JP3823787B2 - スフィンゴミエリン類縁体とその製法 - Google Patents
スフィンゴミエリン類縁体とその製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3823787B2 JP3823787B2 JP2001277974A JP2001277974A JP3823787B2 JP 3823787 B2 JP3823787 B2 JP 3823787B2 JP 2001277974 A JP2001277974 A JP 2001277974A JP 2001277974 A JP2001277974 A JP 2001277974A JP 3823787 B2 JP3823787 B2 JP 3823787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- general formula
- same
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 CN(C(CC*)C(*)O)C(*)=O Chemical compound CN(C(CC*)C(*)O)C(*)=O 0.000 description 3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リン脂質加水分解酵素であるスフィンゴミエリナーゼの触媒部位に作用し、基質に対して拮抗的に阻害する物質として期待される新規スフィンゴミエリン類縁体およびその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
スフィンゴミエリナーゼは、スフィンゴミエリンのリン酸エステル部を加水分解する酵素であり、この働きによりスフィンゴミエリンはセラミドとホスホコリンに分解される。代謝産物であるセラミドは細胞分化やアポトーシス誘導体の情報伝達因子として機能し、プロテインキナーゼCの酵素活性を阻害することが明らかになっている。またスフィンゴミエリンなどのスフィンゴ脂質がセカンドメッセンジャーとして、増殖・分化・アポトーシスなどの細胞機能において重要な役割を果たしていると考えられていることから、スフィンゴミエリナーゼの重要性が注目され、その作用機構の解明が望まれている。
スフィンゴミエリナーゼは、いまだ数多くの種類の中でごく一部の1次構造が解明された程度であり、その高次構造や加水分解機構など詳しいことは明らかにされていないが、スフィンゴミエリナーゼ阻害剤となりうる物質の開発が望まれ、そしてそれが安価で大量合成されることも望まれている。
【0003】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは下記式(1)で示される新規スフィンゴミエリン類縁体の合成に成功した。
また、γ−ブチロラクトンから得られる後記式(2)で表される化合物を出発原料に用いて、本発明のスフィンゴミエリン類縁体が効率よく合成できることを見出した。
光学活性な化合物を合成する際、操作が簡便で収率がよく、しかも光学純度が高く保持されることが肝要である。このような要望に合致する製造法として、化学変換しやすいキラル中間体を合成し、この化合物を経て目的物を製造するという手法がある。この方法で重要な点は、このキラル中間体が操作の点で取り扱い易いうえに、安価でかつ大量に入手可能な物質のことである。本発明に係る化合物は光学異性体として存在する場合が多く、本発明方法はこれらの要望を満たした方法でもある。
即ち、本発明は、特にリン脂質加水分解酵素であるスフィンゴミエリナーゼの触媒部位に作用し、基質に対拮抗的に阻害する物質として期待されるスフィンゴミエリン類縁体およびその製造法、特に効率的製造法を提供することにある。
本発明は下記一般式(1)
【0004】
【化26】
(式中、R1およびR2は同一または異なって、不飽和結合を有することもある炭素数が1〜20のアルキル基、アリール基、またはアリール基置換炭素数1〜6のアルキル基を意味する。)
で表されるスフィンゴミエリン類縁体に関する。
上記R1で示される基のうち、炭素数1〜20のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプタデシル基、アリル基、1−ペンタデセニル基等が挙げられ、好ましい基はヘプチル基、1−ペンタデセニル基である。上記R1で示される基のうち、アリール基の具体例としては、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基が挙げられ、好ましい基はフェニル基である。
上記R1で示される基のうち、アリール基置換炭素数1〜6のアルキル基の具体例としては、ベンジル基、1−フェネチル基等であり、好ましい基はベンジル基である。
【0005】
上記R2で示される基のうち、炭素数1〜20のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプタデシル基、アリル基、1−ペンタデセニル基等が挙げられ、好ましい基はヘプチル基、ヘプタデシル基である。
上記R2で示される基のうち、アリール基の具体例としては、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基が挙げられ、好ましい基はフェニル基である。
上記R2で示される基のうち、アリール基置換炭素数1〜6のアルキル基の具体例としては、ベンジル基、1−フェネチル基等であり、好ましい基はベンジル基である。
【0006】
一般式(1)で示される本発明の化合物のうち好ましい化合物は
