JP3796202B2

JP3796202B2 - 半導体集積装置の製造方法

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Publication number: JP3796202B2
Application number: JP2002197297A
Authority: JP
Inventors: 貴康太田垣
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-07-05
Filing date: 2002-07-05
Publication date: 2006-07-12
Anticipated expiration: 2022-07-05
Also published as: JP2004039974A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積装置及びその製造方法に関し、特に半導体集積装置のパッケージング構造及びその製造方法の具現に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積装置においては、そのパッケージング技術が、同半導体集積装置を小型化するうえで重要な要素となる。このパッケージング技術として、近年、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）が提案されている。図９に、こうしたチップサイズパッケージを採用した半導体集積装置についてその一例を示す。
【０００３】
同図９（ａ）に示すように、この半導体集積装置においては、シリコンチップ１０のうち、複数の半導体素子が形成された一主面上に、内部パッド（内部配線）１４が形成されている。そして、このシリコンチップ１０のうち半導体素子が形成されている主面には、エポキシ樹脂２１によってガラス基板２０が装着されている。また、シリコンチップ１０のうちの上記半導体素子の形成されている面の裏面には、エポキシ樹脂３１によってガラス基板３０が装着されている。なお、これらシリコンチップ１０及びガラス基板３０の側面は、ガラス基板２０側に広がる傾斜面として形成されている。
【０００４】
また、上記ガラス基板３０上には、外部端子としての複数のバンプ(外部電極)４０が形成されており、上記シリコンチップ１０に形成されている半導体素子とこれらバンプ４０とは、側面に形成されている外部配線４１を介して電気的なコンタクトがとられている。そして、これらシリコンチップ１０及びガラス基板３０の側面やバンプ４０の周囲には、これら外部配線４１等を覆うようにして保護膜４２が形成されている。
【０００５】
図９（ｂ）に、この半導体集積装置をガラス基板３０側から見た平面図（底面図）を示す。同図９（ｂ）に示すように、ガラス基板３０の底面には、上記複数のバンプ４０がマトリクス状に配列されてボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記内部パッド１４は、図１０（ａ）に拡大して示すように、その端部の側面で外部配線４１と接続されているにすぎない。このため、内部パッド１４及びその近傍の層からなる互いに膨張係数の異なる複数の層の膨張収縮によって、内部パッド１４と外部配線４１との接続部Ｃにストレスが生じる。そして、このストレスによって、これら内部パッド１４と外部配線４１とが、図１０（ｂ）に示すように乖離しやすくなる。
【０００７】
このように、先の図９に示す態様にてパッケージングのされた半導体集積装置にあっては、内部パッド１４と外部配線４１との接続にかかる信頼性の低下が避けられないものとなっていた。
【０００８】
なお、先の図９に示したものに限らず、内部端子の端部と外部配線とを先の図９と同様の態様で接続するものにあっては、内部パッド１４と外部配線４１との接続にかかる信頼性の低下に関するこうした実情も概ね共通したものとなっている。
【０００９】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップサイズパッケージのなされた半導体集積装置において、その内部端子と外部配線との接続にかかる信頼性を好適に維持することのできる半導体集積装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、一方の主面上に複数の内部端子が配置される半導体チップと、一方の主面に前記半導体チップが固着され、他方の主面上に複数の外部端子が配置される絶縁基板と、前記絶縁基板の側面を迂回して配置され、前記複数の外部端子と前記複数の内部端子を接続する外部配線と、を備え、前記外部配線は、前記複数の内部端子の前記絶縁基板側の主面の一部を介して前記複数の内部端子と接続されることで、その内部端子と外部配線との接続にかかる信頼性を好適に維持することを可能とする。
