JP3702080B2 - メモリ管理装置及び情報処理装置 - Google Patents

メモリ管理装置及び情報処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3702080B2
JP3702080B2 JP32920497A JP32920497A JP3702080B2 JP 3702080 B2 JP3702080 B2 JP 3702080B2 JP 32920497 A JP32920497 A JP 32920497A JP 32920497 A JP32920497 A JP 32920497A JP 3702080 B2 JP3702080 B2 JP 3702080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
defective block
block
chip number
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP32920497A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11161558A (ja
Inventor
秀幸 嶋田
要 西田
聡 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP32920497A priority Critical patent/JP3702080B2/ja
Publication of JPH11161558A publication Critical patent/JPH11161558A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3702080B2 publication Critical patent/JP3702080B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば不良ブロックに対してアドレス単位でデータの書き込み及び読み出しが不能となる一括電気的消去型の半導体メモリを記録媒体として用い、この半導体メモリの品質を管理するためのメモリ管理装置及び情報処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、例えば一括電気的消去型の半導体メモリを記録媒体として使用する装置には、信号の記録または再生を行なう記録再生装置がある。この記録再生装置は、該メモリを使用することによって、例えば複数チャンネル同時マルチアクセスや高速ランダムアクセスが可能となる。
【0003】
ところで、上記装置に使用される一括電気的消去型の半導体メモリには、初期状態からBAD・BLOCK(不良ブロック)が含まれた製品もあり、また、経年劣化でBAD・BLOCKが発生するものもある。このBAD・BLOCKに対しデータの書き込みを行なうと、データを正常に記憶できないだけでなく、他のブロックを破損させる可能性がある。
【0004】
また、上記装置では、半導体メモリの複数チップをパラレルに配列し、これらチップに対して同一アドレスを割り当てて使用する場合に、1つのアドレス内にBAD・BLOCKを含むチップが1つでも含まれていると、他のチップが正常であってもそのアドレス自体が使用できなくなり、さらに、BAD・BLOCKがアドレス毎にランダムに存在すると、メモリを有効に使用できなくなる等の問題が生じている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、一括電気的消去型の半導体メモリを使用した装置において、この半導体メモリにBAD・BLOCKが含まれている場合に、データの書き込みを行なうと、データが正常に記憶できないだけでなく、他のブロックを破損させるという問題を有している。さらに、初期状態からBAD・BLOCKが含まれた半導体メモリを複数チップパラレルに使用した場合、1つのアドレス内にBAD・BLOCKを含むチップが1つでも含まれていると、他のチップが正常であってもそのアドレス自体が使用できなくなり、さらに、BAD・BLOCKがアドレス毎にランダムに存在すると、半導体メモリを有効に使用できなくなる等の不都合を有している。
【0006】
