JP3642324B2 - 液晶表示装置及び電子光学装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶駆動用半導体チップを複数搭載した液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置における液晶駆動用ドライバーＩＣの搭載について、図１０６、図１０７、図１０８、図１０９を用いて説明すると、ドライバーＩＣ５００４１はテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰという）５００４２に搭載され、パネル１６と接続部材１９を介して接続されている。ＴＣＰ５００４２におけるドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４４とドライバーＩＣ５００４１からの出力配線５００４５は５００４２の同一基板面上にあり、パネル１６との接続はそのＴＣＰ５００４２基板面上の出力配線パターン５００４５の先端部５００４６とパネル端子１８とを接続部材１９を使って接続されている。
【０００３】
また、他の従来の液晶表示装置における液晶駆動用ドライバーＩＣの搭載について、図１０６、図１０７、図１０８、図１０９、図１１０、図１１１を用いて説明すると、ドライバーＩＣ５００４１はＴＣＰ５００４２に搭載され、パネル１６と異方性導電膜５００４９を介して接続されている。ＴＣＰ５００４２におけるドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４４とドライバーＩＣ５００４１からの出力配線５００４５はＴＣＰ５００４２の同一基板面上にあり、パネル１６との接続はそのＴＣＰ５００４２基板面上の出力配線パターン５００４５の先端部５００４６とパネル端子５００１８とを異方性導電膜５００４９を使って接続されている。この異方性導電膜５００４９は主に導電粒子５００５０と接着剤５００５１より構成されていて、接着剤５００５１の厚み（Ｈ）は導電粒子５００５０の粒子径（Ｄ）より大きくなっている。これにより、ＴＣＰ５００４２の端子の先端部５００４６の厚み（Ｋ）が導電粒子５００５０の粒子径（Ｄ）より大きい場合には図１１１のような接続状態になり、導電粒子がつぶされ導通がとれている。しかし、図１１２のように接続端子１３の厚み（ｋ）が導電粒子５００５０の粒子径（Ｄ）より薄い場合には、異方性導電膜５００４９では接着剤５００５１が充分に排除されなくて導電粒子５００５０による電気的接続がうまくとれないという不都合を生じている。
【０００４】
また、ドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４４は入力信号と電源等を供給する他の別の基板（以下バス基板という）５００４３と半田付けによって接続されている。このバス基板５００４３は２層基板になっていてバス配線のクロス配線を可能にしている。ただし、図では配線および接続部の詳細は省略してある。ここで、図１０８にあるようにＴＣＰ５００４２の大部分およびバス基板５００４３がパネル外形より外側にあり、半導体チップ実装に関わるエリアが広くなっている。また、バス基板が別部品として必要であり、コスト高になっている。また、図１０９を用いてＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式について説明する。図１０９はＣＯＧ方式による半導体チップの実装部分の主要部分の断面図である。パネル基板上にバス配線５００４８を設置しようとすれば、液晶駆動用のドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４７とのクロス配線をパネル基板上で行わなければならない。また、配線はＡｕ、Ｎｉ等の金属膜薄膜を使うため、抵抗値を下げるために配線幅を広く取る必要がある。したがって、半導体チップ実装に関わるエリアが広くなり、さらに、金属薄膜で、かつクロス配線処理をするために非常なコスト高となる。
【０００５】
従来の液晶表示装置は、行電極と列電極とから成るマトリックス電極によって表示画素が構成され、液晶表示素子の周辺部に配置したＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装された半導体素子の表示用駆動信号を表示素子の電極端子に異方性導電接着材あるいは導電ゴムコネクタにより接続し、供給している。
【０００６】
図１１３、図１１４はＴＡＢ実装された半導体素子を液晶表示素子に接続した液晶表示装置の実装構造の一例を示すものである。
【０００７】
図において、液晶駆動用のＴＣＰ５０１５１は、可とう性配線部材５０１５２上に液晶駆動用の半導体素子１１１がいわゆるＴＡＢ方式で実装されている。そして、該ＴＣＰ５０１５１の一辺に設けられたＴＣＰ出力端子５０１５３を、液晶表示体１１０の端子部に異方性導電接着材１１５で接続し、その他の辺に設けられたＴＣＰ入力端子５０１５４と駆動制御回路基板５０１５５は半田付けにより接続されている。
【０００８】
また、従来の液晶表示装置における液晶表示パネルは、図１１６、及び図１１６のＥ−Ｆにおける断面図である図１１７に示すように、液晶を挟み込む２枚の透明基板のうち、例えばコモン電極（以下ＣＯＭという）側透明基板５０２の長さを、セグメント電極（以下ＳＥＧという）側透明基板５０１よりも長くし、かつ、ＣＯＭ側透明基板５０２の幅よりもＳＥＧ側透明基板５０１の幅の方が広くなるようにして、２枚の透明基板５０２、及び５０１を重ね合わせてシール剤５０８によって液晶を封入し、それぞれ他方と重なっていない部分までＳＥＧ側透明基板５０１上に形成されたＳＥＧ透明電極５０５、およびＣＯＭ側透明基板５０２上に形成されたＣＯＭ透明電極５０６を延ばし、これを液晶駆動回路との接続端子としていた。
【０００９】
また、従来の液晶表示装置は、ＴＣＰ上に実装された液晶駆動用半導体チップに画像信号および電源を供給する電源回路が、図１０６に示すＣＯＭ側バス基板５００５２上に形成されるか、または別体の電源回路基板を構成し、テープ電線などを用いて半田付けでＣＯＭ側バス基板５００５２と接続する構成となっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術はドライバーＩＣに入力信号と電源等を供給する別の配線基板（バス基板）が必要であったり、金属薄膜のクロス配線が必要であったり、また搭載範囲もかなり広くなり、安価で、コンパクトな液晶表示装置を提供することが難しいという欠点を有していた。
【００１１】
そこで、本発明は上記欠点を解決するためになされたものである。
【００１２】
その目的とするところはその液晶駆動用半導体チップの搭載範囲を小さく、薄く、コンパクトにし、さらに安価な液晶表示装置を提供することである。
【００１３】
また、上記従来技術は液晶駆動用半導体素子１１１をＴＡＢ実装法により半導体素子単品毎のＴＣＰ形態にして液晶表示素子１１０の電極端子に列順（画素に並列でかつ順番）に接続する。そして、ＴＣＰ相互の接続と、液晶駆動電源および制御信号（以下バスラインという）を供給するため駆動制御回路基板５０１５５に接続する。
【００１４】
このような実装構造による液晶表示装置の場合、特にカラー表示装置においては白黒表示と同一の解像度を得るためには３倍の画素密度が必要となるためＴＣＰの必要数も３倍になる。これに伴いＴＣＰ相互接続本数が増加し接続信頼性が低下する。また駆動制御回路基板５０１５５の配線ルールが端子数が増えることにより細密になり、基板を多層化せざるをえなくなるため、液晶表示装置が小型化できないばかりでなく、部品点数が増え高額なものになる。
【００１５】
さらに、図１１５は特開平２−２１４８２６号公報に開示された従来のカラー液晶表示装置の構造を示す図であり、カラー表示の画素増に対応するためＴＣＰ５０１５１−１〜５０１５１−３を三段重ねして実装しているが駆動制御回路基板５０１５５への接続箇所は図９８構造と同一であり画素密度が増えることにより接続本数が増え接続不良が低減できない。またＴＣＰの多段重ねをすることにより厚さ方向に半導体素子の出っ張りが生じ小型化できない等の課題があった。そこで、本発明は上記の欠点を解決するためのもので、その目的とするところは高精細かつ高密度画素のカラー液晶表示装置であっても廉価でしかも小型化ができる構造をもつ液晶表示装置を提供することである。
【００１６】
また、上記従来技術は、図１０６、図１０７、図１０８、図１１６、および図１１６の断面図である図１１７に示すように、液晶５０９を挟み込む２枚の透明基板、例えばＳＥＧ側透明基板５０１およびＣＯＭ側透明基板５０２の両方に、それぞれに対応するＴＣＰ５００４２を実装する端子があるため、ＴＣＰ５００４２をＣＯＭ側透明基板５０２、およびＳＥＧ側透明基板５０１に接続する際、まずＳＥＧ側透明基板５０１にＴＣＰ５００４２を実装し、ＣＯＭ側透明基板５０２およびＳＥＧ側透明基板５０１からなる液晶表示パネル１６を裏返した後に、ＣＯＭ側透明基板５０２にＴＣＰ５００４２を実装しなければならなかった。また、ＴＣＰ５００４２を実装した後、ＣＯＭ側透明基板５０２およびＳＥＧ側透明基板５０１の端子部の透明電極が露出した部分を保護するために紫外線硬化型樹脂のモールド２１を塗布するが、ＳＥＧ側ＴＣＰの側を塗布した後に裏返してＣＯＭ側ＴＣＰの側を塗布しなければならないため、ＳＥＧ側ＴＣＰの側に塗布した紫外線硬化型樹脂のモールド２１がたれないようにするために、ＳＥＧ側ＴＣＰの側に紫外線硬化型樹脂のモールド２１を塗布した後これを硬化し、その後裏返してＣＯＭ側ＴＣＰの側に紫外線硬化型樹脂のモールド２１を塗布し、硬化させるか、あるいは紫外線硬化型樹脂のモールド２１自体をたれの少ないものにするなどの工夫が必要であった。このため、工程が複雑になるとともに、製造装置、および製品のコストアップの原因となっていた。この不具合を回避する先行技術として実開昭６３−６２８２３号公報、および特開平３−２３３５１９号公報に開示されているように、ＳＥＧ電極を設けた上基板と、ＳＥＧ電極と対向し、かつ交差する方向に伸びるＣＯＭ電極を設けた下基板とを貼り合わせ、上下両基板の隙間に液晶を充填してなる液晶表示素子において、上基板を下基板より大きく形成し、上基板にはＳＥＧ電極端子を設けるとともに、このＳＥＧ電極端子が設けられたと同じ上基板の表面側に、下基板のＣＯＭ電極に対応する位置にＣＯＭ電極端子を設け、上基板と下基板との隙間の、液晶を封入するシール材の外側（液晶のない側）に配設した導電材で、下基板のＣＯＭ電極と上基板のＣＯＭ電極端子とを接続することを提案している。しかしながら、これらの先行技術では下基板の電極と上基板の電極端子とを接続する導電材が液晶を封入するシール材の外側、すなわち液晶のない側にあるため、導電材が直接空気に触れて腐食する、あるいは液晶表示装置製造工程における薬品類の使用による導電材の腐食などの不具合を生じやすい。またこれを防止するために樹脂モールドなどで保護するにも、導電材の周囲に空間が生じやすく、樹脂等が導電材の周りを完全に囲み、導電材と空気あるいは導電材と薬品などとの接触を完全に遮断することが困難であるという問題があった。
【００１７】
さらに、従来の液晶表示装置は、電源回路が別体になっているため、これを接続する工程が必要であるほか、電源回路と液晶表示装置とを接続する電線が長くなりやすく、電源、及び画像信号に外部からノイズが侵入しやすくなるなどの欠点があった。
【００１８】
本発明は上記欠点を解決し、液晶表示装置の製造工程の単純化及び自動化を可能とし、表示品位が高く、コンパクトで、かつ安価な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、前記多層基板に実装される第１の液晶駆動用半導体チップと、
前記他方の基板の張出し部に搭載される第２の液晶駆動用半導体チップとを備え、前記多層基板は、前記第１の液晶駆動用半導体チップに電源及び第１の画像信号を供給すると共に、前記第２の液晶駆動用半導体チップに電源及び第２の画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、前記第１の液晶駆動用半導体チップ及び前記電子部品は、前記他方の基板の張出し部の平面内からはみ出さないように前記多層基板に実装されてなり、前記多層基板は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、前記多層基板に実装される液晶駆動用半導体チップとを備え、
前記多層基板は、上層基板、中間基板、下層基板からなり、前記多層基板は、前記上層基板上に前記液晶駆動用半導体チップと当該液晶駆動用半導体チップに電源及び画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、前記液晶駆動用半導体チップの出力パッドに対応する回路パターンが、前記上層基板に形成され、前記回路パターンがスルーホールを介して、前記下層基板に形成されている接続端子に接続されており、前記液晶駆動用半導体チップの入力パッドに対応した回路パターンと、前記電源回路の回路パターンの間を横切る別の回路パターンが前記上層基板に形成され、前記入力パッドに対応した入力パターンと前記電源回路の回路パターンは、前記中間基板を介して接続されており、
前記多層基板の前記接続端子は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の電子光学装置は、一対の基板と、一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、前記多層基板に実装される駆動用半導体チップとを備え、
前記多層基板は、上層基板、中間基板、下層基板からなり、前記多層基板は、前記上層基板上に前記駆動用半導体チップと当該駆動用半導体チップに電源及び画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、前記駆動用半導体チップの出力パッドに対応する回路パターンが、前記上層基板に形成され、前記回路パターンがスルーホールを介して、前記下層基板に形成されている接続端子に接続されており、前記駆動用半導体チップの入力パッドに対応した回路パターンと、前記電源回路の回路パターンの間を横切る別の回路パターンが前記上層基板に形成され、前記入力パッドに対応した入力パターンと前記電源回路の回路パターンは、前記中間基板を介して接続されており、
前記多層基板の前記接続端子は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていることを特徴とする。
【００２４】
【作用】
本発明における液晶表示装置の構成によれば、バスラインおよび接続端子を多層基板に形成しそこに複数の半導体素子を実装し表示素子の電極に接続することで、駆動制御回路基板が不要になると同時に半導体素子の相互接続本数が削減できるため信頼性が向上し、装置の小型化が可能になる。
【００２５】
【実施例】
〔実施例１〕
以下本実施例を図１、図２、図３、図４を用いて説明する。
【００２６】
図１は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【００２７】
１、２、３は本実施例の多層（３層）基板の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田バンプを用いるフリップチップ方法等）により第１の層１の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２０を施してある。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する入力配線５がパターニングされている。また、入力配線５はスルーホール６を介して第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、入力配線５の先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディングするためのランド７が形成されている。
【００２８】
また、第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１上でパターンを広げて配線されている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１３に接続している。
【００２９】
なお、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用した。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール６、９、１１、１２も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、ランド７、接続端子１３も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【００３０】
ただし、第１の層１の表面の入力配線５、ランド７、出力配線８および第３の層３の裏面の接続端子１３は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【００３１】
焼成後のセラミック基板は温度、湿度に対して寸法安定性が優れているため、液晶駆動用半導体チップ４と多層基板１４との接続部分、および多層基板１４の接続端子１３とパネル端子１８との接続部分の接続信頼性が高い。
【００３２】
また、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層は別の素材として、ガラス繊維とエポキシ系樹脂の複合素材であるガラスエポキシ板を使用してもよい。ここで、ガラスエポキシ板の厚みは０．１ｍｍのものを使用したが、０．０５ｍｍから０．８ｍｍ程度の厚みのものが使用できる。入力配線５、出力配線８、バス配線１０、ランド７、および接続端子１３はそれぞれの層毎に公知のサブトラクティブ法やアディティブ法により銅等の金属をパターニングし、スルーホール６、９、１１、１２は銅等の金属を公知のメッキ法等により、各層毎、または各層を重ね合わせて形成する。パターニングされた金属の厚みは０．００１ｍｍから０．０３５ｍｍ程度であるが、低抵抗化や大電流化に対応するため、０．０３５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。それぞれの配線入力配線５、出力配線８、バス配線１０、ランド７、接続端子１３、スルーホール６、９、１１、１２の表面は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ等の単独または複数の組み合わせのメッキ処理を施してもよく、メッキ厚みは０．００００５ｍｍから０．０５ｍｍ程度である。ガラスエポキシ板を使用すると、前記セラミック基板より厚みを薄くでき、また、使用材料、製造工程等が一般的であり安価になる。そのほかに、ガラス繊維のほかにアラミド繊維またはそれらの混合素材等と、エポキシ系樹脂のほかにポリイミド系樹脂またはＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）樹脂等との複合素材を使用してもよい。
【００３３】
さらにまた、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層は別の素材として、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエステル（ＰＳ）、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）、ポリサルフォン（ＰＳ）、アクリル、エポキシ、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート等の単独またはそれらのいくつかを複合化した有機樹脂フィルムを使用してもよい。ここで、有機樹脂フィルムの厚みは０．０２５ｍｍのポリイミドフィルムを使用したが、フィルムの厚みは０．００１ｍｍから０．５ｍｍ程度のものを使用できる。入力配線５、出力配線８、バス配線１０、ランド７、および接続端子１３はそれぞれの層毎に公知のサブトラクティブ法やアディティブ法により銅等の金属をパターニングし、スルーホール６、９、１１、１２は銅等の金属を公知のメッキ法等により、各層毎、または各層を重ね合わせた後形成する。また、銅等の金属箔にＰＩコート（公知のキャスティング法等）したものを同様にパターニングし、積層してもよい。パターニングされた金属の厚みは０．００１ｍｍから０．０３５ｍｍ程度であるが、低抵抗化や大電流化に対応するため、０．０３５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。それぞれの配線５、８、１０、ランド７、接続端子１３、スルーホール６、９、１１、１２の表面は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ等の単独または複数の組み合わせのメッキ処理を施してもよく、メッキ厚みは０．０００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度である。有機樹脂フィルムを使用すると、前記セラミック基板、ガラスエポキシ板等より厚みを薄くでき、パネル端子１８との接続部材１９による接続を容易にし、接続信頼性、接続工程を簡略化できる。
【００３４】
図２は図１に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続した一実施例を示す。
【００３５】
図３は図２の接続部の主要部分を拡大して示す。
【００３６】
図４は図２の接続部の主要部分の断面を示す。
【００３７】
液晶表示式のパネル（例えば６４０＊４８０ドット表示）１６に図１に示した一実施例の多層基板１４をＸ側に１６個、Ｙ側に５個をそれぞれパネル端子１８に接続してある。ただし、図２ではＸ側の１２個とＹ側の５個は表示していない。多層基板１４の端子１３とパネル端子１８は、接続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００３８】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【００３９】
また、パネル端子１８の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００４０】
隣接する多層基板１４間のバス配線の接続は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納まり、図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００４１】
また、ここで使用する接続部材１９は図２１に示すような異方性導電膜でもよく、主に導電粒子３２と接着剤３３より構成されていて、接着剤３３の厚み（ｈ）は導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄くなっている。また、図２２に示すように異方性導電膜３１がセパレータ３４（テフロン（登録商標）、ＰＥＴ等のシート（フィルム）、紙等）の上に形成されたものでもよい。この導電粒子３２は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等であり、粒子径（ｄ）は０．００１ｍｍから０．０２０ｍｍ程度のものである。また、この接着剤２７はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独、または複数の混合または化合物の接着剤であり、厚み（ｈ）は０．０００５ｍｍから０．０１８ｍｍ程度である。
【００４２】
この異方性導電膜３１をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３との間に配置し、異方性導電膜３１に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電膜３１にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させて接続している。多層基板１４の接続端子１３の厚み（ｋ）が導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄い場合（特に接続端子ピッチが０．１ｍｍ以下の場合に顕著である）においても、接着剤３３が充分に圧着時に排除され、パネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３が導電粒子３２によって確実に電気的に接続されている（図２４参照）。この接続状態を接着剤３３が保持し、充分な接続信頼性を確保している。
【００４３】
他の接続部材として、図２３に示すように導電粒子３２と接着剤３３を含む液状、またはペースト状の異方性導電接着剤３５を印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１８の接続部分に配置する。この時、異方性導電接着剤３５の粘度、チキソ性等を制御して、接着剤３３の厚み（ｈ）が導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄くなるようにし、上記異方性導電膜の圧着接続と同様な方法により、図２４に示すように接続信頼性の高い接続ができる。
【００４４】
また、パネル端子１８の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【００４５】
隣接する多層基板１４間のバス配線の接続は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納まり、図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００４６】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よりコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使わないため低価格化が可能である。
【００４７】
また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするために金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が可能である。
【００４８】
〔実施例２〕
本実施例を図５を用いて説明する。
【００４９】
図５は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にワイヤーボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【００５０】
多層基板の第１の層１の表面に、液晶駆動用半導体チップ４の入出力パッドに対応して入力配線５および出力配線８にワイヤーボンディング用ランド２２が形成されている。その他、パターン、スルーホール、多層基板の形成方法、構成および構造は、実施例１と同様である。
【００５１】
液晶駆動用半導体チップの裏面を多層基板の表面に固定し液晶駆動用半導体チップ４の入出力パッドとそれぞれに対応する多層基板の第１の層１の表面のランド２２をワイヤーボンディングする。ワイヤー２３は実施例１の多層基板間の接続に使用したものと同様なものが使用可能である。また、図示は省略してあるが実施例１と同様にボンディング部およびワイヤー部を保護、補強のためにモールドしてある。
【００５２】
さらに、隣接する多層基板間のバス配線の接続は、実施例１と同様にワイヤーボンディングされている。また、同様に図示は省略してあるが実施例１と同様にボンディング部およびワイヤー部を保護、補強のためにモールドしてある。
【００５３】
このように、本実施例の多層基板を用いることによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、実施例１と同様に、コンパクト化、低価格化が可能である。
〔実施例３〕
本実施例を図６を用いて説明する。
【００５４】
図６は本発明の液晶表示装置において、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を液晶表示パネルのパネル端子１８に異方性導電膜１９を使って接続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同様である。ただし、多層基板の第１の層１の入力配線の先端はワイヤーボンディング用のランドではなく、ヒートシール、またはフレキシブル基板を接続するのに適した形状をしている。
【００５５】
隣接する多層基板１４間のバス配線の接続は、接続基板２４を使って接続している。接続基板２４としてはヒートシール、またはフレキシブル基板を用いることができる。
【００５６】
接続基板２４の接続される幅は多層基板１４の幅以内に納まり、実施例１の図４に示すように、同様にパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００５７】
このように、本実施例の多層基板を用いることによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、実施例１と同様に、コンパクト化、低価格化が可能である。また、液晶駆動用半導体チップの多層基板表面への接続、隣接する多層基板間の電気的接続については、実施例１、２、および３に示すものをそれぞれに組み合わせて使用することも同様に可能であり、それぞれの場合においても同様にコンパクト化、低価格化が可能である。
【００５８】
その他に、本実施例で用いた半導体チップを実装した多層基板、およびその多層基板を他の表示装置または電子印字装置に実装することは、半導体チップの種類をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、またはＥＬ駆動用半導体チップに換えることによって、プラズマディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用できる。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同様に多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッドに同様に接続することで電子印字装置に適用できる。
【００５９】
〔実施例４〕
本実施例を図４、図７、図８、図９、図１０を用いて説明する。
【００６０】
図７は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングした他の一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【００６１】
１、２、３は本実施例の多層（３層）基板の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田によるフリップチップ方法等）により第１の層１の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２０を施してある。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する入力配線５がパターニングされている。また、入力配線５はスルーホール６およびスルーホール２５を介して第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、第３の層のスルーホール２６を介して、第３の層の裏面の接続端子２７に接続されている。この接続端子２７は、パネル上のバス配線２８の接続端子２９に接続するように適正な形状、大きさ、厚みになっていて、さらにパネルとの接続端子１３の配列された多層基板１４の辺とおおむね直角になっている辺側に配列されている。図では一列配列となっているが、複数の配列になってもよい。
【００６２】
また、第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１上でパターンを広げて配線されている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１３に接続している。ここでは３層の多層基板における半導体チップのパッドピッチとパネルの端子ピッチの整合方法の一例を示したが、一層だけでなく複数層（２層以上）に渡って整合させてもよい。
【００６３】
なお、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用した。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール６、９、１１、１２、２５、２６も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、接続端子１３、２７も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【００６４】
ただし、第１の層１の表面の入力配線５、出力配線８および第３の層３の裏面の接続端子１３、２７は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【００６５】
図８は図７に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続する主要部分を分解して示す。また、接続部の主要部分の断面（図８のｘ−ｘ断面）は実施例１と同様に図４のようになる。パネル１６において、多層基板１４が搭載される部分に対応して、パネル上に接続端子１８およびバス配線２８とその端部に接続端子２９がパターニングされている。図８では、直線パターンで示してあるが配線抵抗や接続抵抗等の低抵抗化を考慮して配線可能なエリアいっぱいに有効にパターニングしてもよい。パネル上のバス配線２８はこの多層基板間をつなぐバス配線の役割をしている。
【００６６】
図９は図８の実施例とほぼ同じであるが、多層基板１４の接続端子１３がパネル１６の内側に配置されている。接続部の主要部分の断面（図９のｙ−ｙ断面）は図１０のようになり、パネル端子１８からパネル内部への配線長は図４の実施例より短くなり、配線抵抗値を小さくする効果がある。
【００６７】
この多層基板１４の接続端子１３とパネル端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００６８】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この加圧ヘッドの形状を接続端子１３、２７の配列形状に合わせてコの字形状の一体または複数体にすれば、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００６９】
他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この加圧ヘッドの形状を接続端子１３、２７の配列形状に合わせてコの字形状の一体または複数体にすれば、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００７０】
また、パネル端子１８、２８、２９の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００７１】
図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００７２】
このように、多層基板間の導通をとる手段として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできるため接続工数が削減される。
【００７３】
〔実施例５〕
本実施例を図４、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４を用いて説明する。
【００７４】
図１１は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングした他の一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【００７５】
１、２、３は本実施例の多層（３層）基板の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田によるフリップチップ方法等）により第１の層１の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２０を施してある。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する入力配線５がパターニングされている。また、入力配線５はスルーホール６およびスルーホール２５を介して第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、バス配線１０は第２の層２のスルーホール３０に接続され、さらに、スルーホール３０と第３の層のスルーホール２６を介して、第３の層の裏面の接続端子２７に接続されている。この接続端子２７は、接続端子１３と同じ並びになるように配列されている。また、この形状、大きさ、厚みもほぼ類似している。図１１では、接続端子１３と２７は同一形状、同一ピッチで配列されているものを示しているが、それぞれの端子内、端子間で異なっていてもよい。また、スルーホール１３、２６は一列に配列したものを示しているが、複数列に配列してもよい。
【００７６】
また、第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１上でパターンを広げて配線されている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１３に接続している。ここでは３層の多層基板における半導体チップのパッドピッチとパネルの端子ピッチの整合方法の一例を示したが、一層だけでなく複数層（２層以上）に渡って整合させてもよい。
【００７７】
なお、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用した。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール６、９、１１、１２、２５、２６、３０も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、接続端子１３、２７も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【００７８】
ただし、第１の層１の表面の入力配線５、出力配線８および第３の層３の裏面の接続端子１３、２７は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【００７９】
図１２は図１１に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続する主要部分を分解して示す。また、接続部の主要部分の断面（図１２のＸ−Ｘ断面）は実施例１と同様に図４のようになる。パネル１６において、多層基板１４が搭載される部分に対応して、パネル上に接続端子１８およびバス配線２８とその端部に接続端子２９がパターニングされている。接続端子１８と２９は直線上に配置されている。図１２では、バス配線２８を実線で簡略表示しているが、配線抵抗や接続抵抗等を考慮してパターン幅等を変えて、各配線間の抵抗値を均一化している。パネル上のバス配線２８はこの多層基板間をつなぐバス配線の役割をしている。
【００８０】
この多層基板１４の接続端子１３とパネル端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００８１】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００８２】
他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００８３】
また、パネル端子１８、２８、２９の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００８４】
図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００８５】
このように、多層基板間の導通をとる手段として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできるため接続工数が削減される。
【００８６】
図１３は図１２の実施例とほぼ同じであるが、多層基板１４の接続端子１３がパネル１６の内側に配置されている。接続部の主要部分の断面（図１３のＹ−Ｙ断面）は図１０のようになり、パネル端子１８からパネル内部への配線長は図４の実施例より短くなり、配線抵抗値を小さくする効果がある。
【００８７】
この多層基板１４の接続端子１３とパネル端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００８８】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００８９】
他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００９０】
また、パネル端子１８、２８、２９の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００９１】
図１０に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００９２】
このように、多層基板間の導通をとる手段として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできるため接続工数が削減される。
【００９３】
図１４は図１２の実施例とほぼ同じであるが、パネル上のバス配線２８が多層基板１４の搭載されるエリアだけではなく、パネル内部の表示に影響のないエリアにも配線されている。したがって、バス配線２８に使えるエリアが広くなり、配線抵抗値をより小さくするように、多層基板１４の搭載エリアを大きくすることなしにバス配線幅を大きくすることが可能である。ここでバス配線の抵抗値を小さくすることは液晶表示装置の表示品質を向上させる効果がある。接続部の主要部分の断面（図１４のＺ−Ｚ断面）は図１０のようになり、多層基板１４の搭載エリアをよりコンパクトにできた、表示品質のよい液晶表示装置とすることができる。
【００９４】
この多層基板１４の接続端子１３とパネル端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００９５】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００９６】
他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、この異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００９７】
また、パネル端子１８、２８、２９の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００９８】
図１０に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００９９】
このように、多層基板間の導通をとる手段として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されるため、別な工程が必要ないこと、またヒートシール等の別な部品も必要ないこと、さらに、入出力端子の接続を一括でできるため接続工数が削減されること等により、より安く液晶表示装置を供給できる。
【０１００】
さらに、本実施例の多層基板を用いることによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よりコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使わないため低価格化が可能である。
【０１０１】
また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするために金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が可能である。
【０１０２】
〔実施例６〕
以下本実施例を図１５、図１６、図１７、図１８を用いて説明する。
【０１０３】
図１５は本発明の液晶表示装置において、２個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【０１０４】
１、２、３は本実施例の多層（３層）基板の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、液晶駆動用半導体チップ４、４’は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、または半田バンプを用いたフリップチップ方法等）により第１の層１の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４、４’の周囲および液晶駆動用半導体チップ４、４’と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２０を施してある。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４、４’の入力パッドに対応する入力配線５、５’がパターニングされている。また、入力配線５、５’はスルーホール６を介して第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、入力配線５、５’の先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディングするためのランド７が形成されている。
【０１０５】
また、第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４、４’の出力パッドに対応する出力配線８、８’がパターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チップ４、４’の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１上でパターンを広げて配線されている。さらに、出力配線８、８’の先端にスルーホール９を形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１３に接続している。
【０１０６】
なお、第１の層１、第２の層２、第３の層３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用した。入力配線５、５’、出力配線８、８’、バス配線１０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール６、９、１１、１２も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、ランド７、接続端子１３も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【０１０７】
ただし、第１の層１の表面の入力配線５、、５’、ランド７、出力配線８、８’および第３の層３の裏面の接続端子１３は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【０１０８】
このように、ひとつの多層基板に２個の液晶駆動用半導体チップをボンディングすることは、ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたもの２個分と比較すると、入出力配線を効率よく配線でき、半導体チップも効率よく配置できるため、必要な多層基板の面積は小さくなり、部品費を安くできる。また、多層基板を個々にばらす（ダイシング、またはブレイク等）工数や半導体チップをボンディング、モールドするための多層基板のセット、リセットの工数等も削減でき、コストダウンができる。
【０１０９】
図１６は図１５に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続した一実施例を示す。
【０１１０】
図１７は図１６の接続部の主要部分を拡大して示す。
【０１１１】
図１８は図１６の接続部の主要部分の断面を示す。
【０１１２】
液晶表示のパネル（例えば６４０＊４８０ドット表示）１６に図１５に示した一実施例の多層基板１４をＸ側に８個、Ｙ側に５個をそれぞれパネル端子１８に接続してある。ただし、図１６ではＸ側の４個とＹ側の５個は表示していない。多層基板１４の端子１３とパネル端子１８は、接続部材１９によって接続が取られている。導電部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねている。
【０１１３】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１１４】
他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１１５】
また、パネル端子１８の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０１１６】
隣接する多層基板１４間のバス配線の接続は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納まり、図１８に示すようにパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【０１１７】
ここで、ひとつの多層基板に２個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたものを使用しているので、ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたものを接続した場合より、多層基板間の接続箇所は、８箇所削減（１４箇所から６箇所になっている）できている。これにともなって、ワイヤー１５の部材の削減、およびワイヤーボンディングの工数の削減ができている。
【０１１８】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よりコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使わないため低価格化が可能である。
【０１１９】
また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするために金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が可能である。
【０１２０】
〔実施例７〕
本実施例を図１９を用いて説明する。
【０１２１】
図１９は本発明の液晶表示装置において、２個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面にワイヤーボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【０１２２】
多層基板の第１の層１の表面に、液晶駆動用半導体チップ４、４’の入出力パッドに対応して入力配線５、５’および出力配線８、８’にワイヤーボンディング用ランド２２が形成されている。その他、パターン、スルーホール、多層基板の形成方法、構成および構造は、実施例１と同様である。
【０１２３】
液晶駆動用半導体チップの裏面を多層基板の表面に固定し液晶駆動用半導体チップ４、４’の入出力パッドとそれぞれに対応する多層基板の第１の層１の表面のランド２２をワイヤーボンディングする。ワイヤー２３は実施例６の多層基板間の接続に使用したものと同様なものが使用可能である。また、図示は省略してあるが実施例６と同様にボンディング部およびワイヤー部を同様な材質のモールド材でモールドしてある。
【０１２４】
さらに、隣接する多層基板間のバス配線の接続は、実施例６と同様にワイヤーボンディングされている。同様に、図示は省略してあるが実施例６と同様にボンディング部およびワイヤー部を同様な材質のモールド材でモールドしてある。
【０１２５】
このように、本実施例の多層基板を用いることによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、実施例６と同様に、コンパクト化、低価格化が可能である。
〔実施例８〕
本実施例を図２０を用いて説明する。
【０１２６】
図２０は本発明の液晶表示装置において、実施例６と同様に、２個の液晶駆動用半導体チップ４、４’をひとつの多層基板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を液晶表示パネルのパネル端子１８に接続部材１９を使って接続されている。接続部の主要部分は実施例６の図１８と同様である。ただし、多層基板の第１の層１の入力配線の先端はワイヤーボンディング用のランドではなく、ヒートシール、またはフレキシブル基板を接続するのに適した形状をしている。
【０１２７】
隣接する多層基板１４間のバス配線の接続は、接続基板２４を使って接続している。接続基板２４としてはヒートシール、またはフレキシブル基板を用いることができる。
【０１２８】
接続基板２４の接続される幅は多層基板１４の幅以内に納まり、実施例６の図１８に示すように、同様にパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに搭載される。
【０１２９】
このように、本実施例の多層基板を用いることによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、実施例６と同様に、コンパクト化、低価格化が可能である。また、液晶駆動用半導体チップの多層基板表面への接続、隣接する多層基板間の電気的接続については、実施例６、７、および８に示すものをそれぞれに組み合わせて使用することも同様に可能であり、それぞれの場合においても同様にコンパクト化、低価格化が可能である。
【０１３０】
その他に、本実施例の半導体チップを実装した多層基板、およびその多層基板を他の表示装置または電子印字装置に実装することは、半導体チップの種類をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、またはＥＬ駆動用半導体チップに換えることによって、プラズマディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用できる。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同様に多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッドに同様に接続することで電子印字装置に適用できる。
〔実施例９〕
以下本実施例を図２５から図２８に基づいて具体的に説明する。
【０１３１】
図２５は、本発明の液晶表示装置において、半導体素子を多層基板に実装したものを液晶表示素子に接続した場合の実装構造の一実施例を示す断面図であり、図２６はその平面図である。図２７は上記の液晶表示素子の端子接続部の詳細平面図である。図２８は上記実装構造を用いて構成した場合のカラー液晶表示装置のブロック図である。
【０１３２】
図２５において、液晶表示素子１１０は内面に行電極郡、列電極郡とカラーフィルターが形成された表示基板であって、それらの間に液晶組成物が封入され、電極端子郡１１３が形成されている。
【０１３３】
図２５および図２６の多層基板１１２1 、１１２2 には液晶駆動出力線Ｐ11〜Ｐ3nおよびバスラインがパターンニング形成され、各基板層の上下導通接続をおこない積層され構成されている。半導体素子１１１1 、１１１2 、１１１3 は接続端子にバンブが形成された液晶駆動用ＩＣであり、それぞれの半導体素子１１１は多層基板１１２に形成された接続端子にフェースダウン実装で接続されている。本実施例では、３色のカラー画素に対応するように３個の半導体素子１１１1、１１１2 、１１１3 を実装しているが画素数の増減に適した素子数を選択してもよい。
【０１３４】
上記多層基板１１２は各半導体素子の接続のための端子が表面層に、半導体素子１１１1 の入出力線Ｐ11が第１層に半導体素子１１１2 の入出力線Ｐ21が第２層に半導体素子１１１3 の入出力線Ｐ31が第３層に、バスラインが第３層表面に形成されている。また本実施例の多層基板１１２は三層構造であるが効率的な配線パターンが形成できれば何層でも良いことは言うまでもない。また多層基板１１２を構成する基板は本実施例では熱膨張による伸縮を考慮してセラミックを使用したがフレキシブル基材であるポリイミドフィルムなどを使用してもよい。
【０１３５】
図２５からも明らかなように、本実施例による半導体素子実装構造によれば液晶表示素子１１０を駆動させるための配線とバスラインを基板内に形成しているため駆動制御回路基板が不要になり構成部品数がきわめて少なくすみ、部品コストを大幅に削減できるものである。
【０１３６】
図２７より多層基板１１２1 と液晶表示素子１１０との接続は、それぞれのカラー画素Ｒ（赤）１３１1 、Ｇ（緑）１３１2 、Ｂ（青）１３１3 毎に引き出された液晶表示素子電極端子郡１１３と、各画素に対応した半導体素子１１１1（Ｒ用）、１１１2 （Ｇ用）、１１１3 （Ｂ用）に接続され液晶駆動出力線Ｐ11（半導体素子１１１1 の出力）Ｐ21（半導体素子１１１2 の出力）、Ｐ31（半導体素子１１１3 の出力）の延長に形成した多層基板端子郡１１４を位置合わせして異方性導電接着材１１５を介して圧着機により１８０℃、３０Ｋｇ／Ｃｍ² 、２０秒の圧着条件で接続されている。
【０１３７】
カラー表示は駆動方式が高ｄｕｔｙのため白黒表示に比べクロストークが多くコントラストが低下する欠点があるが、本実施例の接続方式によれば各カラー電極毎に独立した半導体素子の出力配線を接続し、適正な駆動波形を供給することができるたためクローストークが少なく高コントラストな表示を得ることができる。
【０１３８】
図２８は本実施例による上記実装構造を用いたカラー液晶表示装置の実施例をブロック図で示したものであり、表示素子１１０は例えば６４０×４８０ドット表示のＳＴＮ型カラー液晶表示体、半導体素子１１１1 〜１１１12は１６０出力の液晶駆動用セグメントドライバである。
【０１３９】
多層基板１１２1 〜１１２4 は、半導体素子１１１1 〜１１１12をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色毎に３個づつ実装したものであり、液晶表示素子１１０の外周に形成された電極端子に４個並列に実装されている。また、半導体素子１１１1 〜１１１12が実装された多層基板１１２1 〜１１２4 は電源および制御信号を供給するため相互に４箇所で接続されている。
【０１４０】
上記の実装構造によりカラー液晶表示装置を構成したところ半導体素子の実装構造が高密度化して、コンパクトな液晶表示装置が実現できた。また従来に比較して液晶表示素子間の接続箇所が１／３になり接続信頼性が向上した。
【０１４１】
本実施例による半導体素子の実装構造により液晶表示装置を構成し信頼性試験をおこなったところＴＳ試験（−３０℃，８０℃）１０００サイクル、ＴＨ試験（６０℃９０％ＲＨ）１０００時間でも問題は発生せず非常に良好な接続信頼性が実現できた。
【０１４２】
〔実施例１０〕
図２９は、本実施例の半導体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子として液晶表示素子２０３（以下ＬＣＤという）を用いた実施例を示している。
【０１４３】
図２９において、内部導電層２２１、入力配線２０４、出力配線２０５、バイアホール２６１、バンプ２０６等を装備した多層基板２０２上の所定の位置にＬＳＩ２０１がフェイスダウン方式で実装されている。ＬＳＩ２０１の入力・出力の各端子は前記入力配線２０４及び出力配線２０５に接続されている。実装されたＬＳＩ２０１は必要に応じて接着剤２０８で固定し、更に耐湿性等の信頼性を向上させることもできる。多層基板２０２の内部には内部導電層２２１があり、スルーホール等で各基板の表裏導通をとり各信号を入力配線２０４に伝達する役目や内部導通部２２１をグランドレベルにしてノイズ防止の役割等を果たしている。多層基板２０２のバンプ２０６部とＬＣＤ２０３の端子２３１はＡＣＦ２０９を用いて電気的に接続されている。同図ではＡＣＦ２０９はバンプ２０６付近の限られたスペースに用いてあるが多層基板２０２の全面に渡り用いてもよい。図３０は本実施例の実装構造の多層基板２０２の１個の平面図である。同図においてＬＳＩ２０１の出力端子に接続されている出力配線２０５は、バイアホール２６１を通して多層基板の表面から裏面に導通されバンプ２０６に接続されている。また図３１は同多層基板２０２の１個の平面図であり裏面を示した図である。同図においてＬＳＩ出力端子の信号を受けたバンプ２０６が必要数千鳥に並んで形成されている。ファインピッチに対応すべく出力端子ピッチを小さくする場合には同図の２列の千鳥配列を３列４列と増やすことにより実現可能となる。
本実施例での各部品・部材の特徴は次のとおりである。
ＬＳＩ ２０１…外形サイズが正方形に近い構造のもの、外形短辺と長辺の比が１：５以上の細長く後者では入力端子と出力端子が極力一辺に集中しているものを使用。各端子にはバンプ付きのものを使用。
多層基板２０２…材料としてセラミクス・ガラスエポキシ樹脂等を使用。積層数は３枚。
電子素子２０３…液晶表示素子等の電子素子。
入力配線２０４…Ａｕのみ、ＡｇＰｄ、ＣｕベースにＮｉ・Ａｕメッキを施したもの等
出力配線２０５…入力配線２０４と同様。形成方法はスルーホール内部に導電材料を充填後、ハーフカットする方法と印刷により多層基板側面に形成する方法の２種類で行った。
出力端子２０５ａ…同上
バンプ２０６ …入力配線２０４と同様。バンプ形状は円、四角形等で登頂部にはフラット面があることが望ましい。バンプのサイズは当然ながら配線パターンピッにより変わるが絶縁性を保てる中で最大サイズにするのが望ましい。
モールド２０８…エポキシ系接着剤
ＡＣＦ ２０９…熱硬化型ＡＣＦ：日立化成社製の品番ＡＣ６０００番系、７０００番系
接着剤 ２１１…紫外線硬化型接着剤、熱硬化型エポキシ系接着剤
図３２は、本発明の半導体素子の実装構造及び実装方法を用いたＬＣＤモジュールの一実施例を示す平面図である。同図においてＬＣＤ２０３の端子に複数の多層基板２０２が実装してある。本実施例では、各多層基板２０２間の接続はＡｕ・Ｃｕ・Ａｌ等の導電ワイヤーを用いてワイヤーボンディングして接続したがヒートシールやＦＰＣを用いた方法でもよい。同図のように大型のＬＣＤにおいても本実装構造を用いることにより非常にコンパクトな実装エリアを実現している。
【０１４４】
〔実施例１１〕
図３３は、本実施例の半導体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子としてＬＣＤ２０３を用いた実施例を示している。実施例１０に対して多層基板２０２をバンプ２０６がＬＣＤ２０３側にくるように実装してある点が特徴である。
【０１４５】
〔実施例１２〕
図３４は、本実施例の半導体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子としてＬＣＤ２０３を用いた実施例を示している。実施例１０に対して多層基板２０２の出力配線２０５をバイアホールではなく側面配線２５１で導通し、裏面のバンプ２０６に接続してある点が特徴である。
【０１４６】
〔実施例１３〕
図３５は、本発明の半導体素子の実装構造を用いた感熱式電子印字装置（以下電子印字装置と言う）の一実施例を示す平面図である。同図において電子印字素子であるサーマルプリンタヘッド２１３の端子に複数の多層基板２０２が実装されている。また図３６は、本実施例の電子印字装置を示す平面図であり、ＬＣＤの場合と同様に非常にコンパクトな実装エリアを実現している。
【０１４７】
〔実施例１４〕
図３７は、本発明の半導体素子の実装構造を用いた電子印字装置の一実施例を示す平面図である。実施例１３に対して多層基板２０２を１枚の一体基板にしたことが特徴である。
【０１４８】
〔実施例１５〕
図３８は、本発明の半導体素子の実装構造を用いた電子印字装置の一実施例を示す断面図である。実施例１３に対して実施例１２と同様の多層基板２０２を用いたことが特徴である。
【０１４９】
〔実施例１６〕
図３９は、本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す主要断面図である。電子素子として液晶表示素子を用いた実施例である。図３９において、内部導電層２２１、入力配線２０４、出力配線２０５を装備した多層基板２０２上の所定の位置にＬＳＩ２０１がフェイスダウン方式で実装され、ＬＳＩ２０１の入力・出力の各端子は前記入力配線２０４及び出力配線２０５に接続されている。実装されたＬＳＩ２０２は必要に応じて接着剤２０８により更に固定し、耐湿性等の信頼性を向上させても良い。多層基板２０２の内部には内部導電層２２１があり、入力配線２０４にスルーホール等で各基板の表裏導通をとり各信号を伝達する役目や内部導通部２２１がグランドレベルとなりノイズ防止の役割等を果たしている。
【０１５０】
多層基板２０２の出力配線２０５は延長され多層基板２０２の側面にまで回り込んで形成され、その側面部が他の電子素子と接続可能な出力端子２０４ａとして形成されている。その出力端子２０５ａと電子素子２０３（本実施例では液晶表示素子、以下ＬＣＤという）はＡＣＦ２０９を用いて、多層基板２０２と電子素子（ＬＣＤ）２０３の平面がほぼ垂直になるように実装され電気的に接続されている。多層基板２０２が実装された後、強度向上のため、接着剤２１１により多層基板２０２と電子素子（ＬＣＤ）２０３を接着固定してもよい。この実装方法により電子素子２０３端部の実装エリア寸法Ａは２ｍｍ以下に収めることが可能である。図４０は液晶表示装置の平面図であるが、製品要求特性上、図４０のＡ部の寸法は小さい方が望ましく、特にＬＣＤ背面にバックライトを装備する場合等には本実施例の実装構造を用いることにより前記Ａ部の寸法が非常に小さくなるためＬＣＤモジュールとしての商品性を非常に高めることができる。
【０１５１】
本実施例での各部品・部材の特徴は次のとおりである。
ＬＳＩ ２０１…外形サイズが正方形に近い構造のもの、外形短辺と長辺の比が１：５以上の細長く後者では入力端子と出力端子が極力一辺に集中しているものを使用。各端子にはバンプ付きのものを使用。
多層基板２０２…材料としてセラミクス・ガラスエポキシ樹脂等を使用。積層数は３枚。
電子素子２０３…液晶表示素子等の電子素子。
入力配線２０４…Ａｕのみ、ＡｇＰｄ、ＣｕベースにＮｉ・Ａｕメッキを施したもの等。
出力配線２０５…入力配線２０４と同様。
出力端子２０５ａ…同上。形成方法として、スルーホール（バイアホール）を形成後その中心部で切断し端子を形成する方法と基板側面に導体パターンを印刷し形成する方法を用いた。
モールド２０８…エポキシ系接着剤。
ＡＣＦ ２０９…熱硬化型ＡＣＦ：日立化成社製の品番ＡＣ６０００番系、７０００番系で圧着前の状態での導電粒子密度１０００個／ｍｍ²以上のものを使用。
接着剤 ２１１…紫外線硬化型接着剤、熱硬化型エポキシ系接着剤。
【０１５２】
〔実施例１７〕
図４１は、本発明の半導体素子の実装構造を用いた液晶表示装置の一実施例である。同図においてＬＣＤ２０３の端子に複数の多層基板２０２が本発明の半導体素子の実装構造を用いて実装してある。基板間の接続はＡｕ・Ｃｕ・Ａｌ等の金属ワイヤーを用いてワイヤーボンディングで行ったがヒートシールやＦＰＣでＡＣＦを用いて行う方法等で接続を行ってもよい。同図のように大型のＬＣＤにおいても本実装構造を用いることにより非常にコンパクトな実装エリアを実現している。
【０１５３】
〔実施例１８〕
図４２は、本発明の半導体素子の実装構造を用いた感熱式電子印字装置（以下電子印字装置と言う）の一実施例であり、電子印字素子であるサーマルプリントヘッド２１３の端子に多層基板２０２が実装されている。ＬＣＤの場合と同様に非常にコンパクトな実装エリアを実現している。
【０１５４】
〔実施例１９〕
以下本実施例を図４３を用いて説明する。
【０１５５】
図４３は本発明の半導体素子の実装方法で、入力端子及び出力端子の配列において、その半導体素子の周辺のある一辺に出力端子郡のみが配列され、その出力端子郡のみが配列されている辺と直交する、一辺または二辺に入力端子郡が配列されている半導体素子３０４を第１の層３０１に開口部３２０を設けた多層基板３１１にフェースダウンボンディングした一実施例の多層基板３１１を分解した斜視図で、３０１、３０２、３０３は本実施例の多層（３層）配線基板の各層で、３０１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、第１の層３０１に開口部３２０が設けてあり、第２の層３０２の表面には、半導体素子３０４の入力電極に対応する入力配線３０５がパターニングされている。また、入力配線３０５はスルーホール３０６を介して第３の層３０３のバス配線３０９に接続されている。さらに、入力配線３０５の先端には隣接の他の同様な多層基板３１１とバス配線の接続をするためのランド３０７が形成されている。
【０１５６】
さらに、第２の層３０２の出力配線３０８の先端に出力端子スルーホール３２４を形成し、第３の層３０３のスルーホールを介して外部接続端子３１０に接続している。
【０１５７】
なお、上記３０１、３０２、３０３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板を例にとってある。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍ程の薄いものを使用し、入力配線３０５、出力配線３０８、バス配線３０９はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール３０６、３２４も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、ランド３０７、外部接続端子３１０も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【０１５８】
ただし、第１の層３０１の表面入力配線３０５、ランド３０７、第２の層３０２の出力配線３０８、および第３の層３０３裏面の外部接続端子３１０は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度が良好である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度が良好である。
【０１５９】
なお、多層基板の材質は今回はセラミック基板を例にとって説明してあるが、その他にもカラエポ、紙フェノール、ポリミド等の材質を使用してもよい。
【０１６０】
〔実施例２０〕
以下本実施例を図４４、４５を用いて説明する。
【０１６１】
図４４は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を示す斜視図であり、実施例１９で示した多層基板３１１に半導体素子３０４を公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法等）により、半導体素子３０４が第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２の表面にフェイスダウンボンディングされている。
【０１６２】
フェースダウン後は、半導体素子３０４の周囲および半導体素子３０４と第２の層３０２の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド剤が充填してある。第２の層３０２の表面には、半導体素子３０４の入力電極に対応する入力配線３０５がパターニングされているのが特徴である。
【０１６３】
〔実施例２１〕
以下本実施例を図４６、４７を用いて説明する。
【０１６４】
図４６は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を示す斜視図であり、実施例１９で示した多層基板３１１の第１の層３０１に設けて有る開口部３２０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上面に位置するように接着剤等で固定し、半導体素子３０４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボンディング用ランド３１８とをワイヤーボンディング実装方式で実装した一実施例である。ワイヤーボンディング用ランド３１８のピッチとしては６０μｍから３００μｍで配置されており、Ａｕワイヤー３１２で電極３２５とワイヤーボンディング用ランド３１８を接続していることを特徴としている。
【０１６５】
図４７は、実施例２０における、半導体素子の実装方法の一実施例の断面図である。
【０１６６】
〔実施例２２〕
以下本実施例を図４８、４９を用いて説明する。
【０１６７】
図４８は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装された半導体素子の、バス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６で行うもので、バス配線用ＦＰＣには多層基板３１１のランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３０７とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続されていることを特徴としている。
【０１６８】
図４９は、図４８の実装後の正面図である。
【０１６９】
〔実施例２３〕
以下本実施例を図５０、５１を用いて説明する。
【０１７０】
図５０は本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装された半導体素子の、バス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、複数個の開口部３２９を設けたバス配線用ＰＣＢ基板で行うもので、バス配線用ＰＣＢ基板には多層基板３１１のランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３０７とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続されている事を特徴としている。
【０１７１】
図５１は、図５０の実装後の正面図である。
【０１７２】
〔実施例２４〕
以下本実施例を図５２を用いて説明する。
【０１７３】
図５２は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装された半導体素子の、バス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線を、多層基板３１１の第１の層３０１の表面に設けて有るランド３０７を使用して、ワイヤーボンディング実装方法でＡｕワイヤー３１２で接続したことを特徴としている。
【０１７４】
〔実施例２５〕
以下本実施例を図５３、５４を用いて説明する。
【０１７５】
図５３は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上面に位置するように多層基板３１１の第２の層３０２に接着剤等で固定され、半導体素子３０４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボンディング用ランド３１８とをワイヤーボンディング実装方式で実装した複数の多層基板３１１のバス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６で行うもので、バス配線用ＦＰＣには多層基板３１１のランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３０７とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続されていることを特徴としている。
【０１７６】
図５４は、図５３の実装後の正面図である。
【０１７７】
〔実施例２６〕
以下本実施例を図５５、５６を用いて説明する。
【０１７８】
図５５は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上面に位置するように多層基板３１１の第２の層３０２に接着剤等で固定され、半導体素子３０４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボンディング用ランド３１８とをワイヤーボンディング実装方式で実装した複数の多層基板３１１のバス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、複数個の開口部３２９を設けたバス配線用ＰＣＢ基板で行うもので、バス配線用ＰＣＢ基板には多層基板３１１のランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３０７とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続されていることを特徴としている。
【０１７９】
図５６は、図５５の実装後の正面図である。
【０１８０】
〔実施例２７〕
以下本実施例を図５７を用いて説明する。
【０１８１】
図５７は本実施例の半導体素子の実装構造の一実施例を示す斜視図であり、実施例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上面に位置するように多層基板３１１の第２の層３０２に接着剤等で固定され、半導体素子３０４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボンディング用ランド３１８とを、ワイヤーボンディング実装方式で実装した複数の多層基板３１１のバス配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線を、多層基板３１１の第１の層３０１の表面に設けて有るランド３０７を使用して、ワイヤーボンディング実装方法でＡｕワイヤー３１２で接続したことを特徴としている。
【０１８２】
〔実施例２８〕
以下本実施例を図５８を用いて説明する。
【０１８３】
図５８は本実施例の半導体素子の実装構造を電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す断面図であり、実施例２２で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装された半導体素子が複数個実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６で実装した多層基板３１１を液晶表示装置に実装したもので、多層基板３１１の外部接続端子３１０とパネル端子３１５は、異方性導電膜３１６によって接続が取られている。異方性導電膜３１６は電気的接続を確保していると同時に、ある程度多層基板３１１の液晶パネル３１３への固定も兼ねている。異方性導電膜３１６に熱硬化性、または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板３１１に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電膜３１６にＵＶ硬化性タイプを使った場合には、加圧ヘッドを多層基板３１１に押し当て、パネル端子３１５（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１８４】
また、パネル端子３１５の露出部分を腐食から守るために、モールド３３０が充填されている。合わせてモールド３３０は多層基板３１１を液晶パネル３１３に固定する役割も持っている。
【０１８５】
このように、本実施例の多層基板３１１を用いることによって、従来、ＴＣＰ方式では困難とされていた８０μｍ以下のファインピッチに対応できる。
【０１８６】
また、従来のＣＯＧ方式では液晶パネル基板上でバス配線のクロス配線を行っているため、液晶パネルのバス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするために金属配線が必要であり、コスト高となるのに対して、本実施例の多層基板３１１を用いることによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が可能である。
【０１８７】
〔実施例２９〕
以下本実施例を図５９を用いて説明する。
【０１８８】
図５９は本発明の半導体素子の実装構造を電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す断面図であり、実施例２２で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装された半導体素子が複数個実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６で実装した多層基板３１１を電子印字装置のサーマルプリンタヘッドに実装したもので、多層基板３１１の外部接続端子３１０とパネル端子３１５は、異方性導電膜３１６によって接続が取られている。
【０１８９】
〔実施例３０〕
以下本実施例を図６０を用いて説明する。
【０１９０】
図６０は実施例２３の多層基板の実装構造を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２８に対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていることを特徴としている。
【０１９１】
〔実施例３１〕
以下本実施例を図６１を用いて説明する。
【０１９２】
図６１は実施例２３の多層基板の実装構造を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２９に対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていることを特徴としている。
【０１９３】
〔実施例３２〕
以下本実施例を図６２を用いて説明する。
【０１９４】
図６２は実施例２０の多層基板の実装構造を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２８に対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としている。
【０１９５】
〔実施例３３〕
以下本実施例を図６３を用いて説明する。
【０１９６】
図６３は実施例２０の多層基板の実装構造を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２９に対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としている。
【０１９７】
〔実施例３４〕
以下本実施例を図６４を用いて説明する。
【０１９８】
図６４は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２８に対して半導体素子３０４の入出力端子の接続をワイヤーボンディングで実装していることを特徴としている。
【０１９９】
〔実施例３５〕
以下本実施例を図６５を用いて説明する。
【０２００】
図６５は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２９に対して半導体素子３０４の入出力端子の接続をワイヤーボンディングで実装していることを特徴としている。
【０２０１】
〔実施例３６〕
以下本実施例を図６６を用いて説明する。
【０２０２】
図６６は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す断面図である。実施例３４に対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていることを特徴としている。
【０２０３】
〔実施例３７〕
以下本実施例を図６７を用いて説明する。
【０２０４】
図６７は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す断面図である。実施例３５に対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていることを特徴としている。
【０２０５】
〔実施例３８〕
以下本実施例を図６８を用いて説明する。
【０２０６】
図６８は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２８に対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としている。
【０２０７】
〔実施例３９〕
以下本実施例を図６９を用いて説明する。
【０２０８】
図６９は実施例２１の多層基板の実装構造を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２９に対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としている。
【０２０９】
〔実施例４０〕
本実施例を図７０を用いて説明する。
【０２１０】
図７０は本発明の液晶表示装置において、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同様である。ただし、多層基板は多層基板間の接続長を縮めるため、ワイヤーボンディングに必要な部分のみ突出している。
【０２１１】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、多層基板に不要部分を有することなく必要最小限の形状で多層基板間の距離を縮めることにより、ワイヤーボンディングのワイヤー長が短くなり、ワイヤーの断線による接続不良の発生が低減し、低価格で信頼性の高い液晶表示装置が可能である。
【０２１２】
〔実施例４１〕
本実施例を図７１を用いて説明する。
【０２１３】
図７１は本発明の液晶表示装置において、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接続され、多層基板間はワイヤーボンディングによって接続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同様である。ただし、多層基板の上層は他の層より小さくなっており、多層基板の端部に段差が形成されおり、隣接する多層基板間の接続はワイヤーボンディングを二段に分けておこなっている。
【０２１４】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、そのワイヤーボンディングを複数段に分けることにより、ワイヤーボンディング用のランドをまとめることが出来その結果、多層基板の外形を小さくし、コンパクト化、低価格化が可能である。
【０２１５】
〔実施例４２〕
本実施例を図７２を用いて説明する。
【０２１６】
図７２は本発明の液晶表示装置において、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同様である。ただし、図７２のＭ部は、多層基板は上層と下層との間に少なくとも一層の中間層を設け、その中間層または下層または中間層および下層を上層より面積を小さくしているため、溝状となっている。
【０２１７】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、その多層基板の上層以外の中間層または下層または中間層および下層の両方を上層より面積を小さくし、治工具を取り付ける部分を設けたことによりリワーク作業時の取り扱いを容易にする。
【０２１８】
〔実施例４３〕
本実施例を図７３、図７４、図７５を用いて説明する。
【０２１９】
図７３は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図である。
【０２２０】
１、２、３は本実施例の多層（３層）基板の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強のためにモールドしてある。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する入力配線５がパターニングされている。また、入力配線５はスルーホール６を介して第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、入力配線５の先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディングするためのランド７が形成されている。
【０２２１】
また、第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１上でパターンを広げて配線されている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を形成し、第１の層の裏面のパネルとの接続端子１３に接続している。
【０２２２】
なお、上記１、２、３の各層は実施例１と同様に、アルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。
【０２２３】
図７４は図７３に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続した一実施例の主要部の断面を示す。
【０２２４】
図７５は図７３に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続した一実施例の主要部を示す。
【０２２５】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、液晶表示パネル端子上から多層基板の一部を液晶表示パネル端子上から外すことにより、液晶表示装置の厚みを薄くすることが可能である。
【０２２６】
その他に、本実施例の半導体チップを実装した多層基板、およびその多層基板を他の表示装置または電子印字装置に実装することは、半導体チップの種類をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、またはＥＬ駆動用半導体チップに換えることによって、プラズマディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用できる。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同様に多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッドに同様に接続することで電子印字装置に適用できる。
〔実施例４４〕
本発明の他の一実施例を図７６、図７７、図７８を用いて説明する。図７６、図７７は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板を示した斜視図である。この多層基板の材質・構成は実施例１の多層基板と同様であるが、取り付け穴４３２を設けてある。取り付け穴４３２の形状を図では円形のものを示したが、長方形、楕円、正方形、長穴等の形状でも良い。
【０２２７】
図７７は図７６、図７７で示した多層基板４３１ａ〜ｄを使った本発明の液晶表示装置を示す。液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面に搭載した多層基板１４．４３１ａ〜ｄをパネル１６に接続している。多層基板４３１ａ〜ｄに取り付け穴４３２を介して、パネル１６、バックライトユニット４３５と外装化粧ケース４３６の一体物、外装化粧ケース上４３３を固定用ネジ４３４により固定している。これにより、本発明の液晶表示装置で外装化粧ケースをＰＣ（パーソナルコンピューター）等の外装ケースと兼用する事ができ、従来の液晶表示装置では別部品として必要であったフレーム・金枠等の部品を削減でき部品費の低減ができる。また、組立工数も簡略化でき加工工数も低減できる。
【０２２８】
ここで、多層基板１４・４３１ａ〜ｄとパネル端子１８は実施例１と同様に接着部材１９で接続されモ−ルド２１により接着補強がされているが、筺体に組み込んだ後の強度（耐振動強度）を向上させるためにパネル端子１８と多層基板１４・４３１ａ〜ｄの側面、または、裏面にモ−ルド２１を施しても良い。 このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０２２９】
多層基板のパタ−ンと取り付け穴との間の位置精度は±０．１mm以下にする事が可能であることから、パネルパタ−ンの位置と取り付け穴との位置精度は±０．２mm以下を確保できる。筺体である外装化粧ケース４３６への組み付けはこの取り付け穴を使用しているため、バックライトユニット４３５に対しての位置再現性と外装化粧ケース上４３３へのパネル表示エリアとの位置再現性を確保向上できる。そして、取り付け用ネジ４３４で組立を行った場合はリワ−ク再組立が容易である。また、プラスチック製の引っかかりのある鋲状の部品等を使うと組み付け時に押し込むだけで組立固定が可能となり、簡単な組み込みができる。ここで、バックライトユニット４３５と外装化粧ケ−ス４３６は両面テ−プ等で固定する方式、また、取り付け用爪等により固定する方式等でも良い。
【０２３０】
〔実施例４５〕
本発明の他の一実施例を図７９、図８０、図８１を用いて説明する。図７９、図８１で示す様に、多層基板４３７ａ〜ｄのサイズをガラス端子１８の端面より大きく設計し、取り付け用切り欠き形状をガラス端面より外側に出し固定している。この多層基板の材質・構造は実施例１の多層基板と同様であるが、取り付け用切り欠き４３８を設けてある、取り付け用切り欠き４３８の形状は図中では半円状の物を示したが、長方形、正方形、ひし型、楕円、長穴等の全部または一部の形状でも良い。ここで、取り付け用切り欠きの位置を多層基板４３７ａ〜ｄの中央に配置し多層基板長辺方向の中心線に対し左右対象の形状であれば、４個の部品を１種類にする事ができる等部品の標準化が可能である。
【０２３１】
図８０は図７９に示した多層基板４３７ａ〜ｄを使った本発明の液晶表示装置を示す。液晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面に搭載した多層基板１４．４３７ａ〜ｄをパネル１６に接続している。多層基板４３７ａ〜ｄに取り付け用切り欠き４３８を介して、パネル１６、バックライトユニット４３５と外装化粧ケース４３６の一体物、外装化粧ケース上４３３を固定用ネジ４３４により固定している。これにより、本発明の液晶表示装置で外装化粧ケースをＰＣ（パーソナルコンピューター）等の外装ケースと兼用する事ができ、従来の液晶表示装置では別部品として必要であったフレーム・金枠等の部品を削減でき、また、多層基板４３７ａ〜ｄの取り付け用切り欠き４３８形状統一での部品の標準化も可能なため部品費の低減ができる。さらに、部品点数の削減により液晶表示装置組立も簡略化でき加工工数も低減できる。
【０２３２】
ここで、図８１は本発明の液晶表示装置における多層基板４３７ａ〜ｄの接続部分の断面を示す。多層基板１４・４３７ａ〜ｄとパネル端子１８は接着部材１９とモ−ルド２１により接着補強がされているが、筺体に組み込んだ後の強度（耐振動強度）を向上させるためにパネル端子１８の端面と多層基板１４・４３７ａ〜ｄの側面または、裏面にモ−ルド２１を施しても良い。
【０２３３】
このモールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０２３４】
多層基板のパタ−ンと取り付け用切り欠きとの間の位置精度は±０．１mm以下にする事が可能であることから、パネルパタ−ンの位置と取り付け用切り欠きとの位置精度は±０．２mm以下を確保できる。筺体である外装化粧ケース４３６への組み付けはこの取り付け用切り欠きを使用しているため、バックライトユニット４３５に対しての位置再現性と外装化粧ケース上４３３へのパネル表示エリアとの位置再現性を確保向上できる、そして、取り付け用ネジ４３４で組立を行った場合はリワ−ク再組立が容易である。また、プラスチック製の引っかかりのある鋲状の部品等を使うと組み付け時に押し込むだけで組立固定が可能となり、簡単な組み込みができる。ここで、バックライトユニット４３５と外装化粧ケ−ス４３６は両面テ−プ等で固定する方式、または、取り付け用爪等により固定する方式でも良い。
【０２３５】
〔実施例４６〕
以下本実施例を図８２、図８３、図８４、図８５、図８６、図８７、図８８、図８９を用いて説明する。
【０２３６】
図８２は本発明の液晶表示装置において、３個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板６０００を示す。
【０２３７】
図８３は上記図８２の多層基板６０００を分解して示した斜視図である。ここで、液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００の出力側のパッドピッチＰ１は８０μｍであり、パネル端子１８のピッチＰ２は５０μｍであり、Ｐ１＞Ｐ２の関係となる場合の実施例である。このパネル端子ピッチＰ２＝５０μｍは６インチクラスのＶＧＡカラーの液晶表示装置において必要となる微細な接続ピッチである。
【０２３８】
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００は本実施例の多層（５層）基板の各層で、１０００は第１の層、２０００は第２の層、３０００は第３の層、４０００は第４層、５０００は第５層であり、液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、または半田バンプを用いたフリップチップ方法等）により第１の層１０００の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００の周囲および１１００、１２００、１３００と１０００の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２０をしてある（図示は省略してある）。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０２３９】
図８４は第１の層の配線、スルーホール、貫通穴等を示す平面図である。
【０２４０】
図８５は第２の層の配線、スルーホール、貫通穴等を示す平面図である。
【０２４１】
図８６は第３の層の配線、スルーホール、貫通穴等を示す平面図である。
【０２４２】
図８７は第４の層の配線、スルーホール、ランド等を示す平面図である。
【０２４３】
図８８は第５の層の配線、スルーホール、接続端子等を示す平面図である。
【０２４４】
第１の層１０００の表面には、１１００、１２００、１３００の入力パッドに対応する入力配線１１１０、１２１０、１３１０がパターニングされている。また、入力配線１１１０、１２１０、１３１０（ただし、１１１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−１、１２１０−Ｎ、１３１０−１、１３１０−Ｎを除く）はそれぞれのスルーホール１１２０、１２２０、１３２０を介して第２の層２０００のバス配線２０２０に接続されている。さらに、第２の層２０００のバス配線２０２０は第２の層２０００のスルーホール２０３０、第３の層３０００のスルーホール３０３０を介して、第４の層４０００のバス配線４０２０に接続されている。入力配線１１１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−１、１２１０−Ｎ、１３１０−１、１３１０−Ｎはカスケード接続するため、他の入力配線と別の配線をしてある。すなわち、液晶駆動用半導体チップ１１００の入力配線１１１０−１は第１の層１０００のスルーホール１１２０−１、第２の層２０００のスルーホール２１２０、および第３の層３０００のスルーホール３１２０を介して配線４０２０に接続している。液晶駆動用半導体チップ１１００の入力配線１１１０−Ｎは第１の層１０００のスルーホール１１２０−Ｎ、第２の層２０００のスルーホール２１２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０に接続している。また、液晶駆動用半導体チップ１２００の入力配線１２１０−１は第１の層１０００のスルーホール１２２０−１、第２の層２０００のスルーホール２２２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０に接続し、入力配線１２１０−Ｎは第１の層１０００のスルーホール１２２０−Ｎ、第２の層２０００のスルーホール２２２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０に接続している。また、液晶駆動用半導体チップ１３００の入力配線１３１０−１は第１の層１０００のスルーホール１３２０−１、第２の層２０００のスルーホール２３２０を介して配線３０２０に接続している。液晶駆動用半導体チップ１３００の入力配線１３１０−Ｎは第１の層１０００のスルーホール１３２０−Ｎ、第２の層２０００のスルーホール２３２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０に接続している。さらに、その配線３０２０は第３の層３０００のスルーホール３１２０を介して、第４の層４０００の配線４０２０に接続している。さらに、配線４０２０には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディングするためのランド４０４０が形成されている。このランド４０４０に対応するように、第１の層１０００、第２の層２０００、第３の層３０００に貫通穴１０１０、２０１０、３０１０が設けてあり、ワイヤーボンディングしやすくしてある。
【０２４５】
また、第１の層１０００の表面には、液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００の出力パッドに対応する出力配線１１３０、１２３０、１３３０がパターニングされ、第１の層１０００のスルーホール１１４０、１２４０、１３４０、第２の層２０００のスルーホール２１４０、２２４０、２３４０、第３の層３０００のスルーホール３１４０、３２４０、３３４０、第４の層４０００のスルーホール４１４０、４２４０、４３４０、および第５の層５０００のスルーホール５１４０、５２４０、５３４０を介して配線５０５０、接続端子５０６０に接続している。ここで、１１００、１２００、１３００の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が小さいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対応するように第１の層１０００の表面でパターンを狭めて配線している。本実施例では、スルーホール１１４０、１２４０、１３４０、２１４０、２２４０、２３４０、３１４０、３２４０、３３４０、４１４０、４２４０、４３４０をそれぞれ１列に配置してあるが、複数列の千鳥配列等でもかまわない。また、出力パッドピッチとパネルの端子ピッチの整合を複数層に渡って行ってもよい。なお、第１の層１０００、第２の層２０００、第３の層３０００、第４の層４０００、第５の層５０００の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用した。入力配線１１１０、１２１０、１３１０、１１１０−１、１２１０−１、１３１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−Ｎ、１３１０−Ｎ、出力配線１１３０、１２３０、１３３０、配線２０２０、３０２０、４０２０、５０５０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール１１２０、１２２０、１３２０、１１２０−１、１２２０−１、１３２０−１、１１２０−Ｎ、１２２０−Ｎ、１３２０−Ｎ、１１４０、１２４０、１３４０、２０３０、２１２０、２２２０、２３２０、２３４０、３０３０、３１２０、３１４０、３２４０、３３４０、４１４０、４２４０、４３４０、５１４０、５２４０、５３４０も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。また、ランド４０４０、接続端子５０６０も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【０２４６】
ただし、第１の層１０００の表面の入力配線１１１０、１２１０、１３１０、１１１０−１、１２１０−１、１３１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−Ｎ、１３１０−Ｎ、出力配線１１３０、１２３０、１３３０、および第５の層５０００の裏面の配線５０５０、接続端子５０６０は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【０２４７】
本実施例の多層基板は５層構造のものであったが、当然のことながら、他の層数でもかまわない。また、ノイズ対策や静電気対策等のために中間にグランド層を１層または複数層設けてもよい。
【０２４８】
このように、液晶駆動用半導体チップの出力側のパッドピッチＰ１が８０μｍで、パネル端子の接続ピッチＰ２が５０μｍであるというように、Ｐ１＞Ｐ２の関係となる場合には、従来例であるＴＣＰで複数個の液晶駆動用半導体チップを液晶表示装置に搭載すると隣接のＴＣＰどうしが重なり合ったり、入力端子へのバス配線基板の接続が困難だったりという不具合があったが、本実施例の多層基板を使うことによって、各隣接する多層基板の重なり合いもなく、コンパクトに搭載することができる。したがって、今後益々増えるであろうＰＤＡ（パーソナル デジタル アシスタンス）等の小型情報端末機器の表示装置として、大容量表示（ＶＧＡ、ＸＧＡ仕様等）であり、なおかつ軽量薄型化、コンパクト化に対応する液晶表示装置を提供できる。
【０２４９】
また、ひとつの多層基板に３個の液晶駆動用半導体チップをボンディングすることは、ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたもの３個分と比較すると、入出力配線を効率よく配線でき、半導体チップも効率よく配置できるため、必要な多層基板の面積は小さくなり、部品費を安くできる。また、多層基板を個々にばらす（ダイシング、またはブレイク等）工数や半導体チップをボンディング、モールドするための多層基板のセット、リセットの工数等も削減でき、コストダウンができ、安価な液晶表示装置を提供できる。
【０２５０】
図８９は図８２に示した一実施例の多層基板を液晶表示パネルに接続した一実施例を示す図。
【０２５１】
カラー液晶表示型のパネル１６（例えば６４０＊３＊４８０ドット表示）に図８２に示した一実施例の多層基板６０００（１６０出力の液晶駆動用半導体チップを３個搭載してある）をＸ側に４個、実施例１と同様な多層基板１４（２４０出力の液晶駆動用半導体チップを１個搭載してある）をＹ側に２個をそれぞれパネル端子１８に接続してある。ただし、図中にはパネル配線、および多層基板の配線は表示していない。多層基板１４、６０００の接続端子１３、５０６０とパネル端子１８は、実施例１と同様に接続部材１９によって接続が取られている。導電部材１９は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板１４、６０００のパネルへの固定も兼ねている。
【０２５２】
ここで使用する接続部材１９は異方性導電膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端子１８と多層基板１４、６０００の接続端子１３、５０６０との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。他の接続部材として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押し当てることによって硬化接続される。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２５３】
また、パネル端子１８の露出部分を腐食から守るために、モールド２１が施されている（図では省略してある）。合わせてモールド２１は多層基板１４、６０００をパネルに固定する役割も持っている。このモールド材としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０２５４】
隣接する多層基板１４間、および多層基板６０００間のバス配線の接続は、ランド７、４０４０を介してワイヤー１５によってワイヤーボンディングされている。また、パネルのＸ側およびＹ側の端に位置する多層基板１４および多層基板６０００のそれぞれの片側の入力端子は中継基板７０００にワイヤー１５によってワイヤーボンディングされている。さらに、中継基板７０００には外部から信号および電源等をいれるための接続部材８０００が接続されている。この接続部材８０００には、図では省略しているが、配線パターンが１層または複数層にあり、また電子部品等も搭載していてもかまわない。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。また、ワイヤーボンディング部、ワイヤー部等を腐食から守るため、および機械的に補強する等のためにモールド２１が同様に施されている（図では省略してある）。ワイヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納まり、コンパクトになっている。
【０２５５】
ここで、ひとつの多層基板に３個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたものを使用しているので、ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンディングしたものを接続した場合より、多層基板間の接続箇所は、８箇所削減（１１箇所から３箇所になっている）できている。これにともなって、ワイヤー１５の部材の削減、およびワイヤーボンディングの工数の削減ができている。
【０２５６】
このように、本実施例の多層基板を用いることによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よりコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使わないため低価格化が可能である。
【０２５７】
また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするために金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が可能である。
【０２５８】
また、液晶駆動用半導体チップの出力側のパッドピッチＰ１が８０μｍで、パネル端子の接続ピッチＰ２が５０μｍであるというように、Ｐ１＞Ｐ２の関係となる場合においても、各隣接する多層基板の重なり合いもなく、コンパクトに搭載することができ、今後益々増えるであろうＰＤＡ（パーソナル デジタル アシスタンス）等の小型情報端末機器の表示装置として、大容量表示（ＶＧＡ、ＸＧＡ等）であり、なおかつ軽量薄型化、コンパクト化に対応する液晶表示装置を提供できる。
【０２５９】
〔実施例４７〕
図９０は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す図であり、液晶表示装置を構成する液晶パネルを示した図である。
【０２６０】
また、図９１は図９０に示した液晶表示パネル１６のＡ−Ｂにおける断面図を表わした図である。
【０２６１】
本液晶表示パネルは、ＣＯＭ側透明基板５０２と、ＣＯＭ側透明基板５０２よりも縦および横方向の長さを長くしたＳＥＧ側透明基板５０１からなっており、透明基板にはガラスを用いている。ＳＥＧ側透明基板５０１上には、酸化インジウムからなるＳＥＧ側電極端子５０３、ＳＥＧ側透明電極５０５、ＳＥＧ側透明基板上に形成されたＣＯＭ側電極端子５０４が、ＣＯＭ側透明基板５０２上にはＣＯＭ側透明電極５０６が、それぞれスパッタ法、あるいは蒸着法によって形成されており、ＣＯＭ側透明基板５０２とＳＥＧ側透明基板５０１との間には液晶５０９がシール材５０８によって封入されている。ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側電極端子５０３は、ＳＥＧ側透明基板５０１上にほぼ全面に形成されたＳＥＧ側透明電極５０５の延長であり、ＳＥＧ側を駆動する液晶駆動用駆動回路を接続するための端子である。また、同じくＳＥＧ側透明基板５０１上に形成されているＣＯＭ側電極端子５０４は、ＣＯＭ側を駆動する液晶駆動用集積回路を接続するための端子であり、ＣＯＭ側透明基板５０２上のほぼ全面に形成されているＣＯＭ側透明電極５０６と導電材５０７により接続されている。
【０２６２】
このＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６とＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４との接続構造を、図９１を用いて説明する。ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６は、シール材５０８の内側の液晶５０９中においてＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に、導電材５０７によって電気的に接続される。この導電材５０７としては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕなどの金属ペースト、異方性導電性接着剤、異方導電性のある導電ゴムなどを用いることができる。また、異方性導電性接着剤としては、導電粒子として、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリルなど）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキを施した導電粒子や、この粒子に絶縁コートを施した導電粒子などを用いることができ、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独または複数の混合または化合物を用いた異方性導電性接着剤を使用することができる。また、この異方性導電性接着剤は、厚さ数ミクロンから数十ミクロンのシート状のものや、ペースト状になったものなどを用いることができる。
【０２６３】
導電材５０７の塗布方法は、導電材５０７に前記導電材の種類の何を用いるかによって変わってくる。導電材５０７として、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕなどの金属ペーストのように異方導電性のない導電材を用いた場合、ＣＯＭ側電極端子５０４の一本一本の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部分にのみ、隣接する透明電極とショートしないように、塗布あるいは印刷する。一方、各種異方性導電接着剤を用いた場合、ＣＯＭ側電極端子５０４からＣＯＭ側透明電極５０６の方向にのみ電気的導通を得ることができるので、ＣＯＭ側電極端子５０４の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部分に、隣接透明電極とのショートを気にすることなく、連続的に塗布することができる。このため、大型で、ＣＯＭ側電極端子５０４の本数が多い液晶表示パネルを製造する場合には、導電材５０７として各種異方性導電接着剤を用いる方が、生産性に優れている。
【０２６４】
なお、本実施例においては、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に導電材５０７を用いて接続し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子を形成しているが、逆にＣＯＭ側透明基板５０２をＳＥＧ側透明基板５０１よりも幅、長さとも大きく形成し、ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側透明電極５０５をＣＯＭ側透明基板５０２上の電極端子に導電材によって接続し、ＣＯＭ側透明基板５０２上に全ての電極端子を設ける構造としてもよい。
【０２６５】
また、本実施例ではＳＥＧ側透明基板５０１、ＣＯＭ側透明基板５０２にガラスを用いているが、これら透明基板の材質としては、他にエポキシ、アクリル、ポリエチレンテフタレート、ポリエステル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネイト、三酢酸セルロース、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレートなどの単独あるいはそれらのいくつかを複合化した硬質透明プラスチック板、可とう性のある透明フィルム基板などを用いることができる。
【０２６６】
以上のような構成にすることにより、液晶表示パネルの製造工程において、液晶表示パネルを裏返すことなく全ての液晶駆動回路を接続することができるため、製造工程を簡略化、および製造コスト低減が実現でき、このため安くて品質のよい液晶表示装置を提供することができる。また、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に導電材５０７によって接続している部分が、液晶５０９をＳＥＧ側透明基板５０１とＣＯＭ側透明基板５０２との間に封入するシール材５０８の内側（液晶５０９側）にあるので、導電材５０７が直接空気や薬品などに触れることがなく、導電材５０７を保護するための部材、および工程を必要としないため、製造工程が複雑化せず、また製造コストも抑えることができるといった利点を有する。
【０２６７】
〔実施例４８〕
図９２は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６とＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４との電気的接続に、シール材を兼ねた導電材５１０を用いた液晶パネルを示した図である。
【０２６８】
本液晶表示パネルは、外見上は実施例４７の図９０で示した液晶パネルと同様であり、ＣＯＭ側透明基板５０２と、ＣＯＭ側透明基板５０２よりも縦及び横方向の長さを長くしたＳＥＧ側透明基板５０１からなっており、透明基板にはガラスを用いている。ＳＥＧ側透明基板５０１上には、酸化インジウムからなるＳＥＧ側電極端子５０３、ＳＥＧ側透明電極５０５、ＳＥＧ側透明基板上に形成されたＣＯＭ側電極端子５０４が、また、ＣＯＭ側透明基板５０２上にはＣＯＭ側透明電極５０６が、それぞれスパッタ法、あるいは蒸着法によって形成されている。ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側電極端子５０３は、ＳＥＧ側透明基板５０１上にほぼ全面に形成されたＳＥＧ側透明電極５０５の延長であり、ＳＥＧ側を駆動する液晶駆動用集積回路を接続するための端子である。また、同じくＳＥＧ側透明基板５０１上に形成されているＣＯＭ側電極端子５０４は、ＣＯＭ側を駆動する液晶駆動用集積回路を接続するための端子であり、ＣＯＭ側透明基板５０２上のほぼ全面に形成されているＣＯＭ側透明電極５０６と、シール材を兼ねた導電材５１０により電気的に接続されている。また、このシール材を兼ねた導電材５１０は液晶５０９をＳＥＧ側透明基板５０１と、ＣＯＭ側透明基板５０２との間に封入する役割も持っている。
【０２６９】
このシール材を兼ねた導電材５１０を形成する方法を以下に説明する。図９２のように、従来シール材として用いられてきたエポキシ系樹脂が塗布される部分のほぼ中央に当たり、しかもそれぞれのＣＯＭ側電極端子５０４の、ＣＯＭ側透明電極５０６との重なり部分に、導電材５０７を塗布あるいは印刷する。導電材５０７としては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕなどの金属ペースト、あるいは、導電粒子として半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用い、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独またはそのいくつかの混合または化合物を用いた異方性導電性接着剤などを用いることができる。金属ペーストを導電材として用いた場合は、ＣＯＭ側電極端子５０４の一本一本の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部分にのみ、隣接する透明電極とショートしないように、塗布あるいは印刷する。一方、各種異方性導電接着剤を用いた場合には、ＣＯＭ側電極端子５０４からＣＯＭ側透明電極５０６の方向にのみ電気的導通を得ることができるので、ＣＯＭ側電極端子５０４の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部分に、隣接透明電極とのショートを気にすることなく、連続的に塗布することができる。この後、シール材として用いられるエポキシ系樹脂を、先に塗布あるいは印刷された導電材を囲むように印刷あるいは塗布する。この後、位置合わせを行ったＳＥＧ側透明基板５０１とＣＯＭ側透明基板５０２を重ね合わせ、加熱加圧、または加圧ＵＶ照射する。このようにすることによって中心部に導電材を持つシール材を兼ねた導電材５１０を形成することができる。
【０２７０】
また、従来シール材として用いられてきたエポキシ系樹脂中に均一に、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用いた導電粒子を混入したものをシール材を兼ねた導電材５１０として用いることもできる。さらに、従来シール材として使用されてきたエポキシ系樹脂を用いずに、導電粒子として半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用い、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独またはそのいくつかの混合または化合物を用いた異方性導電性接着剤のみを用い、これをシール材を兼ねた導電材として用いることができ、この場合、異方性導電性接着剤としては、厚さ数ミクロンのシート状のものや、ペースト状のものなどを用いることができる。
【０２７１】
なお、本実施例においては、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に導電材を用いて接続し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子を形成しているが、逆にＣＯＭ側透明基板５０２をＳＥＧ側透明基板５０１よりも幅、長さとも大きく形成し、ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側透明電極５０５をＣＯＭ側透明基板５０２上の電極端子に接続し、ＣＯＭ側透明基板５０２上に全ての電極端子を設ける構造としてもよい。
【０２７２】
また、本実施例ではＳＥＧ側透明基板５０１、ＣＯＭ側透明基板５０２にガラスを用いているが、これら透明基板の材質としては、他にエポキシ、アクリル、ポリエチレンテフタレート、ポリエステル、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネイト、三酢酸セルロース、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレートなどの単独あるいはそれらのいくつかを複合化した硬質透明プラスチック板、可とう性のある透明フィルム基板などを用いることができる。
【０２７３】
以上のような構成にすることにより、実施例４７で示した液晶表示パネルよりもシール材−導電材間の表示に直接関係のないエリアを小さくすることができ、同一画面表示範囲の液晶表示パネルにおいて、表示装置全体の大きさをよりコンパクトにすることができる。また、液晶表示パネルの製造工程においては、液晶表示パネルを裏返すことなく全ての液晶駆動回路を接続することができるため、製造工程を簡略化、および製造コスト低減が実現でき、このため安くて品質がよく、軽量コンパクトな液晶表示装置を提供することができる。また、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４にシール材を兼ねた導電材５１０によって接続しているので、導電材部分が直接空気や薬品などに触れることがなく、導電材５０７を保護するための部材、および工程を必要としないため、製造工程が複雑化せず、また製造コストも抑えることができるといった利点を有する。
【０２７４】
〔実施例４９〕
図９３は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明基板５０２上の透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続し、ＳＥＧ側透明基板上に全ての電極端子を設けた液晶表示パネル１６に、液晶駆動用半導体チップ４をフェイスダウンボンディングした多層基板１４を実装した一実施例を示す図である。また、図９４は、図９３のＢ部を拡大して示した図である。
【０２７５】
多層基板１４は、液晶パネル１６を構成するＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に、異方性導電接着剤を用いて、電気的、機械的に接続されている。この接続に用いられる異方性導電接着剤としては、導電粒子として、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用い、また接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独またはそのいくつかの混合または化合物を用いたものを使用することができる。
【０２７６】
隣接する多層基板１４との間のバス配線の電気的接続は、ワイヤーボンディング法を用いて、ワイヤー１５によって接続される。このワイヤー１５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属、あるいはそれらの金属の合金を用いることができる。また、ＳＥＧ側透明基板５０１上には、ＳＥＧ側を駆動する液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４と、ＣＯＭ側を駆動する液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４とを接続する接続配線６０１が形成されており、ＳＥＧ側を駆動する多層基板１４とＣＯＭ側を駆動する多層基板１４はこの接続配線６０１、及び、ワイヤー１５により接続されている。この接続配線６０１は、透明電極上に金属薄膜を、メッキ、スパッタ法、蒸着法などにより形成したものを用いることができ、透明電極上にＮｉメッキを行い、その上にＡｕメッキを施したもの、またはＡｌメッキを施したものなどを用いることができる。また、外部電源回路基板からの信号は、一連の多層基板１４の最も右側の多層基板の内蔵共通入力配線の端子から、テープ電線５１１などを用いて接続される。
【０２７７】
さらに、図が煩雑になるため、図中には示していないが、多層基板１４を実装してある部分は、ワイヤー１５や、多層基板１４、液晶駆動用半導体チップ４、さらにＳＥＧ側透明基板５０１上に形成してある電極端子、および接続配線６０１などの保護のため、紫外線硬化型樹脂、あるいはシリコン樹脂などで覆ってある。
【０２７８】
このようにバス配線を内蔵した多層基板１４を用いることにより、従来のＴＣＰを用いた場合に必要であったバス回路基板が必要なくなるため、同一表示面積の液晶表示パネルを用いたとき、表示部以外の部分の面積を、従来のＴＣＰを用いた液晶表示装置より小さくすることができる。
【０２７９】
また、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子を設けたので、液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続する製造工程において、液晶表示パネル１６を裏返す必要がない。このため、製造装置を簡単化することができ、また、多層基板１４の実装部の保護のための紫外線硬化樹脂またはシリコン樹脂などの塗布時にも、未硬化樹脂がたれる心配がないなど、製造時間の短縮、及び製造コストを低減することができるといった利点を有する。
【０２８０】
〔実施例５０〕
本発明の別の一実施例を、以下に図９５、図９６、図９７、図９８、及び図９９を用いて説明する。
【０２８１】
図９５、及び図９６は、本発明による液晶表示装置において、ＳＥＧ側透明基板上にのみ電極端子を設けた液晶表示パネルの、ＳＥＧ側液晶駆動回路とＣＯＭ側液晶駆動回路とが接するコーナー部に設置する、液晶駆動回路に電源、及び信号を供給するための接続基板を示したものである。
【０２８２】
図９５に示した接続基板６０２は、ＳＥＧ側液晶駆動回路とＣＯＭ側駆動回路の共通バス回路を接続するためのもので、セラミックス製の材質の接続基板６０２上に、Ａｕペースト印刷による接続配線６０５が施してある。
【０２８３】
また図９６に示した入力端子付き接続基板６０７は、図９５に示した接続基板に電源、及び信号を、外部の電源回路から入力するための接続基板入力端子６０６を付加したもので、入力端子付き接続基板上層基板６０３及び、入力端子付き接続基板下層基板６０４からなる２層構造になっている。入力端子付き接続基板上層基板６０３、および入力端子付き接続基板下層基板６０４はセラミックスからなり、入力端子付き接続基板上層基板６０３上には接続基板入力端子６０６、および接続配線６０５が、入力端子付き接続基板下層基板６０４上には接続配線６０５が、それぞれＡｕペースト印刷により形成されている。入力端子付き接続基板上層基板６０３上の接続基板入力端子６０６および接続配線６０５と、入力端子付き接続基板下層基板６０４上の接続配線６０５とは、入力端子付き接続基板上層基板６０３上に設けられたスルーホールにより接続され、入力端子付き接続基板上層基板６０３および入力端子付き接続基板下層基板６０４上の接続配線６０５によって、接続基板入力端子６０６から入力される電源及び信号は、ＳＥＧ側及びＣＯＭ側の駆動回路にそれぞれ分配されるようになっている。
【０２８４】
なお、ここでは配線基板の接続基板６０２、入力端子付き接続基板上層基板６０３、入力端子付き接続基板下層基板６０４としてセラミックス基板を用い、接続配線６０５にＡｕペーストを用いているが、接続基板６０２、入力端子付き接続基板上層基板６０３、入力端子付き接続基板下層基板６０４の材質として、他に、ガラスエポキシ基板、フェノール樹脂系基板などの各種樹脂基板、ガラス、ポリイミド基板などを用いることができ、また、接続配線６０５としては他に、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペースト焼成物、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属薄膜をエッチング法により配線に形成したもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を蒸着法、あるいはスパッタ法などによりパターン形成したもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの薄膜配線をメッキ法によりパターン形成したもの、Ｃｕなどの金属箔をエッチング法によりパターン形成したものなどを用いることができる。
【０２８５】
これらの配線基板を液晶パネルに使用した例を図９７、図９８、図９９に示す。
【０２８６】
図９７は、ＳＥＧ側透明基板上にのみ電極端子を設けた液晶表示パネルの、ＳＥＧ側液晶駆動回路とＣＯＭ側液晶駆動回路とが接するコーナー部に、液晶駆動回路に電源、及び信号を供給するための接続基板を実装した液晶表示装置を示したものである。
【０２８７】
図９８は、図９７のＣ部の拡大図である。
【０２８８】
図９９は、図９７のＤ部の拡大図である。
【０２８９】
液晶表示パネル１６は、ＳＥＧ側透明基板５０１、ＣＯＭ側透明電極５０２からなっており、ＣＯＭ側透明基板５０２上に形成されている透明電極は、導電材によりＳＥＧ側透明基板上に形成されているＣＯＭ側電極端子に接続されている。これによって液晶駆動用半導体チップ４を実装された多層基板１４は全てＳＥＧ側透明基板５０１上に実装され、実施例１と同様に異方性導電接着剤によりＳＥＧ側透明基板上の電極端子と接続されている。隣接する多層基板１４の共通バス回路は全てワイヤーボンディング法によりＡｕワイヤー１５で電気的に接続されている。
【０２９０】
ＣＯＭ側の液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４と、ＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４とが接するコーナー部には、Ｃ部にＳＥＧ側の多層基板１４とＣＯＭ側の多層基板１４とを接続する接続基板６０２を、Ｄ部にＳＥＧ側の多層基板１４とＣＯＭ側の多層基板１４とを接続し、かつ電源回路との接続端子を持つ入力端子付き接続基板６０７をそれぞれ異方性導電接着剤を用いてＳＥＧ側透明基板５０１上に実装してある。接続基板６０２、および入力端子付き接続基板６０７にはＳＥＧ側透明基板５０１上の透明電極基板と電気的接続をとる端子が設置されていないのにもかかわらず異方性導電接着剤を用いたのは、多層基板１４が異方性導電接着剤を用いてＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続されているため、製造工程上、同一のものを用いた方がコストダウンなどに有利であるためである。当然他の接着剤、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化型樹脂、有機溶剤を用いた各種樹脂性接着剤、各種瞬間接着剤などさまざまな接着剤も用いることができる。接続基板６０２、および入力端子付き接続基板６０７は、それぞれ隣接するＳＥＧ側の多層基板１４、およびＣＯＭ側の多層基板１４とワイヤーボンディング法によりＡｕワイヤー１５で接続され、これにより一連のＳＥＧ側多層基板に電源、及び画像信号が送られる。また、外部電源回路との接続は、入力端子付き接続基板６０７上に設置されている接続基板入力端子６０６で行われ、これにより液晶表示装置全体の電源、および信号が供給される。
【０２９１】
なお、ここでは接続配線６０５のみを持った接続基板６０２と接続配線６０５と接続基板入力端子６０６を持った入力端子付き接続基板６０７の両方を用いて液晶表示装置を構成しているが、接続配線６０５のみを持った接続基板６０２のみを２個用いてＳＥＧ側の多層基板１４とＣＯＭ側の多層基板１４とを接続基板６０２を介して接続し、外部電源回路からの信号入力は、一連のＳＥＧ側の多層基板の接続基板の実装してあるのと反対側（ＣＯＭ側の多層基板のない側）の多層基板１４の共通バス配線端子から入力する構成としてもよい。また逆に、接続配線６０５と接続基板入力端子６０６の両方を持つ入力端子付き接続基板６０７を２枚用いて液晶表示装置を構成し、液晶表示パネルの上下に実装されているＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップの電圧レベルを均一にする構成としてもよい。また、ここでは隣接多層基板同士の共通バス回路の接続、および多層基板と接続基板との接続に、ワイヤーボンディング法によるＡｕワイヤーを用いているが、この接続には他にＡｌ、Ｃｕ及び、それらの合金からなるワイヤー、フレキシブル回路基板、ビニール電線を始めとする各種電線などを用い、ワイヤーボンディング法、半田、異方性導電性接着剤などの手法により電気的に接続することができる。
【０２９２】
以上のような構成にすることにより、透明電極上に金属メッキを施した配線よりも低抵抗な配線でＳＥＧ側多層基板とＣＯＭ側多層基板の共通バス回路を接続することができ、液晶表示装置の表示品位をより良好にすることができる。また、透明電極上に金属メッキを施す必要がないため、製造コストを低減することができる。
【０２９３】
〔実施例５１〕
図１００は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明基板５０２上の透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続し、ＳＥＧ側透明基板上に全ての電極端子を設け、ＳＥＧ側の液晶駆動回路として液晶駆動用半導体チップ４をフェイスダウンボンディングした多層基板１４を実装してある液晶表示パネル１６に、ＣＯＭ側の液晶駆動回路として液晶駆動用半導体チップ４および電源回路を一体化した電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８を実装した液晶表示装置を示したものである。
【０２９４】
図１０１は、図１００の電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８の実装部分を拡大した図である。
【０２９５】
また、図１０２は、電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８の断面図である。
【０２９６】
電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、電源一体ＣＯＭ多層基板６０８上にフェイスダウンボンディングされているＣＯＭ側の液晶駆動用半導体チップ４に電源およびＣＯＭ側画像信号を供給すると共に、ＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップ４を実装した多層基板１４にも同様に電源とＳＥＧ側画像信号を供給する機能を持っている。
【０２９７】
この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８の構造を図１０１、および図１０２を用いて説明する。電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、セラミックス製の上層基板６１０、中間基板６１１、下層基板６１２による多層構造になっており、液晶駆動用半導体チップ４、および電源回路を構成する各種電子部品６０９は、公知の方法（例えば、Ａｇペーストを用いて基板に接続する方法、異方性導電接着剤を用いる方法など）により上層基板６１０に実装されている。なお、図１００、図１０１では各配線パターンの図示は省略している。実装後は、液晶駆動用半導体チップ４および各種電子部品６０９の周囲、および液晶駆動用半導体チップ４と上層基板６１０の表面との間の腐食防止、および補強のためにモールドしてある。ただし、図が煩雑になるため、モールドの図示は省略してある。上層基板６１０の表面には各液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する回路パターン６１３−１が形成されている。これらの液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する回路パターン６１３−１は、スルーホール６１５−１、中間基板６１１上の回路パターン６１３−２、スルーホール６１５−３、下層基板６１２上の回路パターン６１３−３、スルーホール６１５−４を介して、同じ電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８に各種電子部品６０９で構成される電源回路の回路パターン６１３−４に接続されている。なお、ここではスルーホール６１５−１、中間基板６１１上の回路パターン６１３−２、スルーホール６１５−３、下層基板６１２上の回路パターン６１３−３、スルーホール６１５−４を経由して電源回路の回路パターン６１３−４に接続しているが、回路パターンのレイアウト上で、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応した回路パターン６１３−１と電源回路の回路パターン６１３−４との間を横切る別の回路パターンがあるなどの問題がなければ、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応した回路パターン６１３−１と電源回路の回路パターン６１３−４を上層基板６１０上で直接接続することもできる。また、上層基板６１０上には各液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する回路パターン６１３−５がそれぞれ形成されており、この各液晶駆動用半導体チップ４の出力パッドに対応する回路パターン６１３−５はスルーホール６１５−２を介し、下層基板６１２に形成されているパネルとの接続端子６１４に接続されている。
【０２９８】
なお、ここでは電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８を構成する上層基板６１０、中間基板６１１、下層基板６１２としてアルミナ基材の低温同時焼成セラミックス製基板を用いているが、他にガラスエポキシ基板、フェノール樹脂系基板などの各種樹脂系基板、ポリイミド、アラミドなどのフレキシブル基板、ガラス、硬質プラスチック、などを用いることができる。
【０２９９】
また、ここでは回路パターン６１３−１、６１３−２、６１３−３、６１３−４、パネルとの接続端子６１４としてＡｕペースト焼成物を用いているが、これらの回路パターン６１３−１、６１３−２、６１３−３、６１３−４、接続端子６１４として他に、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペースト焼成物、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属薄膜をエッチング法により配線に形成したもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を蒸着法、あるいはスパッタ法などによりパターン形成したもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの薄膜配線をメッキ法により形成したもの、Ｃｕなどの金属箔をエッチング法により形成したものなどを用いることができる。
【０３００】
このようにして構成される電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、液晶表示パネル１６を構成するＳＥＧ側透明基板５０１上に設けられた電極端子に、異方性導電接着剤を用いて電気的、機械的に接続される。この異方性導電接着剤としては、導電粒子として半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用い、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独またはそのいくつかの混合または化合物を用いたものなどを使用することができる。
【０３０１】
また、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、ＳＥＧ側駆動用の電源、および画像信号をＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップに供給する機能を持ち、電源回路一体ＣＯＭ基板６０８の上層基板６１０上に形成されるＳＥＧ側の駆動回路との接続端子と、隣接するＳＥＧ側の多層基板１４とは、Ａｕワイヤー１５をワイヤーボンディング法を用いて接続され、ＳＥＧ側の多層基板１４に電源、および、画像信号を供給している。
【０３０２】
なお、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８と隣接するＳＥＧ側の多層基板１４との電気的接続はＡｕワイヤーの他にＡｌ、Ｃｕ、及びそれらの合金からなるワイヤーなどを用いることができ、また、フレキシブル配線基板を用い、半田付け、あるいは異方性導電接着剤によって電気的、機械的に接続してもよい。
【０３０３】
このような構成とすることにより、従来のように別体の電源回路と液晶表示装置とを接続する必要がなくなり、また多層基板を一つ一つ液晶表示パネルに接続する必要がないので、工程を短縮し、製造にかかる時間を大幅に短縮することができるなど、製造コストを大幅に削減することができる。また、電源、および信号を接続するための長い配線を必要としないので、外部からのノイズの侵入が少なくなり、良好な表示を得ることができる。
【０３０４】
〔実施例５２〕
図１０３は、本発明による液晶表示装置野一実施例を示す図であり、従来用いられてきた、液晶を挟み込む２枚の透明基板のうち、コモン電極（ＣＯＭ）側透明基板５０２の長さを、セグメント電極（ＳＥＧ）側透明基板５０１よりも長くし、かつ、ＣＯＭ側透明基板５０２の幅よりもＳＥＧ側透明基板５０１の幅の方が広くなるようにして、２枚のＣＯＭ側透明基板５０２、およびＳＥＧ側透明基板５０１を重ね合わせてシール剤５０８によって液晶を封入し、それぞれ他方と重なっていない部分までＳＥＧ側透明基板５０１上に形成されたＳＥＧ側透明電極５０５、およびＣＯＭ側透明基板５０２上に形成されたＣＯＭ側透明電極５０６を延ばし、これを液晶駆動回路との接続端子とする液晶パネル１６のＣＯＭ側透明電極に、ＣＯＭ側の液晶駆動回路として液晶駆動用半導体チップ４および、電源回路を一体化した、電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８を実装した液晶表示装置を、ＳＥＧ側透明基板５０１の側から示したものである。
【０３０５】
また、図１０４は、図１０３に示した液晶表示装置を、ＣＯＭ側透明基板５０２の側から示した図である。
【０３０６】
電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、液晶表示パネル１６を構成するＣＯＭ側透明基板５０２上に設けられた透明電極端子に、異方性導電接着剤を用いて電気的、機械的に接続される。
【０３０７】
また、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、ＳＥＧ側駆動用の電源、および画像信号をＳＥＧ側液晶駆動用半導体チップに供給する機能を持ち、電源回路一体ＣＯＭ基板６０８上に形成されるＳＥＧ側駆動回路との接続端子と、ＳＥＧ側バス基板５００４３とは、テープ電線５１１を用いて接続され、ＳＥＧ側バス基板５００４３を通じて、各ＴＣＰ５００４２上に実装されているＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップ４に電源、および、画像信号を供給している。
【０３０８】
このような構成とすることにより、従来用いられてきた液晶表示パネルを用いた場合でも、従来のように別体の電源回路と液晶表示装置とを接続する必要がなくなり、また液晶駆動用集積回路を搭載した基板を一つ一つ液晶表示パネルに接続する必要がないので、工程を短縮し、製造にかかる時間を大幅に短縮することができるなど、製造コストを大幅に削減することができる。また、電源、および信号を接続するための長い配線を必要としないので、外部からのノイズの侵入が少なくなり、良好な表示を得ることができる。
【０３０９】
〔実施例５３〕
図１０５は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す図であり、実施例４７または実施例４８に示した、ＣＯＭ側透明基板５０２上の透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子を設けた本発明による液晶表示パネル１６に、従来から液晶駆動用半導体チップの実装に用いられている、液晶駆動用半導体チップ４を実装したＴＣＰ５００４２を実装したものである。それぞれのＴＣＰ５００４２は、各ＴＣＰ５００４２上に実装された液晶駆動用半導体チップへの入力信号を伝えるＳＥＧ側バス基板５００４３およびＣＯＭ側バス基板５００５２に半田付によって電気的、機械的に接続されている。
【０３１０】
この液晶表示装置を製造するには、まずＣＯＭ側透明基板５０２およびＳＥＧ側透明基板５０１によって構成される液晶表示パネル１６に、液晶駆動用半導体チップ４を前もって実装したＴＣＰ５００４２を、異方性導電接着剤などを用いて接続する。つぎに紫外線硬化型樹脂のモールド２１をＳＥＧ側透明基板５０１の端子部の透明電極露出部全てに塗布し硬化させる。この後、液晶表示パネルを、大まかな位置あわせを行ったＳＥＧ側バス基板５００４３およびＣＯＭ側バス基板５００５２の上にのせ、ＳＥＧ側バス基板５００４３とＴＣＰ５００４２、ＣＯＭ側バス基板５００５２とＴＣＰ５００４２の位置合わせを行った後半田付けを行い、後にＳＥＧ側バス基板５００４３とＣＯＭ側バス基板５００５２をテープ電線５１１を用いて半田にて接続する。
【０３１１】
以上のように、従来型の液晶表示パネルを用いた場合には、ＳＥＧ側のＴＣＰを接続した後、ＣＯＭ側のＴＣＰを接続するとき、および、紫外線硬化型樹脂を塗布・硬化させるときに少なくとも計２回の液晶表示パネル裏返し作業が必要であったが、本発明の液晶表示パネルを用いることにより、裏返し作業が必要なくなり、また、紫外線硬化型樹脂の塗布工程が１回で済むようになるなど、製造工程の大幅な単純化が実現できる。
【０３１２】
このように従来技術であるＴＣＰを用いて液晶駆動回路を液晶表示パネルに実装する場合でも、本発明の構造を持つ液晶表示パネルを用いることによって工程が短縮・単純化され、大幅なコストダウンが可能となる。
【０３１３】
【発明の効果】
以上説明したように、半導体素子の入出力配線、バスラインおよび接続端子を多層基板に形成し、そこに複数の半導体素子を実装し表示素子の電極に接続することで、駆動制御回路基板が不要になると同時に半導体素子の相互接続本数が削減できるため信頼性が向上する。
【０３１４】
また、液晶駆動用半導体チップの搭載範囲が小さく、薄く、コンパクトであり、さらに安価な液晶表示装置を提供できる。
【０３１５】
また、液晶表示パネルを構成する２枚の透明基板のどちらか一方の電極が他方の透明基板の電極に接続され、その透明基板にのみ液晶駆動回路を接続するための接続端子を形成する構成としたので、液晶表示装置の製造工程を簡略化できるとともに、製造工程の自動化を容易にすることができ、これにより液晶表示装置の製造上の大幅なコスト低減を実現できるという効果を有する。
【０３１６】
また、液晶表示パネルを構成する２枚の透明基板のどちらか一方の電極を、他方の透明基板の電極に接続する手段として、２枚の透明電極の間に挟持される液晶を封入するシール剤を兼ねた導電材を用いる構造としたので、画像表示エリアが広く、かつ装置がコンパクトで、安価な液晶表示装置を提供できるという効果を有する。
【０３１７】
また、液晶表示パネルの、Ｘ側駆動回路とＹ側駆動回路とが接するコーナー部に、電源及び信号を供給するための基板を設置する構成としたので、液晶表示装置の表示品位を従来より良好にすることができ、また製造コストを低減できるといった効果を有する。
【０３１８】
また、液晶駆動用集積回路と電源回路を搭載した多層基板を用いたので、工程削減が可能となり、製造コストを大幅に削減することができる。また、電源及び、信号を接続するための長い配線を必要としないので、外部からのノイズの侵入が少なくなり、良好な表示を得ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図２】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図である。
【図３】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図４】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図５】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図６】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図８】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図９】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１０】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図１１】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図１２】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１３】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１４】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１５】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図１６】本発明の他の一実施例の液晶表示装置を示す図である。
【図１７】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１８】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図１９】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図２０】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図２１】本発明の一実施例の異方性導電膜の断面を示す図である。
【図２２】本発明の他の一実施例の異方性導電膜の断面を示す図である。
【図２３】本発明の一実施例の異方性導電接着剤の断面を示す図である。
【図２４】本発明の一実施例の異方性導電膜または異方性導電接着剤の接続部分の主要部分の断面を示す図である。
【図２５】本発明の一実施例を示す半導体素子の実装構造と表示素子に接続した断面図である。
【図２６】本発明の一実施例を示す半導体素子の実装構造と表示素子に接続した平面図である。
【図２７】本発明の一実施例を示す接続部の詳細配線図である。
【図２８】本発明の一実施例の液晶表示装置の結線ブロック図である。
【図２９】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３０】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３１】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３２】本発明の半導体素子を実装したＬＣＤモジュールの一実施例を示す図である。
【図３３】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３４】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３５】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３６】本発明の半導体素子を実装した電子印字装置の一実施例を示す図である。
【図３７】本発明の半導体素子を実装した電子印字装置の一実施例を示す図である。
【図３８】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図３９】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図４０】本発明の液晶表示装置の平面図である。
【図４１】本発明の半導体素子を実装した液晶表示装置の一実施例を示す図である。
【図４２】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を示す図である。
【図４３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図４４】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を実装した図である。
【図４５】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を実装した図である。
【図４６】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を実装した図である。
【図４７】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を実装した図である。
【図４８】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図４９】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５０】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５１】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５２】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５３】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５４】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５５】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５６】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５７】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を複数個実装した図である。
【図５８】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図５９】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図６０】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図６１】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図６２】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図６３】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図６４】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図６５】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図６６】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図６７】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図６８】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置に実装した図である。
【図６９】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置に実装した図である。
【図７０】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７１】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７２】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図７４】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図７５】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７６】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図７７】本発明の一実施例の多層基板の取り付け穴を示す図である。
【図７８】本発明の一実施例の多層基板の取り付け穴を示す図である。
【図７９】本発明の一実施例の多層基板の他の形状の取り付け穴を示す斜視図である。
【図８０】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図である。
【図８１】本発明の一実施例の多層基板の取り付け状態を示す断面図である。
【図８２】本発明の一実施例の多層基板を示した図である。
【図８３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示した図である。
【図８４】本発明の一実施例の多層基板の第１の層を示した図である。
【図８５】本発明の一実施例の多層基板の第２の層を示した図である。
【図８６】本発明の一実施例の多層基板の第３の層を示した図である。
【図８７】本発明の一実施例の多層基板の第４の層を示した図である。
【図８８】本発明の一実施例の多層基板の第５の層を示した図である。
【図８９】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図である。
【図９０】本発明の一実施例を示す図。
【図９１】本発明の一実施例を示す図９０のＡ−Ｂにおける断面図。
【図９２】本発明の一実施例を示す図。
【図９３】本発明の一実施例を示す図。
【図９４】本発明の一実施例を示す図９３のＢ部の拡大図。
【図９５】本発明の一実施例を示す図。
【図９６】本発明の一実施例を示す図。
【図９７】本発明の一実施例を示す図。
【図９８】本発明の一実施例を示す図９７のＣ部の拡大図。
【図９９】本発明の一実施例を示す図９７のＤ部の拡大図。
【図１００】本発明の一実施例を示す図。
【図１０１】本発明の一実施例を示す図１００の電源回路一体多層基板部分の拡大図。
【図１０２】本発明の一実施例を示す図であり、電源回路一体基板の断面図。
【図１０３】本発明の一実施例を示す図。
【図１０４】本発明の一実施例を示す図。
【図１０５】本発明の一実施例を示す図。
【図１０６】従来の液晶表示装置を示す図である。
【図１０７】従来の液晶表示装置の主要部分を示す図である。
【図１０８】従来の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図１０９】従来の他の液晶表示装置の主要部分の断面を示す図である。
【図１１０】従来の異方性導電膜の断面を示す図である。
【図１１１】従来の異方性導電膜の接続部の主要部分の断面を示す図である。
【図１１２】従来の異方性導電膜の接続部の主要部分の断面を示す図である。
【図１１３】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に接続した断面図。
【図１１４】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に接続した平面図。
【図１１５】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に接続した平面図。
【図１１６】従来の液晶表示パネルを示す図。
【図１１７】従来の液晶表示パネルを示す図であり図１１６のＥ−Ｆにおける断面図。
【符号の説明】
１．第１の層
２．第２の層
３．第３の層
４．、４’．液晶駆動用半導体チップ
５．、５’．入力配線
６．スルーホール
７．ランド
８．出力配線
９．スルーホール
１０．バス配線
１１．スルーホール
１２．スルーホール
１３．接続端子
１４．多層基板
１５．ワイヤー
１６．パネル
１７．接続基板
１８．パネル端子
１９．接続部材
２０．モールド
２１．モールド
２２．ワイヤーボンディング用ランド
２３．ワイヤー
２４．接続基板
２５．スルーホール
２６．スルーホール
２７．接続端子
２８．バス配線
２９．パネル端子
３０．スルーホール
３１．異方性導電膜
３２．導電粒子
３３．接着剤
３４．セパレータ
３５．異方性導電接着剤
ｄ．導電粒子の粒子径
Ｄ．導電粒子の粒子径
ｈ．接着剤の厚み
Ｈ．接着剤の厚み
ｋ．接続端子の厚み
Ｋ．端子先端部の厚み
１１０．液晶表示素子
１１１−1．〜１１１−12．半導体素子
１１２−1．〜１１２−4．多層基板
１１３．液晶表示素子電極端子
１１４．多層基板端子
１１５．異方性導電接着剤
Ｐ11．〜Ｐ3n．液晶駆動出力線
１３１1．〜１３１n．カラー画素
２０１．半導体素子（ＬＳＩ）
２０２．多層基板
２０３．電子素子（液晶表示素子）
２０４．入力配線
２０５．出力配線
２０６．バンプ
２０８．モールド剤
２０９．ＡＣＦ
２１０．接着剤
２１１．ＬＳＩ端子
２１３．電子印字素子（サーマルプリンタヘッド）
２２１．内部導電層
２３１．ＬＣＤ端子
３０１．第１の層
３０２．第２の層
３０３．第３の層
３０４．半導体素子
３０５．入力配線
３０６．スルーホール
３０７．ランド
３０８．出力配線
３０９．バス配線
３１０．外部接続端子
３１１．多層基板
３１２．Ａｕワイヤー
３１３．液晶パネル
３１４．接続基板
３１５．パネル端子
３１６．異方性導電膜
３１７．モールド
３１８．ワイヤーボンディング用ランド
３１９．ＴＣＰ
３２０．開口部
３２１．バス基板開口部
３２２．バス基板
３２３．先端部
３２４．出力端子スルーホール
３２５．電極
３２６．バス配線用ＦＰＣ
３２７．バス配線用ＰＣＢ基板
３２８．バス配線用接続ランド
３２９．電子印字素子
３３０．モールド
４３１．取り付け穴を有した多層基板
４３１ａ．取り付け穴を有した多層基板
４３１ｂ．取り付け穴を有した多層基板
４３１ｃ．取り付け穴を有した多層基板
４３１ｄ．取り付け穴を有した多層基板
４３２．取り付け穴
４３３．外装化粧ケース上
４３４．ネジ
４３５．バックライトユニット
４３６．外装化粧ケース
４３７．取り付け用切り欠きを有した多層基板
４３７ａ．取り付け用切り欠きを有した多層基板
４３７ｂ．取り付け用切り欠きを有した多層基板
４３７ｃ．取り付け用切り欠きを有した多層基板
４３７ｄ．取り付け用切り欠きを有した多層基板
４３８．取り付け用切り欠き
５０１．ＳＥＧ側透明基板
５０２．ＣＯＭ側透明基板
５０３．ＳＥＧ側電極端子
５０４．ＣＯＭ側電極端子
５０５．ＳＥＧ側透明電極
５０６．ＣＯＭ側透明電極
５０７．導電材
５０８．シール材
５０９．液晶
５１０．シール材を兼ねた導電材
５１１．テープ電線
６０１．接続配線
６０２．接続基板
６０３．入力端子付き接続基板上層基板
６０４．入力端子付き接続基板下層基板
６０５．接続配線
６０６．接続基板入力端子
６０７．入力端子付き接続基板
６０８．電源回路一体ＣＯＭ多層基板
６０９．電子部品
６１０．上層基板
６１１．中間基板
６１２．下層基板
６１３−１．液晶駆動用半導体チップの入力パッドに対応する回路パターン
６１３−２．中間基板上の回路パターン
６１３−３．下層基板上の回路パターン
６１３−４．電源回路の回路パターン
６１３−５．液晶駆動用集積回路の出力パッドに対応する回路パターン
６１４．接続端子
６１５−１．スルーホール
６１５−２．スルーホール
６１５−３．スルーホール
６１５−４．スルーホール
６１５−５．スルーホール
１０００．第１の層
１０１０．貫通穴
１１００．液晶駆動用半導体チップ
１１１０．入力配線
１１１０−１．入力配線
１１１０−Ｎ．入力配線
１１２０．スルーホール
１１２０−１．スルーホール
１１２０−Ｎ．スルーホール
１１３０．出力配線
１１３０−１．出力配線
１１３０−Ｎ．出力配線
１１４０．スルーホール
１１４０−１．スルーホール
１１４０−Ｎ．スルーホール
１２００．液晶駆動用半導体チップ
１２１０．入力配線
１２１０−１．入力配線
１２１０−Ｎ．入力配線
１２２０．スルーホール
１２２０−１．スルーホール
１２２０−Ｎ．スルーホール
１２３０．出力配線
１２３０−１．出力配線
１２３０−Ｎ．出力配線
１２４０．スルーホール
１２４０−１．スルーホール
１２４０−Ｎ．スルーホール
１３００．液晶駆動用半導体チップ
１３１０．入力配線
１３１０−１．入力配線
１３１０−Ｎ．入力配線
１３２０．スルーホール
１３２０−１．スルーホール
１３２０−Ｎ．スルーホール
１３３０．出力配線
１３３０−１．出力配線
１３３０−Ｎ．出力配線
１３４０．スルーホール
１３４０−１．スルーホール
１３４０−Ｎ．スルーホール
２０００．第２の層
２０１０．貫通穴
２０２０．配線
２０３０．スルーホール
２１２０．スルーホール
２１４０．スルーホール
２２２０．スルーホール
２２４０．スルーホール
２３２０．スルーホール
２３４０．スルーホール
３０００．第３の層
３０１０．貫通穴
３０２０．配線
３０３０．スルーホール
３１２０．スルーホール
３１４０．スルーホール
３２４０．スルーホール
３３４０．スルーホール
４０００．第４の層
４０２０．配線
４０４０．ランド
４１４０．スルーホール
４２４０．スルーホール
４３４０．スルーホール
５０００．第５の層
５０５０．配線
５０６０．接続端子
５１４０．スルーホール
５２４０．スルーホール
５３４０．スルーホール
６０００．多層基板
７０００．中継基板
８０００．接続部材
５００４１．液晶駆動用半導体チップ
５００４２．ＴＣＰ
５００４３．バス基板（ＳＥＧ側）
５００４４．入力配線
５００４５．出力配線
５００４６．先端部
５００４７．入力配線
５００４８．バス配線
５００４９．異方性導電膜
５００５０．導電粒子
５００５１．接着剤
５００５２．バス基板（ＣＯＭ側）
５０１５１．ＴＣＰ
５０１５２．可とう性配線部材
５０１５３．ＴＣＰ出力端子
５０１５４．ＴＣＰ入力端子
５０１５５．駆動制御回路基板

Claims (3)

1. 液晶表示装置において、
   一対の基板と、
   一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、
   前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、
   前記多層基板に実装される第１の液晶駆動用半導体チップと、
   前記他方の基板の張出し部に搭載される第２の液晶駆動用半導体チップとを備え、
   前記多層基板は、前記第１の液晶駆動用半導体チップに電源及び第１の画像信号を供給すると共に、前記第２の液晶駆動用半導体チップに電源及び第２の画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、
   前記第１の液晶駆動用半導体チップ及び前記電子部品は、前記他方の基板の張出し部の平面内からはみ出さないように前記多層基板に実装されてなり、
   前記多層基板は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていること
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 液晶表示装置において、
   一対の基板と
   一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、
   前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、
   前記多層基板に実装される液晶駆動用半導体チップとを備え、
   前記多層基板は、上層基板、中間基板、下層基板からなり、
   前記多層基板は、前記上層基板上に前記液晶駆動用半導体チップと当該液晶駆動用半導体チップに電源及び画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、
   前記液晶駆動用半導体チップの出力パッドに対応する回路パターンが、前記上層基板に形成され、前記回路パターンがスルーホールを介して、前記下層基板に形成されている接続端子に接続されており、
   前記液晶駆動用半導体チップの入力パッドに対応した回路パターンと、前記電源回路の回路パターンの間を横切る別の回路パターンが前記上層基板に形成され、前記入力パッドに対応した入力パターンと前記電源回路の回路パターンは、前記中間基板を介して接続されており、
   前記多層基板の前記接続端子は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていること、
   を特徴とする液晶表示装置。
3. 電子光学装置において、
   一対の基板と
   一方の前記基板から張出した他方の前記基板の張出し部に形成された電極端子と、
   前記他方の基板の張出し部に搭載され、前記電極端子に接続される多層基板と、
   前記多層基板に実装される駆動用半導体チップとを備え、
   前記多層基板は、上層基板、中間基板、下層基板からなり、
   前記多層基板は、前記上層基板上に前記駆動用半導体チップと当該駆動用半導体チップに電源及び画像信号を供給する電源回路を構成する電子部品とが実装されており、
   前記駆動用半導体チップの出力パッドに対応する回路パターンが、前記上層基板に形成され、前記回路パターンがスルーホールを介して、前記下層基板に形成されている接続端子に接続されており、
   前記駆動用半導体チップの入力パッドに対応した回路パターンと、前記電源回路の回路パターンの間を横切る別の回路パターンが前記上層基板に形成され、前記入力パッドに対応した入力パターンと前記電源回路の回路パターンは、前記中間基板を介して接続されており、
   前記多層基板の前記接続端子は、異方性導電接着剤を用いて前記電極端子に接続されていること、
   を特徴とする電子光学装置。

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