JPH0778231A - メモリカード - Google Patents
メモリカードInfo
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- JPH0778231A JPH0778231A JP5222504A JP22250493A JPH0778231A JP H0778231 A JPH0778231 A JP H0778231A JP 5222504 A JP5222504 A JP 5222504A JP 22250493 A JP22250493 A JP 22250493A JP H0778231 A JPH0778231 A JP H0778231A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 EEPROMに電源障害対策を施した中でそ
のメモリ領域を有効に活用する。 【構成】このメモリカードは、外部のホストにカードI
/O2、データバス3およびコントロールバス4などを
介して接続されたメモリコントロールゲートアレイ5
と、このメモリコントロールゲートアレイ5に接続され
たマイコン6と、このマイコン6に接続されたOSC7
と、マイコン6に接続されたデータバス8およびクロッ
クバス9などを介して1ページ分の記憶領域としての退
避エリア34を有するEEPROM10と、メモリコン
トロールゲートアレイ5にデータバス11およびアドレ
スバス12などを介して接続され複数のブロック31、
32、33…などからなるメモリ領域30を有するNA
ND型EEPROM13とを具備している。
のメモリ領域を有効に活用する。 【構成】このメモリカードは、外部のホストにカードI
/O2、データバス3およびコントロールバス4などを
介して接続されたメモリコントロールゲートアレイ5
と、このメモリコントロールゲートアレイ5に接続され
たマイコン6と、このマイコン6に接続されたOSC7
と、マイコン6に接続されたデータバス8およびクロッ
クバス9などを介して1ページ分の記憶領域としての退
避エリア34を有するEEPROM10と、メモリコン
トロールゲートアレイ5にデータバス11およびアドレ
スバス12などを介して接続され複数のブロック31、
32、33…などからなるメモリ領域30を有するNA
ND型EEPROM13とを具備している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばノート型のパー
ソナルコンピュータおよび電子スチルカメラなどに用い
られるメモリカードに関する。
ソナルコンピュータおよび電子スチルカメラなどに用い
られるメモリカードに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、メモリカードは、ROMカードと
してゲーム、電子手帳および電子楽器などに多く適用さ
れていたが、近年では、ノート型のパーソナルコンピュ
ータ(ノートパソコン)および電子スチルカメラなどに
もデータ書込みおよび読出し用の記録媒体として用いら
れている。この記録媒体としてのメモリカードは、情報
を読出すばりでなく書込、読出および消去などが可能な
ことが要求されるため、通常、バックアップ電池を用い
た高価なSRAM(スタティック・ランダム・アクセス
・メモリ)やDRAM(ダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ)などの半導体メモリが用いられていた
が、今日では、バックアップ電池が不要で大容量化が可
能なEEPROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・
アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)
が用いられるようになった。
してゲーム、電子手帳および電子楽器などに多く適用さ
れていたが、近年では、ノート型のパーソナルコンピュ
ータ(ノートパソコン)および電子スチルカメラなどに
もデータ書込みおよび読出し用の記録媒体として用いら
れている。この記録媒体としてのメモリカードは、情報
を読出すばりでなく書込、読出および消去などが可能な
ことが要求されるため、通常、バックアップ電池を用い
た高価なSRAM(スタティック・ランダム・アクセス
・メモリ)やDRAM(ダイナミック・ランダム・アク
セス・メモリ)などの半導体メモリが用いられていた
が、今日では、バックアップ電池が不要で大容量化が可
能なEEPROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・
アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)
が用いられるようになった。
【0003】さて、このEEPROMを用いたメモリカ
ード(EEPROMカード)は、バックアップ電池が不
要とは言っても、情報を書き込み中に電源障害、例えば
活線抜去などが発生すると、そのときの情報は消失して
しまう欠点がある。
ード(EEPROMカード)は、バックアップ電池が不
要とは言っても、情報を書き込み中に電源障害、例えば
活線抜去などが発生すると、そのときの情報は消失して
しまう欠点がある。
【0004】すなわち、EEPROMカードのほとんど
は、書き込みスピードを上げるためページ書き込み方式
をとっており、バイト書き込みといわれるものでもチッ
プの内部ではページ毎に書き込むものが多く、例えばE
EPROM内の、あるアドレスのデータを書き換え中に
活線抜去が生じると、そのアドレスを含むページ単位の
データがすべて消失することがある。
は、書き込みスピードを上げるためページ書き込み方式
をとっており、バイト書き込みといわれるものでもチッ
プの内部ではページ毎に書き込むものが多く、例えばE
EPROM内の、あるアドレスのデータを書き換え中に
活線抜去が生じると、そのアドレスを含むページ単位の
データがすべて消失することがある。
【0005】そこで、この欠点を解決するために、特開
昭63-148388 号公報、特開平2-8902号公報、特開平2-22
6435号公報、特開平3-3051号公報などには、図6に示す
ように、メモリ領域内を複数に区分したデータ領域(エ
リア)61、62、63…などに、異なる1ページ毎の
データA、Bなどを書込む場合、データAをエリア61
に記録し、異なる2つのエリア62、63にそれぞれ同
じデータBを記録し、再生時に多数決をとって、多いデ
ータBをエリア62、63のうち一方、例えばエリア6
2などから読出し(矢印X)、データが消失しないよう
保障する技術が開示されている。
昭63-148388 号公報、特開平2-8902号公報、特開平2-22
6435号公報、特開平3-3051号公報などには、図6に示す
ように、メモリ領域内を複数に区分したデータ領域(エ
リア)61、62、63…などに、異なる1ページ毎の
データA、Bなどを書込む場合、データAをエリア61
に記録し、異なる2つのエリア62、63にそれぞれ同
じデータBを記録し、再生時に多数決をとって、多いデ
ータBをエリア62、63のうち一方、例えばエリア6
2などから読出し(矢印X)、データが消失しないよう
保障する技術が開示されている。
【0006】しかしながら、この場合、少なくとも2か
所のエリア62、63などに同じデータBを記憶するた
め、3つのエリア61、62、63に2つのページデー
タA、Bしか記録できなくなる。ページ数がさらに増え
れば、重複するデータの数も増加しメモリ領域が無駄に
使用される。
所のエリア62、63などに同じデータBを記憶するた
め、3つのエリア61、62、63に2つのページデー
タA、Bしか記録できなくなる。ページ数がさらに増え
れば、重複するデータの数も増加しメモリ領域が無駄に
使用される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように上述した従
来のメモリカードでは、特にEEPROMカードの場
合、データを書き換え中に、活線抜去などの電源障害が
発生すると、ページ単位のデータがすべて消失すること
があるためメモリ領域にページ単位でデータをバックア
ップすることが考えられるが、これでは記憶できるペー
ジ数が半減しメモリ領域が有効に活用できないという問
題があった。
来のメモリカードでは、特にEEPROMカードの場
合、データを書き換え中に、活線抜去などの電源障害が
発生すると、ページ単位のデータがすべて消失すること
があるためメモリ領域にページ単位でデータをバックア
ップすることが考えられるが、これでは記憶できるペー
ジ数が半減しメモリ領域が有効に活用できないという問
題があった。
【0008】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、EEPROMに電源障害対策を施した
中で、そのメモリ領域を有効に活用することのできるメ
モリカードを提供することを目的としている。
なされたもので、EEPROMに電源障害対策を施した
中で、そのメモリ領域を有効に活用することのできるメ
モリカードを提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリカードは
上記した目的を達成するために、外部のホストにI/O
ポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカードにお
いて、前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な
複数のブロックからなるメモリ領域を有するEEPRO
Mと、このEEPROMの各ブロックのデータを前記所
定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記EEPRO
Mの各ブロックに対してデータを書込む際、各ブロック
に既にデータが書込まれている場合、そのブロックのデ
ータを前記データ退避領域に移動させると共に、そのデ
ータのページアドレスを記憶する手段と、前記ホストか
ら前記I/Oポートへデータを転送中に電源障害の有無
を検出する電源検出手段と、通常の電源状態で前記EE
PROMよりデータを読み出す際、前記電源検出手段に
よって過去に電源障害が検出されていた場合、前記デー
タ退避領域のデータと読み出すべきデータとのページア
ドレスを比較する比較手段と、この比較手段による比較
結果、前記ページアドレスが一致した場合、前記EEP
ROMの対応するブロックに前記データ退避領域のデー
タを戻す手段とを具備している。
上記した目的を達成するために、外部のホストにI/O
ポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカードにお
いて、前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な
複数のブロックからなるメモリ領域を有するEEPRO
Mと、このEEPROMの各ブロックのデータを前記所
定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記EEPRO
Mの各ブロックに対してデータを書込む際、各ブロック
に既にデータが書込まれている場合、そのブロックのデ
ータを前記データ退避領域に移動させると共に、そのデ
ータのページアドレスを記憶する手段と、前記ホストか
ら前記I/Oポートへデータを転送中に電源障害の有無
を検出する電源検出手段と、通常の電源状態で前記EE
PROMよりデータを読み出す際、前記電源検出手段に
よって過去に電源障害が検出されていた場合、前記デー
タ退避領域のデータと読み出すべきデータとのページア
ドレスを比較する比較手段と、この比較手段による比較
結果、前記ページアドレスが一致した場合、前記EEP
ROMの対応するブロックに前記データ退避領域のデー
タを戻す手段とを具備している。
【0010】またこのメモリカードは、前記電源障害が
復旧し前記EEPROMの対応するブロックに前記デー
タ退避領域のデータを戻すとき、前記I/Oポートを通
じて前記ホストに前記データを直接転送する手段をさら
に具備している。
復旧し前記EEPROMの対応するブロックに前記デー
タ退避領域のデータを戻すとき、前記I/Oポートを通
じて前記ホストに前記データを直接転送する手段をさら
に具備している。
【0011】さらにこのメモリカードは、外部のホスト
にI/Oポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカ
ードにおいて、前記ホストから所定量毎にデータを書込
み可能な複数のブロックからなるメモリ領域を有するE
EPROMと、このEEPROMの各ブロックのデータ
を前記所定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記E
EPROMの各ブロックに対してデータを書込む際、各
ブロックに既にデータが書込まれている場合、そのブロ
ックのデータを前記データ退避領域に移動させると共
に、そのデータのページアドレスを記憶する手段と、前
記ホストから前記I/Oポートへデータを転送中に電源
障害の有無を検出する電源検出手段と、通常の電源状態
で前記EEPROMよりデータを読み出す際、前記電源
検出手段によって過去に電源障害が検出されていた場
合、前記データ退避領域のデータと読み出すべきデータ
とのページアドレスを比較する比較手段と、この比較手
段による比較結果、前記ページアドレスが一致した場
合、前記EEPROMの対応するブロックに前記データ
退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対してその
データを直接転送する手段とを具備している。
にI/Oポートを介して挿抜自在に挿着されるメモリカ
ードにおいて、前記ホストから所定量毎にデータを書込
み可能な複数のブロックからなるメモリ領域を有するE
EPROMと、このEEPROMの各ブロックのデータ
を前記所定量分書込み可能なデータ退避領域と、前記E
EPROMの各ブロックに対してデータを書込む際、各
ブロックに既にデータが書込まれている場合、そのブロ
ックのデータを前記データ退避領域に移動させると共
に、そのデータのページアドレスを記憶する手段と、前
記ホストから前記I/Oポートへデータを転送中に電源
障害の有無を検出する電源検出手段と、通常の電源状態
で前記EEPROMよりデータを読み出す際、前記電源
検出手段によって過去に電源障害が検出されていた場
合、前記データ退避領域のデータと読み出すべきデータ
とのページアドレスを比較する比較手段と、この比較手
段による比較結果、前記ページアドレスが一致した場
合、前記EEPROMの対応するブロックに前記データ
退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対してその
データを直接転送する手段とを具備している。
【0012】
【作用】本発明では、外部のホストからEEPROMの
あるブロックに対してデータ書込み要求があると、その
ブロックに既にデータが書込まれているか否かがチェッ
クされる。そして、そのブロックにデータが書込まれて
いた場合、そのブロックのデータをデータ退避領域に移
動してからそのブロックに新たなデータを書込む。 し
たがって、EEPROMのあるブロックのデータを消去
後、データを書込中に電源障害が生じてそのブロックの
データが消失したときでも消去前のデータはデータ退避
領域によって保持されており再度読出しが可能になる。
あるブロックに対してデータ書込み要求があると、その
ブロックに既にデータが書込まれているか否かがチェッ
クされる。そして、そのブロックにデータが書込まれて
いた場合、そのブロックのデータをデータ退避領域に移
動してからそのブロックに新たなデータを書込む。 し
たがって、EEPROMのあるブロックのデータを消去
後、データを書込中に電源障害が生じてそのブロックの
データが消失したときでも消去前のデータはデータ退避
領域によって保持されており再度読出しが可能になる。
【0013】一方、メモリカードのデータをホストに読
み出す際、過去に電源障害が検出されていた場合、その
読み出すべきデータとデータ退避領域のデータとを比較
し一致したとき、EEPROMの対応するブロックにデ
ータを戻すと共に、そのデータをホストにI/Oポート
を通じて直接転送するので、読み出し回数を1回分削減
することができる。
み出す際、過去に電源障害が検出されていた場合、その
読み出すべきデータとデータ退避領域のデータとを比較
し一致したとき、EEPROMの対応するブロックにデ
ータを戻すと共に、そのデータをホストにI/Oポート
を通じて直接転送するので、読み出し回数を1回分削減
することができる。
【0014】また1ブロックに対するデータ書込み毎
に、そのブロックのデータをデータ退避領域に移動する
ので、データ退避領域としては、所定量、例えば1ペー
ジ分などの少ない容量をもたせるだけで済む。
に、そのブロックのデータをデータ退避領域に移動する
ので、データ退避領域としては、所定量、例えば1ペー
ジ分などの少ない容量をもたせるだけで済む。
【0015】これによりEEPROMを用いた中で電源
障害に対応できるようになり、しかも所定量分書込み可
能なデータ退避領域を1つ設けるだけで、EEPROM
内の各データを重複させて保持しておく必要がなくなる
ので、EEPROM内のメモリ領域を有効に活用できる
ようになる。
障害に対応できるようになり、しかも所定量分書込み可
能なデータ退避領域を1つ設けるだけで、EEPROM
内の各データを重複させて保持しておく必要がなくなる
ので、EEPROM内のメモリ領域を有効に活用できる
ようになる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【0017】図1は本発明に係る一実施例のメモリカー
ドの構成を示す図である。
ドの構成を示す図である。
【0018】同図において、1はメモリカードである。
このメモリカード1には、その一端部に、例えば20ピン
コネクタなどのカードI/O2が設けられており、外部
のホスト、例えばノート型のパーソナルコンピュータ
(ノートパソコン)および電子スチルカメラなどのソケ
ットに、このカードI/O2が挿抜自在に装着されてい
る。このメモリカード1内には、カードI/O2にデー
タバス3およびコントロールバス4などを介して接続さ
れたメモリコントロールゲートアレイ5が実装されてい
る。このメモリコントロールゲートアレイ5にはマイコ
ン6とOSC7が接続されている。マイコン6にはデー
タバス8およびクロックバス9などを介してデータ保持
手段として1ページ分のデータ退避エリアを有するEE
PROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・
プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)10が接
続されている。またこのメモリコントロールゲートアレ
イ5にはデータバス11およびアドレスバス12などを
介してブロック毎に多くのページデータを書込み可能な
大容量のNAND型EEPROM13が接続されてい
る。
このメモリカード1には、その一端部に、例えば20ピン
コネクタなどのカードI/O2が設けられており、外部
のホスト、例えばノート型のパーソナルコンピュータ
(ノートパソコン)および電子スチルカメラなどのソケ
ットに、このカードI/O2が挿抜自在に装着されてい
る。このメモリカード1内には、カードI/O2にデー
タバス3およびコントロールバス4などを介して接続さ
れたメモリコントロールゲートアレイ5が実装されてい
る。このメモリコントロールゲートアレイ5にはマイコ
ン6とOSC7が接続されている。マイコン6にはデー
タバス8およびクロックバス9などを介してデータ保持
手段として1ページ分のデータ退避エリアを有するEE
PROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・
プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)10が接
続されている。またこのメモリコントロールゲートアレ
イ5にはデータバス11およびアドレスバス12などを
介してブロック毎に多くのページデータを書込み可能な
大容量のNAND型EEPROM13が接続されてい
る。
【0019】次に、図2および図3を参照してこのメモ
リカードにデータが書込まれる場合の動作について説明
する。
リカードにデータが書込まれる場合の動作について説明
する。
【0020】このメモリカードでは、外部のホストから
のコントロール信号(書込み命令)の入力により、NA
ND型EEPROM13への新たなデータの書き込み動
作が開始される。この場合、マイコン6はメモリコント
ロールゲートアレイ5を介してコントロール信号を受信
すると、OSC7から出力されるクロック(CK)のタイ
ミングで、図2のフローチャートの動作(書込みルーチ
ン)を実行する。
のコントロール信号(書込み命令)の入力により、NA
ND型EEPROM13への新たなデータの書き込み動
作が開始される。この場合、マイコン6はメモリコント
ロールゲートアレイ5を介してコントロール信号を受信
すると、OSC7から出力されるクロック(CK)のタイ
ミングで、図2のフローチャートの動作(書込みルーチ
ン)を実行する。
【0021】同図に示すように、コントロール信号を受
信したマイコン6は、まず、書込み処理および読出し処
理などの実行状態を判定して、ホストに対してRDY/
BSYなどの信号を返信する。ホストはマイコン6から
例えばRDYが返信されると、NAND型EEPROM
13の書き込みアドレスを指定する。
信したマイコン6は、まず、書込み処理および読出し処
理などの実行状態を判定して、ホストに対してRDY/
BSYなどの信号を返信する。ホストはマイコン6から
例えばRDYが返信されると、NAND型EEPROM
13の書き込みアドレスを指定する。
【0022】すると、図3に示すように、マイコン6
は、そのアドレスにより指定されたメモリ領域30の1
ブロック、例えばブロック31などにデータが予め書き
込まれているか否かをチェックし、例えばデータAなど
が書き込まれていた場合、メモリコントロールゲートア
レイ5に対してEEPROM10の退避エリア33にデ
ータAを退避させるよう指示し、この指示によってメモ
リコントロールゲートアレイ5はデータA(1ページ
分)をブロック31から退避エリア34に退避させる
(ステップ201 )。
は、そのアドレスにより指定されたメモリ領域30の1
ブロック、例えばブロック31などにデータが予め書き
込まれているか否かをチェックし、例えばデータAなど
が書き込まれていた場合、メモリコントロールゲートア
レイ5に対してEEPROM10の退避エリア33にデ
ータAを退避させるよう指示し、この指示によってメモ
リコントロールゲートアレイ5はデータA(1ページ
分)をブロック31から退避エリア34に退避させる
(ステップ201 )。
【0023】メモリコントロールゲートアレイ5は、デ
ータAを退避後、マイコン6に対して退避信号を出力
し、マイコン6がこの退避信号を受信すると、退避フラ
グをセットし(ステップ202 )、そのページのページア
ドレスをセットする(ステップ203 )。さらにマイコン
6はホストからの電源供給状態および信号の受信状態な
どをチェックし、活線抜去が生じていないことが確認さ
れると、活線抜去フラグをセットし(ステップ204 )、
それからRDYを出力する。
ータAを退避後、マイコン6に対して退避信号を出力
し、マイコン6がこの退避信号を受信すると、退避フラ
グをセットし(ステップ202 )、そのページのページア
ドレスをセットする(ステップ203 )。さらにマイコン
6はホストからの電源供給状態および信号の受信状態な
どをチェックし、活線抜去が生じていないことが確認さ
れると、活線抜去フラグをセットし(ステップ204 )、
それからRDYを出力する。
【0024】このRDYを受けてホストが新たな1ペー
ジ分のデータDをメモリコントロールゲートアレイ5に
出力すると、メモリコントロールゲートアレイ5はその
データDを読込み(ステップ205 )、NAND型EEP
ROM13内のアドレス指定されたブロック31のデー
タAを消去した後、そのブロック31に新たなデータD
を書き込む。マイコン6はこの書込みが終了すると、活
線抜去フラグおよび退避フラグをリセットする(ステッ
プ206 〜ステップ207 )。以降、アドレスによって指定
されたブロック32、33などについても上記同様に、
マイコン6は予め書き込まれているデータB、Cなどを
退避後、ページアドレスおよび各フラグなどをセットお
よびリセットしつつ新たなデータを書込む。
ジ分のデータDをメモリコントロールゲートアレイ5に
出力すると、メモリコントロールゲートアレイ5はその
データDを読込み(ステップ205 )、NAND型EEP
ROM13内のアドレス指定されたブロック31のデー
タAを消去した後、そのブロック31に新たなデータD
を書き込む。マイコン6はこの書込みが終了すると、活
線抜去フラグおよび退避フラグをリセットする(ステッ
プ206 〜ステップ207 )。以降、アドレスによって指定
されたブロック32、33などについても上記同様に、
マイコン6は予め書き込まれているデータB、Cなどを
退避後、ページアドレスおよび各フラグなどをセットお
よびリセットしつつ新たなデータを書込む。
【0025】さて、上記書込み処理の途中、例えばブロ
ック31にデータDを書込み中などに、ホストからメモ
リカードが抜去された場合(活線抜去が発生すると)、
この段階で処理が終了する。このときまでにはページア
ドレスおよび退避フラグなどは既にセットされており、
新たなデータDを書込むためにメモリ領域30の退避エ
リア34にデータAが退避され(バックアップされ)、
ブロック31からはデータAは消去されている。しかし
活線抜去フラグはまだセットされていない。また活線抜
去が発生してメモリカードへの電源供給が停止されたた
め書込み中のデータDはブロック31から消失する。な
おこのデータDはメモリカード内部では消失するものの
ホスト側には残されている。
ック31にデータDを書込み中などに、ホストからメモ
リカードが抜去された場合(活線抜去が発生すると)、
この段階で処理が終了する。このときまでにはページア
ドレスおよび退避フラグなどは既にセットされており、
新たなデータDを書込むためにメモリ領域30の退避エ
リア34にデータAが退避され(バックアップされ)、
ブロック31からはデータAは消去されている。しかし
活線抜去フラグはまだセットされていない。また活線抜
去が発生してメモリカードへの電源供給が停止されたた
め書込み中のデータDはブロック31から消失する。な
おこのデータDはメモリカード内部では消失するものの
ホスト側には残されている。
【0026】このとき、このメモリカードでは、図4の
フローチャートのデータ読出しルーチンが実行される。
フローチャートのデータ読出しルーチンが実行される。
【0027】すなわちマイコン6は、まず、活線抜去フ
ラグが立っているか否かをチェックする(ステップ401
)。データ書込み中に活線抜去が生じていると、活線
抜去フラグがリセットされないため活線抜去フラグが立
ったままになっている。
ラグが立っているか否かをチェックする(ステップ401
)。データ書込み中に活線抜去が生じていると、活線
抜去フラグがリセットされないため活線抜去フラグが立
ったままになっている。
【0028】したがって、マイコン6はこの活線抜去フ
ラグが立っていると、必ず退避フラグをチェックする
(ステップ402 )。このフラグが立っていれば、図5に
示すように、退避エリア34に何らかのデータ(ここで
はデータA)が保持されているので、マイコン6は、そ
のデータを確かめるためにそのデータのページアドレス
と、読出しページのページアドレスとを比較する。
ラグが立っていると、必ず退避フラグをチェックする
(ステップ402 )。このフラグが立っていれば、図5に
示すように、退避エリア34に何らかのデータ(ここで
はデータA)が保持されているので、マイコン6は、そ
のデータを確かめるためにそのデータのページアドレス
と、読出しページのページアドレスとを比較する。
【0029】そして読出すべきデータが、例えばデータ
Aであった場合、互いのページアドレスが一致するので
(ステップ403 )、退避エリア34のデータがデータA
であると判定できる。したがって、退避エリア34のデ
ータAをメモリ領域30のブロック31に戻してから
(ステップ404 )、退避フラグをリセットする(ステッ
プ405 )。そして通常のエリア読出し(ブロック31か
らのデータ読出し)を行う(ステップ406 )。なお上記
チェック(ステップ401 〜ステップ403 )において、N
oの場合、マイコン6は直ちに通常のエリア読出しを行
う。
Aであった場合、互いのページアドレスが一致するので
(ステップ403 )、退避エリア34のデータがデータA
であると判定できる。したがって、退避エリア34のデ
ータAをメモリ領域30のブロック31に戻してから
(ステップ404 )、退避フラグをリセットする(ステッ
プ405 )。そして通常のエリア読出し(ブロック31か
らのデータ読出し)を行う(ステップ406 )。なお上記
チェック(ステップ401 〜ステップ403 )において、N
oの場合、マイコン6は直ちに通常のエリア読出しを行
う。
【0030】またステップ404 において、退避エリア3
4に退避させたデータAをメモリ領域30のブロック3
1に戻すと共に、メモリカードがホストに挿入され電源
が通じていた場合、そのデータAをデータバス8、3お
よびカードI/O2を通じて、直接、外部のホストに転
送することにより、ブロック31からホストへのデータ
読出し動作回数を一回分削減することができる。
4に退避させたデータAをメモリ領域30のブロック3
1に戻すと共に、メモリカードがホストに挿入され電源
が通じていた場合、そのデータAをデータバス8、3お
よびカードI/O2を通じて、直接、外部のホストに転
送することにより、ブロック31からホストへのデータ
読出し動作回数を一回分削減することができる。
