関係であり、Rの絶対値によってのみ決まることになる。Rの正確な温度を得るためにPbodyおよびSP+を用いると、Rの精度を±10%にすることができ、したがって±10%の精度のIrefを得ることができる(整合および係数nが理想的であると仮定する)。
【0038】
複数の電流基準信号は、ブロック150によってICの様々な部分に供給することができる。
【0039】
以上、本発明について、特定の実施形態に関連して説明したが、多くの他の変形形態、改変および他の用法については、当分野の技術者には明らかになるであろう。したがって本発明は、本明細書における特定の開示によって制限されることはなく、特許請求の範囲における各クレームによってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による差動増幅回路を示す図である。
【図2】 従来技術による電圧基準およびフォロワ演算増幅回路を示す図である。
【図3】 従来技術による別の差動増幅回路を示す図である。
【図4】 高電圧電流感知集積回路用の典型的な従来技術による高側電流基準回路を示す図である。
【図5】 本発明による電流感知集積回路のブロック図である。
【図6】 本発明によるパルス幅変調回路の機能ブロック図である。
【図7】 本発明による差動増幅回路を示す図である。
【図8】 図7の差動増幅回路の集積回路実現を示す図である。
【図9】 本発明による最小化温度ドリフトを有するPMOS演算増幅回路を示す図である。
【図10】 図9の回路におけるドリフト電流を示すグラフである。
【図11】 本発明によるNPNトランジスタレイアウトの立体図である。
【図12】 本発明によるNPNトランジスタの略図である。
【図13】 本発明による高側電流基準の回路図である。
Claims (6)
- 所定の電源から出力される電流に関連する情報を含むアナログ信号を検出し、該検出したアナログ信号を差動増幅することによって、所定の第1の電圧レベルを有するアナログ差信号を出力する増幅回路と、
前記出力されたアナログ差信号を、前記第1の電圧レベルでパルス幅変調信号に変換するパルス幅変調回路と、
前記変換されたパルス幅変調信号を、前記第1の電圧レベルから第2の電圧レベルに変換するレベルシフト回路と
を具え、
前記増幅回路は、前記第1の電圧レベルで固有温度オフセットのドリフトを補償する回路を含むことを特徴とする電流感知集積回路。 - 前記増幅回路は、
一対の対向するMOSFETからなる差動回路を含み、
該差動対を構成する一方のMOSFETのゲート−ソース電圧と他方のMOSFETのゲート−ソース電圧との差に等しいオフセット電圧を有し、該オフセット電圧を温度変化に対して一定に保つことを特徴とする請求項1記載の電流感知集積回路。 - 所定の電源から出力される電流に関連する情報を含むアナログ信号を検出し、該検出したアナログ信号を差動増幅することによって、所定の第1の電圧レベルを有するアナログ差信号を出力する増幅回路と、
前記出力されたアナログ差信号を、前記第1の電圧レベルでパルス幅変調信号に変換するパルス幅変調回路と、
前記変換されたパルス幅変調信号を、前記第1の電圧レベルから第2の電圧レベルに変換するレベルシフト回路と
を具え、
前記レベルシフト回路は、
前記パルス幅変調信号から、立ち上がりエッジトリガパルスおよび立下りエッジトリガパルスを生成するパルス発振器と、
前記立ち上がりエッジトリガパルスおよび前記立下りエッジトリガパルスを受信して、該トリガパルスを前記第1電圧レベルから前記第2電圧レベルへ変換する1対のMOSFETと
を含むことを特徴とする電流感知集積回路。 - 前記増幅回路は、前記第1の電圧レベルで固有温度オフセットのドリフトを補償する回路を含むことを特徴とする請求項3記載の電流感知集積回路。
- 前記増幅回路は、
一対の対向するMOSFETからなる差動回路を含み、
該差動対を構成する一方のMOSFETのゲート−ソース電圧と他方のMOSFETのゲート−ソース電圧との差に等しいオフセット電圧を有し、該オフセット電圧を温度変化に対して一定に保つことを特徴とする請求項4記載の電流感知集積回路。 - 前記第1電圧レベルは、前記第2電圧レベルよりも高いことを特徴とする請求項1又は3記載の電流感知集積回路。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13064899P | 1999-04-23 | 1999-04-23 | |
US16672799P | 1999-11-22 | 1999-11-22 | |
US16672899P | 1999-11-22 | 1999-11-22 | |
US60/166,728 | 1999-11-22 | ||
US60/130,648 | 1999-11-22 | ||
US60/166,727 | 1999-11-22 | ||
PCT/US2000/010964 WO2000065716A1 (en) | 1999-04-23 | 2000-04-21 | Circuitry for a high voltage linear current sense ic |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002543653A JP2002543653A (ja) | 2002-12-17 |
JP2002543653A5 JP2002543653A5 (ja) | 2005-05-19 |
JP3825638B2 true JP3825638B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=27384035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000614556A Expired - Lifetime JP3825638B2 (ja) | 1999-04-23 | 2000-04-21 | 高電圧リニア電流感知ic用の回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6337591B1 (ja) |
JP (1) | JP3825638B2 (ja) |
AU (1) | AU4658200A (ja) |
DE (1) | DE10084506T1 (ja) |
WO (1) | WO2000065716A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008371A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Sony Corp | Rssi回路 |
US6552889B1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-04-22 | Vishay Siliconix | Current limiting technique for hybrid power MOSFET circuits |
US6894477B1 (en) | 2003-03-04 | 2005-05-17 | Fazaki North America, Inc. | Electrical current monitor |
KR102117186B1 (ko) | 2012-04-20 | 2020-06-02 | 비쉐이-실리코닉스 | 전류 제한 시스템 및 방법 |
US8836404B2 (en) | 2012-08-02 | 2014-09-16 | Vishay-Siliconix | Circuit for preventing reverse conduction |
US9685923B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-06-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | Communication over a voltage isolation barrier |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2536737B2 (ja) | 1985-09-13 | 1996-09-18 | 富士通テン株式会社 | 誘導性負荷の電流検出回路 |
JPH03116696A (ja) | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 放電灯点灯装置 |
JPH03227105A (ja) | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Sony Corp | 演算増幅器のオフセット調整回路 |
JP3022586B2 (ja) | 1990-09-11 | 2000-03-21 | 帝人株式会社 | ポリエステル繊維の製糸方法 |
JPH04130506A (ja) | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Yokogawa Electric Corp | 統一信号出力装置 |