【００１１】
また、この発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハの一方の主面上であって隣接する前記半導体素子の境界の両側に所定の間隔を隔てて金属の内部端子を形成する第１の工程と、前記半導体ウエハの他方の主面側に樹脂を介して絶縁基板を固着すると共に、この絶縁基板上に複数の外部端子を形成する第２の工程と、前記半導体ウエハの他方の主面側から前記複数の半導体素子の境界に合わせてレーザを照射し、前記複数の半導体素子の境界付近の前記絶縁基板及び前記樹脂を除去することで前記内部端子の一部を露出する第３の工程と、前記内部端子の露出部分を被い、前記複数の外部端子と接続される外部配線を形成する第４の工程と、前記絶縁基板が固着された前記半導体ウエハを前記複数の半導体素子の配列に合わせてダイシングする第５の工程と、を有し、前記第３の工程は、前記内部端子の主面を含む水平面に当たる前記レーザの収束光の径が前記内部端子間の所定の間隔よりも大きくなるように前記レーザを照射することで、その内部端子と外部配線との接続にかかる信頼性を好適に維持することを可能とする。
【００１２】
更に、この発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハの一方の主面上であって隣接する前記半導体素子との境界を跨るように金属の内部端子を形成する第１の工程と、前記半導体ウエハの他方の主面側に樹脂を介して絶縁基板を固着すると共に、この絶縁基板上に複数の外部端子を形成する第２の工程と、前記半導体ウエハの他方の主面側から前記複数の半導体素子の境界に合わせてレーザを照射し、前記複数の半導体素子の境界付近の前記絶縁基板及び前記樹脂を除去することで前記内部端子の一部を露出させる第３の工程と、前記内部端子の露出部分を被い、前記複数の外部端子と接続される外部配線を形成する第４の工程と、前記絶縁基板が固着された前記半導体ウエハを前記複数の半導体素子の配列に合わせてダイシングする第５の工程と、を有することで、その内部端子と外部配線との接続にかかる信頼性を好適に維持することを可能とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる半導体集積装置及びその製造方法をＣＣＤイメージセンサの形成された半導体集積装置及びその製造方法に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
図１に、本実施形態にかかるＣＣＤイメージセンサの構成を示す。図１に示されるように、同ＣＣＤイメージセンサ１１０は、光電変換を行う撮像部１１０Ｐと、この光電変換された電荷を一時的に蓄えておく蓄積部１１０Ｃと、同蓄積部１１０Ｃに蓄えられた電荷を出力部１１０Ｓに出力するための水平転送部１１０Ｈとを有して構成されている。
【００１５】
ここで、撮像部１１０Ｐは、照射された光像に対応した光電変換を行う。続いて、画素毎に光電変換された情報電荷は、蓄積部１１０Ｃに対し１フレーム毎に高速転送（フレームシフト）される。この蓄積部１１０Ｃに蓄積された１フレーム分の情報電荷は次に、水平転送部１１０Ｈに１ライン毎に転送される。続いて、水平転送部１１０Ｈに転送された情報電荷は、出力部１１０Ｓに１画素毎に転送され、この出力部１１０Ｓに転送された情報電荷が電圧値に変換される。そして、出力端子ＴＳを介して当該ＣＣＤイメージセンサ１１０の撮像信号として信号処理系(図示略)に出力される。
【００１６】
こうした情報電荷の転送動作は、ＣＣＤイメージセンサ１１０の各部のゲート電極に電圧を印加することで行われる。詳しくは、撮像部１１０Ｐ及び蓄積部１１０Ｃにおいては、３相の異なる電圧（φＰ１〜φＰ３、φＣ１〜φＣ３）を端子ＴＰ１〜ＴＰ３、ＴＣ１〜ＴＣ３を介して所定のゲート電極に印加することで電荷の転送を行う。これに対し、水平転送部１１０Ｈにおいては、２相の異なる電圧（φＨ１、φＨ２）を端子ＴＨ１及びＴＨ２を介して所定のゲート電極に印加することで電荷の転送を行う。
【００１７】
このＣＣＤイメージセンサ１１０は、先の図９に示したようなチップサイズパッケージでパッケージングがなされている。図２に、このチップサイズパッケージのなされたＣＣＤイメージセンサ１１０の断面構成を示す。
【００１８】
