JP3682849B2 - 金属炭素繊維複合体の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭素繊維束と金属との複合体を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
部材の軽量化のために、炭素繊維束に金属を含浸被覆して複合材料とすることが行われている。しかし、炭素繊維は金属との濡れ性が低く、また被覆時に酸化劣化を起こすことが多いため、通常は適当な表面処理が施される。例えば、炭素繊維束にポリカルボシラン、ポリシラン、ポリカルボシロキサン等の有機珪素高分子化合物を塗布した後に非酸化性雰囲気中で加熱して炭化珪素系のセラミック被膜を形成し、その後金属被覆を行う方法が知られている。また、酸化珪素からなる下地層を形成した後に、前記の炭化珪素系のセラミック被膜を形成することも行われている。しかし、これらの処理は塗布並びにセラミック被膜への転化が必要であり、工程が複雑になるという問題を抱えている。
【0003】
また、炭素繊維束はサイズ剤を用いて繊維を束ねているため、このサイズ剤を取り除いてから上記したような表面処理を行う必要がある。従来では、このサイズ剤を除去するために、アルコール等によりサイズ剤を溶解したり、炭素繊維束を加熱してサイズ剤を分解して除去するなどしている。しかし、アルコールを用いる方法では、湿式処理であるために乾燥工程が必須であり、一般に工程が複雑になる。加熱する方法は簡便ではあるが、繊維表面に酸化膜が形成されて劣化してしまう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、簡便でありながらもサイズ剤を確実に除去でき、また炭素繊維の金属に対する濡れ性を従来よりも向上させることにより、特性に優れた金属炭素繊維複合体を製造する方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を解決するために、本発明は、炭素繊維束を、水素ガスまたは不活性ガスのプラズマで処理した後、窒化チタン膜を成膜し、次いで金属との複合化を行うことを特徴とする金属炭素繊維複合体の製造方法を提供する。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して図面を参照して詳細に説明する。
【0007】
図1は、本方法を実施するために好適な装置の一例を示す構成概略図である。この処理装置100は、炭素繊維束1にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理室10と窒化チタン膜を成膜するための成膜室20とから構成される。先ず、プラズマ処理室10から説明すると、処理室本体となるチャンバ11には、ガスの導入管12及び排気管13、並びに炭素繊維束1を内部に挿通させる導入側オリフィス14及び導出側オリフィス15が接続されており、更にチャンバ11の内部には炭素繊維束1を中心に一対の放電用電極16a,16bが配置されており、高圧電源17から所定の高電圧が印加される構成となっている。このプラズマ処理室10において、炭素繊維1は図中矢印で示すように、導入側オリフィス14を通じてチャンバ11に導入されて所定の速度でチャンバ11の内部を移動し、導出側オリフィス15から送出される。また、炭素繊維束1は加熱用電源18に接続しており、所定温度、例えば200℃に加熱されてチャンバ11の内部を通過する。尚、炭素繊維束1はPAN系やピッチ系等、公知のものを対象とするができる。
【0008】
上記の炭素繊維束1の移動に際して、チャンバ11の内部にガス導入管12から水素ガスまたは不活性ガスを供給し(図では水素ガス)、それと同時に高圧電源17から放電用電極16a,16b間に高電圧を印加して水素ガスまたは不活性ガスをソースとするプラズマを発生させる。尚、不活性ガスとしては、ヘリウムまたはアルゴンが好ましい。プラズマの発生条件は特に制限されるものではなく、炭素繊維束1の移動速度やガスの種類等に応じて適宜設定できる。例えば、移動速度50cm/hrの場合、20〜50kVの高電圧を印加すればよく、またチャンバ11の内圧が20〜200mTorr程度に維持されるようにガスの導入量及び排気量を制御する。
【0009】
上記のプラズマ処理により、炭素繊維束1を束ねているサイズ剤が分解して除去される。このプラズマ処理は乾式であり、また瞬時に炭素繊維束1の深部にまでプラズマが作用するため、極めて効率的に炭素繊維束の全体にわたりサイズ剤が除去される。また、酸素が存在しないため、繊維表面に酸化膜が生成することも無い。
【0010】
プラズマ処理が施された炭素繊維束1はサイズ剤が除去されており、それ自体でも金属との濡れ性がある程度改善されている。しかし、本発明においては、更に窒化チタン膜を成膜して金属との濡れ性を更に高める。成膜方法は窒化チタン膜を成膜できる方法であれば特に制限されるものではないが、RFプラズマCVD法を用いることが好ましい。このRFプラズマCVD法を行うには、例えば図示されるような成膜室20を用いる。この成膜室20は、成膜室本体となるチャンバ21に、プラズマ処理室10の導出側オリフィス15に連結して炭素繊維束1を導入する導入側オリフィス22、成膜後の炭素繊維束1を送出する導出側オリフィス23、チタン源ガス及び窒素ガスを導入するためのガス導入管24及びガス排気管25がそれぞれ接続されており、またチャンバ21の周囲にはRFコイル26が巻回されており、RF電源27から高周波電流が印加される。
【0011】
成膜は、炭素繊維束1をチャンバ21内に挿通させつつ、ガス導入管24からチタン源ガスと窒素ガスとを導入し、同時にRF電源27からRFコイル26に高周波電流を印加して行う。用いるチタン源ガスとしては、例えば塩化チタンが取り扱いが容易で好ましい。また、チャンパ21の内圧が60mTorrとなるようにガスの導入量及び排気量を制御する。また、印加する高周波電流の周波数は10〜100MHz程度である。
【0012】
窒化チタン膜の膜厚は厚い方が好ましいといえるが、概ね数十nm程度の膜厚があれば金属に対する濡れ性の改善には充分である。従って、この程度の膜厚が得られるように、成膜条件を適宜設定する。
【0013】
尚、上記したプラズマ処理並びに窒化チタン膜の成膜に際して、炭素繊維束1をその全周にわたり均一に処理するために、炭素繊維束1をその軸線を中心にして回転させながらプラズマ処理室10及び成膜室20を通過させることが好ましい。
【0014】
また、窒化チタン膜の成膜には、成膜室20を図2に示すような熱陰極直流プラズマ方式とすることもできる。この成膜室20は、チャンバ21の内部に、メッシュ状の円筒型陽極30にコイル31を巻回して構成される電極部を備えており、コイル31には高圧電源32より所定の高周波電流が印加される。円筒型陽極30は、公知の陽極材料からなるメッシュ状の板材を円筒状に加工したものであり、その目開きは200メッシュ程度にすることが好ましい。また、この円筒型陽極30は、その両端に設けられた加熱手段33により成膜時に所定温度に加熱される。尚、成膜室20のその他の構成は図1に示したものと同様であり、同一符号を付してある。
【0015】
上記の成膜室20では、プラズマは円筒型陽極30の内部に発生する。従って、チタン源ガスと窒素ガスとを成膜室20に導入し、この円筒型陽極30の内部にプラズマ処理後の炭素繊維束1を挿通させることにより、炭素繊維束1にはその全周並びに内部の繊維にまで窒化チタン膜が均等に成膜される。成膜条件は、目的とする窒化チタン膜の膜厚(例えば、上記と同様に数十nm)に応じて適宜設定される。
【0016】
上記の如く、プラズマ処理に次いで窒化チタン膜が成膜された炭素繊維束1は、その内部の繊維にまで金属に対する高い濡れ性が付与されており、その後の金属との複合化において金属の保持量が高まり、特性に優れた金属炭素繊維複合体が得られる。尚、金属との複合化は公知の方法を採用することができ、例えば窒化チタン膜が成膜された炭素繊維束1を金属融液中に浸漬する方法等を採用することができる。また、複合化する金属も特に制限されるものではない。
【0017】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を更に説明する。
(実施例1)
図2に示した処理装置を用い、先ず炭素繊維束1をプラズマ処理室10にて、水素ガスを導入しながら放電用電極16a,16b間に高圧電源17より20kVの電圧を印加してプラズマ処理を行った。次いで、成膜室20にて、加熱手段33により195℃に維持された円筒型陽極30にプラズマ処理後の炭素繊維束1を挿通させつつ、内圧が50mTorrとなるように塩化チタンと窒素ガスとを90:10の混合比で導入し、同時に高圧電源32からコイル31に50MHzの高周波電流を印加して窒化チタン膜を成膜した。尚、炭素繊維束1が成膜室20内に1分間留まるように、その移動速度を調整した。得られた窒化チタン膜の膜厚は、平均27nmであった。
【0018】
そして、窒化チタン膜が成膜された炭素繊維束1をアルミニウムの融液に浸漬してアルミニウムとの金属複合体を作製した。この金属炭素繊維複合体について引張強度を測定したところ、70kgf/mm2であり、燃焼によりサイズ剤の除去のみを行い複合化したものと比べて高い値を示した。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ処理により炭素繊維束の深部までサイズ剤を確実に、かつ迅速に除去することができ、更に窒化チタン膜を成膜することにより、金属との濡れ性をより高めることができるため、特性に優れた金属炭素繊維複合体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するために好適な処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図2】本発明方法を実施するために好適な処理装置の他の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 炭素繊維束
10 プラズマ処理装置
11 チャンバ
16a,16b 放電用電極
17 高圧電源
18 加熱用電源
20 成膜室
21 チャンバ
26 RFコイル
27 RF電源
30 円筒型陽極
31 コイル
32 高圧電源
33 加熱手段
100 処理装置

Claims (3)

  1. 炭素繊維束を、水素ガスまたは不活性ガスのプラズマで処理した後、窒化チタン膜を成膜し、次いで金属との複合化を行うことを特徴とする金属炭素繊維複合体の製造方法。
  2. 窒化チタン膜を、チタン源ガスと窒素ガスとを導入しながらRF放電によりプラズマを発生させて成膜することを特徴とする請求項1記載の金属炭素繊維複合体の製造方法。
  3. 窒化チタン膜を、コイルを巻回したメッシュ状の円筒型陽極にプラズマ処理後の炭素繊維束を挿通させつつ、チタン源ガスと窒素ガスとを導入しなながら前記コイルに通電してプラズマを発生させて成膜することを特徴とする請求項1記載の金属炭素繊維複合体の製造方法。
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