JPH04334106A (ja) | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | 集積回路化された差動信号回路 |
US5200654A (en) | 1991-11-20 | 1993-04-06 | National Semiconductor Corporation | Trim correction circuit with temperature coefficient compensation |
WO1994011799A1 (en) | 1992-11-10 | 1994-05-26 | Motorola, Inc. | Switching regulator and amplifier system |
JP3332045B2 (ja) | 1993-03-08 | 2002-10-07 | 株式会社安川電機 | 電流制御回路 |
JP3525195B2 (ja) * | 1994-08-02 | 2004-05-10 | 光洋精工株式会社 | 電動パワーステアリング装置 |
JP3632305B2 (ja) | 1996-07-01 | 2005-03-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | モータ駆動装置 |
US6072361A (en) | 1996-11-27 | 2000-06-06 | Motorola, Inc. | Wideband class-S modulator and method therefor |
JPH10233636A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-09-02 | Fujitsu Ltd | 増幅器及び半導体集積回路装置 |
US5949282A (en) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | National Semiconductor Corporation | Class D amplifier no low pass filter feedback with zero phase delay |
US5917369A (en) * | 1998-02-25 | 1999-06-29 | National Semiconductor Corporation | Pulse width modulator with automatic gain control over-voltage modulator and limiter |
JP3408447B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2003-05-19 | インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション | モータ・コントローラのためのリニア電流検知回路 |
US6127885A (en) * | 1998-08-31 | 2000-10-03 | Cello, Limited | Class D amplifiers including transition zone modulation |
-
2000
- 2000-04-21 JP JP2000614556A patent/JP3825638B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-21 AU AU46582/00A patent/AU4658200A/en not_active Abandoned
- 2000-04-21 US US09/553,756 patent/US6337591B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-21 DE DE10084506T patent/DE10084506T1/de not_active Withdrawn
- 2000-04-21 WO PCT/US2000/010964 patent/WO2000065716A1/en active Application Filing
-
2003
- 2003-12-31 US US10/750,526 patent/USRE40549E1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
USRE40549E1 (en) | 2008-10-28 |
AU4658200A (en) | 2000-11-10 |
WO2000065716A1 (en) | 2000-11-02 |
JP2002543653A (ja) | 2002-12-17 |
US6337591B1 (en) | 2002-01-08 |
DE10084506T1 (de) | 2002-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4315299B2 (ja) | 低電圧演算増幅器とその方法 | |
EP0688097B1 (en) | Operational amplifiers and current detector circuits | |
JP2682270B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子回路 | |
JP3360025B2 (ja) | 定電圧回路 | |
JPH1022750A (ja) | 低電圧演算増幅器の入力段および方法 | |
EP1032123A2 (en) | Signal amplifying circuit | |
JP3825638B2 (ja) | 高電圧リニア電流感知ic用の回路 | |
US6879212B2 (en) | Operational amplifier having large output current with low supply voltage | |
JPH02121012A (ja) | 相補性mos技術による回路装置 | |
US6998800B2 (en) | Current sensor for DC powered three phase motor control system | |
US6014054A (en) | Differential amplifier circuit and load driving circuit incorporating the differential amplifier circuit | |
TW479400B (en) | Circuit-arrangement to adjust the operation-point of a high-frequency-transistor and an amplifier-circuit | |
JP3160000B2 (ja) | バッファ及び利得1を与える方法 | |
JP3147082B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
JPS6184913A (ja) | 高域通過回路装置 | |
US20040212425A1 (en) | Dynamic current generator with asymmetric common-mode input range | |
US6480052B1 (en) | Parasitic capacitance canceling circuit | |
US6441650B2 (en) | Offset comparator and method for forming same | |
JP2002543653A5 (ja) | ||
US7012452B2 (en) | High voltage high speed amplifier using floating high side structure | |
JP2540767B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
JP3305057B2 (ja) | 増幅回路 | |
JP2643659B2 (ja) | 降圧回路 | |
KR920002974Y1 (ko) | 차동증폭기의 오프셋전압 제어회로 | |
JPH07112136B2 (ja) | 差動入力差動出力型増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20051005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051005 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3825638 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |