JP3686169B2 - 半導体装置の配線方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の配線方法に係り、特にセルキャパシタのプレート電極として使用される導電層が同時に周辺回路部の配線連結層として使用される金属配線方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の金属配線方法は半導体装置の動作速度、収率及び信頼性を決定する要因となるので半導体製造工程の中で重要な位置を占めている。
【0003】
一般的に、半導体メモリ装置、特にDRAMにおいて、高集積化はデザインルールの減少を切実に要求することになり、これはつまり半導体装置の水平的膨脹を抑制することになる。従って、水平方向への長さに対した垂直方向への高さの比を示す横縦比が増加し後続工程における工程上の難関を誘発させている。また、工程の形成層の数が増加することにより製品の出荷期間を長くする短所を生んでいる。
【0004】
図1A及び図1Bは従来の技術による半導体メモリ装置のセルアレー部と周辺回路部の垂直断面図を示した。ここで、各図面のA系列はセルアレー部を、B系列は周辺回路部を示す。具体的に、半導体基板1の活性領域にソース/ドレイン領域2及びゲート電極3を具備したトランジスターとビットライン4が形成され、層間絶縁膜(InterLayer Dielectric:以下ILDと称する)上のストレージ電極5をパタニングした後、誘電体膜6及びプレート電極7をパタニングしてセルキャパシタを完成する。
【0005】
図2A及び図2Bは平坦化膜とフォトレジストを形成した段階を示す。具体的に、図1A及び図1Bに示された製造工程により発生した段差を平坦化させる目的で平坦化層8、例えばO3 −TEOS(Tetra Ethoxy Silane )を3000〜7000Åの厚さで蒸着する。第1絶縁物質層9、例えばPE−TEOSを1000〜3000Åの厚さで蒸着した後、コンタクトホールの形成のためにフォトレジスト10を形成してパタニングする。この際セルアレー部の内にはコンタクトが形成されない。
【0006】
図3A及び図3Bは周辺回路部のソース/ドレイン領域にコンタクトホールを形成する段階を示す。具体的に、前記第1絶縁物質層9及び平坦化層8を1000〜4000Åの厚さで等方性蝕刻した後残り平坦化層及び層間絶縁膜を異方性蝕刻してソース/ドレイン領域2の上にコンタクトホール11を形成させる。
【0007】
図4A及び図4Bは周辺回路部の配線連結ラインを形成した段階を示す。具体的に、前記のような結果物の全面に第1導電物質12、例えばタングステンを2000〜5000Åで蒸着しフォトレジストによりパタニングすることにより配線連結ラインを形成させる。
【0008】
図5A及び図5Bはセルアレー部を示した図1A乃至図4Aの工程段階と周辺回路部を示した図1B及び図4Bの工程段階のマスクパターンを各々示す。具体的に、半導体基板の活性領域マスク1’の上にゲート電極マスク3’、ビットラインマスク4’、ストレージ電極マスク5’、プレート電極マスク7’、コンタクトホールマスク11’、配線ラインマスク12’が示されている。図面上の太い実線“カットライン”は工程進行時の断面観察地点である。前記のマスクパターンを用いて、セルアレー部では図1A乃至図4Aの工程を、周辺回路部では図1B及び図4Bの工程を進行しうる。
【0009】
前記のような従来の構造の製造工程において、徐々に半導体素子が高集積化されることにより横縦比の急激な増加とデザインルールの減少でメタルコンタクト及び後続金属配線層のパタニング工程でコンタクトの不良及び写真工程時乱反射による金属配線層の切れ等多くの問題点を発生させている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は同一な導電層としてセルのプレート電極だけでなく周辺回路部の金属配線を形成し工程段階を減らしうる金属配線の方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の特徴による半導体装置の配線方法は、半導体基板上にソース領域、ドレイン領域及びゲート電極を具備したトランジスターとビットライン、層間絶縁膜、ストレジ電極及び誘電体膜を順次に形成する段階と、前記半導体基板の全面に第1導電物質層を形成する段階と、前記第1導電物質層をパタニングすることにより、セルアレー部領域にセルキャパシタのプレート電極を形成し、周辺回路部領域に配線連結ラインをパタニングする段階と、前記結果物上に平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジストを順次に積層する段階と、前記トランジスターのソース/ドレイン及びゲート電極の領域の一部を露出させるために前記フォトレジストをパタニングする段階と、前記パタニングされたフォトレジストをマスクとして前記第1絶縁物質層及び前記平坦化層を等方性蝕刻する段階と、前記平坦化層の残余の厚さ、前記第1導電物質層及び前記層間絶縁膜を異方性蝕刻しコンタクトホールを形成する段階と、前記フォトレジストを除去する段階と、前記結果物に第2導電物質層を蒸着することにより、当該第2導電物質層を前記トランジスターのソース/ドレイン領域、ゲート電極及び第1導電物質層の側壁の中何れか1つと互いに接触するように形成する段階と、前記第2導電物質層をエッチングバックし前記コンタクトホールにのみ第2導電物質層を残す段階を具備することを特徴とする半導体装置の配線方法を提供する。
【0012】
従って、本発明の特徴によれば同一な導電層としてセルのプレート電極だけでなく周辺回路部の金属配線を形成し工程段階を減らしうる半導体装置の金属配線の形成方法が得られる。
【0015】
また、本発明の他の特徴による半導体装置の配線方法は、半導体基板上にソース領域、ドレイン領域及びゲート電極を具備したトランジスターとビットライン、層間絶縁膜、ストレジ電極及び誘電体膜を順次に形成する段階と、前記半導体基板の全面に第1導電物質層を形成する段階と、前記第1導電物質層をパタニングすることにより、セルアレー部領域にセルキャパシタのプレート電極を形成し、周辺回路部領域に配線連結ラインをパタニングする段階と、前記結果物上に平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジスト層を順次に積層する段階と、前記トランジスターのソース/ドレイン領域、ゲート電極及びパタニングされた前記第1導電物質層の一部を露出させるために前記フォトレジストをパタニングする段階と、前記パタニングされたフォトレジストをマスクとして第1絶縁物質層及び平坦化物質層を等方性蝕刻する段階と、前記平坦化物質層の残余の厚さ及び前記層間絶縁膜を異方性蝕刻し前記パタニングされた前記第1導電物質層の上部と前記トランジスターのソース/ドレイン領域またはゲート電極にコンタクトホールを形成する段階と、前記フォトレジストを除去する段階と、前記結果物に第2導電物質層を蒸着し前記コンタクトホールを埋込むことにより、当該第2導電物質層を前記第1導電物質層の上部と前記トランジスターのソース/ドレイン領域及びゲート電極の中何れか1つと互いに接触するように形成する段階と、前記第2導電物質層をパタニングする段階を具備することを特徴とする半導体装置の配線方法を提供する。
【0016】
従って、本発明のその他の特徴によれば同一な導電層としてセルのプレート電極だけでなく周辺回路部の金属配線を形成し工程マージンを確保しうる半導体装置の金属配線の方法が得られる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図6A乃至図9Bは本発明の第1実施例による配線方法を工程の順序通りに示した図である。
【0018】
図6A乃至図6Bは本発明による半導体装置の配線方法をセルアレー部と周辺回路部の垂直断面図を通して示した。具体的に、半導体基板1の活性領域にソース/ドレイン領域2及びゲート電極3を具備したトランジスターとビットライン4、層間絶縁膜ILD及びストレジ電極5、誘電体膜6と第1導電物質層7Aを形成した。この際セルアレーに蒸着される第1導電物質層7Aはセルキャパシタのプレート電極の役割をすることになり周辺回路部領域にパタニングされる第1導電物質層7Aは配線連結層として作用することになる。
【0019】
本実施例の前記ストレジ電極5はドーピングされたポリシリコンを3000〜7000Åの厚さで使用し、前記層間絶縁膜ILDはN2 雰囲気でアニーリングする方法でBPSG膜を形成し、前記誘電体膜6はTa2O5を50〜150Åの厚さで使用した。プレート電極の第1導電物質層7Aは元素周期律表上のV族元素のイオンがポリシリコンの全面にドーピングされたポリシリコンを使用した。前記誘電体膜はNO(Nitride/Oxide)を、前記層間絶縁膜はHTO膜またはUSG膜を代りに使用しうる。また、第1導電物質としては前記ポリシリコンの代りにタングステンも使用しうる。
【0020】
図7A及び図7Bは平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジスト層を形成する段階を示す。具体的に、図6A及び図6Bと関連して説明した製造工程によりその表面に段差が発生するので半導体基板の表面を平坦化させる目的で平坦化層8、例えばO3 −TEOS(Tetra Ethoxy Silane)を3000〜6000Åで蒸着し、次いで第1絶縁物質層9、例えばPE−TEOSを1000〜3000Åで蒸着し、フォトレジストを蒸着した後、コンタクトの形成のためにフォトレジスト10をパタニングした。前記平坦化層はN2 雰囲気で800〜900℃でアニーリングする方法でBPSG膜を形成することもある。また、第1絶縁物質はPE−TEOSの代りに酸化膜も使用する。
【0021】
図8A及び図8Bは周辺回路部のソース/ドレイン領域にコンタクトホールを形成する段階を示す。具体的に、前記第1絶縁物質層9及び平坦化層8を1000〜4000Åで等方性蝕刻した後、残り平坦化層8及び第1導電物質層7を異方性蝕刻しソース/ドレイン領域2までコンタクト11を形成させる。もし、ゲート電極を配線連結する時はゲート電極の上部にコンタクトホールを形成する。このようにコンタクトホールを形成することにより、後続工程で第2導電物質層が前記トランジスターのソース/ドレイン領域、ゲート電極及び第1導電物質層の側壁の中何れか1つと互いに接触されることになる。
【0022】
図9A及び図9Bは配線連結ラインを形成する段階を示す。具体的に前記のような結果物の全面に第2導電物質層12、例えばタングステンを2000〜8000Åの厚さで蒸着しこれをエッチングバックすることによりコンタクトホール11にのみ前記第2導電物質12で埋込んだ。前記第2導電物質はアルミニウム金属より形成することもできる。
【0023】
図10A及び図10Bはセルアレー部を示した図6A乃至図9Aの工程段階と周辺回路部を示した図6B乃至図9Bの工程段階のマスクパターンを各々示す。具体的に、半導体基板の活性領域マスク1’の上にゲート電極マスク3’、ビットラインマスク4’、ストレージ電極マスク5’、プレート電極マスク7’、コンタクトホールマスク11’、配線ラインマスク12’等を示す。前記のマスクパターンとして、セルアレー部では図6A乃至図9Aの工程を、周辺回路部では図6B及び図9Bの工程を進行しうる。
【0024】
従って、本実施例は同一な導電層としてセルのプレート電極だけでなく周辺回路部の金属配線を形成し工程段階を減らしうる金属配線の方法を提供する。
【0025】
図11A及至図13Bは本発明の第2実施例による配線形成方法を工程の順序の通りに示す。
【0026】
図11A及び図11Bは本発明による製造方法をセルアレー部と周辺回路部の垂直断面図を通して示した。具体的に、半導体基板1の活性領域にソース/ドレイン領域2及びゲート電極3を具備したトランジスターとビットライン4、層間絶縁膜及びストレジ電極5を形成した後パタニングする。セルアレー部に誘電体膜6を形成した後第1導電物質層7を全面蒸着した。
【0027】
本実施例で前記ストレジ電極5はドーピングされたポリシリコンを3000〜7000Åの厚さで使用し、前記層間絶縁膜はN2 雰囲気でアニーリングする方法でBPSG膜を形成し、前記誘電体膜6はTa2O5を50〜150Åの厚さで使用した。プレート電極の第1導電物質層7は周期律表上のV族元素のイオンがポリシリコンの全面にインサイチュ(insitu)ドーピングされたポリシリコンを2000〜5000Åの厚さで使用した。前記誘電体膜としてはNO(Nitride/Oxide )を、前記層間絶縁膜としてはHTO膜またはUSG膜を代りに使用しうる。また、第1導電物質としては前記ポリシリコンの代りにタングステンも使用しうる。
【0028】
図12A及び図12Bは前記第1導電物質層と層間絶縁膜を蝕刻してコンタクトホールを形成する段階を示す。具体的に、フォトレジスト10をパタニングし、前記第1導電物質層7を等方性蝕刻してパタニングされた第1導電物質層7Aを形成した後層間絶縁膜を異方性蝕刻してソース/ドレイン領域2までコンタクト11を形成させる。もし、ゲート電極を配線連結する時はゲート電極の上部にコンタクトホールを形成する。
【0029】
図13A及び図13Bは配線連結ラインを形成する段階を示す。具体的に前記のような結果物の全面に第2導電物質層12、例えばタングステンを2000〜8000Åの厚さで蒸着しフォトレジストを利用してパタニングする。この際、パタニングされた第1導電物質層7Aも同時にエッチングされる。前記第2導電物質層はアルミニウム金属より形成することもできる。
【0030】
前記のような工程によりセルアレーにはプレート電極が形成され、周辺回路部の領域には配線連結ラインが同時にパタニングされる。
【0031】
図14A及び図14Bはセルアレー部を示した図11A乃至図13Aの工程段階と周辺回路部を示した図11B乃至図13Bの工程段階のマスクパターンを各々示す。具体的に、半導体基板の活性領域マスク1’の上にゲート電極マスク3’、ビットラインマスク4’、ストレージ電極マスク5’、プレート電極マスク7’、コンタクトホールマスク11’、配線ラインマスク12’等を示す。前記のマスクパターンを用いて、セルアレー部では図11A乃至図13Aの工程を、周辺回路部では図11B及び図13Bの工程を進行しうる。
【0032】
従って、本実施例による金属配線の方法は同一な導電層としてセルのプレート電極だけでなく周辺回路部の金属配線を形成し工程段階を減らしうる。また、本実施例は第1絶縁物質の厚さほどの垂直的な増加を抑制させた構造に因し横縦比を改善させることにより工程を容易にしうる利点も得られる。
【0033】
図15A及至図18Bは本発明の第3実施例による配線形成方法を工程の順序の通りに示す。
【0034】
図15A及び図15Bは本発明による製造方法をセルアレー部と周辺回路部の垂直断面図を通して示した。具体的に、半導体基板1の活性領域にソース/ドレイン領域2及びゲート電極3を具備したトランジスターとビットライン4、層間絶縁膜ILD、ストレージ電極5、誘電体膜6とパタニングされた第1導電物質層7Aを形成した。この際セルアレーに蒸着されるパタニングされた第1導電物質層7Aはセルキャパシタのプレート電極の役割をすることになり周辺回路部の領域にパタニングされた第1導電物質層7Aは配線連結層として作用することになる。
【0035】
本実施例で前記ストレージ電極5はドーピングされたポリシリコンを3000〜7000Åの厚さで使用し、前記層間絶縁膜はN2 雰囲気でアニーリングする方法でBPSG膜を形成し、前記誘電体膜6はTa2 O5 を50〜150Åの厚さで使用した。プレート電極のパタニングされた第1導電物質7Aは元素周期率表上のV族元素のイオンがポリシリコンの全面にインサイチュ(insitu)ドーピングされたポリシリコンを2000〜5000Åの厚さで使用した。前記誘電体膜はNO(Nitride /Oxide )を、前記層間絶縁膜はHTO膜またはUSG膜を代りに使用しうる。また、第1導電物質としては前記ポリシリコンの代りにタングステンも使用しうる。
【0036】
図16A及び図16Bは平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジストを形成する段階を示す。具体的に、図15A及び図15Bと関連して説明した製造工程によりその表面に段差が発生するので半導体基板の表面を平坦化させる目的で平坦化層8、例えばO3 −TEOSを3000〜6000Åで蒸着し、次いで第1絶縁物質層9、例えばPE−TEOSを1000〜3000Åで蒸着した後、コンタクトの形成のためにフォトレジスト10をパタニングした。前記平坦化層はN2 雰囲気で800〜900℃でアニーリングする方法でBPSG膜を形成することもある。また、第1絶縁物質はPE−TEOSの代りに酸化膜も使用する。
【0037】
図17A及び図17Bは周辺回路部のソース/ドレイン領域と前記パタニングされた第1導電物質層上にコンタクトホールを形成する段階を示す。具体的に、前記第1絶縁物質層9及び平坦化層8を1000〜4000Åで等方性蝕刻した後、残り平坦化層8及び層間絶縁膜を異方性蝕刻しソース/ドレイン領域2と周辺回路部の領域にパタニングされた第1導電物質7Aまでコンタクトホール11A、11Bを形成させる。もし、ゲート電極を配線連結する時はゲート電極の上部にコンタクトホールを形成する。
【0038】
図18A及び図18Bは配線連結ラインを形成する段階を示す。具体的に前記のような結果物の全面に第2導電物質層12、例えばタングステンを2000〜8000Åの厚さで蒸着しフォトレジストを利用してパタニングする。前記第2導電物質はアルミニウム金属より形成することもできる。
【0039】
図19A及び図19Bはセルアレー部を示した図15A乃至図18Aの工程段階と周辺回路部を示した図15B乃至図18Bの工程段階のマスクパターンを各々示す。具体的に、半導体基板の活性領域マスク1’の上にゲート電極マスク3’、ビットラインマスク4’、ストレージ電極マスク5’、プレート電極マスク7’、コンタクトホールマスク11’、配線ラインマスク12’等を示す。前記のマスクパターンを用いて、セルアレー部では図15A乃至図18Aの工程を、周辺回路部では図15B及至図18Bの工程を進行しうる。
【0040】
前記第3実施例の場合、配線連結ラインの一部をプレート電極が代りにすることにより第2導電物質層、即ち第1メタルの工程マージンを確保しうる長所を有する。
【0041】
本発明は前記実施例に限定されなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により多くの変形が可能であることは明白である。
【0042】
【発明の効果】
