JP3782735B2 - サンプリングクロック発生回路およびこれを用いるデータ受信装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、サンプリングクロック発生回路およびこれを用いるデータ受信装置に関し、詳しくは、伝送された外部クロックCLKに対してn倍(nは2か、これ以上の整数)の速度で高速にデータをn個単位でシリアルに伝送し、受信側でシリアルに伝送されたn個単位のデータをn倍のサンプリングクロックを用いてn個単位でパラレルにデータ変換して受信データとして出力する伝送方式において、伝送されたクロック(外部クロック)のジッタに対してデータのミスサンプリングを防止することができるようなデータサンプリングのためのクロックを発生するサンプリングクロック発生回路およびこれを用いるデータ受信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、パーソナルコンピュータから周辺機器にデータを伝送するときには、クロックとともにデータが伝送されることになるが、最近では、シリアル高速データ伝送が行われる。そのデータ伝送方式は、送信側のクロックCLKよりもn倍(周期1/n)の速度でデータをシリアルにn個単位で高速伝送し、データに対して周期n倍のクロックCLKを外部クロック(伝送されたクロック)として受信側で受けてn倍のサンプリングクロックCKを生成してn個のサンプリングクロックに基づいて送信されたn個単位のシリアルデータをn個単位でパラレルに変換するものである。
この種の高速伝送方式は、パーソナルコンピュータからプリンタあるいは液晶表示装置等への伝送、デジタルTV、セットトップボックス等の内部での伝送、各種通信機器、その他、コンピュータの周辺機器のデータ伝送において行われている。伝送される外部クロックCLKを受けてn個のデータをパラレルに出力するためにデータ受信側は、PLL制御されたn倍(nは2か、これ以上の整数)のサンプリングクロックをデータ受信側で受信した外部クロックCLKに基づいて発生する。そのため受信側には、PLL制御のサンプリングクロック発生回路が設けられている。
【0003】
このとき、データとクロックの伝送によるスキューやジッタをできるだけ防止するために、受信側で生成されるn倍のクロックCKは、n倍の周波数のクロックを直接発振回路から得るのではなく、周期Tが外部クロックCLKと同じでサンプリングクロックCKがデータの周期Tをn分割した中央にくるように位相をずらせた同じ周期Tのn個のクロックを発生する。すなわち、サンプリングクロック発生回路は、その最初のクロックCKがT/2nだけ位相がずれ、その後のクロックCKが前のクロックCKに対して順次+T/nだけ位相がずれたn個のクロックCKを生成する。そして、n個のクロックCKの各立ち上がりエッジ部分を利用してn倍の周波数のサンプリングクロックとして得る。これにより、受信側は、高い周波数のサンプリングクロックをタイミング精度よく得ている。
同様な理由で、さらに、外部クロックCLKやデータの伝送は、180度位相が相違する正相、逆相の2位相の信号のデータを2本の線により同時に伝送する。このとき、送受信する差動動作の送受信バッファ回路を用いて2位相信号を送るLVDS(Low Voltage Differtial Signaling)方式が採られている。
【0004】
その一例としては、デジタル伝送の液晶表示装置を挙げることができる。これは、コンピュータ本体側から伝送される外部クロックCLKに対して7倍(n=7)の速度で7個単位のデータがシリアルに伝送され、受信側でそのデータがパラレルに出力される。
この場合の受信側でのn倍(n=7)のサンプリングクロック発生回路は、図4に示すように、リングオシレータをVCO(電圧制御発振回路)として利用したPLL回路が用いられている。そして、n段(ただしnが偶数のときにはn+1段)のリングオシレータの各段の出力をサンプリングクロックとして取出す。
具体的に説明すると、図4において、1は、n倍(n=7)のサンプリングクロック発生回路であり、2は、位相比較回路、3は、チャージポンプ回路、4は、ローパスフィルタ(LPF)、5は、7段のインバータが従属接続されたリングオシレータである。
