JP3813081B2 - 半導体ウェーハ抵抗率測定器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に用いる半導体ウェーハ抵抗率測定装置に関し、特に、4探針法による抵抗率測定器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハの抵抗率測定装置は、シリコンウェーハの抵抗率、ウェーハ表面に形成したエピタキシャル成長膜の抵抗率、及び表面から不純物を拡散又は注入した場合の拡散層又は注入層のシート抵抗及び表面に生成した金属膜のシート抵抗などを測定する装置であり、測定結果は各半導体製造装置のプロセス条件へフィードバックされ、半導体デバイスの品質を均一に保つための重要な測定装置の1つである(特許第3149400号参照)。
【0003】
図18は、特許第3149400号により提案された半導体ウェーハ抵抗率測定装置の構造概要を示すブロック図である。測定ステージ1上に置かれた半導体ウェーハ2の上面に、操作部3からの制御情報に基づき制御された4探針プローブ4が接触し、計測部5からの電気信号により抵抗率の測定が行われる。
プローブ上下駆動部6は、操作部からの制御情報に基づき4探針プローブ4をウェーハ上に降下させ半導体ウェーハ2に接触させる役割をもつ。
プローブ水平駆動部7は、プローブ上下駆動部6と、4探針プローブ4を半導体ウェーハ2の直径方向に移動させ、また回転駆動部8は、半導体ウェーハ2を配置した測定ステージ1を回転させ、両者7,8の動作により、半導体ウェーハ2上の所望の位置における測定を可能にする機能を持つ。
電源部9は制御部10に電力を供給し、表示部11は測定位置情報,測定結果ほかのデータを表示する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような抵抗率測定器の測定対象には各種のものがある。しかし、これらのウェーハを測定するに当たっては、シリコン,金属などの測定対象の材質,及び抵抗率などに応じて先端部の材質,先端部曲率半径,針圧等が測定対象に適合するようにするために、4探針プローブの種類を変えなくてはならない。
【0005】
さらに、ある種の測定対象を測定したときに、プローブ先端に付着した物質が異なる種類の測定対象を測定する際に、汚染源となり、測定誤差を生じたり、製品の品質を低下させることなどの悪影響を及ぼすことがある。
従来は、図18に示すように、1台の測定器に1個のプローブを実装するようになっていたため、上記の悪影響を回避するべくプローブを取外し、異なった種類のプローブを取付けるという作業が必要であった。この交換作業は一般の作業者には難しく、通常は技術者が行っており、しかも交換に時間を要した。
【0006】
本発明は、技術者によるプローブの交換作業を必要とせず、かつ、交換に要する時間を削減することができる半導体ウェーハ抵抗率測定器を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、請求項1に対応する本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器は、被測定の半導体ウェーハを該半導体ウェーハに有するノッチが所定の基準方向に一致するように載置する円盤状測定ステージと、
該円盤状測定ステージを回転させる回転駆動部と、
該円盤状測定ステージ上に載置された半導体ウェーハの上面に接触して前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブと、
前記複数個のプローブを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部と、
該複数個のプローブ上下駆動部と複数個の4探針プローブとを前記円盤状測定ステージの半径方向に移動させるプローブ水平駆動部と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部と、
該制御情報に従って前記回転駆動部と前記プローブ水平駆動部と前記プローブ上下駆動部を駆動し、前記半導体ウェーハの上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部と、
抵抗率を測定する計測部と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記複数個のプローブ上下駆動部と前記複数個の4探針プローブは、前記円盤状測定ステージの回転中心Oと所望の測定点の位置Pとの距離Rの移動量と前記複数個の4探針プローブの取り付け位置とにより決まる移動量とを水平移動し、
前記円盤状測定ステージは、線分OPが前記基準方向となす角θにより決まる移動量を回転移動し、
該水平移動と回転移動との移動によって位置決め制御される前記複数個の4探針プローブであり、
前記複数個の4探針プローブのうちから前記指定された1個の4探針プローブが、前記半導体ウェーハの該測定点に位置決めされるような制御動作が行われて前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するような構成を有している。
【0008】
また、請求項2に対応する本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器は、被測定の半導体ウェーハを該半導体ウェーハに有するノッチが所定の基準方向に一致するように載置する円盤状測定ステージと、
該円盤状測定ステージを回転させる回転駆動部と、
該円盤状測定ステージ上に載置された半導体ウェーハの上面に接触して前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブと、
前記複数個のプローブを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部と、
前記円盤状測定ステージと前記回転駆動部とを該円盤状測定ステージの半径方向に移動させる測定ステージ駆動部と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部と、
該制御情報に従って前記回転駆動部と前記測定ステージ駆動部と前記プローブ上下駆動部を駆動し、前記半導体上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部と、
抵抗率を測定する計測部と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記円盤状測定ステージは、前記円盤状測定ステージの回転中心Oと所望の測定点の位置Pとの距離Rの移動量と前記複数個の4探針プローブの取り付け位置とにより決まる移動量とを水平移動し、線分OPが前記基準方向となす角θにより決まる移動量を回転移動し、
該水平移動と回転移動の移動によって位置決め制御される前記複数個の4探針プローブであり、
前記複数個の4探針プローブのうちから前記指定された1個の4探針プローブが、前記半導体ウェーハの該測定点に位置決めされるような制御動作が行われて前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するような構成を有している。
【0009】
このような構成を有する本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定は、技術者によるプローブの交換作業を必要とせず、交換作業のミスによるプローブ取付け不具合と、交換作業に必要な時間の浪費をなくして、測定作業の効率向上を実現し得るものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
請求項1に対応する本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器は、図1に示すように、被測定の半導体ウェーハ2を載置する円盤状測定ステージ1と、
該測定ステージ1を回転させる回転駆動部8と、
該測定ステージ1上に載置された半導体ウェーハ2の上面に接触して前記半導体ウェーハ2の抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブ4a,4bと、前記複数個のプローブ4a,4bを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部6a,6bと、
該複数個のプローブ上下駆動部6a,6bと複数個の4探針プローブ4a,4bとを前記測定ステージ1の半径方向に移動するプローブ水平駆動部7と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブ4a,4bのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部3と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部11と、
該制御情報に従って前記回転駆動部8と前記プローブ水平駆動部7と前記プローブ上下駆動部6a,6bを駆動し、前記半導体ウェーハ2の上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部10と、
抵抗率を測定する計測部5と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記半導体ウェーハ2の種類に対応して選択される前記複数個のプローブ上下駆動部6a,6bのうちの1つを動作させ、適切な4探針プローブ4a,4bを選択し、その選択されたプローブにより、前記半導体ウェーハ2の抵抗率を測定するように構成されている。
なお、図1は4探針プローブ及びプローブ上下駆動部がそれぞれ2個の場合を示しているが、それぞれ3個以上の場合でもその基本的な構成・動作は同じである。
【0011】
図2はプローブ上下駆動部6の一例を示す図である。本発明では複数個の4探針プローブ4を取付けられるようになっており、それに伴い複数個の独立したブローブ上下駆動部6を備えている。これらはいずれもプローブ水平駆動部7に取付けられる。図2は、そのうちの1個のプローブ上下駆動部6を示している。このプローブ上下駆動部6は、プローブ取付金具6−1と、プローブ取付金具6−1に取付けられたカムフォロワ6−2と、直線状カム6−3と、直線状カム6−3と連結し直線状カム6−3を水平に動かすエアシリンダ6−4及び後述のアーム6−5(図5,図6を参照して説明する)により構成される。エアシリンダ6−4により駆動される直線状カム6−3が水平に移動することによりカムフォロワ6−2が上下し、カムフォロワ6−2と連結したプローブ取付金具6−1及び4探針プローブ4が上下制御される。
本例では、カムフォロワ6−2とプローブ取付金具6−1を上下に移動させる手段として直線状カム6−3を使用しているが、その代わりに、例えば、楕円形カム又は円形偏心カムを使用し、また、その楕円形カム又は円形偏心カムを回転させる手段として電動モータを用いることができる。
【0012】
図3はプローブ水平駆動部7の平面図である。
図3を用いて、プローブ水平駆動部7の動作を説明する。
プローブ水平駆動部7には、プローブ上下駆動部取付金具7−1を介して、図2に示したプローブ上下駆動部6と4探針プローブ4が取付けられる。
プローブ水平駆動部7は、電動モータ7−2,ボールネジ7−3,ガイドレール7−4,プローブ上下駆動部取付金具7−1より構成される。電動モータ7−2を駆動し、ボールネジ7−3を回転させることにより、プローブ上下駆動部取付金具7−1及びそのプローブ上下駆動部取付金具7−1に取付けられたプローブ上下駆動部6と4探針プローブ4を水平に、この図3では左右に移動させる。
【0013】
図4に回転駆動部8の平面図を示す。電動モータ8−1が回転すると、ベルト8−2を介して、プーリー8−3に回転動作が伝達され、プーリー8−3に固定された円盤状測定ステージ1を回転させる。
【0014】
図5,図6に、円盤状測定ステージ1,プローブ水平駆動部7,プローブ上下駆動部6と4探針プローブ4の配置形式を示す。図5に示す配置形式Iは、プローブ上下駆動部6のアーム6−5が、プローブ上下駆動部取付金具7−1から、プローブ水平駆動部7の駆動方向(矢印Aで示す)と平行に伸び、また、図6に示す配置形式IIは、プローブ上下駆動部6のアーム6−5がプローブ上下駆動部取付金具7ー1からプローブ水平駆動部7の駆動方向(矢印Aで示す)と垂直の方向に伸びている。いずれの配置方法でも本発明による装置の基本的動作及び本発明の効果は変わらない。
【0015】
図7(a)(b)及び図8を参照して、本発明装置における円盤状測定ステージ1上に配置された半導体ウェーハ2の測定点に対する4探針プローブ4の位置決め方法を説明する。図7(a)は半導体ウェーハ2が円盤状測定ステージ1上に置かれた位置決め前の状態を示す。プローブ水平駆動部7によりプローブ4が移動する方向L−L’を基準方向とする。通常、半導体ウェーハ2のノッチ又はオリエンテーションフラット1−1は、基準方向L−L’に一致して置かれる。円盤状測定ステージ1の回転中心をOとし、所望の測定点の位置をPとする。円盤状測定ステージ1の回転中心Oと測定点Pとの距離をRとし、線分OPが基準方向L−L’となす角をθとする。
【0016】
図7(b)は位置決め後の状態を示す。測定点の位置決めは、次の二つの動作により行う。
(1)4探針プローブ4をプローブ水平駆動部7により、円盤状測定ステージ1の回転中心OよりRだけ離れた位置に移動させる。
(2)円盤状回転ステージ1を回転駆動部8により基準方向L−L’よりθだけ回転させる。この二つの動作により半導体ウェーハ2上の所望の測定点の直上に4探針プローブ4が移動する。
【0017】
なお、本発明においては、複数個の4探針プローブを有するから、各4探針プローブ4をプローブ水平駆動部7により円盤状測定ステージ1の回転中心OよりRだけ離れた位置に移動させるに当たっては、プローブ水平駆動部7上における各4探針プローブ4の取付位置を勘案して移動量が制御される。
ここで、図8により各4探針プローブの移動量の制御について説明する。
すなわち、4探針プローブ(I)を選択・使用する場合(a)、4探針プローブ(I)4aをプローブ水平駆動部7により円盤状回転ステージ1の回転中心OよりRだけ離れた位置に移動させる。4探針プローブ(II)を選択・使用する場合(b)、4探針プローブ(II)4bをプローブ水平駆動部7により円盤状回転ステージ1の回転中心OよりRだけ離れた位置に移動させる。上記の動作により、複数の4探針プローブのいずれを選択・使用する場合でも、4探針プローブを半導体ウェーハ2上の所望の点の直上に移動させることができる。
【0018】
図9は、図5の配置形式による構成例を示す側面図である。図8までに示したものと同一構造部分には、対応する同一の参照符号を付して示している。
【0019】
図10に複数個のプローブ4a,4b…のうち使用するプローブを指定する構成の一例を示す。
制御部10に接続された表示部11にプローブ指定画面を表示し、同じく制御部10に接続された操作部3によりプローブ No.を入力することにより使用するプローブを指定する。
図10では、複数個のプローブ4のうち No.01のプローブを指定した例を示している。
なお、プローブNo.と測定対象のウェーハの種類、プローブ先端部の材質,先端部曲率半径,針圧などとの対応はあらかじめ表1のように取り決めておく。
【0020】
【表1】
【0021】
また、測定ステージ1上における半導体ウェーハ2の載置位置のずれをいわゆるオリフラ合わせ機により補正するか、又は特許第3149400号により提案されているように、測定位置の基準位置からのずれの補正により補正する等の任意の補正手法を採用することができるので、この補正についての詳細な説明を省略する。
【0022】
以下、他の実施例について説明する。
請求項2に対応する本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器は、図11に示すように、被測定の半導体ウェーハ2を載置する円盤状測定ステージ1と、
該測定ステージ1を回転させる回転駆動部8と、
該測定ステージ1上に載置された半導体ウェーハ2の上面に接触して前記半導体ウェーハ2の抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブ4a,4bと、前記複数個のプローブ4a,4bを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部12a,12bと、
前記測定ステージ1と前記回転駆動部8とを測定ステージの半径方向に移動させる測定ステージ駆動部13と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブ4a,4bのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部3と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部11と、
該制御情報に従って前記回転駆動部8と前記測定ステージ駆動部13と前記プローブ上下駆動部12a,12bを駆動し、前記半導体ウェーハ2の上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部10と、
抵抗率を測定する計測部5と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記半導体ウェーハ2の種類に対応して選択される前記複数個のプローブ上下駆動部12a,12bのうちの1つを動作させ、適切な4探針プローブ4a,4bを選択し、その選択されたプローブにより、前記半導体ウェーハ2の抵抗率を測定するように構成されている。
【0023】
なお、図11は4探針プローブ及びプローブ上下駆動部がそれぞれ2個の場合を示しているが、それぞれ3個以上の場合でもその基本的な構成・動作は同じである。
【0024】
図12はプローブ上下駆動部12の一例を示す図である。本発明では複数個の4探針プローブ4を取付けられるようになっており、それに伴い複数個の独立したブローブ上下駆動部12を備えている。図12は、そのうちの1個のプローブ上下駆動部12を示している。このプローブ上下駆動部12は、プローブ取付金具12−1と、プローブ取付金具12−1に取付けられたカムフォロワ12−2と、楕円形カム12−3と、楕円形カム12−3と連結されて楕円形カム12−3を回転させる電動モータ12−4により構成される。電動モータ12−4により駆動される楕円形カム12−3が回転することにより、カムフォロワ12−2が上下し、カムフォロワ12−2と連結したプローブ取付金具12−1及び4探針プローブ4が上下制御される。
本例では、カムフォロワ12−2とプローブ取付金具12−1を上下に移動させる手段として楕円形カム12−3を使用しているが、その代わりに、例えば、円形偏心カムを使用することができ、また、エアシリンダと直線カムの組合せを使用することができる。
【0025】
図13は測定ステージ駆動部の平面図である。
図13を用いて、測定ステージ駆動部13の動作を説明する。
測定ステージ駆動部13には、測定ステージ取付金具13−1を介して、回転駆動部8と測定ステージ1が取付けられる。
測定ステージ駆動部13は、電動モータ13−2,ボールネジ13−3,ガイドレール13−4,測定ステージ取付金具13−1により構成される。電動モータ13−2を駆動し、ボールネジ13−3を回転させることにより、測定ステージ取付金具13−1及びその測定ステージ取付金具13−1に取付けられた回転駆動部8と測定ステージ1とを水平に、この図13では左右に移動させる。
【0026】
回転駆動部8は図4の平面図に示したものと同様である。電動モータ8−1が回転すると、ベルト8−2を介して、プーリー8−3に回転動作が伝達され、プーリー8−3に固定された円盤状測定ステージ1を回転させる。
【0027】
図14に、円盤状測定ステージ1,測定ステージ駆動部13、プローブ上下駆動部12と4探針プローブ4と回転駆動部8の配置形式を示す。
【0028】
図15(a)(b)及び図16を参照して、本発明装置における円盤状測定ステージ1上に配置された半導体ウェーハ2の測定点に対する4探針プローブ4の位置決め方法を説明する。図15(a)は半導体ウェーハ2が円盤状測定ステージ1上に置かれた「位置決め前」の状態を示す。測定ステージ駆動部13により円盤状測定ステージ1が移動する方向L−L’を基準方向とする。通常、半導体ウェーハ2のノッチ又はオリエンテーションフラット1−1は、基準方向L−L’に一致して置かれる。円盤状測定ステージ1の回転中心をOとし、所望の測定点の位置をPとする。円盤状測定ステージ1の回転中心Oと測定点Pとの距離をRとし、線分OAが基準方向L−L’となす角をθとする。
