JP3800068B2 - ガス濃度センサのヒータ制御装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス濃度センサのヒータ制御装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば自動車用エンジンにおいては、一般にA/Fセンサ等のガス濃度センサによる検出結果に基づき空燃比制御が実施される。ガス濃度センサはジルコニア製の固体電解質体を用いたセンサ素子を有し、このセンサ素子により空燃比(酸素濃度)を精度良く検出するにはセンサ素子の温度を所定の活性温度に維持する必要がある。通常は同センサにヒータを内蔵しヒータの通電量(デューティ比)を制御している。こうしたヒータ制御の手法として、例えばヒータへの供給電力を制御したり、センサ素子の温度を所定の活性温度にフィードバック制御したりするものが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来既存の技術では、例えばエンジンの低温始動時にセンサ素子を冷間状態から昇温させる際において、いち早く昇温させることが望まれるものの、その反面、センサ素子を急速に昇温させると、素子割れ、ヒータ割れ、素子とヒータとの接合面の剥離などの不具合を生じるおそれがあった。
【0004】
本発明は、上記問題に着目してなされたものであって、その目的とするところは、センサの昇温特性を良好に維持し、且つ素子割れなどの不具合を抑制することができるガス濃度センサのヒータ制御装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明では、昇温時ヒータ制御手段は、センサ素子を活性温度に昇温する昇温時において、所定デューティ比で設定した制御ベース値によりヒータ通電を制御する。この場合特に、前記制御ベース値でヒータ通電を制御する場合の通電時間に対するヒータ電力の変化を電力プロフィールとして予め規定しておき、この電力プロフィールを用いてヒータ通電を制御する。
【0006】
要するに、センサ素子の昇温時には早期活性化を図るべく所定デューティ比(例えば100%)でヒータ通電が行われる。この場合、比較的低温の状態からヒータに多大な電力が供給されると、素子割れ等の不具合が発生することが懸念される。これに対して本発明では、予め規定した電力プロフィールに従いヒータへの供給電力が制御されるので、必要量を超えて電力が過剰供給されることはなく、電力の過剰供給に起因する素子割れ等の不具合が防止できる。これにより、センサの昇温特性を良好に維持し、且つ素子割れなどの不具合を抑制するという優れた効果が得られる。
【0007】
特に、センサ素子の固体電解質体にヒータを積層して配置し、固体電解質体とヒータとを一体化してなる積層型構造のガス濃度センサの場合(請求項16の場合)、固体電解質体とヒータとが近接して設けられるため、素子割れやヒータ割れなどの問題が生じやすいが、本発明によれば上記の問題が確実に抑制できる。
【0008】
前記昇温時ヒータ制御手段としてより具体的には、以下の請求項2〜請求項6に記載したようにヒータ通電を制御すると良く、これらの何れにおいても電力の過剰供給が抑制できる。つまり、
・請求項2の発明では、前記制御ベース値に対し、電力プロフィール上に設定される目標電力とその都度算出されるヒータ電力との関係(例えば、目標電力と算出電力との比)に応じた補正を行い、その補正後のデューティ比によりヒータ通電を制御する。
・請求項3の発明では、前記電力プロフィール上に目標電力を設定し、該目標電力とその都度算出されるヒータ電力との偏差に応じてヒータ通電をフィードバック制御する。
・請求項4の発明では、前記電力プロフィールをマップ化したデータを用い、制御開始からの経過時間又は積算電力に基づいてヒータ通電を制御する。
・請求項5の発明では、前記電力プロフィールにより目標電力を設定し、制御開始からの経過時間と積算電力との関係、又は目標電力とヒータ電力との関係が規定の関係からずれた場合にそのズレ分に応じて目標電力を修正する。
・請求項6の発明では、前記電力プロフィールで規定される電力値以下となるようヒータ通電量を制限する。
【0009】
また実際には、請求項7に記載したように、デューティ比100%を制御ベース値として全通電制御を実施する場合に、デューティ比100%の条件下で規定した電力プロフィールを用いてヒータ通電量を制御すると良い。これにより、素子割れ等の不具合を招くことなく、全通電制御が好適に実施できる。
【0010】
請求項8に記載の発明では、前記電力プロフィールは、前記ヒータへの印加電圧を所定の基準電圧固定とした条件下で設定したものであるとしている。この場合、電力プロフィールの設定条件としてヒータ印加電圧の条件を加えることで、より信頼性の高いヒータ通電制御が実現できる。また更に、前記基準電圧が通常の使用電圧よりも低い電圧とすることを要件にすれば、ヒータ印加電圧が低くなる分、素子割れ発生までの時間が長くなり、素子割れに対して余裕を持ったヒータ通電制御が実現できる。
【0011】
また、請求項9に記載の発明では、前記ヒータへの印加電圧を所定の基準電圧固定とした条件下で電力プロフィールを規定し、前記昇温時ヒータ制御手段は、前記制御ベース値に対し、前記基準電圧とその都度検出されるヒータ電圧との関係に応じた補正を行い、その補正後のデューティ比によりヒータ通電を制御する。これにより、仮にヒータ電圧が基準電圧からずれたとしても、電力プロフィールを超えて電力が過剰供給されるといった不都合が抑制できる。特に、請求項10に記載したように、前記制御ベース値に対し、前記基準電圧とその都度検出されるヒータ電圧との比に応じた補正を行うと良い。
【0012】
上述の各発明では、電力プロフィールを用いてヒータ通電制御を実施する旨説明したが、電力プロフィールに代えて、電流プロフィールを用いてヒータ通電制御を実施することも可能である。つまり、請求項11に記載の発明では、前記制御ベース値でのヒータ電流の変化を「電流プロフィール」として予め規定し、前記昇温時ヒータ制御手段は、電力プロフィールに代えて、電流プロフィールを用いてヒータ通電を制御する。この場合にも既述の通り、必要量を超えて電力が過剰供給されることはなく、電力の過剰供給に起因する素子割れ等の不具合が防止できる。これにより、センサの昇温特性を良好に維持し、且つ素子割れなどの不具合を抑制するという優れた効果が得られる。
【0013】
ガス濃度センサが車載エンジンの排ガス成分を検出するセンサであり、センサ内蔵のヒータに車載バッテリが接続される場合、車載バッテリの電圧が変動すると、ヒータへの供給電力が前記電力プロフィールから外れてしまうことが考えられる。この場合、請求項12に記載したように、車載バッテリの電圧変動に応じたガード値により制御デューティ比を制限すれば、バッテリ電圧の変動時に電力プロフィールを超えて電力が過剰供給されるといった不都合が抑制できる。
【0014】
請求項13に記載の発明では、前記昇温時ヒータ制御手段による昇温時ヒータ制御の開始当初において、ヒータの初期抵抗値を算出し、その初期抵抗値に応じて昇温時ヒータ制御を継続するための昇温制御時間を設定する。つまり、例えばガス濃度センサが極低温状態にあり、ヒータ抵抗が小さい場合には、素子割れ発生の可能性が高いため昇温制御時間を短くする。こうした制御により、素子割れ等、不具合の発生がより一層確実に抑制できる。
【0015】
また、請求項14に記載の発明では、前記昇温時ヒータ制御手段による昇温時ヒータ制御の開始当初において、前記ヒータへの印加電圧が基準電圧よりも低いほど、昇温時ヒータ制御を継続するための昇温制御時間を長くする。これにより、ヒータ電圧が低い場合にも良好なるセンサ昇温特性が得られるようになる。
【0016】
請求項15に記載の発明では、前記ガス濃度センサの始動後であり且つ、センサ素子又はヒータの抵抗値に応じてヒータ通電量を制御する前の少なくとも一定の期間において、前記昇温時ヒータ制御手段によるヒータ通電を実施する。これにより、センサ始動直後においてセンサの早期活性化の効果と素子割れ防止の効果とが両立できるようになる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を空燃比検出装置として具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。本実施の形態における空燃比検出装置は、自動車に搭載されるガソリンエンジンに適用されるものであって、空燃比制御システムにおいては空燃比検出装置による検出結果を基にエンジンへの燃料噴射量を所望の空燃比にて制御する。また、空燃比制御装置においては、限界電流式空燃比センサ(A/Fセンサ)の検出結果を用い排ガス中の酸素濃度から空燃比を検出することとしており、該A/Fセンサを活性状態に保つべく、素子インピーダンスを検出すると共にセンサ内蔵のヒータを通電制御する。以下、詳細に説明する。
【0018】
図1は、本実施の形態における空燃比検出装置の概要を示す全体構成図である。図1において、空燃比検出装置15は、その内部演算の中枢をなすマイクロコンピュータ(以下、マイコン20という)を備え、マイコン20は燃料噴射制御や点火制御等を実現するためのエンジン制御ECU16に対して相互に通信可能に接続されている。A/Fセンサ30は、エンジン10のエンジン本体11から延びる排気管12に取り付けられており、マイコン20から指令される電圧の印加に伴い、排ガス中の酸素濃度に比例したリニアな空燃比検出信号(センサ電流信号)を出力する。
【0019】
マイコン20は、各種の演算処理を実行するための周知のCPU,ROM,RAM等により構成され、所定の制御プログラムに従い後述するバイアス制御回路24やヒータ制御回路26を制御する。マイコン20は、バッテリ電源+Bの給電を受けて動作する。
【0020】
次に、A/Fセンサ30の全体構成を図2を用いて説明する。図2に示すように、A/Fセンサ30は、排気管壁に螺着される筒状の金属製ハウジング31を有し、そのハウジング31の下側開口部には、有底二重構造をなす素子カバー32が取り付けられている。素子カバー32内には、長板状のセンサ素子50の先端(図の下端)が配設されている。素子カバー32は、排ガスをカバー内部に取り込むための複数の排ガス口32aを有しており、ここから排ガスが導入されて素子カバー32内部が排ガス雰囲気となる。
【0021】
絶縁部材33には積層型のセンサ素子50が挿通されており、絶縁部材33とセンサ素子50との間はガラス封止材41にて封止固定されている。また、絶縁部材33の上方には別の絶縁部材34が設けられ、その絶縁部材34内部においてセンサ素子50と4本のリード線35とが接続されている。すなわち、センサ素子50はヒータ内蔵素子であり、該センサ素子50に対してセンサ出力取出し用の2本のリード線及びヒータ通電用の2本のリード線、合計4本のリード線35が接続されている。リード線35は、コネクタ部36を介して外部信号線37に接続されている。
【0022】
ハウジング31の上端には本体カバー38が溶接されている。また、本体カバー38の上方にはダストカバー39が取り付けられ、これら本体カバー38及びダストカバー39の二重構造によりセンサ上部が保護される。なお、本体カバー38及びダストカバー39の間には撥水フィルタ40が設けられている。また、各カバー38,39には、カバー内部に大気を取り込むための複数の大気口38a,39aが設けられている。
【0023】
次に、センサ素子50の要部構成を図3を用いて説明する。センサ素子50において、部分安定化ジルコニアよりなる酸素イオン導電性の固体電解質体51は長方形板状をなしており、その一方の面には排ガス側電極52が設けられ、他方の面には基準ガス室65と対面する基準ガス側電極53が設けられている。固体電解質体51には、気孔率10%程度のアルミナセラミックよりなる多孔質拡散抵抗層54と、緻密でガスシール性のアルミナセラミックよりなるガス遮蔽層55とが積層されている。
【0024】
また、固体電解質体51には、電気絶縁性を有し且つ緻密でガスを透過させないアルミナセラミックよりなるスペーサ64が積層されており、スペーサ64には、基準ガス室65として機能する溝部64aが設けられている。また、スペーサ64にはヒータ基板66が積層され、そのヒータ基板66に、通電により発熱するヒータ(発熱体)67が設けられている。
【0025】
前記図1の説明に戻る。図1において、A/Fセンサ30(センサ素子50)に電圧を印加するためのバイアス指令信号Vrはマイコン20からD/A変換器21に入力され、同D/A変換器21にてアナログ信号Vbに変換された後、LPF(ローパスフィルタ)22に入力される。そして、LPF22にてアナログ信号Vbの高周波成分が除去された出力電圧Vcはバイアス制御回路24に入力される。バイアス制御回路24では、A/F検出時には所定の印加電圧特性に基づきその時々のA/F値に対応した電圧がA/Fセンサ30に印加され、素子インピーダンス検出時には所定周波数信号よりなる単発的で且つ所定の時定数を持った電圧がA/Fセンサ30に印加されるようになっている。
【0026】
バイアス制御回路24内の電流検出回路25は、A/Fセンサ30への電圧印加時にそれに伴って流れる電流値を検出する。電流検出回路25にて検出された電流値のアナログ信号は、A/D変換器23を介してマイコン20に入力される。センサ素子50に設けられたヒータ67は、ヒータ制御回路26によりその動作が制御される。つまり、ヒータ制御回路26は、A/Fセンサ30の素子インピーダンスに応じてヒータ67への通電をデューティ制御する。
【0027】
図4は、ヒータ制御回路26の構成を示す回路図である。図4において、ヒータ67の一端はバッテリ電源+Bに接続され、他端はトランジスタ26aのコレクタに接続されている。同トランジスタ26aのエミッタはヒータ電流検出用抵抗26bを介して接地されている。ヒータ電圧Vhはヒータ67の両端電位差により検出され、その検出結果はオペアンプ26c並びにA/D変換器27を介してマイコン20に入力される。また、ヒータ電流Ihはヒータ電流検出用抵抗26bの両端電位差により検出され、その検出結果はオペアンプ26d並びにA/D変換器28を介してマイコン20に入力される。
【0028】
次に、上記の如く構成される空燃比検出装置15の作用を説明する。
図5は、マイコン20により実施されるメインルーチンの概要を示すフローチャートであり、同ルーチンはマイコン20への電源投入に伴い起動される。
【0029】
図5において、先ずステップ100では、前回のA/F検出時から所定時間Taが経過したか否かを判別する。所定時間Taは、A/F値の検出周期に相当する時間であって、例えばTa=4msec程度に設定される。そして、ステップ100がYESであることを条件にステップ110に進み、A/F値の検出処理を実施する。すなわち、その時々のセンサ電流に応じた印加電圧を設定すると共に、その電圧をA/Fセンサ30のセンサ素子50に印加し、その時のセンサ電流を電流検出回路25により検出する。そして、該検出したセンサ電流をA/F値に変換する。
【0030】
A/F値の検出後、ステップ120では、前回の素子インピーダンス検出時から所定時間Tbが経過したか否かを判別する。所定時間Tbは、素子インピーダンスZACの検出周期に相当する時間であって、例えばエンジン運転状態に応じて128msec、2sec等の時間が選択的に設定される。そして、ステップ120がYESであることを条件に、ステップ130で素子インピーダンスZACを検出すると共に、続くステップ140でヒータ通電制御を実施する。素子インピーダンスZACの検出処理、ヒータ通電制御については後で詳しく説明する。
【0031】
次に、前記図5のステップ130における素子インピーダンスZACの検出手順を図6を用いて説明する。なお本実施の形態では、素子インピーダンスZACの検出に際し、掃引法を用いていわゆる「交流インピーダンス」を求めることとしている。
【0032】
図6において、先ずステップ131では、バイアス指令信号Vrを操作し、それまでのA/F検出用の印加電圧に対して電圧を正側に数10〜100μsec程度の時間で単発的に変化させる。その後、ステップ132では、その時の電圧変化量ΔVと電流検出回路25により検出されたセンサ電流の変化量ΔIとを読み取る。また、続くステップ133では、前記ΔV値及びΔI値から素子インピーダンスZACを算出し(ZAC=ΔV/ΔI)、その後元の図5のルーチンに戻る。
【0033】
上記の処理によれば、前記図1のLPF22並びにバイアス制御回路24を介し、所定の時定数を持たせた電圧が単発的にA/Fセンサ30に印加される。その結果、図8に示すように、当該電圧の印加からt時間経過後にピーク電流ΔI(電流変化量)が検出され、その時の電圧変化量ΔVとピーク電流ΔIとから素子インピーダンスZACが検出される(ZAC=ΔV/ΔI)。かかる場合、LPF22を介して単発的な電圧をA/Fセンサ30に印加することにより、過度なピーク電流の発生が抑制され、信頼性の高い素子インピーダンスZACが検出できる。上記の如く求められる素子インピーダンスZACは、素子温に対して図9に示す関係を有する。すなわち、素子温が低いほど、素子インピーダンスZACは飛躍的に大きくなる。
【0034】
ところで、本実施の形態では、センサ素子50の昇温特性を改善し、且つセンサ素子50の割れを防止すべく、予め規定された電力プロフィールに沿ってヒータ通電を制御することを要旨としており、その通電制御の概要をここで説明する。
【0035】
つまり、ヒータ67に印加される電圧を所定の基準電圧(例えば13V固定)とし、所定のデューティ比で設定した制御ベース値によりヒータ通電を制御する場合を考える。図10は、(a)ヒータ電力、(b)ヒータ電流、(c)ヒータ抵抗の変化を各々示すタイムチャートである。図10において、通電時間の経過に伴いヒータ温度が例えば常温付近から上昇し、それと共にヒータ抵抗が上昇する。そのため、ヒータ電流が次第に減少すると共に、ヒータ電力が減少する。
【0036】
ここで、「P1」は、デューティ比100%とした時の電力プロフィールであり、デューティ比100%でヒータ通電制御を実施する場合(全通電制御を実施する場合)には、この電力プロフィールP1に沿ってヒータ67への供給電力が制御される。これにより、ヒータ67に対して電力が過剰供給されることはなく、電力の過剰供給に起因する素子割れ等の不具合が防止できるようになっている。なお、「P2」は、デューティ比80%とした時の電力プロフィールであり、デューティ比80%でヒータ通電制御を実施する場合には、この電力プロフィールP2に沿ってヒータ67への供給電力が制御されるようになっている。
【0037】
次に、前記図5のステップ140におけるヒータ通電の制御手順を図7を用いて説明する。
図7において、先ずステップ141では、昇温時ヒータ制御の実施条件を判定し、昇温時ヒータ制御(ステップ142以降)を実施するか、或いは素子インピーダンスのF/B制御(ステップ146以降)を実施するかを判別する。ここで、昇温時ヒータ制御の実施条件としては、
・素子インピーダンスZACが所定の判定値(例えば、50Ω)以上であること、
・後述する昇温制御時間Tzに達していないこと、
などがある。例えば、エンジン始動直後であり未だ暖機途中である場合には、素子インピーダンスZACが大きく、昇温時ヒータ制御を行う旨が判別される(ステップ141がYES)。
【0038】
ステップ141がYESの場合、ステップ142以降の処理において昇温時ヒータ制御を実施する。この昇温時ヒータ制御では基本的に、制御ベース値=デューティ比100%の全通電制御が実施され、その際、前記図10(a)の電力プロフィールP1に沿ってヒータ電力が推移するよう、デューティ比Dutyが適宜補正される。
【0039】
以下詳述すれば、ステップ142では、昇温時ヒータ制御の初回時であるか否かを判別し、初回であればステップ143に進む。ステップ143では、ヒータ制御回路26にて計測されるヒータ電圧Vhとヒータ電流Ihとを読み込み、初期ヒータ抵抗Rhiを算出する(Rhi=Vh/Ih)。また、続くステップ144では、例えば図11(a)の関係を用い、昇温時ヒータ制御を継続するための昇温制御時間Tzを算出する。図11(a)によれば、初期ヒータ抵抗Rhiが小さいほど、すなわちヒータ67(センサ素子50)が低温であるほど短い昇温制御時間Tzが設定され、初期ヒータ抵抗Rhiが大きいほど、すなわちヒータ67(センサ素子50)が高温であるほど長い昇温制御時間Tzが設定される。
【0040】
図11(a)に代えて、図11(b),(c)の関係を用いて昇温制御時間Tzを設定しても良い。図11(b)の関係を用いる場合、初期ヒータ抵抗Rhiに代えて、ヒータ電圧Vhとヒータ電流Ihとからヒータ67の初期電力が算出される。そして、初期電力に応じて昇温制御時間Tzが設定される。また、図11(c)の関係を用いる場合、ヒータ電圧Vhに応じて昇温制御時間Tzが設定される。なお、上記図11(a)〜(c)により昇温制御時間Tzを設定する際、図7に示すように初回時のみ昇温制御時間Tzを設定しても良いし、初回時だけでなく複数回にわたって繰り返し昇温制御時間Tzを設定をしても良い。また、図11(c)の横軸はバッテリ電圧であっても良い。
【0041】
また、ステップ145では、ヒータ通電のための制御デューティ比Duty(昇温時Duty)を算出する。このとき、制御ベース値であるデューティ比100%に対し、電力プロフィールP1上に設定される目標電力とその都度算出されるヒータ電力(=ヒータ電圧Vh×ヒータ電流Ih)との比に応じた補正を行い、昇温時Dutyを算出する。より具体的には、図12(a)の関係を用い、目標電力に対するヒータ電力の変動分に応じてDuty補正値を設定する。そして、「100%×Duty補正値」により昇温時Dutyを決定する。この場合、目標電力に対してヒータ電力が大きくなるほど、デューティ比が減少側に補正される。昇温時Dutyの算出後、元の図5の処理に戻る。そして、ヒータ制御回路26は、上記の昇温時Dutyによりヒータ67の通電を制御する。
【0042】
上記ステップ145によれば、その都度算出されるヒータ電力が目標電力から変動した場合、その変動分に応じてデューティ比100%が補正される。これにより、ヒータ67への供給電力が常に電力プロフィールP1に沿って制御されるようになる。
【0043】
なお、上記ステップ145では、
昇温時Duty=目標電力/ヒータ電力(算出値)×100%
として、昇温時Dutyを算出しても良い。この場合にも電力プロフィールP1上の目標電力に対するヒータ電力の変動分が補正され、電力プロフィールP1に沿ってヒータ67への供給電力が制御されるようになる。
【0044】
上記説明では、目標電力とその都度算出されるヒータ電力との関係に応じて補正を行う旨説明したが、これを変更し、ヒータ基準電圧とその都度検出されるヒータ電圧Vhとの関係に応じた補正を行うようにしても良い。具体的には、図12(b)の関係を用い、基準電圧に対するヒータ電圧Vhの変動分に応じてDuty補正値を設定する。そして、「100%×Duty補正値」により昇温時Dutyを決定する。或いは、
昇温時Duty=基準電圧^2/ヒータ電圧^2(検出値)×100%
として、昇温時Dutyを算出しても良い。これら何れの場合にも電力プロフィールP1上の目標電力に対するヒータ電力の変動分が補正され、電力プロフィールP1に沿ってヒータ67への供給電力が制御されるようになる。図12(b)の横軸はバッテリ電圧であっても良い。
【0045】
一方、ステップ141がNOの場合、ステップ146では、前回処理時の素子インピーダンスZACを前回値「ZAC0」とし、続くステップ147では、素子インピーダンスの今回値ZAC(前記図6による検出値)を読み出す。また、ステップ148では、下記の数式により比例項Gp、積分項Gi、微分項Gdを算出する。
Gp=Kp・(ZAC−ZACref)
Gi=Gi+Ki・(ZAC−ZACref)
Gd=Kd・(ZAC−ZAC0)
但し、上記各式において、「Kp」は比例定数、「Ki」は積分定数、「Kd」は微分定数を表す。
【0046】
そして、ステップ149では、上記比例項Gp、積分項Gi、微分項Gdを加算して制御デューティ比Dutyを算出し(Duty=Gp+Gi+Gd)、その後元の図5の処理に戻る。なお本実施の形態では、ステップ145が特許請求の範囲に記載の「昇温時ヒータ制御手段」に相当する。
【0047】
上記の如くヒータ通電制御が実施される様子を図13のタイムチャートに示す。図13では、タイミングt1において、初期ヒータ抵抗Rhiに応じて昇温制御時間Tzが設定され、その昇温制御時間Tzが経過するまでのt1〜t2の期間で昇温時ヒータ制御が実施される。このとき、基本的にはDuty=100%の全通電制御が実施され、その際、電力プロフィールP1上の目標電力からヒータ電力が変動すれば、その分Duty(100%)が補正される。なおヒータ電力を逐次積算した積算電力は図示の如く推移する。また、タイミングt2以降は、素子インピーダンスZACのF/B制御が実施される。
【0048】
以上詳述した本実施の形態によれば、以下に示す効果が得られる。
ヒータ67に基準電圧を印加し且つデューティ比100%とした条件下で規定した電力プロフィールを用い、昇温時ヒータ制御(全通電制御)を実施したので、必要量を超えて電力が過剰供給されることはなく、電力の過剰供給に起因する素子割れ等の不具合が防止できる。本実施の形態の装置によれば、A/Fセンサ30の昇温特性を良好に維持し、且つ素子割れなどの不具合を抑制するという優れた効果が得られる。
【0049】
かかる場合、電力プロフィールの設定条件である基準電圧が通常の使用電圧(14V)よりも低い電圧(例えば13V)であれば、ヒータ印加電圧が低くなる分、割れ発生までの時間が長くなり、素子割れに対して余裕を持ったヒータ通電制御が実現できる。
【0050】
特に、積層型構造のA/Fセンサ30の場合、固体電解質体51とヒータ67とが近接して設けられるため、素子割れやヒータ割れなどの問題が生じやすいが、本実施の形態によれば上記の問題が確実に抑制できる。
【0051】
なお本発明は、上記以外に次の形態にて具体化できる。
上記実施の形態では、図7のステップ145において、目標電力に対するヒータ電力の変動分に応じてデューティ比の制御ベース値(100%)を補正し昇温時Dutyを算出したが、この構成を以下のように変更する。つまり、電力プロフィールP1上に設定した目標電力と、昇温時ヒータ制御に際してその都度算出されるヒータ電力との偏差に応じてヒータ通電をF/B制御する。例えば、目標電力とヒータ電力(算出値)との偏差ΔQを算出すると共に(偏差ΔQ=目標電力−ヒータ電力)、本ヒータ制御の比例項(P項)、積分項(I項)及び微分項(D項)を求める。そして、
昇温時Duty=Kp・ΔQ+ΣKi・ΔQ+Kd(ΔQ−前回ΔQ)
として昇温時Dutyを算出する。
【0052】
前記図10(a)の電力プロフィールP1を予めマップ化し、マイコン20に記憶しておくのが望ましく、そのマップ値を用い、制御開始からの経過時間に基づいて昇温時ヒータ制御を実施する。なお因みに、制御開始からの時間経過に対応して積算電力が増加する。そこで、時間に代えて積算電力をパラメータにして電力プロフィールを規定し、積算電力に基づいてヒータ通電を制御しても良い。
【0053】
ヒータ電圧やヒータ電流の低下すると、それに伴い始動時からの積算電力が減少する場合が考えられる。この場合、制御開始からの経過時間と積算電力との関係が規定の関係からずれるため、そのズレ分に応じて目標電力を修正する。その内容を図14のタイムチャートを用いて説明する。図14において、本来は、時間軸(図の横軸)に対して積算電力が図の実線の如く増加し、その際、電力プロフィールP1に沿って目標電力が設定される。これに対し、積算電力が図の二点鎖線の如く増加する場合、積算電力の増加が遅れ、例えば積算電力がA1値に達するタイミングがt11からt12に遅れる。この場合、センサ素子の昇温性を確保するにはヒータ電力を上昇させる必要があり、タイミングt11でのマップ値(電力プロフィールP1上の目標電力B1)にてヒータ制御を実施する。すなわち、タイミングt12での目標電力を図のB2からB1に修正する。本構成によれば、A/Fセンサ30の昇温性が確保でき、早期活性化が可能となる。
【0054】
また、ヒータ電圧やヒータ電流の低下に伴い目標電力とヒータ電力との関係が規定の関係からずれた場合において、そのズレ分に応じて目標電力を修正する構成としても良い。
【0055】
また、電力プロフィールP1で規定される電力値以下となるようヒータ通電のためのデューティ比を制御する。これは実質上、電力プロフィールP1で電力ガードを行うことを意味する。この場合にも、電力の過剰供給が抑制できる。
【0056】
デューティ比100%とした時の電力プロフィール(図10のP1)を用いること以外に、例えば、デューティ比80%とした時の電力プロフィール(図10のP2)を用い、昇温時ヒータ制御を実施する。これは、制御ベース値をデューティ比80%とし、そのデューティ比80%で通電制御を実施する場合を想定したものであり、かかる場合、電力プロフィールP2に沿ってヒータ67への供給電力が制御される。
【0057】
また、所定デューティ比による通電制御(昇温時ヒータ制御)を実施する場合において、その所定デューティ比を変更する構成としても良い。例えば、昇温時ヒータ制御の途中でデューティ比100%の制御からデューティ比80%の制御に変更する。この場合には、ヒータ制御の基準となる電力プロフィールをP1からP2に切り替えるようにする。或いはその逆に、デューティ比80%(電力プロフィールP2)の制御からデューティ比100%(電力プロフィールP1)の制御に変更する。電力プロフィールをP2からP1に切り替える場合、デューティ比が低から高へ変更されるため、素子低温時の熱衝撃が緩和されるようになる。
【0058】
一方、電力プロフィールは、A/Fセンサと制御機器(空燃比検出装置)とを接続するためのワイヤハーネスによる電圧降下分を考慮して設定されると良い。例えば、ワイヤハーネスが長くなると、それだけ電圧降下が大きくなる。そのため、その電圧降下分だけヒータ電力が増加側にシフトするよう、電力プロフィールを設定しておくと良い。但し、ワイヤハーネスによる電圧降下分だけ昇温時Dutyを補正する構成であっても良い。
【0059】
基準電圧に対して現在の使用電圧が変動した時、その変動量に応じてヒータ電力のガード値を補正するようにしても良い。この場合、ワイヤハーネスの電圧降下分を考慮してガード値を補正するようにしても良い。
【0060】
また、ヒータ67に基準電圧を印加し且つ所定デューティ比(例えば100%)とした条件下でのヒータ電流の変化を「電流プロフィール」として規定し、前記電力プロフィールに代えて、電流プロフィールを用いてヒータ通電を制御する。この場合、前記図10(b)に示すように、ヒータ通電開始からの時間の経過に伴いヒータ電流が次第に減少し、その変化が電流プロフィールとして規定される。そして、昇温時ヒータ制御においては、電流プロフィールに沿ってヒータ67への供給電力が制御される。より具体的には、制御ベース値である所定デューティ比(例えば100%)に対し、電流プロフィール上に設定される目標電流とその都度検出されるヒータ電流との比に応じた補正が行われ、昇温時Dutyが算出される。例えば、
昇温時Duty=目標電流^2/ヒータ電流(検出値)^2×100%
として、昇温時Dutyが算出される。この場合、電流プロフィール上の目標電流に対するヒータ電流の変動分が補正され、電流プロフィールに沿ってヒータ67への供給電力が制御されるようになる。なお、電流プロフィールはマップとして予めマイコン20に記憶され、制御開始からの経過時間に基づいて目標電流の値が適宜読み出される構成であると良い。
【0061】
また、電流プロフィール上に設定した目標電流と、昇温時ヒータ制御に際してその都度検出されるヒータ電流との偏差に応じて、PID手法等によりヒータ通電をF/B制御しても良い。更には、電流プロフィール上に設定した電流値以下になるよう、ヒータ通電量(Duty)を制限する構成であっても良い。
【0062】
前記電力プロフィール又は電流プロフィールを規定する際、ヒータへの印加電圧は必ずしも基準電圧固定でなくても良い。仮にヒータ印加電圧(基準電圧)が多少変動しても、ヒータ電力又はヒータ電流の変化は概ねヒータ抵抗の変化に追従する。従って、素子割れ等の不具合が生じない範囲で電力プロフィール又は電流プロフィールが規定できる。電力プロフィール又は電流プロフィールは、要はヒータ通電量(Duty)を所定の制御ベース値とした条件下で規定されるものであれば良い。
【0063】
ガス濃度センサとして、排ガス中の酸素濃度を検出する既述のA/Fセンサ以外に、例えば、NOx濃度を検出するNOxセンサ、HC濃度を検出するHCセンサ、CO濃度を検出するCOセンサ等が適用できる。その場合、検出セルは複数個有するものであっても良い。更に、排ガス以外のガスを被測定ガスとすることも可能である。ガス濃度検出装置としても、空燃比検出装置以外の適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の実施の形態における空燃比検出装置の概要を示す構成図。
【図2】A/Fセンサの全体構成を示す断面図。
【図3】センサ素子の要部断面図。
【図4】ヒータ制御回路の構成を示す回路図。
【図5】マイコンによるメインルーチンを示すフローチャート。
【図6】素子インピーダンスの検出手順を示すフローチャート。
【図7】ヒータ通電の制御手順を示すフローチャート。
【図8】インピーダンス検出時における電圧変化と電流変化とを示す波形図。
【図9】素子インピーダンスと素子温との関係を示す図。
【図10】電力プロフィールを説明するためのタイムチャート。
【図11】昇温制御時間を設定するための図。
【図12】Duty補正値を設定するための図。
【図13】素子昇温時の動作を示すタイムチャート。
【図14】素子昇温時の動作を示すタイムチャート。
【符号の説明】
10…エンジン、15…空燃比検出装置、20…マイコン、30…A/Fセンサ、50…センサ素子、51…固体電解質体、67…ヒータ。
Claims (16)
- 固体電解質体を用いたセンサ素子と該センサ素子を活性状態に加熱するためのヒータとを有するガス濃度センサと、
前記センサ素子を活性温度に昇温する昇温時に、所定デューティ比で設定した制御ベース値によりヒータ通電を制御する昇温時ヒータ制御手段とを備え、
前記制御ベース値でヒータ通電を制御する場合の通電時間に対するヒータ電力の変化を電力プロフィールとして予め規定し、
前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィールを用いてヒータ通電を制御することを特徴とするガス濃度センサのヒータ制御装置。 - 前記昇温時ヒータ制御手段は、前記制御ベース値に対し、電力プロフィール上に設定される目標電力とその都度算出されるヒータ電力との関係に応じた補正を行い、その補正後のデューティ比によりヒータ通電を制御する請求項1に記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィール上に目標電力を設定し、該目標電力とその都度算出されるヒータ電力との偏差に応じてヒータ通電をフィードバック制御する請求項1に記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィールをマップ化したデータを用い、制御開始からの経過時間又は積算電力に基づいてヒータ通電を制御する請求項1〜3の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィールにより目標電力を設定し、制御開始からの経過時間と積算電力との関係、又は目標電力とヒータ電力との関係が規定の関係からずれた場合にそのズレ分に応じて目標電力を修正する請求項1〜4の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィールで規定される電力値以下となるようヒータ通電量を制限する請求項1〜5の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段は、デューティ比100%を制御ベース値として全通電制御を実施する場合に、デューティ比100%の条件下で規定した電力プロフィールを用いてヒータ通電を制御する請求項1〜6の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記電力プロフィールは、前記ヒータへの印加電圧を所定の基準電圧固定とした条件下で設定したものである請求項1〜7の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記ヒータへの印加電圧を所定の基準電圧固定とした条件下で電力プロフィールを規定し、前記昇温時ヒータ制御手段は、前記制御ベース値に対し、前記基準電圧とその都度検出されるヒータ電圧との関係に応じた補正を行い、その補正後のデューティ比によりヒータ通電を制御する請求項1に記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 請求項9に記載のガス濃度センサのヒータ制御装置において、前記昇温時ヒータ制御手段は、前記制御ベース値に対し、前記基準電圧とその都度検出されるヒータ電圧との比に応じた補正を行うガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記制御ベース値でのヒータ電流の変化を電流プロフィールとして予め規定し、前記昇温時ヒータ制御手段は、前記電力プロフィールに代えて、前記電流プロフィールを用いてヒータ通電を制御する請求項1〜10の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記ガス濃度センサは車載エンジンの排ガス成分を検出するセンサであり、センサ内蔵のヒータに車載バッテリが接続されるヒータ制御装置に適用され、前記昇温時ヒータ制御手段は、車載バッテリの電圧変動に応じたガード値により制御デューティ比を制限する請求項1〜11の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段による昇温時ヒータ制御の開始当初において、前記ヒータの初期抵抗値を算出し、その初期抵抗値に応じて昇温時ヒータ制御を継続するための昇温制御時間を設定する請求項1〜12の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記昇温時ヒータ制御手段による昇温時ヒータ制御の開始当初において、前記ヒータへの印加電圧が基準電圧よりも低いほど、昇温時ヒータ制御を継続するための昇温制御時間を長くする請求項1〜12の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記ガス濃度センサの始動後であり且つ、センサ素子又はヒータの抵抗値に応じてヒータ通電量を制御する前の少なくとも一定の期間において、前記昇温時ヒータ制御手段によるヒータ通電を実施する請求項1〜14の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
- 前記ガス濃度センサはセンサ素子の固体電解質体にヒータを積層して配置し、固体電解質体とヒータとを一体化してなる積層型構造のセンサである請求項1〜15の何れかに記載のガス濃度センサのヒータ制御装置。
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