このような、リングオシレータをPLL制御のVCOとするサンプリングクロック発生回路は、例えば、発振制御電圧を発生するローパスフィルタ(LPF)4の出力電圧をボルテージフォロアで受けて、このボルテージフォロアの出力をリングオシレータのインバータの電源として奇数段接続のインバータの電源ラインに供給してこれらを動作させる。リングオシレータの最終段のインバータの出力は、初段のインバータの入力に帰還する。これによりLPF4の出力電圧に 応じて各インバータの動作電流が制御されて発振周波数が制御される。
【0005】
位相比較回路2では、コンピュータ本体側から送信回路9により伝送された周期Tの外部クロックCLKが入力され、これに同期した7個のクロックCKがリングオシレータ5の初段と、これから2段置きに取出される。そのためにリングオシレータ5は、7段のインバータが接続された回路で構成される。
リングオシレータ5から得られる7個のクロックCKは、シリアル/パラレル変換回路6にサンプリングクロックとして送出され、R,G,Bに対応する3個のデータを7倍速で受信するデータ受信回路7からシリアル/パラレル変換回路6に送出されてR,G,Bの各データが7倍速で7個単位にシリアル/パラレル変換回路6でパラレルデータに変換されてコントローラ8に出力される。
なお、10aは、コンピュータ本体側に設けられた送信回路9と液晶表示装置側の受信回路7とを結ぶデータ伝送ラインであり、10bは、送信回路9と受信回路7とを結ぶクロックCLKの伝送ラインである。ここでの送受信は、差動アンプをドライバとして正相、逆相の2位相の信号伝送で行われる、前記したLVDS方式で各データとクロックCLKとが送受信される。
【0006】
リングオシレータ5から出力されるサンプリングクロックCKは、図5に示すように、各奇数段から取出されることで、初段のサンプリングクロックCKが外部クロックCLKに対して周期TでT/2n(=14)だけ位相がずれ、以後+T/n(=7)だけ位相がずれたクロックCKがそれぞれ出力される。そして、これらクロックCKの立ち上がりエッジがデータのサンプリングタイミングとなる。このように、データをn倍で伝送する場合には、このn個のクロックCKの立ち上がりあるいは立ち下がりの各エッジは、受信外部クロックCLKのn倍と等価なサンプリングクロックとなる。なお、この場合においては、第2段目のインバータで発生するクロックCKは、第9番目のインバータで発生するクロックCKとなり、第4段目のインバータで発生するクロックCKは、第11番目のインバータで発生するクロックCKとなり、第6段目のインバータで発生するクロックCKは、第13番目のインバータで発生するクロックCKとなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、液晶表示装置などでは、XGA(1024×768)の表示を行うような場合には、外部クロックCLKの周期は、15.38nsec(≒65MHz)程度で抑えられるが、7倍速のデータは、2.20nsec(≒455MHz)と極めて短い周期になる。そこで、ケーブルを介して伝送された外部クロックCLKがジッタを起こすと伝送されたデータと伝送されたクロックとの間でずれが大きくなり、データの立ち上がり、立ち下がりの不確定な期間が前後に移動してデータをサンプリングできる範囲が1nsか、それ以下に落ち込む。そのために、PLL制御でn倍のサンプリングクロックを発生させても、これにより精度の高いデータの受信ができなくなる問題がある。
その一例として図5にジッターによるタイミングを楕円枠で示す。図示するように、PLL制御される各クロックCKの立ち上がりエッジは、外部クロックCLKのジッタに対して対応しないので、外部クロックCLKが遅れると、それぞれクロックCKの立ち上がりエッジは手前にずれてしまい、外部クロックCLKに同期し、かつ、そのn倍の周波数(周期1/n)のデータのサンプリングができない。
この発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決するものであって、伝送された外部クロックCLKのジッタに対してデータのミスサンプリングを防止することができるデータサンプリングクロックを発生するサンプリングクロック発生回路を提供することにある。
この発明の他の目的は、伝送された外部クロックCLKのジッタに対してデータのミスサンプリングを防止することができるデータ受信装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するこの発明のサンプリングクロック発生回路の特徴は、第1の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第1のインバータがm個(mは3か、これ以上の奇数値)従属接続されたこれら第1のインバータを有するリングオシレータと、第2の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第2のインバータが2m個あるいは2m−1個従属接続されたこれら第2のインバータを有し外部からのクロックを受けてこのクロックを遅延させたクロックを前記第2のインバータから出力する遅延回路と、前記リングオシレータを電圧制御発振回路として前記第1の電力受給ラインの電圧をPLLループにより制御することで前記リングオシレータの発振周波数を制御するPLL回路とを備え、前記第2の電力受給ラインの電圧を前記第1の電力受給ラインの電圧と実質的に等しくなるように設定して前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックをサンプリングクロックとするものである。
また、この発明のデータ受信装置の特徴は、前記の遅延回路の第2のインバータから遅延クロックをn個(nは2か、これ以上の整数)受けてこのクロックの立ち上がりあるいは立ち下がりエッジを利用して1/nの周期のクロックを得て伝送されたシリアルデータをn個単位でパラレルに変換するシリアル/パラレル変換回路を有するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
このように、この発明では、リングオシレータと同一構成で実質的に2倍の接続段数のインバータの遅延回路を設けて、各インバータの遅延時間を実質的に等しく制御し、外部クロックCLKと同じ基準周波数の発振をリングオシレータにさせておき、実際のサンプリングクロックは、そのときどきの外部クロックCLKを受けてこれのジッタに合わせて遅延回路で外部クロックCLKに同期させた遅延クロックを得て、サンプリングクロックとする。
このときリングオシレータを構成するインバータと遅延回路を構成するインバータとは、それらの電源ラインの電圧が実質的に同じになるように制御されているので、遅延回路のインバータの遅延時間もPLL制御がなされる。しかも、遅延回路側は、入力されるクロックが外部クロックCLKであるので、外部クロックCLKを直接参照してサンプリングクロックを発生することができる。その結果、外部クロックCLKにジッタ等があってもデータ受信装置のパラレル/シリアル変換処理におけるデータのミスサンプリングが発生し難くなる。
【0010】
【実施例】
図1は、この発明のサンプリングクロック発生回路を適用した一実施例の液晶表示装置を中心としたブロック図、図2は、そのサンプリングクロックの波形図、そして、図3は、この発明のサンプリングクロック発生回路を適用した他の実施例の液晶表示装置を中心としたブロック図である。なお、図4と同一構成のものは同一の符号で示し、それらの説明を割愛する。また、以下で説明する実施例で使用するmは、一般的に奇数であり、3より大きな整数値である。この数値mは、リングオシレータあるいは遅延回路のインバータの段数を示すものであり、実施例ではm=n=7となっている。nは、2以上の整数であり、mと等しいか、これより小さい値であり、外部クロックCLKに関係するものであり、データの伝送速度の倍数を示す。
図1において、11は、PLL制御のサンプリングクロック発生回路であり、12は、7段のインバータ12aが従属接続されたリングオシレータ、13は、同様に14段のインバータ13aが従属接続され、受信した外部クロックCLKを受けてこれを遅延させる遅延回路(ディレーライン)である。各インバータ12a、13aの電力供給ライン14は、ボルテージフォロア15の出力ラインに接続され、ボルテージフォロア15は、LPF4の出力電圧を受けて、制御電圧信号Vsを発生して、電力供給ライン14にこの電圧の電力を出力する。これにより、リングオシレータ12の周波数は、外部クロックCLKの周波数に一致するようにPLL制御される。
ここで、リングオシレータ12を構成するインバータ12aと遅延回路13を構成するインバータ13aとは同一特性のものである。そこで、遅延回路13のインバータ13aの遅延時間もPLL制御がなされ、インバータ12aと同じ遅延時間を持つことになる。
