JP3740847B2 - 半導体装置の製造方法およびフォトマスクの位置合わせ方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびフォトマスクの位置合わせ方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトエッチング工程における半導体基板とフォトマスクとの位置合わせを容易かつ迅速にすると共に、部分エッチング工程における半導体基板の不要なエッチングを防止した半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の従来の半導体装置の製造方法およびフォトマスクの位置合わせ方法として、特開平9−153603号公報に開示されている発明がある。この発明は、SOI基板を構成する下部シリコン層の中央部に酸化膜パターンを形成し、またその周辺部の複数箇所に位置合わせ用パターンを形成する。この下部シリコン層の上面に、前記位置合わせ用パターンの領域を除いて、SOI基板を構成する上部シリコン層を接合する。
【0003】
ついで、SOI基板の上部シリコン層を薄く研磨およびエッチングしてデバイスの形成される活性層となる薄膜上部シリコン層に加工する。
【0004】
一方、石英基板よりなるフォトマスクの中央部にデバイス用マスクパターンを形成し、またその周辺部の複数箇所に位置合わせ用マスクパターンを形成する。そして、露光工程において、SOI基板の上面にフォトレジストを塗布し、このSOI基板の上側にフォトマスクを配置して、可視光を用いて下部シリコン層の位置合わせ用パターンとフォトマスクの位置合わせ用マスクパターンとの位置合わせを行うものである。
【0005】
また、SOI基板の位置合わせ用パターンが下部シリコン層と薄膜上部シリコン層との接合面部に埋設されている場合には、露光工程において、SOI基板の上面にフォトレジストを塗布し、このSOI基板の上側にフォトマスクを配置し、SOI基板の下方からこのSOI基板を透過する赤外線を照射し、フォトマスクの上方から赤外線顕微鏡で覗いて、SOI基板の位置合わせ用パターンとフォトマスクの位置合わせ用マスクパターンとの位置合わせを行うものである。
【0006】
また、従来の半導体装置の製造方法として、特開平5−41513号公報に開示された発明がある。この発明は、半導体基板の表面に形成された電極に、半導体基板の裏面からバイヤホールを形成するものである。まず、半導体基板の表面に切削パターンを兼ねる位置合わせ用パターンを形成する。また、フォトマスクにバイヤホール用のパターンと位置合わせ用パターンとを形成する。このフォトマスクを用いて半導体基板の裏面に形成したレジストを露光し、かつ現像してレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして、半導体基板をエッチングして基板表面の電極に達するバイヤホール用の孔を形成する。このとき、レジストマスクに形成された位置合わせ用パターンは、バイヤホール用パターンに比べて幅が小さいので、半導体基板を貫通エッチングするには至らず、したがって、エッチングガスが基板表面に回って素子電極が損傷することを防止することができるというものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法およびフォトマスクの位置合わせ方法においては、可視光を用いるにせよ、赤外線を用いるにせよ、フォトマスクに形成した位置合わせ用マスクパターンの面積が狭すぎて、半導体基板に形成した位置合わせ用パターンを探し出すのに時間がかかっていた。また、半導体装置の高集積化が進むと、この位置合わせ用マスクパターンはさらに縮小化するので、位置合わせ用パターンを探し出すことはより困難になる。
【0008】
また、従来の半導体装置の製造方法において、位置合わせ用パターンを探し出す時間を短縮するために、フォトマスクに形成した位置合わせ用マスクパターンの面積を大きくすると、部分エッチング工程において半導体基板が貫通エッチングされて貫通孔ができ、この貫通孔を通り抜けたエッチングガスにより素子電極が損傷を受けるという問題があった。
【0009】
そこで、本発明は、位置合わせ用の開口マークより大きな覗き窓をフォトマスクに設けることにより、半導体基板に形成した位置合わせ用の基準マークを容易かつ迅速に探し出すことができるとともに、部分エッチング工程におけるエッチングの弊害を防止した半導体装置の製造方法およびフォトマスクの位置合わせ方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、エッチング用のフォトマスク(7)に、位置合わせ用の開口マーク(9)と該開口マーク(9)よりも大きい覗き窓(10)を形成する工程と、半導体基板(1)に位置合わせ用の基準マーク(4)と前記覗き窓(10)よりも大きな面積のエッチングストップ層(3)とを形成する工程と、前記覗き窓(10)を通して前記基準マーク(4)を探し出し、該基準マーク(4)と前記開口マーク(9)との位置合わせを行うと共に、前記覗き窓(10)を前記エッチングストップ層(3)に向かい合わせる工程とを含み、前記フォトマスク(7)を使用した被エッチング層(5、6、11)の部分エッチングに際し、前記覗き窓(10)に相当する部分のエッチングを前記エッチングストップ層(3)で停止させるものである。。
