JP3721848B2 - Mid基板検査方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品実装後のMID基板の電気的検査、殊にMID基板検査用コンタクトプローブを用いた電気的検査の際、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の回路との接触が安定的に得られるMID基板検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、IC実装後のMID基板の電気的特性の検査方法として、図6に示すようにMID基板検査用コンタクトプローブ14をMID基板10の回路部2の所定箇所に接触させて、電気的特性を検査する方法がとられている。この方法で用いるMID基板検査用コンタクトプローブ14は先端14aが尖った形状をし、且つバネ付勢されたもので、MID基板10の回路部2の所定箇所に所定圧力を以って接触できる。一方、MID基板10は、MID基材1の表面にめっき等で形成された回路部2にIC6を実装してIC実装部7を形成後、IC実装部7保護用の封止樹脂9をこの上に塗布することで形成される。しかしながら、IC実装部7保護用の封止樹脂9の塗布量のバラツキにより、封止樹脂9が多めに塗布された場合は、MID基板検査用コンタクトプローブ14の接触位置となるべき回路3にまで封止樹脂9が付着してしまい、MID基板検査用コンタクトプローブ14を回路3に接触させることができなくなる。また、MID基板検査用コンタクトプローブ14を接触させる箇所が微細回路4内にある場合は、MID基板検査用コンタクトプローブ14を微細回路4内の所定位置にピンポイントで接触させる必要があり、MID基板検査用コンタクトプローブ14の検査位置精度が十分でないとMID基板検査用コンタクトプローブ14の位置ずれが生じ、MID基板検査用コンタクトプローブ14を微細回路4の所定位置に接触させることができなくなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、電子部品実装後のMID基板の電気的特性を検査する際、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の回路部との接触が安定的に得られるMID基板検査方法を提供することを目的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係るMID基板検査方法は、IC実装部7の封止樹脂9塗布周辺の回路3、及び微細回路4にMID基板検査用コンタクトプローブ14と接触させるための回路突起11を設けた構造を有した、電子部品実装後のMID基板10の電気的検査において、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aをクラウン形状16もしくはフラット形状17にしたMID基板検査用コンタクトプローブ14を用いたことを特徴とするものである。
【0005】
また本発明の請求項2に係るMID基板検査方法は、IC実装部7の封止樹脂9塗布周辺の回路3、及び微細回路4にMID基板検査用コンタクトプローブ14と接触させるための回路突起11を設けると共にIC実装部7の封止樹脂9塗布周辺の回路3に設けた回路突起11のMID基板検査用コンタクトプローブ14との当接部11aを凹状15にした構造を有した、電子部品実装後のMID基板10の電気的検査において、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aを針状18もしくは球面状19にしたMID基板検査用コンタクトプローブ14を用いたことを特徴とするものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図1乃至図5に基づいて説明する。
【0011】
本発明の実施の形態の一例を図1に基づいて説明する。MID(MoldedInterconnection Device)基板10は、MID基材1のIC載置部1aにIC6を載置した後、MID基材1の表面にめっき等で形成された回路部2とIC6をAuワイヤー12で接合することによって、IC実装部7を形成後、IC実装部7保護用の封止樹脂9を図1のように塗布することで形成される。そして、MID基板10の上面10aには上記封止樹脂9で被覆されずに露出する回路3が形成されるとともに、下面10bには微細回路4が形成され、上記回路3、及び微細回路4の所定箇所にはMID基板検査用コンタクトプローブ14を接触させるための回路突起11(突起状の回路)が設けてある。尚、この回路突起11を形成するために、MID基板10の製造において、MID基材1の当該部分を予め突起状に成形し、この上にめっき等を行うことによって、回路3及び微細回路4に回路突起11を形成する。また、この例で使用するMID基板検査用コンタクトプローブ14は従来例と同じく先端14aが尖った形状をし、且つバネ付勢されたもので、MID基板10の回路3、及び微細回路4に設けた回路突起11に所定圧力を以って接触できるものである。
【0012】
ところで、このように回路3、及び微細回路4に回路突起11を夫々設けることによって、回路3の方は、IC実装部7保護用の封止樹脂9の塗布量のバラツキによって、封止樹脂9が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂9がMID基板検査用コンタクトプローブ14の接触位置となるべき回路3の回路突起11にまで及ぶような場合でも、回路突起11と周辺との高低差によって回路突起11が封止樹脂9で被覆されるのを回避することができるため、回路突起11とMID基板検査用コンタクトプローブ14とを確実に接触させることができ、他方、微細回路4の方は、回路突起11と周辺の回路との高低差によって差別化することができ、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aを微細回路4の回路突起11へ接触させることが可能となる。尚、図1中13は、MID基板10の下面10bの回路部2に実装されたチップ部品を示す。
【0013】
次に本発明の実施の形態の他の例を図2に基づいて説明する。この例は、前記例の回路3に設けた回路突起11のMID基板検査用コンタクトプローブ14との当接部11aを凹状15に形成したものである。このようにすることで、前記例の効果に加えて、バネ付勢されたMID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが回路3に設けた回路突起11の当接部11aに押圧接触した際、回路突起11の当接部11aが凹状15に形成してあるため、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起11の当接部11aの凹状15の面にガイドされて回路突起11の当接部11aの中心位置に誘導されるので、MID基板検査用コンタクトプローブ14とMID基板の回路3との接触がより安定的に得られる。
【0014】
次に本発明の実施の形態の他の例を図3に基づいて説明する。この例は、第1の例において、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aを多数の突起を突出させたクラウン形状16もしくは平坦面のフラット形状17にしたものである。このようにすることで、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aがクラウン形状16もしくはフラット形状に形成されているため、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが検査回路5に設けた回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれても、検査回路5に設けた回路突起11に接触させることができ、MID基板検査用コンタクトプローブ14の検査位置精度が厳密でなくてもMID基板検査用コンタクトプローブ14とMID基板10の回路突起11との接触がより安定的に得られる。
【0015】
次に本発明の実施の形態の他の例を図4に基づいて説明する。この例は、第2の例において、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aを針状18もしくは球面状19にしたものである(尚、厳密には本例の回路3に設けた回路突起11の当接部11aはすり鉢状に形成されている)。このようにすることでMID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが針状18もしくは球面状19に形成されているため、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが検査回路5に設けた回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれて接触しても、検査回路5に設けた回路突起11の当接部11aのすり鉢状の面にガイドされて回路突起11の当接部11aの中心位置に誘導されるので、MID基板検査用コンタクトプローブ14の検査位置精度が厳密でなくてもMID基板検査用コンタクトプローブ14と回路突起11との接触がより安定的に得られる。
【0016】
次に本発明の実施の形態の他の例を図5に基づいて説明する。この例は、第1の例のMID基板構造を有したMID基板10に対して、第3の例のMID基板検査用コンタクトプローブ14を用いたIC6実装後のMID基板10の電気的特性の検査方法を示すものである。以下、詳細を説明する。
【0017】
第1の例で既述のように、MID基板10は、MID基材1の表面にめっき等で形成された回路部2にIC6を実装した後、IC実装部7保護用の封止樹脂9を塗布して形成され、MID基板10の上面10aには封止樹脂9で被覆されずに露出する回路3が形成されるとともに、下面10bには微細回路4が形成され、回路3、及び微細回路4の所定箇所にはMID基板検査用コンタクトプローブ14を接触させるための回路突起11が設けてある。
【0018】
上記MID基板10は、上下面を裏返した状態で基板保持ブロック20の定盤20a上に載置され、MID基板10側面をMID基板位置決め押さえ21によって押圧されることにより、基板保持ブロック20にセットされる。尚、基板保持ブロック20の定盤20aにはMID基板検査用コンタクトプローブ14を下方から挿通させるための通し穴20bが設けてあり、MID基板10を基板保持ブロック20にセットすると、この通し穴20bの上端開口からMID基板10の回路3の回路突起11が突出した状態となる。
【0019】
基板保持ブロック20の上・下方にはプローブホルダー22,22を上下動させるための昇降ユニット23,23が配置され、各プローブホルダー22,22には夫々MID基板検査用コンタクトプローブ14,14が保持される。尚、本例で用いるMID基板検査用コンタクトプローブ14は先端14aがクラウン形状16(もしくはフラット形状17)をし、且つバネ付勢され、MID基板10の回路3、及び微細回路4の回路突起11に所定圧力を以って接触できるようになっている。そして、各MID基板検査用コンタクトプローブ14,14の後端14b,14bは夫々別の検査システム24,24とつながれ、MID基板10の回路検査が行えるようになっている。
【0020】
上記のような回路検査方法とすることによって、まず回路3、及び微細回路4に回路突起11を夫々設けることで、回路3の方は、IC実装部7保護用の封止樹脂9の塗布量のバラツキによって、封止樹脂9が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂9がMID基板検査用コンタクトプローブ14の接触位置となるべき回路3の回路突起11にまで及ぶような場合でも、回路突起11と周辺との高低差によって回路突起11が封止樹脂9で被覆されるのを回避することができるため、回路3の回路突起11とMID基板検査用コンタクトプローブ14とを確実に接触させることができ、他方、微細回路4の方は、回路突起11と周辺の回路との高低差によって差別化ができ、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aを回路突起11へ接触させることが可能となる。そしてさらに、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aをクラウン形状16(もしくはフラット形状17)にすることで、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが検査回路5(回路3、及び微細回路4)に設けた回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれても、検査回路5に設けた回路突起11に接触させることができるので、MID基板検査用コンタクトプローブ14の検査位置精度が厳密でなくてもMID基板検査用コンタクトプローブ14とMID基板10の検査回路5との接触が安定的に得られる。
【0021】
また、上記例の他に第2の例のMID基板構造を有したMID基板10に対して、回路3の回路突起11にのみ第4の例のMID基板検査用コンタクトプローブ14を用いたIC6実装後のMID基板10の電気的特性の検査方法も考えられる(但し、微細回路4の回路突起11に対しては、第3の例のMID基板検査用コンタクトプローブ14を用いる)。この場合、前記例の検査回路5に設けた回路突起11の奏する効果に加えて、バネ付勢されたMID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが回路3に設けた回路突起11の当接部11aに押圧接触した際、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが針状18(もしくは球面状19)で、しかも上記回路突起11の当接部11aが凹状15に形成してあるので、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起11の当接部11aの凹状15の面にガイドされて回路突起11の当接部11aの中心位置に誘導されるため、MID基板検査用コンタクトプローブ14と回路3との接触がより安定的に得られる。また、MID基板検査用コンタクトプローブ14と微細回路4との接触は、第3の例で既述の通り、MID基板検査用コンタクトプローブ14の先端14aが微細回路4に設けた回路突起11の当接部11aの中心位置から多少ずれても、微細回路4に設けた回路突起11に接触させることができるので、MID基板検査用コンタクトプローブ14の検査位置精度が厳密でなくてもMID基板検査用コンタクトプローブ14と微細回路4との接触がより安定的に得られる。
【0026】
【発明の効果】
本発明の請求項1記載の発明にあっては、MID基板検査方法において、MID基板検査用コンタクトプローブとIC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路との接触については、IC実装部保護用の封止樹脂の塗布量のバラツキによって、封止樹脂が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂がMID基板検査用コンタクトプローブの接触位置となるべき回路の回路突起にまで及ぶような場合でも、回路突起と周辺との高低差によって回路突起が封止樹脂で被覆されるのを回避することができるため、MID基板検査用コンタクトプローブと回路突起とを確実に接触させることができ、さらにMID基板検査用コンタクトプローブの先端がクラウン形状もしくはフラット形状をしているため、MID基板検査用コンタクトプローブの先端が上記回路突起の当接部の中心位置から多少ずれても、回路突起に接触させることができ、MID基板検査用コンタクトプローブの検査位置精度が厳密でなくてもMID基板検査用コンタクトプローブと上記回路との接触がより安定的に得られ、他方、MID基板検査用コンタクトプローブと微細回路との接触については、微細回路に設けた回路突起と周辺の回路との高低差によって差別化ができるので、MID基板検査用コンタクトプローブの先端を当該回路突起へ接触させることが可能となり、さらにはMID基板検査用コンタクトプローブの先端が上記形状をしているため、前記効果と同じ効果を奏するので、MID基板検査用コンタクトプローブと微細回路との接触がより安定的に得られる。
【0027】
本発明の請求項2記載の発明にあっては、MID基板検査方法において、MID基板検査用コンタクトプローブとIC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路との接触については、MID基板検査用コンタクトプローブの先端がIC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路に設けた回路突起の当接部に押圧接触した際、回路突起の当接部が凹状に形成してあるため、MID基板検査用コンタクトプローブの先端が回路突起の当接部の中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起の当接部の凹状の面にガイドされて回路突起の当接部の中心位置に誘導されるので、MID基板検査用コンタクトプローブと上記回路の接触が安定的に得られ、さらにはMID基板検査用コンタクトプローブの先端が針状もしくは球面状をしているため、前記効果がより促進され、MID基板検査用コンタクトプローブと上記回路との接触がより安定的に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、MID基板の断面図である。
【図2】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の一部の断面図である。
【図3】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の一部の断面図である。
【図4】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の一部の断面図である。
【図5】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、MID基板検査方法のシステム構成図である。
【図6】従来のMID基板検査方法を示すものであり、MID基板検査用コンタクトプローブとMID基板の断面図である。
【符号の説明】
3 回路
4 微細回路
7 IC実装部
9 封止樹脂
11 回路突起
11a 当接部
14 MID基板検査用コンタクトプローブ
14a 先端
15 凹状
16 クラウン形状
17 フラット形状
18 針状
19 球面状
Claims (2)
- IC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路、及び微細回路にMID基板検査用コンタクトプローブと接触させるための回路突起を設けたMID基板構造を有した、電子部品実装後のMID基板の電気的検査において、MID基板検査用コンタクトプローブの先端をクラウン形状もしくはフラット形状にしたMID基板検査用コンタクトプローブを用いたことを特徴とするMID基板検査方法。
- IC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路、及び微細回路にMID基板検査用コンタクトプローブと接触させるための回路突起を設けると共にIC実装部の封止樹脂塗布周辺の回路に設けた回路突起のMID基板検査用コンタクトプローブとの当接部を凹状にしたMID基板構造を有した、電子部品実装後のMID基板の電気的検査において、MID基板検査用コンタクトプローブの先端を針状もしくは球面状にしたMID基板検査用コンタクトプローブを用いたことを特徴とするMID基板検査方法。
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