従って、本発明はプレート電極形成用の第1導電物質層をセルキャパシタのプレート電極だけでなく周辺回路部領域で配線連結の役割を果たすことにより第1導電物質層をパタニングする工程段階を省けるので製品の出荷期間を減少させる。また本発明の何れかの態様によれば第1絶縁物質の厚さほどの垂直的な増加を抑制させた構造に因し横縦比を改善させることにより工程を容易にしうる利点も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の技術による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図5A及び図5BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図2】 従来の技術による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図5A及び図5BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図3】 従来の技術による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図5A及び図5BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図4】 従来の技術による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図5A及び図5BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図5】 従来の技術による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図である。
【図6】 本発明の第1実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図10A及び図10BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図7】 本発明の第1実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図10A及び図10BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図8】 本発明の第1実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図10A及び図10BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図9】 本発明の第1実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図10A及び図10BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図10】 本発明の第1実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図である。
【図11】 本発明の第2実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図14A及び図14BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図12】 本発明の第2実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図14A及び図14BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図13】 本発明の第2実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図14A及び図14BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図14】 本発明の第2実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図である。
【図15】 本発明の第3実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図19A及び図19BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図16】 本発明の第3実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図19A及び図19BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図17】 本発明の第3実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図19A及び図19BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図18】 本発明の第3実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図19A及び図19BのラインAーA及びB−Bに沿って各々切断した断面図である。
【図19】 本発明の第3実施例による半導体装置の配線方法を工程順序の通りに示した図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、
2…ソース/ドレイン領域、
3…ゲート電極、
4…ビットライン、
5…ストレジ電極、
6…誘電体膜、
7A…第1導電物質層、
8…平坦化層、
9…第1絶縁物質層、
10…フォトレジスト、
11…コンタクトホール、
12…第2導電物質層。
Claims (7)
- 半導体装置の配線方法において、
半導体基板上にソース領域、ドレイン領域及びゲート電極を具備したトランジスターとビットライン、層間絶縁膜、ストレジ電極及び誘電体膜を順次に形成する段階と、
前記半導体基板の全面に第1導電物質層を形成する段階と、
前記第1導電物質層をパタニングすることにより、セルアレー部領域にセルキャパシタのプレート電極を形成し、周辺回路部領域に配線連結ラインをパタニングする段階と、
前記結果物上に平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジスト層を順次に積層する段階と、
前記トランジスターのソース/ドレイン及びゲート電極の領域の一部を露出させるために前記フォトレジストをパタニングする段階と、
前記パタニングされたフォトレジストをマスクとして前記第1絶縁物質層及び前記平坦化層を等方性蝕刻する段階と、
前記平坦化層の残余の厚さ、前記第1導電物質層及び前記層間絶縁膜を異方性蝕刻しコンタクトホールを形成する段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記結果物に第2導電物質層を蒸着することにより、当該第2導電物質層を前記トランジスターのソース/ドレイン領域、ゲート電極及び第1導電物質層の側壁の中何れか1つと互いに接触するように形成する段階と、
前記第2導電物質層をエッチバックする段階を具備することを特徴とする半導体装置の配線方法。 - 前記第1導電物質層の厚さが2000〜5000Åであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線方法。
- 前記第1導電物質層が周期律表上のV族元素のイオンがドーピングされたポリシリコン又はメタルよりなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の配線方法。
- 前記第2導電物質層はエッチングバックにより前記コンタクトホール内にのみ第2導電物質が残されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線方法。
- 半導体装置の配線方法において、半導体基板上にソース領域、ドレイン領域及びゲート電極を具備したトランジスターとビットライン、層間絶縁膜、ストレージ電極及び誘電体膜を順次に形成する段階と、
前記半導体基板の全面に第1導電物質層を形成する段階と、
前記第1導電物質層をパタニングすることにより、セルアレー部領域にセルキャパシタのプレート電極を形成し、周辺回路部領域に配線連結ラインをパタニングする段階と、
前記結果物上に平坦化層、第1絶縁物質層及びフォトレジスト層を順次に積層する段階と、
前記トランジスターのソース/ドレイン領域、ゲート電極及びパタニングされた前記第1導電物質層の一部を露出させるために前記フォトレジストをパタニングする段階と、
前記パタニングされたフォトレジストをマスクとして第1絶縁物質層及び平坦化物質層を等方性蝕刻する段階と、
前記平坦化物質層の残余の厚さ及び前記層間絶縁膜を異方性蝕刻し前記パタニングされた前記第1導電物質層の上部と前記トランジスターのソース/ドレイン領域及びゲート電極にコンタクトホールを形成する段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記結果物に第2導電物質層を蒸着し前記コンタクトホールを埋込むことにより、当該第2導電物質層を前記第1導電物質層の上部と前記トランジスターのソース/ドレイン領域及びゲート電極の中何れか1つと互いに接触するように形成する段階と、
前記第2導電物質層をフォトレジストを利用してパタニングする段階を具備することを特徴とする半導体装置の配線方法。 - 前記第1導電物質層の厚さが2000〜5000Åであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の配線方法。
- 前記第1導電物質層が周期律表上のV族元素のイオンがドーピングされたポリシリコン又はメタルよりなる一群から選択された何れか1つで形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の配線方法。
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