同図２に示すように、例えばシリコンからなる半導体チップ１００の一主面には、ここでは図示しないが、先の図１に示したＣＣＤイメージセンサ１１０（半導体素子）が形成されている。そして、このＣＣＤイメージセンサ１１０の形成された半導体チップ１００の一主面上には、内部パッド（内部端子）１４０が形成されている。更に、この半導体チップ１００の上記一主面上には、アクリル層２２０が形成されており、その上面には、エポキシ樹脂２１０を介してガラス基板２００が装着されている。
【００１９】
一方、半導体チップ１００の他方の主面には、エポキシ樹脂３１０を介してガラス基板３００が装着されている。このガラス基板３００には、その半導体チップ１００側の主面の反対面となる主面上に外部端子としてのバンプ４００が形成されている。そして、半導体チップ１００の側面に沿ってバンプ４００と内部パッド１４０とを接続する外部配線４１０が形成されている。詳しくは、この外部配線４１０は、ガラス基板３００の側面と、半導体チップ１００の側面と対向する面の裏面となるエポキシ樹脂３１０の側面とに接して形成されている。
【００２０】
ここで、本実施形態においては、図３に示すように、外部配線４１０は、内部パッド１４０の断面積よりも広い面積を有する接続面で内部パッド１４０と（その半導体チップ１００との接触面となる主面の一部で）接続されている。すなわち、内部パッド１４０の端部がエポキシ樹脂３１０よりも外側に突出し、内部パッド１４０とエポキシ樹脂３１０との間で段差を形成するようにしている。そして、この段差を利用して外部配線４１０と内部パッド１４０とを接続し、従来構成における接続面（内部パッド１４０の断面）の１辺の長さＤよりも長い長さＸを有する接続面で外部配線４１０と内部パッド１４０とを接続するようにしている。この結果、内部パッド１４０の断面よりも広い面積の接続面で外部配線４１０と内部パッド１４０とが接続されることになり、外部配線４１０と内部パッド１４０との接続部分Ｃの面積を十分に広く設定することができる。これにより、外部配線４１０と内部パッド１４０との接続強度を高めることができ、断線等の不都合を好適に抑制することができる。
【００２１】
次に、本実施形態にかかるチップサイズパッケージのなされたＣＣＤイメージセンサ１１０の製造工程について、図４及び図５を用いて説明する。
ここではまず、図４（ａ）に示すように、ＣＣＤイメージセンサ１１０が複数形成されたウエハ状の半導体基板１００’のうち、同ＣＣＤイメージセンサ１１０の形成されている一主面（受光面）側に例えばアルミ（Ａｌ）材料からなる上記内部パッド１４０を形成する。図４（ｂ）に、この内部パッド１４０の形成された半導体基板１００’の平面図を示す。同図４（ｂ）に示すように、この内部パッド１４０は、各ＣＣＤイメージセンサの境界（図中、一点鎖線）近傍で所定の間隔を有するように互いに分離して形成されると共に、先の図１に示した端子ＴＰ１〜ＴＰ３、ＴＣ１〜ＴＣ３、ＴＨ１及びＴＨ２、ＴＳ等に対応して、個別に形成される。
【００２２】
そして、この後、図４（ｃ）に示すように、アクリル層２２０を形成した後、半導体基板１００’の受光面に上記ガラス基板２００とするガラス基板２００’をエポキシ樹脂２１０にて装着する。次に、図４（ｄ）に示すように、半導体基板１００’のうち、上記受光面に対向する面をグラインドする。更に、同図４（ｄ）に示すように、半導体基板１００’のうち、隣接する上記半導体チップ１００の境界付近を基板１００’の裏面側からエッチングして上記内部パッド１４０の一部を露出させる。ここでは、図４（ｄ）に示すように、半導体チップ１００の側面がガラス基板２００’側に広がる傾斜面となるようにする。更に、図４（ｅ）に示すように、半導体チップ１００のうち、上記グラインドがなされた面に先の図２に示したガラス基板３００とするガラス基板３００’をエポキシ樹脂３１０にて装着する。すなわち、半導体チップ１００のグラインド面及びエッチングのなされた面（エッチング面）とを被うように樹脂層としてのエポキシ樹脂３１０を積層させた後、これにガラス基板３００’を装着させる。ここでは、半導体チップ１００の切削された面にも上記エポキシ樹脂が充填されるようにする。
【００２３】
次に、図５（ａ）に示すように、ガラス基板３００’上の上記外部端子としてのバンプが配置される場所に緩衝部材４４０を形成する。更に、図５（ａ）に示すように、例えばＹｇレーザやＣＯ２レーザ等によってガラス基板３００’側からガラス基板２００の一部を切断することのできる深さまで、ガラス基板３００’等を逆Ｖ字型に除去する。
【００２４】
詳しくは、ここでは、レーザ光の光軸の中心Ａを半導体チップ１００の境界に合わせつつ、ガラス基板２００’の深部に焦点Ｐを合わせて、ガラス基板３００’側からレーザを照射する。この際、図５（ｂ）に示すように、内部パッド１４０の主面を含む水平面Ｊでのレーザの収束光の径Ｌが、半導体チップ１００の境界を挟んで隣接する内部パッド１４０間の間隔Ｍよりも大きくなるように焦点Ｐの位置を設定する。これにより、先ず、レーザ照射によって、波線ａに沿ってガラス基板３００’やエポキシ樹脂３１０にテーパ加工がなされると共に、内部パッド１４０の半導体チップ１００側の面の一部が露出される。
【００２５】
特に、内部パッド１４０については、アルミ材料等の金属材料で形成されているため、レーザ光を反射し、レーザによって消失されることがない。このため、内部パッド１４０よりもガラス基板２００’側へは、波線ｂに沿ってレーザが照射されることになる。この結果、内部パッド１４０と樹脂３１０との間に段差が設けられつつ、ガラス基板２００’の一部までがレーザによって消失される。
【００２６】
次に、図５（ｃ）に示すように、上記緩衝部材４４０及び上記除去された面を覆うようにして、例えばスパッタ法により金属(例えばアルミＡｌ)を堆積させ、これをパターニングすることで上記外部配線４１０を形成する。これにより、外部配線４１０は、内部パッド１４０の半導体チップ１００側の面の上記レーザによって露出させた部分と接続されるようになる。
【００２７】
次に、図５（ｄ）に示すように、上記バンプの形成される領域を除き、ガラス基板３００及び半導体チップ１００（より正確には、エポキシ樹脂３１０の側面）等の切削された傾斜面に保護膜４２０を積層形成する。そして、図５（ｄ）に示すように、緩衝部材４４０上にバンプ４００を形成する。更に、同図５（ｄ）に一点鎖線で示す半導体チップ間の境界領域をダイシングし、パッケージングされた各ＣＣＤイメージセンサのチップとして切断する。
【００２８】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）外部配線４１０を内部パッド１４０の半導体チップ１００側の面と接続させることで、これら外部配線４１０と内部パッド１４０との接続部Ｃの面積を十分に確保することができる。このため、外部配線４１０と内部パッド１４０との接合強度を高めることができる。
【００２９】
（２）外部配線４１０の形成される側面を形成すべく行われる半導体チップ１００の境界に沿ってガラス基板３００’等を除去する工程を、レーザを用いて行った。これにより、この切除をダイシング等で行った場合と比較して、ガラス基板３００’やエポキシ樹脂３１０の切除面を滑らかなものとすることができる。このため、この切除面に信頼性の高い外部配線を形成することができる。
【００３０】
（３）外部配線４１０の形成される側面を形成すべく行われる半導体チップ１００の境界に沿ってガラス基板３００’等を除去する工程において、ガラス基板２００’の一部まで切除するようにした。これにより、保護膜４２０の形成に際し、図６に示すように、外部配線４１０や内部パッド１４０の端部をこの保護膜４２０によって好適に被うことができる。したがって、外部配線４１０及び内部パッドを外部から遮断することができ、外部配線４１０及び内部パッド１４０の腐食を防止することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明にかかる半導体集積装置及びその製造方法をＣＣＤイメージセンサの形成された半導体集積装置及びその製造方法に適用した第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００３２】
図７は、本実施形態にかかるＣＣＤイメージセンサ１１０の製造工程を示す。この一連の工程においては、先ず、図７（ａ）に示すように、半導体基板１００’の複数のＣＣＤイメージセンサ１１０が形成されている一主面（受光面）側に内部パッド５４０を形成する。ここでは、図７（ｂ）に示すように、内部パッド５４０を隣接するＣＣＤイメージセンサ１１０の境界を跨るように形成する。
【００３３】
この後、先の図４（ｃ）〜図４（ｅ）に示した工程と同様の工程を経て、図７（ｃ）に示すように、絶縁基板３００’側からＣＣＤイメージセンサ１１０の境界に合わせて、例えば、ＹｇレーザやＣＯ２レーザを照射し、ＣＣＤイメージセンサ１１０の境界付近上の絶縁基板３００’、樹脂３１０を除去する。これにより、内部パッド５４０の中央部分が露出される。尚、この際、内部パッド５４０下のアクリル層２２０や樹脂２１０については、内部パッド５４０がレーザ光を反射するため、除去されない。
【００３４】
続いて、図７（ｄ）に示すように、緩衝部材４４０及び除去された面を覆うようにして、例えば、スパッタ法により金属を堆積させ、これをパターニングして外部配線４１０を形成する。これにより、外部配線４１０は、内部パッド５４０のレーザによって露出させた部分と接続されるようになり、内部パッド５４０の断面よりも面積の広い接続面にて内部パッド５４０と接続されることになる。これ以降は、図５（ｃ）に示す工程と同様に、ＣＣＤイメージセンサの境界領域をダイシングし、パッケージングされた各ＣＣＤイメージセンサ１１０のチップとして切断する。
【００３５】
以上説明した本実施形態によっても、先の第１の実施形態の上記（１）及び（２）の効果を得ることができる。
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
【００３６】
・内部パッド１４０、５４０の材料について、アルミ材料に限られるものではなく、光を反射する性質を有し、且つ導電性を有するものであれば、適宜変更可能である。
【００３７】
・外部配線４１０を、内部パッド１４０の半導体チップ１００側の面のみならず、その膜厚方向の面（側面）等とも接続されるようにしてもよい。これは、上記第１の実施形態のように、外部配線４１０の形成される側面を形成すべく行われる半導体チップ１００の境界に沿ってガラス基板３００’等を除去する工程において、ガラス基板２００’の一部まで除去するようにする場合には、容易に行うことができる。
【００３８】
・上記第２の実施形態において、図７（ｃ）に示す工程の後に、図８（ａ）に示すように、内部パッド５４０の露出部分にレジスト６００でマスクを形成し、図８（ｂ）に示すように、内部パッド５４０をエッチングするようにしてもよい。この際、エッチングにて除去する幅Ｐを、後のダイシング幅よりも広くしておくことが望ましい。これによれば、ＣＣＤイメージセンサ１１０の配列に沿って分割する際、内部パッド５４０及び外部配線４１０の端部を覆う保護膜４２０や内部パッド５４０を外部から遮断することができる。
【００３９】
・半導体基板のうち、ＣＣＤイメージセンサの形成された一主面と貼り合せる透明基板としては、ガラス基板に限らない。また、半導体基板のうち、ＣＣＤイメージセンサの形成された面に対向する面と貼り合せる絶縁基板についても、ガラス基板に限らない。
【００４０】
・半導体基板に透明基板や絶縁基板を装着する際に用いる樹脂層としては、エポキシ樹脂に限らない。
・その他、先の図４及び図５に示した製造工程は、外部配線４１０を内部パッド１４０の半導体チップ１００側の面と接続させる範囲で適宜変更してもよい。例えば、図４（ｄ）に示す工程において、半導体チップ１００の境界に沿って半導体基板１００’をエッチングする工程は、省略してもよい。
【００４１】
・半導体基板に形成される集積回路としては、フレームトランスファ型ＣＣＤイメージセンサに限らず、例えばインターライン型ＣＣＤイメージセンサであってもよい。
【００４２】
・パッケージング構造としては、先の図２に示したものに限らない。例えば、集積回路の形成される半導体チップの一主面側に絶縁基板を形成するとともに、この上に外部端子を形成する構成としてもよい。この場合であっては、外部端子と接続する外部配線を、内部パッドのうちの半導体チップとの接触面と対向する主面側で接続するようにすればよい。
【００４３】
【発明の効果】
本願発明によれば、外部配線を内部パッドの半導体チップ側の面と接続させることで、これら外部配線と内部端子との接続部の面積を十分に確保することができる。これにより、内部端子と外部配線との接続にかかる信頼性を好適に維持することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体集積装置の第１の実施形態における集積回路としてのＣＣＤイメージセンサの構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態の構成を示す断面図。
【図３】同実施形態において、内部パッドと外部配線との接続部近傍を拡大して示す断面図。
【図４】同実施形態の製造工程を示す断面図。
【図５】同実施形態の製造工程を示す断面図。
【図６】同実施形態において外部配線及び内部パッドを被う保護膜を示す断面図。
【図７】本発明にかかる半導体集積装置の第２の実施形態における集積回路としてのＣＣＤイメージセンサ製造工程を示す断面図。
【図８】上記第２の実施形態の変形例を示す断面図。
【図９】従来のチップサイズパッケージのなされた半導体集積装置の構成を示す断面図。
【図１０】上記従来の半導体集積装置において、内部パッドと外部配線との接続部近傍を拡大して示す断面図。
【符号の説明】
１００…半導体チップ、１４０…内部パッド、２００…ガラス基板、２１０…エポキシ樹脂、２２０…アクリル樹脂、３００…ガラス基板、３１０…エポキシ樹脂、４００…バンプ、４１０…外部配線、４２０…保護膜、４４０…緩衝部材。

Claims

複数の半導体素子が形成された半導体ウエハの一方の主面上であって隣接する前記半導体素子の境界から第１の間隔を隔てて金属の内部端子を形成する第１の工程と、
前記半導体ウエハの一方の主面に基板を接着する第２の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面の前記境界をエッチングする第３の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面側を絶縁物で被う第４の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面側から前記境界に合わせてレーザを照射し、前記内部端子の一部を露出する第５の工程と、
前記内部端子の露出部分を被って外部配線を形成する第６の工程と、
前記境界をダイシングすることにより、個々の半導体集積装置に切断する第７の工程と、を有することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項１記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第５の工程は、前記レーザの光軸の中心を前記境界に対応付けて前記レーザを照射することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項２記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第５の工程は、前記内部端子の主面を含む水平面に当たる前記レーザの収束光の半径が前記第１の間隔よりも大きくなるように前記レーザを照射することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項１乃至３のいずれかの１項に記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第６の工程の後、前記半導体ウエハの他方の主面側を保護膜で被う工程を有し、
前記第６の工程は、前記境界から第２の間隔を隔てて外部配線を形成し、
前記第７の工程は、前記第６の工程における前記第２の間隔よりも狭い間隔でダイシングすることを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
複数の半導体素子が形成された半導体ウエハの一方の主面上であって隣接する前記半導体素子との境界を跨るように金属の内部端子を形成する第１の工程と、
前記半導体ウエハの一方の主面に基板を接着する第２の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面の前記境界をエッチングする第３の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面側を絶縁物で被う第４の工程と、
前記半導体ウエハの他方の主面側から前記境界に合わせてレーザを照射し、前記内部端子の一部を露出させる第５の工程と、
前記境界から第１の間隔を隔てて前記内部端子をエッチングして、前記内部端子の側面を露出させる第６の工程と、
前記内部端子の露出部分を被って外部配線を形成する第７の工程と、
前記境界をダイシングすることにより、個々の半導体集積装置に切断する第８の工程と、を有することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項５記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第５の工程は、前記レーザの光軸の中心を前記境界に対応付けて前記レーザを照射することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項６記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第５の工程は、前記内部端子の主面を含む水平面に当たる前記レーザの収束光の半径が前記第１の間隔よりも大きくなるように前記レーザを照射することを特徴とする半導体集積装置の製造方法。
請求項５乃至７のいずれかの１項に記載の半導体集積装置の製造方法において、
前記第７の工程の後、前記半導体ウエハの他方の主面側を保護膜で被う工程を有し、
前記第７の工程は、前記境界から第２の間隔を隔てて外部配線を形成し、
前記第８の工程は、前記第７の工程における前記第２の間隔よりも狭い間隔でダイシングすることを特徴とする半導体集積装置の製造方法。