JP3723148B2 - 発光素子及びこれを適用した発光デバイス装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高効率を達成可能な発光素子及びこれを適用した発光デバイス装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン半導体基板には論理素子、演算素子及びドライブ素子などを高い信頼性で高集積化でき、シリコンが安いために化合物半導体に比べてより安価で、高集積回路を実現しうる利点がある。したがって、大部分の集積回路はシリコン(Si)を基本材料として使用している。
【0003】
前記のようなシリコンが有する利点を十分に生かし、集積回路との製造工程上の互換性ある安価の光電子デバイスを具現するためにシリコンに基づいた発光素子を作ろうとする研究が進行しつつある。多孔性シリコン及びナノクリスタルシリコンは発光特性を有するのが実験的に確認され、これに関する研究が進行されている。
【0004】
図1はバルク型の単結晶シリコンの表面に形成された多孔性シリコン領域の断面及びその多孔性シリコン領域での価電子帯(valence band)と伝導帯(conduction band)との間のエネルギーバンドギャップを示す図である。
【0005】
多孔性シリコンは、バルク型のSiを、例えば、フッ酸(HF)が含まれた電解質溶液に入れ、そのバルク型Siの表面を電気化学的に陽極処理(anodic electrochemical dissolution)することによって製造されうる。
【0006】
バルク型シリコンをHF溶液に入れたままで陽極処理を行う時、そのバルク型シリコンの表面側には図1に示されたように、多数の孔1aを有する多孔性シリコン領域1が形成される。孔1a部分には膨出部(HFにより融解されない部分)1bに比べてSi−H結合がより多く存在する。多孔性シリコン領域1での価電子帯エネルギーEvと伝導帯エネルギーEcとのネルギーバンドギャップは多孔性シリコン領域1の形状と反対に現れる。
【0007】
したがって、エネルギーバンドギャップ図面で膨出部に取囲まれた窪み(多孔性シリコン領域1、図では孔1aに取囲まれた膨出部1b)は量子拘束効果(quantum confinement effect)を示してバルク型シリコンのエネルギーバンドギャップより大きくなり、この部分に電子とホールとがトラップされて発光結合を行う。
【0008】
例えば、多孔性シリコン領域1で、孔1aに取囲まれた膨出部1bを量子拘束効果を示す単結晶シリコンワイヤー状に形成すれば、電子とホールとはこのワイヤーにトラップされて発光結合をし、ワイヤーの大きさ(幅と長さ)によって発光波長は近赤外線から青色波長まで可能である。この際、孔1aの周期は図1に示したように、例えば約5nm、多孔性シリコン領域の最大厚さは、例えば約3nmである。
【0009】
したがって、多孔性シリコンに基づく発光素子を製造し、多孔性シリコン領域1が形成された単結晶シリコンに所定の電圧を印加すれば、多孔性特性によって所望の波長領域の光を発光させうる。
【0010】
しかし、前述したような多孔性シリコンに基づいた発光素子は、まだ発光素子としての信頼性が確保されておらず、外部量子効率(EQE:ExternalQuantum Efficiency)が約0.1%と低い問題点がある。
【0011】
図2はナノクリスタルシリコンを用いた発光素子の一例を概略的に示す断面図である。ナノクリスタルシリコンを用いた発光素子は、p型単結晶シリコン基板2と、基板2上に形成された非晶質シリコン層3と、非晶質シリコン層3上に形成された絶縁膜5と、基板2の下面及び絶縁膜5上に各々形成された下部、上部電極6、7を含む層構造を有し、非晶質シリコン層3内に形成された量子点状のナノクリスタルシリコン4とを具備する。
【0012】
非晶質シリコン層3を酸素雰囲気下で700℃に急昇温させて再結晶化させれば、量子点状のナノクリスタルシリコン4が形成される。この際、非晶質シリコン層3の厚さは3nmで、ナノクリスタルシリコン4の大きさは約2〜3nmである。
【0013】
前述したようなナノクリスタルシリコン4を用いた発光素子は上下部電極7、6を通じて逆方向に電圧をかければ、シリコン基板2とナノクリスタルシリコン4との非晶質シリコンの両端に大きな電界が生じて高エネルギー状態の電子と正孔が生成され、これらがナノクリスタルシリコン4内にトンネリングされて発光結合を行う。この際、ナノクリスタルシリコンを用いた発光素子において発光波長はナノクリスタルシリコン量子点の大きさが小さいほど短くなる。
【0014】
このようなナノクリスタルシリコン4を用いた発光素子は、ナノクリスタルシリコン量子点の大きさ制御及び均一性を確保しにくく、効率が極めて低い。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記問題点を改善するために案出されたものであって、多孔性シリコン及びナノクリスタルシリコンを用いた発光素子より効率に優れ、かつ発光波長選択性が向上された発光素子及びこれを適用した発光デバイス装置を提供することにその目的がある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明にともなう発光素子は、n型またはp型基板と、前記基板の一面に、前記基板とのp−n接合部位で量子拘束効果により発光が起こるように所定のドープ剤により前記基板と反対型に極端に浅くドーピングされたドーピング領域と、前記p−n接合部位で発光される光の波長選択性を向上させるための共振器と、正孔及び電子を注入するために、前記基板反対面及び一面に各々形成された第1及び第2電極とを含むことを特徴とする。
【0017】
ここで、前記共振器は、前記基板の反対面側に形成された第1反射膜と、前記第1反射膜と共振器をなして発光波長選択性を向上させるように、前記ドーピング領域上に形成された第2反射膜よりなり、前記第1及び第2反射膜のうち1つの反射膜は他の反射膜より低い反射率を有するように形成され、低反射率を有する1つの反射膜を通じて発光された光を出射させることが望ましい。
【0018】
前記第2反射膜は、屈折率の相異なる物質を交互に積層して形成したブラッグ反射膜であることが望ましい。
【0019】
前記第1反射膜は前記基板の反対面上に形成され、前記第1電極は前記第1反射膜周辺の前記基板の反対面上に形成されうる。
【0020】
代案として、前記第1電極は前記基板の反対面と第1反射膜との間に透明電極よりなりうる。
【0021】
前記基板の一面に前記ドーピング領域形成時マスクとして機能を行い、前記ドーピング領域を極端に浅く形成させる制御膜をさらに備えることが望ましい。
【0022】
前記基板はシリコンを含む所定の半導体物質よりなり、前記制御膜は、前記ドーピング領域が極端に浅く形成されるように適正厚さを有するシリコン酸化膜であることが望ましい。
【0023】
前記目的を達成するために本発明は、少なくとも1つの発光素子を備える発光デバイス装置において、前記発光素子は、n型またはp型基板と、前記基板の一面に、前記基板とのp−n接合部位で量子拘束効果により発光が起こるように所定のドープ剤により前記基板と反対型に極端に浅くドーピングされたドーピング領域と、前記p−n接合部位で発光される光の波長選択性を向上させるための共振器と、正孔及び電子を注入するために、前記基板反対面及び一面に各々形成された第1及び第2電極とを含み、照明システム及びディスプレーシステムのうち何れか1つに適用されることを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明を詳しく説明する。
【0025】
図3及び図4は各々本発明の第1及び第2実施例に係る発光素子を概略的に示す断面図である。
【0026】
図面を参照するに、本発明に係るシリコン光素子は、基板11と、基板11の一面に形成されたドーピング領域15と、発光される光の波長選択性を向上させる共振器と、正孔及び電子を注入するために基板11の反対面及び一面に各々形成された第1及び第2電極17、19とを含んで構成される。また、本発明に係る発光素子はドーピング領域15の形成時にマスクとして機能を行い、ドーピング領域15を極端に浅く形成させる制御膜13を基板11の一面にさらに備えることが望ましい。この制御膜13は本発明の発光素子のドーピング領域15を形成するためには必要なものであって、ドーピング領域15の形成後に選択的に除去されうる。
【0027】
基板11は望ましくはSiを含む所定の半導体物質、例えば、Si、SiCまたはダイアモンドよりなり、n型ドーピングされている。
【0028】
ドーピング領域15は所定のドープ剤、例えば、ホウ素または燐を基板11の一面に形成された制御膜13の開口を通じて基板11内に非平衡拡散させ、基板11と反対型、例えば、p+型ドーピングされた領域である。
【0029】
ドーピング時、ドーピング領域15の基板11との境界部、すなわち、p−n接合部位14に量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくとも何れか1つが形成されて量子拘束効果により発光されるように、ドーピング領域15は極端に浅くドーピングされたことが望ましい。
【0030】
ここで、p−n接合部位14には主に量子ウェルが形成され、量子点や量子線も形成されうる。また、p−n接合部位14には前記量子ウェル、量子点、量子線のうち2種以上が複合形成されることもある。以下、表現の便宜上、p−n接合部位14に量子ウェルが形成されたと説明する。以下、p−n接合部位14に量子ウェルが形成されたと説明しても、これは量子ウェル、量子点及び量子線のうち少なくとも何れか1つを意味するものと見なされる。
【0031】
図5Aはドーピング領域15を非平衡拡散により極端に浅く形成する時のp−n接合部位14の構造を示す。図5Bは非平衡拡散により図5Aに示されたp−n接合部位14に表面の長手方向、側方向に形成される量子ウェルQWのエネルギーバンドを示す。図5Bにおいて、Ecは伝導帯エネルギー準位、Evは価電子帯エネルギー準位、Efはフェルミエネルギー準位を各々示し、このようなエネルギー準位については半導体関連技術分野ではよく知られているので、その詳細な説明は省略する。
【0032】
図5A及び図5Bに示されたように、p−n接合部位14は他のドーピング層が交互に形成された量子ウェル構造を有するが、ウェルとバリヤーは約2、3nmである。
【0033】
このようにp−n接合部位14に量子ウェルを形成する極端に浅いドーピングは制御膜13の厚さ及び拡散工程条件などを最適に制御することによって形成されうる。
【0034】
拡散工程のうち適正な拡散温度及び基板11表面の変形されたポテンシャルにより拡散プロファイルの厚さが、例えば、10−20nmに調節され、このように極端に浅い拡散プロファイルには量子ウェルが生成される。ここで、基板11表面は初期制御膜の厚さと表面前処理により変形され、このような変形は工程の進行につれて深化される。
【0035】
基板11がシリコンを含む所定の半導体物質よりなる場合、制御膜13はドーピング領域15を極端に浅く形成させる適正厚さを有するSiO2であることが望ましい。この制御膜13は、例えば、基板11の一面上にSiO2を形成した後、拡散工程のための開口部分をフォトリソグラフィー工程を用いてエッチングすることによってマスク構造で形成される。
【0036】
拡散技術分野で知られたところによれば、シリコン酸化膜の厚さが適正厚さ(数千Å)より厚いか、または低温であれば、主に空席が拡散に影響を与えて拡散が深く起こり、シリコン酸化膜の厚さが適正厚さより薄いか、または高温であれば、Si自己間隙が主に拡散に影響を与えて拡散が深く起こる。したがって、シリコン酸化膜をSi自己間隙及び空席が類似した割合で生じる適正厚さに形成すれば、Si自己間隙と空席とが相互結合されてドープ剤の拡散を促進しなくなるので、極端に浅いドーピングが可能となる。ここで、空席及び自己間隙と関連した物理的な性質は拡散と関連した技術分野ではよく知られているので、より詳細な説明は省略する。
【0037】
ここで、基板11はp型ドーピングされ、ドーピング領域15はn+型ドーピングされうる。
【0038】
前記共振器は、発光波長選択性を向上させるように、基板11の反対面側に形成された第1反射膜21と、ドーピング領域15上に形成された第2反射膜25を含んで構成される。発光されて所望の方向に出射される光の効率を極大化するために、第1反射膜21は高反射率(望ましくは、ほぼ100%)を有するように形成され、ドーピング領域15に近い前記第2反射膜25は第1反射膜21より低反射率を有するように形成され、p−n接合部位14で発光された光を第2反射膜25を通じて出射させることが望ましい。逆に、第1反射膜21が第2反射膜25より低反射率を有するように形成されて発光された光が第1反射膜21を通じて出射されるように構成されうる。
【0039】
第1反射膜21は一般の反射膜またはブラッグ反射膜(DBR)で構成されうる。第2反射膜25は発光スペクトルの帯域幅を減らせるようにブラッグ反射膜で形成することが望ましい。第2反射膜25は制御膜13の開口部の第2電極19の形成位置を除いた領域に形成される。ここで、ブラッグ反射膜は屈折率の相異なる物質、例えば、化合物半導体物質を、交互に要求される積層数だけ積層して形成したものである。第1及び第2反射膜21、25が全てブラッグ反射膜よりなり、前述したように、発光された光が第2反射膜25を通じて出射される構造であれば、第2反射膜25は第1反射膜21に比べて低反射率を有するように第1反射膜21より少ない積層数で形成される。
【0040】
前述したような共振器を備えると、結果的にその共振器の共振条件に合う特定波長帯域の光のみが増幅されて出射されるために、波長選択性が大きく向上される。前記共振器は発光して出射させようとする波長帯域に合う共振条件で形成される。
【0041】
第1電極17は前記基板の反対面上に形成され、第2電極19は基板11の一面上の第2反射膜25の周辺に形成される。
【0042】
本発明に係る発光素子の第1実施例を示す図3を参照するに、第1電極17は基板11の反対面と第1反射膜21との間に位置されうる。この場合、第1電極17は光が透過されるように、例えば、ITOを用いて透明な電極よりなることが望ましい。
【0043】
本発明に係る発光素子の第2実施例を示す図4を参照するに、基板11の反対面の最も反射効果の大きな部分にのみ第1反射膜21を形成し、第1電極17は基板11の反対面上の第1反射膜21の周辺に形成しても良い。
【0044】
前述したように構成された本発明に係る発光素子は、ドーピング領域15の基板11とのp−n接合部位14に電子と正孔対の消滅結合が起こる量子ウェルが形成されているので、前述したように発光が起こり、第1及び第2反射膜21、25よりなる共振器の共振条件に合う所望の波長帯域の光のみが増幅されて第2反射膜25を通じて出射される。もちろん、放出される光量及び波長は印加される電流量にも依存する。
【0045】
すなわち、本発明に係る発光素子は次のように発光される。例えば、第1及び第2電極17、19を通じて電源(電圧または電流)が与えられると、キャリア、すなわち、電子と正孔はp−n接合部位14の量子ウェルに注入され、量子ウェル内のサブバンドエネルギーレベルを通じて再結合(消滅結合)される。この際、キャリアが結合される状態によって所定波長の電場発光(electro luminescence:EL)が生じ、生じる光量は第1及び第2電極17、19を通じて与えられた電源(電圧または電流)の量により変わる。
【0046】
この際、本発明に係る発光素子での発光波長は一次的に基板11の表面(実際には、ドーピング領域15の表面)に形成される微小欠陥(micro−defect)による微小空隙(micro−cavity)により決まる。したがって、製作工程により微小空隙の大きさを調節すれば、所望の発光波長帯域の発光素子が得られる。
【0047】
ここで、ELの強度は基板11の表面に形成される微小欠陥による微小空隙の共振波長とよく合う場合に増幅されうる。
【0048】
前記微小空隙は、ドーピング領域15の表面に形成された微小欠陥による変形されたポテンシャルのために生じる。したがって、変形されたポテンシャルを調節することによって量子ウェルの変形が可能であり、これにより微小空隙が決まり、微小空隙を調節すれば所望の波長帯域の発光が得られる。
【0049】
前述したように本発明に係る発光素子は、極端に浅くドーピングされたドーピング領域15のp−n接合部位14で電荷分布ポテンシャルの局部的な変化によって量子拘束効果が生じ、量子ウェル内にサブバンドエネルギーレベルが形成されていて高い量子効率を有する。
【0050】
また、本発明に係る発光素子は、p−n接合部位14で発光された波長帯域の光のうち第1及び第2反射膜21、25で構成された共振器の共振条件に合う所望の狭波長帯域の光のみを増幅するので、波長選択性が大きく向上される。
【0051】
前述したような本発明に係る発光素子は、ディスプレーシステムまたは照明システムに発光デバイス装置として適用可能であり、ディスプレーシステムまたは照明システムへの適用時、従来の発光素子を適用した場合より鮮明な色特性が得られる。前記発光デバイス装置は本発明に係る発光素子を少なくとも1つ備える。
【0052】
本発明に係る発光素子を適用した発光デバイス装置がディスプレーシステム用である場合、前記発光デバイス装置は2次元に配列された多数の本発明に係る発光素子よりなる。本発明に係る発光素子は半導体物質を用いて半導体製造工程を通じて超小型化が可能なので、これをディスプレーシステム、特に薄型固状ディスプレーに応用可能なのは明白である。また、本発明に係る発光素子は大きく向上された波長選択性を有するので、本発明に係る発光デバイス装置をなす各発光素子をディスプレーシステムの各カラー画素に合う共振条件を有するように形成してディスプレーシステムを構成すれば、別途のカラーフィルター無しに、例えば、R、G、Bカラーを具現しうる。より鮮明なカラーの具現のために本発明に係る発光デバイス装置にカラーフィルターを付加可能なのはもちろんである。
【0053】
本発明に係る発光素子を適用した発光デバイス装置が照明システム用である場合、前記発光デバイス装置は照明システムの用途及び照度要求に対応して少なくとも1つ以上の本発明に係る発光素子よりなる。この際、採用される発光素子は、要求されるカラーに合わせて最適化された共振器を具備する。
【0054】
前記のような本発明に係る発光素子を適用した発光デバイス装置の構造は、以上の説明を通じて十分に類推可能なので、その詳細な説明は省略する。
【0055】
【発明の効果】
前述したような本発明に係る発光素子及びこれを適用した発光デバイス装置によれば、極端に浅くドーピングされてそのp−n接合部位で量子拘束効果により発光されるドーピング領域を備え、特定波長帯域の光のみを共振させる共振器構造が付加されているので、効率に優れ、かつ波長選択性が大きく向上される。また、共振器構造により発光強度が増幅され、出射される光の直進性が大きく改善される。
【図面の簡単な説明】
【図1】バルク型の単結晶シリコン表面に形成された多孔性シリコン領域の断面及びその多孔性シリコン領域での価電子帯と伝導帯とのエネルギーバンドギャップを示す図である。
【図2】ナノクリスタルシリコンを用いた発光素子の一例を概略的に示す断面図である。
【図3】本発明の第1実施例に係る発光素子を概略的に示す断面図である。
【図4】本発明の第2実施例に係る発光素子を概略的に示す断面図である。
【図5A】ドーピング領域を非平衡拡散により極端に浅く形成する時、p−n接合部位の構造を概略的に示す図である。
【図5B】非平衡拡散により図5Aに示されたp−n接合部位に、表面の長手方向、側方向に形成される量子ウェルのエネルギーバンドを示す図である。
【符号の説明】
2 p型単結晶シリコン基板
3 非晶質シリコン層
4 ナノクリスタルシリコン
5 絶縁膜
11 基板
13 制御膜
14 p−n接合部位
15 ドーピング領域
17、19 第1及び第2電極
21、25 第1及び第2反射膜
Claims (14)
- n型またはp型のシリコン系半導体基板またはダイヤモンド基板と、
前記基板の一面に、前記基板とのp−n接合部位で量子拘束効果により発光が起こるように所定のドープ剤により前記基板と反対型に極端に浅くドーピングされたドーピング領域と、
前記p−n接合部位で発光される光の波長選択性を向上させるための共振器と、
正孔及び電子を注入するために、前記基板反対面及び一面に各々形成された第1及び第2電極とを含むことを特徴とする発光素子。 - 前記共振器は、
前記基板の反対面側に形成された第1反射膜と、
前記第1反射膜と共振器をなして発光波長選択性を向上させるように、前記ドーピング領域上に形成された第2反射膜とよりなり、前記第1及び第2反射膜のうち1つの反射膜は他の反射膜より低い反射率を有するように形成され、低反射率を有する1つの反射膜を通じて発光された光を出射させることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記第2反射膜は、屈折率の相異なる物質を交互に積層して形成したブラッグ反射膜であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記第1反射膜は前記基板の反対面上に形成され、前記第1電極は前記第1反射膜周辺の前記基板の反対面上に形成されたことを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子。
- 前記第1電極は前記基板の反対面と第1反射膜との間に透明電極よりなることを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子。
- 前記基板の一面に前記ドーピング領域形成時マスクとして機能を行い、前記ドーピング領域を極端に浅く形成させる制御膜をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記制御膜は、前記ドーピング領域が極端に浅く形成されるように適正厚さを有するシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 少なくとも1つの発光素子を備える発光デバイス装置において、
前記発光素子は、
n型またはp型のシリコン系半導体基板またはダイヤモンド基板と、
前記基板の一面に、前記基板とのp−n接合部位で量子拘束効果により発光が起こるように所定のドープ剤により前記基板と反対型に極端に浅くドーピングされたドーピング領域と、
前記p−n接合部位で発光される光の波長選択性を向上させるための共振器と、
正孔及び電子を注入するために、前記基板反対面及び一面に各々形成された第1及び第2電極とを含み、照明システム及びディスプレーシステムのうち何れか1つに適用されることを特徴とする発光デバイス装置。 - 前記共振器は、
前記基板の反対面側に形成された第1反射膜と、
前記第1反射膜と共振器をなして発光波長選択性を向上させるように、前記ドーピング領域上に形成された第2反射膜よりなり、前記第1及び第2反射膜のうち1つの反射膜は他の反射膜より低い反射率を有するように形成され、低反射率を有する1つの反射膜を通じて発光された光を出射させることを特徴とする請求項8に記載の発光デバイス装置。 - 前記第2反射膜は、屈折率が相異なる物質を交互に積層して形成したブラッグ反射膜であることを特徴とする請求項9に記載の発光デバイス装置。
- 前記第1反射膜は前記基板の反対面上に形成され、前記第1電極は前記第1反射膜周辺の前記基板の反対面上に形成されたことを特徴とする請求項9または10に記載の発光デバイス装置。
- 前記第1電極は前記基板の反対面と第1反射膜との間に透明電極よりなることを特徴とする請求項9または10に記載の発光デバイス装置。
- 前記基板の一面に前記ドーピング領域の形成時マスクとして機能を行い、前記ドーピング領域を極端に浅く形成させる制御膜をさらに備えることを特徴とする請求項8または9に記載の発光デバイス装置。
- 前記制御膜は、前記第1及び第2ドーピング領域が極端に浅く形成されるように適正厚さを有するシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイス装置。
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