R1が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプタデシル基、アリル基、1−ペンタデセニル基、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、ベンジル基、1−フェネチル基で、
R2が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプタデシル基、アリル基、1−ペンタデセニル基、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基である化合物である。
特に好ましい化合物は、R1がヘプチル基、1−ペンタデセニル基、フェニル基、ベンジル基であり、R2がペンチル基、ヘプチル基、ヘプタデシル基である化合物である。
【0007】
本発明はまた、上記一般式(1)の化合物の製造法並びにその中間体に関する。
本発明の化合物(1)の製造法につき以下に詳細に説明する。
その製造行程は以下のスキーム1で示される。
【0008】
【化27】
スキーム1
(上記式中、R3は水酸基保護基を意味し、R4はアミノ保護基を意味し、そしてR5はアラルキル基またはアルケニル基を意味し、R6は炭素数1〜6のアルキル基またはアラルキル基を意味し、R1およびR2は前記に同じ。)
【0009】
以下に化合物(1)の製造法について説明する。
まず、一般式(2)で表される化合物の水酸基を保護することにより一般式(3)で表される化合物が得られる。
保護基としては、テトラヒドロピラン、メトキシメチル、ベンジル等のエーテル系保護基、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル等のシリル系保護基等が挙げられるが、好ましくはテトラヒドロピランである。
使用する溶媒としては、例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライムジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、水媒体並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。反応温度は0℃から溶媒の還流温度までで、好ましくは0℃から室温である。
【0010】
一般式(3)で表される化合物のアミノ基を保護することにより一般式(4)で表される化合物が得られる。
アミノ基の保護基としては公知のアミノ基の保護基はいずれも使用できるが、好ましくはメトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジル基等が挙げられるが、特に好ましいのはベンジル基である。
ついで一般式(4)で表される化合物を塩基を用いて加水分解することにより開環して、一般式(5)で表される化合物が得られる。
使用する塩基としては炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられるが、好ましくは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属水酸化物である。塩基の使用量は、基質に対して1〜3当量、好ましくは1〜1.5当量である。
【0011】
使用する溶媒としては、例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライムジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、水媒体並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。
得られた一般式(5)と酸ハライドを塩基の存在下反応させ、アミド化させることにより一般式(6)で表される化合物が得られる。
【0012】
使用する酸ハライドとしては、アセチルクロリド、プロピオニルクロリド、ブチリルクロリド、バレリルクロリド、カプロイルクロリド、ベンゾイルクロリド等の炭素数1〜20の環状または非環状アシルクロリドが挙げられる。酸ハライドの使用量は、基質に対して1〜3当量、好ましくは1〜1.5当量である。
使用する溶媒としては、例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライムジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、水媒体、並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。
使用する塩基としては炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属水酸化物等が挙げられるが、好ましくは炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属炭酸塩である。塩基の使用量は、基質に対して1〜3当量、好ましくは1〜1.5当量である。
【0013】
得られた一般式(6)で表される化合物の2級水酸基を保護することにより一般式(7)で表される化合物が得られる。
保護基としては、テトラヒドロピラン、メトキシメチル、ベンジル等のエーテル系保護基、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル等のシリル系保護基等が挙げられるが、好ましくはベンジル基である。
一般式(7)で表される化合物の1級水酸基の脱保護をすることにより一般式(8)で表される化合物が得られる。脱保護は、保護基の種類に応じた公知の方法で行うが、例えば保護基がテトラヒドロピランの場合、メタノール等の溶媒中、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下、脱保護することができる。ベンジルの場合は、水素雰囲気下、溶媒中での接触還元、またはアルカリ金属−アンモニア還元して脱保護することができる。
一般式(8)で表される化合物のアルコールを酸化しカルボン酸にすることにより一般式(9)で表される化合物が得られる。
酸化する方法としては、クロム酸類を用いる酸化、過マンガン酸化カリウムを用いる酸化、ルテニウムを用いる酸化、ニトロキシル化合物を用いる酸化等、公知の方法で酸化できるが、好ましいものとして例えば、ジメチルホルムアミド中、ピリジニウムジクロメートを用いる方法が挙げられる。
【0014】
一般式(9)で表される化合物のカルボン酸をクルチウス(Crutius) 転位反応に付す、即ちアルコール存在下、例えばジフェニルホスホリルアジドを用い保護されたアミンに変換する、ことにより一般式(10)で表される化合物が得られる。
使用する溶媒としては、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、ジグライム、トリグライム、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。反応温度は0℃から溶媒の還流温度までで、好ましくは室温から溶媒の還流温度である。
使用するアルコールとしては、メタノール、エタノール、アリルアルコール、プロパノール、t−ブタノール等の炭素数1〜6のアルコール、ベンジルアルコール、クロロベンジルアルコール、ニトロベンジルアルコール等の置換および非置換ベンジルアルコールが挙げられる。好ましいアルコールは、除去が容易であるベンジルアルコールである。
【0015】
一般式(10)で表される化合物のアミド、水酸基、アミンの保護基をはずすことにより一般式(11)で表される化合物が得られる。3つの保護基がそれぞれ違う場合、別々に公知の方法で除去しなければならないが、3つとも同じ場合、例えばベンジルの場合は容易に除去できる。この場合、脱保護の条件としては、水素雰囲気下、溶媒中での接触還元、またはアルカリ金属−アンモニア還元が用いられる。アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。
【0016】
一般式(11)で表される化合物に、例えば2−クロロ−2−オキソ−1,3−ジオキサホスホラン、そしてトリメチルアミンを反応させることにより一般式(1)で表されるスフィンゴミエリン類縁体が得られる。
使用する溶媒としては、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、水媒体、並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。
以下に実施例を示すが、これに限定されるものではない。
【0017】
【実施例】
【実施例1】
テトラヒドロピラニルエーテル(THP)体(12)の合成
(4S)−(2−ヒドロキシエチル)−(3R)−(5−ヘプチル)−2−オキサゾリジノン(4.00 g, 17.44 mmol)のジクロロメタン(52.3 mL)溶液に0℃でピリジニウムパラトルエンスルホネート(PPTS)(2.19 g, 8.72 mmol)、ジヒドロピラン(2.23 mL, 24.42 mmol)を順次加え、室温に昇温した。20時間攪拌した後、反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えてクロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより分離・精製し、THP体(12)(5.47 g, quant.)を異性体の混合物として得た。
【0018】
【化28】
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 5.82 (a pair of s, 1H), 4.62 4.52 (m, 2H), 3.97 - 3.80 (m, 3H), 3.62 - 3.48 (m, 2H), 1.84 - 1.28 (m, 20H), 0.88 (t, J = 6.8 Hz, 3H);
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ: 159.1, 159.0, 99.5, 99.4, 79.9, 79.8, 65.6, 64.8, 63.3, 62.9, 55.2, 54.2, 31.7, 30.7, 30.5, 29.5, 29.5, 29.4, 29.4, 29.3, 29.0, 25.8, 25.2, 22.6, 20.0, 19.9, 14.0;
IR (NaCl neat): 3289, 2928, 2859, 1748 cm-1.
【0019】
ベンジル体(13)の合成
THP体(12)(2.41 g, 7.69 mmol)のDMF(23.1 mL)溶液に0oCで
62.5%水素化ナトリウム(443 mg, 11.54 mmol)、ベンジルブロミド(1.37 mL, 11.54 mmol)を順次加えた後室温に昇温した。2時間攪拌した後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより分離・精製し、ベンジル体(13)(3.07 g, 98.8 %)を異性体の混合物として得た。
【0020】
【化29】
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 7.27 7.37 (m, 5H), 4.81 (dd, J = 2.2, 15.4 Hz, 1H), 4.40 4.51 (m, 2H), 4.12 (dd, J = 6.8, 15.4 Hz, 1H), 3.66 3.81 (m, 3H), 3.47 (m, 1H), 3.36 (m, 1H), 1.20 1.94 (m, 20H), 0.88 (t, J = 7.1 Hz, 3H);
13C NMR (CDCl3, 100MHz) δ: 158.4, 136.3, 128.69, 128.68, 128.0, 127.9, 99.1, 98.9, 78.2, 64.0, 63.9, 62.4, 55.6, 55.5, 46.2, 46.1, 31.7, 30.5, 29.5, 29.3, 27.2, 27.1, 25.8, 25.3, 22.6, 19.52, 19.46, 14.0;
IR (KBr disk): 2928, 1752, 1416, 1123, 1080, 1036 cm-1
【0021】
開環体(14)の合成
ベンジル体(13)(100 mg, 0.25 mmol)のエタノール(5.00 mL)溶液に8N 水酸化カリウム(4.00 mL)水溶液を加え、攪拌後100℃に昇温した。5時間攪拌後0℃に戻し、2N塩酸水溶液を加え反応混合物を中和した。エタノールを減圧下留去した後、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより分離・精製し、開環体(14)(81 mg, 86.5 %)を異性体の混合物として得た。
【0022】
【化30】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ7.22-7.35 (m, 5H), 4.53 (a pair of dd, J=2.7, 3.4 Hz, J=3.2, 3.7 Hz, 1H), 3.70-3.90 (m, 5H), 3.43-3.51 (m, 2H), 2.72 (ddd, J=3.7, 3.9, 7.6 Hz, 1H), 2.72 (br s, 1H), 1.27-1.80 (m, 20H), 0.88 (t, J=6.8 Hz, 3H);
13C NMR (CDCl3, 100MHz) δ: 140.3, 128.4, 128.2, 128.1, 127.0, 98.9, 98.8, 70.1, 70.0, 66.0, 65.7, 62.2, 60.5, 60.3, 51.63, 51.61, 32.6, 32.5, 31.8, 30.6, 30.5, 29.7, 29.2, 28.04, 27.97, 26.4, 25.3, 22.6, 19.4, 14.1;IR (NaCl neat): 3428, 3347, 2928, 1456, 1123, 1076, 1034 cm-1
【0023】
アシル体(15)の合成
開環体(14) (757 mg, 2.01 mmol)のTHF(6.01 mL)と水(6.01 mL)の0℃の混合溶媒に、炭酸カリウム (2.77 mg, 20.05 mmol)とカプロイルクロリド(0.42 mL, 3.01 mmol)を順次加え、15分間撹拌した。反応溶液に水を加え、これを酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより分離・精製し、アシル体(15)(954 mg, quant.)を異性体の混合物として得た。
【0024】
【化31】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.20-7.38 (m, 5H), 5.55 (br s, 1H), 4.79 (dd, J=15.9 Hz, 1H), 4.54 (m, 1H), 4.34 (dd, J=16.1 Hz, 1H), 3.27-3.93 (m, 6H), 2.21-2.53 (m, 3H), 1.41-1.95 (m, 10H), 1.00-1.40 (m, 18H), 0.90 (t, J=6.8 Hz, 3H), 0.86 (t, J=7.1 Hz, 3H);
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ: 175.3, 136.7, 128.84, 129.79, 127.93, 127.86, 127.5, 127.4, 99.2, 99.0, 74.8, 74.7, 64.6, 64.3, 63.3, 63.1, 62.5, 54.9, 35.1, 34.7, 31.7, 31.5, 31.1, 30.9, 29.3, 29.09, 29.06, 25.7, 25.6, 25.44, 25.38, 25.13, 25.10, 25.0, 22.6, 22.4, 20.3, 19.7, 14.1, 13.9;
IR (NaCl neat): 3403, 2928, 1622, 1452, 1136, 1078, 1034 cm-1
【0025】
ジベンジル体(16)の合成
アシル体(15)(7.38 g, 15.52 mmol)のDMF(46.55 mL)溶液に0℃で水素化ナトリウム(559 mg, 23.27 mmol)、ベンジルブロミド(2.77 mL, 23.27 mmol)を順次加えた後、室温に昇温した。15時間攪拌した後、反応混合物に水を加え、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより分離・精製し、ジベンジル体(16)(7.59 g, 86.5 %)を異性体混合物として得た。
【0026】
【化32】
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 7.13-7.37 (m, 10H), 4.40-4.73 (m, 4H), 3.99-4.27 (m, 2H), 3.43-3.87 (m, 4H), 3.09-3.33 (a pair of m, 1H), 2.51 (m, 1H), 1.12-2.25 (m, 27H), 0.83-0.93 (m, 6H);
13C NMR (CDCl3, 100MHz) δ: 174.54, 174.52, 139.6, 139.5, 138.7, 138.6, 138.22, 138.15, 128.5, 128.33, 128.30, 128.2, 128.1, 127.7, 127.63, 127.59, 127.51, 127.47, 127.28, 127.25, 127.0, 126.6, 126.2, 126.1, 99.1, 99.0, 98.7, 98.6, 82.1, 77.3, 77.0, 76.7, 72.3, 72.1, 71.2, 71.0, 65.44, 65.40, 63.8, 63.6, 62.5, 62.34, 62.29, 62.2, 57.3, 57.0, 45.4, 45.3, 34.1, 33.6, 33.5, 31.8, 31.7, 31.6, 31.5, 30.74, 30.70, 29.9, 29.7, 29.20, 29.26, 28.0, 27.3, 25.8, 25.7, 25.44, 25.35, 25.2, 25.1, 25.02, 24.98, 22.62, 22.58, 22.55, 22.53, 22.4, 19.7, 19.61, 19.58, 19.53, 14.2, 14.1, 14.03 14.00, 13.9;
IR (NaCl neat): 2928, 1649, 1454, 1034, 731 cm-1
【0027】
脱THP体(17)の合成
ジベンジル体(16)(902 mg, 1.59 mmol)のメタノール(7.97 mL)溶液に室温でパラトルエンスルホン酸(303 mg, 1.59 mmol)を加え、1.5時間攪拌した。反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、脱THP体(17)(768 mg, quant.)を得た。
【0028】
【化33】
1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.21-7.35 (m, 6H), 7.07-7.13 (m, 4H), 4.87 (br s, 1H), 4.77 (d, J=17.8 Hz, 1H), 4.52 (d, J=17.3 Hz, 1H), 4.35 (d, J=11.5 Hz, 1H), 3.59-3.65 (m, 3H), 3.32-3.38 (m, 2H), 2.28 (m, 2H), 1.98 (m, 1H), 1.18-1.85 (m, 20H), 0.88 (t, J=6.8 Hz, 3H), 0.85 (t, J=7.1 Hz, 3H);
13C NMR (CDCl3, 100 MHz) δ: 176.4, 138.5, 138.0, 128.6, 128.1, 127.2, 127.1, 125.8, 80.9, 70.4, 58.7, 52.5, 47.5, 33.6, 31.8, 31.5, 31.2, 29.8, 29.1, 25.8, 25.3, 22.6, 22.4, 14.0, 13.9;
IR (KBr disk): 3428. 2928, 1626, 1454, 1063, 731 cm-1
[α] D 19.0 −29.8 (c = 1.088, CHCl3);
【0029】
カルボン酸(18)の合成
0℃に冷却したピリジニウムジクロメート(PDC)のDMF溶液に脱THP体(17)(430mg, 0.77mmol)のDMF溶液を滴下し、5分間攪拌した後、室温に昇温した。そのままの温度で17.5時間攪拌した後、反応混合物中に水を加え、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、カルボン酸(18)(1.77 g, 86.1 %)を異性体の混合物として得た。
【0030】
【化34】
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ: 7.15-7.36 (m, 10H), 4.44-4.67 (m, 4H), 4.25 (a pair of d, J=11.22 Hz, 1H), 3.64 (a pair of m, 1H), 2.81 (a pair of dd, J=5.1, 16.4 Hz, 1H), 2.69 (a pair of d, J=11.1 Hz, 1H), 2.49 (a pair of dd, J=8.5, 16.8 Hz, 1H), 2.27 (a pair of t, J=7.3 Hz, 1H), 1.20-1.76 (m, 20H);
13C NMR (CDCl3, 100MHz) δ: 176.4, 175.9, 174.9, 174.6, 148.5, 138.9, 138.3, 137.5, 137.0, 128.7, 128.4, 128.3, 128.2, 127.8, 127.7, 127.6, 127.5, 127.4, 127.3, 126.8, 126.5, 124.1, 80.9, 80.6, 72.4, 71.8, 60.4, 56.8, 56.2, 50.8, 45.4, 34.7, 34.1, 34.0, 33.3, 31.8, 31.7, 31.52, 31.46, 29.8, 29.7, 29.1, 25.5, 25.2, 25.0, 22.6, 22.5, 22.4, 14.2, 14.1, 14.0, 13.9;
IR (NaCl neat): 3032, 2930, 1730, 1649, 1607, 1454, 1418, 1074 cm-1
【0031】
転位体(19)の合成
カルボン酸(18)(1.72 g, 3.47 mmol)のトルエン(10.42 mL)溶液に室温でトリエチルアミン(0.59 mL, 4.17 mmol)、ジフェニルホスホリルアジド(1.12 mL, 5.21 mmol)を順次加えた後、60oCに昇温し3時間攪拌した。その後、130℃に昇温し1時間攪拌した後、ベンジルアルコール(0.72 mL, 6.95 mmol)を加え、さらに3時間攪拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム、飽和食塩水溶液で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより粗精製し、転位体(19)とし、これをそのまま次の反応に用いた。
【化35】
【0032】
アミノセラミド体(20)の合成
アルゴン雰囲気下、反応容器を−78℃に冷却し、アンモニア(52.11 mL)凝縮した。この中に金属ナトリウム(1.198 g, 52.11 mmol)を加え、5分間攪拌した。この中に先に得られた転位体(19)混合物(3.47 mmol)のTHF (52.11 mL)溶液を滴下した後、アイスバスを除去し3.5時間還流した。再び、反応混合物を−78℃に冷却し、塩化アンモニウムの固体を加え、アンモニアを除去した。残渣に酢酸エチルを加え希釈した後、無水硫酸マグネシウムを加え乾燥し、セライトろ過し、凝縮を行った。得られた残渣を酢酸エチルから再結晶し、アミノセラミド体(20)(323 mg, 2段階収率32.5 %)を結晶として得た。
【0033】
【化36】
1H NMR (CD3OD, 400MHz) δ:3.83 (ddd, J = 4.2, 7.3, 7.8 Hz, 1H), 3.54 (dt, J = 2.9, 7.6 Hz, 1H), 3.04 (m, 1H), 2.80 (dd, J = 8.3, 12.9 Hz, 1H), 2.24 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 1.24 1.67 (m, 20H), 0.92 (t, J = 6.8 Hz, 3H), 0.90 (t, J = 6.8 Hz, 3H);
13C NMR (CD3OD, 100MHz) δ: 176.7, 73.4, 55.6, 42.8, 37.2, 35.2, 33.0, 32.6, 30.7, 30.4, 26.7, 26.5, 23.7, 23.5, 14.4, 14.3;
IR (KBr disk): 3353, 3310, 2922, 1644, 1545, 1464 cm-1.
[α] D 20.0 −0.515 (c = 1.088, MeOH);
【0034】
スフィンゴミエリン類縁体(21)の合成
アルゴン雰囲気下、アミノセラミド体(20)(231 mg, 0.806 mmol)の10℃のベンゼン(12.1 mL)溶液にトリメチルアミン(0.12 mL, 0.887 mmol)、2−クロロ−2−オキソ−1,3−ジオキサホスホラン(0.08 mL, 0.887 mmol)を順次加え、1時間攪拌した。これをすばやくセライトろ過し、溶媒を凝縮した。ベンゼン共沸を3度行うことにより水を完全に除去した後、DMFを加え、この溶液をオートクレーブに移し、−78℃に冷却した。この中に10 mLの無水にしたトリメチルアミンを加えた後、60℃に昇温し、2日間攪拌した。トリメチルアミンを除去した後、メタノールで洗浄し、溶媒を凝縮した。残渣を高速液体クロマトグラフィー(CH3CN: H2O=3:7)で精製を行い、スフィンゴミエリン類縁体(21)(10 mg, 2.7%)を得た。
【0035】
【化37】
1H NMR (CD3OD, 400MHz) δ: 4.20-4.38 (m, 3H), 4.17 (m, 1H), 3.66 (t, J=7.6 Hz, 2H), 3.20-3.23 (m, 10 H), 3.04 (dd, J=8.3, 12.9 Hz, 1H), 2.26 (t, J=7.56 Hz, 2H), 1.24-1.67 (m, 20 H), 0.92 (t, J=6.8 Hz, 3H), 0.90 (t, J=6.8 Hz, 3H);
【0036】
【発明の効果】
本発明に係る新規スフィンゴミエリン類縁体(1)はスフィンゴミエリナーゼ阻害活性を有し、医薬品、殊にスフィンゴミエリナーゼ阻害剤としての応用が期待される。また、本発明方法によれば、効率よく、あるいは高光学純度のスフィンゴミエリン類縁体(1)を製造することができる。
Claims (7)
- 式(1)において、R1およびR2は同一または異なって、不飽和結合を有することもある炭素数が5〜17のアルキル基である請求項1の化合物。
- 式(1)において、R1がヘプチル基、R2がペンチル基である請求項1の化合物。
- 式(1)において、R1が1−ペンタデセニル基、R2がヘプタデシル基である請求項1の化合物。
- 式(1)で表される化合物が光学活性である請求項1の化合物。
- 一般式(2)
で表される化合物の水酸基を保護し、一般式(3)
で表される化合物を得、ついでアミノ基を保護し、一般式(4)
で表される化合物を得、ついで開環し、一般式(5)
で表される化合物を得、ついでアミド化し、一般式(6)
で表される化合物を得、ついで2級水酸基を保護し、一般式(7)
で表される化合物を得、ついで1級水酸基の脱保護をし、一般式(8)
で表される化合物を得、ついで酸化し、一般式(9)
で表される化合物を得、ついでクルチウス(Curtius)転位反応に付し、一般式(10)
で表される化合物を得、ついで脱保護し、一般式(11)
で表される化合物を得、ついでこの化合物に2−ハロゲノ−2−オキソ−1,3−ジオキサホスホラン、そしてトリメチルアミンを反応させることを特徴とする一般式(1)
で表されるスフィンゴミエリン類縁体の製法。 - 一般式(9)
で表される化合物をクルチウス(Crutius)転位反応に付し、一般式(10)
で表される化合物を得、ついで脱保護し、一般式(11)
で表される化合物を得、ついでこの化合物に2−ハロゲノ−2−オキソ−1,3−ジオキサホスホラン、そしてトリメチルアミンを反応させることを特徴とする一般式(1)
で表されるスフィンゴミエリン類縁体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001277974A JP3823787B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001277974A JP3823787B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003081985A JP2003081985A (ja) | 2003-03-19 |
JP3823787B2 true JP3823787B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=19102419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001277974A Expired - Fee Related JP3823787B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3823787B2 (ja) |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001277974A patent/JP3823787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003081985A (ja) | 2003-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0989113A1 (en) | Processes for producing 2-aminomalonic acid derivatives and 2-amino-1,3-propanediol derivatives, and intermediates for producing the derivatives | |
JP3171931B2 (ja) | (R)−(−)−4−シアノ−3−ヒドロキシ酪酸t−ブチルエステル及びその製造方法 | |
JP4299677B2 (ja) | コンブレタスタチンの製造方法 | |
KR20020060988A (ko) | 시클릭 아미노산의 입체선택적 합성 방법 | |
JP3823787B2 (ja) | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 | |
JP4165198B2 (ja) | スフィンゴミエリン類縁体およびその製法 | |
JP3823742B2 (ja) | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 | |
EP0739885B1 (en) | Process for producing 3-isoxazolecarboxylic acid | |
JP2006070017A (ja) | 不飽和アミノジオール類の製造方法 | |
JP4182910B2 (ja) | スフィンゴミエリン類縁体とその製造法 | |
JP3345957B2 (ja) | アミン誘導体及びその製造方法 | |
JP2000256244A (ja) | 4−メチルテトラフルオロベンジルアルコール誘導体の製造法 | |
JP2973545B2 (ja) | 光学活性オキサゾリジノン誘導体およびその製造法 | |
JP2006022019A (ja) | スフィンゴミエリン類縁体とその製法 | |
JP3214138B2 (ja) | パントテン酸アセトナイドの製造方法 | |
JP3632979B6 (ja) | 2―アミノマロン酸誘導体及び2―アミノ―1,3―プロパンジオール誘導体の製造方法 | |
JP2005263774A (ja) | 光アフィニティー標識スフィンゴミエリン類縁体およびその製法 | |
JPH08269024A (ja) | (−)3(s)−メチルベンゾオキサジン誘導体の製造方法 | |
JP3823668B2 (ja) | スフィンゴミエリン類縁体およびその製法 | |
JP2765575B2 (ja) | 置換シクロペンテノン及び置換シクロヘキセノン誘導体の製造法 | |
JP4305010B2 (ja) | フィトスフィンゴシン類縁体およびその製法 | |
JP2973546B2 (ja) | 光学活性4−ベンゾイルオキシメチル−2−オキサゾリジノンおよびその製造法 | |
EP4061799A1 (en) | Process of preparing arachidonoylethanolamine analogues | |
JP3228486B2 (ja) | ヒドロキシケトン誘導体およびその製造方法 | |
KR100420263B1 (ko) | 아지리딘-2-카르복시산 에스테르로부터 이소세린 및 그유도체들을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |