JP3804115B2 - ガラス基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットディスプレイパネル、特にプラズマディスプレイパネル(PDP)用として有益なガラス基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
PDPは一般的に、基板ガラス上に金属電極、絶縁ペースト、リブペースト等を550〜600℃程度の最高温度で焼成した後、対向板と周囲をフリットシールすることにより製造される。従来、このための基板ガラスとして建築用または自動車用として広く用いられるソーダ石灰ガラスが一般的に用いられてきた。
【0003】
しかし、ソーダ石灰ガラスのガラス転移点Tg は530〜560℃であるため、上記の最高温度で熱処理を受けると基板ガラスが変形または収縮し、寸法が著しく変化するため、対向板との電極位置合わせを精度良く実現するのが難しいという課題があった。
【0004】
特に、生産性の高いベルト炉のような連続式の焼成炉を使用して製造する場合、焼成中にガラス板の先端と後端で温度差がつき、ガラス板が前後に非対称な寸法変化を起こす問題があった。このような問題は、パネルの大きさが例えば40インチのような大型なものになるとより顕著になり、耐熱性のより高い基板ガラスが必要となる。
【0005】
このガラス基板の熱変形または熱収縮の問題を解決するため、熱膨張係数がソーダ石灰ガラスと近く、Tg 、歪点Ts が高いガラスが知られている(特開平3−40933、特開平7−257937)。このようなガラスを用いると、連続式の焼成炉でPDP製造の熱処理を行っても、ソーダ石灰ガラスで問題となるような前後に非対称な寸法変化を起こしにくく、高精度でパネルを焼成できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年のPDPの大型化により、製造工程でのハンドリングがますます困難になっている。特に、大型基板は自重により大きな曲げ応力を受けることが多いため、わずかな傷の存在が、製造工程での割れにつながる。また、すでに提案されている組成は、いずれも比重が2.6以上であり、部材の軽量化が困難であるという問題もある。
さらに、基板の大型化にともない、さらに高Ts 、高Tg のガラスが求められている。
【0007】
一方、比重が小さく、かつTg が610℃以上であるガラスも知られている(米国特許第3524737号明細書)。しかし、このガラスはNaイオンを多量に含有するため、電気抵抗が低く、PDP用基板ガラスに転用すると、電極にNaイオンがマイグレートして、ガラス基板上に形成されたPDPの電極を劣化させ、PDPの寿命を低下させる欠点がある。
【0008】
本発明の目的は、上記欠点を解決し、ソーダ石灰ガラスと同様の熱膨張係数を有し、大型PDPの製造に適するように高いTg を有し、割れにくく、かつ高い電気抵抗を示すガラス基板を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、重量表示で実質的に、
SiO2 56〜65%、
Al2 O3 14〜18%、
B2 O3 0〜 3%、
MgO 0.5〜 5%、
CaO 0〜 9%、
SrO 0〜 4%、
BaO 0〜 3%、
Na2 O 0〜 7%、
K2 O 10〜20%、
ZrO2 0〜 2%、
からなり、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合量が15%以下であり、Na2 OおよびK2 Oの合量が15〜20%であり、SiO2 の含有率とAl2 O3 の含有率との差が50%未満であって、比重が2.6未満であって、脆さ指標値が7400m -1/2 以下であって、50〜350℃の平均熱膨張係数が75×10 -7 /℃以上であることを特徴とするガラス基板である。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明における組成について以下に説明する。
SiO2 : ガラスの骨格を形成する成分で、56重量%(以下単に%と記載する)未満では、ガラスの耐熱性が悪くなる。好ましくは58%以上、特に好ましくは60%以上である。他方、65%超では熱膨張率が低下しすぎるおそれがある。また、原料中のケイ砂の割合が増えて、熔融に時間がかかるようになる。したがって短時間に熔融を行おうとすると、ケイ砂の溶け残りが生じるおそれがある。この観点で好ましくは63%以下である。
【0011】
Al2 O3 :Tg を上げ、耐熱性を向上させる効果がある。しかし10%未満ではこの効果があらわれない。より充分な効果を得るためには14%以上が好ましく、特に好ましくは15%以上である。他方、18%超ではガラスの熱膨張率が小さくなりすぎるおそれがある。また、熔解粘性が高くなり高温でないと熔融できなくなる。この観点で好ましくは17%以下である。
【0012】
本発明では、SiO2 の含有率とAl2 O3 の含有率との差を50%未満にする。すなわち、SiO2 の含有量を抑えるとともに、やや多めのAl2 O3 を含有する。このようにして、充分にTg が高いガラス基板が得られる一方で、熔融時のケイ砂の溶け残りも防止できる。
【0013】
B2 O3 : 必須成分ではないが、1%以上含有することにより、ガラスの熔解温度での粘性を下げ、熔解を促進し、かつガラスの電気抵抗を上げる作用があるため含有することができる。しかし、3%超ではガラスの熱膨張係数が小さくなりすぎるか、または耐熱性が悪くなるおそれがある。
【0014】
MgO:ガラスの熔解時の粘性を下げ、熔解を促進する作用があるので0.5%以上含有される。2%以上含有することが好ましい。しかし、5%超ではガラスの熱膨張率が大きくなりすぎる傾向がある。この観点で4%以下であることが好ましい。
【0015】
CaO:必須成分ではないが、ガラスの熔解温度での粘性を下げ、熔解を促進する効果があるので含有することができる。1%以上含有することが好ましい。しかし、9%超ではガラスの脆さが増大し、かつガラスの比重が大きくなるおそれがある。また、失透温度が上がり、フロート法による成形温度(例えば、104 ポイズの粘性を有する温度)を超えやすくなるので、フロート法による成形が困難になるおそれがある。この観点で、6%以下であることが好ましく、5%以下が特に好ましい。
【0016】
SrO:必須成分ではないが、ガラスの熔解時の粘性を下げ、熔解を促進する作用があるので含有することができる。しかし、4%超ではガラスの熱膨張率が大きくなりすぎ、また、ガラスの脆さが増大する。したがって、含有量は2%以下であることが好ましい。
【0017】
BaO:必須成分ではないが、ガラスの熔解時の粘性を下げ、熔解を促進する効果があるので含有することができる。しかし、3%超ではガラスの脆さが増大する。したがって、1%以下が好ましい。
【0018】
また、MgO、CaO、SrOおよびBaOは合量で16%以下とする。16%超では、ガラスの脆さが増大するおそれがある。13%以下が好ましい。特に15%以下である。
【0019】
Na2 O:必須成分ではないが、ガラスの熔解時の粘性を下げ、熔解を促進する作用が大きいので含有することができる。3%以上、特には4%以上含有することが好ましい。しかし、7%超ではガラスの化学的耐久性が劣化し、また電気抵抗が小さくなる傾向がある。したがって、6%以下が好ましい。
【0020】
K2 O:ガラスの熔解時の粘性を下げ、熔解を促進する作用があり、かつNa2 Oほどは、化学的耐久性の劣化や電気抵抗の低下を生じない成分であるので、9%以上含有される。好ましくは10%以上、特に好ましくは11%以上である。しかし、20%超ではガラスの化学的耐久性が劣化し、また、電気抵抗が小さくなる。したがって、18%以下が好ましい。
【0021】
また、熔解促進の観点から、Na2 OおよびK2 Oの合量は14〜22%とされる。14%未満では熔解が困難になるおそれがあり、22%超では化学的耐久性の劣化や電気抵抗の低下を生じるおそれがある。特に15〜20%である。
【0022】
ZrO2 :Tg を上げるために、必須ではないが、含有させることができる。しかし、3%超ではガラスの脆さの増大をもたらすおそれがある。この観点では、ZrO2 は2%以下、特には0.5%未満とすることが好ましい。
【0023】
以上の成分の他、本発明の効果を損しない範囲で、SO3 、As2 O3 、Sb2 O3 等の清澄剤、Fe2 O3 、NiO、CoO、TiO2 、Se、CeO2 等の着色剤、SnO2 、La2 O3 等の化学的耐久性を向上する成分を適宜使用できる。また、CaO、MgO、SrO、BaOと同様の効果を得るために、ZnOを2%以下添加できる。さらに、Na2 O、K2 Oと同様の効果を得るために、Li2 Oを1%以下添加できる。ただし過度のLi2 O添加はTg の低下をもたらすおそれがある。
【0024】
また、本発明のガラス基板は、比重が2.6未満である。好ましくは2.55以下、より好ましくは2.5以下である。
【0025】
さらに、本発明のガラス基板は50〜350℃の平均熱膨張係数が75×10-7/℃以上であることが好ましい。ソーダ石灰ガラスとの代替を考慮すると、より好ましい50〜350℃の平均熱膨張係数は80×10-7〜100×10-7/℃であり、特に好ましくは80×10-7〜95×10-7/℃、最も好ましくは80×10-7〜90×10-7/℃である。
【0026】
また、本発明のガラス基板は、Tg が610℃以上であることが好ましい。より歪みの少ないディスプレイを製造しやすくするという観点では、Tg が630℃以上であることがより好ましい。
【0027】
また、本発明のガラス基板は、100℃における電気抵抗が1010Ω・cm以上であることが好ましい。表示電極の劣化をより防止する観点では、100℃における電気抵抗が1012Ω・cm以上であることがより好ましい。
【0028】
特に、本発明にかかるガラスは脆さ指標値が7400m-1/2以下であることが好ましく、より好ましくは7300m-1/2以下である。
【0029】
なお、本発明において、ガラスの脆さ指標値としてはローンらによって提案された脆さ指標値Bを使用する(B.R.Lawn and D.B.Marshall,J.Am.Ceram.Soc.,62[7-8]347-350(1979))。ここで、脆さ指標値Bは材料のビッカース硬さHV と破壊靭性値KC から式(1)により定義される。
【0030】
【数1】
【0031】
本発明のガラスはPDP用基板として好適である。その分光透過率は425〜475nm、510〜560nm、600〜650nmの範囲でそれぞれ85%以上となっていることが好ましい。これらの波長範囲での発光が効率的に表示に利用できるからである。
【0032】
本発明のガラスは、例えば次のような方法で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標組成になるように調合し、これを熔解炉に連続的に投入し、1500〜1650℃に加熱して熔融する。この熔融ガラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切断する。
【0033】
本発明のガラス基板は、基本的に、フロート法による成形に適する。すなわち、失透温度がフロート法における成形温度(本発明においては、粘性が104 ポイズとなる温度)以下であるので、フロート法による成形時に失透などの不具合を生じることがない。
【0034】
【実施例】
各成分の原料を目標組成になるように調合し、白金坩堝を用いて、1550〜1650℃の温度で4時間加熱し熔解した。熔解にあたっては、白金スターラを挿入し2時間撹拌しガラスの均質化を行った。次いで熔解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。
【0035】
こうして得られたガラスの比重、50〜350℃での平均熱膨張係数α、ガラス転移点Tg 、100℃における電気抵抗ρv (単位:Ω・cm)の対数logρv 、脆さ指標値Bを下記の方法で測定し、表1、表2、表3にガラス組成とともに示した。また、一部のものについては、歪点Ts 、熔解性を示す指標である粘性が102 ポイズとなる温度T(logη=2) 、フロート成形性を示す指標である粘性が104 ポイズとなる温度T(logη=4) および失透温度Tliq を併せて示した。
【0036】
このうち、例10〜例16は比較例であり、例10はソーダ石灰ガラスの例、例11は特開平3−40933記載の組成物の例、例12〜例15は特開平7−257937記載の組成物の例、例16は米国特許第3524737号明細書記載の組成物の例である。以下に各特性の測定方法について述べる。
【0037】
比重:アルキメデス法による。
α(単位:×10-7/℃):示差熱膨張計を用い、石英ガラスを参照試料として毎分5℃で昇温しながら、室温〜屈伏点までの膨張曲線を測定し、50〜350℃の平均熱膨張係数を読み取り、記録した。
Tg (単位:℃):αの測定時の膨張曲線の最初の屈曲点の前後で、接線を引き、その交点に相当する温度をTg として記録した。
【0038】
logρv (単位:Ω・cmの常用対数):約2mmに研磨したガラス板の両面に40mmφのアルミニウム電極を真空蒸着により形成し、100〜200Vの直流電圧を印加した際の電流値から体積抵抗率を算出した(ASTM D257に準拠)。例11〜例15については測定していない。
【0039】
脆さ指標値B(単位:m-1/2):脆さの指標をガラスに適用する際の大きな問題は破壊靭性値Kc が正確に評価しにくいことである。本出願人は、いくつかの手法を検討した結果、ビッカース圧子を押し込んだときにガラス表面に残る圧子の痕の大きさと痕の四隅から発生するクラックの長さとの関係から脆さを定量的に評価できることを見いだしている。
【0040】
その関係は式(2)により定義される。ここで、Pはビッカース圧子の押し込み荷重であり、a、cはそれぞれ、ビッカース圧痕の対角長および四隅から発生するクラックの長さ(圧子の痕を含む対称な2つのクラックの全長)である。各種ガラスの表面に打ち込んだビッカース圧痕の寸法と式(2)を用いて、脆さ指標値を評価する。
【0041】
【数2】
【0042】
表1、表2より明らかなように、本発明によるガラスは、脆さ指標値が7400m-1/2以下であり、製造工程などにおける割れのおそれが少ない。また、100℃における電気抵抗は1010Ω・cm以上であり、電極の寿命を低下させるなどの問題がない。
【0043】
50〜350℃の平均熱膨張係数αは、80×10-7〜95×10-7/℃-1の範囲にあり、従来のソーダ石灰ガラスのそれとほぼ同等である。ガラス転移点Tg はいずれも610℃以上であり、大型PDPの製造においてガラスが変形して収縮したりする等の問題がない。比重は2.6未満であり、フラットパネル用基板として用いた場合の軽量化が容易である。
【0044】
一方、例10はTg が550℃であるため、PDP製造工程でのガラスの変形や収縮が問題となるおそれがある。例11〜15はガラスの脆さ指標値がいずれも7400m-1/2より大きく、製造工程などで、割れやすい。例16は100℃における電気抵抗が108.5 Ω・cmであり、PDPの電極を劣化させるおそれがある。
【0045】
【表1】
【0046】
【表2】
【0047】
【表3】
【0048】
【発明の効果】
本発明によるガラスは、割れにくく、比重が小さく、耐熱性が高く、かつソーダ石灰ガラスと同等の熱膨張係数を有するので、PDP用基板等、かかる特性を要求する用途に好適である。また、本発明のガラスは、フロート法による生産にも適する。
Claims (3)
- 重量表示で実質的に、
SiO2 56〜65%、
Al2 O3 14〜18%、
B2 O3 0〜 3%、
MgO 0.5〜 5%、
CaO 0〜 9%、
SrO 0〜 4%、
BaO 0〜 3%、
Na2 O 0〜 7%、
K2 O 10〜20%、
ZrO2 0〜 2%、
からなり、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合量が15%以下であり、Na2 OおよびK2 Oの合量が15〜20%であり、SiO2 の含有率とAl2 O3 の含有率との差が50%未満であって、比重が2.6未満であって、脆さ指標値が7400m -1/2 以下であって、50〜350℃の平均熱膨張係数が75×10 -7 /℃以上であることを特徴とするガラス基板。 - ガラス転移点Tg が610℃以上である請求項1のガラス基板。
- 100℃における電気抵抗が1010Ω・cm以上である請求項1または2のガラス基板。
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