【0029】
図15(b)は「位置決め後」の状態を示す。測定点の位置決めは、次の二つの動作により行う。
(1)円盤状測定ステージ1の回転中心Oを測定ステージ駆動部13により、4探針プローブ4よりRだけ離れた位置に移動させる。
(2)円盤状回転ステージ1を回転駆動部8により基準方向L−L’よりθだけ回転させる。この二つの動作により半導体ウェーハ2上の所望の測定点が4探針プローブ4の直下に移動する。
【0030】
なお、本発明においては、複数個の4探針プローブを有するから、円盤状測定ステージ1の回転中心Oを測定ステージ駆動部13により4探針プローブ4よりRだけ離れた位置に移動させるに当たっては、各4探針プローブ4の取付位置を勘案して移動量を制御することは当然である。
【0031】
ここで、図16により円盤状測定ステージ1の移動量の制御について説明する。
すなわち、4探針プローブ(I)を選択・使用する場合(a)、円盤状測定ステージ1の回転中心Oを測定ステージ駆動部13により4探針プローブ(I)4aよりRだけ離れた位置に移動させる。4探針プローブ(II)を選択・使用する場合(b)、円盤状測定ステージ1の回転中心Oを測定ステージ駆動部13により4探針プローブ(II)4bよりRだけ離れた位置に移動させる。上記の動作により、複数の4探針プローブのいずれを選択・使用する場合でも、半導体ウェーハ2上の所望の点を4探針プローブの直下に移動させることができる。
【0032】
図17は、図14の配置形式による構成例を示す側面図である。図11から図15までに示したものと同一構造部分には、対応する同一の参照符号を付して示している。
【0033】
【発明の効果】
以上の詳細な説明から理解されるように、現在FA(ファクトリ・オートメーション)化が各半導体製造工場で進んでおり、各半導体ウェーハに対する測定条件が人手を介さず上位コンピュータから直接測定器に与えられるケースが多くなっているが、このような場合、4探針プローブの選択交換を人手によらず、上位コンピュータの指令で自動的に行うことができる本発明の意義は飛躍的に高まる。
また、従来は、人手によるプローブ交換の煩雑さを避けて、ウェーハの種類ごとに複数台の測定器を設置する場合もあった。本発明によれば、複数台の測定器を設置することなく、1台で済むケースも考えられ、その経済的効果は、極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器の第1の構成系統例を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施例におけるプローブ上下駆動部の構造概要を示す側面図である。
【図3】本発明の第1の実施例におけるプローブ水平駆動部の構造概要を示す平面図である。
【図4】本発明装置の第1及び第2の実施例における回転駆動部の構造例を示す平面図である。
【図5】本発明装置の第1の実施例における4探針プローブ,プローブ上下駆動部,プローブ水平駆動部及び円盤状測定ステージの配置構成例を示す平面図である。
【図6】本発明装置の第1の実施例における4探針プローブ,プローブ上下駆動部,プローブ水平駆動部及び円盤状測定ステージの他の配置構成例を示す平面図である。
【図7】本発明装置の第1の実施例における円盤状測定ステージ上に配置された半導体ウェーハに対する4探針プローブの位置決め前と位置決め後の状態を説明するための平面略図(a)(b)である。
【図8】本発明装置の第1の実施例における円盤状測定ステージ上に配置された半導体ウェーハに対する4探針プローブの位置決めのための4探針プローブの移動量の制御を説明するための平面略図(a)(b)である。
【図9】図5の配置形式による構成例を示す側面図である。
【図10】本発明装置におけるプローブの指定機構を説明するためのブロック図である。
【図11】本発明による半導体ウェーハ抵抗率測定器の第2の構成系統例を示すブロック図である。
【図12】本発明の第2の実施例におけるプローブ上下駆動部の構造概要を示す斜視図である。
【図13】本発明の第2の実施例における測定ステージ駆動部の構造概要を示す平面図である。
【図14】本発明装置の第2の実施例における4探針プローブ,プローブ上下駆動部,測定ステージ駆動部及び円盤状測定ステージの配置構成例を示す平面図である。
【図15】本発明装置の第2の実施例における円盤状測定ステージ上に配置された半導体ウェーハに対する4探針プローブの位置決め前と位置決め後の状態を説明するための平面略図(a)(b)である。
【図16】本発明装置の第2の実施例における円盤状測定ステージ上に配置された半導体ウェーハに対する4探針プローブの位置決めのための4探針プローブの移動量の制御を説明するための平面略図(a)(b)である。
【図17】図14の配置形式による構成例を示す側面図である。
【図18】従来の半導体ウェーハ抵抗率測定器の構成系統を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 測定ステージ
2 半導体ウェーハ
3 操作部
4a I系統の4探針プローブ
4b II系統の4探針プローブ
5 計測部
6a I系統の4探針プローブ上下駆動部
6b II系統の4探針プローブ上下駆動部
6−1 プローブ取付金具
6−2 カムフォロワ
6−3 直線状カム
6−4 エアシリンダ
6−5 アーム
7 プローブ水平駆動部
7−1 プローブ上下駆動部取付金具
7−2 電動モータ
7−3 ボールネジ
7−4 ガイドレール
8 回転駆動部
8−1 電動モータ
8−2 ベルト
8−3 プーリー
9 電源部
10 制御部
11 表示部
12 プローブ上下駆動部
12−1 プローブ取付金具
12−2 カムフォロワ
12−3 楕円形カム
12−4 電動モータ
13 測定ステージ駆動部
13−1 測定ステージ取付金具
13−2 電動モータ
13−3 ボールネジ
13−4 ガイドレール
Claims (2)
- 被測定の半導体ウェーハを該半導体ウェーハに有するノッチが所定の基準方向に一致するように載置する円盤状測定ステージと、
該円盤状測定ステージを回転させる回転駆動部と、
該円盤状測定ステージ上に載置された半導体ウェーハの上面に接触して前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブと、
前記複数個のプローブを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部と、
該複数個のプローブ上下駆動部と複数個の4探針プローブとを前記円盤状測定ステージの半径方向に移動させるプローブ水平駆動部と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部と、
該制御情報に従って前記回転駆動部と前記プローブ水平駆動部と前記プローブ上下駆動部を駆動し、前記半導体ウェーハの上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部と、
抵抗率を測定するために前記複数個の4探針プローブに接続される計測部と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記複数個のプローブ上下駆動部と前記複数個の4探針プローブは、前記円盤状測定ステージの回転中心Oと所望の測定点の位置Pとの距離Rの移動量と前記複数個の4探針プローブの取り付け位置とにより決まる移動量とを水平移動し、
前記円盤状測定ステージは、線分OPが前記基準方向となす角θにより決まる移動量を回転移動し、
該水平移動と回転移動との移動によって位置決め制御される前記複数個の4探針プローブであり、
前記複数個の4探針プローブのうちから前記指定された1個の4探針プローブが、前記半導体ウェーハの該測定点に位置決めされるような制御動作が行われて前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するように構成されたことを特徴とする半導体ウェーハ抵抗率測定器。 - 被測定の半導体ウェーハを該半導体ウェーハに有するノッチが所定の基準方向に一致するように載置する円盤状測定ステージと、
該円盤状測定ステージを回転させる回転駆動部と、
該円盤状測定ステージ上に載置された半導体ウェーハの上面に接触して前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するための複数個の4探針プローブと、
前記複数個のプローブを互いに独立に上下方向に移動させる複数個のプローブ上下駆動部と、
前記円盤状測定ステージと前記回転駆動部とを該円盤状測定ステージの半径方向に移動させる測定ステージ駆動部と、
測定点の位置と前記複数個のプロ−ブのうちの選択すべき一つのプローブを指定する制御情報を入力する操作部と、
該測定点の位置と前記選択すべき一つのプローブを表示する表示部と、
該制御情報に従って前記回転駆動部と前記測定ステージ駆動部と前記プローブ上下駆動部を駆動し、前記半導体ウェーハの上面の指定された位置に前記プローブを接触させる制御部と、
抵抗率を測定するために前記複数個の4探針プローブに接続される計測部と
を備えた半導体ウェーハ抵抗率測定器であって、
前記円盤状測定ステージは、前記円盤状測定ステージの回転中心Oと所望の測定点の位置Pとの距離Rの移動量と前記複数個の4探針プローブの取り付け位置とにより決まる移動量とを水平移動し、線分OPが前記基準方向となす角θにより決まる移動量を回転移動し、
該水平移動と回転移動の移動によって位置決め制御される前記複数個の4探針プローブ であり、
前記複数個の4探針プローブのうちから前記指定された1個の4探針プローブが、前記半導体ウェーハの該測定点に位置決めされるような制御動作が行われて前記半導体ウェーハの抵抗率を測定するように構成されたことを特徴とする半導体ウェーハ抵抗率測定器。
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