JPH0778231A - メモリカード - Google Patents
メモリカードInfo
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- JPH0778231A JPH0778231A JP5222504A JP22250493A JPH0778231A JP H0778231 A JPH0778231 A JP H0778231A JP 5222504 A JP5222504 A JP 5222504A JP 22250493 A JP22250493 A JP 22250493A JP H0778231 A JPH0778231 A JP H0778231A
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- JP
- Japan
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- eeprom
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＥＰＲＯＭに電源障害対策を施した中でそ
のメモリ領域を有効に活用する。 【構成】このメモリカードは、外部のホストにカードＩ
／Ｏ２、データバス３およびコントロールバス４などを
介して接続されたメモリコントロールゲートアレイ５
と、このメモリコントロールゲートアレイ５に接続され
たマイコン６と、このマイコン６に接続されたＯＳＣ７
と、マイコン６に接続されたデータバス８およびクロッ
クバス９などを介して１ページ分の記憶領域としての退
避エリア３４を有するＥＥＰＲＯＭ１０と、メモリコン
トロールゲートアレイ５にデータバス１１およびアドレ
スバス１２などを介して接続され複数のブロック３１、
３２、３３…などからなるメモリ領域３０を有するＮＡ
ＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３とを具備している。
のメモリ領域を有効に活用する。 【構成】このメモリカードは、外部のホストにカードＩ
／Ｏ２、データバス３およびコントロールバス４などを
介して接続されたメモリコントロールゲートアレイ５
と、このメモリコントロールゲートアレイ５に接続され
たマイコン６と、このマイコン６に接続されたＯＳＣ７
と、マイコン６に接続されたデータバス８およびクロッ
クバス９などを介して１ページ分の記憶領域としての退
避エリア３４を有するＥＥＰＲＯＭ１０と、メモリコン
トロールゲートアレイ５にデータバス１１およびアドレ
スバス１２などを介して接続され複数のブロック３１、
３２、３３…などからなるメモリ領域３０を有するＮＡ
ＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３とを具備している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばノート型のパー
ソナルコンピュータおよび電子スチルカメラなどに用い
られるメモリカードに関する。
ソナルコンピュータおよび電子スチルカメラなどに用い
られるメモリカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、メモリカードは、ＲＯＭカードと
してゲーム、電子手帳および電子楽器などに多く適用さ
れていたが、近年では、ノート型のパーソナルコンピュ
ータ（ノートパソコン）および電子スチルカメラなどに
もデータ書込みおよび読出し用の記録媒体として用いら
れている。この記録媒体としてのメモリカードは、情報
を読出すばりでなく書込、読出および消去などが可能な
ことが要求されるため、通常、バックアップ電池を用い
た高価なＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス
・メモリ）やＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ）などの半導体メモリが用いられていた
が、今日では、バックアップ電池が不要で大容量化が可
能なＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・
アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）
が用いられるようになった。
してゲーム、電子手帳および電子楽器などに多く適用さ
れていたが、近年では、ノート型のパーソナルコンピュ
ータ（ノートパソコン）および電子スチルカメラなどに
もデータ書込みおよび読出し用の記録媒体として用いら
れている。この記録媒体としてのメモリカードは、情報
を読出すばりでなく書込、読出および消去などが可能な
ことが要求されるため、通常、バックアップ電池を用い
た高価なＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス
・メモリ）やＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ）などの半導体メモリが用いられていた
が、今日では、バックアップ電池が不要で大容量化が可
能なＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・
アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）
が用いられるようになった。
【０００３】さて、このＥＥＰＲＯＭを用いたメモリカ
ード（ＥＥＰＲＯＭカード）は、バックアップ電池が不
要とは言っても、情報を書き込み中に電源障害、例えば
活線抜去などが発生すると、そのときの情報は消失して
しまう欠点がある。
ード（ＥＥＰＲＯＭカード）は、バックアップ電池が不
要とは言っても、情報を書き込み中に電源障害、例えば
活線抜去などが発生すると、そのときの情報は消失して
しまう欠点がある。
【０００４】すなわち、ＥＥＰＲＯＭカードのほとんど
は、書き込みスピードを上げるためページ書き込み方式
をとっており、バイト書き込みといわれるものでもチッ
プの内部ではページ毎に書き込むものが多く、例えばＥ
ＥＰＲＯＭ内の、あるアドレスのデータを書き換え中に
活線抜去が生じると、そのアドレスを含むページ単位の
データがすべて消失することがある。
は、書き込みスピードを上げるためページ書き込み方式
をとっており、バイト書き込みといわれるものでもチッ
プの内部ではページ毎に書き込むものが多く、例えばＥ
ＥＰＲＯＭ内の、あるアドレスのデータを書き換え中に
活線抜去が生じると、そのアドレスを含むページ単位の
データがすべて消失することがある。
【０００５】そこで、この欠点を解決するために、特開
昭63-148388 号公報、特開平2-8902号公報、特開平2-22
6435号公報、特開平3-3051号公報などには、図６に示す
ように、メモリ領域内を複数に区分したデータ領域（エ
リア）６１、６２、６３…などに、異なる１ページ毎の
データＡ、Ｂなどを書込む場合、データＡをエリア６１
に記録し、異なる２つのエリア６２、６３にそれぞれ同
じデータＢを記録し、再生時に多数決をとって、多いデ
ータＢをエリア６２、６３のうち一方、例えばエリア６
２などから読出し（矢印Ｘ）、データが消失しないよう
保障する技術が開示されている。
昭63-148388 号公報、特開平2-8902号公報、特開平2-22
6435号公報、特開平3-3051号公報などには、図６に示す
ように、メモリ領域内を複数に区分したデータ領域（エ
リア）６１、６２、６３…などに、異なる１ページ毎の
データＡ、Ｂなどを書込む場合、データＡをエリア６１
に記録し、異なる２つのエリア６２、６３にそれぞれ同
じデータＢを記録し、再生時に多数決をとって、多いデ
ータＢをエリア６２、６３のうち一方、例えばエリア６
２などから読出し（矢印Ｘ）、データが消失しないよう
保障する技術が開示されている。
【０００６】しかしながら、この場合、少なくとも２か
所のエリア６２、６３などに同じデータＢを記憶するた
め、３つのエリア６１、６２、６３に２つのページデー
タＡ、Ｂしか記録できなくなる。ページ数がさらに増え
れば、重複するデータの数も増加しメモリ領域が無駄に
使用される。
所のエリア６２、６３などに同じデータＢを記憶するた
め、３つのエリア６１、６２、６３に２つのページデー
タＡ、Ｂしか記録できなくなる。ページ数がさらに増え
れば、重複するデータの数も増加しメモリ領域が無駄に
使用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように上述した従
来のメモリカードでは、特にＥＥＰＲＯＭカードの場
合、データを書き換え中に、活線抜去などの電源障害が
発生すると、ページ単位のデータがすべて消失すること
があるためメモリ領域にページ単位でデータをバックア
ップすることが考えられるが、これでは記憶できるペー
ジ数が半減しメモリ領域が有効に活用できないという問
題があった。
来のメモリカードでは、特にＥＥＰＲＯＭカードの場
合、データを書き換え中に、活線抜去などの電源障害が
発生すると、ページ単位のデータがすべて消失すること
があるためメモリ領域にページ単位でデータをバックア
ップすることが考えられるが、これでは記憶できるペー
ジ数が半減しメモリ領域が有効に活用できないという問
題があった。
【０００８】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、ＥＥＰＲＯＭに電源障害対策を施した
中で、そのメモリ領域を有効に活用することのできるメ
モリカードを提供することを目的としている。
なされたもので、ＥＥＰＲＯＭに電源障害対策を施した
中で、そのメモリ領域を有効に活用することのできるメ
モリカードを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリカードは
上記した目的を達成するために、外部のホストにＩ／Ｏ
ポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカードにお
いて、前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な
複数のブロックからなるメモリ領域を有するＥＥＰＲＯ
Ｍと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータを前記所
定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記ＥＥＰＲＯ
Ｍの各ブロックに対してデータを書込む際、各ブロック
に既にデータが書込まれている場合、そのブロックのデ
ータを前記データ退避領域に移動させると共に、そのデ
ータのページアドレスを記憶する手段と、前記ホストか
ら前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電源障害の有無
を検出する電源検出手段と、通常の電源状態で前記ＥＥ
ＰＲＯＭよりデータを読み出す際、前記電源検出手段に
よって過去に電源障害が検出されていた場合、前記デー
タ退避領域のデータと読み出すべきデータとのページア
ドレスを比較する比較手段と、この比較手段による比較
結果、前記ページアドレスが一致した場合、前記ＥＥＰ
ＲＯＭの対応するブロックに前記データ退避領域のデー
タを戻す手段とを具備している。
上記した目的を達成するために、外部のホストにＩ／Ｏ
ポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカードにお
いて、前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な
複数のブロックからなるメモリ領域を有するＥＥＰＲＯ
Ｍと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータを前記所
定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記ＥＥＰＲＯ
Ｍの各ブロックに対してデータを書込む際、各ブロック
に既にデータが書込まれている場合、そのブロックのデ
ータを前記データ退避領域に移動させると共に、そのデ
ータのページアドレスを記憶する手段と、前記ホストか
ら前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電源障害の有無
を検出する電源検出手段と、通常の電源状態で前記ＥＥ
ＰＲＯＭよりデータを読み出す際、前記電源検出手段に
よって過去に電源障害が検出されていた場合、前記デー
タ退避領域のデータと読み出すべきデータとのページア
ドレスを比較する比較手段と、この比較手段による比較
結果、前記ページアドレスが一致した場合、前記ＥＥＰ
ＲＯＭの対応するブロックに前記データ退避領域のデー
タを戻す手段とを具備している。
【００１０】またこのメモリカードは、前記電源障害が
復旧し前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前記デー
タ退避領域のデータを戻すとき、前記Ｉ／Ｏポートを通
じて前記ホストに前記データを直接転送する手段をさら
に具備している。
復旧し前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前記デー
タ退避領域のデータを戻すとき、前記Ｉ／Ｏポートを通
じて前記ホストに前記データを直接転送する手段をさら
に具備している。
【００１１】さらにこのメモリカードは、外部のホスト
にＩ／Ｏポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカ
ードにおいて、前記ホストから所定量毎にデータを書込
み可能な複数のブロックからなるメモリ領域を有するＥ
ＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータ
を前記所定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記Ｅ
ＥＰＲＯＭの各ブロックに対してデータを書込む際、各
ブロックに既にデータが書込まれている場合、そのブロ
ックのデータを前記データ退避領域に移動させると共
に、そのデータのページアドレスを記憶する手段と、前
記ホストから前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電源
障害の有無を検出する電源検出手段と、通常の電源状態
で前記ＥＥＰＲＯＭよりデータを読み出す際、前記電源
検出手段によって過去に電源障害が検出されていた場
合、前記データ退避領域のデータと読み出すべきデータ
とのページアドレスを比較する比較手段と、この比較手
段による比較結果、前記ページアドレスが一致した場
合、前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前記データ
退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対してその
データを直接転送する手段とを具備している。
にＩ／Ｏポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカ
ードにおいて、前記ホストから所定量毎にデータを書込
み可能な複数のブロックからなるメモリ領域を有するＥ
ＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータ
を前記所定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記Ｅ
ＥＰＲＯＭの各ブロックに対してデータを書込む際、各
ブロックに既にデータが書込まれている場合、そのブロ
ックのデータを前記データ退避領域に移動させると共
に、そのデータのページアドレスを記憶する手段と、前
記ホストから前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電源
障害の有無を検出する電源検出手段と、通常の電源状態
で前記ＥＥＰＲＯＭよりデータを読み出す際、前記電源
検出手段によって過去に電源障害が検出されていた場
合、前記データ退避領域のデータと読み出すべきデータ
とのページアドレスを比較する比較手段と、この比較手
段による比較結果、前記ページアドレスが一致した場
合、前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前記データ
退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対してその
データを直接転送する手段とを具備している。
【００１２】
【作用】本発明では、外部のホストからＥＥＰＲＯＭの
あるブロックに対してデータ書込み要求があると、その
ブロックに既にデータが書込まれているか否かがチェッ
クされる。そして、そのブロックにデータが書込まれて
いた場合、そのブロックのデータをデータ退避領域に移
動してからそのブロックに新たなデータを書込む。 し
たがって、ＥＥＰＲＯＭのあるブロックのデータを消去
後、データを書込中に電源障害が生じてそのブロックの
データが消失したときでも消去前のデータはデータ退避
領域によって保持されており再度読出しが可能になる。
あるブロックに対してデータ書込み要求があると、その
ブロックに既にデータが書込まれているか否かがチェッ
クされる。そして、そのブロックにデータが書込まれて
いた場合、そのブロックのデータをデータ退避領域に移
動してからそのブロックに新たなデータを書込む。 し
たがって、ＥＥＰＲＯＭのあるブロックのデータを消去
後、データを書込中に電源障害が生じてそのブロックの
データが消失したときでも消去前のデータはデータ退避
領域によって保持されており再度読出しが可能になる。
【００１３】一方、メモリカードのデータをホストに読
み出す際、過去に電源障害が検出されていた場合、その
読み出すべきデータとデータ退避領域のデータとを比較
し一致したとき、ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックにデ
ータを戻すと共に、そのデータをホストにＩ／Ｏポート
を通じて直接転送するので、読み出し回数を１回分削減
することができる。
み出す際、過去に電源障害が検出されていた場合、その
読み出すべきデータとデータ退避領域のデータとを比較
し一致したとき、ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックにデ
ータを戻すと共に、そのデータをホストにＩ／Ｏポート
を通じて直接転送するので、読み出し回数を１回分削減
することができる。
【００１４】また１ブロックに対するデータ書込み毎
に、そのブロックのデータをデータ退避領域に移動する
ので、データ退避領域としては、所定量、例えば１ペー
ジ分などの少ない容量をもたせるだけで済む。
に、そのブロックのデータをデータ退避領域に移動する
ので、データ退避領域としては、所定量、例えば１ペー
ジ分などの少ない容量をもたせるだけで済む。
【００１５】これによりＥＥＰＲＯＭを用いた中で電源
障害に対応できるようになり、しかも所定量分書込み可
能なデータ退避領域を１つ設けるだけで、ＥＥＰＲＯＭ
内の各データを重複させて保持しておく必要がなくなる
ので、ＥＥＰＲＯＭ内のメモリ領域を有効に活用できる
ようになる。
障害に対応できるようになり、しかも所定量分書込み可
能なデータ退避領域を１つ設けるだけで、ＥＥＰＲＯＭ
内の各データを重複させて保持しておく必要がなくなる
ので、ＥＥＰＲＯＭ内のメモリ領域を有効に活用できる
ようになる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１は本発明に係る一実施例のメモリカー
ドの構成を示す図である。
ドの構成を示す図である。
【００１８】同図において、１はメモリカードである。
このメモリカード１には、その一端部に、例えば20ピン
コネクタなどのカードＩ／Ｏ２が設けられており、外部
のホスト、例えばノート型のパーソナルコンピュータ
（ノートパソコン）および電子スチルカメラなどのソケ
ットに、このカードＩ／Ｏ２が挿抜自在に装着されてい
る。このメモリカード１内には、カードＩ／Ｏ２にデー
タバス３およびコントロールバス４などを介して接続さ
れたメモリコントロールゲートアレイ５が実装されてい
る。このメモリコントロールゲートアレイ５にはマイコ
ン６とＯＳＣ７が接続されている。マイコン６にはデー
タバス８およびクロックバス９などを介してデータ保持
手段として１ページ分のデータ退避エリアを有するＥＥ
ＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・
プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）１０が接
続されている。またこのメモリコントロールゲートアレ
イ５にはデータバス１１およびアドレスバス１２などを
介してブロック毎に多くのページデータを書込み可能な
大容量のＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３が接続されてい
る。
このメモリカード１には、その一端部に、例えば20ピン
コネクタなどのカードＩ／Ｏ２が設けられており、外部
のホスト、例えばノート型のパーソナルコンピュータ
（ノートパソコン）および電子スチルカメラなどのソケ
ットに、このカードＩ／Ｏ２が挿抜自在に装着されてい
る。このメモリカード１内には、カードＩ／Ｏ２にデー
タバス３およびコントロールバス４などを介して接続さ
れたメモリコントロールゲートアレイ５が実装されてい
る。このメモリコントロールゲートアレイ５にはマイコ
ン６とＯＳＣ７が接続されている。マイコン６にはデー
タバス８およびクロックバス９などを介してデータ保持
手段として１ページ分のデータ退避エリアを有するＥＥ
ＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・
プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）１０が接
続されている。またこのメモリコントロールゲートアレ
イ５にはデータバス１１およびアドレスバス１２などを
介してブロック毎に多くのページデータを書込み可能な
大容量のＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３が接続されてい
る。
【００１９】次に、図２および図３を参照してこのメモ
リカードにデータが書込まれる場合の動作について説明
する。
リカードにデータが書込まれる場合の動作について説明
する。
【００２０】このメモリカードでは、外部のホストから
のコントロール信号（書込み命令）の入力により、ＮＡ
ＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３への新たなデータの書き込み動
作が開始される。この場合、マイコン６はメモリコント
ロールゲートアレイ５を介してコントロール信号を受信
すると、ＯＳＣ７から出力されるクロック（CK）のタイ
ミングで、図２のフローチャートの動作（書込みルーチ
ン）を実行する。
のコントロール信号（書込み命令）の入力により、ＮＡ
ＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３への新たなデータの書き込み動
作が開始される。この場合、マイコン６はメモリコント
ロールゲートアレイ５を介してコントロール信号を受信
すると、ＯＳＣ７から出力されるクロック（CK）のタイ
ミングで、図２のフローチャートの動作（書込みルーチ
ン）を実行する。
【００２１】同図に示すように、コントロール信号を受
信したマイコン６は、まず、書込み処理および読出し処
理などの実行状態を判定して、ホストに対してＲＤＹ／
ＢＳＹなどの信号を返信する。ホストはマイコン６から
例えばＲＤＹが返信されると、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
１３の書き込みアドレスを指定する。
信したマイコン６は、まず、書込み処理および読出し処
理などの実行状態を判定して、ホストに対してＲＤＹ／
ＢＳＹなどの信号を返信する。ホストはマイコン６から
例えばＲＤＹが返信されると、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
１３の書き込みアドレスを指定する。
【００２２】すると、図３に示すように、マイコン６
は、そのアドレスにより指定されたメモリ領域３０の１
ブロック、例えばブロック３１などにデータが予め書き
込まれているか否かをチェックし、例えばデータＡなど
が書き込まれていた場合、メモリコントロールゲートア
レイ５に対してＥＥＰＲＯＭ１０の退避エリア３３にデ
ータＡを退避させるよう指示し、この指示によってメモ
リコントロールゲートアレイ５はデータＡ（１ページ
分）をブロック３１から退避エリア３４に退避させる
（ステップ201 ）。
は、そのアドレスにより指定されたメモリ領域３０の１
ブロック、例えばブロック３１などにデータが予め書き
込まれているか否かをチェックし、例えばデータＡなど
が書き込まれていた場合、メモリコントロールゲートア
レイ５に対してＥＥＰＲＯＭ１０の退避エリア３３にデ
ータＡを退避させるよう指示し、この指示によってメモ
リコントロールゲートアレイ５はデータＡ（１ページ
分）をブロック３１から退避エリア３４に退避させる
（ステップ201 ）。
【００２３】メモリコントロールゲートアレイ５は、デ
ータＡを退避後、マイコン６に対して退避信号を出力
し、マイコン６がこの退避信号を受信すると、退避フラ
グをセットし（ステップ202 ）、そのページのページア
ドレスをセットする（ステップ203 ）。さらにマイコン
６はホストからの電源供給状態および信号の受信状態な
どをチェックし、活線抜去が生じていないことが確認さ
れると、活線抜去フラグをセットし（ステップ204 ）、
それからＲＤＹを出力する。
ータＡを退避後、マイコン６に対して退避信号を出力
し、マイコン６がこの退避信号を受信すると、退避フラ
グをセットし（ステップ202 ）、そのページのページア
ドレスをセットする（ステップ203 ）。さらにマイコン
６はホストからの電源供給状態および信号の受信状態な
どをチェックし、活線抜去が生じていないことが確認さ
れると、活線抜去フラグをセットし（ステップ204 ）、
それからＲＤＹを出力する。
【００２４】このＲＤＹを受けてホストが新たな１ペー
ジ分のデータＤをメモリコントロールゲートアレイ５に
出力すると、メモリコントロールゲートアレイ５はその
データＤを読込み（ステップ205 ）、ＮＡＮＤ型ＥＥＰ
ＲＯＭ１３内のアドレス指定されたブロック３１のデー
タＡを消去した後、そのブロック３１に新たなデータＤ
を書き込む。マイコン６はこの書込みが終了すると、活
線抜去フラグおよび退避フラグをリセットする（ステッ
プ206 〜ステップ207 ）。以降、アドレスによって指定
されたブロック３２、３３などについても上記同様に、
マイコン６は予め書き込まれているデータＢ、Ｃなどを
退避後、ページアドレスおよび各フラグなどをセットお
よびリセットしつつ新たなデータを書込む。
ジ分のデータＤをメモリコントロールゲートアレイ５に
出力すると、メモリコントロールゲートアレイ５はその
データＤを読込み（ステップ205 ）、ＮＡＮＤ型ＥＥＰ
ＲＯＭ１３内のアドレス指定されたブロック３１のデー
タＡを消去した後、そのブロック３１に新たなデータＤ
を書き込む。マイコン６はこの書込みが終了すると、活
線抜去フラグおよび退避フラグをリセットする（ステッ
プ206 〜ステップ207 ）。以降、アドレスによって指定
されたブロック３２、３３などについても上記同様に、
マイコン６は予め書き込まれているデータＢ、Ｃなどを
退避後、ページアドレスおよび各フラグなどをセットお
よびリセットしつつ新たなデータを書込む。
【００２５】さて、上記書込み処理の途中、例えばブロ
ック３１にデータＤを書込み中などに、ホストからメモ
リカードが抜去された場合（活線抜去が発生すると）、
この段階で処理が終了する。このときまでにはページア
ドレスおよび退避フラグなどは既にセットされており、
新たなデータＤを書込むためにメモリ領域３０の退避エ
リア３４にデータＡが退避され（バックアップされ）、
ブロック３１からはデータＡは消去されている。しかし
活線抜去フラグはまだセットされていない。また活線抜
去が発生してメモリカードへの電源供給が停止されたた
め書込み中のデータＤはブロック３１から消失する。な
おこのデータＤはメモリカード内部では消失するものの
ホスト側には残されている。
ック３１にデータＤを書込み中などに、ホストからメモ
リカードが抜去された場合（活線抜去が発生すると）、
この段階で処理が終了する。このときまでにはページア
ドレスおよび退避フラグなどは既にセットされており、
新たなデータＤを書込むためにメモリ領域３０の退避エ
リア３４にデータＡが退避され（バックアップされ）、
ブロック３１からはデータＡは消去されている。しかし
活線抜去フラグはまだセットされていない。また活線抜
去が発生してメモリカードへの電源供給が停止されたた
め書込み中のデータＤはブロック３１から消失する。な
おこのデータＤはメモリカード内部では消失するものの
ホスト側には残されている。
【００２６】このとき、このメモリカードでは、図４の
フローチャートのデータ読出しルーチンが実行される。
フローチャートのデータ読出しルーチンが実行される。
【００２７】すなわちマイコン６は、まず、活線抜去フ
ラグが立っているか否かをチェックする（ステップ401
）。データ書込み中に活線抜去が生じていると、活線
抜去フラグがリセットされないため活線抜去フラグが立
ったままになっている。
ラグが立っているか否かをチェックする（ステップ401
）。データ書込み中に活線抜去が生じていると、活線
抜去フラグがリセットされないため活線抜去フラグが立
ったままになっている。
【００２８】したがって、マイコン６はこの活線抜去フ
ラグが立っていると、必ず退避フラグをチェックする
（ステップ402 ）。このフラグが立っていれば、図５に
示すように、退避エリア３４に何らかのデータ（ここで
はデータＡ）が保持されているので、マイコン６は、そ
のデータを確かめるためにそのデータのページアドレス
と、読出しページのページアドレスとを比較する。
ラグが立っていると、必ず退避フラグをチェックする
（ステップ402 ）。このフラグが立っていれば、図５に
示すように、退避エリア３４に何らかのデータ（ここで
はデータＡ）が保持されているので、マイコン６は、そ
のデータを確かめるためにそのデータのページアドレス
と、読出しページのページアドレスとを比較する。
【００２９】そして読出すべきデータが、例えばデータ
Ａであった場合、互いのページアドレスが一致するので
（ステップ403 ）、退避エリア３４のデータがデータＡ
であると判定できる。したがって、退避エリア３４のデ
ータＡをメモリ領域３０のブロック３１に戻してから
（ステップ404 ）、退避フラグをリセットする（ステッ
プ405 ）。そして通常のエリア読出し（ブロック３１か
らのデータ読出し）を行う（ステップ406 ）。なお上記
チェック（ステップ401 〜ステップ403 ）において、Ｎ
ｏの場合、マイコン６は直ちに通常のエリア読出しを行
う。
Ａであった場合、互いのページアドレスが一致するので
（ステップ403 ）、退避エリア３４のデータがデータＡ
であると判定できる。したがって、退避エリア３４のデ
ータＡをメモリ領域３０のブロック３１に戻してから
（ステップ404 ）、退避フラグをリセットする（ステッ
プ405 ）。そして通常のエリア読出し（ブロック３１か
らのデータ読出し）を行う（ステップ406 ）。なお上記
チェック（ステップ401 〜ステップ403 ）において、Ｎ
ｏの場合、マイコン６は直ちに通常のエリア読出しを行
う。
【００３０】またステップ404 において、退避エリア３
４に退避させたデータＡをメモリ領域３０のブロック３
１に戻すと共に、メモリカードがホストに挿入され電源
が通じていた場合、そのデータＡをデータバス８、３お
よびカードＩ／Ｏ２を通じて、直接、外部のホストに転
送することにより、ブロック３１からホストへのデータ
読出し動作回数を一回分削減することができる。
４に退避させたデータＡをメモリ領域３０のブロック３
１に戻すと共に、メモリカードがホストに挿入され電源
が通じていた場合、そのデータＡをデータバス８、３お
よびカードＩ／Ｏ２を通じて、直接、外部のホストに転
送することにより、ブロック３１からホストへのデータ
読出し動作回数を一回分削減することができる。
【００３１】このように本実施例のメモリカードによれ
ば、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３内のメモリ領域３０の
各ブロック３１、３２、３３…以外に、１ページ分のデ
ータ退避エリア３４を有するＥＥＰＲＯＭ１０を１つ設
けることにより活線抜去されたときのデータ消失対策を
施すことができる。これによりＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
１３内に大量のデータをそれぞれ重複して書込んでおく
必要がなくなるので、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３内の
メモリ領域３０を有効に活用できるようになる。 なお
この実施例では、活線抜去が生じた場合について記載し
たが、本発明はこの他の電源障害として、データ転送中
に不意に起こるホスト側の停電などにも対応可能であり
その際にもデータ破壊を防ぐことができる。
ば、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３内のメモリ領域３０の
各ブロック３１、３２、３３…以外に、１ページ分のデ
ータ退避エリア３４を有するＥＥＰＲＯＭ１０を１つ設
けることにより活線抜去されたときのデータ消失対策を
施すことができる。これによりＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
１３内に大量のデータをそれぞれ重複して書込んでおく
必要がなくなるので、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ１３内の
メモリ領域３０を有効に活用できるようになる。 なお
この実施例では、活線抜去が生じた場合について記載し
たが、本発明はこの他の電源障害として、データ転送中
に不意に起こるホスト側の停電などにも対応可能であり
その際にもデータ破壊を防ぐことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のメモリカー
ドによれば、データ書込み毎に所定量分のデータをデー
タ退避領域に移動しておくことによりＥＥＰＲＯＭ内に
各データをそれぞれ重複して保持しておく必要がなくな
るので、ＥＥＰＲＯＭに電源障害対策を施した中でＥＥ
ＰＲＯＭのメモリ領域を有効に活用できるようになる。
ドによれば、データ書込み毎に所定量分のデータをデー
タ退避領域に移動しておくことによりＥＥＰＲＯＭ内に
各データをそれぞれ重複して保持しておく必要がなくな
るので、ＥＥＰＲＯＭに電源障害対策を施した中でＥＥ
ＰＲＯＭのメモリ領域を有効に活用できるようになる。
【図１】本発明に係る一実施例のメモリカードの構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】このメモリカードにおいてデータ書込み動作を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図３】図２の動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
す図である。
【図４】このメモリカードにおいて活線抜去時のデータ
読出し動作を示すフローチャートである。
読出し動作を示すフローチャートである。
【図５】図４の動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
す図である。
【図６】従来のメモリカードにおいてデータ書込みおよ
びデータ読出し動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
びデータ読出し動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
１…メモリカード、２…カードＩ／Ｏ、３、８、１１…
データバス、４…コントロールバス、５…メモリコント
ロールゲートアレイ、６…マイコン、７…ＯＳＣ、９…
クロックバス、１０…ＥＥＰＲＯＭ、１２…アドレスバ
ス、１３…ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ。
データバス、４…コントロールバス、５…メモリコント
ロールゲートアレイ、６…マイコン、７…ＯＳＣ、９…
クロックバス、１０…ＥＥＰＲＯＭ、１２…アドレスバ
ス、１３…ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8247 29/788 29/792 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１
Claims (3)
- 【請求項１】 外部のホストにＩ／Ｏポートを介して挿
抜自在に挿着されるメモリカードにおいて、 前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な複数の
ブロックからなるメモリ領域を有するＥＥＰＲＯＭと、 このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータを前記所定量分
書込み可能なデータ退避領域と、 前記ＥＥＰＲＯＭの各ブロックに対してデータを書込む
際、各ブロックに既にデータが書込まれている場合、そ
のブロックのデータを前記データ退避領域に移動させる
と共に、そのデータのページアドレスを記憶する手段
と、 前記ホストから前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電
源障害の有無を検出する電源検出手段と、 通常の電源状態で前記ＥＥＰＲＯＭよりデータを読み出
す際、前記電源検出手段によって過去に電源障害が検出
されていた場合、前記データ退避領域のデータと読み出
すべきデータとのページアドレスを比較する比較手段
と、 この比較手段による比較結果、前記ページアドレスが一
致した場合、前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前
記データ退避領域のデータを戻す手段とを具備すること
を特徴とするメモリカード。 - 【請求項２】 請求項１記載のメモリカードおいて、 前記電源障害が復旧し、前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブ
ロックに前記データ退避領域のデータを戻すとき、前記
Ｉ／Ｏポートを通じて前記ホストに前記データを直接転
送する手段をさらに具備することを特徴とするメモリカ
ード。 - 【請求項３】 外部のホストにＩ／Ｏポートを介して挿
抜自在に挿着されるメモリカードにおいて、 前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な複数の
ブロックからなるメモリ領域を有するＥＥＰＲＯＭと、 このＥＥＰＲＯＭの各ブロックのデータを前記所定量分
書込み可能なデータ退避領域と、 前記ＥＥＰＲＯＭの各ブロックに対してデータを書込む
際、各ブロックに既にデータが書込まれている場合、そ
のブロックのデータを前記データ退避領域に移動させる
と共に、そのデータのページアドレスを記憶する手段
と、 前記ホストから前記Ｉ／Ｏポートへデータを転送中に電
源障害の有無を検出する電源検出手段と、 通常の電源状態で前記ＥＥＰＲＯＭよりデータを読み出
す際、前記電源検出手段によって過去に電源障害が検出
されていた場合、前記データ退避領域のデータと読み出
すべきデータとのページアドレスを比較する比較手段
と、 この比較手段による比較結果、前記ページアドレスが一
致した場合、前記ＥＥＰＲＯＭの対応するブロックに前
記データ退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対
してそのデータを直接転送する手段とを具備することを
特徴とするメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222504A JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222504A JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778231A true JPH0778231A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16783469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5222504A Withdrawn JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778231A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029815A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Rohm Co., Ltd. | Carte a circuit integre |
| KR20000036382A (ko) * | 2000-02-29 | 2000-07-05 | 민훈 | 적층식 대용량 불휘발성 메모리 반도체 카드 |
| WO2003065210A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil de traitement d'informations, appareil de gestion de memoire, procede de gestion de memoire et procede de traitement d'informations |
| US6679424B2 (en) | 1997-01-21 | 2004-01-20 | Rohm Co., Ltd. | Non contact type IC card |
| KR100816761B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법 |
| JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP5222504A patent/JPH0778231A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029815A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Rohm Co., Ltd. | Carte a circuit integre |
| EP0952525A1 (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-27 | Rohm Co., Ltd. | Ic card |
| EP0952525A4 (en) * | 1996-12-27 | 2000-06-28 | Rohm Co Ltd | IC CARD |
| US6679424B2 (en) | 1997-01-21 | 2004-01-20 | Rohm Co., Ltd. | Non contact type IC card |
| KR20000036382A (ko) * | 2000-02-29 | 2000-07-05 | 민훈 | 적층식 대용량 불휘발성 메모리 반도체 카드 |
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| US7418436B2 (en) | 2002-01-31 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information processing apparatus, memory management apparatus, memory management method, and information processing method |
| KR100816761B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법 |
| US7773420B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory card system including NAND flash memory and SRAM/NOR flash memory, and data storage method thereof |
| JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |