JP3661034B2 - 膜形成方法、膜、素子、アルキルシリコン化合物、及び膜形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、SiとCとを含む組成の膜を形成する為の膜形成方法、膜形成装置、及びこれに用いられる材料、並びに得られた膜や素子に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】
従来、CとSiとを含む膜はSiH4と炭化水素ガスとを用い、通常の化学気相成長(CVD)方法により作成されて来た。尚、このようにして得られた膜は、SiC化合物であるか、若しくはアモルファスSiCであった。これは、X線分析から得られるピークが、前者は、結晶性のシャープなものであること、後者は、アモルファス特有のブロードなものであることから確認できる。
【0003】
ところで、近年、ULSIで用いられるSi−C系薄膜の作成は、配線間の層間絶縁膜に代表される如く、SiとCとの組成を如何に制御するかが大きな鍵となっている。
【0004】
そして、結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜を得ようとすると、従来のSiH4と炭化水素ガスとを用いた通常の化学気相成長方法では、殆ど不可能であった。
【0005】
特に、SiH4は発火性が有り、場合によっては爆発などの危険もある。
【0006】
そこで、アルキルシリコン化合物を用い、CVDにより、結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜を得ようとすることが試みられているが、未だ、成功したとの報告は知らない。
【0007】
特に、膜を形成させようとする基体を1000℃以下の温度に保持したまま、結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜を形成したとの報告は全く無い。
【0008】
尚、1000℃以下、特に800℃以下の温度に保持した基体上に、結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜を形成することが重要なのは、基体がULSI等に用いられるものである場合、言うまでも無いことである。
【0009】
従って、本発明が解決しようとする第1の課題は、SiとCとを含む組成の膜、特に結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜を安全に形成できる技術を提供することである。
【0010】
本発明が解決しようとする第2の課題は、SiとCとを含む組成の膜、特に結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜をCVDで安全に形成できる技術を提供することである。
【0011】
本発明が解決しようとする第3の課題は、SiとCとを含む組成の膜、特に結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜をCVDにより低廉なコストで形成できる技術を提供することである。
【0012】
本発明が解決しようとする第4の課題は、SiとCとを含む組成の膜、特に結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む狙い通りの混合膜を再現性良く形成できる技術を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前記の課題は、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を基体上に形成する方法であって、
W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントより1〜30cm離れて前記基体を反応室内に配置する工程と、
前記基体を800℃以下の温度に保持する工程と、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する工程と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入し、前記基体上に前記アルキルシリコン化合物からの成分を堆積させる工程
とを具備することを特徴とするSiC膜形成方法によって解決される。
特に、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無く、SiとCとをSi:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合で含むSiC膜を基体上に形成する方法であって、
W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントより1〜30cm離れて前記基体を反応室内に配置する工程と、
前記基体を800℃以下の温度に保持する工程と、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する工程と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入し、前記基体上に前記アルキルシリコン化合物からの成分を堆積させる工程
とを具備することを特徴とするSiC膜形成方法によって解決される。
【0014】
又、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を化学気相成長方法により基体上に形成する装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられたW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントと、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する加熱機構と、
前記熱フィラメントより1〜30cm離れて前記基体が保持されるように構成された基体保持機構と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiC膜形成装置によって解決される。
【0015】
特に、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を化学気相成長方法により基体上に形成する装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられたW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントと、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する加熱機構と、
前記熱フィラメントより1〜30cm離れて前記基体が保持されるように構成された基体保持機構と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構
前記反応室内に水素ガスを導入する水素ガス導入機構
とを具備することを特徴とするSiC膜形成装置によって解決される。
【0018】
又、上記の膜形成方法によって形成されてなることを特徴とするSiとCとを含む組成の膜によって解決される。
【0019】
又、SiとCとを含む組成の混合膜であって、
X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無い
ことを特徴とする膜によって解決される。
【0020】
特に、Si:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合でSiとCとを含む混合膜であって、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無い
ことを特徴とする膜によって解決される。
【0021】
更には、上記いずれかの膜であって、絶縁膜として用いられることを特徴とする膜によって解決される。
【0022】
又、上記組成の膜が設けられてなることを特徴とする素子によって解決される。
【0023】
又、上記の膜形成方法に用いられることを特徴とするアルキルシリコン化合物によって解決される。
【0024】
本発明においては、SiとCとを任意の割合で含む混合膜、特にX線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無い混合膜を設けるものである。
【0025】
本発明においては、化学気相成長方法により膜が形成される。
【0026】
本発明において、熱フィラメントは、遷移金属の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素、特に融点が1200℃以上のものからなることが望ましい。特に、W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素、中でもW及び/又はTa製のものが望ましい。
【0027】
本発明において、膜が形成される基体は熱フィラメントから1cm以上離れて配置されていることが好ましい。特に、2cm以上、更には10cm以上離れて配置されていることが好ましい。尚、上限値は200cm、すなわち200cm以下であることが好ましい。特に、100cm以下、更には30cm以下しか離れていないことが好ましい。
【0028】
本発明において、膜が形成される基体は800℃以下、特に650℃以下の温度で保持されることが好ましい。下限値に格別な制約は無いが、必要以上に低くする必要は無い。この点から、室温以上であれば良い。
【0029】
これに対して、加熱される熱フィラメントは、好ましくは800〜3000℃に加熱であるが、更に好ましくは1500℃以上である。又、2500℃以下であることが更に好ましい。この温度制御はフィラメントに通電する電流(電力)を制御することで簡単に実現できる。
【0030】
本発明で用いられるアルキルシリコン化合物はSiHxR4−x(但し、Rはアルキル基、xは0,1,2又は3)で表される化合物である。中でも、ジメチルシラン、モノメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、モノエチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、及びテトラエチルシランの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。特に、ジメチルシランが好ましい。
【0031】
本発明で用いる物質は、アルキルシリコン化合物のみでも良い。しかし、好ましくは、アルキルシリコン化合物の蒸気以外にも水素ガスが用いられる。特に、アルキルシリコン化合物の蒸気と水素ガスとが、加熱された熱フィラメントを有する反応室内に同時に導入されることが好ましい。
【0032】
すなわち、アルキルシリコン化合物が熱フィラメントに接触すると、図1に示される如く、先ず、熱的に安定なアルキルシリコン化合物がクラッキングを起こし、熱的に不安定な化学種に変化し、この不安定な化学種、例えばSiH2,CH3が低温の基体上で分解し、シリコン及びカーボン元素が所定の割合からなる混合膜が堆積し、目的とする膜が簡単に得られるようになるのである。
【0033】
特に、アルキルシリコン化合物と水素ガスとが併用された場合、アルキルシリコン化合物が熱フィラメントに接触すると、先ず、熱的に安定なアルキルシリコン化合物がクラッキングを起こし、熱的に不安定な化学種に変化し、この不安定な化学種、例えばSiH2は、図1の場合と同様に、低温の基体上で分解する一方、一部のCH3は水素ガスと反応して安定なCH4となり、残りのCH3が分解し、シリコン及びカーボン元素が所定の割合からなる混合膜が堆積し、目的とする膜が簡単に得られるようになるのである(図2参照)。
【0034】
【発明の実施の形態】
本発明になる膜形成方法は、SiとCとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された熱フィラメントを有する反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとを含む組成の膜を設ける方法である。特に、Si:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合でSiとCとを含む膜を設ける方法であって、800〜3000℃に加熱された熱フィラメントを有する反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSi:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合でSiとCとを含む膜を設ける方法である。特に、本発明の膜形成方法は、SiとCとを任意の割合で含む混合膜を設ける方法である。又、化学気相成長方法により膜が形成される方法である。又、アルキルシリコン化合物の蒸気以外にも水素ガスが、加熱された熱フィラメントを有する反応室内に導入される方法である。特に、アルキルシリコン化合物の蒸気と水素ガスとが、加熱された熱フィラメントを有する反応室内に同時に導入される方法である。
【0035】
本発明になる膜は、上記の膜形成方法によって形成されてなるSiとCとを含む組成の膜である。この膜は、特に、結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜である。更には、X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無い混合膜である。
【0036】
本発明になる素子、例えばLSI等の半導体素子は、上記のSiとCとを含む組成の膜が設けられてなる素子である。
【0037】
本発明になるアルキルシリコン化合物は、上記の膜形成方法に用いられるアルキルシリコン化合物である。
【0038】
本発明になる膜形成装置は、SiとCとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、反応室と、前記反応室内に設けられた熱フィラメントと、前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構とを具備する。又、SiとCとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、反応室と、前記反応室内に設けられた熱フィラメントと、前記熱フィラメントから1cm以上離れた位置に膜が形成される基体を保持する基体保持機構と、前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構とを具備する。特に、Si:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合でSiとCとを含む膜を設ける為の上記装置であって、熱フィラメントを800〜3000℃に加熱する加熱機構を更に具備する。
【0039】
本発明において、熱フィラメントは、特に、遷移金属の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなる。中でも、W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素、特に融点が1200℃以上の金属、これらの中でもW及び/又はTa製のものである。又、膜が形成される基体は熱フィラメントから1cm以上離れて配置されている。特に、2cm以上、更には10cm以上離れて配置されていることが好ましい。尚、上限値は200cm、すなわち200cm以下であることが好ましい。特に、100cm以下、更には30cm以下しか離れていないことが好ましい。膜が形成される基体は800℃以下、特に650℃以下の温度で保持されることが好ましい。下限値に格別な制約は無いが、必要以上に低くする必要は無い。この点から、室温以上であれば良い。加熱される熱フィラメントは、好ましくは800〜3000℃に加熱であるが、更に好ましくは1500℃以上である。又、2500℃以下であることが更に好ましい。この温度制御はフィラメントに通電する電流(電力)を制御することで簡単に実現できる。
【0040】
本発明において、アルキルシリコン化合物はSiHxR4−x(但し、Rはアルキル基、xは0,1,2又は3)で表される化合物である。中でも、ジメチルシラン、モノメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、モノエチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、及びテトラエチルシランの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。特に、ジメチルシランが好ましい。
【0041】
以下、更に詳しく説明する。
【0042】
図3は本発明に用いられる装置の要部(CVDチャンバー)概略図、図4は図3の反応装置が組み込まれたCVD装置の概略図である。
【0043】
図3中、1は反応室、2は反応室1内に設けられた遷移金属製の渦巻状のフィラメントである。このフィラメント2には所定の電流が通電され、所定の温度に加熱されるよう構成されている。3は基板ホルダであり、この基板ホルダ3によって基板4を保持するよう構成されている。尚、この基板ホルダ3の設置位置は、保持された基板4とフィラメント2との最近接間距離が2〜100cm、特に10〜30cmとなるような位置である。5は基板4を所定の温度に加熱する為のヒーターである。6は原料(アルキルシリコン化合物)ガス導入機構である。すなわち、原料ガス導入機構6で導入された原料ガスはフィラメント2の中央部を通って基板4側に到達できるように構成されている。
【0044】
上記装置を用いて、シリコン及びカーボン元素の混合膜を作成したので、その具体例を以下に示す。
【0045】
【実施例1】
原料ガス導入機構6により(CH3)2SiH2を10sccmの流量で、又、H2を10sccmの流量で反応室1内に送り込んだ。
【0046】
この時、W製のフイラメント2は2000℃となるように通電されている。又、Si製の基板4は440℃となるようヒーター5で加熱されている。そして、フイラメント2と基板4との最短距離は20cmに設定されている。
【0047】
このようにして、基板4の(111)面上にCVDにより膜が形成された。
【0048】
この膜の組成を調べると、SiとCとからなり、その重量割合はSi:C=80.3:19.7であった。
【0049】
又、この膜のX線による分析結果が図5に示される。これによれば、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無いことが判る。かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いことも判る。尚、このことは、本発明の膜がCをかなり含む為に、Si母相の格子が歪んだことに起因すると考えられる。
【0050】
【実施例2】
実施例1において、基板4の温度を685℃にした以外は実施例1に準じて行った。
【0051】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=52.9:47.1であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0052】
【実施例3】
実施例1において、基板4の温度を200℃にした以外は実施例1に準じて行った。
【0053】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=81.8:18.2であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0054】
【実施例4】
実施例1において、基板4の温度を400℃にした以外は実施例1に準じて行った。
【0055】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=94.6:5.4であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0056】
【実施例5】
実施例1において、基板4の温度を750℃にした以外は実施例1に準じて行った。
【0057】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=49.2:50.8であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0058】
【比較例1〜5】
実施例1〜5において、フィラメント2に電流を流さなかった以外は実施例1〜5に準じて行った。
【0059】
これらの膜は、殆どSiによるものであった。しかも、本発明が目的とする全体にアモルファスでは無く、かつ、X線におけるSiC結晶で見られるシャープなピークが有って、結晶性のSiCでも無いと言う特徴は見られないものであった。
【0060】
【実施例6】
実施例1において、原料ガス導入機構6により、10sccmの流量で(CH3)2SiH2を、又、20sccmの流量でH2を反応室1内に送り込んだ以外は実施例1に準じて行い、基板4の(100)面上にCVDにより膜を形成した。
【0061】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=85.4:14.6であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0062】
尚、水素ガスを導入しなかった場合に形成された膜は、その重量割合がSi:C=72.5:27.5であった。
【0063】
すなわち、水素ガスをも導入することによってC量を少なく制御できる。
【0064】
【実施例7】
実施例1において、原料ガス導入機構6により、10sccmの流量で(CH3)2SiH2を、又、20sccmの流量でH2を反応室1内に送り込むと共に、フィラメント2の温度を1900℃、基板4の温度を410℃にした以外は実施例1に準じて行い、基板4の(100)面上にCVDにより膜を形成した。
【0065】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=75.3:24.7であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0066】
尚、水素ガスを導入しなかった場合に形成された膜は、その重量割合がSi:C=73.6:26.4であった。
【0067】
すなわち、水素ガスをも導入することによってC量を少なく制御できる。
【0068】
【実施例8】
実施例1において、原料ガス導入機構6により、10sccmの流量で(CH3)2SiH2を、又、20sccmの流量でH2を反応室1内に送り込んだ以外は実施例1に準じて膜を形成した。
【0069】
この膜の組成はSiとCとからなり、その重量割合はSi:C=89.8:10.2であり、又、X線回折により調べた処、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無かった。
【0070】
すなわち、水素ガスをも導入することによってC量を少なく制御できる。
【0071】
【実施例9】
実施例1〜実施例5において、フィラメントをTa製のものとした以外は同様に行った。
【0072】
その結果、同様な膜が得られた。
【0073】
【実施例10】
実施例9において、フィラメントをTi,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt製のものとし、そして各々のフィラメントの融点に応じて制御された電流を流した以外は同様に行った。
【0074】
その結果、同様な膜が得られた。
【0075】
【実施例11】
実施例1〜実施例5において、フイラメント2と基板4との最短距離を10cmに設定した以外は同様に行った。
【0076】
その結果、同様な膜が得られた。
【0077】
【実施例12】
実施例1〜実施例5において、フイラメント2と基板4との最短距離を30cmに設定した以外は同様に行った。
【0078】
その結果、同様な膜が得られた。
【0079】
【実施例13】
実施例1において、フイラメント2と基板4との最短距離を5cmに設定した以外は同様に行った。
【0080】
その結果、同様な膜が得られた。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が膜厚の面内均一性、及び組成均一性において優れていた。
【0081】
【比較例6】
実施例1において、フイラメント2と基板4との最短距離を100cmに設定した以外は同様に行った。
【0082】
その結果、同様な膜が得られた。但し、実施例1と比べると、実施例1の方が高速成膜性において優れていた。
【0083】
【実施例15】
実施例1〜実施例5において、フイラメント2の温度を1500℃に設定した以外は同様に行った。
【0084】
その結果、同様な膜が得られた。
【0085】
【実施例16】
実施例1〜実施例5において、フイラメント2の温度を2500℃に設定した以外は同様に行った。
【0086】
その結果、同様な膜が得られた。
【0087】
【実施例17】
実施例1において、フイラメント2の温度を800℃に設定した以外は同様に行った。
【0088】
その結果、同様な膜が得られた。但し、実施例1と比べると、実施例1の方が高速成膜性において優れていた。
【0089】
【実施例18】
実施例1において、フイラメント2の温度を3000℃に設定した以外は同様に行った。
【0090】
その結果、同様な膜が得られた。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が表面平坦性において優れていた。
【0091】
【実施例19】
実施例1において、ジメチルシランの代わりに、モノメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、モノエチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、テトラエチルシランを用いた以外は同様に行った。
【0092】
その結果、同様な膜が得られた。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が組成再現性において優れていた。
【0093】
【発明の効果】
結晶性のSiC化合物やアモルファスSiCいずれにも属さないSiとCとを任意の割合で含む混合膜をCVDで安全に、かつ、低廉なコストで、しかも再現性良く形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する説明図
【図2】本発明の原理を説明する説明図
【図3】反応装置の要部概略図
【図4】CVD装置全体の概略図
【図5】形成された膜のX線のチャート
【符号の説明】
1 反応室
2 フィラメント
3 基板ホルダ
4 基板
5 ヒーター
6 原料ガス導入機構
Claims (8)
- X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を基体上に形成する方法であって、
W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントより1〜30cm離れて前記基体を反応室内に配置する工程と、
前記基体を800℃以下の温度に保持する工程と、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する工程と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入し、前記基体上に前記アルキルシリコン化合物からの成分を堆積させる工程
とを具備することを特徴とするSiC膜形成方法。 - X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無く、SiとCとをSi:C=0.0000001:99.9999999〜99.9999999:0.0000001の重量割合で含むSiC膜を基体上に形成する方法であって、
W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントより1〜30cm離れて前記基体を反応室内に配置する工程と、
前記基体を800℃以下の温度に保持する工程と、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する工程と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入し、前記基体上に前記アルキルシリコン化合物からの成分を堆積させる工程
とを具備することを特徴とするSiC膜形成方法。 - 反応室内に水素ガスを更に導入し、基体上にアルキルシリコン化合物からの成分を堆積させることを特徴とする請求項1又は請求項2のSiC膜形成方法。
- 化学気相成長方法により膜が形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかのSiC膜形成方法。
- アルキルシリコン化合物はSiH x R 4−x (但し、Rはアルキル基、xは0,1,2又は3)で表される化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかのSiC膜形成方法。
- アルキルシリコン化合物がジメチルシラン、モノメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、モノエチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、及びテトラエチルシランの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかのSiC膜形成方法。
- X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を化学気相成長方法により基体上に形成する装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられたW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントと、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する加熱機構と、
前記熱フィラメントより1〜30cm離れて前記基体が保持されるように構成された基体保持機構と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiC膜形成装置。 - X線回折により、28°付近にブロードなSi(111)のピークが観測され、全体にアモルファスでは無く、かつ、SiC結晶で見られるシャープなピークは観測されず、結晶性のSiCでも無いSiとCとを含むSiC膜を化学気相成長方法により基体上に形成する装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられたW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなるフィラメントと、
前記フィラメントを800〜3000℃に加熱する加熱機構と、
前記熱フィラメントより1〜30cm離れて前記基体が保持されるように構成された基体保持機構と、
前記反応室内にアルキルシリコン化合物の蒸気を導入するアルキルシリコン化合物蒸気導入機構と、
前記反応室内に水素ガスを導入する水素ガス導入機構
とを具備することを特徴とするSiC膜形成装置。
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