JP3672240B2 - 熱輸送機構を分離するための動的切り換えを有する熱電冷却 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、全般的に、冷却システムに関する。より詳細には、本発明は、選択的に切り換えられる電力ならびに選択的に切り換えられる熱結合の概念および構成を適用することにより相対的に効率の高い熱電冷却を達成するシステムを対象とする。
【０００２】
【従来の技術】
周囲温度以下の（sub-ambient）冷却は、従来からフレオン・タイプの冷凍を使用して熱伝達を実施する気体／液体蒸気圧縮に基づく冷凍サイクルによって実施されている。このような冷凍システムは、住居、食品、車両を冷却するために広範に使用されている。周囲温度以下の冷却は、メインフレーム・コンピュータなどの主な電子システムでもしばしば使用されている。蒸気圧縮冷却は非常に効率のよいものであるが、最低限、コンプレッサ、凝縮器、蒸発器、および関連する冷媒移送配管を含む、大きな移動ハードウェアを必要とする。複雑さおよび付随する高いコストの結果、蒸気圧縮冷却は、小規模冷却用途、例えばパーソナル・コンピュータでは実質的に受け入れられていなかった。
【０００３】
ＣＭОＳ論理装置が、温度が低下するにつれてより高速に動作できることは、少なくとも１０年前からよく知られている。例えば、ＣＭОＳ論理装置が−５０℃で動作する場合、性能は、室温動作よりも５０パーセント改善される。−１９６℃の範囲の液体窒素の動作温度では、２００パーセントの性能改善を示す。集積回路の配線でも同様な利益が得られ、金属配線の抵抗が、−５０℃で動作する集積回路では室温動作に比べて２分の１に減少する。この改善は、集積回路に銅線を使用して相互接続抵抗を下げ、これによって、達成可能な動作周波数を効果的に上げる、最新の技術的ブレークスルーに匹敵する。したがって、電界効果トランジスタなどの集積回路論理装置や相互接続配線の周囲温度以下の動作は、集積回路の性能を大幅に改善するが、たえず減少するサイズと大幅なコスト縮小の環境という制約の中でこのような冷却をどのようにして達成するかという問題が残っている。
【０００４】
熱電冷却は、広く使用されているペルチエ装置のコンパクトなサイズにより一部で使用されている一代替方法である。ペルチエ装置による熱電冷却はまた冷却が完全にソリッド・ステートであるので、極めて信頼性が高い。熱電冷却の主要なマイナス面は、その非効率性にあり、ペルチエ装置冷却システムの効率は、コールド・シンクと周囲の間の相対的公称温度低下に対し一般にわずか２０パーセントの範囲にある。例えば、周囲温度以下の温度０℃で１ワットのレートで冷却するには、ペルチエ冷却システムに５ワットの電力を供給しなければならない。伝達すべき熱の量が増加するにつれて、周囲に放散される合計電力から、大規模な対流装置と高出力の電源回路が必須となる。したがって、ペルチエ装置熱電冷却は、集積回路の性能を改善するための広く適用可能な技術とは考えられていなかった。
【０００５】
本発明がどのように熱電冷却の効率を改善するかを理解するには、ペルチエ装置熱電冷却がなぜ非効率であるかを理解する必要がある。ペルチエ装置は、テルル化ビスマスやテルル化鉛などの半導体材料で製作される。新しい材料が、現在様々な大学で評価されているが、まだ実を結んでいない。一般に使用されているペルチエ材料は、非常に高い電気伝導率と非常に高い熱伝導率を有する通常の金属とは対照的に、非常に高い電気伝導率と比較的低い熱伝導率を示す。動作の際に、ペルチエ装置は、ペルチエ装置の両端間に形成された電場に応答して、温度Ｔ_coldのコールド・シンクから温度Ｔ_hotのホット・シンクへ電子を移動する。しかし、ペルチエ装置の効率に影響を及ぼす他の機構があり、この機構が、コールド・シンクからホット・シンクへの熱エネルギの正味の移動を低下させる。
【０００６】
図１は、従来のペルチエ型熱電素子（ＴＥ）１を負荷電流３でＴＥ１の両端間に電場を生成した直流電源２と共に概略的に示す。所望の熱伝達は、温度Ｔ_coldのコールド・シンク４から、温度Ｔ_hotのホット・シンク６までである。図１の式に示すように、輸送される正味の熱エネルギは、３つの成分で構成されており、第１の成分は、ペルチエ効果の（熱電）寄与を表し、第２の成分は、マイナスのジュール加熱効果を定義し、第３の成分は、マイナスの伝導効果を定義する。熱電成分は、ゼーベック係数α、動作温度（Ｔ_cold）および印加される電流の関数である。ジュール加熱成分は、ジュール加熱の約半分がコールド・シンクへ移動し、残りの部分がホット・シンクへ移動することを反映する。最後に、熱伝導に帰せられるマイナス成分は、ペルチエ装置の熱伝導率として定義される、ホット・シンクからコールド・シンクへのペルチエ装置中の熱の流れを表す。式（１）を参照のこと。
【数１】

【０００７】
熱輸送の熱電成分が電流に正比例して増加し、ジュール加熱が電流の２乗に比例して増加し、熱伝導がホット・シンクとコールド・シンクの温度差に正比例するので、上記の式は、ペルチエ装置がどれほど速やかに非効率になるかを明確に反映している。
【０００８】
式（２）は、ペルチエ装置の性能係数を定義する。この係数は、低温度で移動される正味の熱エネルギとペルチエ装置で消費される電力の比である。典型的なテルル化ビスマス材料のペルチエ装置では、性能係数は０．３未満である。
【数２】

【０００９】
式（２）の分子がペルチエ装置の正味冷却容量を表すことに留意されたい。式（２）の分母は、外部電源２によって与えられる合計エネルギを表す。分子の個々の要素については、前に説明した。分母の最初の項は、全ジュール加熱であり、第２の項は、Ｔ_coldシンクからＴ_hotシンクへエネルギを移動する際にペルチエ装置によって行われる熱エネルギ輸送の仕事である。この関係に基づくと、図１の構成で可能な最大の性能係数は、式（３）で与えられる。
【数３】

【００１０】
パラメータγは、ゼーベック係数で表され、電気伝導率σと熱伝導率λは、式（４）で記述される。
【数４】

【００１１】
式（３）の最初の要素が２つの温度のシンクＴ_coldとＴ_hotの間で動作する任意のヒート・ポンプで可能な最大効率であるカルノー効率であることに留意されたい。第２の要素は、非理想的な熱電冷却を表し、これは性能係数ＺＴによって特徴付けることもできる。γ→∞の時、η_max→（Ｔ_cold／ΔＴ）であることに留意されたい。
【００１２】
今日まで、ＺＴの高い値をもたらす熱電材料を開発することは、非常に難しかった。熱電冷却器用の有力な材料は、テルル化ビスマス（Ｂｉ₂Ｔｅ₃）とテルル化鉛（ＰｂＴｅ）であった。これらの材料は、室温で約０．３のＺＴ値を有する。諸大学における最近の研究で、１に近いＺＴ値がテルル化鉛の量子井戸および多数格子内で可能なことが示された。しかし、これらの材料を使っても、熱電冷却は、機械的蒸気圧縮冷却システムと競合できない。
【００１３】
ペルチエ装置冷却の他の制約は、周囲温度以下で達成される温度変動が制限されることである。この制限は、温度差が増加するにつれて迅速に劣化するパラメータである、効率によって温度範囲が制約されることから生じる。可能な最大温度差Ｔ_maxは、式（５）で与えられる。
【数５】

【００１４】
約０．３のＺＴを有するテルル化ビスマスでは、Ｔ_maxは、３００°Ｋで４５°Ｋである。
【００１５】
したがって、効率と温度差に対するいくつかの極めて基本的な制約があり、周囲温度以下の冷却用途での従来の熱電素子の使用が制限される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、電力に対する動的変調の適用と、熱電素子を電源およびコールド・シンクにそれぞれ接続する熱伝導経路によって、従来の熱電素子冷却の基本的制約を克服するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
一形態において、本発明は、請求項１に記載の熱電冷却装置に関する。
【００１８】
さらに他の形態において、本発明は、請求項１６に記載の熱電冷却装置の動作方法に関する。
【００１９】
本発明の具体的な一形態において、相補的不純物型の熱電素子が、電気的に直列に接続されており、切り換えられた電圧のパルスによって電力を供給される。熱電素子は、電気的に分離された個々のホット・シンクに片側で熱的に結合され、そのそれぞれの低温側の共通接続部から、コールド・シンクへの熱経路を選択的に確立する熱スイッチへ熱的結合される。電気スイッチと熱スイッチの選択的であるが同期した動作は、コールド・シンクから熱スイッチを介して熱電素子対を経てそれぞれのホット・シンクに至る、このような熱電素子の静モードの動作を上回る効率での熱エネルギの移動をもたらす。遷移原理を使用することにより、熱伝導機構およびジュール加熱機構から熱電熱輸送機構を相対的に分離することが可能となる。性能効率は、カルノー効率に近づくと予想される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の概念的基礎は、温度差、ならびに従来の熱電素子熱伝達の効率をこれまで制限していた、熱伝導率と電気伝導率の間の依存性を分離するものである。その目的は、数学的に、熱電スイッチを使用して、熱電熱伝達を動的に最大化するとともに、ジュール加熱と伝導熱伝達を最小にすることにより、図１で指定された正味の熱伝達関係に寄与する諸要素を効果的に分離することである。熱電素子の遷移効果を使って、熱電素子の両端間に印加されるパルス化電圧と、熱電気要素の冷却側とコールド・シンクの間の切り換え熱伝導結合とを同期させることによって効率を上げる。好ましい実施形態では、熱伝導の切り換えは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）熱スイッチの使用によって達成され、多数の超小型熱電素子および関連するＭＥＭＳ熱伝導スイッチのアレイを使って熱伝達容量を増加させる。
【００２１】
図２に、本発明の最小の要素構成を略示する。熱電素子１は、熱伝達ｑを有する熱経路を介しホット・シンク６に連続的に結合されている。熱電素子１の反対端部は、電圧の印加とこれに応答する熱伝達の点から見て、熱スイッチ７を介してコールド・シンク４に熱的に結合されている。図２で実施されているように、スイッチ７は電流も通し、スイッチ７が閉じたとき、熱電素子１の両端間に電圧２を印加することが可能になる。サイクルの開始時に、ホット・シンク６への熱結合により、熱電素子１は、Ｔ_hotである。スイッチ７がパルス式に閉じると、熱電素子１は、高温端８と低温端９の間に相対的温度差を迅速に確立し、この温度差により、熱スイッチ７を通るコールド・シンク４からの熱伝達が可能となる。しかし、時間の経過とともに、熱電素子１内のジュール加熱効果が、熱電素子１の平均温度を上昇させ、したがって、熱電素子１を通る正味の熱伝達が減り始める。この時点で、スイッチ７が開かれ、前記電源と前記熱結合の両方を切断する。スイッチのディスエーブル時に、熱電素子１の残留熱エネルギが、熱電素子１とホット・シンク６の間の指数関数的に減衰する熱伝達をもたらすのに十分なだけ温度を上げる。熱電素子１の温度が、ホット・シンク６に近い温度まで減衰したとき、サイクルが繰り返される。この動作の遷移的性格は、熱電熱伝達が相対電圧の受け取り時にただちに起こり、ジュール加熱と以降の熱電素子の伝導損失は遅延効果であることによる。したがって、本発明は、電気伝導と熱伝導の時間スケールと時間定数の違いを利用するものである。
【００２２】
図２を参照して説明した、効率を改善するための基本概念は、若干のあまり顕著ではないが、それでも重要な非効率性の寄与因子である。最も顕著なのは、スイッチ７が閉じた時のスイッチにおけるジュール加熱、スイッチ７が開状態にある時のスイッチを介する熱コンダクタンス損失、熱電素子１の熱容量による熱損失である。
【００２３】
遷移の詳細な分析から、熱電素子の熱容量による熱損失がフーリエ・コンダクタンス項にほぼ等しいことがわかる。したがって、以前に式２として記述した性能係数の表現は、式（６）によってより完全に記述される。
【数６】

【００２４】
式（６）において、項ＲｓとＫｓは、スイッチのオン電気抵抗およびオフ熱コンダクタンスである。スイッチのオン電気抵抗Ｒｓは、オフ熱コンダクタンスＫｓを増大させるという犠牲を払って一般に小さくできる。
【００２５】
性能係数を改善する１つの手法は、図３の実施形態に示したものであり、電気スイッチがｎ型およびｐ型の熱電素子の巧みな配置と接続によりホット・シンクに置かれている。これにより、電気スイッチに関連する熱は、性能係数に対する寄与因子として除去される。これにより数学的に、性能係数を式（７）に記述するように書き直すことができる。
【数７】

【００２６】
この効果は、最大性能係数が、式（３）で数学的に記述される図２の単一スイッチの実装に関連するものよりもわずかに、通常は２０％高いことである。式（８）を参照のこと。
【数８】

【００２７】
性能係数の改善は劇的なものではないが、この違いは、スポット冷却用途で特に重要である。この点に関して、式（９）の分子で表される熱電冷却器の正味冷却出力は、最高温度が効果的に無限であることを示していることに留意されたい。
【数９】

【００２８】
したがって、電流を増大させることにより、最大温度差を大きく増大させることができ、小型センサ、ならびにシリコン・ダイ上の専用回路に対する熱電冷却が実用的なものになる。このような局所的またはスポット冷却用途は、電圧制御発振器、位相検出器、ミクサ、低雑音増幅器、レーザ、フォトダイオード、および各種材料の光電回路に特に有用である。少なくとも理論的に、スポット冷凍温度冷却が、限られた用途で可能である。複数の不純物型の熱電素子と別個の電気スイッチを使用すると、効率および温度範囲に関して大きな潜在的可能性が得られる。
【００２９】
図３の実施形態では、いくつかの相互に関係する工夫が導入される。まず、複数の熱電素子を使用する。第２に、熱電素子に印加される電源のタイミングを、熱電素子の低温端をコールド・シンクに結合する熱スイッチのタイミングと分離する。最後に、熱電素子の低温端をコールド・シンクに接続しているスイッチは、熱スイッチだけであり、電気伝導要件と、スイッチを通って流れる電流に関連したジュール損がなくなる。図３の実施形態は、２つの熱電素子、すなわちｎ不純物型の熱電素子１１とｐ不純物型の熱電素子１２を利用する。この構成により、電気スイッチ１４によってイネーブルされる単一の電圧源１３の共用が可能となり、しかもそれぞれの熱電素子１１および１２の低温端１６と１７は熱スイッチ１８を介してコールド・シンク４に熱的に結合されている。それぞれの熱電素子１１および１２の高温端１９および２１は、それぞれのホット・シンク２２および２３に熱的かつ電気的に接続されており、共用電圧源１３の使用を実施するため、これらのホット・シンクは、電気的に分離している。
【００３０】
図３における２つの熱電素子の実施形態の動作は、図２における単一熱電素子のものと類似しているが、熱スイッチと電気スイッチの分離により、それぞれのデューティ・サイクルおよび切り換えの同期化を定義する際の融通性が大きくなる。電気スイッチ１４と熱スイッチ１８は共に極めて短いデューティ・サイクルで動作し、互いに相対的に同期した動作を示すが、閉サイクルおよび開サイクルのタイミングは、熱電素子ならびにホット・シンクおよびコールド・シンクへの伝導経路結合の遷移特性に応じて異なる可能性がある。例えば、改善された熱結合は電気スイッチ１４が最初に閉じ、熱スイッチ１８がその後すぐ閉じ、電気スイッチ１４がそのやや後に開き、電気スイッチ１４が開放したやや後に熱スイッチ１８が開くことを示唆する。切り換え動作の基礎となる目的は、コールド・シンク４からホット・シンク２２および２３までの熱伝達の効率を最大にすることである。
【００３１】
図４は、例示的な電圧と、図３の実施形態の動作に関連した熱エネルギ輸送波形をプロットで示す図である。最初のプロットは、熱電素子の両端間に印加される電圧がパルス的性格のものであることを示す。第２のプロットは、ホット・シンクへ放散される熱エネルギの熱遷移および関連する減衰を示す。最後のプロットは、熱スイッチによるコールド・シンクからの熱エネルギの吸収を示す。図４のプロットは、特定の時間に関係する大きさを示すのではなく一般的な概念を示すことを意図している点で概略的なものである。
【００３２】
図５は、図３の好ましい実施形態の拡張を概略図で示すものであり、電気スイッチ１４と熱スイッチ１８のイネーブルは、温度センサ２４からの入力に応答して行われる。温度センサ２４は、同期化制御装置２６に入力を供給し、熱電素子の高温端、低温端、または両端における実際の温度に応答してスイッチ１４および１８を動作させる。スイッチ１４と１８の特徴的な同期化とデューティ・サイクルは、図３の実施形態のものと比較的類似しているが、感知された温度を使用することにより、推定による温度特性ではなく実際の温度特性を使用してスイッチ１４と１８を動作させることにより効率が最適になる。図５の実装により、同じ冷却装置でより高いホット・シンク温度あるいはより低いコールド・シンク温度などの効果を補償するように、スイッチ・タイミングを調節することが可能となる。
【００３３】
図６は、本発明に特に適したタイプの代表的な微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）熱スイッチの構造を概略的に示す。ＭＥＭＳ技術がまだ揺籃期にあるため、図６に示したスイッチは、熱電素子とコールド・シンクの間を選択的に熱結合するのに適した多くの潜在的な熱スイッチ構成の１つを示したに過ぎない。図６に示した熱スイッチは、従来の集積回路技術を使用して製造されており、薄い可撓膜２９における運動によるわずかな変位を受けるニッケル磁石２８のアレイをシリコン・チップ２７の表面に形成する。螺旋コイル２９に電流を導入するとシリコン・チップの平面に垂直な方向に磁石アレイを平行移動するのに十分な力が発生する。図６のＭＥＭＳスイッチは、開いたときは比較的低い熱伝導率を有するか、作動によって閉じたときは比較的高い熱伝導率を有すべきである。図６のＭＥＭＳ装置が電気と熱の両方の切り換えを行う場合、スイッチの「オン」抵抗を下げるために工夫が必要になると思われる。
【００３４】
図７は、ＭＥＭＳ装置のアレイを使用してペルチエ型の熱電装置とコールド・シンクの間に選択的に熱接続を確立することを示す。ペルチエ装置３２および３３は、銅導体３４によって電気的に相互接続され、図３に関連する機能を複製している。銅層３４と、ＭＥＭＳスイッチ３６および３７の磁石アレイ２８の間の間隔は、半ミクロンの公称範囲であると予想される。この寸法は、公称サイズの電気コイル３１（図６）が、スイッチ構造の作動を開始できるようになると予想される。切り換えサイクルは数秒程度であると予想されるので、ＭＥＭＳ装置のキロヘルツ周波数切り換えに関連する信頼性は、問題にならないはずである。
【００３５】
図６および図７の図を参照して説明したＭＥＭＳ型の熱スイッチは、多くの潜在的な熱スイッチ構成の１つにすぎない。例えば、容量スイッチ構造で生じた静電力が同様な目的を達成するために使用できることも完全に企図されている。全てのスイッチの基礎となる目標は、スイッチが閉じた時に、熱電素子とコールド・シンクの間の熱経路が最大熱コンダクタンスを有するが、スイッチが開いた場合、熱コンダクタンスが達成可能な最小値になるように、スイッチ位置に対する熱伝導性の極値を最大にすることである。
【００３６】
図７は、本発明の熱電冷却システムが好ましくは複数の熱電素子と、アレイに構成されたＭＥＭＳスイッチから構成されていることを示す。多数の熱電素子とスイッチにより、本発明の基礎となる遷移特性が熱電素子とスイッチ材料の次元内で達成されるようになる。言い換えれば、ジュール加熱成分と伝導成分からの熱電熱伝達の分離が、比較的小さな熱容量の熱電素子、一般にペルチエ装置と、これに応じて小型のＭＥＭＳ型の熱スイッチによって最も効果的に達成されると予想される。
【００３７】
図８は、本発明の熱電冷却器の一用途を概略的に示す。この場合、冷却器は、周囲空気に電力を放散するヒート・シンクと、電子モジュールおよびこれに接続された集積回路を有するコールド・シンクとの間に位置する。
【００３８】
図９は、熱電冷却器を拡張アレイの形で使用して、食品用冷蔵庫を効率的かつ清潔に動作させることを概略的に示す。本発明を特徴付ける高い効率と主要可動部品の欠如により、小型のポータブル・クーラなど極めて選択的で限定された用途からほぼあらゆる家庭にある大型器具への熱電冷却の移行が容易になる。
【００３９】
さらに他の用途が図１０に概略的に示される。ここでは、本発明の基礎となる概念が、住居およびオフィスの冷却、食品輸送システム、および自家用車両の冷却を含む主要な熱伝達用途を包含するようにサイズの点でさらに工夫され拡張されている。
【００４０】
図１１は、他端における用途を概略的に示す。ここでは、マイクロ・サイズの熱電冷却器が、集積回路のパラメータを制御するために選択された領域を選択的に冷却する目的で集積回路チップの部分に選択的に結合されている。
【００４１】
本発明は、特定の熱電材料や電子回路構成に制約されないこともあって、非常に広く適用可能である。本発明は、パルス動作式熱電素子の熱力学を超小型熱スイッチと組み合わせて利用して、熱伝導の諸特性を分離し、より高い冷却効率を達成する。
【００４２】
本発明の諸実施形態は、ホット・シンクに連続的に接続された熱電素子を記載しているが、熱スイッチ１８と同様な構造のスイッチによって熱電素子をホット・シンクに接続することも本発明の範囲に含まれることがわかるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の静的に動作可能なペルチエ装置冷却システムの略図である。
【図２】 本発明の実施形態である、単一スイッチ、単一熱電素子の略図である。
【図３】 本発明の実施形態である、単一熱スイッチ二重熱電素子の略図である。
【図４】 図３の実施形態による電力および熱エネルギ輸送の相対時間プロットの略図である。
【図５】 図３の単一熱スイッチ構成の閉ループ実装の略図である。
【図６】 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置の略図である。
【図７】 ＭＥＭＳ装置とペルチエ型熱電素子のアレイの略断面図である。
【図８】 周囲温度以下の低温の集積回路および電子モジュールに使用できる熱電冷却器の略図である。
【図９】 食品冷凍システムに対する本発明の拡張使用の略図である。
【図１０】 各種の住居および輸送媒体に適用される本発明の潜在的応用例および利点の略図である。
【図１１】 集積回路チップの選択された部分を局所的に冷却するための小型熱電冷却器適用を示す、略図である。

Claims (16)

1. 第１の公称温度の第１熱シンクと、
   第１の温度よりも相対的に高い第２の公称温度の第２熱シンクと、
   第２熱シンクに結合された熱電素子と、
   前記熱電素子を前記第１熱シンクへ熱的に結合する熱スイッチと、
   前記熱電素子の両端間に電圧を印加するための電気スイッチと、
   を備え、
   前記熱スイッチと前記電気スイッチはそれぞれのデューティ・サイクルで動作する熱電冷却装置。
2. 前記第２熱シンクが、少なくとも２つの電気的に分離したセクションからなり、各セクションに熱電素子が結合され、前記熱電素子は電圧源を共用し、前記電気スイッチによって共にイネーブルされる、請求項１に記載の装置。
3. 前記熱スイッチと前記電気スイッチとを同期的に動作させるための同期化制御装置をさらに含む、請求項１または２に記載の装置。
4. 温度センサをさらに含み、前記温度センサの入力が前記同期化制御装置に供給され、前記入力に応答して前記熱スイッチ及び前記電気スイッチの動作が制御される、請求項３記載の装置。
5. 前記電気スイッチのデューティ・サイクルが、前記熱スイッチの前記デューティ・サイクルと同様である請求項３または４記載の装置。
6. 前記熱スイッチが、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置である請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記熱電素子が、ペルチエ型熱電素子である請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記熱電素子が、互いに逆の不純物型の半導体が直列に接続されたものである、請求項２〜７のいずれか一項に記載の装置。
9. 周囲温度で動作可能であり、前記第１熱シンク手段が周囲温度より低い温度で熱エネルギを吸収し、前記第２熱シンク手段が周囲温度より高い温度で熱エネルギを放散する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
10. 熱エネルギの前記吸収が食品冷凍システム、または車両乗員冷凍システム、または電子集積回路装置からなる群の１つからのものである請求項９に記載の装置。
11. 互いに逆の不純物型の半導体からなる熱電素子が銅プレートにより直列に接続され、前記熱スイッチが微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アレイからなることを特徴とする請求項８に記載の装置。
12. 第１公称温度で動作可能な第１熱シンクと、前記第１公称温度よりも相対的に高い第２公称温度で動作可能な第２熱シンクと、前記第２熱シンクに結合された熱電素子とを有する熱電冷却装置を動作させる方法において、
    前記熱電素子を前記第１熱シンクへ熱的に結合するステップと、
    前記熱電素子の両端間に電圧を印加するステップと、
    を含み、
    熱的に結合する前記ステップと熱電素子の両端間に電圧を印加する前記ステップはそれぞれのデューティ・サイクルで行われることを特徴とする方法。
13. 前記第２熱シンクが、少なくとも２つの電気的に分離したセクションからなり、各セクションに熱電素子が結合され、前記熱電素子は電圧源を共用し、熱電素子の両端間に電圧を印加する前記ステップにおいて、共にイネーブルされるステップを含む請求項１２に記載の方法。
14. 前記熱電素子を前記第１熱シンクへ熱的に結合するステップと、前記熱電素子の両端間に電圧を印加するステップとの同期化が制御されるステップを含むことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方法。
15. 電圧を印加するステップのすぐ後に熱的に結合するステップが行われ、次いで、電圧を印加するステップが終了した後に、熱的に結合するステップが終了する、事を特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 熱電素子を前記第１熱シンクへ熱的に結合する前記ステップが、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置により行われることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の方法。

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