【0011】
この発明は、半導体基板に、例えばFET(Field Effect Transistor )、MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit )などの素子を形成する。また、半導体基板の素子形成領域以外の領域に、位置合わせ用の基準マークとエッチングストップ層とを形成する。一方、フォトマスクには、素子形成用パターン以外に、基準マークを探し出すための覗き窓と該基準マークに位置合わせをする開口マークとを形成する。露光装置のステージに半導体基板とフォトマスクとをセットし、ステージを移動ないし回転させてこれらの位置合わせを行う。この位置合わせは、可視光または赤外線を用い、フォトマスクに形成した覗き窓を通して半導体基板上の基準マークを探し出すことにより行われる。この覗き窓は、上記のように、素子形成領域以外の領域に形成されて開口マークより大きな面積を有しているので視野が広く、基準マークを容易かつ迅速に探し出すことができる。
【0012】
また、例えば、ポジ型フォトマスクを使用して被エッチング層を部分エッチングする場合、被エッチング層にはフォトマスクの覗き窓に対応する大きな開口部が形成される。この被エッチング層のエッチングによる開口部は、フォトマスクの覗き窓が大きければ大きいほど、エッチングレートが高くなり、それに伴って大きくなる。そのため、このような開口部のエッチングが望ましくない場合には、前述のように、フォトマスクの覗き窓に対応する半導体基板の表面に、エッチングの進行を抑制するために、覗き窓よりやや大きいエッチングストップ層を設ける。これにより、被エッチング層の部分エッチング工程において、または、後続の工程において半導体基板が不必要にエッチングされたり、汚染されたり、或いは素子が損傷を受けることを防止することができる。このエッチングストップ層は、被エッチング層のエッチングに際し、エッチングされない、またはエッチングレートの低い材料で形成される。
【0013】
請求項2に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、前記被エッチング層が、絶縁膜(5)であることを特徴とするものである。
【0014】
この発明は、被エッチング層がパッシベーション膜などの絶縁膜よりなるので、この絶縁膜下の、例えば、素子に至るバイヤホールを該絶縁膜に形成することができる。この場合、エッチングストップ層は、絶縁膜のエッチングのとき、或いは後続の工程で半導体基板が不必要にエツチングされたり、汚染されるのを防止する。
【0015】
請求項3に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、前記被エッチング層が、フォトレジスト(6、11)であることを特徴とするものである。
【0016】
この発明は、被エッチング層がフォトレジストよりなるので、このフォトレジスト下の、例えば、素子に至るバイヤホールを該フォトレジストに形成することができる。この場合、エッチングストップ層は、フォトレジストの現像液で半導体基板がエッチング或いは汚染されることを防止する。
【0017】
請求項4に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、前記被エッチング層が、絶縁膜(5)と、この絶縁膜(5)の上に形成されたフォトレジスト(6)よりなることを特徴とするものである。
【0018】
この発明は、被エッチング層が絶縁層とフォトレジストよりなるので、この絶縁層とフォトレジストの下の、例えば、素子に至るバイヤホールを該絶縁層とフォトレジストに形成することができる。この場合、フォトレジストを形成することになるが、フォトレジストには覗き窓に対応する大きな開口が形成される。したがって、絶縁膜のエッチングに際し大きな開口が形成されて半導体基板が不必要にエッチングされ或いは汚染される虞れがあるが、これらの懸念はエッチングストップ層によりなくなる。
【0019】
請求項5に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、フォトマスク(71)に位置合わせ用の開口マーク(9)と該開口マーク(9)よりも大きい覗き窓(10)と部分エッチング用の光透過窓(8)とを形成する工程と、半導体基板(1、1a、1b)の第1の主面に素子(2)と位置合わせ用の基準マーク(4)とを形成すると共に、前記半導体基板(1、1a、1b)の第1の主面または第2の主面に、前記覗き窓(10)よりも大きな面積のエッチングストップ層(3、3a)を形成する工程と、前記フォトマスク(71)を前記半導体基板(1、1a、1b)に対向して配置し、半導体透過光を用いて前記覗き窓(10)を通して前記基準マーク(4)を探し出して、該基準マーク(4)と前記開口マーク(9)の位置合わせを行うと共に、前記覗き窓(10)を前記エッチングストップ層(3、3a)に向かい合わせる工程と、半導体基板(1、1a、1b)をエッチングして半導体基板(1、1a、1b)にバイヤホール(8e、8f)を形成すると共に、前記エッチングストップ層(3、3a)により前記半導体基板(1、1a、1b)が貫通エッチングされて、第1主面側と第2主面側とが連通することを防止する工程と、を含むものである。
【0020】
この発明は、半導体基板の第1の主面または第2の主面にエッチングストップ層を設ける。このエッチングストップ層は、使用するエッチングガスに対し、エッチングレートが低い材料で形成される。半導体基板の第1の主面にエッチングストップ層を設けて第2の主面側から、半導体基板に部分エッチングを施して、半導体基板の第1の主面に形成した素子に達するバイヤホールを形成する。この部分エッチングにより、レジストマスクの開口部(フォトマスクの覗き窓)に対応する半導体基板もエッチングされるが、第1の主面のその対応する領域にはエッチングストップ層が設けられているので、半導体基板は貫通エッチングされても、エッチングストップ層に塞がれて、その表裏がオープン、即ち連通することはない。このため、エッチングガスが表面側に回り込んで、素子などに損傷を与えることを防止することができる。
【0021】
また、エッチングストップ層を半導体基板の第2の主面に設けて、半導体基板を第2の主面(被エッチング面)側から部分エッチングして、半導体基板の第1の主面に形成した素子に達するバイヤホールを形成する。この場合は、半導体基板はエッチングストップ層に防御されてエッチングされないので、半導体基板は貫通エッチングされることはなく、第1の主面に形成した素子にエッチングによる損傷を与えることはない。
【0022】
請求項6に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、前記フォトマスク(71)の覗き窓(10)の面内に角度合わせ用の角度マーク(12)を形成し、該角度マーク(12)と前記基準マーク(4)とにより半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)との角度を調整することを特徴とするものである。この発明は、まず角度マークを形成したフォトマスクの覗き窓を通して、半導体基板に形成した基準マークを探し出す。つぎに半導体基板とフォトマスクとを相対的に回転移動させて、覗き窓の面内に形成した角度マークと基準マークとを合わせ、半導体基板とフォトマスクの角度を合わせる。そして半導体基板とフォトマスクとを相対的に移動させて、基準マーク(半導体基板)と開口マーク(フォトマスク)とを合わせることで、半導体基板とフォトマスクの正確な位置合わせを行う。
【0023】
請求項7に記載のフォトマスクの位置合わせ方法に係る発明は、位置合わせ用の基準マーク(4)とエッチングストップ層(3、3a)とが形成された半導体基板(1、1a、1b)と、位置合わせ用の開口マーク(9)と角度合わせ用の角度マーク(12)を有する覗き窓(10)とが形成されたフォトマスク(71)とを用い、覗き窓(10)を通して基準マーク(4)を探し出し、ついで半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)とを相対的に回転移動して角度マーク(12)と基準マーク(4)とを合わせ、その後半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)とを相対的に移動して基準マーク(4)と開口マーク(9)との位置合わせを行い、この状態でエッチングストップ層(3、3a)と覗き窓(10)とが向き合うようにしたものである。
【0024】
この発明は、フォトマスクに形成した覗き窓を通して、半導体基板に形成した基準マークを探し出す。つぎに、半導体基板とフォトマスクとを相対的に回転移動させて、覗き窓の面内に形成した角度マークと基準マークとを合わせ、半導体基板とフォトマスクの角度を合わせる。そして、半導体基板とフォトマスクとを相対的に移動させて、基準マーク(半導体基板)と開口マーク(フォトマスク)とを合わせることで、半導体基板とフォトマスクの正確な位置合わせを行う。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の第1実施例について図1〜図9を参照して説明する。
【0026】
図1および図2において、1はシリコン(Si)、ガリウム・ヒソ(GaAs)等からなる半導体基板で、その上面には、例えば、FET(Field Effect Transistor )、MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit )等の素子電極2、矩形状のエッチングストップ層3および位置合わせ用基準マーク4が、金(Au)、チタン(TI)などの金属で形成されている。
【0027】
前記エッチングストップ層3は、後述のフォトマスクの覗き窓と相似形状をしており、この覗き窓よりやや大きな形状をしている。
【0028】
また、前記位置合わせ用基準マーク4は、一辺が数μmの4個の正方形マーク4aよりなる。これらの4個の正方形マーク4aは、半導体基板1と平行な4辺をそれぞれ有し、点対称となるように離間して幾何学的に配置される。
【0029】
素子電極2およびエッチングストップ層3を含み、半導体基板1の上には、被エッチング層としての酸化シリコンなどの絶縁膜5が真空薄膜形成法などにより設けられる。本実施例は、この素子電極2に達するバイヤホールを部分エッチング(パターニング作業を必要とするエッチング)により被エッチング層としての絶縁膜5に形成するものである。
【0030】
また、基準マーク4を含む絶縁膜5の上には、被エッチング層としての透明なポジ型フォトレジスト6が設けられる。
【0031】
図3および図4において、7はポジ型フォトマスクで、石英ガラス基板7aの表面に設けたクロム(Cr)膜7bにより、透明なマスクパターン、即ち、部分エッチング用の光透過窓8、4個の正方形マーク9aよりなる位置合わせ用の開口マーク9および覗き窓10が形成される。
【0032】
前記光透過窓8は、フォトマスク7が半導体基板1と一緒に露光装置にセットされて位置合わせされたとき、半導体基板1に形成された素子電極2に対応する部位に形成される。そして、この光透過窓8は、後述するように、ポジ型フォトレジスト6に開口を形成して、この開口を通して絶縁膜5を部分的にエッチングして、図9に示すように、素子電極2に達するバイヤホール8bを形成するものである。
【0033】
また、前記開口マーク9は、半導体基板1の基準マーク4に対応している。そして、開口マーク9を構成する4個の正方形マーク9aは、基準マーク4を構成する正方形マーク4aと同様に、点対称に離間して幾何学的に配置されている。そして、正方形マーク9aは正方形マーク4aよりやや大きな相似形状をしており、その内側に正方形マーク4aがそれぞれ均等に内包される。
【0034】
さらに、前記覗き窓10は、半導体基板1のエッチングストップ層3に対応しており、エッチングストップ層3よりやや小さい相似形状をしており、開口マーク9より大きい形状にして半導体基板1の位置合わせ用の基準マーク4を迅速に探し出すことができるようになっている。
【0035】
つぎに、図5において、図1、図2に示す半導体基板1と図2、図3に示すフォトマスク7とを図示しない露光装置のステージに、フォトマスク7を上側にしてセットする。この場合、半導体基板1に形成したフォトレジスト6とフォトマスク7に形成したマスクパターン面をそれぞれ向き合わせて配置する。
【0036】
つぎに、図6、図7を参照して半導体基板1とフォトマスク7との可視光を用いた位置合わせについて説明する。なお、下側に配置されている半導体基板1はフォトマスク7と識別を容易にするために、破線で示すことにする。
【0037】
図6において、露光装置のステージにセットしたとき、半導体基板1とフォトマスク7との位置関係が、図6に示すように、ずれた状態にあったとする。
【0038】
この状態で、フォトマスク7の覗き窓10から半導体基板1の表面側を覗いて、ステージ(半導体基板1)を動かしながら、半導体基板1上の位置合わせ用の基準マーク4を探し出す。そして、破線矢印で示すように、ステージ(半導体基板1)を動かして、図7に示すように、フォトマスク7の開口マーク9の正方形マーク9aの中に半導体基板1の基準マーク4の正方形マーク4aを均等に位置合わせをする。そして、この位置合わせにより、エッチングストップ層3と覗き窓10は向き合うことになる。
【0039】
このように、半導体基板1とフォトマスク7が位置合わせを完了すると、その後、フォトレジスト6を露光および現像して、図8に示すように、フォトマスク7に対応するレジストマスク6aを形成する。このレジストマスク6aのうち、8aは光透過窓8に対応するレジストマスクパターン、10aは覗き窓10に対応するレジストマスクパターンである。
【0040】
つぎに、図9に示すように、レジストマスク6aを用い、4フッ化炭素ガス(CF4)を使用したRIE(Reactive Ion Etching)により、絶縁膜(酸化シリコン膜)5を部分エッチングして絶縁膜パターン5aとなし、素子電極2に達するバイヤホール8bを形成する。このとき、レジストマスクパターン10aの下部の絶縁膜5もエッチングされて、エッチング開口10bが形成されるが、このエッチング開口10bの下部の半導体基板1の上には、エッチングストップ層3が設けられているので、半導体基板1はこのエッチングストップ層3に保護されてエッチングによる損傷を受けることがない。その後、不要になったレジストマスク6aは除去される。以上の工程によりバイヤホール8bを有する半導体装置を製造する。
【0041】
なお、上記実施例においては、被エッチング層として、パッシベーション膜などよりなる絶縁膜5を示したが、この被エッチング層は、図10に示すように、素子電極2などの上に形成したフォトレジスト11であってもよい。このフォトレジスト11は、図6および図7に示す露光工程をへて露光され、その後、図11に示すように、部分エッチングされる。この部分エッチングにより素子電極2に達するバイヤホール8cを形成する。
【0042】
このとき、図3の覗き窓10に対応するフォトレジスト11の部分もエッチングされて、エッチング開口10cが形成されるが、このエッチング開口10c部分には、エッチングストップ層3が設けられているので、半導体基板1はこのエッチングストップ層3に保護されてエッチングによる損傷を受けることがない。つぎに、本発明の半導体装置の製造方法の第2実施例について図12〜図17を参照して説明する。
図12において、71はポジ型フォトマスクで、図3および図4に示すフォトマスク7の覗き窓10の面内に角度マークとしてクロス十字12をクロム(Cr)により形成したものである。その他の形状は図3および図4に示すフォトマスク7と同様である。
【0043】
図13において、図12に示すフォトマスク71と図1および図2に示す半導体基板1とを図示しない露光装置のステージに、フォトマスク71を上側にしてセットする。この場合、半導体基板1に形成したフォトレジスト6とフォトマスク71に形成したマスクパターン面をそれぞれ向き合わせて配置する。
【0044】
つぎに、図14〜図17を参照して半導体基板1とフォトマスク71との可視光を用いた位置合わせ方法の実施例について説明する。なお、下側にセットされている半導体基板1は、上側にセットされているフォトマスク71と識別を容易にするために、破線で示すことにする。
【0045】
図14において、露光装置のステージにフォトマスク71をセットしたとき、半導体基板1とフォトマスク71との位置関係が、図14に示すように、ずれた状態にあったとする。この状態で、フォトマスク71の覗き窓10から半導体基板1の表面側を覗いて、ステージ(半導体基板1)を移動ないし回転させながら、半導体基板1上の位置合わせ用の基準マーク4を探し出す。そして、基準マーク4を、破線矢印で示すように、クロス十字12の十字クロス点付近に移動させる。
【0046】
つぎに、図15において、半導体基板1をステージの回転機構により破線矢印で示す方向に回転させる。そして、図16に示すように、クロス十字12により4つに分割された90°角の空間領域に、基準マーク4の4つの正方形マーク4aを移動させる。ついで、点対称に離間している4個の正方形マーク4aの対称点がクロス十字12の十字クロス点に合い、かつ、4個の正方形マーク4aがクロス十字12の横線と縦線に線対称となるように、正方形マーク4a(半導体基板1)とクロス十字12(フォトマスク71)とを正確に合わせる。この結果、半導体基板1とフォトマスク71の角度が合わせられる。
【0047】
そして、半導体基板1を破線矢印で示す方向に平行移動して、図17に示すように、半導体基板1の基準マーク4とフォトマスク71の開口マーク9とが互いに重なるように位置合わせをする。この位置合わせは、基準マーク4の4個の正方形マーク4aを開口マーク9の4個の正方形マーク9aの中に均等に内包させることにより行われる。この位置合わせにより、半導体基板1に形成したエッチングストップ層3とフォトマスク71に形成した覗き窓10は向き合うようになる。これにより、半導体基板1とフォトマスク71との位置合わせが完了する。このように、本実施例のフォトマスクの位置合わせ方法により、半導体基板1とフォトマスク71が位置合わせを完了すると、その後、フォトレジスト6を露光および現像して、図8に示すように、レジストマスクパターン8a、10aを有し、フォトマスク71に対応するレジストマスク6aを形成する。なお、6bはクロス十字12に対応するレジストマスクの部分である。
【0048】
つぎに、図9において、第1実施例と同様に、レジストマスク6aを用い、4フッ化炭素ガス(CF4)を使用したRIE(Reactive Ion Etching)により、絶縁膜5(酸化シリコン膜)を部分エッチングして、素子電極2に達するバイヤホール8bを形成する。
【0049】
このとき、レジストマスクパターン10aの下部の絶縁膜5もエッチングされて、エッチング開口10bが形成されるが、このエッチング開口10bの下部の半導体基板1の上には、エッチングストップ層3が設けられているので、半導体基板1はこのエッチングストップ層3に保護されてエッチングによる損傷を受けることがない。その後、不要になったレジストマスク6aは除去される。以上の工程によりバイヤホール8bを有する半導体装置を製造する。
【0050】
つぎに、本発明の半導体装置の製造方法の第3実施例について図18〜図21を参照して説明する。この第3実施例は、前記実施例に係るフォトマスクの位置合わせを赤外線露光法を用いて行い、半導体基板の表面に形成した素子に達するバイヤホールを半導体基板にその裏面から開けて半導体装置を製造するものである。
【0051】
図18において、1aは半導体基板で、図1および図2に示す半導体基板1の表面に形成されている絶縁膜5とポジ型フォトレジスト6との代わりに、半導体基板1aの裏面にポジ型フォトレジスト13を形成したものである。そして、素子電極2、エッチングストップ層3および位置合わせ用基準マーク4は、半導体基板1aの表面に形成されている。また、71はポジ型フォトマスクで、図12および図13に示すポジ型フォトマスク71と同一のものである。
【0052】
これらの半導体基板1aとフォトマスク71とは、フォトマスク71を上側にして図示しない露光装置のステージにセットされる。この場合、半導体基板1aに形成したフォトレジスト13とフォトマスク71に形成したマスクパターン面をそれぞれ向き合わせて配置する。
【0053】
そして、半導体基板1aとフォトマスク71との位置合わせは、図14〜図17において、フォトマスクの位置合わせ方法の実施例として説明したところと同様である。ただ、前記実施例においては、可視光を使用したが、本実施例においては赤外線を用いる点が異なる。本実施例においては、半導体基板1aの下方から赤外線を照射して、半導体基板1aを透過する赤外線像をフォトマスク71の上側から図示しない赤外線顕微鏡で見て、半導体基板1aとフォトマスク71との角度合わせ及び位置合わせを行う。したがって、角度合わせ及び位置合わせの詳細は前記説明を援用する。
【0054】
このようにして、半導体基板1aとフォトマスク71とが位置合わせを完了すると、その後、フォトレジスト13を露光および現像して、図19に示すように、フォトマスク71に対応するレジストマスク13aを形成する。このレジストマスク13aのうち、8dは光透過窓8に対応するレジストマスクパターン、10dは覗き窓10に対応するレジストマスクパターン、また12aはクロス十字12に対応するレジストマスクの部分、また9bは開口マーク9に対応するレジストマスクパターンである。
【0055】
つぎに、図20に示すように、レジストマスク13aを用いて、半導体基板(GaAs)1aを、例えば塩素系ガスを使用したRIE(反応性イオンエッチング)により部分エッチングする。この部分エッチングにより、半導体基板1aは貫通して素子電極2に達するバイヤホール8eが形成される。
【0056】
また、この部分エッチングにより、レジストマスクパターン10dの下部の半導体基板1aにも貫通孔10eが形成されるが、この貫通孔10eはエッチングストップ層3に塞がれて、半導体基板1aの表面側と裏面側とが連通することが防止される。これにより、エッチングガスが半導体基板1aの裏面側から表面側に回り込むことがなく、表面側に形成している素子電極2などの損傷を防止することができる。
【0057】
また、この部分エッチングにより、レジストマスクパターン9bの下部の半導体基板1aにも貫通孔9cが形成されるが、この貫通孔9cは基準マーク4により塞がれる。
【0058】
つぎに、図21において、不要になったレジストマスク13a(12a)は除去される。以上の工程により、バイヤホール8eを有する半導体装置を製造する。
【0059】
つぎに、本発明の半導体装置の製造方法の第4実施例について図22および図23を参照して説明する。この第4実施例は、第3実施例(図18〜図21)に対し、エッチングストップ層3aを半導体基板1bの裏面、即ち被エッチング面に設けた点が異なり、それにより半導体基板1bのエッチング後の形状が異なる。エッチングストップ層3aは、エッチングストップ層3と同様に、覗き窓10よりやや大きい面積を有している。第3実施例と同様に、半導体基板1bとフォトマスク71との角度合わせ及び位置合わせを行う。
【0060】
そして、フォトレジスト14を露光および現像してレジストマスクを作り、このレジストマスクを用いて、半導体基板1bをその裏面側から部分エッチングし、不要となったレジストマスクを除去して、図23に示すように、バイヤホール8fを有する半導体装置を製造する。
【0061】
この実施例によると、エッチングストップ層3aがエッチングガスに耐蝕性があるので、半導体基板1bのエッチングによる損傷ないし貫通が防止される。
【0062】
なお、上記実施例において、位置合わせ用の基準マーク4と位置合わせ用の開口マーク9とは対を成しているが、これらと同様のもう一対を、位置合わせ精度を向上させるために、半導体基板(ウエハー)とフォトマスクの別の場所に設けてもよい。
【0063】
【発明の効果】
請求項1〜4に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、フォトマスクに位置決め用の開口マークより大きな視野の広い覗き窓を設けて、半導体基板に設けた位置決め用の基準マークを可視光を用いて容易かつ迅速に探し出すことができるので、露光工程における半導体基板とフォトマスクとの位置合わせ作業が簡略化され且つ時間が短縮されて、露光工程の生産性を向上させることができる。
【0064】
また、これらの発明は、フォトマスクの覗き窓に対応する半導体基板の領域にエッチングストップ層を設けているので、部分エッチング工程において半導体基板がエッチングストップ層に保護されて損傷を受けることはない。
【0065】
また、これらの発明は、覗き窓を素子形成領域以外の領域に形成するので、素子形成領域の素子の大きさに関わりなく適用できるため、素子の高集積化を図ることができる。
【0066】
請求項5に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、請求項1に記載の発明が可視光を用いて半導体基板とフォトマスクとの位置あわせを行うのに対し、赤外線を用いて行うことが請求項1に記載の発明と相違するが、露光工程における効果は、請求項1に記載の発明と略同様の効果を有する。
【0067】
また、この発明は、半導体基板の被エッチング面の反対面にエッチングストップ層を設けた場合には、該エッチングストップ層の領域の半導体基板は貫通エッチングされるが、該エッチングストップ層は貫通孔を塞いで、エッチングガスが素子の形成面側に回り込むのを防止することができる。
【0068】
また、この発明は、半導体基板の被エッチング面にエッチングストップ層を設けた場合には、半導体基板はエッチングストップ層に保護されてエッチングによる損傷を受けることがない。
【0069】
請求項6に記載の半導体装置の製造方法に係る発明は、大きな面積の覗き窓の面内に角度合わせ用の角度マークを形成しているので、この角度マーク(フォトマスク)と基準マーク(半導体基板)とを用いて、半導体基板とフォトマスクの角度を正確、容易かつ迅速に合わせることができる。
請求項7に記載のフォトマスクの位置合わせ方法に係る発明は、視野の広い覗き窓を通して基準マークを容易かつ迅速に探し出すことができ、角度マークと基準マークとを用いて半導体基板とフォトマスクの角度を迅速に合わせることができ、そして基準マークと開口マークにより半導体基板とフォトマスクの位置合わせを正確に行うことができて、露光工程における半導体基板とフォトマスクとの位置合わせ作業が簡略化され且つ時間が短縮されて、露光工程の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の製造方法の第1実施例を示すもので、素子、エッチングストップ層および位置合わせ用基準マークの形成された半導体基板の平面図
【図2】 図1のX−X線断面形態図
【図3】 光透過窓、覗き窓および角度合わせ用開口マークの形成されたフォトマスクの平面図
【図4】 図3のY−Y線断面形態図
【図5】 図1に示す半導体基板と図4に示すフォトマスクとを露光装置にセットした状態を示す断面形態図
【図6】 露光装置のステージを動かして半導体基板の位置合わせ用基準マークをフォトマスクの覗き窓から覗いて探し出した状態を示す平面図
【図7】 半導体基板の基準マークとフォトマスクの角度マークとの位置合わせを行った平面図
【図8】 レジストマスクを形成した半導体基板の断面形態図
【図9】 絶縁膜をエッチングしてバイヤホールを形成した半導体基板の断面形態図
【図10】 被エッチング層としてフォトレジストを用いた半導体基板の断面形態図
【図11】 図10に示すフォトレジストをエッチングしてバイヤホールを形成した半導体基板の断面形態図
【図12】 本発明の半導体装置の製造方法の第2実施例を示すもので、特に覗き窓の面内に角度合わせ用の角度マークを形成したフォトマスクの平面図
【図13】 図2に示す半導体基板と図12に示すフォトマスクとを露光装置にセットした状態を示す断面形態図
【図14】 本発明のフォトマスクの位置合わせ方法を示すもので、半導体基板の基準マークをフォトマスクの角度マークの領域まで移動させる平面形態図
【図15】 半導体基板を回動させて基準マークと角度マークとの角度を合わせる平面形態図
【図16】 半導体基板とフォトマスクとの角度を合わせた後、半導体基板を平行移動させる平面形態図
【図17】 半導体基板とフォトマスクとの位置合わせの完了した平面形態図
【図18】 本発明の半導体装置の製造方法の第3実施例を示すもので、半導体基板とフォトマスクとを露光装置にセットした状態を示す断面形態図
【図19】 レジストマスクの形成された半導体基板の断面形態図
【図20】 エッチングしてバイヤホールを形成した半導体基板の断面形態図
【図21】 不要なレジストマスクを除去した半導体基板の断面形態図
【図22】 本発明の半導体装置の製造方法の第4実施例を示すもので、半導体基板とフォトマスクとを露光装置にセットした状態を示す断面形態図
【図23】 バイヤホールを形成して不要なレジストマスクを除去した半導体基板の断面形態図
【符号の説明】
1、1a、1b 半導体基板
2 素子電極
3 エッチングストップ層
4 位置合わせ用基準マーク
4a、9a 正方形マーク
5 絶縁膜
5a 絶縁膜パターン
6 ポジ型フォトレジスト
6a、6b レジストマスク
7、71 ポジ型フォトマスク
7a 石英ガラス基板
7b クロム膜
8 部分エッチング用の光透過窓
8a、8d、9b、10a、10d レジストマスクパターン
8b、8c、8e、8f バイヤホール
9 位置合わせ用の開口マーク
9c、10e 貫通孔
10 覗き窓
10b、10c エッチング開口
11、13、14 ポジ型フォトレジスト
11a、12a、13a レジストマスク
12 クロス十字
Claims (7)
- エッチング用のフォトマスク(7)に、位置合わせ用の開口マーク(9)と該開口マーク(9)よりも大きい覗き窓(10)を形成する工程と、
半導体基板(1)に位置合わせ用の基準マーク(4)と前記覗き窓(10)よりも大きな面積のエッチングストップ層(3)とを形成する工程と、
前記覗き窓(10)を通して前記基準マーク(4)を探し出し、該基準マーク(4)と前記開口マーク(9)との位置合わせを行うと共に、前記覗き窓(10)を前記エッチングストップ層(3)に向かい合わせる工程とを含み、
前記フォトマスク(7)を使用した被エッチング層(5、6、11)の部分エッチングに際し、前記覗き窓(10)に相当する部分のエッチングを前記エッチングストップ層(3)で停止させる半導体装置の製造方法。 - 前記被エッチング層は、絶縁膜(5)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被エッチング層は、フォトレジスト(6、11)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被エッチング層は、絶縁膜(5)と、この絶縁膜(5)の上に形成されたフォトレジスト(6)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- フォトマスク(71)に位置合わせ用の開口マーク(9)と該開口マーク(9)よりも大きい覗き窓(10)と部分エッチング用の光透過窓(8)とを形成する工程と、
半導体基板(1、1a、1b)の第1の主面に素子電極(2)と位置合わせ用の基準マーク(4)とを形成すると共に、前記半導体基板(1、1a、1b)の第1の主面または第2の主面に、前記覗き窓(10)よりも大きな面積のエッチングストップ層(3、3a)を形成する工程と、
前記フォトマスク(71)を前記半導体基板(1、1a、1b)に対向して配置し、半導体透過光を用いて前記覗き窓(10)を通して前記基準マーク(4)を探し出して、該基準マーク(4)と前記開口マーク(9)の位置合わせを行うと共に、前記覗き窓(10)を前記エッチングストップ層(3、3a)に向かい合わせる工程と、
半導体基板(1、1a、1b)をエッチングして半導体基板(1、1a、1b)にバイヤホール(8e、8f)を形成すると共に、前記エッチングストップ層(3、3a)により前記半導体基板(1、1a、1b)が貫通エッチングされて、第1主面側と第2主面側とが連通することを防止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいづれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスク(71)の覗き窓(10)の面内に角度合わせ用の角度マーク(12)を形成し、該角度マーク(12)と前記基準マーク(4)とにより半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)との角度を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 位置合わせ用の基準マーク(4)とエッチングストップ層(3、3a)とが形成された半導体基板(1、1a、1b)と、位置合わせ用の開口マーク(9)と角度合わせ用の角度マーク(12)を有する覗き窓(10)とが形成されたフォトマスク(71)とを用い、覗き窓(10)を通して基準マーク(4)を探し出し、ついで半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)とを相対的に回転移動して角度マーク(12)と基準マーク(4)とを合わせ、その後半導体基板(1、1a、1b)とフォトマスク(71)とを相対的に移動して基準マーク(4)と開口マーク(9)との位置合わせを行い、この状態でエッチングストップ層(3、3a)と覗き窓(10)とが向き合うようにしたフォトマスクの位置合わせ方法。
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