この発明の目的は、例えば不良ブロックに対しアドレス単位でデータの書き込み及び読み出しが不能となる半導体メモリの品質を補償し、より信頼性の高いシステムを実現し得るメモリ管理装置及び情報処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るメモリ管理装置は、互いに異なるアドレスが割り当てられた複数ブロックから成り、プロセッサがこれら複数ブロックのうちの不良ブロックに対してアドレス単位でデータの書き込み及び読み出し不能となると共に、バス幅を広げて互いにチップ番号が異なる複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てたメモリと、このメモリのアドレス及びチップ番号を示す情報を格納し、かつメモリ中のチップ番号ごとの不良ブロックのアドレスをそれぞれ予め決められた特定アドレスに変換して、該複数の不良ブロックを同一の特定アドレスに集中させるアドレス変換テーブルとを具備し、メモリから不良ブロック及びそのアドレス及びチップ番号を検出する不良ブロック検出手段を用いた場合、プロセッサに対し不良ブロック検出手段により検出された不良ブロックのチップ番号及びアドレスを示す情報をアドレス変換テーブルに記憶させるようにし、メモリアクセス時に、プロセッサに対しメモリ内の特定アドレス以外のアドレスのチップにアクセスさせるようにしたことを特徴とする。
【0008】
この構成によれば、メモリのチップ内に含まれる不良ブロック及びそのアドレスが検出され、この検出された不良ブロックのアドレス情報がアドレス変換テーブルに格納される。この結果、メモリに対してデータの書き込み及び読み出しを行なう装置に設置された際に、不良ブロックのアドレス情報を含むアドレス変換テーブルの内容に基づいて、メモリへのアクセスを行なわせることで、不良ブロックへデータの書き込みを行なうことによる他のブロックへの破損を防ぎ、メモリの品質を補償し、より信頼性の高いシステムを実現することが可能になる。
【0009】
また、この発明に係る情報処理装置は、互いに異なるアドレスが割り当てられた複数ブロックから成り、これら複数ブロックのうちの不良ブロックに対してアドレス単位でデータの書き込み及び読み出し不能となると共に、バス幅を広げて互いにチップ番号が異なる複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てたメモリと、このメモリのアドレス及びチップ番号を示す情報を格納し、かつメモリ中のチップ番号ごとの不良ブロックのアドレスをそれぞれ予め決められた特定アドレスに変換して、該複数の不良ブロックを同一の特定アドレスに集中させるアドレス変換テーブルと、メモリから不良ブロック及びそのアドレス及びチップ番号を検出する不良ブロック検出手段と、不良ブロック検出手段により検出された不良ブロックのアドレス及びチップ番号を示す情報をアドレス変換テーブルに記憶し、メモリアクセス時に、アドレス変換テーブルの内容に基づいて、メモリ内の特定アドレス以外のアドレスのチップにアクセスを行うプロセッサとを具備したことを特徴とする。
【0010】
この構成によれば、メモリのチップ内に含まれる不良ブロック及びそのアドレスが検出され、この検出された不良ブロックのアドレス情報がアドレス変換テーブルに格納される。この結果、不良ブロックのアドレス情報を含むアドレス変換テーブルの内容に基づいて、メモリへのアクセスを行なわせることで、不良ブロックへデータの書き込みを行なうことによる他のブロックへの破損を防ぎ、メモリの品質を補償し、より信頼性の高いシステムを実現することが可能になる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施の形態を示している。
図1において、図中符号11はこの発明に係るメモリ管理装置で、例えば不良ブロックに対しアドレス単位でデータの書き込み及び読み出しが不能となる一括電気的消去型の半導体メモリからなるメモリ部111と、このメモリ部111のアドレス情報を格納し、メモリ部111に対してアドレス変換を実行する書き込み可能なROMからなるアドレス変換テーブル112とから構成されている。そして、このメモリ管理装置11は、例えば入力インタフェース回路12,出力インタフェース回路13及びCPU(Central Processing Unit) 14により構成される装置に設置され、情報処理装置を構成する。また、これらメモリ管理装置11,入力インタフェース回路12,出力インタフェース回路13及びCPU14は、それぞれ制御バスを介して接続されている。
【0012】
このうち、CPU14は、メモリ部111内のチップに対して消去実行後、データの読み出し処理を行ない、該データが1になっているか否かを判別する。ここで、データが1になっていると判定された場合、そのブロックは、正常であると判定される。
【0013】
また、データが0になっていると判定された場合、CPU115は、該データに対応するアドレス情報をメモリ管理装置11内のアドレス変換テーブル112に与える。すると、アドレス変換テーブル112は、メモリ部111のBAD・BLOCKであるアドレスにアクセス禁止を示すフラグを立てる。そして、このフラグの立ったアドレスは、以後アクセスが行なわれないようにアドレス変換テーブル112により管理される。
【0014】
以後、CPU14は、BAD・BLOCKのアドレス情報を含むアドレス変換テーブル112の内容に基づいて、入力インタフェース回路12を介して入力されたデータをメモリ部111へ書き込み、また、メモリ部111に記憶されたデータを読み出して出力インタフェース13を介して出力する。
【0015】
図2は、上記メモリ部111が複数のチップにより構成される場合の例を示している。
ここでは、メモリ部111は、バス幅を広げて複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てた構成である。すなわち、CPU14は、図2(a)に示すように、メモリ部111に対してチップ毎にBAD・BLOCK及びそのアドレスの検出を行なっている。この場合、チップ番号0に対してアドレス1に発生しているBAD・BLOCK(図中では×で示す)を検出し、チップ番号2に対してアドレス2に発生しているBAD・BLOCKを検出する。
【0016】
ここで、アドレス1においてチップ番号0にBAD・BLOCKが発生すると、他のチップ(チップ番号1〜4)が使用禁止(図中では斜線で示す)となってしまうことになる。
【0017】
そして、CPU14は、BAD・BLOCKが発生したアドレス情報をアドレス変換テーブル112へ与える。アドレス変換テーブル112は、CPU14にてチップ毎に検出された複数のBAD・BLOCKのアドレスを、図2(b)に示すように、予め決められた特定アドレス(図中ではアドレス99)に変換し、複数のBAD・BLOCKを同一の特定アドレスに集中させるようにしている。以後、その特定アドレスにアクセス禁止を示すフラグを立てることによって、メモリ部111を有効に活用することができる。なお、特定アドレスは、アドレス99以外であってもよい。
【0018】
また、上記メモリ部111は、図3に示すように、例えば16チップ構成で、時間方向に例えば16個配置され、順次走査されることにより、映像の再生に利用されることも可能となる。
【0019】
したがって、上記実施の形態によれば、メモリ部111のチップ内に含まれる不良ブロック及びそのアドレスがCPU14にて検出され、この検出された不良ブロックのアドレス情報がアドレス変換テーブル112に格納される。このため、不良ブロックのアドレス情報を含むアドレス変換テーブル112の内容に基づいて、メモリ部111へのアクセスを行なわせることで、不良ブロックへデータの書き込みを行なうことによる他のブロックへの破損を防ぎ、メモリの品質を補償し、より信頼性の高いシステムを実現することが可能になる。
【0020】
また、メモリ部111がバス幅を広げて複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てた構成である場合、CPU14にてメモリ部111の不良ブロック及びそのアドレスがチップ毎に検出され、この検出された複数の不良ブロックのアドレス情報がアドレス変換テーブル112に与えられることで、アドレス変換テーブル112にて不良ブロックのアドレスが予め決められた特定アドレスに変換され、メモリ部111に対してチップ毎に発生された不良ブロックを同一の特定アドレスに集中される。このため、メモリ部111を有効に活用することができる。
【0021】
なお、上記実施の形態において、メモリ部111のチップ内に含まれるBAD・BLOCK及びそのアドレスの検出をCPU14にて行なう例を示しているが、このBAD・BLOCK及びそのアドレスの検出を行なうようなハードウェア装置を用いるようにしてもよい。
【0022】
また、メモリ部111及びアドレス変換テーブル112により構成されるメモリ管理装置11は、ハードウェア装置であっても、またはメモリカードのようなものであってもよい。
【0023】
なお、この発明は上記実施の形態に必ずしも限定されるものではなく、この他その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できることはもちろんのことである。
【0024】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、例えば不良ブロックに対しアドレス単位でデータの書き込み及び読み出しが不能となる半導体メモリの品質を補償し、より信頼性の高いシステムを実現し得るメモリ管理装置及び情報処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るメモリ管理装置及び情報処理装置の一実施の形態を示すブロック構成図。
【図2】同実施の形態のメモリ部をバス幅を広げて複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てた構成とした場合のアドレス変換の様子を説明するために示す図。
【図3】同実施の形態のメモリ部が例えば映像の再生に利用される様子を示す図。
【符号の説明】
11…メモリ管理装置、
111…メモリ部、
112…アドレス変換テーブル、
12…入力インタフェース回路、
13…出力インタフェース回路、
14…CPU。

Claims (4)

  1. 互いに異なるアドレスが割り当てられた複数ブロックから成り、プロセッサがこれら複数ブロックのうちの不良ブロックに対してアドレス単位でデータの書き込み及び読み出し不能となると共に、バス幅を広げて互いにチップ番号が異なる複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てたメモリと、
    このメモリのアドレス及びチップ番号を示す情報を格納し、かつ前記メモリ中のチップ番号ごとの不良ブロックのアドレスをそれぞれ予め決められた特定アドレスに変換して、該複数の不良ブロックを同一の特定アドレスに集中させるアドレス変換テーブルとを具備し、
    前記メモリから不良ブロック及びそのアドレス及びチップ番号を検出する不良ブロック検出手段を用いた場合、前記プロセッサに対し不良ブロック検出手段により検出された不良ブロックのチップ番号及びアドレスを示す情報を前記アドレス変換テーブルに記憶させるようにし、メモリアクセス時に、前記プロセッサに対し前記メモリ内の前記特定アドレス以外のアドレスのチップにアクセスさせるようにしたことを特徴とするメモリ管理装置。
  2. 前記アドレス変換テーブルは、前記メモリに対して前記不良ブロックであるアドレスに、アクセス禁止を示すフラグを立てることを特徴とする請求項1記載のメモリ管理装置。
  3. 互いに異なるアドレスが割り当てられた複数ブロックから成り、これら複数ブロックのうちの不良ブロックに対してアドレス単位でデータの書き込み及び読み出し不能となると共に、バス幅を広げて互いにチップ番号が異なる複数のチップを並列に配置し、これら複数のチップに同一のアドレスを割り当てたメモリと、
    このメモリのアドレス及びチップ番号を示す情報を格納し、かつ前記メモリ中のチップ番号ごとの不良ブロックのアドレスをそれぞれ予め決められた特定アドレスに変換して、該複数の不良ブロックを同一の特定アドレスに集中させるアドレス変換テーブルと、
    前記メモリから不良ブロック及びそのアドレス及びチップ番号を検出する不良ブロック検出手段と、
    前記不良ブロック検出手段により検出された不良ブロックのアドレス及びチップ番号を示す情報を前記アドレス変換テーブルに記憶し、メモリアクセス時に、前記アドレス変換テーブルの内容に基づいて、前記メモリ内の前記特定アドレス以外のアドレスのチップにアクセスを行うプロセッサとを具備したことを特徴とする情報処理装置。
  4. 前記アドレス変換テーブルは、前記メモリに対して前記不良ブロックであるアドレスに、アクセス禁止を示すフラグを立てることを特徴とする請求項記載の情報処理装置。
JP32920497A 1997-11-28 1997-11-28 メモリ管理装置及び情報処理装置 Expired - Lifetime JP3702080B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32920497A JP3702080B2 (ja) 1997-11-28 1997-11-28 メモリ管理装置及び情報処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32920497A JP3702080B2 (ja) 1997-11-28 1997-11-28 メモリ管理装置及び情報処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11161558A JPH11161558A (ja) 1999-06-18
JP3702080B2 true JP3702080B2 (ja) 2005-10-05

Family

ID=18218828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32920497A Expired - Lifetime JP3702080B2 (ja) 1997-11-28 1997-11-28 メモリ管理装置及び情報処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3702080B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5617873B2 (ja) * 2005-06-06 2014-11-05 ソニー株式会社 記憶装置
JP5130646B2 (ja) 2005-06-06 2013-01-30 ソニー株式会社 記憶装置
US9032244B2 (en) * 2012-11-16 2015-05-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Memory segment remapping to address fragmentation

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11161558A (ja) 1999-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1535131B1 (en) System and method for self-testing and repair of memory modules
EP0335125A2 (en) DRAM with redundancy and improved testability
EP0620556A3 (en) Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
JPS61161562A (ja) 階層メモリ・システム
US5483491A (en) Memory card device
JP3223817B2 (ja) 半導体メモリ装置及びその駆動方法
JP3702080B2 (ja) メモリ管理装置及び情報処理装置
US5737269A (en) Semiconductor memory with burst mode feature for the redundant memory area
KR910014825A (ko) 데이타 처리 시스템 및 메모리 어레이 테스팅 처리 방법
KR980004877A (ko) 메모리 억세스를 위한 우선순위 제어장치 및 방법
JPH1173764A (ja) D−ramの種別判定方法
JPH0778231A (ja) メモリカード
JPH0546488A (ja) メモリカード装置
JP2578846B2 (ja) 記録制御方法
JPH04278651A (ja) 主記憶装置
JPH0547189A (ja) メモリカード装置
JPS60101788A (ja) 光デイスク制御装置
JPS63306567A (ja) 回転型記憶装置
JPH05282857A (ja) メモリカード装置
KR100194419B1 (ko) 음성데이타용 메모리를 시스템 데이타용 메모리로서 이용하기위한회로및그방법
JPH043218A (ja) データ書き込み方法およびその装置
JPH0528058A (ja) メモリアドレスバス試験方式
JP3319607B2 (ja) 再生装置
JPS62217346A (ja) プログラムの不正使用防止方式
JPH06139154A (ja) メモリカード装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050712

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050715

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130722

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term