なお、図示するように、ここでは、奇数段のインバータ出力を利用するので、遅延回路の最終段のインバータは不要である。したがって、インバータの接続段数は13個(2m−1個)であってもよい。なお、図3の実施例のように、第14段目のインバータ13aの出力を他の回路に利用することがよくあるのでここでは14段接続としてある。
【0011】
ところで、遅延回路13の初段の遅延時間として、図2に示すようにm分割された周期Tの中央位置にサンプリング点を設定するには、周期Tの外部クロックCLKのタイミング位置(立下がりエッジ)に対してm分割されたタイミング位置からさらにT/2m分だけ位相(インバータ13aの遅延時間に相当)をずらせることが必要となる。一方、リングオシレータ12と遅延回路13におけるそれぞれのインバータ12a,13aは、パルスの立ち上がり、立ち下がりでそれぞれのインバータ12aが反転して、2個のインバータ12aを経て同じ立ち上がりパルスあるいは立ち下がりパルスが発生する。周期Tの外部クロックCLKに従ってリングオシレータ12の発振周波数は、1/T(周期T)になるので、インバータ12aの遅延時間をkとし、立ち上がり側あるいは立ち下がり側の周期を外部クロックCLKの周期に一対一で対応させると、遅延時間kはT/2mになる。これによりインバータ12a,13aの1個の動作遅延時間は、等しくT/2mとなる。
そこで、遅延回路13の接続段数をリングオシレータ12の倍の2m個あるいは2m−1個にして、インバータ12aの1個分の動作遅延時間分であるT/2mだけずらせて、図3の従来のリングオシレータ5のときと同様に遅延回路13の初段と、これから2段置きにインバータ13から遅延させたクロックCKを得て(図2参照)、これらクロックCKの立ち上がりエッジ部分を取出りだす。
【0012】
その結果、図2の最後の示すようなサンプリングクロックSPを外部クロックCLKの立下がりエッジに対応して得ることができる。このとき、サンプリングクロックSPは、T/7の周期で周期Tを7分割した期間の各中央の位置で発生する。
これにより、遅延回路13から発生するそれぞれのクロックCKが外部クロックCLKに対応した周期Tとなり、かつ、それらはPLL制御がなされている。そして、サンプリングクロック発生回路11は、外部クロックCLKよりも高い周波数のクロックを7個のクロックCKの立ち上がり信号あるいは立ち下がり信号(=サンプリングクロック)としてタイミング精度よく発生させることができる。しかも、遅延回路13の初段と、これから2段置きに取出りだされる各クロックCKは、外部クロックCLKを遅延して得ているので、外部クロックCLKのジッタ等の位相ずれをそのまま反映した信号になる。
各サンプリングクロックCKは、図2にジッターとして楕円枠で示すように、受信した外部クロックCLKに応じてジッタが発生するクロックCKとなり、7倍速の場合には、ジッタが発生しても、そうでなくても、7分割した、実質的にその中央の位置にそれぞれのクロックCKの立ち上がり位置が設定される。
これにより追従可能なジッタの範囲を広く採ることができる。
【0013】
図3は、他の実施例であり、製造過程でのデバイスの特性ばらつきを抑えてクロックCKの周波数の無調整化をした実施例である。
図1の実施例では、リングオシレータ12の発振周波数をPLL回路で制御して、その制御電圧をインバータ12aの電源電圧とし、同時に遅延回路13のインバータ13aの電源電圧として設定している。
その結果、全体で3倍の個数となる多数のインバータの電源ラインの電圧をその1/3の個数のインバータで制御することになる。そのため、インバータ素子の特性のばらつきによっては、遅延時間13の遅延時間をPLL制御のリングオシレータ12だけでは制御しきれなくなる問題がある。
それは、インバータ素子の特性(その動作時間)のばらつきによって、遅延時間を微調整する必要があるデバイスが数%程度も出てくることである。
このような問題を回避するために、リングオシレータ12の電源ラインと遅延回路13の電源ラインとを切り離して独立なラインとし、それぞれに電源ラインの制御電圧を発生させる。そして、リングオシレータ12の電源ラインの電圧Vsを主体とし、遅延回路13の特性が影響する分の電圧を補正分として遅延回路の制御電圧Vpから得てリングオシレータ12の電源ラインの電圧Vsを補正し、この補正した電圧を遅延回路13の電源ライン13bの電圧とする。これによりクロックCKの周波数の無調整化を図ることができる。
【0014】
図3においては、リングオシレータ12の電源ライン12bと遅延時間13の電源ライン13bとは切断されている。
位相比較回路2aは、図1,図4の位相比較回路2に対応していて、遅延回路13の第14段目に発生する遅延後の外部クロックCLKと、入力側の外部クロックCLKを受けてこれらの位相を比較してその比較結果の信号をチャージポンプ3aに出力する。チャージポンプ3aは、チャージポンプ3に対応し、ローパスフィルタ(LPF)4aは、LPF4に対応し、ボルテージフォロア15aは、ボルテージフォロア15に対応している。これら回路は、遅延回路13に対してPLL回路16を構成する。このPLL回路16は、遅延回路13から出力されるクロックCLKの位相を入力された外部クロックCLKの位相にロックする制御電圧信号Vpをボルテージフォロア15aに発生してライン14aに出力する。
このとき、電源ライン13bに正しい遅延時間を発生する電圧が発生していて各インバータ13aの遅延時間が正しければ、遅延回路13の入力側のクロックの位相と出力側のクロックの位相とは、インバータ13aが14段接続されているのでクロック1周期分だけずれて一致するはずである。これらクロックCLKが一致せずに、ずれたときには、そのずれ分は、主として遅延回路13のインバータ13aの特性のばらつきに起因している。
そこで、入力側の外部クロックCLKと出力側の外部クロックCLKとの位相を比較して比較結果に応じて位相のずれ分を補正するための電圧Vpをボルテージフォロア15aに発生させる。このボルテージフォロア15aの電圧Vpは、さらに合成回路17に加えられ、ボルテージフォロア15の電圧Vsと合成される。
【0015】
合成回路17は、ボルテージフォロア15aの電圧Vpとボルテージフォロア15の電圧Vsとを所定の比率、例えば、1:4の割合で合成して電源ライン13bに電圧Vの電力を発生する。
例えば、インバータ12a,13aの遅延時間k=T/2mが正規の状態において、ボルテージフォロア15aの出力電圧Vpが5Vであり、ボルテージフォロア15の出力電圧Vsが5Vであるとする。この場合、合成回路17は、V1=Vs×0.8=5.0V×0.8,V2=Vp×0.2=5.0V×0.2として、V=V1+V2=5.0Vを発生する。ここで、インバータ13aの特性上の相違から入力された外部クロックCLKと出力されたクロックCLKの位相を一致させる電圧VsがVs=6.0Vのときには、V2=Vp×0.2=6.0V×0.2=1.2Vとなり、V=V1+V2=5.2Vとして5.2Vの電圧を発生する。これによりインバータ素子の動作遅延時間のばらつきを吸収することができる。
ここでの比率1:4は、リングオシレータ12の電源ライン14の電圧Vsを基準として、遅延回路13側の特性調整分の電圧を電源ライン14の電圧Vsに対して2割程度のものとしたことによる。
【0016】
このように、比率を1:4とするのは、ボルテージフォロア15aで発生する電圧の調整範囲をクロックCLKの1周期分の比較結果の範囲に制限するためでもある。ここでの調整は、インバータの特性ばらつきを吸収する範囲の微調整ができればそれで足りるので、前記の比率の制限を加えることで、万が一2周期目、3周期目の出力クロックCLKと入力側の外部クロックCLKとの位相が比較されていたときに、高い電圧あるいは低い電圧が発生してもリングオシレータ12の電源ライン14の電圧Vpに対してこれからあまり離れない制御電圧Vをインバータ13aの電源ライン13bの電圧として発生させるためである。
【0017】
以上説明したきたが、実施例では、リングオシレータ、遅延回路を構成する遅延素子をインバータとしているが、このインバータには、差動増幅器、オペアンプ等を反転アンプとして利用する場合も含むものである。
実施例では、クロックに対して7倍速でデータを転送する場合を説明しているが、高速伝送の速度は、2倍か、これ以上の速度であってよいことはもちろんである。
【0018】
【発明の効果】
以上説明してきたが、この発明にあっては、リングオシレータと同一構成で実質的に2倍の接続段数のインバータの遅延回路を設けて、各インバータの遅延時間を実質的に等しく制御し、外部クロックCLKと同じ基準周波数の発振をリングオシレータにさせておき、実際のサンプリングクロックは、そのときどきの外部クロックCLKを受けてこれのジッタに合わせて遅延回路で外部クロックCLKに同期させた遅延クロックを得て、サンプリングクロックとする。
その結果、外部クロックCLKにジッタ等があってもデータ受信装置のパラレル/シリアル変換処理におけるデータのミスサンプリングが発生し難くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明のサンプリングクロック発生回路を適用した一実施例の液晶表示装置を中心としたブロック図である。
【図2】図2は、そのサンプリングクロックの波形図である。
【図3】図3は、この発明のサンプリングクロック発生回路を適用した他の実施例の液晶表示装置を中心としたブロック図である。
【図4】図4は、従来のn倍(n=7)のサンプリングクロック発生回路の液晶表示装置を中心としたブロック図である。
【図5】図5は、図4のサンプリングクロック発生回路におけるサンプリングクロックの波形図である。
【符号の説明】
1,11…サンプリングクロック発生回路、2…位相比較回路、
3…チャージポンプ回路、4…ローパスフィルタ(LPF)、
5,12…リングオシレータ、6…パラレルシリアル回路、
7…データ受信回路、8…コントローラ、9…送信回路、
10…伝送ライン、12a,13a…インバータ、
13…遅延回路、14…ボルテージフォロア、
15…電力供給ライン。
Claims (11)
- 第1の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第1のインバータがm個(mは3か、これ以上の奇数値)従属接続されたこれら第1のインバータを有するリングオシレータと、第2の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第2のインバータが2m個あるいは2m−1個従属接続されたこれら第2のインバータを有し外部からのクロックを受けてこのクロックを遅延させたクロックを前記第2のインバータから出力する遅延回路と、
前記リングオシレータを電圧制御発振回路として前記第1の電力受給ラインの電圧をPLLループにより制御することで前記リングオシレータの発振周波数を制御するPLL回路とを備え、前記第2の電力受給ラインの電圧を前記第1の電力受給ラインの電圧と実質的に等しくなるように設定して前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックをサンプリングクロックとすることを特徴とするサンプリングクロック発生回路。 - 前記第1の電力受給ラインと前記第2の電力受給ラインとが直接接続されて前記実質的に等しい電圧に設定され、前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックは、シリアルに伝送されたデータをパラレルに出力するために使用される請求項1記載のサンプリングクロック発生回路。
- 前記リングオシレータは、前記外部クロックの周期と実質的に等しい周期のパルスを発生して発振するものであり、前記PLL回路は、前記外部クロックを受けて前記パルスと位相比較する位相比較回路を有する請求項2記載のサンプリングクロック発生回路。
- 前記外部クロックは、前記シリアルに伝送されたデータとは別のラインでこのデータとともに伝送されたクロックであり、前記データは、前記伝送されたクロックに対してn倍(nは2か、これ以上の整数)の周波数でn個単位にシリアルに伝送される請求項3記載のサンプリングクロック発生回路。
- mは、7であり、前記外部クロックは、コンピュータから前記データとともにシリアルに送出される請求項4記載のサンプリングクロック発生回路。
- 第1の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第1のインバータがm個(mは3か、これ以上の奇数値)従属接続されたこれら第1のインバータを有するリングオシレータと、第2の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第2のインバータが2m個あるいは2m−1個従属接続されたこれら第2のインバータを有し外部からのクロックを受けてこのクロックを遅延させたクロックを前記第2のインバータから出力する遅延回路と、前記リングオシレータを電圧制御発振回路として前記第1の電力受給ラインの電圧をPLLループにより制御することで前記リングオシレータの発振周波数を制御する第1のPLL回路と、前記外部クロックと前記遅延回路から出力されたクロックを位相比較して前記遅延回路の前記インバータから出力されるクロックの位相をロックする所定の制御電圧を発生する第2のPLL回路と、前記第1の電力受給ラインの電圧と前記所定の制御電圧とに基づいて前記第2の電力受給ラインの電圧を設定する電圧設定回路とを備え、前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックをサンプリングクロックとすることを特徴とするサンプリングクロック発生回路。
- 前記リングオシレータは、前記外部クロックの周期と実質的に等しい周期のパルスを発生して発振するものであり、前記PLL回路は、前記外部クロックを受けて前記パルスと位相比較する位相比較回路を有する請求項6記載のサンプリングクロック発生回路。
- 前記外部クロックは、前記シリアルに伝送されたデータとは別のラインでこのデータとともに伝送されたクロックであり、前記データは、前記伝送されたクロックに対してn倍(nは2か、これ以上の整数)の周波数でn個単位にシリアルに伝送される請求項7記載のサンプリングクロック発生回路。
- 第1の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第1のインバータがm個(mは3か、これ以上の奇数値)従属接続されたこれら第1のインバータを有するリングオシレータと、第2の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第2のインバータが2m個あるいは2m−1個従属接続されたこれら第2のインバータを有し外部からのクロックを受けてこのクロックを遅延させたクロックを前記第2のインバータから出力する遅延回路と、前記リングオシレータを電圧制御発振回路として前記第1の電力受給ラインの電圧をPLLループにより制御することで前記リングオシレータの発振周波数を制御するPLL回路と、伝送されたシリアルデータをn個単位でパラレルに変換するシリアル/パラレル変換回路とを備え、前記第2の電力受給ラインの電圧を前記第1の電力受給ラインの電圧と実質的に等しくなるように設定して前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックを前記シリアル/パラレル変換回路が受けることを特徴とするデータ受信装置。
- 第1の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第1のインバータがm個(mは3か、これ以上の奇数値)従属接続されたこれら第1のインバータを有するリングオシレータと、第2の電力受給ラインに接続されこれから電力供給を受けて動作する第2のインバータが2m個あるいは2m−1個従属接続されたこれら第2のインバータを有し外部からのクロックを受けてこのクロックを遅延させたクロックを前記第2のインバータから出力する遅延回路と、前記リングオシレータを電圧制御発振回路として前記第1の電力受給ラインの電圧をPLLループにより制御することで前記リングオシレータの発振周波数を制御する第1のPLL回路と、前記外部クロックと前記遅延回路から出力されたクロックを位相比較して前記遅延回路の前記インバータから出力されるクロックをロックする所定の制御電圧を発生する第2のPLL回路と、前記第1の電力受給ラインの電圧と前記制御電圧とに基づいて前記第2の電力受給ラインの電圧を設定する電圧設定回路と、伝送されたシリアルデータをn個単位でパラレルに変換するシリアル/パラレル変換回路とを備え、前記第1の電力受給ラインの電圧と前記第2の電力受給ラインの電圧を実質的に等しく設定して前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックを前記シリアル/パラレル変換回路が受けることを特徴とするデータ受信装置。
- 前記第1の電力受給ラインと前記第2の電力受給ラインとが直接接続されて前記実質的に等しい電圧に設定され、前記第2のインバータから得られる遅延させたクロックは、シリアルに伝送されたデータをパラレルに出力するために使用される請求項10記載のサンプリングクロック発生回路。
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