【0031】このように本実施例のメモリカードによれ
ば、NAND型EEPROM13内のメモリ領域30の
各ブロック31、32、33…以外に、1ページ分のデ
ータ退避エリア34を有するEEPROM10を1つ設
けることにより活線抜去されたときのデータ消失対策を
施すことができる。これによりNAND型EEPROM
13内に大量のデータをそれぞれ重複して書込んでおく
必要がなくなるので、NAND型EEPROM13内の
メモリ領域30を有効に活用できるようになる。 なお
この実施例では、活線抜去が生じた場合について記載し
たが、本発明はこの他の電源障害として、データ転送中
に不意に起こるホスト側の停電などにも対応可能であり
その際にもデータ破壊を防ぐことができる。
ば、NAND型EEPROM13内のメモリ領域30の
各ブロック31、32、33…以外に、1ページ分のデ
ータ退避エリア34を有するEEPROM10を1つ設
けることにより活線抜去されたときのデータ消失対策を
施すことができる。これによりNAND型EEPROM
13内に大量のデータをそれぞれ重複して書込んでおく
必要がなくなるので、NAND型EEPROM13内の
メモリ領域30を有効に活用できるようになる。 なお
この実施例では、活線抜去が生じた場合について記載し
たが、本発明はこの他の電源障害として、データ転送中
に不意に起こるホスト側の停電などにも対応可能であり
その際にもデータ破壊を防ぐことができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明のメモリカー
ドによれば、データ書込み毎に所定量分のデータをデー
タ退避領域に移動しておくことによりEEPROM内に
各データをそれぞれ重複して保持しておく必要がなくな
るので、EEPROMに電源障害対策を施した中でEE
PROMのメモリ領域を有効に活用できるようになる。
ドによれば、データ書込み毎に所定量分のデータをデー
タ退避領域に移動しておくことによりEEPROM内に
各データをそれぞれ重複して保持しておく必要がなくな
るので、EEPROMに電源障害対策を施した中でEE
PROMのメモリ領域を有効に活用できるようになる。
【図1】本発明に係る一実施例のメモリカードの構成を
示す図である。
示す図である。
【図2】このメモリカードにおいてデータ書込み動作を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図3】図2の動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
す図である。
【図4】このメモリカードにおいて活線抜去時のデータ
読出し動作を示すフローチャートである。
読出し動作を示すフローチャートである。
【図5】図4の動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
す図である。
【図6】従来のメモリカードにおいてデータ書込みおよ
びデータ読出し動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
びデータ読出し動作が実行されるときのメモリ領域を示
す図である。
1…メモリカード、2…カードI/O、3、8、11…
データバス、4…コントロールバス、5…メモリコント
ロールゲートアレイ、6…マイコン、7…OSC、9…
クロックバス、10…EEPROM、12…アドレスバ
ス、13…NAND型EEPROM。
データバス、4…コントロールバス、5…メモリコント
ロールゲートアレイ、6…マイコン、7…OSC、9…
クロックバス、10…EEPROM、12…アドレスバ
ス、13…NAND型EEPROM。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/8247 29/788 29/792 H01L 29/78 371
Claims (3)
- 【請求項1】 外部のホストにI/Oポートを介して挿
抜自在に挿着されるメモリカードにおいて、 前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な複数の
ブロックからなるメモリ領域を有するEEPROMと、 このEEPROMの各ブロックのデータを前記所定量分
書込み可能なデータ退避領域と、 前記EEPROMの各ブロックに対してデータを書込む
際、各ブロックに既にデータが書込まれている場合、そ
のブロックのデータを前記データ退避領域に移動させる
と共に、そのデータのページアドレスを記憶する手段
と、 前記ホストから前記I/Oポートへデータを転送中に電
源障害の有無を検出する電源検出手段と、 通常の電源状態で前記EEPROMよりデータを読み出
す際、前記電源検出手段によって過去に電源障害が検出
されていた場合、前記データ退避領域のデータと読み出
すべきデータとのページアドレスを比較する比較手段
と、 この比較手段による比較結果、前記ページアドレスが一
致した場合、前記EEPROMの対応するブロックに前
記データ退避領域のデータを戻す手段とを具備すること
を特徴とするメモリカード。 - 【請求項2】 請求項1記載のメモリカードおいて、 前記電源障害が復旧し、前記EEPROMの対応するブ
ロックに前記データ退避領域のデータを戻すとき、前記
I/Oポートを通じて前記ホストに前記データを直接転
送する手段をさらに具備することを特徴とするメモリカ
ード。 - 【請求項3】 外部のホストにI/Oポートを介して挿
抜自在に挿着されるメモリカードにおいて、 前記ホストから所定量毎にデータを書込み可能な複数の
ブロックからなるメモリ領域を有するEEPROMと、 このEEPROMの各ブロックのデータを前記所定量分
書込み可能なデータ退避領域と、 前記EEPROMの各ブロックに対してデータを書込む
際、各ブロックに既にデータが書込まれている場合、そ
のブロックのデータを前記データ退避領域に移動させる
と共に、そのデータのページアドレスを記憶する手段
と、 前記ホストから前記I/Oポートへデータを転送中に電
源障害の有無を検出する電源検出手段と、 通常の電源状態で前記EEPROMよりデータを読み出
す際、前記電源検出手段によって過去に電源障害が検出
されていた場合、前記データ退避領域のデータと読み出
すべきデータとのページアドレスを比較する比較手段
と、 この比較手段による比較結果、前記ページアドレスが一
致した場合、前記EEPROMの対応するブロックに前
記データ退避領域のデータを戻すと共に前記ホストに対
してそのデータを直接転送する手段とを具備することを
特徴とするメモリカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222504A JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222504A JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0778231A true JPH0778231A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16783469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5222504A Withdrawn JPH0778231A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | メモリカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0778231A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998029815A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Rohm Co., Ltd. | Carte a circuit integre |
KR20000036382A (ko) * | 2000-02-29 | 2000-07-05 | 민훈 | 적층식 대용량 불휘발성 메모리 반도체 카드 |
WO2003065210A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil de traitement d'informations, appareil de gestion de memoire, procede de gestion de memoire et procede de traitement d'informations |
US6679424B2 (en) | 1997-01-21 | 2004-01-20 | Rohm Co., Ltd. | Non contact type IC card |
KR100816761B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법 |
JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP5222504A patent/JPH0778231A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6679424B2 (en) | 1997-01-21 | 2004-01-20 | Rohm Co., Ltd. | Non contact type IC card |
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US7773420B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory card system including NAND flash memory and SRAM/NOR flash memory, and data storage method thereof |
JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |