JP3679721B2 - 半導体の冷却構造体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の冷却構造体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、コンピュータ(CPU),ビデオチップ,メモリーなどの半導体は使用中に発熱し、その熱のため電子部品の性能が低下することがある。そのため発熱するような電子部品には放熱体が取り付けられる。これら発熱素子と放熱体の間には通常、インターフェイスとして放熱シートが用いられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一般にこれら半導体の熱対策をするときに発熱する半導体に対してそれぞれ放熱シートを介在させていた。むろん多数の半導体が隣接している場合は一括して放熱シートを放熱体の間介在させる例がある。
【0004】
しかし、基板上に実装される半導体は高さは一様でない。また、基板上にはいろいろな働きをする半導体が散在して配置されている。そのため各半導体に対して違う厚みの放熱シートを用意して放熱体に密着させている。また、放熱体も設計上いつも平面とは限らないため、同様に各半導体に対して違う厚みの放熱シートを用意して放熱体に密着させていた。さらに現状でも厚みの厚い放熱シートを用いることによって若干の高低差を吸収させて使用されている例もあるが、半導体間の距離がある場合に限られている。そうなると熱対策する半導体毎に放熱シートを貼り付けることが多くなり非常に面倒である。さらに熱対策に用いられる放熱シートは最近では柔らかいシリコーンゲルシートが用いられることが多いためますます面倒になってきた。
【0005】
本発明は、前記従来の課題を解決するため、半導体と放熱体と間の距離に違いがあっても熱対策が必要な半導体の数より少ない数の放熱シートを介在することによって半導体の冷却ができる構造体を提案することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の半導体の冷却構造体は、基板上に実装された基板からの高さの異なる複数の半導体、または放熱体の厚みの差がある実装体の半導体から発生する熱を放熱シートで冷却する構造体であって、前記半導体と前記放熱体の間には半導体の数より少ない数の放熱シートを介在させるとともに、前記放熱シートは上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出しており、前記薄膜補強層および前記未加硫のコンパウンド層は、いずれもポリオルガノシロキサン成分100重量部に対して無機物フィラー50〜2500重量部からなるコンパウンドであることを特徴とする。
【0007】
【発明実施の形態】
本発明においては、基板からの高さの異なる複数の半導体の基板からの高さの差が、0.2mm以上であっても有効に放熱できる。同様に、半導体の高さは同じであるが放熱体の厚みの差がある実装体の厚みの差が、0.2mm以上であっても有効に放熱できる。
【0008】
前記本発明の半導体の冷却構造に使用する放熱シートは、上下表面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、その間に未加硫のコンパウンド層が存在しその未加硫コンパウンド層の稠度が180以上であることが好ましい。
【0009】
また、薄膜補強層および未加硫のコンパウンド層が、いずれもポリオルガノシロキサン成分100重量部に対して無機物フィラー50〜2500重量部からなるコンパウンドであることが好ましい。
【0010】
また、上下両面表層部の薄膜補強層の厚みが0.002〜0.5mmの範囲であり、その間の未加硫のコンパウンド層の厚みが0.25〜10mmの範囲であることが好ましい。
【0011】
また、厚さ方向から荷重を10gf/mm2以上かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出すことが好ましい。
【0012】
また、厚さ方向から荷重をかけ、50%圧縮した後、1分後の荷重値が、20gf/mm2以下であることが好ましい。
【0013】
また、表面表層部のアスカーC硬度が10以上であることが好ましい。
【0014】
本発明の半導体の冷却構造は基板上に実装された基板からの高さが異なる半導体,基板上に散在している半導体,均一の厚みでない放熱体を少ない枚数の放熱シートで熱対策ができるため簡単な熱設計,実装を実現できる。
【0015】
放熱シートの材質はアクリル,ウレタン,シリコーンなどがありそれらの誘導体も適宜使用してよい。耐熱性を考慮するとシリコーンを使用するのが好ましい。
【0016】
両表面の架橋密度を高くさせる方法としては放熱シートを構成する樹脂分を硬化させる成分を放熱シート表面に多く存在させ硬度を硬くするのが好ましい。
【0017】
以下、図面とともに本発明の放熱シートを説明する。図1は本発明の一実施形態の低硬度放熱シートの断面図である。放熱シート1は、上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層2,3と、その間の未加硫のコンパウンド層4によって形成されている。図2は、厚さ方向に圧縮荷重がかかったときの断面図である。未加硫のコンパウンド層4は両方の側面から膨出するため、応力を緩和でき、荷重値を低くすることができる。
【0018】
本発明の放熱シートは、好適には上下面のいずれかの表層部から荷重を10gf/mm2以上かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出す。これにより、圧縮荷重がかかったとき、内層の未加硫のコンパウンド層の外側へのはみ出しにより、応力を緩和でき、その結果、発熱素子に加わる荷重を低減することができる。
【0019】
本発明の未加硫のコンパウンドを薄膜補強層にするには、シリコン原子に直接結合している水素原子が1分子中に少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが好適に使用される。
【0020】
薄膜補強層の作成方法は、樹脂フィルムにあらかじめオルガノハイドロジェンポリシロキサンを塗布しておき、得られたオルガノハイドロジェンポリシロキサン層を内側に配置してその2枚の樹脂フィルムの間に未加硫のコンパウンドを充填し、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサン層を未加硫のコンパウンドの両表面に転写して一体成形するのが好ましい。
【0021】
成形方法としてはプレス成形、コーティング成形、カレンダー成形等があり未加硫のコンパウンドの性状でどの加工方法にするかは任意に選択できる。
【0022】
樹脂フィルムにポリオルガノハイドロジェンポリシロキサンを塗布するにはナイフコーター,バーコーター,グラビアコーター,多段ロールコーターなどがありどれを用いてもよい。
【0023】
放熱シートの切り口から未加硫のコンパウンドが滲みでてこないように未加硫のコンパウンドの稠度は180以上が好ましい。
【0024】
未加硫のコンパウンドは架橋剤の添加されていないポリオルガノシロキサン成分100重量部に対して無機物フィラー50〜2500重量部から構成される。
【0025】
前記低硬度放熱シートは、スパーカッターなどのように刃がシート上面から下りて裁断する形式ではカット面が凸凹になりやすいため、ロータリーカッターのような丸刃で裁断されることが好ましい。
【0026】
コンパウンドは、無機物フィラーが酸化アルミニウム,酸化亜鉛,酸化マグネシウム及び窒化硼素から選ばれる少なくともひとつの無機粒子であることが好ましい。無機物フィラーにはシランカップリング剤,チタンカップリング剤,アルミニウムカップリング剤などの処理をしてもよい。
【0027】
難燃性付与のため白金系化合物を添加しもよい。白金系化合物としては塩化白金酸,アルコール変性塩化白金,白金オレフィン錯体,メチルビニルポリシロキサン白金錯体から選ばれる少なくともひとつであることが好ましい。
また、難燃助剤として酸化鉄,酸化チタン,水酸化アルミニウム,水酸化マグネシウムなどがあり一種または二種の混合物が好適に用いられる。
【0028】
前記した本発明の低硬度放熱シートは上下面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、その間に未加硫のコンパウンドが存在することにより発熱素子に加わる荷重を低減することのできる放熱シートになりしかも上下面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であるため取り扱い性が良好な低硬度放熱シートを得ることができる。
【0029】
【実施例】
以下実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
【0030】
ここで使用する無機物フィラーは、フィラー表面をビニルトリメトキシシランなどのカップリング剤(例えば商品名「SZ6300」、東レ・ダウコーニングシリコーン株式会社)により処理をした。処理方法は乾式法であり、具体的には無機物フィラーをニーダーミキサーなどの混練機で攪拌中に前記カップリング剤を滴下し、30分間攪拌した後、120℃に設定した熱風オーブン中で1時間乾燥して、目的とする無機物フィラーを得た。
【0031】
樹脂フィルムはポリプロピレンフィルムを使用した。
【0032】
樹脂フィルムへのオルガノハイドロジェンポリシロキサン(SH1107 東レ・ダウコーニングシリコーン(株)製)をバーコーターにより厚さ5μmで塗布した。得られた2枚の樹脂フィルムのオルガノハイドロジェンポリシロキサン層を内側に配置してその間に未加硫のコンパウンドを充填し、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサン層を未加硫のコンパウンドの両表面に転写して一体成形する方法を採用した。
【0033】
【実施例1】
架橋剤が添加されてないポリオルガノシロキサン100重量部(SE4400のA液 東レ・ダウコーニングシリコーン(株))製に酸化アルミニウム100重量部(AL30 昭和電工株式会社製))を添加混練りすることによって、未加硫のコンパウンドを得た(稠度:190)。これを前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンを塗布した樹脂フィルム二枚でプレスで120℃、5分で硬化させ成型することで放熱シートを得ることができた。
【0034】
得られた放熱シートの両表面の薄膜補強層の厚みは0.1mm、未加硫のコンパウンド層の厚みは1.8mm、トータル厚さ2.0mmであった。
【0035】
得られた放熱シートの特性は、硬度(アスカーC)が23であり、50%圧縮荷重(1分後)10kgf荷重で16gf/mm2、熱伝導率は2.5W/m・Kであり、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有していた。
【0036】
得られた放熱シート1を図3Aに示す半導体実装基板に組み込んだ。具体的には、基板5の表面の半径52mmの円内に、高さ1.8mmの半導体(IC)6aと、高さ2.0mmの半導体(IC)6bと、高さ1.8mmの半導体(IC)6cが実装されている。図3Bの側面図に示すように、基板5と放熱板である厚さ2mmのアルミニウム板7との間に1枚の放熱シート1を挟み込み実装した。
【0037】
その結果、一枚の放熱シートのみですべての半導体温度を70℃以下にすることができた。
【0038】
以上の実施例によれば、基板5上に実装された高さの異なる複数の半導体6a,6b,6cから発生する熱を放熱シート1で放熱体7に放熱する構造体であって、半導体6a,6b,6cと放熱体7の間には半導体の数より少ない数の放熱シート1を介在させる。放熱シート1は上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出す程度に流動性がある。これにより、内部のコンパウンドは未硬化なため圧力がかかっても徐々に緩和していくため多少の半導体と放熱体と間の距離は吸収できる。
【0039】
【実施例2】
実施例1と同様な方法で厚さ1.5mmの放熱シート(図4Bの符号11)と厚さ3.0mmの放熱シート(図4Bの符号12)を得た。得られた放熱シートの両表面の薄膜補強層の厚みは0.1mmであった。
【0040】
得られた放熱シートの特性は、硬度(アスカーC)が23であり、50%圧縮荷重(1分後)10kgf荷重で16gf/mm2、熱伝導率は2.5W/m・Kであり、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有していた。
【0041】
得られた放熱シートを図4Aに示す半導体実装基板に組み込んだ。具体的には、基板15の表面の半径60mmの円内に、高さ2.3mmの半導体(IC)16aと、高さ2.5mmの半導体(IC)16bと、高さ2.5mmの半導体(IC)16cと、高さ1.8mmの半導体(IC)16dと、高さ1.5mmの半導体(IC)16eが実装されている。図4Bの側面図に示すように、基板15と放熱板である厚さ2mmのアルミニウム板17との間に2枚の放熱シート11,12を挟み込み実装した。
【0042】
その結果、実施例1と同様に効率よく半導体の冷却ができた。
【0043】
【実施例3】
実施例1と同様な方法で厚さ1.3mmの放熱シート(図5Bの符号21)を得た。得られた放熱シートの両表面の薄膜補強層の厚みは0.1mmであった。
【0044】
得られた放熱シートの特性は、硬度(アスカーC)が23であり、50%圧縮荷重(1分後)10kgf荷重で16gf/mm2、熱伝導率は2.5W/m・Kであり、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有していた。
【0045】
得られた放熱シートを図5Aに示す半導体実装基板に組み込んだ。具体的には、基板25の表面の半径52mmの円内に、高さ1.8mmの半導体(IC)26aと、高さ1.8mmの半導体(IC)26bと、高さ1.8mmの半導体(IC)26cが実装されている。図5Bの側面図に示すように、基板25と放熱板であるアルミニウム板(通常の部分の厚さ2.0mm,凸部の厚さ2.3mm)27との間に1枚の放熱シート21を挟み込み実装した。
【0046】
その結果、実施例1と同様に効率よく半導体の冷却ができた。
【0047】
以上の実施例によれば、基板25上に実装された複数の半導体26a,26b,26cを有し、放熱体27の厚みの差がある実装体の半導体から発生する熱を放熱シート21で放熱体27に放熱する構造体であって、半導体26a,26b,26cと放熱体27の間に半導体の数より少ない数の放熱シート21を介在させる。放熱シート21は上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出す程度に流動性がある。これにより、内部のコンパウンドは未硬化なため圧力がかかっても徐々に緩和していくため多少の半導体と放熱体と間の距離は吸収できる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、半導体と放熱体と間の距離に違いがあっても熱対策が必要な半導体の数より少ない数の放熱シートを介在することによって半導体の冷却ができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の低硬度放熱シートの断面図である。
【図2】同、厚さ方向に圧縮荷重がかかったときの断面図である。
【図3】Aは本発明の実施例1で用いる半導体実装基板の平面配置図、Bは同実施例1の放熱シートを挟み込み実装した側面図である。
【図4】Aは本発明の実施例2で用いる半導体実装基板の平面配置図、Bは同実施例2の放熱シートを挟み込み実装した側面図である。
【図5】Aは本発明の実施例3で用いる半導体実装基板の平面配置図、Bは同実施例3の放熱シートを挟み込み実装した側面図である。
Claims (8)
- 基板上に実装された基板からの高さの異なる複数の半導体、または放熱体の厚みの差がある実装体の半導体から発生する熱を放熱シートで冷却する構造体であって、
前記半導体と前記放熱体の間には半導体の数より少ない数の放熱シートを介在させるとともに、
前記放熱シートは上下両面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出しており、
前記薄膜補強層および前記未加硫のコンパウンド層は、いずれもポリオルガノシロキサン成分100重量部に対して無機物フィラー50〜2500重量部からなるコンパウンドであることを特徴とする半導体の冷却構造体。 - 基板からの高さの異なる複数の半導体の基板からの高さの差が、0.2mm以上である請求項1に記載の半導体の冷却構造体。
- 半導体の高さは同じであるが放熱体の厚みの差がある実装体の厚みの差が、0.2mm以上である請求項1に記載の半導体の冷却構造体。
- 未加硫のコンパウンド層の稠度が180以上である請求項1に記載の半導体の冷却構造体。
- 上下両面表層部の薄膜補強層の厚みが0.002〜0.5mmの範囲であり、その間の未加硫のコンパウンド層の厚みが0.25〜10mmの範囲である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
- 厚さ方向から荷重を10gf/mm2以上かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出す請求項1〜5のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
- 厚さ方向から荷重をかけ、50%圧縮した後、1分後の荷重値が、20gf/mm2以下である請求項1〜6のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
- 表面表層部のアスカーC硬度が10以上である請求項1〜7のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
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